專利名稱：防止仔晶浮動(dòng)的坩堝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種坩堝，尤其是涉及一種防止仔晶浮動(dòng)的坩堝。
背景技術(shù)：
隨著光伏發(fā)電技術(shù)逐漸成熟，太陽能電池的應(yīng)用也在蓬勃發(fā)展。太陽能電池通常形成于硅襯底上，該硅襯底可以呈現(xiàn)為單晶硅襯底或多晶硅襯底。目前獲得硅襯底的常見方法是通過硅料的熔化，凝固以及切割來完成的。坩堝是用來裝載多晶硅原料的容器，作為生長(zhǎng)單晶體的常規(guī)方法，在坩堝中放置仔晶晶體，其中源熔料與仔晶晶體接觸，該熔料的溫度在仔晶晶體上逐漸降低，以便生長(zhǎng)單晶體。常用的平底坩堝在晶體生長(zhǎng)的實(shí)際過程中會(huì)發(fā)生仔晶的浮動(dòng)，進(jìn)而影響單晶硅的生成。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種防止仔晶浮動(dòng)的坩堝。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案防止仔晶浮動(dòng)的坩堝，其包括坩堝主體(I)，所述坩堝主體(I)的底部包括多個(gè)可防止仔晶浮動(dòng)的口袋(2)，所述口袋⑵為具有傾斜側(cè)壁的口袋。在本實(shí)用新型的一實(shí)施方式中，所述坩堝主體(I)與所述口袋(2)為一整體。在本實(shí)用新型的一實(shí)施方式中，所述口袋⑵的外墻(5)與底部(6)成銳角。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是采用了具有傾斜側(cè)壁的口袋的坩堝，可在晶體生長(zhǎng)的實(shí)際過程中防止仔晶的浮動(dòng)。

圖I為根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式所示的裝滿硅料的坩堝的剖視圖。圖2為根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式所示的容納仔晶晶體的口袋的局部放大圖。圖3為根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式所示的坩堝的俯視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明，但不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。如圖I所示，防止仔晶浮動(dòng)的坩堝，其包括裝載了硅料(3)的坩堝主體(1)，所述坩堝主體(I)的底部包括可容納仔晶晶體(4)以防止仔晶浮動(dòng)的口袋(2)。所述坩堝主體
(I)與所述口袋(2)為一整體。在所述實(shí)施方式中，坩堝主體(I)和口袋(2)是一般的六面體，如長(zhǎng)方體或正方體等。坩堝底部有多個(gè)口袋(2)。仔晶(4)放置在口袋(2)中，硅料
(3)裝載在坩堝主體(I)中。進(jìn)一步的，如圖2所示，所述口袋⑵為具有傾斜側(cè)壁的口袋。口袋⑵的外墻
(5)與底部(6)成銳角，仔晶晶體⑷放置在口袋⑵內(nèi)。由于口袋⑵的外墻(5)是一個(gè)進(jìn)入角，因此這種口袋底部的直徑大于口袋上方直徑。也就是說，這種口袋的底部大于其向坩堝底部開放的開口。首先仔晶以一個(gè)角度插入，然后放置在口袋底部，這種結(jié)構(gòu)極大的防止了仔晶從口袋中浮出和退出。以上所述的實(shí)施例只是本實(shí)用新型較優(yōu)選的具體實(shí)施方式
的一種，本領(lǐng)域的技術(shù) 人員在本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變換和替換都應(yīng)包含在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.防止仔晶浮動(dòng)的坩堝，其包括坩堝主體(I)，其特征在于，所述坩堝主體(I)的底部包括多個(gè)可防止仔晶浮動(dòng)的口袋(2)，所述口袋(2)為具有傾斜側(cè)壁的口袋。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的防止仔晶浮動(dòng)的坩堝，其特征在于，所述坩堝主體(I)與所述口袋⑵為一整體。
3.根據(jù)權(quán)利要求I至2中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的防止仔晶浮動(dòng)的坩堝，其特征在于，所述口袋(2)的外墻(5)與底部(6)成銳角。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種防止仔晶浮動(dòng)的坩堝，其包括裝載了硅料(3)的坩堝主體(1)，所述坩堝主體(1)的底部包括多個(gè)容納仔晶晶體(4)以防止仔晶浮動(dòng)的口袋(2)。所述坩堝主體(1)與所述口袋(2)為一整體。所述口袋(2)為具有傾斜側(cè)壁的口袋。所述口袋(2)的外墻(5)與底部(6)成銳角。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于采用了具有傾斜側(cè)壁的口袋的坩堝，可在晶體生長(zhǎng)的實(shí)際過程中有效地防止仔晶的浮動(dòng)。
文檔編號(hào)C30B11/00GK202543378SQ20122001964
公開日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日
發(fā)明者吳昆旭, 阿肖克·庫馬爾·辛哈, 雷平·賴 申請(qǐng)人:上澎太陽能科技(嘉興)有限公司