專利名稱：工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置及其使用方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置及其使用方法，尤其涉及一種分離等離子發(fā)生氣體和工程氣體，發(fā)生等離子并提高其穩(wěn)定性的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置及其使用方法。
背景技術：
大氣壓等離子裝置，尤其是介質阻擋放電(Deolectric Barrier Discharge)裝置的結構或電極結構雖然存在差異，但是都是通過將為發(fā)生等離子并使其穩(wěn)定化而使用的氣體(氬、氦等)及用于蝕刻或光刻等的工程氣體混合后供向等離子裝置方式來進行的。也就是說，現有的大氣壓等離子裝置或大氣壓輝光放電系統(tǒng)，因不易生成用于工程氣體的等離子，所以為了發(fā)生等離子及使其穩(wěn)定化，需要混入大量的氬、氦或干潔氣源，并將其供入等離子裝置，從而生成用于加工工程的等離子。 但是，大氣壓下的等離子放電，尤其是兆赫以上的高頻放電中，與氬等等離子發(fā)生氣體相比，工程氣體的放電非常難。為了解決上述問題，使等離子發(fā)生氣體和工程氣體開始就混合在一起并注入，但這也很難使等離子發(fā)生并穩(wěn)定下來，工程條件也需隨時改變，存在諸多問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置及其使用方法。分別注入等離子發(fā)生氣體和工程氣體，從而使等離子發(fā)生更加容易并可提高其穩(wěn)定性。本發(fā)明解決上述技術問題的技術方案如下提供一種工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置。所述工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置包括接地并下部開放的外殼；在所述外殼內部與所述外殼隔開配置的分段射頻電極；向所述分段射頻電極供電的供電部；配置在所述外殼內部，將所述分段射頻電極固定在所述外殼上，并將所述外殼與所述分段射頻電極隔開的絕緣體；在所述外殼側面下部和所述分段射頻電極側面下部形成相互隔開并相對的放電空間，在所述放電空間內，分別供入等離子發(fā)生氣體和工程氣體，所述等離子發(fā)生氣體和所述工程氣體通過不同的通路分別供向所述放電空間。供給所述等離子發(fā)生氣體的第一供給部與所述放電空間的距離要大于供給所述工程氣體的第二供給部與所述放電空間的距離。所述外殼的內側面和所述絕緣體相互隔開，與所述放電空間連通，所述外殼的內側面與絕緣體之間的間距要小于所述放電空間的間距，所述第一供給部在所述外殼與所述絕緣體之間，供給所述等離子發(fā)生氣體，并通過所述外殼和所述絕緣體之間的間距，向所述放電空間移動，所述第二空間部直接將所述工程氣體供入所述放電空間。所述第一供給部由在所述外殼的側面上部或上面，橫向貫通的第一供給管及在所述外殼上形成，將所述第一供給管連至所述外殼內部，至少兩個第一噴射管形成。
所述第二供給部由在所述外殼的側面下部，橫向貫通的第二供給管及在所述外殼上形成，將所述第二供給管連至所述外殼內部，至少兩個第二噴射管形成。所述外殼、所述分段射頻電極、所述絕緣體、所述第一供給部及所述第二供給部前后左右對稱。所述第一噴射管與所述絕緣體相對，向所述絕緣體與所述外殼之間供給所述等離子發(fā)生氣體，所述第二噴射管與所述分段射頻電極相對，向所述放電空間供給所述工程氣體。所述第一供給部由在所述外殼的側面上部或上面，橫向貫通的第三供給管及在所述外殼上形成，將所述第三供給管連至所述外殼內部，至少兩個第三噴射管形成。所述第二供給部由橫向貫通所述絕緣體的第四供給管及在所述絕緣體上形成，將所述第四供給管連至所述外殼內部，至少兩個第四噴射管形成。所述外殼、所述分段射頻電極、所述絕緣體、所述第一供給部及所述第二供給部前后左右對稱，所述第三噴射管與所述絕緣體相對，向所述絕緣體與所述外殼之間供給所述 等離子發(fā)生氣體，所述第四噴射管與所述放電空間相對，開放形成，直接向所述放電空間供給所述工程氣體。在所述絕緣體的側面形成至少一個以上、按照一定的間隔隔開并突出而成的引導突起，所述引導突起與所述外殼的內側面相接。本發(fā)明解決上述技術問題的另一技術方案如下提供一種工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置的使用方法。所述工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置的使用方法使用一種工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置，所述工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置包括接地并下部開放的外殼；在所述外殼內部與所述外殼隔開配置的分段射頻電極；向所述分段射頻電極供電的供電部；配置在所述外殼內部，將所述分段射頻電極固定在所述外殼上，并將所述外殼與所述分段射頻電極隔開的絕緣體。在所述外殼側面下部和所述分段射頻電極側面下部形成相互隔開并相對的放電空間，在所述放電空間內，分別供入等離子發(fā)生氣體和工程氣體，所述等離子發(fā)生氣體和所述工程氣體通過不同的通路分別供向所述放電空間。先提供所述等離子發(fā)生氣體，發(fā)生等離子，并使其穩(wěn)定后，提供所述工程氣體。具體地，首先，通過第一供給管供給等離子發(fā)生氣體，從供電部向分段射頻電極供電；
通過第一供給管供給的等離子發(fā)生氣體，再通過至少一個第一噴射管噴在絕緣體上面，并再通過在絕緣體側面上形成的引導突起之間而移至下部；
通過引導突起之間移至放電空間的等離子發(fā)生氣體，因在供電的分段射頻電極和外殼之間，從而放電，發(fā)生等離子并穩(wěn)定后，通過第二供給部供給工程氣體；
工程氣體通過第二供給管，途經第二噴射管，直接噴向在外殼側面下部的放電空間?；蛘?，首先，通過第三供給管供給等離子發(fā)生氣體，從供電部向分段射頻電極供電；
通過第三供給管供給的等離子發(fā)生氣體，再通過至少一個第三噴射管噴在絕緣體側面，并移至放電空間；
通過放電空間移動的等離子發(fā)生氣體，因在供電的分段射頻電極和接地電極之間，從而放電，發(fā)生等離子并穩(wěn)定后，通過第二供給部供給工程氣體；
工程氣體通過第四供給管，途經第四噴射管，直接噴向絕緣體下方的放電空間。
本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置及其使用方法，通過第一供給部和第二供給部，分別獨立的注入等離子發(fā)生氣體和工程氣體，尤其是在注入等離子發(fā)生氣體后注入工程氣體，從而使等離子更易于發(fā)生，并可使其穩(wěn)定，使工程氣體更便于使用。


圖I是本發(fā)明第一實施方式的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置的立體 圖2是本發(fā)明第一實施方式的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置一方向的分解立體 圖3是本發(fā)明第一實施方式的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置另一方向的分解立體圖；
圖4是圖I沿A-A方向的截面 圖5是圖I沿B-B方向的截面 圖6是圖4沿C-C方向的截面 圖7是本發(fā)明第二實施方式的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置的立體
圖8是本發(fā)明第二實施方式的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置一方向的分解立體 圖9是本發(fā)明第二實施方式的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置另一方向的分解立體圖10是圖7 D-D方向的截面圖11是圖7 E-E方向的截面圖12是圖10 F-F方向的截面圖。
具體實施例方式實施方式I
圖I是本發(fā)明第一實施方式的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置的立體圖；圖2是本發(fā)明第一實施方式的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置一方向的分解立體圖；圖3是本發(fā)明第一實施方式的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置另一方向的分解立體圖；圖4是圖I沿A-A方向的截面圖；圖5是圖I沿B-B方向的截面圖；圖6是圖4沿C-C方向的截面圖。如圖I至圖6所示，本發(fā)明的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置，包括外殼110、分段射頻電極120、供電部125、絕緣體130、第一供給部140和第二供給部150。外殼110為長方體，內部形成空的空間，下部開放。外殼110與接地線連接。分段射頻電極120配置在外殼110的內部,與外殼110隔開設置。分段射頻電極120是為了發(fā)生等離子而供電的電極。供電部125向分段射頻電極120供電。在本實施方式中，供電部125使用另外的接頭在外殼Iio的上面，貫通絕緣體130，連接在分段射頻電極120上。絕緣體130配置在外殼110內部，將分段射頻電極120固定在外殼110內，同時使分段射頻電極120與外殼110隔開。絕緣體130與分段射頻電極120和外殼110 —樣，橫向形成，可大面積的發(fā)
生等離子。分段射頻電極120通過絕緣體130的下部插入后，絕緣體130的上部和分段射頻電極120的上部，通過另外的連接方法固定結合。安裝有分段射頻電極120的絕緣體130，通過外殼110的下部插入后，外殼110側面與絕緣體130的側面利用另外的連接方法固定結合。分段射頻電極120通過絕緣體130，安裝在外殼110的內部。 此時，分段射頻電極120與外殼110相互隔開，尤其是外殼110側面下部和分段射頻電極120的側面下部相互隔開，并彼此相對，形成放電空間160。放電空間160如圖4及圖6所示，在分段射頻電極120的外周面與外殼110的內周面之間的兩側形成。分段射頻電極120要向下突出于絕緣體130。如圖4所示，絕緣體130的下部和側面，與外殼110的內側面隔開，上述隔開的空間與放電空間160連通。此時，外殼110的內側面與絕緣體130之間所隔開的間距要小于放電空間160的間距。在絕緣體130的外側面上，分段射頻電極120的插入方向，即等離子噴出方向上，突出形成至少兩個引導突起135，引導突起135按照一定的距離隔開。上述引導突起135與外殼110的內側面相接。第一供給部140供給等離子發(fā)生氣體，在外殼110上形成。等離子發(fā)生氣體為氬、氦等。第一供給部140由第一供給管141和第一噴射管142構成。第一供給管141在外殼110的上面，橫向貫通形成。從外部向第一供給管141供給等離子發(fā)生氣體，因此第一端或/及另一端向外殼HO的外部開放。也可以與實施方式不同，第一供給管141也可以在外殼110的側面兩側上部，沿橫向貫通形成。第一噴射管142至少有一個以上形成，并形成在外殼110上，使第一供給管141連至外殼110的內部。如圖5所示，第一供給管141在外殼110上面的中心部橫向形成，第一噴射管142在外殼110的上面向下形成，使第一供給管141與外殼110內部相互連通。第一噴射管142在外殼110的上面形成，因此如圖4及圖5所示，絕緣體130與其相對，第一噴射管142向絕緣體130與外殼110之間供給等離子發(fā)生氣體。通過第一供給管141供給等離子發(fā)生氣體時，等離子發(fā)生氣體通過第一噴射管142在外殼110與絕緣體130之間噴射，并通過外殼110與絕緣體130之間的間距，移向放電空間160。此時，第一噴射管142沿外殼110的橫向方向，由至少一個以上形成，通過第一噴射管142所噴射的等離子發(fā)生氣體可均勻地噴射在外殼110與絕緣體130之間。在外殼110內側面與絕緣體130之間的間距非常小，且保持一定距離，因此通過第一噴射管142所噴射的等離子發(fā)生氣體，可通過外殼110的內側面和絕緣體130之間的間距,被均勻地移向放電空間160。第二供給部150與第一供給部140不同，可直接將工程氣體供向放電空間160。也就是說，第一供給部140不能直接將等離子氣體供向放電空間160，只能在供向外殼110和絕緣體130之間后，移向放電空間160。但是相反，第二供給部150則可以直接將工程氣體供向放電空間160。在放電空間160內，等離子氣體和工程氣體分別通過不同的途徑被供入。上述工程氣體為六氟化硫、四氟化碳、氯氣、氧氣、三氟化氮等。供給等離子發(fā)生氣體的第一供給部140，與供給工程氣體的第二供給部150相t匕，其與放電空間160的距離要更遠。如圖4及圖6所示，第二供給部150由第二供給管151和第二噴射管152構成。 第二供給管151在外殼110的下面，橫向貫通形成。第二供給管151為兩個，在外殼110的兩側下部橫向貫通形成。因需從外部供向第二供給管151的工程氣體，所以其一端或/及另一端向外殼110外部開放。第二噴射管152有至少一個以上形成，且形成在外殼110的側面，將第二供給管151連至外殼110的內部。第二供給管151在外殼110的側面下部，橫向形成。第二噴射管152在外殼110的側面下部內側方向形成，將第二供給管152連至外殼110的內部。第二噴射管152在外殼110的側面下部形成，與分段射頻電極120相對，因此第二噴射管152可向在分段射頻電極120與外殼110之間形成的放電空間160供給
工程氣體。當工程氣體通過第二供給管151供給時，工程氣體可通過第二噴射管152直接噴向放電空間160。此時，第二噴施管152沿外殼110的橫向方向，由至少一個以上形成。通過第二噴射管152所噴射的工程氣體可直接噴向在外殼110與分段射頻電極120只見形成的放電空間160。上述外殼110、分段射頻電極120、絕緣體130、第一供給部140及第二供給部150前后左右對稱，因此可將放電空間160上發(fā)生的等離子氣體均勻地噴出。接下來，詳細說明本發(fā)明實施方式的運作過程。首先，通過第一供給管141供給等離子發(fā)生氣體，從供電部125向分段射頻電極120供電。通過第一供給管141供給的等離子發(fā)生氣體，再通過至少兩個第一噴射管142噴在絕緣體130上面，并再通過在絕緣體130側面上形成的引導突起135之間而移至下部。通過引導突起130之間移至放電空間160的等離子發(fā)生氣體，因在供電的分段射頻電極120和外殼110之間，從而放電，發(fā)生等離子。上述等離子發(fā)生氣體和工程氣體不混合，在僅供給等離子氣體的狀態(tài)下放電，因此放電更加容易。
因等離子放電氣體而使等離子發(fā)生并穩(wěn)定后，通過第二供給部150供給工程氣體。工程氣體通過第二供給管151，途經第二噴射管152，直接噴向在外殼110側面下部的放電空間160。上述工程氣體的噴射時，因等離子發(fā)生氣體已經發(fā)生等離子，且等離子已穩(wěn)定，因此在注入工程氣體時，工程更加容易，可提高工程氣體的加工效率。實施方式2
圖7是本發(fā)明第二實施方式的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置的立體圖；圖8是本發(fā)明第二實施方式的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置一方向的分解立體圖；圖9是本發(fā)明第二實施方式的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置另一方向的分解立體圖；圖10是圖7沿D-D方向的截面圖；圖11是圖7沿E-E方向的截面圖；圖12 是圖10沿F-F方向的截面圖。如圖7至圖12所示，本發(fā)明的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置，包括外殼110、分段射頻電極120、供電部125、絕緣體130、第一供給部140和第二供給部150。外殼110為長方體，橫向形成，內部形成空的空間，下部開放。外殼110在實施方式I中由一個構成，但在實施方式2中由兩個構成。在本實施方式中，上述外殼110分為外殼本體111和接地電極部115。上述外殼本體111為長方體，橫向形成，內部形成空的空間，下部開放。接地電極部115與外殼本體111的下部結合，并與接地線連接。分段射頻電極120在外殼110內周面，具體地說，與接地電極部115隔開配置，絕緣體130使分段射頻電極120與外殼110結合，并使分段射頻電極120與外殼110不相互接觸。如圖10所示，絕緣體130與外殼本體111的內側面略微隔開，如后述，通過第三噴射管144噴出的等離子發(fā)生氣體可移至放電空間160。上述外殼110、分段射頻電極120、供電部125及絕緣體130如第一實施方式所述，在此不做另外說明。第一供給部140供給等離子發(fā)生氣體，形成在外殼110上。上述第一供給部140由第三供給管143和第三噴射管144構成。第三供給管143如圖12所示，在外殼本體111的兩側上，沿橫向方向貫通形成。從外部向第三供給管143供給等離子發(fā)生氣體，因此其一端或/及另一端向外殼本體111外部開放。也可以與實施方式不同，第三供給管143也可以在外殼本體111的側面兩側上部，沿橫向貫通形成。第三噴射管144至少有一個以上形成，并形成在外殼本體111上，使第三供給管143連至外殼本體111的內部。在本實施方式中，第三供給管143在外殼本體111側面兩側沿橫向形成，第三噴射管144在外殼本體11的側面兩側，向內側方向形成，將第三供給管143連至外殼本體111的內部。
第三噴射管144在外殼本體111上形成，因此與絕緣體130相對，如圖10及圖12所不，第三噴射管144將等尚子發(fā)生氣體供向絕緣體130與外殼本體111之間。此時，絕緣體130的側面與外殼本體111的內側面有略微的間距隔開，通過第三供給管143供給等離子發(fā)生氣體時，等離子發(fā)生氣體通過第三噴射管144，噴向外殼本體111和絕緣體130之間，然后再通過外殼本體111與絕緣體130之間的間距移至放電空間160。此時，第三噴射管144沿外殼本體111的橫向方向，由至少一個以上形成，通過第三噴射管144噴射的等離子發(fā)生氣體可均勻地噴向外殼本體111和絕緣體130之間的空間。外殼110的內側面，具體地說，外殼本體111和絕緣體130之間的間距非常小，且保持一定距離，因此通過第三噴射管144噴射的等離子發(fā)生氣體，可通過外殼本體111內側面與絕緣體130之間的間距而被均勻地噴向放電空間160。
第二供給部150與第一供給部140不同，可直接將工程氣體噴至放電空間160。也就是說，第一供給部140不能直接將等離子氣體供向放電空間160，只能在供向外殼本體111和絕緣體130之間后，移向放電空間160。但是相反，第二供給部150貝IJ可以直接將工程氣體供向放電空間160。在放電空間160內，等離子氣體和工程氣體分別通過不同的途徑被供入。供給等離子發(fā)生氣體的第一供給部140，與供給工程氣體的第二供給部150相t匕，其與放電空間160的距離要更遠。第二供給部150由第四供給管153和第四噴射管154構成。第四供給管153橫向貫通絕緣體130，與第三供給管143橫向平行。第四供給管153由兩個形成，分別橫向貫通絕緣體130的兩側下部。因需從外部供向第四供給管153的工程氣體，所以其一端或/及另一端絕緣體130外部開放。第四噴射管154有至少一個以上形成，且形成在絕緣體130的下面，將第四供給管153連至外殼110的內部。第四供給管154在絕緣體130的側面下部，橫向形成。第四噴射管154在絕緣體130的側面下部內側方向形成，將第四供給管153連至外殼110的內部。第四噴射管154在絕緣體130的側面下部形成，如圖10所示，與放電空間160上部相對，因此第四噴射管154可向在分段射頻電極120與外殼110的接地電極部115之間形成的放電空間160供給工程氣體。當工程氣體通過第四供給管153供給時，工程氣體可通過第四噴射管154直接噴向放電空間160。此時，第四噴施管154沿絕緣體130的橫向方向，由至少一個以上形成。通過第四噴射管154所噴射的工程氣體可直接噴向在接地電極部115與分段射頻電極120只見形成的放電空間160。上述外殼110、分段射頻電極120、絕緣體130、第一供給部140及第二供給部150前后左右對稱，因此可將放電空間160上發(fā)生的等離子氣體均勻地噴出。
接下來，詳細說明本實施方式中，本發(fā)明的運作過程。首先，通過第三供給管143供給等離子發(fā)生氣體，從供電部125向分段射頻電極120供電。通過第三供給管143供給的等離子發(fā)生氣體，再通過至少兩個第三噴射管144噴在絕緣體130側面，并移至放電空間160。通過放電空間160移動的等離子發(fā)生氣體，因在供電的分段射頻電極120和接地電極115之間，從而放電，發(fā)生等離子。
上述等離子發(fā)生氣體和工程氣體不混合，在僅供給等離子氣體的狀態(tài)下放電，因此放電更加容易。因等離子放電氣體而使等離子發(fā)生并穩(wěn)定后，通過第二供給部150供給工程氣體。工程氣體通過第四供給管153，途經第四噴射管154，直接噴向絕緣體130下方的放電空間160。上述工程氣體的噴射時，因等離子發(fā)生氣體已經發(fā)生等離子，且等離子已穩(wěn)定，因此在注入工程氣體時，工程更加容易，可提高工程氣體的加工效率。上述實施方式僅為說明本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神及原則之內，所作的任何改進、等同替換、修改等，均在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.ー種工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置，其特征在于所述工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置包括接地并下部開放的外殼；在所述外殼內部與所述外殼隔開配置的分段射頻電扱；向所述分段射頻電極供電的供電部；配置在所述外殼內部，將所述分段射頻電極固定在所述外殼上，并將所述外殼與所述分段射頻電極隔開的絕緣體；在所述外殼側面下部和所述分段射頻電極側面下部形成相互隔開并相対的放電空間，在所述放電空間內，分別供入等離子發(fā)生氣體和工程氣體，所述等離子發(fā)生氣體和所述工程氣體通過不同的通路分別供向所述放電空間。
2.根據權利要求I所述的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置，其特征在干 供給所述等離子發(fā)生氣體的第一供給部與所述放電空間的距離要大于供給所述工程氣體的第二供給部與所述放電空間的距離。
3.根據權利要求2所述的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置，其特征在干所述外殼的內側面和所述絕緣體相互隔開，與所述放電空間連通；及 所述外殼的內側面與絕緣體之間的間距要小于所述放電空間的間距，所述第一供給部在所述外殼與所述絕緣體之間，供給所述等離子發(fā)生氣體，并通過所述外殼和所述絕緣體之間的間距，向所述放電空間移動，所述第二空間部直接將所述工程氣體供入所述放電空間。
4.根據權利要求3所述的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置，其特征在干所述第一供給部由在所述外殼的側面上部或上面，橫向貫通的第一供給管及在所述外殼上形成，將所述第一供給管連至所述外殼內部，至少兩個第一噴射管形成；及所述第二供給部由在所述外殼的側面下部，橫向貫通的第二供給管及在所述外殼上形成，將所述第二供給管連至所述外殼內部，至少兩個第二噴射管形成；及所述外殼、所述分段射頻電極、所述絕緣體、所述第一供給部及所述第二供給部前后左右對稱；及 所述第一噴射管與所述絕緣體相對，向所述絕緣體與所述外殼之間供給所述等離子發(fā)生氣體，所述第二噴射管與所述分段射頻電極相對，向所述放電空間供給所述工程氣體。
5.根據權利要求3所述的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置，其特征在干所述第一供給部由在所述外殼的側面上部或上面，橫向貫通的第三供給管及在所述外殼上形成，將所述第三供給管連至所述外殼內部，至少兩個第三噴射管形成 '及所述第二供給部由橫向貫通所述絕緣體的第四供給管及在所述絕緣體上形成，將所述第四供給管連至所述外殼內部，至少兩個第四噴射管形成；及所述外殼、所述分段射頻電極、所述絕緣體、所述第一供給部及所述第二供給部前后左右對稱；及 所述第三噴射管與所述絕緣體相對，向所述絕緣體與所述外殼之間供給所述等離子發(fā)生氣體，所述第四噴射管與所述放電空間相對，開放形成，直接向所述放電空間供給所述エ程氣體。
6.根據權利要求4或5所述的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置，其特征在于在所述絕緣體的側面形成至少ー個以上、按照一定的間隔隔開并突出而成的引導突起，所述引導突起與所述外殼的內側面相接。
7.—種工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置的使用方法，其特征在于所述工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置的使用方法使用ー種工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置，所述工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置包括接地并下部開放的外殼；在所述外殼內部與所述外殼隔開配置的分段射頻電扱；向所述分段射頻電極供電的供電部；配置在所述外殼內部，將所述分段射頻電極固定在所述外殼上，并將所述外殼與所述分段射頻電極隔開的絕緣體；在所述外殼側面下部和所述分段射頻電極側面下部形成相互隔開并相對的放電空間，在所述放電空間內，分別供入等離子發(fā)生氣體和工程氣體，所述等離子發(fā)生氣體和所述工程氣體通過不同的通路分別供向所述放電空間；及 先提供所述等離子發(fā)生氣體，發(fā)生等離子，并使其穩(wěn)定后，提供所述工程氣體。
8.根據權利要求7所述的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置的使用方法，其特征在干首先，通過第一供給管供給等離子發(fā)生氣體，從供電部向分段射頻電極供電； 通過第一供給管供給的等離子發(fā)生氣體，再通過至少ー個第一噴射管噴在絕緣體上面，并再通過在絕緣體側面上形成的引導突起之間而移至下部； 通過引導突起之間移至放電空間的等離子發(fā)生氣體，因在供電的分段射頻電極和外殼之間，從而放電，發(fā)生等離子并穩(wěn)定后，通過第二供給部供給工程氣體； 工程氣體通過第二供給管，途經第二噴射管，直接噴向在外殼側面下部的放電空間。
9.根據權利要求7所述的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置的使用方法，其特征在于首先，通過第三供給管供給等離子發(fā)生氣體，從供電部向分段射頻電極供電； 通過第三供給管供給的等離子發(fā)生氣體，再通過至少ー個第三噴射管噴在絕緣體側面，并移至放電空間； 通過放電空間移動的等離子發(fā)生氣體，因在供電的分段射頻電極和接地電極之間，從而放電，發(fā)生等離子并穩(wěn)定后，通過第二供給部供給工程氣體； 工程氣體通過第四供給管，途經第四噴射管，直接噴向絕緣體下方的放電空間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置及其使用方法。本發(fā)明的工程氣體分離供給型大氣壓等離子裝置包括接地并下部開放的外殼；在所述外殼內部與所述外殼隔開配置的分段射頻(RF)電極；向所述分段射頻電極供電的供電部；配置在所述外殼內部，將所述分段射頻電極固定在所述外殼上，并將所述外殼與所述分段射頻電極隔開的絕緣體。在所述外殼側面下部和所述分段射頻電極側面下部形成相互隔開并相對的放電空間，在所述放電空間內，分別供入等離子發(fā)生氣體和工程氣體，所述等離子發(fā)生氣體和所述工程氣體通過不同的通路分別供向所述放電空間。
文檔編號H05H1/30GK102802336SQ201110138718
公開日2012年11月28日 申請日期2011年5月26日 優(yōu)先權日2011年5月26日
發(fā)明者樸鐘仁 申請人:株式會社 Biemt