技術(shù)編號：8067102
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。專利摘要本發(fā)明是，該生產(chǎn)方法包括如下步驟A、片源檢測分選電阻率高于6Ω·cm的硅片；B、制絨在低濃度的氫氧化鈉溶液中制絨；C、擴散把上述制絨后硅片送入820度高溫爐中通磷源擴散磷原子形成高方阻的PN結(jié)；D、刻蝕使用等離子體氣體，刻蝕硅片的周邊；E、去二氧化硅將上述硅片放入濃度為10%的氫氟酸溶液浸泡4分鐘；F、氮化硅層在上述硅片擴散面鍍氮化硅層；G、絲網(wǎng)印刷在上述硅片表面印刷具有導(dǎo)電功能的銀漿和鋁漿；H、燒結(jié)對上述硅片進行燒結(jié)。本發(fā)明工藝簡單方便、變廢為寶，將高電阻率的硅片也用來制作太陽能電池，提高利用率，提高生產(chǎn)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。