專(zhuān)利名稱(chēng)：印刷電路板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種印刷電路板的制造方法，其包括用激光在層間絕緣層中形成通路導(dǎo)體用開(kāi)口，以及用包含氟乙烯基醚系的氣體的工藝氣體對(duì)該開(kāi)口內(nèi)進(jìn)行等離子體處理。
背景技術(shù)：
專(zhuān)利文獻(xiàn)I公開(kāi)了在大氣壓附近的壓力下對(duì)導(dǎo)通孔的底面和側(cè)壁進(jìn)行等離子體處理的內(nèi)容。在專(zhuān)利文獻(xiàn)I中，作為等離子體生成用的氣體的例子，列舉出由氬氣與CF4等氟系氣體構(gòu)成的混合氣體?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)I日本特開(kāi)2004-186598號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
_6] 發(fā)明要解決的問(wèn)題隨著布線密度的高密度化要求，期望有通路導(dǎo)體直徑小的印刷電路板。然而，如圖10的示意圖所示，推測(cè)隨著通路導(dǎo)體的直徑變小，基板的不良率增加。作為其原因之一，認(rèn)為是通路導(dǎo)體用開(kāi)口內(nèi)的樹(shù)脂殘?jiān)?。通路?dǎo)體用開(kāi)口直徑越小，在利用高錳酸溶液進(jìn)行的濕式去鉆污(wet desmear)中，處理液沒(méi)有進(jìn)入到通路導(dǎo)體用開(kāi)口內(nèi)、或在開(kāi)口內(nèi)形成氣泡而難以去除開(kāi)口底部的樹(shù)脂殘?jiān)Ｍ茰y(cè)是它引起了導(dǎo)通不良。另夕卜，由于層間絕緣層的低CTE (熱膨脹系數(shù)Coefficient of thermalexpansion)化，因此層間絕緣層內(nèi)的無(wú)機(jī)填料的含量增加了。因此，推測(cè)使用激光的開(kāi)口形成受阻，在通路導(dǎo)體用開(kāi)口的底部包含硅石顆粒等無(wú)機(jī)顆粒的樹(shù)脂殘?jiān)牧吭龆?。認(rèn)為是它引起了導(dǎo)通不良。現(xiàn)有技術(shù)I中列舉了 CF4作為等離子體生成用的氣體的例子。因?yàn)镃F4具有較高的地球溫室效應(yīng)系數(shù)(GWP)，所以推測(cè)使用包含CF4的氣體進(jìn)行等離子體處理對(duì)環(huán)境造成不良影響。推測(cè)提高等離子體生成用的氣體內(nèi)的CF4濃度對(duì)人體、環(huán)境造成不良影響。例如，可預(yù)料到由氣體泄漏導(dǎo)致的健康損害等、地球溫室效應(yīng)。本發(fā)明的目的是提供去除具有介由直徑小的通路導(dǎo)體的導(dǎo)通用開(kāi)口內(nèi)的樹(shù)脂殘?jiān)?、能形成連接可靠性高的通路導(dǎo)體的多層印刷電路板的制造方法。用于解決問(wèn)題的方案本發(fā)明的印刷電路板的制造方法包括在導(dǎo)體電路上形成層間絕緣層；用激光在位于上述導(dǎo)體電路上方的上述層間絕緣層中形成通路導(dǎo)體用開(kāi)口 ；用工藝氣體對(duì)上述開(kāi)口內(nèi)進(jìn)行等離子體處理，所述工藝氣體包含具有兩個(gè)碳原子間的雙鍵和氟烷基醚基的氟乙烯基醚系的氣體；形成上述層間絕緣層上的上層導(dǎo)體電路；以及在上述開(kāi)口內(nèi)形成通路導(dǎo)體。


圖1為本發(fā)明的實(shí)施方式的多層印刷電路板的制造工序圖。圖2為表示實(shí)施方式的等離子體照射裝置的構(gòu)成的簡(jiǎn)圖。圖3為表示測(cè)定波長(zhǎng)區(qū)域25(T290nm之間的發(fā)光光譜的結(jié)果圖。圖4為表示測(cè)定波長(zhǎng)區(qū)域25(T290nm之間的發(fā)光光譜的結(jié)果圖。圖5為表示去鉆污處理的SEM照片和二值化結(jié)果。圖6為表示去鉆污處理的SEM照片和二值化結(jié)果。圖1為表示C3F60、CF4的化學(xué)結(jié)構(gòu)式。
圖8為表示C3F60、C5F10O的化學(xué)結(jié)構(gòu)式。圖9為表示C4F80、C5F8O, C6F10O的化學(xué)結(jié)構(gòu)式。圖10為表不通路導(dǎo)體用開(kāi)口的直徑與基板的不良率的關(guān)系圖。圖11為表示通路導(dǎo)體用開(kāi)口的模式圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明10等離子體照射裝置30多層印刷電路板32 基板34導(dǎo)體電路50層間絕緣層51 通路58導(dǎo)體電路60通路導(dǎo)體
具體實(shí)施例方式1.覆銅層壓板的準(zhǔn)備準(zhǔn)備覆銅層壓板(日立化成公司制造，商品編號(hào)MCL_E679F)作為起始材料(圖1的(A))。2.導(dǎo)體電路的形成由銅箔形成導(dǎo)體電路34。在導(dǎo)體電路34上形成粗糙面34 α (圖1的(B))。3.層間絕緣層的形成在導(dǎo)體電路34與基板32上層疊樹(shù)脂薄膜50并固化(圖1的(C))。樹(shù)脂薄膜包含硅石等無(wú)機(jī)顆粒。后述層間絕緣層含有3(Γ80質(zhì)量％的無(wú)機(jī)顆粒。層間絕緣層的熱膨脹系數(shù)變小。另外，在層間絕緣層上難以發(fā)生裂紋。這次作為樹(shù)脂薄膜使用Ajinomoto Fine-TechnoCo.，Inc.制造的ABF-GX13 (產(chǎn)品編號(hào))。4.通路導(dǎo)體用開(kāi)口的形成利用激光形成樹(shù)脂薄膜的通路導(dǎo)體用開(kāi)口 51(圖1的(D))。作為激光使用二氧化碳激光、YAG激光、UV激光等。通路導(dǎo)體用開(kāi)口的直徑為3(Γ100 μ m。這次的通路導(dǎo)體用開(kāi)口的直徑為50 μ m。開(kāi)口直徑是層間絕緣層表面的直徑。通路導(dǎo)體用開(kāi)口的底部殘留有殘?jiān)?3。
推測(cè)層間絕緣層中的硅石顆粒的含量(質(zhì)量％)為30%以上時(shí)，通路導(dǎo)體用開(kāi)口的底部殘留的樹(shù)脂、硅石顆粒的量變多。然而，根據(jù)后述實(shí)施方式的工藝氣體，由于等離子體中的自由基密度高，因此可以清潔通路導(dǎo)體用開(kāi)口的底部。因此，實(shí)施方式的等離子體處理優(yōu)選用于含有30%以上硅石顆粒的層間絕緣層。在含有30%以上硅石顆粒的層間絕緣層中形成具有開(kāi)口直徑50 μ m以下的通路導(dǎo)體用開(kāi)口時(shí)，清潔變得困難，但根據(jù)實(shí)施方式的等離子體處理就可以清潔開(kāi)口的底部。5.切斷將具有開(kāi)口 51的基板30切斷為5. Ocm □的單片基板300。6.去鉆污處理圖2為表示實(shí)施方式的等離子體照射裝置10。等離子體照射裝置10是60Hz非平 衡大氣壓等離子體。氣壓是760托，60Hz的交流電壓通過(guò)氖燈變壓器升壓至大約10kV，在對(duì)置的兩個(gè)電極之間施加該電壓。包含反應(yīng)性氣體的氣瓶80和填充有IS氣的氣瓶84分別經(jīng)由質(zhì)量流量控制器82、86連接于等離子體照射裝置10。用于通過(guò)質(zhì)量流量控制器82、86調(diào)整氣體的混合比率的氣體流量按Isccm單位適時(shí)變化。等離子體照射裝置10具備氣體導(dǎo)入部12、氣體擴(kuò)散部16、具有被冷卻器22支撐的電極20A、20K的放電部16。包含反應(yīng)性氣體與氬氣的工藝氣體被輸送到放電部16下方，產(chǎn)生等離子體26。單片300放置在XY工作臺(tái)28上，對(duì)開(kāi)口內(nèi)進(jìn)行一定時(shí)間的利用等離子體的去鉆污處理。將開(kāi)口內(nèi)清潔(圖1的(E))。從生產(chǎn)率等觀點(diǎn)考慮，等離子體處理優(yōu)選在大氣壓下進(jìn)行。通過(guò)大氣壓等離子體，可以用環(huán)境負(fù)荷小的氣體去除存在于位于導(dǎo)體電路上方的開(kāi)口的底部的殘?jiān)Ｒ驗(yàn)槭谴髿鈮旱入x子體，所以可以連續(xù)進(jìn)行該處理。例如，印刷電路板的輸送速度為Imm/秒。殘?jiān)暮穸却蠹s為O.1 μ m至3 μ m。根據(jù)實(shí)施方式，開(kāi)口的底部殘留的硅石等填料成分也在等離子體處理中同時(shí)被去除。因此，不需要等離子體處理后的填料(顆粒)去除工序。能低成本地形成可靠性高的微小直徑的通路導(dǎo)體。實(shí)施方式的去鉆污處理(通路導(dǎo)體用開(kāi)口的清潔)由于橫向的對(duì)樹(shù)脂的蝕刻影響(側(cè)面蝕刻的影響)小，因此，不容易引起通路導(dǎo)體用開(kāi)口形狀的變形。不會(huì)形成圖11的(A)所示形狀的開(kāi)口。通路導(dǎo)體用開(kāi)口的形狀是向著導(dǎo)體電路逐漸變窄(圖11的(B))。容易形成通路導(dǎo)體。通路導(dǎo)體不容易發(fā)生裂紋。另外，通路導(dǎo)體與導(dǎo)體電路之間的連接可靠性變高。然而，真空下或減壓下的等離子體處理也是可以的。其原因在于，認(rèn)為通過(guò)實(shí)施方式的工藝氣體，在真空下或低壓下也通過(guò)相同活性物種的反應(yīng)，可將通路導(dǎo)體用開(kāi)口的底部的殘?jiān)コ?、清潔。用大氣壓等離子體對(duì)通路導(dǎo)體用開(kāi)口進(jìn)行處理時(shí)，不需要施加偏壓。也可以在進(jìn)行處理時(shí)施加偏壓?？梢匀コ嬖谟谕穼?dǎo)體用開(kāi)口的底部的樹(shù)脂殘?jiān)?。反?yīng)性氣體是具有兩個(gè)碳原子間的雙鍵和氟烷基醚基的氟乙烯基醚系的氣體。作為反應(yīng)性氣體，可列舉出C3F6O (三氟甲基三氟乙烯基醚)、C5F1(i0 (全氟丙基乙烯基醚)等(圖8)。作為它們以外的例子在圖9中表示出結(jié)構(gòu)式、物質(zhì)名稱(chēng)。這些氣體中包含的氟烷基醚基的鍵能非常小。該值是現(xiàn)有技術(shù)中使用的CF4中C與F鍵能的約1/10至1/20。另外，認(rèn)為具有兩個(gè)碳原子間的雙鍵時(shí)，由于自由基快速反應(yīng)，因此促進(jìn)自由基與氣體分子的反應(yīng)。另外，認(rèn)為在大氣壓等離子體的情況下，由于電子密度特別高，因此容易且頻繁地發(fā)生鍵能小的氣體分子的解離。因此，推測(cè)通過(guò)等離子體，由具有兩個(gè)碳原子間的雙鍵和氟烷基醚基的氟乙烯基醚系的氣體(反應(yīng)性氣體)大量地生成了用于去除殘?jiān)幕钚晕锓N(F自由基(F · )、CF2自由基(CF2 · )、CF3自由基(CF3 · )、CF30自由基(CF3O ·)等)。另外，通過(guò)大氣壓中的氧氣、工藝氣體中混合的氧氣，在等離子體中生成氧自由基。推測(cè)通過(guò)這些活性物種與通路導(dǎo)體用開(kāi)口內(nèi)的樹(shù)脂殘?jiān)磻?yīng)，可去除樹(shù)脂殘?jiān)６?，因?yàn)檎J(rèn)為在實(shí)施方式中活性物種的生成效率高，所以認(rèn)為實(shí)施方式與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以確切地去除樹(shù)脂殘?jiān)?。以下表示出使用三氟甲基三氟乙烯基醚作為反?yīng)性氣體時(shí)預(yù)想的反應(yīng)式。(氟乙烯基醚系的氣體的解離)
C3F6O — F3C2 · +CF3O ·(樹(shù)脂成分的去除)CxHyOz (樹(shù)脂)+0 · — C02+H20CxHyOz (樹(shù)脂)+ (CF3O · ) n — C02+H20+CF4(硅石顆粒的去除)Si02 —Si+20Si+20+2CF2 · — SiF4+2C0Si+20+CF3 · +F · — SiF4+C02Si+20+4F · — SiF4+02推測(cè)在以上反應(yīng)中，樹(shù)脂殘?jiān)?、硅石顆粒以氣體形式從通路導(dǎo)體用開(kāi)口的底部被去除。認(rèn)為導(dǎo)體電路從通路導(dǎo)體用開(kāi)口露出。另外，若進(jìn)行等離子體處理，則通路導(dǎo)體用開(kāi)口以外的層間絕緣層表面被改性、濕潤(rùn)性提高。另外，由于通路導(dǎo)體用開(kāi)口內(nèi)也被清潔，因此在通過(guò)鍍敷形成通路導(dǎo)體的情況下，鍍敷液容易進(jìn)入開(kāi)口內(nèi)。特別是通路導(dǎo)體用開(kāi)口的底部被清潔。即使開(kāi)口直徑(層間絕緣層上的直徑)為50 μ m以下，也不容易在通路導(dǎo)體中進(jìn)入氣孔。由于可去除開(kāi)口底部的樹(shù)脂殘?jiān)虼丝稍趯?dǎo)體電路上形成通路導(dǎo)體。由于通路導(dǎo)體與導(dǎo)體電路之間不存在樹(shù)脂殘洛，因此即使通路導(dǎo)體的直徑(層間絕緣層上的直徑)為50 μ m以下，通路導(dǎo)體與導(dǎo)體電路之間的連接可靠性也得到提高。由于通路導(dǎo)體與導(dǎo)體電路之間不殘留樹(shù)脂殘?jiān)?，因此不容易發(fā)生以樹(shù)脂殘?jiān)鼮槠鹨虻耐穼?dǎo)體與導(dǎo)體電路之間的剝離?？梢灶A(yù)想到容易確保印刷電路板的連接可靠性。工藝氣體中也可以進(jìn)一步包含氧氣。氧氣的量(體積％)為O. 1%至2%。推測(cè)工藝氣體包含氧氣時(shí)，通路導(dǎo)體用開(kāi)口內(nèi)的樹(shù)脂殘?jiān)谎踝杂苫コ?。即使在工藝氣體中不含氧氣的情況下，通過(guò)等離子體由大氣中的氧氣也生成氧自由基，但認(rèn)為在工藝氣體中包含氧氣時(shí)，氧自由基密度增大，因此樹(shù)脂殘?jiān)娜コ侍岣?。予以說(shuō)明，由于發(fā)光強(qiáng)度成為自由基密度的指標(biāo)，因此等離子體照射裝置10中也可以具有作為附屬品的用于測(cè)定等離子體中的發(fā)光光譜的分光器(Andor公司制造，產(chǎn)品編號(hào)SR-500-B 10)90。在該分光器上安裝有用于感測(cè)等離子體中的發(fā)光的透鏡92。已知可以在波長(zhǎng)區(qū)域200nnT290nm觀測(cè)到CF2自由基和CF3自由基的發(fā)光光譜。可以使用分光器90通過(guò)上述質(zhì)量流量控制器82、86調(diào)整氣體的混合比率。例如，可以調(diào)整氣體的混合比率，使得相對(duì)于工藝氣體僅使用氬氣的場(chǎng)合的發(fā)光強(qiáng)度，CF2自由基和CF3自由基的發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到3倍以上。即，發(fā)光強(qiáng)度低時(shí)，提高工藝氣體中的反應(yīng)性氣體的混合比，發(fā)光強(qiáng)度高于特定閾值時(shí)，降低反應(yīng)性氣體的混合比。7.通路導(dǎo)體、導(dǎo)體電路的形成在層間絕緣層50上和通路導(dǎo)體用開(kāi)口 51內(nèi)，通過(guò)化學(xué)鍍處理，形成化學(xué)鍍膜52(圖1的(F))。形成特定圖案的抗鍍層54(圖1的(G))。通過(guò)進(jìn)行電解電鍍處理，在抗鍍層未形成部分設(shè)置電解電鍍膜56(圖1的(H))。剝離抗鍍層，去除電解電鍍膜56之間的化學(xué)鍍膜，完成導(dǎo)體電路58與通路導(dǎo)體60 (圖1的(I))。(試驗(yàn)內(nèi)容與試驗(yàn)結(jié)果)作為反應(yīng)性氣體，使用C3F6O (三氟甲基三氟乙烯基醚)和CF4 (四氟甲烷)，實(shí)施例的氣體是C3F6O,比較例的氣體是CF4。工藝氣體是氬氣、氧氣與反應(yīng)性氣體的混合氣體，工藝氣體中的反應(yīng)性氣體的混合比例(體積％)如下所述。實(shí)施例的混合比例為1. 5%、2%，比較例的混合比例為1. 5%、2%、10%。氧氣的混合比例為O. 5體積％。其他條件如下所示。壓力條件大氣壓條件下気氣流量5.Oslm基板與等離子體照射口的距離10mm處理時(shí)間I分鐘在這些條件下，對(duì)各單片基板進(jìn)行等離子體處理。然后，用SEM(掃描電子顯微鏡)(Hitachi High-Technolo gies Corporation 制造，產(chǎn)品編號(hào)S-4800)對(duì)通路導(dǎo)體用開(kāi)口照像。將這些SEM圖像進(jìn)行二值化處理，評(píng)價(jià)等離子體處理后開(kāi)口的底部的殘?jiān)潭?圖5)。殘?jiān)藰?shù)脂與硅石顆粒。在二值化圖像中表示出開(kāi)口的底部。存在有殘?jiān)牟糠钟煤谏硎荆瑲堅(jiān)蝗コ说牟糠钟冒咨硎?。殘留率使?通路導(dǎo)體用開(kāi)口的底部殘留的樹(shù)脂的面積)/ (通路導(dǎo)體用開(kāi)口的底部的面積)XlOO表示。開(kāi)口去鉆污處理前的通路導(dǎo)體用開(kāi)口的底部的樹(shù)脂殘留率為100%，在二值化圖像中整個(gè)面用黑色表示。如果樹(shù)脂從開(kāi)口的底部被去除，則在二值化圖像中用白色表示。開(kāi)口的底部整個(gè)面的殘?jiān)ㄟ^(guò)進(jìn)行高錳酸處理被充分去除時(shí)的殘留率為O. 2%。如果進(jìn)行等離子體處理后的殘留率為O. 2%以下，貝U可以判斷為開(kāi)口的底部的殘?jiān)怀浞值厍鍧?圖6)。在反應(yīng)性氣體的混合比相同的情況下，實(shí)施例中開(kāi)口的底部的殘?jiān)儆诒容^例。實(shí)施例能以比比較例低的反應(yīng)性氣體的混合比來(lái)清潔開(kāi)口的底部。另外，用分光器(Andor公司制造，產(chǎn)品編號(hào)SR-500_B10)通過(guò)發(fā)射光譜測(cè)量而測(cè)定等離子體中的自由基的發(fā)光強(qiáng)度。波長(zhǎng)區(qū)域25(T290nm之間的發(fā)光強(qiáng)度的結(jié)果在圖3、圖4中示出。CF2自由基(CF2 ·)和CF3自由基(CF3 ·)的發(fā)光光譜存在于波長(zhǎng)區(qū)域250nm至290nm。工藝氣體中包含CF4時(shí)的發(fā)光強(qiáng)度示于圖3中。工藝氣體中包含C3F6O時(shí)的發(fā)光強(qiáng)度示于圖4中。比較圖3的結(jié)果與圖4的結(jié)果，則C3F6O的混合比低于CF4的混合比也可以獲得同等的發(fā)光強(qiáng)度。例如，工藝氣體中的CF4濃度為10體積％時(shí)的發(fā)光強(qiáng)度與工藝氣體中的C3F6O的濃度為2體積％時(shí)的發(fā)光強(qiáng)度大致相同。
從該結(jié)果可以推測(cè)到具有兩個(gè)碳原子間的雙鍵和氟烷基醚基的氟乙烯基醚系的氣體與CF4氣體相比更容易生成CF2自由基和CF3自由基等活性物種。因此，認(rèn)為即使氟乙烯基醚系的氣體的濃度較低，也可以去除樹(shù)脂殘?jiān)＿M(jìn)而認(rèn)為實(shí)施方式中的反應(yīng)性氣體與〇匕相比殘?jiān)コ屎?。因此，可以抑制氟乙烯基醚系的氣體的用量，使工藝成本降低。另夕卜，實(shí)施方式具有能減小對(duì)人體、環(huán)境的影響的優(yōu)點(diǎn)。作為圖3與圖4不同的理由之一，認(rèn)為由于上述氟乙烯基醚系的氣體容易頻繁地解離，所以自每一分子生成的氟系自由基(CF2自由基、CF3自由基、F自由基等)的量多。在實(shí)施方式中，認(rèn)為等離子體中的自由基的密度高。因此，認(rèn)為可以減少工藝氣體中的氟乙烯基醚系的氣體的量。除了氟乙烯基醚系的氣體以外，期望工藝氣體包含02、Ar、He、N2中的至少一種。另外，實(shí)施方式中的氟乙烯基醚系的氣體的地球溫室效應(yīng)系數(shù)小(例如GWP為100以下)。使用由該氣體與放電氣體(例如氬氣)形成的工藝氣體，用大氣壓等離子體對(duì)通路導(dǎo)體用開(kāi)口內(nèi)進(jìn)行清潔。通路導(dǎo)體用開(kāi)口內(nèi)、開(kāi)口的底部被等離子體處理。工藝氣體中的反應(yīng)性氣體的量(體積％)為O. 5%至5%。
根據(jù)實(shí)施方式的反應(yīng)性氣體與比較例的反應(yīng)性氣體的比較，認(rèn)為在實(shí)施方式中等離子體中的自由基密度高。因此，認(rèn)為與比較例相比，在實(shí)施方式中殘?jiān)c自由基的化學(xué)反應(yīng)的頻率高。因此，認(rèn)為在實(shí)施方式中，即使反應(yīng)性氣體的濃度低，也能去除殘?jiān)Ｒ虼?，在?shí)施方式中，大氣壓下進(jìn)行等離子體(例如60Hz非平衡大氣壓等離子體)處理是優(yōu)選的例子。設(shè)備成本降低。低成本且環(huán)境負(fù)荷小的去鉆污處理成為可能。反應(yīng)性氣體的濃度低時(shí)，可以抑制對(duì)人體、環(huán)境的影響。另外，可以抑制工藝成本。因此，實(shí)施方式適合于安全且廉價(jià)地制造高功能、高密度的印刷電路板的工藝。另外，C3F6O的地球溫室效應(yīng)系數(shù)(GWP)為O. 01以下，與此相反，CF4的地球溫室效應(yīng)系數(shù)(GWP)為7.1。此外，由于能夠以1/5以下的濃度使用，C3F6O對(duì)地球環(huán)境友好。等離子體、自由基撞擊通路導(dǎo)體用開(kāi)口的底部，由此有可能有助于去除殘?jiān)?。在該情況下，通路導(dǎo)體用開(kāi)口被確切地洗滌。認(rèn)為在實(shí)施方式中，在大氣壓下反應(yīng)性氣體包含氧氣，因此可以充分地獲得氧自由基，適合于去除樹(shù)脂殘?jiān)８鶕?jù)實(shí)施方式，在通路導(dǎo)體用開(kāi)口的底部樹(shù)脂或填料等的殘留減少，因此通路導(dǎo)體的形成不被阻礙。因此，連接可靠性提高。由此，實(shí)施方式的等離子體處理是為了獲得高功能且高密度的印刷電路板的有用技術(shù)。產(chǎn)業(yè)上的可利用件在上述實(shí)施方式中，記載了去除用激光形成的開(kāi)口內(nèi)的殘?jiān)姆椒?。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式也能用于由曝光和顯影處理所形成的開(kāi)口的清潔。
權(quán)利要求
1.ー種印刷電路板的制造方法，其包括 在導(dǎo)體電路上形成層間絕緣層； 用激光在位于所述導(dǎo)體電路上方的所述層間絕緣層中形成通路導(dǎo)體用開(kāi)ロ； 用エ藝氣體對(duì)所述開(kāi)口內(nèi)進(jìn)行等離子體處理，所述エ藝氣體包含具有兩個(gè)碳原子間的雙鍵和氣燒基釀基的氣こ稀基釀系的氣體； 形成所述層間絕緣層上的上層導(dǎo)體電路；以及 在所述開(kāi)口內(nèi)形成通路導(dǎo)體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板的制造方法，其中，所述進(jìn)行等離子體處理包括清潔所述開(kāi)ロ的底面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板的制造方法，其中，所述エ藝氣體還包含02、Ar、He、N2中的任ー種氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板的制造方法，其中，所述氟こ烯基醚系的氣體是C3F6O即三氟甲基三氟こ烯基醚和C5FltlO即全氟丙基こ烯基醚中的任ー種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板的制造方法，其中，所述進(jìn)行等離子體處理是在大氣壓條件下進(jìn)行的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板的制造方法，其中，所述層間絕緣層包含硅石填料，且該硅石填料的配比為30%以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板的制造方法，其中，所述通路導(dǎo)體的直徑為50μ m以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板的制造方法，其中，所述進(jìn)行等離子體處理包括用發(fā)射光譜法監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)區(qū)域200nnT290nm下的CF2自由基或CF3自由基的發(fā)光強(qiáng)度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的印刷電路板的制造方法，其中，所述發(fā)光強(qiáng)度與僅使用氬氣的場(chǎng)合相比為3倍以上。
全文摘要
本發(fā)明提供去除直徑小的通路用開(kāi)口內(nèi)的樹(shù)脂殘?jiān)?、能形成連接可靠性高的通路導(dǎo)體的環(huán)境友好型的多層印刷電路板的制造方法。在使用混合有具有兩個(gè)碳原子間的雙鍵和氟烷基醚基的氟乙烯基醚系的氣體的工藝氣體，進(jìn)行電子密度高的大氣壓等離子體處理時(shí)，以低的混合比可充分地獲得通過(guò)化學(xué)反應(yīng)去除通路導(dǎo)體用開(kāi)口的底部的樹(shù)脂殘?jiān)腇自由基、CF自由基、CF2自由基、CF3自由基，有效地進(jìn)行化學(xué)去除，并且與通過(guò)等離子體中的顆粒進(jìn)行物理去除的協(xié)同效果，從而可以去除通路的樹(shù)脂殘?jiān)?br> 文檔編號(hào)H05K3/18GK103002665SQ20121024601
公開(kāi)日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月9日
發(fā)明者巖田義幸, 堀勝, 坂本一 申請(qǐng)人:揖斐電株式會(huì)社, 國(guó)立大學(xué)法人名古屋大學(xué)