專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管門(mén)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子器件，特別地是一種RFID應(yīng)答器，包括由有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成的至少一個(gè)邏輯門(mén)。
背景技術(shù)：
最簡(jiǎn)單的邏輯門(mén)為反相器，通過(guò)與另外的反相器和/或另外的電子部件組合，可以由該反相器形成所有復(fù)雜的邏輯門(mén)，例如AND、NAND、NOR等。包括僅一種類(lèi)型的半導(dǎo)體——典型地包括p型半導(dǎo)體——作為有源層的有機(jī)邏輯門(mén)易受到單個(gè)器件的參數(shù)波動(dòng)的影響。這意味著由于在制造過(guò)程中的偏差，一旦單個(gè)器件例如晶體管不能充分地實(shí)現(xiàn)由電路設(shè)計(jì)所確定的性能規(guī)格，那么所述電路就會(huì)不可靠地工作或根本不工作。此外，耗散電流，也就是不是由電路功能所產(chǎn)生的電流，至少在半個(gè)工作時(shí)間期間，依賴(lài)于所采用的電路構(gòu)思，在這些基于僅一種類(lèi)型的半導(dǎo)體的電路中流動(dòng)。結(jié)果，功率消耗顯著地高于實(shí)際需要。
例如，因?yàn)镽FID應(yīng)答器從通過(guò)小型天線接收然后整流的射頻信號(hào)獲得其電源電壓，因此這樣的邏輯門(mén)不適于RFID應(yīng)答器(RFID＝射頻識(shí)別)。RFID應(yīng)答器越來(lái)越多地被用于提供具有電子可讀出的信息的商品或安全文件。它們由此被用于例如作為顧客貨物的電子條碼、作為用于識(shí)別行李的行李標(biāo)簽或者作為被并入到護(hù)照的裝幀(binding)中且存儲(chǔ)認(rèn)證信息的安全元件。
文獻(xiàn)KLAUK，H.et al.Pentacene Thin Film Transistors and InverterCircuits.InIEDM Tech.Dig.，December 1997，pp.539-542描述了包括相同類(lèi)型的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的反相器，該反相器由充電場(chǎng)效應(yīng)晶體管和開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成，這些晶體管被串聯(lián)連接。通過(guò)有機(jī)半導(dǎo)體材料的熱淀積，提供場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造。
還公知用于邏輯門(mén)的不同半導(dǎo)體的組合，但至今僅組合了有機(jī)半導(dǎo)體與無(wú)機(jī)半導(dǎo)體，例如在文獻(xiàn)BONSE，M.et al.Integrated a-Si:H/PentaceneInorganic/Organic Complementary Circuits.InIEEE IEDM 98，1998，pp.249-252中所描述的，或組合有機(jī)半導(dǎo)體與有機(jī)金屬半導(dǎo)體，如在文獻(xiàn)CRONE，B.K.et al，Design and fabrication of organic complementarycircuits.InJ.Appl.Phys..Vol.89，May 2001，pp.5125-5132中所報(bào)道的。在兩份文獻(xiàn)中還提供有機(jī)半導(dǎo)體的熱淀積作為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的為規(guī)定一種使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的改善的電子器件。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)形成包括至少一個(gè)邏輯門(mén)的電子器件，實(shí)現(xiàn)該目的，其中所述邏輯門(mén)由多個(gè)層形成，所述多個(gè)層被施加在公共(common)襯底上，包括至少兩個(gè)電極層、由液體施加的至少一個(gè)特別地為有機(jī)的半導(dǎo)體層、以及絕緣體層，并且以這樣的方式形成，以使所述邏輯門(mén)包括至少兩個(gè)不同地構(gòu)造的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
在該情況下，術(shù)語(yǔ)液體包括例如懸濁液、乳濁液、其它分散體(dispersion)或其它溶液。例如，可以通過(guò)印刷的方法施加這樣的液體，其中參數(shù)例如粘度、濃度、沸點(diǎn)以及表面張力決定液體的印刷特性。下文中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管被理解為表示其半導(dǎo)體層實(shí)質(zhì)上已由所述液體施加的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
通過(guò)在具有由液體施加的至少一個(gè)半導(dǎo)體層的公共載體上形成其結(jié)構(gòu)不同的兩個(gè)特別地為有機(jī)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以形成具有不能在其它情況下獲得的特性的邏輯門(mén)。
這樣，可以實(shí)現(xiàn)通過(guò)用僅僅一種半導(dǎo)體的先前的實(shí)施例更快的邏輯門(mén)。由此，至今在載體上構(gòu)造基于僅一種類(lèi)型的半導(dǎo)體的電路已經(jīng)成為常規(guī)實(shí)踐，也就是說(shuō)，硅基IC僅具有硅基晶體管。本發(fā)明可以簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)、提高開(kāi)關(guān)速度、降低功率消耗和/或提高可靠性。同時(shí)，因此確保了可以通過(guò)快速且連續(xù)的制造方法例如卷繞式(roll-to-roll)印刷方法來(lái)制造這種類(lèi)型的邏輯門(mén)。此外，根據(jù)本發(fā)明的邏輯門(mén)以對(duì)制造容差的較高的不敏感性為特點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的邏輯門(mén)的另一優(yōu)點(diǎn)為其功率消耗低于常規(guī)的，特別地為有機(jī)的邏輯門(mén)。
因此，不再必須以考慮保留(reserve)的方式，例如通過(guò)過(guò)尺寸選定(overdimensioning)單個(gè)器件或者通過(guò)插入冗余部件，開(kāi)發(fā)電路版圖。
下文中被稱(chēng)為OFET的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管為包括至少三個(gè)電極和絕緣層的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該OFET設(shè)置在載體襯底上，該載體襯底可以被形成為固體襯底或膜，例如形成為聚合物膜。由有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成的層形成導(dǎo)電溝道，源電極和漏電極形成該導(dǎo)電溝道的端部分。由液體施加由有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成的層。有機(jī)半導(dǎo)體可以為溶解在所述液體中的聚合物。含有所述聚合物的所述液體還可以為懸濁液、乳濁液或其它分散體。
在這里術(shù)語(yǔ)聚合物確切地包括聚合材料和/或低聚材料和/或由“小分子”構(gòu)成的材料和/或由“納米顆粒”構(gòu)成的材料。例如，可以通過(guò)聚合物懸濁液來(lái)施加由納米顆粒構(gòu)成的層。所以，為形成n導(dǎo)電聚合半導(dǎo)體，所述聚合物還可以為例如混合材料。包括除了傳統(tǒng)半導(dǎo)體(晶體硅或鍺)和典型的金屬導(dǎo)體之外的所有類(lèi)型的物質(zhì)。因此旨在不教條地限制為在碳化學(xué)意義內(nèi)的有機(jī)材料。而是還可包括例如聚硅氧烷。此外，如上面已經(jīng)解釋的，該術(shù)語(yǔ)旨在不限制分子尺寸，而是包括“小分子”或“納米顆?！薄＜{米顆粒包括例如含有氧化鋅的有機(jī)金屬的半導(dǎo)體有機(jī)化合物作為非有機(jī)成分。可以規(guī)定用不同的有機(jī)材料形成半導(dǎo)體層。
導(dǎo)電溝道被絕緣層覆蓋，在絕緣層上設(shè)置柵電極。可以通過(guò)在柵電極與源電極之間施加?xùn)?源電壓UGS來(lái)改變溝道的電導(dǎo)率。該半導(dǎo)體層可被形成為p型導(dǎo)體或n型導(dǎo)體。幾乎僅由缺陷電子實(shí)現(xiàn)p型導(dǎo)體中的電流傳導(dǎo)，并且?guī)缀鮾H由電子實(shí)現(xiàn)n型導(dǎo)體中的電流傳導(dǎo)。在每一種情況下出現(xiàn)的占主導(dǎo)的電荷載流子稱(chēng)為多數(shù)載流子。盡管p型摻雜是有機(jī)半導(dǎo)體的典型摻雜，但仍可以用n型摻雜形成該材料?？梢詫⒉⑽灞?、聚烷基噻吩等設(shè)置作為p導(dǎo)電的半導(dǎo)體，以及例如可以將可溶性富勒分子(fullerence)衍生物設(shè)置作為n導(dǎo)電的半導(dǎo)體。
如果施加了合適的極性的柵-源電壓UGS，也就是在p型導(dǎo)體的情況下是負(fù)電壓，在n型導(dǎo)體的情況下是正電壓，那么通過(guò)在絕緣層中形成電場(chǎng)，增大了多數(shù)載流子的濃度。因此在漏電極與源電極之間的電阻減小。在施加漏極-源極電壓UGS時(shí)，則可以在源電極與漏電極之間形成比在斷開(kāi)(open)柵電極的情況下大的電流流動(dòng)。因此，場(chǎng)效應(yīng)晶體管為可控電阻器。通過(guò)組合兩種不同地形成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，特別地為OFET，根據(jù)本發(fā)明的邏輯門(mén)避免了組合相同類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，特別地為OFET的形成耗散電流即在沒(méi)有被驅(qū)動(dòng)時(shí)呈現(xiàn)電流流動(dòng)的缺點(diǎn)。
在從屬權(quán)利要求中介紹了本發(fā)明的有利的實(shí)施例。
規(guī)定了至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有其厚度不同的半導(dǎo)體層。通過(guò)以可溶性方式，有利地在印刷工藝中形成的半導(dǎo)體提供不同厚度的形成。為了該目的，在有機(jī)半導(dǎo)體的情況下，可以改變半導(dǎo)體的聚合物的濃度。這樣，在溶劑蒸發(fā)后形成依賴(lài)于聚合物濃度的有機(jī)半導(dǎo)體的層厚度。
還可規(guī)定將場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體層形成為具有不同的電導(dǎo)率。例如通過(guò)聯(lián)氨處理和/或有目的的氧化(targeted oxidation)，可以減小或增大半導(dǎo)體層，特別地是有機(jī)半導(dǎo)體層的電導(dǎo)率。因此，可以以這樣的方式設(shè)定用這樣的半導(dǎo)體材料形成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以使其關(guān)斷電流比開(kāi)通電流小僅僅約一個(gè)數(shù)量級(jí)。關(guān)斷電流為在柵電極處不存在電勢(shì)時(shí)在場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源電極與漏電極之間流動(dòng)的電流。開(kāi)通電流為在柵極處存在電勢(shì)例如在涉及具有p型導(dǎo)電的場(chǎng)效應(yīng)晶體管情況下的負(fù)電勢(shì)時(shí)，在場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源電極與漏電極之間流動(dòng)的電流。
因此，對(duì)于使用不同類(lèi)型的半導(dǎo)體或者設(shè)置不同組合的半導(dǎo)體以在彼此的旁邊形成電子功能層是有利的，由此對(duì)于以有目的的方式影響特性例如電荷遷移率、開(kāi)關(guān)速度以及功率或開(kāi)關(guān)特性也是有利的。
還可規(guī)定場(chǎng)效應(yīng)晶體管在絕緣體層的形成方面不同。所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有這樣的絕緣體層，這些絕緣體層具有不同的厚度和/或不同的材料。然而，至少兩個(gè)不同地形成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的絕緣體層在其穿透率(permeability)方面也不同，并由此影響可以在半導(dǎo)體層中形成的，或者可以形成為用于電極的電容性耦合例如用于將柵電極耦合到同一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源或漏電極的電介質(zhì)的電荷載流子密度。
層的不同的區(qū)域構(gòu)造(areal structuring)可以為特別成本有效的方式。這在印刷方法的情況下可以為特別簡(jiǎn)單的方式，以便在該情況下在不具體地知道函數(shù)依賴(lài)性的條件下可以根據(jù)試錯(cuò)法優(yōu)化場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性。兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以形成為例如具有不同的溝道寬度和/或溝道長(zhǎng)度。可優(yōu)選地提供條帶型結(jié)構(gòu)。然而，也可以提供任意輪廓的結(jié)構(gòu)，例如用于形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電極，例如柵電極。幾何尺寸為處于μm范圍的尺寸，利如30μm至50μm的溝道寬度，傾向于更小的尺寸以便獲得高開(kāi)關(guān)速度和電極之間的低電容。由常規(guī)的硅技術(shù)可知，部件電容會(huì)造成高功率損耗，因此對(duì)于最小化電路的功率需求具有重要影響。
這樣，例如為了形成不同的開(kāi)關(guān)特性，還可以形成具有不同開(kāi)關(guān)電容的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
也可規(guī)定在彼此的旁邊或一個(gè)在另一個(gè)之上設(shè)置至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這樣，可以特別簡(jiǎn)單地將電路設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)榘鎴D，并且可以最小化例如鍍通孔(plated-through hole)即所謂的過(guò)孔的數(shù)目。然而，還可以為了功能的原因，例如為了形成具有公共柵電極的兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，規(guī)定場(chǎng)效應(yīng)晶體管的設(shè)置，在該情況下一個(gè)在另一個(gè)之上地設(shè)置兩個(gè)晶體管尤為有利。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以設(shè)置為具有相同的取向或不同的取向。規(guī)定了至少兩個(gè)不同地形成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以設(shè)置為具有底柵或頂柵取向。
可以規(guī)定以這樣的方式改變所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以使它們形成為具有不同的電阻特性曲線和/或不同的開(kāi)關(guān)特性?？梢酝ㄟ^(guò)例如改變半導(dǎo)體層的厚度來(lái)改變電阻特性曲線，在該情況下，通過(guò)形成特別薄的層——例如層在5nm至30nm的范圍內(nèi)的層的情況下——設(shè)定其它的在200nm量級(jí)的給定的較厚的層所不能觀察到的效果。
可以使所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管彼此并聯(lián)和/或串聯(lián)。例如，可以規(guī)定串聯(lián)的兩個(gè)不同地形成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，特別地是兩個(gè)OFET，形成負(fù)載OFET和開(kāi)關(guān)OFET。然而，還可規(guī)定例如通過(guò)兩個(gè)或多個(gè)不同的OFET的并聯(lián)或串聯(lián)而形成負(fù)載OFET和/或開(kāi)關(guān)OFET。例如，這樣，可以由例如四個(gè)——優(yōu)選地不同的——場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成被形成為反相器的邏輯門(mén)。可以連接這樣的邏輯門(mén)，以形成特別地在RFID應(yīng)答器中可以用作邏輯電路或振蕩產(chǎn)生器的環(huán)形振蕩器。
根據(jù)本發(fā)明的解決方案不限制于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的直接電耦合。相反地，可規(guī)定例如通過(guò)以這樣的方式擴(kuò)大柵電極和另一電極，以使它們與絕緣層一起形成具有充足的電容的電容器，彼此電容性地耦合場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于絕緣層的以及如果適合的話設(shè)置在電容性耦合的電極之間的另外的層的可能的非常小的層厚度，盡管電極面積小卻可以形成相對(duì)高的電容值。
還可規(guī)定將不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成為具有不同導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層，也就是具有p導(dǎo)電和n導(dǎo)電半導(dǎo)體層。即使p導(dǎo)電層對(duì)于形成OFET仍然是優(yōu)選的，然而施加n導(dǎo)電層也不比施加p導(dǎo)電層困難。這樣，還可以在兩個(gè)鄰接的層之間形成p-n結(jié)。
以這樣的方式形成根據(jù)本發(fā)明的邏輯門(mén)，以便實(shí)質(zhì)上可以通過(guò)印刷(例如通過(guò)凹版印刷、絲網(wǎng)印刷、移印(pad printing))和/或刮刀涂布制造邏輯門(mén)。因此，整個(gè)構(gòu)造旨在形成這樣的層，這些層在它們的相互作用中形成邏輯門(mén)并可以通過(guò)所述的兩種方法構(gòu)造。試驗(yàn)和測(cè)試設(shè)備可用于此，如為例如制造光學(xué)安全元件的所提供的。因此，可以對(duì)相同的裝置制造本發(fā)明的門(mén)。
如果將至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，特別地是OFET的層形成為可印刷的半導(dǎo)電聚合物和/或可印刷的絕緣聚合物和/或?qū)щ娪∷⒛?或金屬層，則可以特別好地實(shí)現(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同形成。
可以以特別簡(jiǎn)單的方式通過(guò)其溶劑比例設(shè)定可溶性聚合層的厚度。然而，還可規(guī)定例如如果通過(guò)移印或通過(guò)刮刀涂布提供了層的施加，則可以通過(guò)其施加量來(lái)設(shè)定可溶性有機(jī)層的厚度。這樣可以?xún)?yōu)選地形成較厚的層。作為對(duì)此的可選方案，可以規(guī)定層的分層的構(gòu)造。如果，例如，至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有厚度不同的相同材料的半導(dǎo)體層，則可以在第一次流程(a first pass)中施加一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的薄層，并且可以在一個(gè)或多個(gè)另外的流程中對(duì)于另一場(chǎng)效應(yīng)晶體管增強(qiáng)該基礎(chǔ)層。為了該目的，可規(guī)定用不同的溶劑比例施加層，即用高的溶劑比例施加基礎(chǔ)層，而用低的溶劑比例施加另外的一層或多層。
優(yōu)選規(guī)定通過(guò)多層撓性膜體形成以上述方式制造的電子器件。特別地在將電子器件施加到撓性支承時(shí)，電子器件的撓度可以使其具有顯著的抗性(resistant)。此外，根據(jù)本發(fā)明的形成作為多層撓性膜體的有機(jī)電子器件對(duì)沖擊載荷完全不敏感，并且與在剛性襯底上施加的器件相比，其可以用于這樣的應(yīng)用，在這些應(yīng)用中設(shè)置有緊貼電子裝置的輪廓的印刷電路板。為具有不規(guī)則地形成的輪廓的裝置例如移動(dòng)電話和電子照相機(jī)提供這些電子器件存在著日益增強(qiáng)的趨勢(shì)。
可規(guī)定將安全元件、商品標(biāo)簽或票券形成為具有根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)邏輯門(mén)。


現(xiàn)在將參考附圖更詳細(xì)地解釋本發(fā)明，其中圖1和2示出了第一示例性實(shí)施例的示意性截面圖；圖3a和3b示出了圖1和2中的第一示例性實(shí)施例的基本電路圖；圖4示出了第二示例性實(shí)施例的示意性截面圖；圖5示出了第三示例性實(shí)施例的示意性截面圖；圖6示出了第四示例性實(shí)施例的示意性截面圖；圖7示出了圖5和6中的示例性實(shí)施例的基本電路圖；圖8示出了邏輯門(mén)的示意性電流-電壓圖；圖9a示出了包括不同地形成的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的邏輯門(mén)的第一示意性輸出特性曲線圖；以及圖9b示出了包括不同地形成的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的邏輯門(mén)的第二示意性輸出特性曲線圖。
具體實(shí)施例方式
圖1和2在各自的情況中示出了邏輯門(mén)3的示意性截面圖，該邏輯門(mén)3由在襯底10上設(shè)置的兩個(gè)不同地形成的在下文中被稱(chēng)為OFET的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管1、2形成。然而，在該情況中還可包括不由有機(jī)半導(dǎo)體材料形成的、或不完全由有機(jī)半導(dǎo)體材料形成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。襯底可以為例如薄片(laminar)襯底或者膜。優(yōu)選該膜是塑料膜，該塑料膜具有6μm至200μm的厚度，優(yōu)選地具有19μm至100μm的厚度，優(yōu)選地形成為聚酯膜。
由具有源電極11和漏電極12的第一半導(dǎo)體層13形成第一OFET 1。在半導(dǎo)體層13上設(shè)置絕緣體層14，其中在所述絕緣體層上設(shè)置有柵電極15。
例如，可以通過(guò)例如印刷的方法以已經(jīng)部分地構(gòu)造的方式或者以構(gòu)圖的形狀(fashion)構(gòu)造的方式施加這些層。為了該目的，規(guī)定由液體施加特別是半導(dǎo)體層。在該情況下，術(shù)語(yǔ)液體包括例如懸濁液、乳濁液、其它分散體或其它溶液。為制備溶液，將為層提供的有機(jī)材料形成為可溶性聚合物，如以上已經(jīng)進(jìn)一步描述的，這里的術(shù)語(yǔ)聚合物還包括低聚物和“小分子”以及納米顆粒。有機(jī)半導(dǎo)體可以為例如并五苯。可以改變液體的多個(gè)參數(shù)一液體的粘度，其決定印刷特性；一為印刷準(zhǔn)備的混合物的聚合物濃度，其決定層厚度；—液體的沸點(diǎn)，其決定可以使用何種印刷方法；以及—為印刷準(zhǔn)備的混合物的表面張力，其決定載體襯底或其它層的潤(rùn)濕性。
如上面進(jìn)一步的詳細(xì)描述，還可規(guī)定通過(guò)反復(fù)連續(xù)地印刷將層形成為具有可變的層厚度。
還可規(guī)定對(duì)襯底10施加可固化的抗蝕劑并在固化之前以這樣的方式構(gòu)造可固化的抗蝕劑以便形成凹陷，向這些凹陷中例如通過(guò)刮刀涂布引入半導(dǎo)體層。例如，提供這樣的方法步驟，以便組合例如使用可固化的抗蝕劑層制造的光學(xué)安全元件與根據(jù)本發(fā)明的邏輯門(mén)。
優(yōu)選電極11、12以及15包括優(yōu)選地由金或銀構(gòu)成的導(dǎo)電金屬化。然而，還可規(guī)定由無(wú)機(jī)導(dǎo)電材料例如氧化銦錫或者由導(dǎo)電聚合物例如聚苯胺或聚吡咯形成電極11、12以及15。
在該情況下，可以以按構(gòu)圖的形狀已經(jīng)部分地構(gòu)造的方式，例如通過(guò)印刷方法(凹版印刷、絲網(wǎng)印刷、移印)或通過(guò)涂布的方法，向襯底10或在制造方法中設(shè)置的有機(jī)絕緣體層14或另一層施加電極11、12以及15。然而，還可以向襯底10或在制造方法中設(shè)置的另一層的整個(gè)面積或部分面積上施加電極層，然后通過(guò)曝光和蝕刻方法或者通過(guò)燒蝕例如通過(guò)脈沖激光再次部分地去除并從而構(gòu)造電極層。
電極11、12以及15是處于μm范圍的結(jié)構(gòu)。例如，柵電極15可以具有50μm至1000μm的寬度和50μm至1000μm的長(zhǎng)度。這樣的電極的厚度可以為0.2μm或更小。
由具有源電極21和漏電極22的有機(jī)半導(dǎo)體層23形成第二OFET 2。在有機(jī)半導(dǎo)體層23上設(shè)置有機(jī)絕緣體層24，其中在所述絕緣體層上設(shè)置有柵電極25。
在圖1中，通過(guò)導(dǎo)電連接層20將第一OFET 1的漏電極12連接到第二OFET 2的源電極21和第二OFET 2的柵電極25。
此外，還可以將柵電極25連接到漏電極22而不是源電極21。
在圖2中，通過(guò)導(dǎo)電連接層20連接第一OFET 1的柵電極15與第二OFET 2的柵電極25以及第一OFET 1的漏電極12與第二OFET 2的漏電極22。
在根據(jù)圖1和2的這些示例性實(shí)施例中，將兩個(gè)OFET 1、2以相同的取向設(shè)置在彼此的旁邊，也就是，例如，在一個(gè)平面內(nèi)設(shè)置柵電極15、25。在示例的情況下，對(duì)于兩個(gè)OFET都選擇頂柵的取向，換言之，將兩個(gè)柵電極15、25形成為最頂層。然而，還可規(guī)定對(duì)于兩個(gè)OFET都選擇底柵的取向，在該取向中直接在襯底10上設(shè)置兩個(gè)柵電極15、25。
如圖1和圖2中可以看出，可以將決定兩個(gè)OFET 1、2的電特性的有機(jī)半導(dǎo)體層13、23和/或有機(jī)絕緣體層14、24形成為具有不同的層厚度，在所示例的示例性實(shí)施例中兩個(gè)OFET 1、2被形成為具有相同的總層厚度?？蓛?yōu)選規(guī)定以條帶的形式施加有機(jī)半導(dǎo)體層13、23。為了形成兩個(gè)OFET 1、2的不同的電特性，可以規(guī)定形成不同的厚度和/或溝道長(zhǎng)度即源電極11、21與漏電極12、22之間的距離，和/或兩個(gè)OFET 1、2的有機(jī)半導(dǎo)體層13、23的材料。例如，可以相同或不同程度地?fù)诫s有機(jī)半導(dǎo)體層13、23的材料?？梢詫雽?dǎo)體層13、23形成為p型導(dǎo)體或n型導(dǎo)體。幾乎僅由缺陷電子實(shí)現(xiàn)p型導(dǎo)體中的電流傳導(dǎo)，并且?guī)缀鮾H由電子實(shí)現(xiàn)n型導(dǎo)體中的電流傳導(dǎo)。在每一種情況中出現(xiàn)的主要的電荷載流子稱(chēng)為多數(shù)載流子。盡管p型摻雜是有機(jī)半導(dǎo)體的典型摻雜，但仍可以用n型摻雜形成該材料。因此，可以由例如并五苯、聚噻吩形成p導(dǎo)電半導(dǎo)體，以及由例如聚亞苯基亞乙烯基(polyphenylenevinylene)衍生物或富勒分子衍生物形成n導(dǎo)電半導(dǎo)體。
如果半導(dǎo)體層13、23具有不同的多數(shù)電荷載流子，則形成包括具有互補(bǔ)電導(dǎo)率的半導(dǎo)體層13、23的邏輯門(mén)3。例如，在圖2中示例了這樣的門(mén)，并且該門(mén)以這樣的事實(shí)為特征，即只要邏輯門(mén)的輸入電壓沒(méi)有改變，兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的相應(yīng)的一個(gè)不允許在源極與漏極之間的電流流動(dòng)，也就是，門(mén)呈現(xiàn)其兩個(gè)開(kāi)關(guān)狀態(tài)中的一個(gè)。經(jīng)過(guò)門(mén)的耗散旁路電流僅在開(kāi)關(guān)操作期間流動(dòng)。因此，包括根據(jù)本發(fā)明的邏輯門(mén)的邏輯電路具有比由相同的OFET形成的邏輯電路顯著降低的電流消耗。與例如從存儲(chǔ)在電容器中的整流天線信號(hào)獲得其能量的RFID應(yīng)答器中的情況一樣，如果僅可以使用具有低載荷量的電流源，這一點(diǎn)尤為有利。
圖3a和3b示出了可以用圖1和2中的第一示例性實(shí)施例制造的兩個(gè)基本電路。為更好地示例，保持在圖1和2中的位置。
圖3a示出了由具有相同導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層的兩個(gè)不同的OFET 1和2形成的邏輯門(mén)3。串聯(lián)連接兩個(gè)OFET 1、2，將第一OFET 1的漏電極12連接到第二OFET 2的源電極21。OFET 1的柵電極15形成邏輯門(mén)的輸入，并且將OFET 2的柵電極25連接到OFET 2的源電極21。邏輯門(mén)可以為包括負(fù)載OFET 2和開(kāi)關(guān)OFET 1的反相器。
圖3b示出了由不同摻雜類(lèi)型的兩個(gè)不同的OFET 1和2形成的邏輯門(mén)3。如上面進(jìn)一步的描述，這樣的邏輯門(mén)被形成為具有比根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OFET邏輯門(mén)低的功率消耗。串聯(lián)連接兩個(gè)OFET 1和2，將第一OFET1的漏電極12連接到第二OFET 2的漏電極22。兩個(gè)OFET的柵電極15和25相互連接并代表邏輯門(mén)的輸入。
接下來(lái)，圖4示出了第二示例性實(shí)施例，其中在襯底10上以不同的取向?qū)蓚€(gè)OFET 1、2設(shè)置在彼此旁邊。在該情況下，以這樣的方式設(shè)置第一OFET 1，以使源電極11和漏電極12直接設(shè)置在襯底10上并隨后相繼為半導(dǎo)體層13、絕緣體層14、與第一半導(dǎo)體層不同的第二半導(dǎo)體層23以及柵電極15。OFET的這種取向稱(chēng)為頂柵取向。然后，以這樣的方式設(shè)置第二OFET 2，以使柵電極25設(shè)置在襯底10上并如此設(shè)置源電極21和漏電極22，以便它們位于OFET 2的頂部。這樣的取向稱(chēng)為底柵取向。通過(guò)導(dǎo)電連接層20將OFET 2的柵電極25連接到OFET 2的源極接觸21和OFET 1的漏極接觸12，在該示例性實(shí)施例中，該導(dǎo)電連接層20被部分地形成為垂直于襯底10延伸的鍍通孔。
在所示例的示例性實(shí)施例中，可優(yōu)選規(guī)定由相同的材料例如由導(dǎo)電印刷墨或由通過(guò)濺射、電鍍或蒸發(fā)淀積施加的金屬層形成在每種情況中設(shè)置在平面中的電極。然而，還可規(guī)定在每種情況下，優(yōu)選在這與有利的功能效果相關(guān)聯(lián)時(shí)，由不同的材料形成電極。
在圖4中示例的示例性實(shí)施例中，將半導(dǎo)體層13和23以及絕緣體層14形成為為兩個(gè)OFET 1、2所共有的層。在該情況下，對(duì)于OFET 1，半導(dǎo)體層13獨(dú)自在源極11與漏極12之間產(chǎn)生連接。在所述半導(dǎo)體層13中在與絕緣體層14的界面處形成對(duì)于OFET 1的功能所必需的導(dǎo)電溝道。比較而言，對(duì)于OFET 2，半導(dǎo)體層23獨(dú)自在源極21與漏極22之間產(chǎn)生連接。在圖4中可以容易地看出，OFET 1、2被形成為具有不同的幾何結(jié)構(gòu)，這里特別地是具有不同的溝道長(zhǎng)度。然而，還可規(guī)定將兩個(gè)OFET 1、2形成為具有不同的半導(dǎo)體層和/或絕緣體層。
可以用圖4中示例的第二示例性實(shí)施例形成的基本電路對(duì)應(yīng)于圖2a和2b中示例的基本電路。
還可規(guī)定通過(guò)另外的連接線路(未在圖2a、2b中示出)以這樣的方式將兩個(gè)OFET 1、2相互連接，以使它們以并聯(lián)或串聯(lián)連接的方式互連或連接到其它部件。
圖2a中示出了圖4中示例的示例性實(shí)施例的基本電路圖，其中兩個(gè)OFET 1、2形成為具有公共的半導(dǎo)體層，該公共的半導(dǎo)體層可以形成為p型導(dǎo)體或n型半導(dǎo)體。
圖2b示出了與圖4比較的修改的示例性實(shí)施例的基本電路圖，其中OFET 1、2的兩個(gè)半導(dǎo)體層不同地形成并且形成為具有互補(bǔ)的導(dǎo)電類(lèi)型。這種情況與圖4中的繪制內(nèi)容不同之處在于，所示的連接20僅僅連接兩個(gè)柵接觸15和25，而與連接20相同類(lèi)型的連接被附加地設(shè)置在OFET 2的漏極接觸22與OFET 1的漏極12之間。
圖5示出了第三示例性實(shí)施例，其中兩個(gè)OFET 1、2以一個(gè)位于另一個(gè)之上的方式設(shè)置在襯底10上并被形成為具有公共柵電極15。因此，以直接位于襯底10上的方式設(shè)置第一OFET 1的源電極11和漏電極12，并且將源電極21和漏電極22形成為一個(gè)位于另一個(gè)的頂上的OFET 1、2的最頂層。因此由總共7個(gè)層構(gòu)造由兩個(gè)OFET 1、2形成的邏輯門(mén)。在該情況下，只要層對(duì)的各層中的至少一個(gè)被不同地形成，則可以相同地或不同地構(gòu)造具有相同功能的層。例如，可規(guī)定半導(dǎo)體層13、23被形成為具有不同的導(dǎo)電類(lèi)型(p型導(dǎo)電、n型導(dǎo)電)和/或不同的幾何結(jié)構(gòu)。
將兩個(gè)漏電極12、22連接到形成為鍍通孔的電互連20。
接下來(lái)，圖6示出了第四示例性實(shí)施例，其中兩個(gè)OFET 1、2以一個(gè)位于另一個(gè)之上的方式設(shè)置在襯底10上并形成為具有公共柵電極15，但是兩個(gè)OFET 1、2被設(shè)置為在襯底10上具有相同的取向。在該情況下，將公共柵電極15形成為邏輯門(mén)的最頂層，該邏輯門(mén)形成為具有與圖5中示例的邏輯門(mén)相似的7個(gè)層。
在所示例的實(shí)例中，第一OFET 1的源電極11和漏電極12被設(shè)置為直接在襯底10上的第一層，并且被半導(dǎo)體層13覆蓋。在半導(dǎo)體層13上設(shè)置絕緣體層14。然后在OFET 1上以相同的取向和相同的層順序設(shè)置第二OFET 2，也就是，施加源電極21和漏電極22被施加在絕緣體層14上，然后被半導(dǎo)體層23覆蓋，在該半導(dǎo)體層23上施加OFET 2的絕緣體層24。在其上設(shè)置公共柵電極15作為最后的層。
通過(guò)形成為鍍通孔的導(dǎo)電連接層20連接兩個(gè)漏電極12、22。
然而，還可規(guī)定以這樣的方式形成上述的配置，以使公共柵電極15形成為直接位于襯底10上的最底層。
由于以180°旋轉(zhuǎn)形成邏輯柵的層的設(shè)置的上述可能性，可以形成互連的邏輯門(mén)或其它部件的特別有利的拓?fù)洌⑶疫@樣例如可以避免或最小化用于連接邏輯門(mén)或部件的鍍通孔的數(shù)目。
接下來(lái)，圖7示出了在圖5和6中示例的示例性實(shí)施例的情況下可能的基本電路。
兩個(gè)OFET 1、2在每個(gè)情況中形成這樣的邏輯門(mén)，該邏輯門(mén)包括公共柵電極15和導(dǎo)電地相互連接的漏電極12、22。兩個(gè)源電極11、21形成邏輯門(mén)的用于電源電壓和接地的另外的端子?？梢躁P(guān)于半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類(lèi)型不同地形成圖7中示例的邏輯門(mén)。在該情況下，可以包括相同導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體層或以互補(bǔ)的導(dǎo)電類(lèi)型形成的半導(dǎo)體層。
接下來(lái)，圖8示出了形成為反相器的具有OFET的邏輯門(mén)的電流-電壓圖的實(shí)例。包括OFET的邏輯門(mén)可以形成反相器，在該反相器中將源電極連接到電路的地，柵電極形成反相器的輸入并且漏電極形成反相器的輸出，并通過(guò)負(fù)載電阻器將漏電極連接到電源電壓。一旦將柵電極連接到輸入電壓，在源電極與漏電極之間就會(huì)形成電流流動(dòng)，由此將OFET的溝道電阻降低到使漏電極具有近似為零電勢(shì)的程度。于是柵電極處的輸入電壓一旦為零，OFET的溝道電阻就升高到使漏電極具有近似為電源電壓的電勢(shì)的很高的程度。因此，這樣，將輸入電壓變換為反相的輸出電壓，也就是，反相器的輸入信號(hào)被反相。在實(shí)際應(yīng)用中，還將反相器的負(fù)載電阻器形成為OFET。為了更好地區(qū)別，將該OFEF稱(chēng)為負(fù)載OFET，并將實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)的OFET稱(chēng)為開(kāi)關(guān)OFET。
圖8中的電流-電壓圖示出了經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)OFET或負(fù)載電阻器的正向電流ID與輸出電壓Uout之間的依賴(lài)關(guān)系。在該情況下，80e表示開(kāi)關(guān)OFET的開(kāi)通特性曲線并且80a表示開(kāi)關(guān)OFET的關(guān)斷特性曲線，以及80w表示負(fù)載電阻器的電阻特性曲線。電阻特性曲線80w與開(kāi)通特性曲線80e和關(guān)斷特性曲線80a的交點(diǎn)82e和82a表示反相器的開(kāi)關(guān)點(diǎn)，這兩個(gè)開(kāi)關(guān)點(diǎn)以輸出電壓Uout的電壓擺幅82h為間距彼此分隔。在反相器的每個(gè)轉(zhuǎn)換操作期間電荷反轉(zhuǎn)(charge-reversal)的電流流動(dòng)，所述電流的大小由陰影線區(qū)域84e和84a表示?？梢酝瑫r(shí)可靠并良好地開(kāi)關(guān)的快速邏輯門(mén)以大的電壓擺幅82h和大小近似相同的電荷反轉(zhuǎn)電流84e和84a的圖8中示意地示例的特性為特征。
圖9a定性地示例了反相器的輸出電壓Uout作為輸入電壓Uin的函數(shù)的第一關(guān)系圖。在該情況下，曲線82k將被指派給圖8的反相器。關(guān)斷電平82e的位置直接依賴(lài)于圖8中曲線80e和80w的位置。例如，如圖2b所示例的，通過(guò)包括至少兩個(gè)不同的OFET 1、2的邏輯門(mén)的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以通過(guò)例如將兩個(gè)OFET形成為具有厚度不同的半導(dǎo)體層13、23，形成在圖9a中示例的有利的特性曲線86k。優(yōu)點(diǎn)在于與82h相比由此產(chǎn)生的較大的電壓擺幅86h。
圖9b定性地示例了反相器的輸出電壓Uout作為輸入電壓Uin的函數(shù)的第二關(guān)系圖。因?yàn)樘匦郧€86h包括輸出電壓Uout＝0，所以現(xiàn)在電壓擺幅86h再次增大。這樣的反相器被形成為具有特別低的功率損耗。
根據(jù)本發(fā)明的包括可以通過(guò)逐層印刷和/或刮刀涂布制造的不同場(chǎng)效應(yīng)晶體管的邏輯門(mén)的實(shí)施例能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)根據(jù)本發(fā)明的邏輯門(mén)的成本有效的批量生產(chǎn)。印刷方法已達(dá)到這樣的狀態(tài)，即可以在單個(gè)的層中形成極其精細(xì)的結(jié)構(gòu)，使用其它方法時(shí)該極其精細(xì)的結(jié)構(gòu)僅可以高費(fèi)用地形成。
權(quán)利要求
1.一種電子器件，特別地是一種RFID應(yīng)答器，包括至少一個(gè)邏輯門(mén)，其特征在于，所述邏輯門(mén)由多個(gè)層形成，所述多個(gè)層被施加在公共襯底(10)上，包括至少兩個(gè)電極層、由液體施加的至少一個(gè)特別地為有機(jī)的半導(dǎo)體層(13、23)、以及絕緣體層(14、24)，并且以這樣的方式形成，以使所述邏輯門(mén)包括至少兩個(gè)不同地構(gòu)造的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)具有由液體施加的其厚度不同的半導(dǎo)體層(13、23)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)具有由液體施加的其半導(dǎo)體材料不同的半導(dǎo)體層(13、23)。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)具有由液體施加的其電導(dǎo)率不同的半導(dǎo)體層(13、23)。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)具有其厚度不同的絕緣體層(14、24)。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)具有其絕緣體材料不同的絕緣體層(14、24)。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)具有其穿透率不同的絕緣體層(14、24)。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)形成為具有被不同地區(qū)域構(gòu)造的層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的電子器件，其特征在于，以具有不同長(zhǎng)度和/或不同寬度的條帶型的形狀形成所述層。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)被設(shè)置為在彼此的旁邊。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)被設(shè)置為一個(gè)在另一個(gè)之上。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)，特別地根據(jù)權(quán)利要求10或11的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)被設(shè)置為具有相同的取向。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)被設(shè)置為具有底柵或頂柵取向。
14.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)，特別地根據(jù)權(quán)利要求10或11的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)被設(shè)置為具有不同的取向。
15.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)具有不同的內(nèi)部電阻分布和/或不同的開(kāi)關(guān)特性。
16.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)以并聯(lián)和/或串聯(lián)的方式相互連接。
17.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)，特別地根據(jù)權(quán)利要求16的電子器件，其特征在于，通過(guò)在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)的電極(11、12、15、21、22、25)之間的直接電和/或電容性耦合形成所述至少兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)之間的連接。
18.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)，特別地根據(jù)權(quán)利要求16的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)形成為具有公共柵電極(15)。
19.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)形成為具有互補(bǔ)導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體材料，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1)形成為具有p導(dǎo)電半導(dǎo)體層(13)，而所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)形成為具有n導(dǎo)電半導(dǎo)體層(23)，反之亦然。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的電子器件，其特征在于，直接接合所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)的半導(dǎo)體層(13、23)形成具有p/n結(jié)的區(qū)域，反之亦然。
21.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，以這樣的方式將所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)空間地設(shè)置在襯底(10)上，以使所述電子器件實(shí)質(zhì)上可通過(guò)逐層印刷和/或刮刀涂布制造。
22.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，所述至少兩個(gè)不同的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)的所述層形成為可印刷的半導(dǎo)電聚合物和/或可印刷的絕緣聚合物和/或?qū)щ娪∷⒛?或金屬層。
23.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，形成所述電子器件的所述層具有可溶性有機(jī)層，包括由聚合材料和/或低聚材料和/或由“小分子”構(gòu)成的材料和/或由納米顆粒構(gòu)成的材料而構(gòu)成的層。
24.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)，特別地根據(jù)權(quán)利要求23的電子器件，其特征在于，可以通過(guò)其溶劑比例設(shè)定所述可溶性有機(jī)層的厚度。
25.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)，特別地根據(jù)權(quán)利要求23的電子器件，其特征在于，可以通過(guò)其施加量設(shè)定所述可溶性有機(jī)層的厚度。
26.根據(jù)上述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的電子器件，其特征在于，通過(guò)多層撓性膜體形成所述電子器件。
27.根據(jù)權(quán)利要求1的電子器件，其特征在于，所述電子器件形成為與裝置的輪廓匹配的撓性電子電路。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電子部件，特別地是一種RFID應(yīng)答器，包括至少一個(gè)邏輯門(mén)(3)。所述邏輯門(mén)(3)由施加到公共襯底(10)的多個(gè)層構(gòu)成。所述層包括至少兩個(gè)電極層、由液體施加的至少一個(gè)特別地為有機(jī)的半導(dǎo)體層(13、23)、以及絕緣層(14、24)，并以這樣的方式配置，以使所述邏輯門(mén)包括至少兩個(gè)不同地構(gòu)造的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)。所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1、2)由可通過(guò)印刷或刮漿刀法對(duì)載體襯底(10)施加的多個(gè)功能層配置。
文檔編號(hào)H01L51/05GK101076893SQ200580042446
公開(kāi)日2007年11月21日 申請(qǐng)日期2005年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月10日
發(fā)明者R·布拉什, W·菲克斯, J·菲柯?tīng)?申請(qǐng)人:波利Ic有限及兩合公司