專利名稱：氣相沉積裝置和方法以及制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氣相沉積裝置、一種氣相沉積方法和一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件、顯示裝置和其它電子器件包括多個(gè)薄膜?？梢允褂酶鞣N方法來形成多個(gè)薄膜，其中之一是氣相沉積方法。根據(jù)氣相沉積方法，使用一種或多種氣體作為用于形成薄膜的源。氣相沉積方法可以包括化學(xué)氣相沉積(CVD)方法、原子層沉積(ALD)方法和各種其它方法。 在顯示裝置中，由于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的寬視角、優(yōu)異的對(duì)比度和快速的響應(yīng)速度，所以有機(jī)發(fā)光顯示裝置被視為下一代顯示裝置。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括位于彼此面對(duì)的第一電極和第二電極之間的具有有機(jī)發(fā)射層的中間層以及一個(gè)或多個(gè)薄膜。這里，可以使用沉積工藝來形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的薄膜。然而，因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光顯示裝置在尺寸方面增大，并需要高分辨率，所以難以形成具有期望的性能的大尺寸的薄膜。另外，在提高用于形成薄膜的工藝的效率方面存在局限性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的一方面涉及一種能夠有效地執(zhí)行沉積工藝并提高薄膜的特性的氣相沉積裝置、一種氣相沉積方法和一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種用于在基底上形成薄膜的氣相沉積裝置，所述裝置包括室，具有排放開口 ；架臺(tái)，設(shè)置在所述室中，并包括安裝表面，所述基底可以安裝在所述安裝表面上；注入單元，具有至少一個(gè)注入開口，所述至少一個(gè)注入開口用于將氣體沿與所述基底的其上將形成所述薄膜的表面平行的方向注入到所述室內(nèi)；引導(dǎo)構(gòu)件，面向所述基底，以在所述基底和所述引導(dǎo)構(gòu)件之間提供預(yù)定的空間；驅(qū)動(dòng)單元，用于傳送所述架臺(tái)和所述引導(dǎo)構(gòu)件。所述弓I導(dǎo)構(gòu)件可以與所述基底平行地設(shè)置。所述引導(dǎo)構(gòu)件可以在尺寸上等于或大于所述基底的尺寸。所述引導(dǎo)構(gòu)件可以具有包括多個(gè)凸起部分和多個(gè)凹入部分并面向所述基底的不規(guī)則表面。凸起部分和凹入部分可以沿重力作用的方向延伸。設(shè)置在所述引導(dǎo)構(gòu)件和所述基底之間的所述空間可以具有與將形成在所述基底上的所述薄膜的圖案對(duì)應(yīng)的形狀，所述引導(dǎo)構(gòu)件可以包括通往所述空間的通路，從所述注入單元注入的所述氣體穿過所述通路。所述通路可以至少包括形成在所述引導(dǎo)構(gòu)件的上端上的第一穿透部分和形成在所述引導(dǎo)構(gòu)件的下端上的第二穿透部分。所述第一穿透部分或所述第二穿透部分可以延長以對(duì)應(yīng)于所述空間。所述第一穿透部分或所述第二穿透部分可以包括與所述空間對(duì)應(yīng)的多個(gè)穿透開□。所述空間可以在形狀上對(duì)應(yīng)于形成在所述引導(dǎo)構(gòu)件的面向所述基底的表面中的凹槽。所述弓I導(dǎo)構(gòu)件可以包括覆蓋所述空間的蓋。
所述驅(qū)動(dòng)單元可以在所述基底安裝在所述架臺(tái)的狀態(tài)下沿與所述基底的其上將形成所述薄膜的表面垂直的方向傳送所述架臺(tái)和所述引導(dǎo)構(gòu)件。所述驅(qū)動(dòng)單元可以往復(fù)地移動(dòng)。所述驅(qū)動(dòng)單元可以同時(shí)傳送所述架臺(tái)和所述弓I導(dǎo)構(gòu)件。所述驅(qū)動(dòng)單元可以包括移動(dòng)所述架臺(tái)的第一驅(qū)動(dòng)單元和移動(dòng)所述引導(dǎo)構(gòu)件的第
二驅(qū)動(dòng)單元。所述安裝表面可以沿與重力作用的方向平行地設(shè)置。所述注入單元可以設(shè)置在所述架臺(tái)上方。所述排放開口可以連接到泵。源氣和反應(yīng)氣體可以通過注入開口順序地注入。所述注入單元可以包括源氣和反應(yīng)氣體獨(dú)立地注入所通過的多個(gè)注入開口。與所述基底相比，所述排放開口可以更靠近地面。所述裝置還可以包括具有用于在所述基底上以期望的圖案形成薄膜的掩模開口的掩模，其中，所述掩模設(shè)置在所述基底上。 所述注入單元可以包括多個(gè)注入開口，所述多個(gè)注入開口沿與所述基底的其上將形成所述薄膜的表面垂直的方向布置并且彼此隔開，從而對(duì)所述基底多次執(zhí)行沉積工藝。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于在基底上形成薄膜的氣相沉積方法，所述方法包括將所述基底安裝在設(shè)置在室內(nèi)的架臺(tái)的安裝表面上；通過注入單元沿與所述基底的其上將形成薄膜的表面平行的方向朝所述基底和與所述基底平行地設(shè)置的引導(dǎo)構(gòu)件之間的空間注入源氣；通過所述室的排放開口執(zhí)行排放；通過所述注入單元沿與所述基底的所述表面平行的方向朝所述室中注入反應(yīng)氣體；通過所述室的所述排放開口執(zhí)行排放?？梢酝ㄟ^泵執(zhí)行所述排放。所述注入單元可以具有注入開口，所述源氣和所述反應(yīng)氣體可以通過所述注入開口順序地注入。所述注入單元可以具有多個(gè)注入開口，所述源氣和所述反應(yīng)氣體可以通過不同的注入開口分別注入。安裝基底的步驟可以包括將具有用于形成期望圖案的薄膜的開口的掩模放置在所述基底上?？梢栽谒龌装惭b在所述室內(nèi)的所述架臺(tái)上的狀態(tài)下，在沿與所述基底的其上將形成所述薄膜的表面垂直的方向移動(dòng)所述基底的同時(shí)執(zhí)行薄膜沉積。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括位于基底上的多個(gè)薄膜，所述多個(gè)薄膜至少包括第一電極、中間層和第二電極，所述中間層包括有機(jī)發(fā)射層，其中，形成薄膜的步驟包括將所述基底安裝在設(shè)置在室內(nèi)的架臺(tái)的安裝表面上；通過注入單元沿與所述基底的其上將形成所述薄膜的表面平行的方向朝面對(duì)所述基底的引導(dǎo)構(gòu)件和所述基底之間的空間注入源氣；通過所述室的排放開口執(zhí)行排放；通過所述注入單元沿與所述基底的所述表面平行的方向?qū)⒎磻?yīng)氣體注入到所述室中；通過所述室的所述排放開口執(zhí)行排放。形成薄膜的步驟可以包括在所述第二電極上形成封裝層。形成薄膜的步驟可以包括形成絕緣層。 形成薄膜的步驟可以包括形成導(dǎo)電層。


通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其它特征及方面將變得更加明顯，在附圖中圖I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的氣相沉積裝置的示意性剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的氣相沉積裝置的示意性剖視圖；圖3是從圖2的方向A看到的氣相沉積裝置的示圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的氣相沉積裝置的示意性剖視圖；圖5是在圖4中示出的基底和引導(dǎo)構(gòu)件的示意性透視圖；圖6是沿圖5中的線VI-VI截取的基底和引導(dǎo)構(gòu)件的示意性剖視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的氣相沉積裝置的示意性剖視圖；圖8是在圖7中示出的引導(dǎo)構(gòu)件的示意性投影透視圖；圖9是沿圖8中的線IX-IX截取的引導(dǎo)構(gòu)件的示意性剖視圖；圖10是通過根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置制造方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，現(xiàn)在將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。圖I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的氣相沉積裝置100的示意性剖視圖。參照?qǐng)D1，氣相沉積裝置100包括室110、架臺(tái)120、注入單元130、引導(dǎo)構(gòu)件140以及第一驅(qū)動(dòng)單元151和第二驅(qū)動(dòng)單元152。室110包括位于室110的下部上的排放開口(例如，孔)111。排放開口 111是用于排放氣體的出口，并可以連接到泵，從而容易地執(zhí)行排放工藝。盡管在圖I中未示出，但是室110由泵控制，以保持適當(dāng)?shù)膲毫?例如，預(yù)定的壓力)。另外，用于加熱室110的內(nèi)部的加熱單元(未示出)可以設(shè)置在室110的內(nèi)部或外部上，以提高薄膜沉積工藝的效率。架臺(tái)120設(shè)置在室110內(nèi)。架臺(tái)120包括安裝表面121。安裝表面121與重力作用的方向平行地設(shè)置。即，安裝表面121與地面垂直地設(shè)置。為此，架臺(tái)120與地面垂直地設(shè)置?；?01設(shè)置在架臺(tái)120上。更詳細(xì)地說，基底101安裝在架臺(tái)120的安裝表面121上。與基底101相比，排放開口 111更靠近地面。固定單元(未示出)可以設(shè)置在安裝表面121上，以使基底101可在被安裝在安裝表面121上之后被固定。固定單元(未示出)可以是夾具、壓縮單元、粘附材料或者其它合適的材料或裝置。引導(dǎo)構(gòu)件140被設(shè)置為面向基底101。因此，在基底101和引導(dǎo)構(gòu)件140之間形成空間(例如，間隙)G。引導(dǎo)構(gòu)件140可以與基底平行地設(shè)置。另外，引導(dǎo)構(gòu)件140被形成為尺寸等于或大于基底101的尺寸的平板。第一驅(qū)動(dòng)單元151和第二驅(qū)動(dòng)單元152分別連接到架臺(tái)120和引導(dǎo)構(gòu)件140。更詳細(xì)地說，第一驅(qū)動(dòng)單元151連接到架臺(tái)120，第二驅(qū)動(dòng)單元152連接到引導(dǎo)構(gòu)件140。在圖 I中，第一驅(qū)動(dòng)單元151和第二驅(qū)動(dòng)單元152彼此分開地形成；然而，本發(fā)明不限于此。即，可以使用使架臺(tái)120和引導(dǎo)構(gòu)件140兩者并發(fā)地或同時(shí)地移動(dòng)的一個(gè)驅(qū)動(dòng)單元。第一驅(qū)動(dòng)單元151沿由在圖I中示出的箭頭M指示的方向或與由箭頭M指示的方向相反的方向傳送架臺(tái)120。S卩，第一驅(qū)動(dòng)單元151沿圖I中的X軸方向傳送架臺(tái)120。因此，基底101可以沿與基底101的表面(即，其上將形成薄膜的表面)垂直的方向移動(dòng)。此外，第二驅(qū)動(dòng)單元152沿由在圖I中示出的箭頭M指示的方向或與由箭頭M指示的方向相反的方向傳送引導(dǎo)構(gòu)件140。即，第二驅(qū)動(dòng)單元152沿圖I中的X軸方向傳送引導(dǎo)構(gòu)件140。因此，引導(dǎo)構(gòu)件140可以沿與基底101的表面(即，其上將形成薄膜的表面)垂直的方向移動(dòng)。控制第一驅(qū)動(dòng)單元151和第二驅(qū)動(dòng)單元152，以保持基底101和引導(dǎo)構(gòu)件140之間的空間G。注入單元130連接到室110。一種或多種氣體通過注入單元130朝基底101注入。更詳細(xì)地說，注入單元130包括第一注入開口(例如，孔)131、第二注入開口 132、第三注入開口 133、第四注入開口 134、第五注入開口 135和第六注入開口 136。此外，第一注入開口 131至第六注入開口 136沿基底101的移動(dòng)方向布置。S卩，第一注入開口 131至第六注入開口 136沿圖I中的X軸方向布置，并彼此隔開。此外，第一注入開口 131至第六注入開口 136可以被形成為具有各種形狀，例如，可以被形成為與基底101的寬度對(duì)應(yīng)的點(diǎn)或線。通過第一注入開口 131至第六注入開口 136將氣體與基底101的表面方向平行地注入到室110內(nèi)。即，通過第一注入開口 131至第六注入開口 136將氣體與重力作用的方向平行地進(jìn)行注入。更詳細(xì)地說，通過第一注入開口 131、第三注入開口 133和第五注入開口 135注入源氣S，并通過第二注入開口 132、第四注入開口 134和第六注入開口 136注入反應(yīng)氣體。在通過第一注入開口 131、第三注入開口 133和第五注入開口 135注入源氣S的同時(shí)，不通過第二注入開口 132、第四注入開口 134和第六注入開口 136注入反應(yīng)氣體。在通過第一注入開口 131、第三注入開口 133和第五注入開口 135注入源氣S之后，通過第二注入開口 132、第四注入開口 134和第六注入開口 136注入反應(yīng)氣體。此外，可以通過第一注入開口 131、第三注入開口 133和第五注入開口 135順序地、并發(fā)地或同時(shí)地注入源氣S。同樣，可以通過第二注入開口 132、第四注入開口 134和第六注入開口 136順序地、并發(fā)地或同時(shí)地注入反應(yīng)氣體。然而，本發(fā)明不限于以上示例。即，可以通過注入單元130的相同注入開口注入源氣S和反應(yīng)氣體。例如，注入單元130可以僅包括第一注入開口 131、第三注入開口 133和第五注入開口 135，通過第一注入開口 131、第三注入開口 133和第五注入開口 135順序地注入源氣S，然后可以通過第一注入開口 131、第三注入開口 133和第五注入開口 135注入反應(yīng)氣體。雖然在圖I中未示出，但是第一注入開口 131至第六注入開口 136可以以規(guī)則的間隔彼此隔開。即，在注入源氣S之后，可以在通過使用驅(qū)動(dòng)單元151和152移動(dòng)基底101和引導(dǎo)構(gòu)件140之后注入反應(yīng)氣體。此外，在注入單元130中形成六個(gè)注入開口，如圖I所示；然而，本發(fā)明不限于此，即，可以在注入單元130中形成兩個(gè)或更多個(gè)注入開口。
現(xiàn)在將描述根據(jù)本實(shí)施例的氣相沉積裝置100的操作。將基底101安裝在架臺(tái)120的安裝表面121上。之后，通過注入單元130的第一注入開口 131注入源氣S。這里，朝基底101和引導(dǎo)構(gòu)件140之間的空間G注入源氣S。更詳細(xì)地說，源氣S可以包括鋁(Al)原子。源氣S被吸附在基底101的上表面(例如，與面向架臺(tái)120的表面相對(duì)的表面)上。之后，通過排放開口 111執(zhí)行排放工藝，然后，在基底101的上表面上形成由源氣S形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。即，形成Al原子的單個(gè)層或多個(gè)層。之后，通過注入單元130的第二注入開口 132注入反應(yīng)氣體。如上所述，當(dāng)注入單元130的注入開口 131至136以規(guī)則的間隔布置時(shí)，在通過第一注入開口 131注入源氣S之后，通過使用驅(qū)動(dòng)單元151和152沿圖I中的X軸方向(S卩，由箭頭M指示的方向)移動(dòng)架臺(tái)120和引導(dǎo)構(gòu)件140，從而可以通過第二注入開口 132注入反應(yīng)氣體?？梢猿?01和引導(dǎo)構(gòu)件140之間的空間G注入反應(yīng)氣體。更詳細(xì)地說，反應(yīng)氣體可以包括氧(O)原子。反應(yīng)氣體被吸附在基底101的上表面上。然后，通過排放開口111執(zhí)行排放工藝，然后，在基底101的上表面上形成由反應(yīng)氣體形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。即，形成氧原子的單個(gè)層或多個(gè)層。因此，在基底101的上表面上形成由源氣S和反應(yīng)氣體組分形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。即，形成氧化鋁層(AlxOy，其中，1和7可根據(jù)工藝條件而改變)。在本實(shí)施例中，形成氧化鋁層；然而，本發(fā)明不限于此。即，本發(fā)明的實(shí)施例可以應(yīng)用于形成包括氧化物層的各種導(dǎo)電層和絕緣層的工藝。之后，通過使用第一驅(qū)動(dòng)單元151和第二驅(qū)動(dòng)單元152沿圖I中的X軸方向(即，由箭頭M指示的方向)移動(dòng)架臺(tái)120和引導(dǎo)構(gòu)件140。因此，可以保持基底101和引導(dǎo)構(gòu)件140之間的空間G。通過注入單元130的第三注入開口 133朝基底101和引導(dǎo)構(gòu)件140之間的空間G注入源氣S。源氣S被吸附在基底101的上表面上。之后，通過使用排放開口 111執(zhí)行排放工藝，然后，在基底101的上表面上形成由源氣S形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。可以通過注入單元130的第四注入開口 134朝基底101和引導(dǎo)構(gòu)件140之間的空間G注入反應(yīng)氣體。反應(yīng)氣體被吸附在基底101的上表面上。然后，通過排放開口 111執(zhí)行排放工藝，然后，在基底101的上表面上形成由反應(yīng)氣體形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。因此，在通過第一注入開口 131和第二注入開口 132形成于基底101的上表面上的薄膜上另外形成包括源氣S和反應(yīng)氣體組分的單層原子層或多層原子層。之后，通過使用第一驅(qū)動(dòng)單元151和第二驅(qū)動(dòng)單元152沿圖I中的X軸方向(即，由箭頭M指示的方向)移動(dòng)架臺(tái)120和引導(dǎo)構(gòu)件140。通過第五注入開口 135和第六注入開口 136朝基底101和引導(dǎo)構(gòu)件140之間的空間G注入源氣S和反應(yīng)氣體，從而可以在基底101上形成另外的薄膜，如通過第一注入開口131和第二注入開口 132形成的薄膜。通過以上工藝，可以在一個(gè)室110內(nèi)在基底101上容易地形成期望厚度的薄膜。即，可以根據(jù)薄膜的期望厚度來控制架臺(tái)120和引導(dǎo)構(gòu)件140的移動(dòng)距離。
根據(jù)本實(shí)施例，從注入單元130沿與基底101的上表面平行的方向注入氣體。具體地說，基底101沿與地面垂直的方向(即，重力作用的方向)設(shè)置。因此，當(dāng)通過注入單元130注入氣體并且氣體被吸附在基底101上時(shí)，可以減少基底101上的不必要地吸附的量。即，基底101上的不必要地吸附的組分或者其它不均勻地集中的組分由于重力而落下，因此，減少了不必要的量。此外，可以通過設(shè)置在基底101的下部上的排放開口 111經(jīng)由排放工藝容易地去除不必要的氣體組分。因此，在通過注入單元130的第一注入開口 131注入源氣S之后，在沒有使用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝。之后，通過第二注入開口 132注入反應(yīng)氣體，在沒有使用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝，然后，完成沉積工藝。此外，根據(jù)本實(shí)施例，引導(dǎo)構(gòu)件140被設(shè)置為面對(duì)基底101。因此，引導(dǎo)構(gòu)件140可以阻擋雜質(zhì)。例如，當(dāng)通過第三注入開口 133注入源氣S時(shí)，在先前的工藝中通過第一注入開口 131和第二注入開口 132注入的源氣或反應(yīng)氣體中的在基底101上形成薄膜之后殘留的剩余雜質(zhì)氣體可能不會(huì)通過排放開口 111被完全地排出。在這種情況下，通過使用經(jīng)由第三注入開口 133注入的源氣S形成薄膜的工藝受到雜質(zhì)氣體的影響，由此使得形成在基底101上的薄膜的特性劣化。然而，根據(jù)本實(shí)施例，在基底101和引導(dǎo)構(gòu)件140之間形成空間G，并通過第三注入開口 133朝該空間注入源氣S，從而引導(dǎo)構(gòu)件140可以防止或阻擋雜質(zhì)以遠(yuǎn)離基底101。此外，通過第三注入開口 133注入的源氣S沒有分散，并且在基底101和引導(dǎo)構(gòu)件140之間被有效地吸附在基底101上，由此提高了薄膜沉積效率。結(jié)果，可以極大地提高用于形成期望的薄膜的沉積工藝的效率。此外，可以減少或防止不必要的氣體組分的吸附，并且可以減少或防止進(jìn)入形成在基底101上的薄膜中的吹掃氣體雜質(zhì)的混合物。因此，可以均勻地形成薄膜，并且該薄膜可以具有優(yōu)異的物理和化學(xué)特性。此外，根據(jù)本實(shí)施例，在通過使用驅(qū)動(dòng)單元151和152移動(dòng)架臺(tái)120和引導(dǎo)構(gòu)件140的同時(shí)執(zhí)行沉積工藝。這樣，可以通過第一注入開口 131至第六注入開口 136順序地執(zhí)行沉積工藝，因此，可以極大地減少用于形成期望厚度的薄膜所需的時(shí)間，并提高沉積工藝的便利性。圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的氣相沉積裝置200的示意性剖視圖，圖3是從圖2中的方向A看到的氣相沉積裝置的示圖。參照?qǐng)D2和圖3，氣相沉積裝置200包括室210、架臺(tái)220、注入單元230、引導(dǎo)構(gòu)件240、第一驅(qū)動(dòng)單元251和第二驅(qū)動(dòng)單元252以及掩模260。室210包括位于室210的下部的排放開口 211。排放開口 211是排放氣體的出口并可以連接到泵，從而充分地執(zhí)行排放。雖然在圖2和圖3中未示出，但室210由泵來控制，以保持適當(dāng)?shù)膲毫?例如，預(yù)定的壓力)。此外，用于加熱室210的內(nèi)部的加熱單元(未示出 )可以設(shè)置在室210的內(nèi)部或外部上，以提高薄膜沉積工藝的效率。架臺(tái)220設(shè)置在室210內(nèi)。架臺(tái)220包括安裝表面221。安裝表面221與重力施加的方向平行地設(shè)置。即，安裝表面221與地面垂直地設(shè)置。為此，架臺(tái)220與地面垂直地設(shè)置。基底201設(shè)置在架臺(tái)220上。更詳細(xì)地說，基底201安裝在架臺(tái)220的安裝表面221 上。固定單元(未示出)可以設(shè)置在安裝表面221上，從而基底201可以在被安裝在安裝表面221上之后被固定。固定單元(未示出)可以是夾具、壓縮單元、粘附材料或其它材料。掩模260設(shè)置在基底201上。參照?qǐng)D3，掩模260包括掩模開口 260a，掩模開口260a具有合適的形狀(例如，預(yù)定形狀)，在圖3中為矩形，但不限于此。掩模開口 260a對(duì)應(yīng)于將形成在基底201上的薄膜的圖案。圖3示出了六個(gè)掩模開口 260a;然而，本發(fā)明不限于此。即，可以根據(jù)想要形成在基底201上的圖案的數(shù)量來確定掩模開口 260a的數(shù)量和形狀。例如，掩模260可以是具有一個(gè)掩模開口 260a的開口掩模。引導(dǎo)構(gòu)件240被設(shè)置為面向基底201。因此，在基底201和引導(dǎo)構(gòu)件240之間形成空間G。引導(dǎo)構(gòu)件240可以與基底平行地設(shè)置。此外，引導(dǎo)構(gòu)件240被形成為尺寸等于或大于基底201的尺寸的平板。第一驅(qū)動(dòng)單元251和第二驅(qū)動(dòng)單元252分別連接到架臺(tái)220和引導(dǎo)構(gòu)件240。更詳細(xì)地說，第一驅(qū)動(dòng)單元251連接到架臺(tái)220，第二驅(qū)動(dòng)單元252連接到引導(dǎo)構(gòu)件240。第一驅(qū)動(dòng)單元251沿由在圖2中示出的箭頭M指示的方向或與由箭頭M指示的方向相反的方向傳送架臺(tái)220。S卩，第一驅(qū)動(dòng)單元151沿圖2中的X軸方向傳送架臺(tái)220。因此，基底201可以沿與基底201的表面(即，其上將形成薄膜的表面)垂直的方向移動(dòng)。此外，第二驅(qū)動(dòng)單元252沿由在圖2中示出的箭頭M指示的方向或與由箭頭M指示的方向相反的方向傳送引導(dǎo)構(gòu)件240。即，第二驅(qū)動(dòng)單元252沿圖2中的X軸方向傳送引導(dǎo)構(gòu)件240。因此，引導(dǎo)構(gòu)件240可以沿與基底201的表面(即，其上將形成薄膜的表面)垂直的方向移動(dòng)?？刂频谝或?qū)動(dòng)單元251和第二驅(qū)動(dòng)單元252，以保持基底201和引導(dǎo)構(gòu)件240之間的空間G。注入單元230連接到室210。一種或多種氣體通過注入單元230朝基底201注入。更詳細(xì)地說，注入單元230包括第一注入開口 231、第二注入開口 232、第三注入開口 233、第四注入開口 234、第五注入開口 235和第六注入開口 236。
此外，第一注入開口 231至第六注入開口 236沿基底201的移動(dòng)方向布置。S卩，第一注入開口 231至第六注入開口 236沿圖2中的X軸方向布置，并彼此隔開。此外，第一注入開口 231至第六注入開口 236可以被形成為具有各種形狀，例如，可以被形成為與基底201的寬度對(duì)應(yīng)的點(diǎn)或線。通過第一注入開口 231至第六注入開口 236將氣體與基底201的表面方向平行地注入到室210內(nèi)。即，通過第一注入開口 231至第六注入開口 236將氣體與重力作用的方向平行地進(jìn)行注入。更詳細(xì)地說，通過第一注入開口 231、第三注入開口 233和第五注入開口 235注入源氣S，并通過第二注入開口 232、第四注入開口 234和第六注入開口 236注入反應(yīng)氣體。在通過第一注入開口 231、第三注入開口 233和第五注入開口 235注入源氣S的同時(shí)，不通過第二注入開口 232、第四注入開口 234和第六注入開口 236注入反應(yīng)氣體。在通 過第一注入開口 231、第三注入開口 233和第五注入開口 235注入源氣S之后，通過第二注入開口 232、第四注入開口 234和第六注入開口 236注入反應(yīng)氣體。此外，可以通過第一注入開口 231、第三注入開口 233和第五注入開口 235順序地、并發(fā)地或同時(shí)地注入源氣S。同樣，可以通過第二注入開口 232、第四注入開口 234和第六注入開口 236順序地、并發(fā)地或同時(shí)地注入反應(yīng)氣體。然而，本發(fā)明不限于以上示例。即，可以通過注入單元230的相同注入開口注入源氣S和反應(yīng)氣體。例如，注入單元230可以僅包括第一注入開口 231、第三注入開口 233和第五注入開口 235，通過第一注入開口 231、第三注入開口 233和第五注入開口 235順序地注入源氣S，然后可以通過第一注入開口 231、第三注入開口 233和第五注入開口 235注入反應(yīng)氣體。雖然在圖2中未示出，但是第一注入開口 231至第六注入開口 236可以以規(guī)則的間隔彼此隔開。即，在注入源氣S之后，可以在通過使用驅(qū)動(dòng)單元251和252移動(dòng)基底201和引導(dǎo)構(gòu)件240之后注入反應(yīng)氣體?，F(xiàn)在將描述根據(jù)本實(shí)施例的氣相沉積裝置200的操作。將基底201安裝在架臺(tái)220的安裝表面221上。將具有與將形成在基底201上的薄膜的圖案對(duì)應(yīng)的開口 260a的掩模260設(shè)置在基底201上。之后，通過注入單元230的第一注入開口 231注入源氣S。這里，朝基底201和引導(dǎo)構(gòu)件240之間的空間G注入源氣S。源氣S被吸附在基底201的上表面上。具體地說，源氣S被吸附在基底201的上表面的與掩模260的開口 260a對(duì)應(yīng)的部分上。之后，通過排放開口 211執(zhí)行排放工藝，然后，在基底201的上表面上形成由源氣S形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。之后，通過注入單元230的第二注入開口 232注入反應(yīng)氣體。這里，朝基底201和引導(dǎo)構(gòu)件240之間的空間G注入反應(yīng)氣體。反應(yīng)氣體被吸附在基底201的上表面上，具體地說，被吸附在與掩模260的開口 260a對(duì)應(yīng)的部分上。然后，通過排放開口 211執(zhí)行排放工藝，然后，在基底201的上表面上形成由反應(yīng)氣體形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。因此，在基底201的上表面上形成由源氣S和反應(yīng)氣體形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層，以對(duì)應(yīng)于掩模260的開口 260a。之后，通過使用第一驅(qū)動(dòng)單元251和第二驅(qū)動(dòng)單元252沿圖2中的X軸方向(即，由箭頭M指示的方向)移動(dòng)架臺(tái)220和引導(dǎo)構(gòu)件240。在移動(dòng)架臺(tái)220和引導(dǎo)構(gòu)件240之后，可以保持基底201和引導(dǎo)構(gòu)件240之間的空間G。通過注入單元230的第三注入開口 233朝基底201和引導(dǎo)構(gòu)件240之間的空間G注入源氣S。源氣S被吸附在基底201的上表面上，具體地說，被吸附在與掩模260的開口260a對(duì)應(yīng)的部分上。然后，通過排放開口 211執(zhí)行排放工藝，并在基底201的上表面上形成包括源氣S的單層原子層或多層原子層。然后，通過注入單元230的第四注入開口 234朝基底201和引導(dǎo)構(gòu)件240之間的空間G注入反應(yīng)氣體。反應(yīng)氣體被吸附在基底201的上表面的與掩模260的開口 260a對(duì)應(yīng)的部分上。之后，通過排放開口 211執(zhí)行排放，然后，在基底201的上表面上形成具有反應(yīng)氣體的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。 因此，在通過第一注入開口 231和第二注入開口 232形成于基底201的上表面上的薄膜上另外形成包括源氣S和反應(yīng)氣體組分的單層原子層或多層原子層。之后，通過使用第一驅(qū)動(dòng)單元251和第二驅(qū)動(dòng)單元252沿圖2中的X軸方向(即，由箭頭M指示的方向)移動(dòng)架臺(tái)220和引導(dǎo)構(gòu)件240。通過第五注入開口 235和第六注入開口 236朝基底201和引導(dǎo)構(gòu)件240之間的空間G注入源氣S和反應(yīng)氣體，從而可以在基底201上形成另外的薄膜，如通過第一注入開口231和第二注入開口 232形成的薄膜。通過以上工藝，可以在一個(gè)室210內(nèi)在基底201上容易地形成期望厚度的薄膜。即，可以根據(jù)薄膜的期望厚度來控制架臺(tái)220和引導(dǎo)構(gòu)件240的移動(dòng)距離。在本實(shí)施例中，將掩模260設(shè)置在基底201上，從而在基底201上容易地形成期望的圖案的薄膜。根據(jù)本實(shí)施例，沿與基底201的上表面平行的方向從注入單元230注入氣體。具體地說，基底201沿與地面垂直的方向(即，重力作用的方向)設(shè)置。因此，當(dāng)氣體通過注入單元230注入并吸附在基底201上時(shí)，可以減少基底201上的不必要地吸附的量。即，基底201上的不必要地吸附的組分或者其它不均勻地集中的組分由于重力而落下，因此，減少了不必要的量。此外，可以通過設(shè)置在基底201的下部上的排放開口 211經(jīng)由排放工藝容易地去除不必要的氣體組分。因此，在通過注入單元230的第一注入開口 231注入源氣S之后，在沒有使用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝。之后，通過第二注入開口 232注入反應(yīng)氣體，并在沒有使用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝，然后，完成沉積工藝。此外，根據(jù)本實(shí)施例，引導(dǎo)構(gòu)件240被設(shè)置為面向基底201。因此，引導(dǎo)構(gòu)件240可以阻擋雜質(zhì)。此外，通過注入單元230注入的源氣S沒有分散，并且在基底201和引導(dǎo)構(gòu)件240之間被有效地吸附在基底201上，由此提高了薄膜沉積效率。結(jié)果，可以極大地提高用于形成期望的薄膜的沉積工藝的效率。此外，可以減少或防止不必要的氣體組分的吸附，并且可以減少或防止進(jìn)入形成在基底201上的薄膜中的吹掃氣體雜質(zhì)的混合物。因此，可以均勻地形成薄膜，并且該薄膜可以具有優(yōu)異的物理和化學(xué)特性。
此外，根據(jù)本實(shí)施例，在通過使用驅(qū)動(dòng)單元251和252移動(dòng)架臺(tái)220和引導(dǎo)構(gòu)件240的同時(shí)順序執(zhí)行沉積工藝。因此，可以極大地減少用于形成期望厚度的薄膜所用的時(shí)間，并提高沉積工藝的便利性。圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的氣相沉積裝置300的示意性剖視圖。圖5是圖4中示出的基底和引導(dǎo)構(gòu)件的示意性透視圖，圖6是沿圖5中的線VI-VI截取的基底和引導(dǎo)構(gòu)件的剖視圖。氣相沉積裝置300包括室310、架臺(tái)320、注入單元330、引導(dǎo)構(gòu)件340以及第一驅(qū)動(dòng)單元351和第二驅(qū)動(dòng)單元352。室310包括位于室310的下部上的排放開口 311。排放開口 311是排放氣體的出口并可以連接到泵，從而充分地執(zhí)行排放。盡管在圖4中未示出，但是室310由泵控制，以保持適當(dāng)?shù)膲毫?例如，預(yù)定的壓力)。此外，用于加熱室310的內(nèi)部的加熱單元(未示出)可以設(shè)置在室310的內(nèi)部或外部 上，以提高薄膜沉積工藝的效率。架臺(tái)320設(shè)置在室310內(nèi)。架臺(tái)320包括安裝表面321。安裝表面321與重力施加的方向平行地設(shè)置。即，安裝表面321與地面垂直地設(shè)置。為此，架臺(tái)320與地面垂直地設(shè)置?；?01設(shè)置在架臺(tái)320上。更詳細(xì)地說，基底301安裝在架臺(tái)320的安裝表面321 上。固定單元(未示出)可以設(shè)置在安裝表面321上，以使基底301可在被安裝在安裝表面321上之后被固定。固定單元(未示出)可以是夾具、壓縮單元、粘附材料或其它材料。引導(dǎo)構(gòu)件340被設(shè)置為面向基底301。因此，在基底301和引導(dǎo)構(gòu)件340之間形成空間G。引導(dǎo)構(gòu)件340可以與基底平行地設(shè)置。另外，引導(dǎo)構(gòu)件340被形成為具有等于或大于基底301的尺寸的尺寸，以對(duì)應(yīng)于基底 301。引導(dǎo)構(gòu)件340具有面向基底301的不規(guī)則表面。即，引導(dǎo)構(gòu)件340包括面向基底301的凸起部分341和凹入部分342。凹入部分342設(shè)置在兩個(gè)相鄰的凸起部分341之間。此外，凸起部分341和凹入部分342沿重力作用的方向從上部朝下部延伸。第一驅(qū)動(dòng)單元351和第二驅(qū)動(dòng)單元352分別連接到架臺(tái)320和引導(dǎo)構(gòu)件340。更詳細(xì)地說，第一驅(qū)動(dòng)單元351連接到架臺(tái)320，第二驅(qū)動(dòng)單元352連接到引導(dǎo)構(gòu)件340。第一驅(qū)動(dòng)單元351沿由在圖4中示出的箭頭M指示的方向或與由箭頭M指示的方向相反的方向傳送架臺(tái)320。S卩，第一驅(qū)動(dòng)單元351沿圖4中的X軸方向傳送架臺(tái)320。因此，基底301可以沿與基底301的表面(即，其上將形成薄膜的表面)垂直的方向移動(dòng)。此外，第二驅(qū)動(dòng)單元352沿由在圖4中示出的箭頭M指示的方向或與由箭頭M指示的方向相反的方向傳送引導(dǎo)構(gòu)件340。即，第二驅(qū)動(dòng)單元352沿圖4中的X軸方向傳送引導(dǎo)構(gòu)件340。因此，引導(dǎo)構(gòu)件340可以沿與基底301的表面(即，其上將形成薄膜的表面)垂直的方向移動(dòng)?？刂频谝或?qū)動(dòng)單元351和第二驅(qū)動(dòng)單元352，以保持基底301和引導(dǎo)構(gòu)件340之間的空間G。
注入單元330連接到室310。一種或多種氣體通過注入單元330朝基底301注入。更詳細(xì)地說，注入單元330包括第一注入開口 331、第二注入開口 332、第三注入開口 333、第四注入開口 334、第五注入開口 335和第六注入開口 336。此外，第一注入開口 331至第六注入開口 336沿基底301的移動(dòng)方向布置。S卩，第一注入開口 331至第六注入開口 336沿圖4中的X軸方向布置，并彼此隔開。此外，第一注入開口 331至第六注入開口 336可以被形成為具有各種形狀，例如，可以被形成為與基底301的寬度對(duì)應(yīng)的點(diǎn)或線。即，在圖5中，第一注入開口 331被形成為線；然而，本發(fā)明不限于此，即，第一注入開口 331可以被形成為點(diǎn)。通過第一注入開口 331至第六注入開口 336將氣體與基底301的表面方向平行地注入到室310內(nèi)。即，通過第一注入開口 331至第六注入開口 336將氣體與重力作用的方向平行地進(jìn)行注入。 更詳細(xì)地說，通過第一注入開口 331、第三注入開口 333和第五注入開口 335注入源氣S，并通過第二注入開口 332、第四注入開口 334和第六注入開口 336注入反應(yīng)氣體。在通過第一注入開口 331、第三注入開口 333和第五注入開口 335注入源氣S的同時(shí)，不通過第二注入開口 332、第四注入開口 334和第六注入開口 336注入反應(yīng)氣體。在通過第一注入開口 331、第三注入開口 333和第五注入開口 335注入源氣S之后，通過第二注入開口 332、第四注入開口 334和第六注入開口 336注入反應(yīng)氣體。此外，可以通過第一注入開口 331、第三注入開口 333和第五注入開口 335順序地、并發(fā)地或同時(shí)地注入源氣S。同樣，可以通過第二注入開口 332、第四注入開口 334和第六注入開口 336順序地、并發(fā)地或同時(shí)地注入反應(yīng)氣體。然而，本發(fā)明不限于以上示例。即，可以通過注入單元330的相同注入開口注入源氣S和反應(yīng)氣體。例如，注入單元330可以僅包括第一注入開口 331、第三注入開口 333和第五注入開口 335，通過第一注入開口 331、第三注入開口 333和第五注入開口 335順序地注入源氣S，然后可以通過第一注入開口 331、第三注入開口 333和第五注入開口 335注入反應(yīng)氣體。雖然在附圖中未示出，但是第一注入開口 331至第六注入開口 336可以以規(guī)則的間隔彼此隔開。即，在注入源氣S之后，可以在通過使用驅(qū)動(dòng)單元351和352移動(dòng)基底301和引導(dǎo)構(gòu)件340之后注入反應(yīng)氣體?，F(xiàn)在將描述根據(jù)本實(shí)施例的氣相沉積裝置300的操作。將基底301安裝在架臺(tái)320的安裝表面321上。之后，通過注入單元330的第一注入開口 331注入源氣S。這里，朝基底301和引導(dǎo)構(gòu)件340之間的空間G注入源氣S。源氣S被吸附在基底301的上表面上。之后，通過排放開口 311執(zhí)行排放工藝，然后，在基底301的上表面上形成由源氣S形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。之后，通過注入單元330的第二注入開口 332注入反應(yīng)氣體。這里，朝基底301和引導(dǎo)構(gòu)件340之間的空間G注入反應(yīng)氣體。反應(yīng)氣體被吸附在基底301的上表面上。然后，通過排放開口 311執(zhí)行排放工藝，然后，在基底301的上表面上形成由反應(yīng)氣體形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。即，在基底301上形成氧原子的單個(gè)層或多個(gè)層。通過以上工藝，在基底301的上表面上形成由源氣S和反應(yīng)氣體形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。之后，通過使用第一驅(qū)動(dòng)單元351和第二驅(qū)動(dòng)單元352沿圖4中的X軸方向(即，由箭頭M指示的方向)移動(dòng)架臺(tái)320和引導(dǎo)構(gòu)件340。在移動(dòng)架臺(tái)320和引導(dǎo)構(gòu)件340之后，可以保持基底301和引導(dǎo)構(gòu)件340之間的空間G。通過注 入單元330的第三注入開口 333和第四注入開口 334朝基底301和引導(dǎo)構(gòu)件340之間的空間G注入源氣S和反應(yīng)氣體，從而在基底301上形成另外的薄膜，與通過使用第一注入開口 331和第二注入開口 332形成的薄膜類似。之后，通過使用第一驅(qū)動(dòng)單元351和第二驅(qū)動(dòng)單元352沿圖4中的X軸方向(即，由箭頭M指示的方向)移動(dòng)架臺(tái)320和引導(dǎo)構(gòu)件340。通過注入單元330的第五注入開口335和第六注入開口 336朝基底301和引導(dǎo)構(gòu)件340之間的空間G注入源氣S和反應(yīng)氣體，從而在基底301上形成另外的薄膜，與通過使用第一注入開口 331和第二注入開口 332形成的薄膜類似。通過以上工藝，可以在一個(gè)室310內(nèi)在基底301上容易地形成期望厚度的薄膜。根據(jù)本實(shí)施例，沿與基底301的上表面平行的方向從注入單元330注入氣體。具體地說，基底301沿與地面垂直的方向(即，重力作用的方向)設(shè)置。因此，當(dāng)氣體通過注入單元330注入并被吸附在基底301上時(shí)，可以減少基底301上的不必要地吸附的量。因此，在通過注入單元330的第一注入開口 331注入源氣S之后，在沒有使用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝。之后，通過第二注入開口 332注入反應(yīng)氣體，在沒有使用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝，然后，完成沉積工藝。此外，可以防止不必要的氣體組分的吸附，并且可以防止進(jìn)入形成在基底301上的薄膜中的吹掃氣體雜質(zhì)的混合物。因此，可以均勻地形成薄膜，并且該薄膜可以具有優(yōu)異的物理和化學(xué)特性。此外，根據(jù)本實(shí)施例，引導(dǎo)構(gòu)件340被設(shè)置為面向基底301。因此，引導(dǎo)構(gòu)件340可以阻擋雜質(zhì)。此外，通過注入單元330注入的源氣S沒有分散，并且在基底301和引導(dǎo)構(gòu)件340之間被有效地吸附在基底301上，由此提高了薄膜沉積效率。例如，當(dāng)通過第三注入開口 333注入源氣S時(shí)，在先前的工藝中通過第一注入開口 331和第二注入開口 332注入的源氣或反應(yīng)氣體中的在基底301上形成薄膜之后殘留的剩余雜質(zhì)氣體可能不會(huì)通過排放開口 311完全地排出。在這種情況下，通過使用經(jīng)由第三注入開口 333注入的源氣S形成薄膜的工藝受到雜質(zhì)氣體的影響，由此使得形成在基底301上的薄膜的特性劣化。然而，根據(jù)本實(shí)施例，在基底301和引導(dǎo)構(gòu)件340之間形成空間G，并通過第三注入開口 333朝該空間注入源氣S，從而引導(dǎo)構(gòu)件340可以防止或阻擋雜質(zhì)以遠(yuǎn)離基底301。此外，通過第三注入開口 333注入的源氣S沒有分散，并且在基底301和引導(dǎo)構(gòu)件340之間被有效地吸附在基底301上，由此提高了薄膜沉積效率。而且，本實(shí)施例的引導(dǎo)構(gòu)件340還包括具有凸起部分341和凹入部分342且面向基底301的不規(guī)則表面。更詳細(xì)地說，凸起部分341和凹入部分342沿重力作用的方向(即，縱向方向)伸長。凸起部分341和凹入部分342表現(xiàn)為從注入單元330注入的氣體可以在沒有分散的情況下朝基底301行進(jìn)的路徑。S卩，在圖5和圖6中，凸起部分341和凹入部分342使得注入的氣體在沒有沿Y軸方向過度分散的情況下沿Z軸方向直線地向下移動(dòng)，從而可以提聞注入的氣體和基底301之間的反應(yīng)效率。
因此，可以極大地提高用于形成期望厚度的薄膜的沉積工藝的效率，由此提高薄膜特性。此外，根據(jù)本實(shí)施例，在通過使用驅(qū)動(dòng)單元351和352移動(dòng)架臺(tái)320和引導(dǎo)構(gòu)件340的同時(shí)順序地執(zhí)行沉積工藝。因此，可以極大地減少用于形成期望厚度的薄膜所用的時(shí)間，并通過第一注入開口 331至第六注入開口 336順序地執(zhí)行沉積工藝來提高沉積工藝的便利性。圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的氣相沉積裝置400的示意性剖視圖，圖8是圖7中示出的引導(dǎo)構(gòu)件460的投影透視圖，圖9是沿圖8中的線IX-IX的截取的引導(dǎo)構(gòu)件的剖視圖。參照?qǐng)D7至圖9，氣相沉積裝置400包括室410、架臺(tái)420、注入單元430、引導(dǎo)構(gòu)件460和驅(qū)動(dòng)單元451。
室410包括位于其下部上的排放開口 411。排放開口 411是排放氣體的出口并可以連接到泵，從而充分地執(zhí)行排放。雖然在圖7至圖9中未示出，室410由泵控制，以保持適當(dāng)?shù)膲毫?例如，預(yù)定的壓力)。此外，用于加熱室410的內(nèi)部的加熱單元(未示出)可以設(shè)置在室410的內(nèi)部或外部上，以提高薄膜沉積工藝的效率。架臺(tái)420設(shè)置在室410內(nèi)。架臺(tái)420包括安裝表面421。安裝表面421與重力施加的方向平行地設(shè)置。即，安裝表面421與地面垂直地設(shè)置。為此，架臺(tái)420與地面垂直地設(shè)置?；?01設(shè)置在架臺(tái)420上。更詳細(xì)地說，基底401安裝在架臺(tái)420的安裝表面421 上。固定單元(未示出)可以設(shè)置在安裝表面421上，以使基底401在被安裝在安裝表面421上之后被固定。固定單元(未示出)可以是夾具、壓縮單元、粘附材料或其它合適的材料或裝置。引導(dǎo)構(gòu)件460被設(shè)置為面向基底401。引導(dǎo)構(gòu)件460可以結(jié)合到架臺(tái)420。S卩，引導(dǎo)構(gòu)件460的邊緣可以結(jié)合到架臺(tái)420。引導(dǎo)構(gòu)件460設(shè)置在基底401上。此外，引導(dǎo)構(gòu)件460具有等于或大于基底401的尺寸的尺寸，以對(duì)應(yīng)于基底401。引導(dǎo)構(gòu)件460包括從注入單元430注入的氣體可以經(jīng)過的通路461。通路461包括第一穿透部分(例如，通道)461a和第二穿透部分461c。更詳細(xì)地說，第一穿透部分461a形成在引導(dǎo)構(gòu)件460的上端上，第二穿透部分461c形成在引導(dǎo)構(gòu)件460的下端上。連接穿透部分461b形成在第一穿透部分461a和第二穿透部分461c之間。此外，引導(dǎo)構(gòu)件460包括形成為適當(dāng)?shù)男螤?例如，預(yù)定的形狀)的空間G?？臻gG可以是通過將引導(dǎo)構(gòu)件460的表面去除到適當(dāng)?shù)纳疃?例如，預(yù)定的深度)形成的槽。空間G具有與將形成在基底401上的薄膜的圖案對(duì)應(yīng)的形狀。此外，空間G接觸基底401的上表面。S卩，空間G形成在基底401和引導(dǎo)構(gòu)件460之間。通過通路461注入的氣體與空間G中的基底401反應(yīng)。具體地說，引導(dǎo)構(gòu)件460包括設(shè)置在空間G上的蓋462，從而不將空間G暴露到蓋462的外部。在圖8和圖9中，蓋462形成為引導(dǎo)構(gòu)件460的一部分；然而，本發(fā)明不限于此。即，蓋462可以與引導(dǎo)構(gòu)件460分開地形成。圖8示出了六個(gè)空間G ;然而，本發(fā)明不限于此。即，空間G的數(shù)量和形狀可以根據(jù)將要形成在基底401上的圖案的數(shù)量來確定。例如，引導(dǎo)構(gòu)件460可以被形成為具有一個(gè)空間G的開口掩模?？臻gG連接到通路461。因此，氣體通過注入單元430注入到空間G中，從而形成具有與空間G對(duì)應(yīng)的圖案的薄膜。第一穿透部分461a和第二穿透部分461c可以被形成為具有各種形狀。S卩，如圖8所示，第一穿透部分461a和第二穿透部分461c可以延長以對(duì)應(yīng)于空間G，或者可以包括多個(gè)穿透開口。在圖8中示出了以上兩種形狀；然而，本發(fā)明不限于此。即，第一穿透部分461a和第二穿透部分461c可以被形成為僅具有一種形狀。驅(qū)動(dòng)單元451連接到架臺(tái)420。驅(qū)動(dòng)單元451沿由在圖7中示出的箭頭M指示的 方向或與由箭頭M指示的方向相反的方向傳送架臺(tái)420。S卩，驅(qū)動(dòng)單元451沿圖7中的X軸方向傳送架臺(tái)420。因此，基底401可以沿與基底401的表面(即，其上將形成薄膜的表面)垂直的方向移動(dòng)。因此，引導(dǎo)構(gòu)件460和架臺(tái)420并發(fā)地或同時(shí)地移動(dòng)。注入單元430連接到室410。一種或多種氣體通過注入單元430朝基底401注入。更詳細(xì)地說，注入單元430包括第一注入開口 431、第二注入開口 432、第三注入開口 433、第四注入開口 434、第五注入開口 435和第六注入開口 436。此外，第一注入開口 431至第六注入開口 436沿基底401的移動(dòng)方向布置。S卩，第一注入開口 431至第六注入開口 436沿圖7中的X軸方向布置，從而彼此隔開。此外，第一注入開口 431至第六注入開口 436可以被形成為具有各種形狀，例如，可以被形成為與基底401的寬度對(duì)應(yīng)的點(diǎn)或線。即，在圖8中，第一注入開口 431被形成為線；然而，本發(fā)明不限于此，即，第一注入開口 431可以被形成為點(diǎn)。通過第一注入開口 431至第六注入開口 436將氣體與基底401的表面方向平行地注入到室410中。即，通過第一注入開口 431至第六注入開口 436將氣體與重力作用的方向平行地進(jìn)行注入。更詳細(xì)地說，通過第一注入開口 431、第三注入開口 433和第五注入開口 435注入源氣S，并通過第二注入開口 432、第四注入開口 434和第六注入開口 436注入反應(yīng)氣體。在通過第一注入開口 431、第三注入開口 433和第五注入開口 435注入源氣S的同時(shí)，不通過第二注入開口 432、第四注入開口 434和第六注入開口 436注入反應(yīng)氣體。在通過第一注入開口 431、第三注入開口 433和第五注入開口 435注入源氣S之后，通過第二注入開口 432、第四注入開口 434和第六注入開口 436注入反應(yīng)氣體。此外，可以通過第一注入開口 431、第三注入開口 433和第五注入開口 435順序地或同時(shí)地注入源氣S。同樣，可以通過第二注入開口 432、第四注入開口 434和第六注入開口 436順序地或同時(shí)地注入反應(yīng)氣體。然而，本發(fā)明不限于以上示例。即，可以通過注入單元430的相同注入開口注入源氣S和反應(yīng)氣體。例如，注入單元430可以包括第一注入開口 431、第三注入開口 433和第五注入開口 435，通過第一注入開口 431、第三注入開口 433和第五注入開口 435順序地注入源氣S，然后可以通過第一注入開口 431、第三注入開口 433和第五注入開口 435注入反應(yīng)氣體。雖然在附圖中未示出，但是第一注入開口 431至第六注入開口 436可以以規(guī)則的間隔彼此隔開。即，在注入源氣S之后，可以在通過使用驅(qū)動(dòng)單元451移動(dòng)基底401之后注入反應(yīng)氣體?，F(xiàn)在將描述根據(jù)本實(shí)施例的氣相沉積裝置400的操作。將基底401安裝在架臺(tái)420的安裝表面421上。將具有與將形成在基底401上的薄膜的圖案對(duì)應(yīng)的空間G的引導(dǎo)構(gòu)件460設(shè)置在基底401上。之后，通過注入單元430的第一注入開口 431注入源氣S。這里，朝基底401和引導(dǎo)構(gòu)件460之間的空間G注入源氣S。更詳細(xì)地說，源氣S通過第一穿透部分461a來注入，從而沿通路461行進(jìn)。源氣S被吸附在基底401的上表面上，具體地說，被吸附在與空間G對(duì)應(yīng)的部分 上。之后，通過排放開口 411執(zhí)行排放工藝，然后，在基底401的上表面上形成由源氣S形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。此外，通過注入單元430的第二注入開口 432注入反應(yīng)氣體。這里，朝基底401和引導(dǎo)構(gòu)件460之間的空間G注入反應(yīng)氣體。更詳細(xì)地說，反應(yīng)氣體通過第一穿透部分461a來注入，從而沿通路461行進(jìn)。反應(yīng)氣體被吸附在基底401的上表面上，具體地說，被吸附在與空間G對(duì)應(yīng)的部分上。然后，通過排放開口 411執(zhí)行排放工藝，然后，在基底401的上表面上形成由反應(yīng)氣體形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。通過以上工藝，在基底401的上表面上形成由源氣S和反應(yīng)氣體形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。之后，通過使用驅(qū)動(dòng)單元451沿圖7中的X軸方向(即，由箭頭M指示的方向)移動(dòng)架臺(tái)420和引導(dǎo)構(gòu)件460。在移動(dòng)架臺(tái)420和引導(dǎo)構(gòu)件460之后，可以保持基底401和引導(dǎo)構(gòu)件460之間的空間G。通過注入單元430的第三注入開口 433朝基底401和引導(dǎo)構(gòu)件460之間的空間G注入源氣S和反應(yīng)氣體。更詳細(xì)地說，源氣S通過第一穿透部分461a來注入，從而沿通路461行進(jìn)。源氣S被吸附在基底401的上表面上，具體地說，被吸附在與空間G對(duì)應(yīng)的部分上。之后，通過排放開口 411執(zhí)行排放工藝，然后，在基底401的上表面上形成由源氣S形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。之后，通過注入單元430的第四注入開口 434朝位于基底401和引導(dǎo)構(gòu)件460之間的空間G注入反應(yīng)氣體。更詳細(xì)地說，反應(yīng)氣體通過第一穿透部分461a來注入，從而沿通路461行進(jìn)。反應(yīng)氣體被吸附在基底401的上表面上，具體地說，被吸附在與空間G對(duì)應(yīng)的部分上。然后，通過排放開口 411執(zhí)行排放工藝，然后，在基底401的上表面上形成由反應(yīng)氣體形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。通過以上工藝，在通過第一注入開口 431和第二注入開口 432注入的氣體在基底401的上表面上形成的薄膜上另外地形成由源氣S和反應(yīng)氣體形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的原子層。之后，通過使用驅(qū)動(dòng)單元451沿圖7中的X軸方向(即，由箭頭M指示的方向)移動(dòng)架臺(tái)420和引導(dǎo)構(gòu)件460。通過注入單元430的第五注入開口 435和第六 注入開口 436朝基底401和引導(dǎo)構(gòu)件460之間的空間G注入源氣S和反應(yīng)氣體，從而在基底401上形成另外的薄膜，與通過使用第一注入開口 431和第二注入開口 432形成的薄膜類似。通過以上工藝，可以在一個(gè)室410中在基底401上容易地形成期望厚度的薄膜。即，可以根據(jù)薄膜的期望厚度來控制架臺(tái)420和引導(dǎo)構(gòu)件460的移動(dòng)距離。根據(jù)本實(shí)施例，沿與基底401的上表面平行的方向從注入單元430注入氣體。具體地說，基底401沿與地面垂直的方向(即，重力作用的方向)設(shè)置。因此，當(dāng)氣體通過注入單元430注入并吸附在基底401上時(shí)，可以減少基底401上的不必要地吸附的量。因此，在通過注入單元430的第一注入開口 431注入源氣S之后，在沒有使用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝。之后，通過第二注入開口 432注入反應(yīng)氣體，在沒有使用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝，然后，完成沉積工藝。具體地說，根據(jù)本實(shí)施例，引導(dǎo)構(gòu)件460被設(shè)置為面向基底401。因此，引導(dǎo)構(gòu)件460可以阻擋雜質(zhì)。此外，通過注入單元430注入的源氣S沒有分散，并且在基底401和引導(dǎo)構(gòu)件460之間被有效地吸附在基底401上，由此提高了薄膜沉積效率。此外，從注入單元430注入的氣體穿過引導(dǎo)構(gòu)件460中的通路461的第一穿透部分461a，并且氣體與連接到通路461的空間G中的基底401反應(yīng)。然后，通過第二穿透部分461c將氣體從引導(dǎo)構(gòu)件460排出，之后，通過排放開口 411排放氣體，由此防止雜質(zhì)干擾薄膜沉積工藝。此外，將具有與薄膜的期望圖案對(duì)應(yīng)的空間G的引導(dǎo)構(gòu)件460設(shè)置在基底401上，因此，可以容易地形成期望的圖案。因此，可以極大地提高用于形成期望圖案的薄膜的薄膜沉積工藝的效率。此外，可以減少或防止不必要的氣體組分的吸附，并且可以減少或防止進(jìn)入形成在基底401上的薄膜中的吹掃氣體雜質(zhì)的混合物。因此，可以均勻地形成薄膜，并該薄膜具有優(yōu)異的物理和化學(xué)特性。此外，根據(jù)本實(shí)施例，在通過使用驅(qū)動(dòng)單元451移動(dòng)架臺(tái)420和引導(dǎo)構(gòu)件460的同時(shí)順序執(zhí)行沉積工藝。因此，可以極大地減少用于形成期望厚度的薄膜所用的時(shí)間，并提高沉積工藝的便利性。圖10是通過根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置制造方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的示意性剖視圖。更詳細(xì)地說，通過使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的氣相沉積裝置100、200,300或400來制造圖10中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置10。參照?qǐng)D10，有機(jī)發(fā)光顯示裝置10形成在基底30上?；?0可以由玻璃材料、塑料材料或金屬材料形成。緩沖層31形成在基底30上，其中，緩沖層31在基底30的上部上形成平坦表面并包括用于防止?jié)駳夂碗s質(zhì)滲透到基底30中的絕緣材料。薄膜晶體管(TFT) 40、電容器50和有機(jī)發(fā)光器件60形成在緩沖層31上。TFT 40包括有源層41、柵電極42和源/漏電極43。有機(jī)發(fā)光器件60包括第一電極61、第二電極62和中間層63。更詳細(xì)地說，具有適當(dāng)?shù)膱D案(例如，預(yù)定的圖案)的有源層41形成在緩沖層31上。有源層41可以是P型或η型半導(dǎo)體。柵極絕緣層32形成在有源層41上。柵電極42形成在柵極絕緣層32上，以對(duì)應(yīng)于有源層41。層間電介質(zhì)33被形成為覆蓋柵電極42。源/漏電極43形成在層間電介質(zhì)33上，以接觸有源層41的適當(dāng)?shù)膮^(qū)域(例如，預(yù)定的區(qū)域)。鈍化層34被形成為覆蓋源/漏電極43，絕緣層可以另外地形成在鈍化層34上，以將鈍化層34平坦化。第一電極61形成在鈍化層34上。第一電極61電連接到漏電極43。此外，像素限定層35被形成為覆蓋第一電極61。設(shè)定的或預(yù)定的開口 64形成在像素限定層35中，包括有機(jī)發(fā)射層的中間層63形成在由開口 64限定的部分上。第二電極62形成在中間層63上。
封裝層70形成在第二電極62上。封裝層70可以包括有機(jī)材料或無機(jī)材料，或可以包括交替地堆疊的有機(jī)材料和無機(jī)材料?？梢酝ㄟ^使用氣相沉積裝置100、200、300或400形成封裝層70。即，將其上形成有第二電極62的基底30傳送到室，并執(zhí)行氣相沉積工藝，以形成封裝層70。然而，本發(fā)明不限于此。即，可以通過使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的氣相沉積裝置形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的其它絕緣層，例如緩沖層31、柵極絕緣層32、層間電介質(zhì)33、鈍化層34和像素限定層35。另外，可以通過使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的氣相沉積裝置形成各種導(dǎo)電薄膜，例如有源層41、柵電極42、源/漏電極43、第一電極61、中間層63和第二電極62。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法、氣相沉積方法和氣相沉積裝置，可以有效地執(zhí)行沉積工藝，并可以提高所形成的薄膜的特性。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體地示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解到，在不脫離如由權(quán)利要求及其等價(jià)物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在這里做出形式和細(xì)節(jié)方面的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種用于在基底上形成薄膜的氣相沉積裝置，所述裝置包括 室，具有排放開口 ； 架臺(tái)，在所述室內(nèi)，并包括安裝表面，所述安裝表面被構(gòu)造為用于使所述基底安裝在其上； 注入單元，具有至少一個(gè)注入開口，所述至少一個(gè)注入開口用于將氣體沿與所述基底的其上將形成所述薄膜的表面平行的方向注入到所述室內(nèi)； 引導(dǎo)構(gòu)件，面向所述基底，以在所述基底和所述引導(dǎo)構(gòu)件之間提供空間； 驅(qū)動(dòng)單元，用于傳送所述架臺(tái)和所述引導(dǎo)構(gòu)件。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中，所述引導(dǎo)構(gòu)件與所述基底平行地設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中，所述引導(dǎo)構(gòu)件在尺寸上等于或大于所述基底的尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中，所述引導(dǎo)構(gòu)件具有包括多個(gè)凸起部分和多個(gè)凹入部分并面向所述基底的不規(guī)則表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，凸起部分和凹入部分沿重力作用的方向延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中，設(shè)置在所述引導(dǎo)構(gòu)件和所述基底之間的所述空間具有與將形成在所述基底上的所述薄膜的圖案對(duì)應(yīng)的形狀，所述引導(dǎo)構(gòu)件包括通往所述空間的通路，從所述注入單元注入的所述氣體穿過所述通路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述通路至少包括形成在所述引導(dǎo)構(gòu)件的上端上的第一穿透部分和形成在所述引導(dǎo)構(gòu)件的下端上的第二穿透部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中，所述第一穿透部分或所述第二穿透部分延長以對(duì)應(yīng)于所述空間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中，所述第一穿透部分或所述第二穿透部分包括與所述空間對(duì)應(yīng)的多個(gè)穿透開口。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述空間在形狀上對(duì)應(yīng)于形成在所述引導(dǎo)構(gòu)件的面向所述基底的表面中的槽。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述引導(dǎo)構(gòu)件包括覆蓋所述空間的蓋。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中，所述驅(qū)動(dòng)單元被構(gòu)造為在所述基底安裝在所述架臺(tái)的狀態(tài)下沿與所述基底的其上將形成所述薄膜的表面垂直的方向傳送所述架臺(tái)和所述引導(dǎo)構(gòu)件。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中，所述驅(qū)動(dòng)單元被構(gòu)造為往復(fù)地移動(dòng)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述驅(qū)動(dòng)單元被構(gòu)造為同時(shí)傳送所述架臺(tái)和所述引導(dǎo)構(gòu)件。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述驅(qū)動(dòng)單元包括用于移動(dòng)所述架臺(tái)的第一驅(qū)動(dòng)單元和用于移動(dòng)所述引導(dǎo)構(gòu)件的第二驅(qū)動(dòng)單元。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中，所述安裝表面沿與重力作用的方向平行地設(shè)置。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中，所述注入單元設(shè)置在所述架臺(tái)上方。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中，所述排放開口連接到泵。
19.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中，通過注入開口順序地注入源氣和反應(yīng)氣體。
20.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中，所述注入單元包括源氣和反應(yīng)氣體獨(dú)立地注入所通過的多個(gè)注入開口。
21.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中，與所述基底相比，所述排放開口更靠近地面。
22.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，所述裝置還包括具有用于在所述基底上以期望的圖案形成所述薄膜的掩模開口的掩模， 其中，所述掩模設(shè)置在所述基底上。
23.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其中，所述注入單元包括多個(gè)注入開口，所述多個(gè)注入開口沿與所述基底的其上將形成所述薄膜的表面垂直的方向布置并且彼此隔開，從而對(duì)所述基底多次執(zhí)行沉積工藝。
24.一種用于在基底上形成薄膜的氣相沉積方法，所述方法包括 將所述基底安裝在室內(nèi)的架臺(tái)的安裝表面上； 通過注入單元沿與所述基底的其上將形成薄膜的表面平行的方向朝所述基底和與所述基底平行地設(shè)置的弓I導(dǎo)構(gòu)件之間的空間注入源氣； 通過所述室的排放開口執(zhí)行排放； 通過所述注入單元沿與所述基底的所述表面平行的方向?qū)⒎磻?yīng)氣體注入到所述室中； 通過所述室的所述排放開口執(zhí)行排放。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，通過泵執(zhí)行所述排放。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述注入單元具有注入開口，所述源氣和所述反應(yīng)氣體通過所述注入開口順序地注入。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述注入單元具有多個(gè)注入開口，所述源氣和所述反應(yīng)氣體通過不同的注入開口分別注入。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，安裝基底的步驟包括將具有用于形成期望圖案的薄膜的開口的掩模放置在所述基底上。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，在所述基底安裝在所述室中的所述架臺(tái)上的狀態(tài)下，在沿與所述基底的其上將形成所述薄膜的表面垂直的方向移動(dòng)所述基底的同時(shí)執(zhí)行薄膜沉積。
30.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括位于基底上的多個(gè)薄膜，所述多個(gè)薄膜至少包括第一電極、中間層和第二電極，所述中間層包括有機(jī)發(fā)射層，所述方法包括 將所述基底安裝在室內(nèi)的架臺(tái)的安裝表面上； 通過注入單元沿與所述基底的其上將形成所述薄膜的表面平行的方向朝面向所述基底的引導(dǎo)構(gòu)件和所述基底之間的空間注入源氣； 通過所述室的排放開口執(zhí)行排放； 通過所述注入單元沿與所述基底的所述表面平行的方向?qū)⒎磻?yīng)氣體注入到所述室內(nèi)； 通過所述室的所述排放開口執(zhí)行排放。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，形成薄膜的步驟包括在所述第二電極上形成封裝層。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，形成薄膜的步驟包括形成絕緣層。
33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，形成薄膜的步驟包括形成導(dǎo)電層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種能夠執(zhí)行薄膜沉積工藝并提高所形成的薄膜的特性的氣相沉積裝置、一種氣相沉積方法和一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述氣相沉積裝置包括室，具有排放開口；架臺(tái)，設(shè)置在所述室內(nèi)，并包括安裝表面，所述基底可以安裝在所述安裝表面上；注入單元，具有至少一個(gè)注入開口，所述至少一個(gè)注入開口用于將氣體沿與所述基底的其上將形成所述薄膜的表面平行的方向注入到所述室內(nèi)；引導(dǎo)構(gòu)件，面向所述基底，以在所述基底和所述引導(dǎo)構(gòu)件之間提供設(shè)定的或預(yù)定的空間；驅(qū)動(dòng)單元，用于傳送所述架臺(tái)和所述引導(dǎo)構(gòu)件。
文檔編號(hào)H05B33/10GK102877039SQ201210102038
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月13日
發(fā)明者徐祥準(zhǔn), 宋昇勇, 金勝勛, 金鎮(zhèn)壙 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司