專利名稱：一種晶體硅鑄造用的坩堝涂層及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種坩堝涂層，具體涉及一種晶體硅鑄錠用坩堝涂層及其制備方法。
背景技術(shù)：
目前以及很長一段時間內(nèi)，多晶硅鑄錠都是硅材料太陽能電池行業(yè)中的主體鑄錠技術(shù)，但為了獲取更高的轉(zhuǎn)換效率，更低的光伏發(fā)電成本，新的鑄錠技術(shù)正應運而生。其中為業(yè)內(nèi)看好的準單晶鑄錠技術(shù)(公開號CN101864594A、CN102034900A)日趨成熟，以其單晶面積大，轉(zhuǎn)換效率高，相對成本較低等優(yōu)勢，逐漸成為國內(nèi)鑄錠廠家爭相上馬的項目。與常規(guī)多晶鑄錠相比，準單晶鑄錠的產(chǎn)品具有獨特優(yōu)勢的同時，其工藝與常規(guī)多晶鑄錠的差別也十分明顯，需要克服的難題也較多，其中，由于準單晶鑄錠爐體內(nèi)的熱場及升溫工藝與常規(guī)多晶鑄錠的差異，導致準單晶鑄錠的坩堝及坩堝涂層須經(jīng)受更高的溫度梯度及更嚴厲的長晶條件。由此引發(fā)出常規(guī)噴涂涂層無法滿足準單晶鑄錠要求的問題，其結(jié)果是，硅錠與坩堝發(fā)生嚴重粘連，由于硅錠和坩堝直接接觸，硅錠受到坩堝本體中氧及其它雜質(zhì)的污染，降低了硅錠品質(zhì)，除此之外，在冷卻過程中，由于坩堝和硅錠的熱脹系數(shù)懸殊， 導致硅錠承受來自坩堝形變造成的應力而產(chǎn)生裂紋甚至破裂，嚴重降低硅錠生產(chǎn)的得率， 甚至導致整只硅錠報廢。以上問題歸結(jié)起來即硅錠粘堝問題，簡稱粘堝。粘堝除發(fā)生在準單晶鑄錠過程外，也以一定概率發(fā)生在常規(guī)多晶鑄錠過程。鑒于粘堝的嚴重后果，目前常規(guī)多晶鑄錠通常采取的做法是在坩堝內(nèi)壁噴涂氮化硅，經(jīng)燒結(jié)后形成氮化硅涂層(專利公開號 CN101433890)。該方法需要復雜的噴涂設(shè)備及支撐設(shè)備，噴涂過程由于產(chǎn)生大量粉塵，導致氮化硅利用率低，并對環(huán)境及操作人員的健康造成損害。由于涂層主要通過物理氣相沉積， 涂層顆粒間主要依靠物理吸附相互接觸，導致涂層質(zhì)地疏松，強度極低，且質(zhì)脆，易剝落。在裝料的過程中須非常小心，避免硅料將涂層碰落，如此以來大大限制了裝料的效率，并且盡管如此，在鑄錠過程中仍會出現(xiàn)一定概率的粘堝現(xiàn)象。而在鑄錠過程中，由于涂層致密性低，無法有效阻止坩堝本體中的氧及其它雜質(zhì)元素向硅錠中的擴散，降低了硅錠的質(zhì)量。為了獲得更大的單晶面積、更穩(wěn)定的雜質(zhì)含量從而保證更高的太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率，準單晶鑄錠采用籽晶引晶、高溫度梯度定向凝固及高氣流量除碳等技術(shù)。這要求所用坩堝及其涂層具有更高的強度、耐熱沖擊能力的同時，能夠更高效地阻止坩堝本體雜質(zhì)對硅錠的污染，即要求坩堝涂層致密且自身攜帶雜質(zhì)更少。目前國內(nèi)外眾多專家就粘堝問題提出過若干相關(guān)的解決辦法，其中R. Kvande 等人(R. Kvande, L. Arnberg, G. Coletti, C. Martin, C. Ndzogha, G. Rancoule. 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference, 3-7 September 2007, Milan, Italy 1099-1103)報道了一種“READY-TO-USE”涂層坩堝，通過在涂層中引入氧增加涂層的非浸潤性。而在產(chǎn)品方面，美國賽瑞丹(CERADYNE)公司及法國維蘇威(VESUVIUS)公司是目前世界已知的兩家具有生產(chǎn)涂層坩堝能力的廠家，該坩堝自帶的涂層具有較高強度，但同樣無法保證準單晶鑄錠的需求。而在國內(nèi)，除賽瑞丹在天津的分公司外，則未見有生產(chǎn)涂層坩堝的廠家的報道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種晶體硅鑄造用的坩堝涂層，該坩堝涂層具有高純度、 高強度、高致密度及易脫模性能，能夠滿足準單晶硅基體和多晶硅基體鑄造的要求。本發(fā)明的目的還在于提供上述晶體硅鑄造用的坩堝涂層的制備方法，該方法工藝簡單，成本低，在提高涂層強度的同時不引入或極少量引入雜質(zhì)元素，能夠滿足準單晶鑄錠高溫度梯度及嚴厲的長晶條件以及普通多晶硅鑄造的要求。本發(fā)明的第一個目的是通過如下技術(shù)方案來實現(xiàn)的一種晶體硅鑄造用的坩堝涂層，所述的坩堝涂層由以下重量份的原料制成
氮化硅粉末90-110分散劑50-450 成膜劑1_30 高溫粘合劑1_25。本發(fā)明提供的晶體硅鑄造用的坩堝涂層，其中各原料的重量份優(yōu)選為 氮化硅粉末95-105分散劑200-300成膜劑10-20 高溫粘合劑5_20。本發(fā)明提供的晶體硅鑄造用的坩堝涂層，其中各原料的重量份最佳為 氮化硅粉末100 分散劑 250 成膜劑15 高溫粘合劑 12。本發(fā)明上述坩堝涂層的原料配方合理，能保證坩堝涂層具有高強度和高致密性。本發(fā)明所述的氮化硅粉末的粒徑優(yōu)選為0. 1-20 μ m。本發(fā)明所述的分散劑為純水和乙醇中的一種或兩種；所述的成膜劑為有機粘結(jié)劑，所述的有機粘結(jié)劑為石蠟、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮醛和環(huán)氧樹脂中的一種或幾種；所述的高溫粘合劑為氧化物和/或磷酸鹽，所述的氧化物為三氧化二硼、二氧化硅和氧化鋁中的一種或幾種，所述的磷酸鹽為磷酸鋁、磷酸鎂和磷酸鈣中的一種或幾種。本發(fā)明所述的坩堝涂層優(yōu)選為各類石英陶瓷坩堝涂層。本發(fā)明的第二個目的是通過如下技術(shù)方案來實現(xiàn)的上述的晶體硅鑄造用的坩堝涂層的制備方法，其特征是含以下步驟
(1)按計量比選取氮化硅粉末、分散劑、成膜劑和高溫粘合劑，混勻制成漿料；
(2)將步驟(1)中制備的漿料涂布于晶體硅基體鑄造用坩堝內(nèi)壁，形成坩堝涂層的胚
膜；
(3)在反應氣氛中將坩堝涂層經(jīng)含有烘干、脫蠟、預燒、燒結(jié)、保溫和降溫的處理工序后得晶體硅鑄造用坩堝涂層。步驟O)中漿料優(yōu)選以刷涂或輥涂的方式涂布于晶體硅基體鑄造用坩堝內(nèi)壁，形成坩堝涂層的胚膜。上述刷涂或輥涂的方式有別于業(yè)內(nèi)普遍采用的噴涂成膜，可以提高坩堝涂層的成膜性能，同時還可以提高坩堝涂層各原料的利用率，提高工藝過程的環(huán)境友好性。步驟(3)中所述的反應氣氛為氧化性氣氛、中性氣氛或還原性氣氛，所述的氧化性氣氛為空氣氣氛或空氣+氮氣氣氛；所述的中性氣氛為氮氣氣氛；所述的還原性氣氛為氫氣氣氛或氮氣+氫氣氣氛。步驟(3)中烘干時的溫度為20-140°C，烘干時間為10-30min ；脫蠟時的溫度為 80-8000C，脫蠟時間為60-400min ；預燒的溫度為600-1100°C，預燒時間為20_120min ；燒結(jié)時的溫度為900-1100°C，燒結(jié)時間為60-180min ；保溫時的溫度為900-1100°C，保溫時間為
430-180min ；降溫時的溫度為1100-20°C，降溫時間為60_240min。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點
(1)本發(fā)明采用有別于業(yè)內(nèi)常規(guī)工藝的成膜方法，施工工藝簡單，無需復雜輔助設(shè)備、 氮化硅粉利用率高、施工總成本低、對環(huán)境及施工人員的健康危害小；
(2)本發(fā)明坩堝涂層在氮化硅粉末中加入粘結(jié)劑、成膜劑和分散劑，優(yōu)化了涂層性能；
(3)本發(fā)明制備獲得的坩堝涂層機械強度高可抵抗裝料過程中硅料對涂層的物理破壞，可抵抗更高流量保護氣體沖擊；
(4)本發(fā)明制備獲得的坩堝涂層耐熱沖擊性能強可抵抗準單晶鑄錠過程中高溫度梯度及嚴厲的長晶條件；
(5)本發(fā)明制備獲得的坩堝涂層致密度高可顯著降低坩堝雜質(zhì)向硅錠的擴散，保證硅錠的品質(zhì)；
(6)本發(fā)明制備獲得的坩堝涂層純度高通過其原料的合理配伍，制備獲得的坩堝涂層能保持高的高溫化學穩(wěn)定性，不向硅錠釋放雜質(zhì)；
(7)本發(fā)明制備獲得的坩堝涂層脫模性好坩堝涂層與硅液保持非浸潤性，可保證硅錠順利脫模，無粘堝；
(8)本發(fā)明坩堝涂層的制備工藝操作簡單，無需復雜的噴涂設(shè)備，成本低，易于量產(chǎn)。


圖1是本發(fā)明采用實施例1中坩堝涂層鑄錠的多晶硅的形貌圖； 圖2是本發(fā)明采用實施例2中坩堝涂層鑄錠的準單晶硅的形貌圖； 圖3是本發(fā)明采用實施例3中坩堝涂層鑄錠的準單晶硅的形貌圖； 圖4是本發(fā)明采用實施例4中坩堝涂層鑄錠的準單晶硅的形貌圖； 圖5是本發(fā)明采用實施例5中坩堝涂層鑄錠的準單晶硅的形貌圖； 圖6是本發(fā)明對照例中制成的坩堝涂層鑄錠的準單晶硅的形貌圖。
具體實施例方式以下實施例中各原料除有特殊說明外，均為市售；以下各實施例中重量份的單位取為g，該重量份的單位還可以是kg、噸、斤、公斤等重量單位都可以，在權(quán)利要求書所要求的重量份比例范圍內(nèi)即可。實施例1
本實施例中以多晶硅為鑄造對象，該坩堝涂層由以下重量的原料制成氮化硅粉末 900g、分散劑4500g、成膜劑10g、高溫粘合劑250g。其中氮化硅粉末的粒徑為10 μ m，分散劑為純水，其電導率為18 ΜΩγπι，成膜劑為高純級石蠟，高溫粘合劑為磷酸鋁。上述晶體硅鑄造用的坩堝涂層通過如下方法制備獲得
(1)按計量比選取上述氮化硅粉末、分散劑純水、成膜劑石蠟和高溫粘合劑磷酸鋁，混勻制成漿料；
(2)將步驟(1)中制備的漿料以刷涂的方式涂布于多晶硅基體鑄造用坩堝內(nèi)壁，形成坩堝涂層的胚膜；
(3)在空氣和氮氣的混合反應氣氛中將坩堝涂層經(jīng)含有烘干、脫蠟、預燒、燒結(jié)、保溫和降溫的處理工序后得晶體硅鑄造用坩堝涂層，其中烘干時的溫度為20°C，烘干時間為30min ；脫蠟時的溫度為180°C，脫蠟時間為400min ；預燒的溫度為600°C，預燒時間為 120min ；燒結(jié)時的溫度為900°C，燒結(jié)時間為180min ；保溫時的溫度為1100°C，保溫時間為 30min ；降溫至20°C，降溫時間為MOmin。如附圖1所示，采用本實施例制備的坩堝涂層，用于多晶硅鑄造后，坩堝涂層致密、完整，幾乎無剝落，多晶硅脫模性能良好，無粘堝現(xiàn)象。實施例2
本實施例中以準單晶硅為鑄造對象，其采用的坩堝為石英坩堝，該坩堝涂層由以下重量的原料制成氮化硅粉末llOOg、分散劑500g、成膜劑300g、高溫粘合劑50g。其中氮化硅粉末的粒徑為0. Ιμπι，分散劑純水，其電導率為18 ΜΩγπι，成膜劑為聚乙烯醇，高溫粘合
劑為二氧化硅。上述晶體硅鑄造用的坩堝涂層通過如下方法制備獲得
(1)按計量比選取上述氮化硅粉末、分散劑純水、成膜劑聚乙烯醇和高溫粘合劑二氧化硅，混勻制成漿料；
(2)將步驟(1)中制備的漿料以刷涂的方式涂布于多晶硅基體鑄造用坩堝內(nèi)壁，形成坩堝涂層的胚膜；
(3)在空氣氣氛中將坩堝涂層經(jīng)含有烘干、脫蠟、預燒、燒結(jié)、保溫和降溫的處理工序后得晶體硅鑄造用坩堝涂層，其中烘干時的溫度為140°C，烘干時間為IOmin ；脫蠟時的溫度為800°C，脫蠟時間為60min ；預燒的溫度為600°C，預燒時間為120min ；燒結(jié)時的溫度為 1100°C，燒結(jié)時間為60min ；保溫時的溫度為900°C，保溫時間為180min ；降溫時的溫度為 1100°C，降溫時間為60min。如附圖2所示，將準單晶置于本實施例坩堝涂層中鑄錠后，無粘堝現(xiàn)象，硅錠脫模良好，保持完整，準單晶硅硅錠雜質(zhì)含量低，但硅錠表面粘附少量氮化硅粉。實施例3
本實施例中以準單晶硅為鑄造對象，其采用的坩堝為石英坩堝，該坩堝涂層由以下重量的原料制成氮化硅粉末950g、分散劑3000g、成膜劑100g、高溫粘合劑100g。其中氮化硅粉末的粒徑為5 μ m，分散劑為乙醇，成膜劑為聚乙烯醇縮醛，高溫粘合劑為三氧化二硼。上述準單晶硅鑄造用的坩堝涂層通過如下方法制備獲得
(1)按計量比選取上述氮化硅粉末、分散劑乙醇、成膜劑聚乙烯醇縮醛和高溫粘合劑三氧化二硼，混勻制成漿料；
(2)將步驟(1)中制備的漿料以輥涂的方式涂布于多晶硅基體鑄造用坩堝內(nèi)壁，形成坩堝涂層的胚膜；
(3)在氮氣氣氛中將坩堝涂層經(jīng)含有烘干、脫蠟、預燒、燒結(jié)、保溫和降溫的處理工序后得晶體硅鑄造用坩堝涂層，其中烘干時的溫度為50°C，烘干時間為25min ；脫蠟時的溫度為600°C，脫蠟時間為IOOmin ；預燒的溫度為800°C，預燒時間為50min ；燒結(jié)時的溫度為 1000°C，燒結(jié)時間為120min ；保溫時的溫度為950°C，保溫時間為150min ；降溫時的溫度為 1000°C，降溫時間為80min。如附圖3所示，本實施例制備獲得坩堝涂層，涂層致密，準單晶硅經(jīng)鑄錠后，脫模良好，無粘鍋，準單晶硅硅錠雜質(zhì)含量低，少部分氮化硅粘附于準單晶硅錠。實施例4本實施例中以準單晶硅為鑄造對象，其采用的坩堝為石英坩堝，其坩堝涂層由以下重量的原料制成氮化硅粉末1050g、分散劑2000g、成膜劑200g、高溫粘合劑150g。其中氮化硅粉末的粒徑為20 μ m，分散劑為乙醇，成膜劑為石蠟和聚乙烯醇的混合物(重量份比為 5:4)，高溫粘合劑為三氧化二硼和磷酸鈣的混合物，重量份比為1:1)。上述準單晶硅鑄造用的坩堝涂層通過如下方法制備獲得
(1)按計量比選取上述氮化硅粉末、分散劑乙醇、成膜劑石蠟和環(huán)氧樹脂，高溫粘合劑三氧化二硼和磷酸鈣，混勻制成漿料；
(2)將步驟(1)中制備的漿料以輥涂的方式涂布于多晶硅基體鑄造用坩堝內(nèi)壁，形成坩堝涂層的胚膜；
(3)在氮氣和空氣混合氣氛中將坩堝涂層經(jīng)含有烘干、脫蠟、預燒、燒結(jié)、保溫和降溫的處理工序后得晶體硅鑄造用坩堝涂層，其中烘干時的溫度為120°C，烘干時間為20min ； 脫蠟時的溫度為500°C，脫蠟時間為200min ；預燒的溫度為900°C，預燒時間為SOmin ；燒結(jié)時的溫度為950°C，燒結(jié)時間為HOmin ；保溫時的溫度為1000°C，保溫時間為120min ；降溫時的溫度為800°C，降溫時間為150min。如附圖4所示，本實施例制備獲得坩堝涂層，涂層致密，準單晶硅經(jīng)鑄錠后，脫模良好，無粘鍋，準單晶硅硅錠雜質(zhì)含量低，只有極少量氮化硅粘附于硅錠。實施例5
本實施例中以準單晶硅為鑄造對象，其采用的坩堝為石英坩堝，其坩堝涂層由以下重量份的原料制成氮化硅粉末1000g、分散劑2500g、成膜劑150g、高溫粘合劑120g。其中氮化硅粉末的粒徑為ΙΟμπι，分散劑為水和乙醇的混合物(重量份比為1:1)，成膜劑為聚乙烯醇縮醛，高溫粘合劑為磷酸鎂。上述準單晶硅鑄造用的坩堝涂層通過如下方法制備獲得
(1)按計量比選取上述氮化硅粉末、分散劑水和乙醇的混合物、成膜劑聚乙烯醇縮醛， 高溫粘合劑磷酸鎂，混勻制成漿料；
(2)將步驟(1)中制備的漿料以刷涂的方式涂布于多晶硅基體鑄造用坩堝內(nèi)壁，形成坩堝涂層的胚膜；
(3)在氮氣和氫氣混合氣氛中將坩堝涂層經(jīng)含有烘干、脫蠟、預燒、燒結(jié)、保溫和降溫的處理工序后得晶體硅鑄造用坩堝涂層，其中烘干時的溫度為80°C，烘干時間為20min ；脫蠟時的溫度為440°C，脫蠟時間為230min ；預燒的溫度為850°C，預燒時間為70min ；燒結(jié)時的溫度為1000°C，燒結(jié)時間為120min ；保溫時的溫度為1000°C，保溫時間為105min ；降溫時的溫度為500°C，降溫時間為150min。如附圖5所示，本實施例制備獲得坩堝涂層，涂層致密完整，準單晶硅經(jīng)鑄錠后， 脫模良好，無粘鍋，準單晶硅硅錠雜質(zhì)含量低，只有極少量氮化硅粘附于硅錠。對照例
本實施例中以準單晶硅為鑄造對象，其采用的坩堝為石英坩堝，其坩堝涂層由以下重量份的原料制成氮化硅粉末IlOOg ；分散劑為純水4400g，其電導率為18 ΜΩ · cm ； 采用如下方法制備獲得
(1)按計量比選取上述氮化硅粉末和純水，混勻制成漿料；( 將步驟(1)中制備的漿料以噴涂的方式涂布于準單晶硅鑄造用坩堝內(nèi)壁，形成坩堝涂層的胚膜；(3)在空氣氣氛中將坩堝涂層經(jīng)含有烘干、脫蠟、預燒、燒結(jié)、保溫和降溫的處理工序后得晶體硅鑄造用坩堝涂層。如附圖6所示，采用該方法制備獲得的坩堝涂層，準單晶硅經(jīng)鑄錠后，坩堝表面涂層疏松，明顯剝落，且邊角出現(xiàn)明顯粘鍋和碎裂現(xiàn)象。上述實施例為本發(fā)明較佳的實施方式，但本發(fā)明的實施方式并不受上述實施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化， 均應為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種晶體硅鑄造用的坩堝涂層，其特征是，所述的坩堝涂層由以下重量份的原料制成氮化硅粉末90-110分散劑50-450 成膜劑1_30 高溫粘合劑1_25。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅鑄造用的坩堝涂層，其特征是，其中各原料的重量份為氮化硅粉末95-105分散劑200-300成膜劑10-20 高溫粘合劑5_20。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅鑄造用的坩堝涂層，其特征是，其中各原料的重量份為氮化硅粉末100 分散劑 250 成膜劑15 高溫粘合劑 12。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的晶體硅鑄造用的坩堝涂層，其特征是，所述的氮化硅粉末的粒徑為0. 1-20 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的晶體硅鑄造用的坩堝涂層，其特征是，所述的分散劑為純水和乙醇中的一種或兩種；所述的成膜劑為有機粘結(jié)劑，所述的有機粘結(jié)劑為石蠟、 聚乙烯醇、聚乙烯醇縮醛和環(huán)氧樹脂中的一種或幾種；所述的高溫粘合劑為氧化物和/或磷酸鹽，所述的氧化物為三氧化二硼、二氧化硅和氧化鋁中的一種或幾種，所述的磷酸鹽為磷酸鋁、磷酸鎂和磷酸鈣中的一種或幾種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的晶體硅鑄造用的坩堝涂層，其特征是，所述的坩堝涂層為石英陶瓷坩堝涂層。
7.權(quán)利要求1-3任一項所述的晶體硅鑄造用的坩堝涂層的制備方法，其特征是，含以下步驟(1)按計量比選取氮化硅粉末、分散劑、成膜劑和高溫粘合劑，混勻制成漿料；(2)將步驟(1)中制備的漿料涂布于晶體硅基體鑄造用坩堝內(nèi)壁，形成坩堝涂層的胚膜；(3)在反應氣氛中將坩堝涂層經(jīng)含有烘干、脫蠟、預燒、燒結(jié)、保溫和降溫的處理工序后得晶體硅鑄造用坩堝涂層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體硅鑄造用的坩堝涂層的制備方法，其特征是，步驟(2)中漿料以刷涂或輥涂的方式涂布于晶體硅基體鑄造用坩堝內(nèi)壁，形成坩堝涂層的胚膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體硅鑄造用的坩堝涂層的制備方法，其特征是，步驟(3)中所述的反應氣氛為氧化性氣氛、中性氣氛或還原性氣氛，所述的氧化性氣氛為空氣氣氛或空氣+氮氣氣氛；所述的中性氣氛為氮氣氣氛；所述的還原性氣氛為氫氣氣氛或氮氣+氫氣氣氛。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體硅鑄造用的坩堝涂層的制備方法，其特征是，步驟 (3)中烘干時的溫度為20-140°C，烘干時間為10-30min ；脫蠟時的溫度為80-800°C，脫蠟時間為60-400min ；預燒的溫度為600-1100°C，預燒時間為20-120min ；燒結(jié)時的溫度為 900-1100°C，燒結(jié)時間為60-180min ；保溫時的溫度為900-1100°C，保溫時間為30_180min ； 降溫時的溫度為1100-20°C，降溫時間為60-240min。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶體硅鑄造用的坩堝涂層，所述的坩堝涂層由以下重量份的原料制成氮化硅粉末90-110份，分散劑50-450份，成膜劑1-30份，高溫粘合劑1-25份。該坩堝涂層具有高純度、高強度、高致密度及易脫模性能；還公開了上述坩堝涂層的制備方法，(1)按計量比選取上述原料，混勻制成漿料；(2)將漿料涂布于坩堝內(nèi)壁形成坩堝涂層的胚膜；(3)在反應氣氛中將坩堝涂層經(jīng)含有烘干、脫蠟、預燒、燒結(jié)、保溫和降溫的處理工序后得晶體硅鑄造用坩堝涂層。該方法工藝簡單，成本低，在提高涂層強度的同時不引入或極少量引入雜質(zhì)元素，能夠滿足準單晶鑄錠高溫度梯度及嚴厲的長晶條件以及普通多晶硅鑄造的要求。
文檔編號C30B35/00GK102229502SQ20111015530
公開日2011年11月2日 申請日期2011年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月10日
發(fā)明者尹長浩, 張華利, 鐘根香, 黃新明 申請人:東海晶澳太陽能科技有限公司, 晶澳(合肥)新能源有限公司