專利名稱:一種硅單晶生長爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
一種硅單晶生長爐
技術(shù)領(lǐng)域:
本實用新型涉及一種生產(chǎn)單晶硅的設(shè)備,具體涉及一種硅單晶生長爐。背景技術(shù):
硅單晶生長爐是生產(chǎn)單晶硅的設(shè)備,單晶硅在爐內(nèi)生長過程中,需要從爐筒上方導(dǎo)入氬氣,氬氣是惰性氣體,化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定,拉晶過程中用來保護融化的硅料不與空氣中的氧、氮等物質(zhì)起化學(xué)反應(yīng),另外,氬氣從導(dǎo)流筒進入,將硅料與石英坩堝反應(yīng)生成的一氧化硅蒸汽、雜質(zhì)等有害氣體帶走,利于單晶硅穩(wěn)定生長,最后,含有害氣體的氬氣從爐筒底部兩側(cè)的排氣管道通過真空泵抽走。但是,現(xiàn)有的硅單晶生長爐,由于蓋板的外圓與爐筒的內(nèi)筒壁之間留有間隙,這樣一來,就有部分氬氣不經(jīng)導(dǎo)流筒,而通過保溫桶(由碳氈材料制成)本身具有的空隙直接從爐筒底部兩側(cè)的排氣管道排走,造成部分氬氣不能正常參與帶走一氧化硅蒸汽、雜質(zhì)等有害氣體的工作,既不利于單晶硅穩(wěn)定生長,又造成浪費。
發(fā)明內(nèi)容鑒于背景技術(shù)存在的不足,本實用新型的目的旨在提供一種有利于氬氣將硅料與石英坩堝反應(yīng)生成的一氧化硅蒸汽、雜質(zhì)等有害氣體帶走,利于單晶硅穩(wěn)定生長的硅單晶生長爐。本實用新型是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的一種硅單晶生長爐,包括爐筒和設(shè)在爐筒內(nèi)部的坩堝和導(dǎo)流筒,坩堝的外側(cè)設(shè)有保溫桶,保溫桶的外圓與爐筒的內(nèi)筒壁接觸,保溫桶的上方放置有蓋板,導(dǎo)流筒設(shè)于坩堝的上方并支在蓋板上,其特征在于所述蓋板的上方放置有密封圈,密封圈貼緊在蓋板的上表面,密封圈的外圓與所述爐筒的內(nèi)筒壁貼緊形成密封。所述密封圈選用碳碳復(fù)合材料。上述結(jié)構(gòu)中,密封圈的設(shè)置封堵掉了蓋板外圓與爐筒內(nèi)筒壁之間留有的間隙,這樣氬氣就不能通過保溫桶的空隙直接從爐筒底部兩側(cè)的排氣管道排走,而只能從導(dǎo)流筒進入,所以有利于氬氣將硅料與石英坩堝反應(yīng)生成的一氧化硅蒸汽、雜質(zhì)等有害氣體帶走,利于單晶硅穩(wěn)定生長。
圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)圖具體實施方式參照附圖1,這種硅單晶生長爐,包括爐筒7和設(shè)在爐筒內(nèi)部的石英坩堝6和導(dǎo)流筒4,石英坩堝6的外側(cè)設(shè)有保溫桶5,保溫桶5的外圓與爐筒7的內(nèi)筒壁接觸,保溫桶5的上方放置有蓋板2,導(dǎo)流筒4設(shè)于石英坩堝6的上方并支在蓋板2上,所述蓋板2的上方放置有密封圈3,密封圈3貼緊在蓋板2的上表面,密封圈3的外圓與所述爐筒7的內(nèi)筒壁貼緊形成密封,將蓋板外圓與爐筒內(nèi)筒壁之間的間隙9封堵住,所述密封圈3選用碳碳復(fù)合材料。 本實用新型是這樣實施的單晶硅在爐內(nèi)生長過程中,氬氣從爐筒上方的爐口 1 進入,全部被導(dǎo)入導(dǎo)流筒4,經(jīng)過石英坩堝6中的融硅液面,將硅料與石英坩堝反應(yīng)生成的一氧化硅蒸汽、雜質(zhì)等有害氣體帶走,最后含有害氣體的氬氣從爐筒底部兩側(cè)的排氣管道8 通過真空泵抽走。
權(quán)利要求1.一種硅單晶生長爐,包括爐筒和設(shè)在爐筒內(nèi)部的坩堝和導(dǎo)流筒,坩堝的外側(cè)設(shè)有保溫桶,保溫桶的外圓與爐筒的內(nèi)筒壁接觸,保溫桶的上方放置有蓋板,導(dǎo)流筒設(shè)于坩堝的上方并支在蓋板上,其特征在于所述蓋板的上方放置有密封圈,密封圈貼緊在蓋板的上表面,密封圈的外圓與所述爐筒的內(nèi)筒壁貼緊形成密封。
2.如權(quán)利要求1所述的一種硅單晶生長爐,其特征在于所述密封圈選用碳碳復(fù)合材料。
專利摘要本實用新型公開了一種硅單晶生長爐,包括爐筒和設(shè)在爐筒內(nèi)部的坩堝和導(dǎo)流筒,坩堝的外側(cè)設(shè)有保溫桶,保溫桶的外圓與爐筒的內(nèi)筒壁接觸,保溫桶的上方放置有蓋板,導(dǎo)流筒設(shè)于坩堝的上方并支在蓋板上,其特征在于所述蓋板的上方放置有密封圈,密封圈貼緊在蓋板的上表面,密封圈的外圓與所述爐筒的內(nèi)筒壁貼緊形成密封。本實用新型的結(jié)構(gòu)有利于導(dǎo)入爐筒的氬氣將硅料與石英坩堝反應(yīng)生成的一氧化硅蒸汽、雜質(zhì)等有害氣體帶走,利于單晶硅的穩(wěn)定生長。
文檔編號C30B27/02GK201981292SQ201120066968
公開日2011年9月21日 申請日期2011年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月11日
發(fā)明者李國迪, 蔣明霞, 蔡光進, 韓喆 申請人:浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司