專利名稱:一種電路板的制作方法、電路板和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種電路板的制作方法、電路板和電子設(shè)備。
背景技術(shù):
由于電子元器件、晶體管的尺寸越來(lái)越小,使得模組、模塊、芯片的尺寸也隨之越來(lái)越小。在很多封裝形式中,高集成度的模組、模塊、芯片中往往集成了基帶電路、射頻電路、天線等部分。為了保證數(shù)字信號(hào)與射頻信號(hào)、天線之間彼此不受到干擾,需要對(duì)各個(gè)功能模塊進(jìn)行分腔屏蔽處理。如圖Ia-Id所示,現(xiàn)有技術(shù)中,采用比如激光切割與金屬噴涂的方式進(jìn)行分腔屏蔽的加工流程如下a)采用比如SMT(Surface Mounted Technology,表面組裝技術(shù))將器件11、器件 12固定(比如焊接)在PCB (Printed Circuit Board,印制電路板)的基板13上,然后對(duì)器件使用塑封材質(zhì)15進(jìn)行塑封。b)采用比如激光對(duì)需要分腔的部分進(jìn)行激光切割,切割到PCB的基板13表面,切割高度為H。c)使用導(dǎo)電材質(zhì)14對(duì)塑封材質(zhì)15表面與切割的縫隙進(jìn)行噴涂、填充處理,以達(dá)到分腔屏蔽的目的。d)在導(dǎo)電材質(zhì)14外側(cè)表面再覆蓋絕緣材質(zhì)16進(jìn)行絕緣化處理?,F(xiàn)有技術(shù)的方案由于需要激光切割分腔,激光需要切割的H過(guò)高,導(dǎo)致激光頭磨損嚴(yán)重,加工成本過(guò)高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電路板的制作方法、電路板和電子設(shè)備,可以減小切割塑封材質(zhì)的高度。一方面,提供了一種電路板的制作方法,所述方法包括將至少兩個(gè)功能模塊和屏蔽框分別固定在電路板上,其中,所述屏蔽框位于所述至少兩個(gè)功能模塊之間;使用塑封材質(zhì)對(duì)所述至少兩個(gè)功能模塊和所述屏蔽框進(jìn)行塑封,包覆所述至少兩個(gè)功能模塊和所述屏蔽框;對(duì)所述屏蔽框上方對(duì)應(yīng)的塑封材質(zhì)部分進(jìn)行切割,切割至所述屏蔽框的表面;在所述塑封材質(zhì)未切割部分的外側(cè)和所述屏蔽框上方覆蓋導(dǎo)電材質(zhì),并在所述導(dǎo)電材質(zhì)外側(cè)表面覆蓋絕緣材質(zhì)。另一方面,提供了一種使用上述方法制作的電路板,所述電路板包括基板、至少兩個(gè)功能模塊、以及屏蔽框,其中,所述至少兩個(gè)功能模塊以及屏蔽框被固定至所述基板上,所述屏蔽框位于所述至少兩個(gè)功能模塊之間,所述屏蔽框的側(cè)部和所述至少兩個(gè)功能模塊被塑封材質(zhì)包覆,所述屏蔽框上方和所述塑封材質(zhì)外側(cè)覆蓋有導(dǎo)電材質(zhì),所述導(dǎo)電材質(zhì)外側(cè)表面覆蓋有絕緣材質(zhì)。另一方面,還提供了一種電子設(shè)備,包括如上所述的電路板。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中將至少兩個(gè)功能模塊和屏蔽框分別固定在電路板上,所述屏蔽框位于所述至少兩個(gè)功能模塊之間;使用塑封材質(zhì)對(duì)所述至少兩個(gè)功能模塊和所述屏蔽框進(jìn)行塑封,包覆所述至少兩個(gè)功能模塊和所述屏蔽框;對(duì)所述屏蔽框上方對(duì)應(yīng)的塑封材質(zhì)進(jìn)行切割,切割至所述屏蔽框的表面;在所述塑封材質(zhì)未切割部分的外側(cè)和所述屏蔽框上方覆蓋導(dǎo)電材質(zhì),并在所述導(dǎo)電材質(zhì)外側(cè)表面覆蓋絕緣材質(zhì)。這樣在分腔部分使用屏蔽框,切割高度由原來(lái)需要直接切割到PCB表面,改為直接切割到屏蔽框表面, 切割高度減小。
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖Ia-Id是現(xiàn)有技術(shù)中的一種電路板的制作流程圖;圖2是本發(fā)明實(shí)施例1中提供的一種電路板的制作的方法的流程圖;圖3a_3d是本發(fā)明實(shí)施例1中提供的一種電路板的制作流程對(duì)應(yīng)的的產(chǎn)品示意圖;圖4是本發(fā)明實(shí)施例2中提供的一種電路板的制作方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例1參見(jiàn)圖2以及圖3a_3d,本實(shí)施例提供了一種電路板的制作方法,包括步驟101、將至少兩個(gè)功能模塊和屏蔽框分別固定在電路板的基板上,其中,所述屏蔽框位于所述至少兩個(gè)功能模塊之間。以兩個(gè)功能模塊為例,參見(jiàn)圖3a所示,功能模塊21、功能模塊22和屏蔽框23固定在電路板的基板M上,屏蔽框23位于功能模塊21和22之間。步驟102、使用塑封材質(zhì)對(duì)所述至少兩個(gè)功能模塊和所述屏蔽框進(jìn)行塑封,包覆所述至少兩個(gè)功能模塊和所述屏蔽框。參見(jiàn)圖北所示,將功能模塊21、22和屏蔽框23用塑封材質(zhì)25進(jìn)行塑封,包覆功能模塊21、22和屏蔽框23。步驟103、對(duì)所述屏蔽框上方對(duì)應(yīng)的塑封材質(zhì)部分進(jìn)行切割,切割至所述屏蔽框的表面。參見(jiàn)圖3c所示,對(duì)屏蔽框23上方對(duì)應(yīng)的塑封材質(zhì)25進(jìn)行切割,直到切割到屏蔽框23的表面,切割高度為HI。
步驟104、在所述塑封材質(zhì)未切割部分的外側(cè)和所述屏蔽框上方覆蓋導(dǎo)電材質(zhì),并在所述導(dǎo)電材質(zhì)外側(cè)表面覆蓋絕緣材質(zhì)。參見(jiàn)圖3d所示,在塑封材質(zhì)25外面和屏蔽框23上覆蓋導(dǎo)電材質(zhì)沈,并在導(dǎo)電材質(zhì)沈外側(cè)表面覆蓋絕緣材質(zhì)27。本實(shí)施例中,功能模塊均是PCB上的功能模塊,其中可以是基帶電路、射頻電路、 天線等,對(duì)此本實(shí)施例不做具體限定,其中PCB可以是手機(jī)的PCB,也可以是數(shù)據(jù)卡的PCB, 也可以是平板電腦或是微處理器的PCB,對(duì)此本實(shí)施例不作具體限定。本實(shí)施例中,優(yōu)選地,所述屏蔽框的材質(zhì)包括鐵。本實(shí)施例中,優(yōu)選地,所述導(dǎo)電材質(zhì)包括銅。本實(shí)施例中,所述對(duì)所述屏蔽框上方對(duì)應(yīng)的塑封材質(zhì)進(jìn)行切割,包括對(duì)所述屏蔽框上方對(duì)應(yīng)的塑封材質(zhì)進(jìn)行激光切割。本發(fā)明實(shí)施例中,將至少兩個(gè)功能模塊和屏蔽框分別固定在電路板上,所述屏蔽框位于所述至少兩個(gè)功能模塊之間;使用塑封材質(zhì)對(duì)所述至少兩個(gè)功能模塊和所述屏蔽框進(jìn)行塑封,包覆所述至少兩個(gè)功能模塊和所述屏蔽框;對(duì)所述屏蔽框上方對(duì)應(yīng)的塑封材質(zhì)進(jìn)行切割,切割至所述屏蔽框的表面;在所述塑封材質(zhì)未切割部分的外側(cè)和所述屏蔽框上方覆蓋導(dǎo)電材質(zhì),并在所述導(dǎo)電材質(zhì)外側(cè)表面覆蓋絕緣材質(zhì)。這樣在分腔部分使用屏蔽框, 切割高度由原來(lái)需要直接切割到PCB表面,改為直接切割到屏蔽框表面,切割高度減小,并且加工時(shí)間短,具有良好的可制造性。實(shí)施例2參見(jiàn)圖4,本實(shí)施例中使用實(shí)施例1中提供的一種電路板的制作方法制作手機(jī)電路板,其方法流程包括步驟201、將基帶電路、射頻電路和屏蔽框分別焊接在電路板的基板上,其中,所述屏蔽框位于所述基帶電路、射頻電路之間。本實(shí)施例中,以基帶電路為第一功能模塊、射頻電路為第二功能模塊為例進(jìn)行說(shuō)明,但是第一功能模塊和第二功能模塊并不局限由此。可以采用比如SMT將基帶電路和射頻電路焊接到PCB的基板上,本實(shí)施例中,在基帶電路和射頻電路之間焊接一個(gè)屏蔽框,該屏蔽框?qū)⒒鶐щ娐泛蜕漕l電路隔開(kāi),且為了達(dá)到基帶電路和射頻電路分腔的目的,優(yōu)選地, 屏蔽框的高度需要比基帶電路和射頻電路的高度都要稍高,具體實(shí)施過(guò)程中,如果基帶電路的最高高度高于射頻電路的最高高度,則屏蔽框需要高于基帶電路的高度,如果射頻電路的最高高度高于基帶電路的最高高度,則屏蔽框需要高于射頻電路的高度。但是本實(shí)施例中對(duì)屏蔽框的具體高度不做具體限定,具體可以根據(jù)手機(jī)的尺寸設(shè)計(jì)。為了達(dá)到更好的分腔效果,優(yōu)選地本實(shí)施例中屏蔽框的材質(zhì)可以鐵,但也不局限于此,本實(shí)施例對(duì)此不做具體限定。本實(shí)施例中,可以根據(jù)預(yù)先獲知的基帶電路和射頻電路的位置,確定出屏蔽框的位置,在SMT焊接PCB時(shí),同時(shí)將基帶電路、射頻電路和屏蔽框焊接到PCB的基板上,或是以一定的順序分別焊接到PCB的基板上,對(duì)此本實(shí)施例不做具體限定。步驟202、使用塑封材質(zhì)對(duì)基帶電路、射頻電路和屏蔽框進(jìn)行塑封,包覆所述基帶電路、射頻電路和所述屏蔽框。本實(shí)施例中,在焊接基帶電路、射頻電路和屏蔽框后,對(duì)電路板進(jìn)行塑封,其中優(yōu)選地,塑封的高度要高于屏蔽框的高度,以便達(dá)到分腔的目的,但本實(shí)施例中對(duì)塑封高度不做具體限定。其中,塑封材質(zhì)有很多種,本實(shí)施例對(duì)此不做具體限定。步驟203、對(duì)所述屏蔽框上方對(duì)應(yīng)的塑封材質(zhì)部分進(jìn)行激光切割,切割到所述屏蔽框的表面。本實(shí)施例中,為了達(dá)到分腔的效果,優(yōu)選地,對(duì)所述屏蔽框上的塑封材質(zhì)進(jìn)行切割包括對(duì)所述屏蔽框上的塑封材質(zhì)進(jìn)行激光切割,但是也不局限于激光切割這一種方法,對(duì)此本實(shí)施例不做具體限定。本實(shí)施例中,對(duì)塑封到屏蔽框表面的塑封材質(zhì)進(jìn)行切割,切割高度為H',切到屏蔽框的表面,對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)中需要切割到PCB基板的表面,大大減少了切割高度,同時(shí)對(duì)激光頭的磨損也較小,從而降低了成本。步驟204、在所述塑封材質(zhì)未切割部分的外側(cè)和所述屏蔽框上方覆蓋導(dǎo)電材質(zhì),并在所述導(dǎo)電材質(zhì)外側(cè)表面覆蓋絕緣材質(zhì)。本實(shí)施例中為實(shí)現(xiàn)分腔,以達(dá)到屏蔽的效果,在塑封材質(zhì)外面和切割后裸露出的屏蔽框上覆蓋一層導(dǎo)電材質(zhì),為了使屏蔽效果好,優(yōu)選地,該導(dǎo)電材質(zhì)為銅,當(dāng)然也可以為其它能過(guò)實(shí)現(xiàn)屏蔽效果的材質(zhì),對(duì)此本實(shí)施例不做具體限定。本實(shí)施例中,覆蓋完導(dǎo)電材質(zhì)后,為了保證屏蔽效果,屏蔽框上導(dǎo)電材質(zhì)的厚度為至少為0. Imm(毫米)。本實(shí)施例中,為了保證整機(jī)的EMC(Flectro Magnetic Compatibility,電磁兼容性),需要對(duì)整機(jī)也進(jìn)行屏蔽處理,本實(shí)施例中,優(yōu)選地,在導(dǎo)電材質(zhì)表面再覆蓋一層絕緣材質(zhì),以達(dá)到對(duì)整機(jī)進(jìn)行屏蔽的效果。本發(fā)明實(shí)施例中,將基帶電路、射頻電路和屏蔽框分別固定在電路板的基板上,所述屏蔽框位于所述基帶電路、射頻電路之間;使用塑封材質(zhì)對(duì)所述基帶電路、射頻電路進(jìn)行塑封,包覆所述基帶電路、射頻電路;對(duì)所述屏蔽框上方對(duì)應(yīng)的塑封材質(zhì)進(jìn)行切割,切割至所述屏蔽框的表面;在所述塑封材質(zhì)未切割部分的外側(cè)和所述屏蔽框上方覆蓋導(dǎo)電材質(zhì), 并在所述導(dǎo)電材質(zhì)外側(cè)表面覆蓋絕緣材質(zhì)。這樣在分腔部分使用屏蔽框,切割高度由原來(lái)需要直接切割到PCB表面,改為直接切割到屏蔽框表面,切割高度減小,并且加工時(shí)間短, 具有良好的可制造性。實(shí)施例3本實(shí)施例提供了一種使用實(shí)施例1提供的方法制作的電路板,參考圖3d,該電路板包括基板對(duì)、至少兩個(gè)功能模塊21,22、以及屏蔽框23,其中,所述至少兩個(gè)功能模塊 21,22、以及屏蔽框23被固定至所述基板M上,所述屏蔽框23位于所述至少兩個(gè)功能模塊 21,22之間,所述屏蔽框23的側(cè)部和所述至少兩個(gè)功能模塊21,22被塑封材質(zhì)25包覆,所述屏蔽框23上方和所述塑封材質(zhì)25的外側(cè)覆蓋有導(dǎo)電材質(zhì)沈,所述導(dǎo)電材質(zhì)沈外側(cè)表面覆蓋有絕緣材質(zhì)27。本實(shí)施例中,功能模塊均是PCB上的功能模塊,其中可以是基帶電路、射頻電路、 天線等,對(duì)此本實(shí)施例不做具體限定,其中PCB可以是手機(jī)的PCB,也可以是數(shù)據(jù)卡的PCB, 也可以是平板電腦或是微處理器的PCB,對(duì)此本實(shí)施例不作具體限定。本實(shí)施例中,優(yōu)選地,所述屏蔽框的材質(zhì)包括鐵。優(yōu)選地,導(dǎo)電材質(zhì)包括銅。
本實(shí)施例中還提供了一種電子設(shè)備,包括如上所述的電路板。其中該電子設(shè)備包括手機(jī)、數(shù)據(jù)卡、平板電腦或微處理器等。本發(fā)明實(shí)施例中,所述電路板包括基板、至少兩個(gè)功能模塊、以及屏蔽框,其中, 所述至少兩個(gè)功能模塊以及屏蔽框被固定至所述基板上,所述屏蔽框位于所述至少兩個(gè)功能模塊之間,所述屏蔽框的側(cè)部和所述至少兩個(gè)功能模塊被塑封材質(zhì)包覆,所述屏蔽框上方和所述塑封材質(zhì)外側(cè)覆蓋有導(dǎo)電材質(zhì),所述導(dǎo)電材質(zhì)外側(cè)表面覆蓋有絕緣材質(zhì)。這樣的電路板的切割高度由原來(lái)需要直接切割到PCB表面,改為直接切割到屏蔽框表面,高度大幅度減小,加工時(shí)間短,具有良好的可制造性。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電路板的制作方法,其特征在于,所述方法包括將至少兩個(gè)功能模塊和屏蔽框分別固定在電路板的基板上,其中,所述屏蔽框位于所述至少兩個(gè)功能模塊之間;使用塑封材質(zhì)對(duì)所述至少兩個(gè)功能模塊和所述屏蔽框進(jìn)行塑封,包覆所述至少兩個(gè)功能模塊和所述屏蔽框;對(duì)所述屏蔽框上方對(duì)應(yīng)的塑封材質(zhì)進(jìn)行切割,切割至所述屏蔽框的表面;在所述塑封材質(zhì)未切割部分的外側(cè)和所述屏蔽框上方覆蓋導(dǎo)電材質(zhì),并在所述導(dǎo)電材質(zhì)外側(cè)表面覆蓋絕緣材質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述屏蔽框的材質(zhì)包括鐵。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述導(dǎo)電材質(zhì)包括銅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述對(duì)所述屏蔽框上方對(duì)應(yīng)的塑封材質(zhì)進(jìn)行切割包括對(duì)所述屏蔽框上方對(duì)應(yīng)的塑封材質(zhì)進(jìn)行激光切割。
5.一種使用權(quán)利要求1所述的方法制作的電路板,其特征在于,所述電路板包括基板、至少兩個(gè)功能模塊、以及屏蔽框,其中,所述至少兩個(gè)功能模塊以及屏蔽框固定至所述基板上,所述屏蔽框位于所述至少兩個(gè)功能模塊之間,所述屏蔽框的側(cè)部和所述至少兩個(gè)功能模塊被塑封材質(zhì)包覆,所述屏蔽框上方和所述塑封材質(zhì)外側(cè)覆蓋有導(dǎo)電材質(zhì),所述導(dǎo)電材質(zhì)外側(cè)表面覆蓋有絕緣材質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路板,其特征在于,所述屏蔽框的材質(zhì)包括鐵。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的電路板,其特征在于,所述導(dǎo)電材質(zhì)包括銅。
8.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括如權(quán)利要求5-7任一項(xiàng)所述的電路板。
9.如權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備包括手機(jī)、數(shù)據(jù)卡、平板電腦或微處理器。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種電路板的制作方法、電路板和電子設(shè)備。所述方法包括將至少兩個(gè)功能模塊和屏蔽框分別固定在電路板上,其中,所述屏蔽框位于所述至少兩個(gè)功能模塊之間;使用塑封材質(zhì)對(duì)所述至少兩個(gè)功能模塊和所述屏蔽框進(jìn)行塑封;對(duì)所述屏蔽框上的塑封材質(zhì)進(jìn)行切割,切割到所述屏蔽框的表面;在所述塑封材質(zhì)外面和所述屏蔽框上覆蓋導(dǎo)電材質(zhì),并在所述導(dǎo)電材質(zhì)表面覆蓋絕緣材質(zhì)。本實(shí)施例中在分腔部分使用屏蔽框,其余的包括整機(jī)邊緣部分、表面部分均采用導(dǎo)電材質(zhì)進(jìn)行屏蔽,對(duì)整機(jī)尺寸影響較小,且切割高度由原來(lái)需要直接切割到PCB表面,改為直接切割到屏蔽框表面,高度大幅度減小,加工時(shí)間短,具有良好的可制造性。
文檔編號(hào)H05K1/18GK102548239SQ20121000465
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2012年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月9日
發(fā)明者高春禹 申請(qǐng)人:華為終端有限公司