專利名稱：多功能電子鎮(zhèn)流保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子應(yīng)用領(lǐng)域，具體是指ー種多功能電子鎮(zhèn)流保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
目前，熒光燈和節(jié)能燈是人們經(jīng)常要使用的電器，由于這些電器都是通過燈絲加熱或燈絲電離氣體來發(fā)光的，因此在使用時(shí)都需要用到電子鎮(zhèn)流器。但目前人們所使用的電子鎮(zhèn)流器內(nèi)部的電路既不具有良好的反電勢(shì)保護(hù)功能、濾波整流功能和反接保護(hù)功能，因此當(dāng)輸入的電壓因各種原因出現(xiàn)峰值突變、出現(xiàn)大量一、二次諧波時(shí)，該電子整流器便存在較大的安全隱患，不利于人們的廣泛使用和推廣
發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中電子鎮(zhèn)流器內(nèi)部電路不具有良好的反電勢(shì)保護(hù)功能、濾波整流功能和反接保護(hù)功能缺陷，提供一種多功能電子鎮(zhèn)流保護(hù)電路。本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)多功能電子鎮(zhèn)流保護(hù)電路，由異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2，與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸入端均相連接的電阻R，與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸出端相連接的一級(jí)諧振保護(hù)電路，與異或門集成芯片Ul相并聯(lián)的振蕩電路，與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸入端相連接的升壓保護(hù)電路，與升壓保護(hù)電路輸入端相連接的穩(wěn)壓濾波電路，與諧振保護(hù)電路的輸出端相連接的自激高頻電路，以及與該自激高頻電路的輸出端相連接的ニ級(jí)諧振保護(hù)電路組成。所述穩(wěn)壓濾波電路由電感LI、電感L2以及ニ極管D3和電容Cl組成，所述ニ極管D3的N極和P極分別與電感LI和電感L2的一端相連后形成濾波輸入端，電容Cl的兩端則分別與電感LI和電感L2的另一端相連后形成濾波輸出端，同時(shí)在電感LI處并聯(lián)有ニ極管D1，在電感L2處并聯(lián)有ニ極管D2。所述升壓保護(hù)電路由相互串接的電阻Rl和電容C2，一端連接在電阻Rl和電容C2之間的雙向觸發(fā)ニ極管DB和ニ極管D4，以及串接在電阻Rl的輸入端與雙向觸發(fā)ニ極管DB的輸出端之間的ー級(jí)反接保護(hù)電路組成；而該ー級(jí)反接保護(hù)電路由依次串接的熔斷器F、ニ極管D6和繼電器Kl，以及與繼電器Kl相并聯(lián)的ニ極管D5組成；所述熔斷器F與電阻Rl之間的連接點(diǎn)通過繼電器Kl的常開觸點(diǎn)與電感LI與電容Cl的連接點(diǎn)相連接，而電容C2的另一端則與電容Cl與電感L2的連接點(diǎn)相連接。所述的振蕩電路由場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q1，一端與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql的柵極相連接、另ー端與異或門集成芯片Ul的輸入端相連接的耦合濾波電路，以及與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql相并聯(lián)的ニ極管Dl組成；所述的耦合濾波電路由相互并聯(lián)的電感L3和低頻濾波電容CT組成；所述的ー級(jí)諧振保護(hù)電路由場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2，一端與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的柵極相連接、另一端依次經(jīng)電容C2、電容C4后與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的漏極相連接的電容Cl，串接在電容Cl與電容C2的連接點(diǎn)與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的漏極之間的電容C3，以及與電容C4相并聯(lián)的電感L2組成；所述異或門集成芯片Ul的一個(gè)輸入端經(jīng)電阻R2后與雙向觸發(fā)ニ極管DB的輸出端相連接，另ー個(gè)輸入端則與升壓保護(hù)電路中的ニ極管D4的N極相連接，其輸出端則與電容Cl和電容C2的連接點(diǎn)相連接；異或門集成芯片U2的一個(gè)輸入端與電阻R2與異或門集成芯片Ul的連接點(diǎn)相連接，另ー個(gè)輸入端與升壓保護(hù)電路中的電容C2的另一端相連接，其輸出端則與電容C2與電容C4的連接點(diǎn)相連接。所述的自激聞?lì)l電路包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql、場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2,與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql和場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路，以及反接保護(hù)電路；其中與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql相并聯(lián)的耦合整流電路由連接在場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql的柵極與漏極之間的電感線圈L43，相互串接后再與電感線圈L43兩端相連接的ニ極管DTl和ニ極管DT2組成；與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路主要由連接在場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的柵極與漏極之間的電感線圈L42，以及相互串接后再與電感線圈L42兩端相連接的ニ極管DT3和ニ極管DT4組成；所述反接保護(hù)電路由順次串接的繼電器K2、ニ極管DT7、熔斷器F2及電感線圈L41，以及與繼電器K2相并聯(lián)的ニ極管DT8組成；同時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的連接點(diǎn)經(jīng)繼電器K2的常開觸點(diǎn)后與一級(jí)諧振保護(hù)電路中的電感L2的一端相連接，電感線圈L41和電感線圈L42的次級(jí)端則與一級(jí)諧振保護(hù)電路中的電感L2的另一端相連接?！に龅磨思?jí)諧振保護(hù)電路由場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q3，一端與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q3的柵極相連接、另一端依次經(jīng)電容C6、電容C8后與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q3的漏極相連接的電容C5，串接在電容C5與電容C6的連接點(diǎn)與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q3的漏極之間的電容C7，以及與電容C8相并聯(lián)的電感L4組成。本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果
(I)本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，其不僅具有反接保護(hù)功能和穩(wěn)壓濾波功能，而且還具有整流功能，因此即便在電源接反時(shí)，電源的峰值電壓也不會(huì)擊穿電器設(shè)備，從而延長(zhǎng)電器設(shè)備的使用壽命。(2)本發(fā)明通過自激高頻電路與反接保護(hù)電路的配合,能夠確保自激高頻電路的結(jié)構(gòu)安全，能有效降低事故發(fā)生的概率。


圖I為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)ー步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例如圖I所示，本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)主要由異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2，與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸入端均相連接的電阻R，與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸出端相連接的一級(jí)諧振保護(hù)電路，與異或門集成芯片Ul相并聯(lián)的振蕩電路，與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸入端相連接的升壓保護(hù)電路，與升壓保護(hù)電路輸入端相連接的穩(wěn)壓濾波電路，與諧振保護(hù)電路的輸出端相連接的自激高頻電路，以及與該自激高頻電路的輸出端相連接的ニ級(jí)諧振保護(hù)電路組成。
如圖所示，為了確保實(shí)用效果，該穩(wěn)壓濾波電路由電感LI、電感L2以及ニ極管D3和電容C1組成，所述ニ極管D3的N極和P極分別與電感LI和電感L2的一端相連后形成濾波輸入端，電容Cl的兩端則分別與電感LI和電感L2的另一端相連后形成濾波輸出端，同時(shí)在電感LI處并聯(lián)有ニ極管D1，在電感L2處并聯(lián)有ニ極管D2。所述升壓保護(hù)電路由相互串接的電阻Rl和電容C2，一端連接在電阻Rl和電容C2之間的雙向觸發(fā)ニ極管DB和ニ極管D4，以及串接在電阻Rl的輸入端與雙向觸發(fā)ニ極管DB的輸出端之間的ー級(jí)反接保護(hù)電路組成；而該ー級(jí)反接保護(hù)電路由依次串接的熔斷器F、ニ極管D6和繼電器Kl，以及與繼電器Kl相并聯(lián)的ニ極管D5組成；所述熔斷器F與電阻Rl之間的連接點(diǎn)通過繼電器Kl的常開觸點(diǎn)與電感LI與電容Cl的連接點(diǎn)相連接，而電容C2的另一端則與電容Cl與電感L2的連接點(diǎn)相連接。所述的振蕩電路由場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q1，一端與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql的柵極相連接、另ー端與異或門集成芯片Ul的輸入端相連接的耦合濾波電路，以及與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql相并聯(lián)的ニ極管Dl組成；所述的耦合濾波電路由相互并聯(lián)的電感L3和低頻濾波電容CT組成；所 述的ー級(jí)諧振保護(hù)電路由場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2，一端與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的柵極相連接、另一端依次經(jīng)電容C2、電容C4后與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的漏極相連接的電容Cl，串接在電容Cl與電容C2的連接點(diǎn)與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的漏極之間的電容C3，以及與電容C4相并聯(lián)的電感L2組成。所述異或門集成芯片Ul的一個(gè)輸入端經(jīng)電阻R2后與雙向觸發(fā)ニ極管DB的輸出端相連接，另ー個(gè)輸入端則與升壓保護(hù)電路中的ニ極管D4的N極相連接，其輸出端則與電容Cl和電容C2的連接點(diǎn)相連接；異或門集成芯片U2的一個(gè)輸入端與電阻R2與異或門集成芯片Ul的連接點(diǎn)相連接，另ー個(gè)輸入端與升壓保護(hù)電路中的電容C2的另一端相連接，其輸出端則與電容C2與電容C4的連接點(diǎn)相連接。所述的自激聞?lì)l電路包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql、場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2,與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql和場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路，以及反接保護(hù)電路；其中與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql相并聯(lián)的耦合整流電路由連接在場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql的柵極與漏極之間的電感線圈L43，相互串接后再與電感線圈L43兩端相連接的ニ極管DTl和ニ極管DT2組成；與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路主要由連接在場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的柵極與漏極之間的電感線圈L42，以及相互串接后再與電感線圈L42兩端相連接的ニ極管DT3和ニ極管DT4組成。所述反接保護(hù)電路由順次串接的繼電器K2、ニ極管DT7、熔斷器F2及電感線圈L41，以及與繼電器K2相并聯(lián)的ニ極管DT8組成；同時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的連接點(diǎn)經(jīng)繼電器K2的常開觸點(diǎn)后與一級(jí)諧振保護(hù)電路中的電感L2的一端相連接，電感線圈L41和電感線圈L42的次級(jí)端則與一級(jí)諧振保護(hù)電路中的電感L2的另一端相連接。所述的ニ級(jí)諧振保護(hù)電路由場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q3，一端與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q3的柵極相連接、另一端依次經(jīng)電容C6、電容C8后與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q3的漏極相連接的電容C5，串接在電容C5與電容C6的連接點(diǎn)與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q3的漏極之間的電容C7，以及與電容C8相并聯(lián)的電感L4組成。如上所述，便可以很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.多功能電子鎮(zhèn)流保護(hù)電路，其特征在干由異或門集成芯片Ui和異或門集成芯片U2，與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸入端均相連接的電阻R，與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸出端相連接的一級(jí)諧振保護(hù)電路，與異或門集成芯片Ul相并聯(lián)的振蕩電路，與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸入端相連接的升壓保護(hù)電路，與升壓保護(hù)電路輸入端相連接的穩(wěn)壓濾波電路，與諧振保護(hù)電路的輸出端相連接的自激高頻電路，以及與該自激高頻電路的輸出端相連接的ニ級(jí)諧振保護(hù)電路組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多功能電子鎮(zhèn)流保護(hù)電路，其特征在于所述穩(wěn)壓濾波電路由電感LI、電感L2以及ニ極管D3和電容Cl組成，所述ニ極管D3的N極和P極分別與電感LI和電感L2的一端相連后形成濾波輸入端，電容Cl的兩端則分別與電感LI和電感L2的另一端相連后形成濾波輸出端，同時(shí)在電感LI處并聯(lián)有ニ極管D1，在電感L2處并聯(lián)有ニ極管D2。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多功能電子鎮(zhèn)流保護(hù)電路，其特征在于所述升壓保護(hù)電路由相互串接的電阻Rl和電容C2，一端連接在電阻Rl和電容C2之間的雙向觸發(fā)ニ極管DB和ニ極管D4，以及串接在電阻Rl的輸入端與雙向觸發(fā)ニ極管DB的輸出端之間的ー級(jí)反接保護(hù)電路組成；而該ー級(jí)反接保護(hù)電路由依次串接的熔斷器F、ニ極管D6和繼電器K1，以及與繼電器Kl相并聯(lián)的ニ極管D5組成；所述熔斷器F與電阻Rl之間的連接點(diǎn)通過繼電器Kl的常開觸點(diǎn)與電感LI與電容Cl的連接點(diǎn)相連接，而電容C2的另一端則與電容Cl與電感L2的連接點(diǎn)相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多功能電子鎮(zhèn)流保護(hù)電路，其特征在于所述的振蕩電路由場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q1，一端與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql的柵極相連接、另一端與異或門集成芯片Ul的輸入端相連接的耦合濾波電路，以及與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql相并聯(lián)的ニ極管Dl組成；所述的耦合濾波電路由相互并聯(lián)的電感L3和低頻濾波電容CT組成；所述的ー級(jí)諧振保護(hù)電路由場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2，一端與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的柵極相連接、另一端依次經(jīng)電容C2、電容C4后與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的漏極相連接的電容Cl，串接在電容Cl與電容C2的連接點(diǎn)與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的漏極之間的電容C3，以及與電容C4相并聯(lián)的電感L2組成；所述異或門集成芯片Ul的一個(gè)輸入端經(jīng)電阻R2后與雙向觸發(fā)ニ極管DB的輸出端相連接，另ー個(gè)輸入端則與升壓保護(hù)電路中的ニ極管D4的N極相連接，其輸出端則與電容Cl和電容C2的連接點(diǎn)相連接；異或門集成芯片U2的一個(gè)輸入端與電阻R2與異或門集成芯片Ul的連接點(diǎn)相連接，另ー個(gè)輸入端與升壓保護(hù)電路中的電容C2的另一端相連接，其輸出端則與電容C2與電容C4的連接點(diǎn)相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多功能電子鎮(zhèn)流保護(hù)電路，其特征在于所述的自激高頻電路包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2，與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql和場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路，以及反接保護(hù)電路；其中與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql相并聯(lián)的耦合整流電路由連接在場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql的柵極與漏極之間的電感線圈L43，相互串接后再與電感線圈L43兩端相連接的ニ極管DTl和ニ極管DT2組成；與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路主要由連接在場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的柵極與漏極之間的電感線圈L42，以及相互串接后再與電感線圈L42兩端相連接的ニ極管DT3和ニ極管DT4組成；所述反接保護(hù)電路由順次串接的繼電器K2、ニ極管DT7、熔斷器F2及電感線圈L41，以及與繼電器K2相并聯(lián)的ニ極管DT8組成；同時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ql與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的連接點(diǎn)經(jīng)繼電器K2的常開觸點(diǎn)后與一級(jí)諧振保護(hù)電路中的電感L2的一端相連接，電感線圈L41和電感線圈L42的次級(jí)端則與一級(jí)諧振保護(hù)電路中的電感L2的另一端相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多功能電子鎮(zhèn)流保護(hù)電路，其特征在于所述的ニ級(jí)諧振保護(hù)電路由場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q3，一端與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q3的柵極相連接、另一端依次經(jīng)電容C6、電容C8后與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q3的漏極相連接的電容C5，串接在電容C5與電容C6的連接點(diǎn)與場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q3的漏極之間的電容C7，以及與電容C8相并聯(lián)的電感L4組成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多功能電子鎮(zhèn)流保護(hù)電路，其特征在于由異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2，與異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2的輸入端均相連接的電阻R，與異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2的輸出端相連接的一級(jí)諧振保護(hù)電路，與異或門集成芯片U1相并聯(lián)的振蕩電路。本發(fā)明能確保輸入電壓在突變時(shí)，能很好的保護(hù)電子元器件，防止峰值擊穿，從而延長(zhǎng)電子產(chǎn)品的使用壽命。
文檔編號(hào)H05B41/285GK102802329SQ20121030490
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月25日
發(fā)明者王艷 申請(qǐng)人:成都方拓科技有限公司