一種小絨面、高電阻率太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明是一種小絨面、高電阻率太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，該生產(chǎn)方法包括如下步驟：A、片源檢測(cè)：分選電阻率高于6Ω·cm的硅片；B、制絨：在低濃度的氫氧化鈉溶液中制絨；C、擴(kuò)散：把上述制絨后硅片送入820度高溫爐中通磷源擴(kuò)散磷原子形成高方阻的PN結(jié)；D、刻蝕：使用等離子體氣體，刻蝕硅片的周邊；E、去二氧化硅：將上述硅片放入濃度為10%的氫氟酸溶液浸泡4分鐘；F、氮化硅層：在上述硅片擴(kuò)散面鍍氮化硅層；G、絲網(wǎng)印刷：在上述硅片表面印刷具有導(dǎo)電功能的銀漿和鋁漿；H、燒結(jié)：對(duì)上述硅片進(jìn)行燒結(jié)。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單方便、變廢為寶，將高電阻率的硅片也用來(lái)制作太陽(yáng)能電池，提高利用率，提高生產(chǎn)效率，降低產(chǎn)品的不合格率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種小絨面、高電阻率太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說(shuō)是涉及一種小絨面、高電阻率的太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，能源消耗越來(lái)越多，一些非再生資源例如石油的貯存量也日益減少，人們需要開(kāi)拓新的能源領(lǐng)域，太陽(yáng)能電池即是近年來(lái)開(kāi)發(fā)的一種新型能源，太陽(yáng)能電池的用途廣泛，不僅可以應(yīng)用于高原等邊遠(yuǎn)地區(qū)，還可以應(yīng)用在通訊等領(lǐng)域，目前各國(guó)科研工作者都在研究開(kāi)發(fā)如何實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電池的高效率。目前，制作太陽(yáng)能電池所選用的硅片的電阻率均較低，對(duì)于一些高電阻率的硅片變棄之不用，高電阻率的硅片就像雞肋一樣，如果不生產(chǎn)就很可惜，如果生產(chǎn)的話轉(zhuǎn)換效率偏低也是比較無(wú)奈，我們現(xiàn)在的做法就是改變一下工藝提高轉(zhuǎn)換效率，提高硅片的合格率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種能將高電阻率的硅片變廢為寶且生產(chǎn)效率高的一種小絨面、高電阻率太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
本發(fā)明是一種小絨面、高電阻率太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，該生產(chǎn)方法包括如下步驟:
A、片源檢測(cè):分選電阻率高于6Ω.cm的硅片；
B、制絨:在低濃度的氫氧化鈉溶液中制絨，制絨反應(yīng)溫度為75-80度，時(shí)間為14-16分鐘，NaOH濃度質(zhì)量體積比為1.0-1.5% ;形成金字塔小絨面，小絨面大小為1_2 μ m ;
C、擴(kuò)散:把上述制絨后硅片送入820度高溫爐中通磷源擴(kuò)散磷原子，通源量為1200-1400Sccm,時(shí)間為10分鐘，形成高方阻的PN結(jié)；
D、刻蝕:使用等離子體氣體，刻蝕硅片的周邊，去除硅片四周的導(dǎo)電層；
E、去二氧化硅:將上述硅片放入濃度為10%的氫氟酸溶液浸泡4分鐘；
F、氮化娃層:在上述娃片的擴(kuò)散面鍍氮化娃層；
G、絲網(wǎng)印刷:在上述硅片表面印刷具有導(dǎo)電功能的銀漿和鋁漿；
H、燒結(jié):對(duì)上述硅片進(jìn)行燒結(jié)，形成良好的歐姆接觸。
[0005]本發(fā)明在制絨步驟B中，NaOH濃度質(zhì)量體積比為1.2%。
[0006]本發(fā)明在擴(kuò)散步驟中，方塊電阻為每塊70-75 Ω。
[0007]本發(fā)明在氮化硅層步驟F中，所述氮化硅層的厚度為70-80納米，折射率為
2.05_2.10。
[0008]本發(fā)明所述步驟H中燒結(jié)最高溫度為760-780度，最高溫度燒結(jié)時(shí)間為1.8-2.0秒。
[0009]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明將一些制作常規(guī)太陽(yáng)能電池不合格的高電阻率的硅片變廢為寶，用來(lái)制作高電阻率的太陽(yáng)能電池，使用氫氧化鈉溶液進(jìn)行制絨，小絨面的大小為1-2 μ m，提高硅片的陷光作用，光入射到硅片表面時(shí)能夠形成多次折射，提高太陽(yáng)光的利用率，使用等離子體氣體刻蝕，刻蝕硅片的周邊，去除硅片四周的導(dǎo)電層，通過(guò)低濃度的氫氟酸溶液與二氧化硅反應(yīng)，達(dá)到去二氧化硅的目的，鍍氮化硅層使硅片表面鈍化，保護(hù)硅片的PN結(jié)，減少太陽(yáng)光的反射作用。
[0010]本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單方便、變廢為寶，將高電阻率的硅片也用來(lái)制作太陽(yáng)能電池，提高利用率，提高生產(chǎn)效率，降低產(chǎn)品的不合格率，提高高電阻率片源的轉(zhuǎn)換效率，效率提高
0.3%-0.5%。
【具體實(shí)施方式】
[0011]為了加深對(duì)本發(fā)明的理解，下面將結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述，該實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，并不對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍構(gòu)成限定。
[0012]本發(fā)明是一種小絨面、高電阻率太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，所述生產(chǎn)方法包括如下步驟:
A、片源檢測(cè):分選電阻率高于6Ω.m的娃片,將電阻率高于6 Ω.cm的娃片挑選出來(lái)作為制作太陽(yáng)能電池的片源，對(duì)制作常規(guī)硅片的不合格的高電阻率的硅片進(jìn)行再利用；
B、制絨:在低濃度的氫氧化鈉溶液中制絨，制絨反應(yīng)溫度為75-80度，時(shí)間為14-16分鐘，NaOH濃度質(zhì)量體積比為1.0-1.5% ;形成金字塔小絨面，小絨面大小為1_2 μ m，提高硅片的陷光作用，提高太陽(yáng)光的利用率；
C、擴(kuò)散:把上述制絨后硅片送入820度高溫爐中通磷源擴(kuò)散磷原子，通源量為1200-1400Sccm,時(shí)間為10分鐘，形成高方阻的PN結(jié)；
D、刻蝕:使用等離子體氣體，刻蝕硅片的周邊，去除硅片四周的導(dǎo)電層；
E、去二氧化硅:將上述硅片放入濃度為10%的氫氟酸溶液浸泡4分鐘，通過(guò)低濃度的氫氟酸溶液與二氧化硅反應(yīng)，達(dá)到去除二氧化硅的目的；
F、氮化硅層:在上述硅片的擴(kuò)散面鍍氮化硅層，鈍化硅片表面，保護(hù)硅片的PN結(jié)，減太陽(yáng)光的反射作用，氮化硅的厚度是70-80納米，折射率2.05-2.10 ；
G、絲網(wǎng)印刷:在上述硅片表面印刷具有導(dǎo)電功能的銀漿和鋁漿，采用高端銀漿和鋁漿對(duì)硅片進(jìn)行印刷，增強(qiáng)硅片表面的導(dǎo)電性能；
H、燒結(jié):對(duì)上述硅片進(jìn)行燒結(jié)，形成良好的歐姆接觸。
[0013]在制絨步驟中，NaOH濃度質(zhì)量體積比為1.2%。
[0014]在擴(kuò)散步驟中，方塊電阻為每塊70-75 Ω。
[0015]在氮化硅層步驟F中，所述氮化硅層的厚度為70-80納米，折射率為2.05-2.10。
[0016]所述步驟H中燒結(jié)的最高溫度為760-780度，最高溫度的燒結(jié)時(shí)間為1.8_2.0秒。
[0017]本發(fā)明將一些制作常規(guī)太陽(yáng)能電池不合格的高電阻率的硅片變廢為寶，用來(lái)制作高電阻率的太陽(yáng)能電池，使用氫氧化鈉溶液進(jìn)行制絨，小絨面的大小為1-2 μ m，提高硅片的陷光作用，光入射到硅片表面時(shí)能夠形成多次折射，提高太陽(yáng)光的利用率，使用等離子體氣體刻蝕，刻蝕硅片的周邊，去除硅片四周的導(dǎo)電層，通過(guò)低濃度的氫氟酸溶液與二氧化硅反應(yīng)，達(dá)到去二氧化硅的目的，鍍氮化硅層使硅片表面鈍化，保護(hù)硅片的PN結(jié)，減少太陽(yáng)光的反射作用。
[0018]本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單方便、變廢為寶，將高電阻率的硅片也用來(lái)制作太陽(yáng)能電池，提高利用率，提高生產(chǎn)效率，降低產(chǎn)品的不合格率，提高高電阻率片源的轉(zhuǎn)換效率，效率提高0.3%-0.5%。
【權(quán)利要求】
1.一種小絨面、高電阻率太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于:所述生產(chǎn)方法包括如下步驟: A、片源檢測(cè):分選電阻率高于6Ω.cm的硅片； B、制絨:在低濃度的氫氧化鈉溶液中制絨，制絨反應(yīng)溫度為75-80度，時(shí)間為14-16分鐘，NaOH濃度質(zhì)量體積比為1.0-1.5% ;形成金字塔小絨面，小絨面大小為1_2 μ m ; C、擴(kuò)散:把上述制絨后硅片送入820度高溫爐中通磷源擴(kuò)散磷原子，通源量為1200-1400Sccm,時(shí)間為10分鐘，形成高方阻的PN結(jié)； D、刻蝕:使用等離子體氣體，刻蝕硅片的周邊，去除硅片四周的導(dǎo)電層； E、去二氧化硅:將上述硅片放入濃度為10%的氫氟酸溶液浸泡4分鐘； F、氮化娃層:在上述娃片的擴(kuò)散面鍍氮化娃層； G、絲網(wǎng)印刷:在上述硅片表面印刷具有導(dǎo)電功能的銀漿和鋁漿； H、燒結(jié):對(duì)上述硅片進(jìn)行燒結(jié)，形成良好的歐姆接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種小絨面、高電阻率太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于:在制絨步驟B中，NaOH濃度質(zhì)量體積比為1.2%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種小絨面、高電阻率太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于:在擴(kuò)散步驟C中，方塊電阻為每塊70-75 Ω。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種小絨面、高電阻率太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于:在氮化硅層步驟F中，所述氮化硅層的厚度為70-80納米，折射率為2.05-2.10。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種小絨面、高電阻率太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于:所述步驟H中燒結(jié)的最高溫度為760-780度，最高溫度下燒結(jié)時(shí)間為1.8-2.0秒。
【文檔編號(hào)】C30B33/10GK103715295SQ201210370310
【公開(kāi)日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2012年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月29日
【發(fā)明者】王豪兵, 粱堅(jiān), 顧冬生, 戴王帥 申請(qǐng)人:江蘇天宇光伏科技有限公司