專利名稱：封裝基板的制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝基板的制法，尤指一種利于產(chǎn)品薄化的封裝基板的制法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢(shì)。為了滿足半導(dǎo)體封裝件微型化(miniaturization)的封裝需求，朝著降低承載芯片的封裝基板的厚度發(fā)展。目前用于承載芯片的封裝基板可分為硬質(zhì)材與軟質(zhì)材，一般用于球柵陣列封裝(Ball Grid Array, BGA)的封裝基板是選擇硬質(zhì)材。請(qǐng)參閱圖1A至圖1C，其為現(xiàn)有雙層線路的封裝基板I的制法的剖面示意圖。如圖1A所示，首先，提供兩芯層10，各該芯層10具有相對(duì)的第一表面IOa與第二表面IOb,且該芯層10的第一與第二表面10a, IOb上分別具有一第一金屬層Ila與一第二金屬層11b，又該芯層10具有連通該第一及第二表面10a，IOb的多個(gè)貫穿孔100。如圖1B所示，進(jìn)行圖案化工藝，以借由該第一與第二金屬層11a，Ilb(利用導(dǎo)電層12進(jìn)行電鍍金屬)，于該芯層10的第一及第二表面10a, IOb上分別形成一第一及第二線路層13a，13b，且于該些貫穿孔100中形成導(dǎo)電通孔14以電性連接該第一及第二線路層13a，13b，又該第一及第二線路層13a，13b分別具有多個(gè)第一及第二電性接觸墊130a，130b。如圖1C所不，于該芯層10的第一及第二表面10a, IOb上分別形成一第一及第二絕緣保護(hù)層15a，15b，且該第一及第二絕緣保護(hù)層15a，15b分別具有多個(gè)第一及第二開(kāi)孔150a，150b,以令該些第一及第二電性接觸墊130a，130b對(duì)應(yīng)外露出各該第一及第二開(kāi)孔150a，150b。接著，于該些第一及第二電性接觸墊130a，130b的外露表面上分別形成一第一及第二表面處理層16a, 16b。于后續(xù)工藝中，通過(guò)于該第二絕緣保護(hù)層15b上承載芯片并進(jìn)行封裝工藝，以制成封裝結(jié)構(gòu)。為了符合微小化與可靠度的需求，于目前工藝技術(shù)中，該芯層10的厚度S可縮小至60 μ m。然而，隨著微小化的需求增加，厚度S為60 μ m的芯層10已無(wú)法滿足現(xiàn)今對(duì)封裝件微小化的需求，但若使該芯層10的厚度S小于60 μ m,則該封裝基板I的厚度R將小于150 μ m，導(dǎo)致該封裝基板I于運(yùn)送時(shí)或封裝時(shí)將因太薄而容易破裂，導(dǎo)致無(wú)法使用或產(chǎn)品不良。因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法同時(shí)滿足產(chǎn)品微小化與可靠度的需求的技術(shù)瓶頸，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明的主要目的在于提供一種封裝基板的制法，以避免于運(yùn)送時(shí)或封裝時(shí)因太薄而破裂。本發(fā)明所提供的封裝基板的制法包括:提供兩芯層，各該芯層具有相對(duì)的第一與第二表面；借由連接件連接該兩芯層的第二表面；于各該第一表面上形成第一線路層；于各該第一表面與第一線路層上形成第一絕緣保護(hù)層，且外露該第一線路層的部分表面；于各該第一絕緣保護(hù)層上借由粘著層結(jié)合一承載件；移除該連接件，以分離出兩基板本體；形成貫穿該芯層的貫穿孔，以令該第一線路層外露于該貫穿孔；形成第二線路層于該第二表面上，且于該貫穿孔中形成導(dǎo)電通孔以電性連接該第一及第二線路層；于該第二表面與第二線路層上形成第二絕緣保護(hù)層，且外露該第二線路層的部分表面。依上述制法，可于制作該第二線路層的前，先將該兩基板本體的承載件借由結(jié)合件相迭接。前述的制法中，制成該粘著層的材質(zhì)可為強(qiáng)力膠或離型劑，且制成該承載件的材質(zhì)可為耐高溫材。前述的制法中，各該芯層的第一與第二表面上可具有金屬層，以借該金屬層分別形成該第一及第二線路層。另外，前述的制法可包括形成表面處理層于該第一及第二線路層的外露表面上。由上可知，本發(fā)明的封裝基板的制法，借由在該封裝基板的第一絕緣保護(hù)層上結(jié)合承載件，以避免于運(yùn)送時(shí)或封裝時(shí)因太薄而破裂。此外，于 封裝后再移除該承載件，此時(shí)的封裝基板的厚度小于150μπι，所以相比于現(xiàn)有技術(shù)，可降低封裝結(jié)構(gòu)的整體厚度。因此，借由本發(fā)明的封裝基板的制法可同時(shí)滿足產(chǎn)品微小化與可靠度的需求。


圖1A至圖1C為現(xiàn)有雙層線路的封裝基板的制法的剖視示意圖；圖2Α至圖2J為本發(fā)明封裝基板的制法的剖視示意圖；圖2F’為圖2F的另一實(shí)施例；以及圖3Α至圖3C為本發(fā)明封裝基板的制法的另一實(shí)施例的剖視示意圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明1,2封裝基板10,20 芯層10a, 20a 第一表面10b, 20b 第二表面100,200 貫穿孔11a, 21a 第一金屬層lib,21b 第二金屬層12導(dǎo)電層13a，23a 第一線路層13b, 23b 第二線路層130a, 230a第一電性接觸墊130b, 230b第二電性接觸墊14，24 導(dǎo)電通孔15a, 25a 第一絕緣保護(hù)層15b, 25b 第二絕緣保護(hù)層150a, 250a 第一開(kāi)孔
150b, 250b第二開(kāi)孔16a, 26a第一表面處理層16b，26b第二表面處理層2a基板本體22連接件27承載件270粘著層28，28’結(jié)合件h所剩厚度L, d, S，R 厚度。
具體實(shí)施例方式以下借由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。須知，本說(shuō)明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書中所引用的如“一”、“兩”、“上”等的用語(yǔ)，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。請(qǐng)參閱圖2A至圖21，其為本發(fā)明封裝基板2的制法的剖視示意圖。如圖2A所不,首先,提供兩芯層20,各該芯層20具有相對(duì)的第一表面20a與第二表面20b,且各該芯層20的第一與第二表面20a, 20b上分別具有第一金屬層21a與第二金屬層21b。接著，以多個(gè)連接件22結(jié)合各該芯層20的第二表面上的第二金屬層21b，以借該連接件22堆棧兩芯層20。所述的芯層20可為例如雙馬來(lái)酰亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine,BT)的有機(jī)聚合材料，也可為如預(yù)浸材(prepreg)的介電材，且該芯層20的厚度S小于60 μ m(如30 μ m)，而該第一與第二金屬層21a，21b為銅，又該連接件22可為膠塊(如圖所示)或膠層。本發(fā)明的芯層20的厚度S雖小于60 μ m,但借由堆棧兩芯層20，以于制作該封裝基板2時(shí)增加整體厚度，可使用原先封裝基板工藝所用的設(shè)備，因而可降低制作成本。如圖2B所示，進(jìn)行圖案化工藝，以借由該第一金屬層21a，于該芯層20的第一表面20a上形成第一線路層23a，且該第一線路層23a具有多個(gè)第一電性接觸墊230a。有關(guān)線路工藝種類繁多，并無(wú)特別限制，且其非本發(fā)明的技術(shù)特征，所以不詳述，特此述明。如圖2C所不，于各該芯層20的第一表面20a與第一線路層23a上形成第一絕緣保護(hù)層25a，且各該第一絕緣保護(hù)層25a具有多個(gè)第一開(kāi)孔250a，以令該些第一電性接觸墊230a對(duì)應(yīng)外露各該第一開(kāi)孔250a。于其它實(shí)施例中，也可借由降低該第一絕緣保護(hù)層25a的表面高度，使該第一電性接觸墊230a的高度高于或齊平該第一絕緣保護(hù)層25a的表面高度，以外露出該些第一電性接觸墊230a。接著，于該些第一開(kāi)孔250a中的第一電性接觸墊230a上形成第一表面處理層26a。如圖2D所示，于各該第一絕緣保護(hù)層25a上借由粘著層270結(jié)合一承載件27，以覆蓋該第一電性接觸墊230a上的第一表面處理層26a。于本實(shí)施例中，該粘著層270的材質(zhì)例如:強(qiáng)力膠、離型劑等，而該承載件27的材質(zhì)為耐高溫材，例如銅箔基板(Copper cladlaminate, CCL)。如圖2E所示，移除該些連接件22，以分離并形成兩各為該芯層20、第一線路層23a、第一絕緣保護(hù)層25a及承載件27所構(gòu)成的基板本體2a。如圖2F或圖2F’所示，以結(jié)合件28，28’連結(jié)該兩基板本體2a的承載件27，以外露出該第二金屬層21b。于本實(shí)施例中，該結(jié)合件28，28’為粘著凸塊(如圖2F’所示)或膠層(如圖2F所示)。如圖2G所示，接續(xù)圖2F工藝，于各該第二金屬層21b上形成貫穿該芯層20的第二表面20b的貫穿孔200，以令該第一線路層23a外露于該貫穿孔200。如圖2H所示，將各該第二金屬層21b形成第二線路層23b，且于各該貫穿孔200中形成導(dǎo)電通孔24以電性連接該第一及第二線路層23a，23b，又各該第二線路層23b具有多個(gè)第二電性接觸墊230b。 如圖21所示，于各該芯層20的第二表面20b與第二線路層23b上形成第二絕緣保護(hù)層25b，且該第二絕緣保護(hù)層25b具有多個(gè)第二開(kāi)孔250b，以令該些第二電性接觸墊230b對(duì)應(yīng)外露于該第二開(kāi)孔250b,以形成兩各由該芯層20、第一與第二線路層23a, 23b、第一與第二絕緣保護(hù)層25a，25b及承載件27所構(gòu)成的封裝基板2。接著，于該些第二電性接觸墊230b的外露表面上形成第二表面處理層26b。于其它實(shí)施例中，也可借由降低該第二絕緣保護(hù)層25b的表面高度，使該第二電性接觸墊230b的高度高于或齊平該第二絕緣保護(hù)層25b的表面高度，以外露該些第二電性接觸墊230b。如圖2J所示，移除該結(jié)合件28，以分離該兩封裝基板2，且該封裝基板2的厚度L減去該承載件27 (該粘著層270極薄，可忽略)的厚度d的所剩厚度h小于150 μ m。另外，有關(guān)該承載件27的厚度d可依需求作變化，并無(wú)特別限制。請(qǐng)參閱圖3A至圖3C，其為本發(fā)明封裝基板2的制法的另一實(shí)施例的剖視示意圖。如圖3A所示，其為圖2E的工藝，移除該些連接件22，以分離出兩各為該芯層20、第一線路層23a、第一絕緣保護(hù)層25a及承載件27所構(gòu)成的基板本體2a。如圖3B所示，不堆棧兩基板本體2a，直接于該第二金屬層21b上形成該貫穿孔200，再將該第二金屬層21b形成具有多個(gè)第二電性接觸墊230b的第二線路層23b，且形成該導(dǎo)電通孔24。如圖3C所示，于該芯層20的第二表面20b與第二線路層23b上形成第二絕緣保護(hù)層25b，且該第二絕緣保護(hù)層25b具有多個(gè)第二開(kāi)孔250b，以對(duì)應(yīng)外露該些第二電性接觸墊230b，以形成該封裝基板2。接著，于該些第二電性接觸墊230b的外露表面上形成第二表面處理層26b，且該封裝基板2的厚度L減去該承載件27 (該粘著層270極薄，可忽略)的厚度d的所剩厚度h 小于 150 μ m0一般欲制作厚度小于150 μ m的基板結(jié)構(gòu)時(shí)，需重新配置新工藝設(shè)備，因而增加制作成本。本發(fā)明的封裝基板2的所剩厚度h雖小于150 μ m，但借由該承載件27的厚度d，以于制作該封裝基板2時(shí)，其整體厚度L可大于或等于150 μ m，所以可使用原先封裝基板工藝所用的設(shè)備，因而不會(huì)增加制作成本。 此外，本發(fā)明的封裝基板2于后續(xù)工藝中，通過(guò)于該第二絕緣保護(hù)層25b上承載芯片(圖略)并進(jìn)行封裝工藝，再移除該承載件27，以制成封裝結(jié)構(gòu)。因此，借由該封裝基板2的厚度L減去該承載件27的厚度d的所剩厚度h小于150 μ m,以降低封裝結(jié)構(gòu)的整體厚度，所以相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明可依需求使該封裝基板2移除該承載件27后的厚度h小于150 μ m,以滿足微小化的需求。再者，于封裝工藝的前后，該封裝基板2具有該承載件27，以提升整體封裝基板2的強(qiáng)度，所以相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明封裝基板2于運(yùn)送時(shí)或封裝時(shí)不會(huì)破裂。另外，借由堆棧方式，例如:堆棧兩芯層20或堆棧兩基板本體2a，可同時(shí)制作兩批板量，以提升產(chǎn)能。綜上所述，本發(fā)明的封裝基板的制法，主要借由在該封裝基板的第一絕緣保護(hù)層上結(jié)合承載件，以提升整體封裝基板的強(qiáng)度，有效防止于運(yùn)送時(shí)或封裝時(shí)破裂的問(wèn)題。此外，于封裝后再移除該承載件，此時(shí)的封裝基板的厚度小于150 μ m，所以可降低封裝結(jié)構(gòu)的整體厚度，以同時(shí)滿足產(chǎn)品微小化與可靠度的需求。上述實(shí)施例僅用以例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求
1.一種封裝基板的制法，其包括: 提供兩芯層，各該芯層具有相對(duì)的第一表面與第二表面； 以連接件連接該兩芯層的第二表面，以借該連接件連接該兩芯層； 于各該芯層的第一表面上形成第一線路層； 于各該芯層的第一表面與第一線路層上形成第一絕緣保護(hù)層，且令部分的該第一線路層外露于該第一絕緣保護(hù)層； 于各該第一絕緣保護(hù)層上借由粘著層結(jié)合一承載件； 移除該連接件，以分離并形成兩各為該芯層、第一線路層、第一絕緣保護(hù)層及承載件所構(gòu)成的基板本體； 以結(jié)合件連結(jié)該兩基板本體的承載件，以借由該結(jié)合件結(jié)合該兩基板本體，以外露出各該芯層的第二表面； 于各該芯層的第二表面上形成多個(gè)貫穿各該芯層的貫穿孔，以令該第一線路層外露于該貫穿孔； 形成第二線路層于各該芯層的第二表面上，且于該貫穿孔中形成導(dǎo)電通孔以電性連接該第一及第二線路層； 于各該芯層的第二表面與第二線路層上形成第二絕緣保護(hù)層，并令部分的該第二線路層外露于該第二絕緣保護(hù)層；以及 移除該結(jié)合件，以分離并形成二各由該芯層、第一與第二線路層、第一與第二絕緣保護(hù)層及承載件所構(gòu)成的封裝基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，該結(jié)合件為粘著凸塊或膠層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，制成該粘著層的材質(zhì)為強(qiáng)力膠或離型劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，制成該承載件的材質(zhì)為耐高溫材。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，各該芯層的第一與第二表面上分別具有第一金屬層與第二金屬層，以借該第一及第二金屬層分別形成該第一及第二線路層，且該第一及第二線路層分別具有第一及第二電性接觸墊。
6.一種封裝基板的制法，其包括: 提供兩芯層，各該芯層具有相對(duì)的第一表面與第二表面； 以連接件連接該兩芯層的第二表面，以借該連接件連接該兩芯層； 于各該芯層的第一表面上形成第一線路層； 于各該芯層的第一表面與第一線路層上形成第一絕緣保護(hù)層，且令部分的該第一線路層外露于該第一絕緣保護(hù)層； 于各該第一絕緣保護(hù)層上借由粘著層結(jié)合一承載件； 移除該連接件，以分離并形成兩各為該芯層、第一線路層、第一絕緣保護(hù)層及承載件所構(gòu)成的基板本體； 于該芯層的第二表面上形成多個(gè)貫穿該芯層的貫穿孔，以令該第一線路層外露于該貫穿孔； 形成第二線路層于該芯層的第二表面上，且于該貫穿孔中形成導(dǎo)電通孔以電性連接該第一及第二線路層；以及 于該芯層的第二表面與第二線路層上形成第二絕緣保護(hù)層，并令部分的該第二線路層外露于該第二絕緣保護(hù)層，以形成由該芯層、第一與第二線路層、第一與第二絕緣保護(hù)層及承載件所構(gòu)成的兩封裝基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝基板的制法，其特征在于，制成該粘著層的材質(zhì)為強(qiáng)力膠或離型劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝基板的制法，其特征在于，制成該承載件的材質(zhì)為耐高溫材。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝基板的制法，其特征在于，各該芯層的第一與第二表面上分別具有第一金屬層與第二金屬層，以借該第一及第二金屬層分別形成該第一及第二線路層，且該第一及第二線路層分別具有第一及第二電性接觸墊。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括形成表面處理層于該第一及第二線路層的外露于該第一及第二絕緣保護(hù)層的表面上。
全文摘要
一種封裝基板的制法，通過(guò)于芯層的其中一表面上的絕緣保護(hù)層上形成承載件。借由在該封裝基板一側(cè)上結(jié)合承載件，以避免于運(yùn)送時(shí)或封裝時(shí)因太薄而破裂。
文檔編號(hào)H05K3/46GK103208429SQ20121000872
公開(kāi)日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月12日
發(fā)明者顏立盛, 王道子 申請(qǐng)人:聯(lián)致科技股份有限公司