專(zhuān)利名稱(chēng)：陶瓷基板組件及其接地焊接方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陶瓷基板，尤其涉及一種陶瓷基板組件及其接地焊接方法。
背景技術(shù)：
基于陶瓷技術(shù)研制的微波組件具有高集成密度、多種電路功能和高可靠性等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。陶瓷基板與盒體間連接質(zhì)量直接決定了產(chǎn)品的接地性能及散熱情況。目前，國(guó)外陶瓷電路基板與盒體底部之間的連接普遍采用釬焊方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，釬焊方法所使用的焊料包括焊料片和焊料兩種，焊料片由于表面存在不同程度的氧化情況，在大面積焊接過(guò)程中難以徹底還原，導(dǎo)致在焊接面形成焊接空洞。文獻(xiàn)LTCC電路基板大面積接地釬焊工藝設(shè)計(jì)(應(yīng)用基礎(chǔ)與工程科學(xué)學(xué)報(bào)第15卷3期，解啟林，朱啟政，林偉成，雷黨剛，第358-361頁(yè))介紹了一種釬焊方法，首先在LTCC基板背面設(shè)置復(fù)合金屬膜層，然后預(yù)置焊料凸點(diǎn)，最后使用已預(yù)先清除氧化皮的焊片在充氮?dú)獾氖痔紫渲惺謩?dòng)完成焊接。該方法工序較為復(fù)雜，并且在焊接過(guò)程中焊料的堆積阻礙了焊料的排出，大量焊料殘留在焊接面內(nèi)，形成焊接空洞，在后道工序的二次加熱過(guò)程中就會(huì)造成污染，另外，縫隙中殘留的焊料清洗也比較困難。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述缺點(diǎn)，本發(fā)明需要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種陶瓷基板組件及其接地焊接方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為陶瓷基板組件，包括陶瓷電路基板、 壓塊和盒體，所述陶瓷電路基板兩側(cè)設(shè)有至少一個(gè)限位凸點(diǎn)，所述陶瓷電路基板上涂覆有一層焊料，所述陶瓷電路基板上固定有至少一個(gè)壓塊，所述陶瓷電路基板固定于盒體內(nèi)，所述陶瓷電路基板外側(cè)與盒體壁間留有至少0. 8mm以上的間隙。所述焊料為SrfbAg焊料，所述焊料厚度為0. 1 0. 2mm。一種陶瓷基板組件接地焊接方法，所述焊接方法包括以下步驟
a、將所述陶瓷基板組件放入真空焊接爐焊接艙內(nèi)的加熱板上，關(guān)閉艙門(mén)；
b、將艙內(nèi)溫度升至60°C，并保持1分鐘，然后將真空焊接爐焊接艙抽真空，使得艙內(nèi)真空度在Imbar以下；
c、向艙內(nèi)充入氮?dú)?，并將溫度升?30 140°C，保持1分鐘；d、繼續(xù)將艙內(nèi)溫度繼續(xù)升溫至200°C，保持1. 5分鐘，在保持溫度的同時(shí)對(duì)艙內(nèi)抽真空，使得艙內(nèi)真空度為Imbar以上；
e、向艙內(nèi)充氮?dú)?，使艙?nèi)溫度降至焊料熔點(diǎn)以下。所述升溫速率在25°C /min以下。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)利用抽真空將陶瓷電路基板上的焊料殘?jiān)鼜奶沾呻娐坊逋鈧?cè)與盒體壁間的間隙抽出，避免了傳統(tǒng)焊接方法中焊料殘?jiān)亩逊e的問(wèn)題，提高了焊透率，清洗也更加容易，操作方便。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。圖1為本發(fā)明的陶瓷基板組件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明的陶瓷基板組件的俯視圖。其中1、陶瓷電路基板，2、限位凸點(diǎn)，3、壓塊，4、盒體，5、焊料。
具體實(shí)施例方式為了加深對(duì)本發(fā)明的理解，下面將結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳述，該實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。如圖1至圖2所示，本發(fā)明陶瓷基板組件，包括陶瓷電路基板1、壓塊3和盒體4， 陶瓷電路基板1兩側(cè)設(shè)有三個(gè)限位凸點(diǎn)2，陶瓷電路基板1上涂覆有一層厚度為0. Imm的 SnPbAg焊料5，陶瓷電路基板1上固定有兩個(gè)壓塊3，陶瓷電路基板1固定于盒體4內(nèi)，其中，陶瓷電路基板1外側(cè)與盒體4壁間留有0. 8mm的間隙。上述陶瓷基板組件接地焊接方法，包括以下步驟
a、將所述陶瓷基板組件放入真空焊接爐焊接艙內(nèi)的加熱板上，關(guān)閉艙門(mén)；
b、將艙內(nèi)溫度升至60°C，并保持1分鐘，升溫速率在25°C/min以下，然后將真空焊接爐焊接艙抽真空，使得艙內(nèi)真空度在Imbar以下；
c、向艙內(nèi)充入氮?dú)?，并將溫度升?30°C，升溫速率在25°C/min以下保持1分鐘；
d、繼續(xù)將艙內(nèi)溫度繼續(xù)升溫至200°C，保持1.5分鐘，升溫速率在25°C /min以下，在保持溫度的同時(shí)對(duì)艙內(nèi)抽真空，使得艙內(nèi)真空度為Imbar以上；
e、向艙內(nèi)充氮?dú)猓古搩?nèi)溫度降至焊料熔點(diǎn)以下。利用抽真空將陶瓷電路基板上的焊料殘?jiān)鼜奶沾呻娐坊逋鈧?cè)與盒體壁間的間隙抽出，避免了傳統(tǒng)焊接方法中焊料殘?jiān)亩逊e的問(wèn)題，提高了焊透率，清洗也更加容易， 操作方便。
權(quán)利要求
1.陶瓷基板組件，其特征在于，包括陶瓷電路基板、壓塊和盒體，所述陶瓷電路基板兩側(cè)設(shè)有至少一個(gè)限位凸點(diǎn)，所述陶瓷電路基板上涂覆有一層焊料，所述陶瓷電路基板上固定有至少一個(gè)壓塊，所述陶瓷電路基板固定于盒體內(nèi)，所述陶瓷電路基板外側(cè)與盒體壁間留有至少0. 8mm以上的間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基板組件，其特征在于，所述焊料為SrfbAg焊料，所述焊料厚度為0. 1 0. 2mm。
3.—種如權(quán)利要求1所述的陶瓷基板組件接地焊接方法，其特征在于，所述焊接方法包括以下步驟a、將所述陶瓷基板組件放入真空焊接爐焊接艙內(nèi)的加熱板上，關(guān)閉艙門(mén)；b、將艙內(nèi)溫度升至60°C，并保持1分鐘，然后將真空焊接爐焊接艙抽真空，使得艙內(nèi)真空度在Imbar以下；c、向艙內(nèi)充入氮?dú)?，并將溫度升?30 140°C，保持1分鐘；d、繼續(xù)將艙內(nèi)溫度繼續(xù)升溫至200°C，保持1. 5分鐘，在保持溫度的同時(shí)對(duì)艙內(nèi)抽真空，使得艙內(nèi)真空度為Imbar以上；e、向艙內(nèi)充氮?dú)?，使艙?nèi)溫度降至焊料熔點(diǎn)以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷基板組件接地焊接方法，其特征在于，所述升溫速率在 250C /min 以下。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種陶瓷基板組件及其接地焊接方法，陶瓷基板組件包括陶瓷電路基板、壓塊和盒體，陶瓷電路基板兩側(cè)設(shè)有限位凸點(diǎn)，陶瓷電路基板上涂覆有焊料，陶瓷電路基板上固定有壓塊，陶瓷電路基板固定于盒體內(nèi)，陶瓷電路基板外側(cè)與盒體壁間留有間隙。陶瓷基板組件接地焊接方法包括以下步驟將瓷基板組件放入真空焊接爐焊接艙內(nèi)的加熱板上，關(guān)閉艙門(mén)；將溫度升至60℃，保持1分鐘后抽真空并充入氮?dú)?，將溫度升?30℃，保持1分鐘后繼續(xù)升溫至200℃，保持1.5分鐘，然后抽真空并充氮?dú)猓箿囟冉抵梁父嗳埸c(diǎn)以下。本發(fā)明利用抽真空將陶瓷電路基板上的焊料殘?jiān)槌?，避免了傳統(tǒng)焊接方法中焊料殘?jiān)亩逊e的問(wèn)題，提高了焊透率，清洗也更加容易，操作方便。
文檔編號(hào)H05K1/02GK102497730SQ20111040519
公開(kāi)日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月8日
發(fā)明者劉均東 申請(qǐng)人:無(wú)錫華測(cè)電子系統(tǒng)有限公司