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電子組件的制作方法

文檔序號:8042960閱讀:121來源:國知局

專利名稱::電子組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
:說明一種電子組件以及一種具有電子組件的光電子裝置。
發(fā)明內(nèi)容本專利申請要求德國專利申請102009032253.1的優(yōu)先權(quán),其公開內(nèi)容通過回引結(jié)合于此。要解決的任務(wù)在于,說明一種電子組件,該電子組件使得能夠在視覺上檢查(kontrollieren)該組件的電連接端子的焊接接觸。根據(jù)至少一個實施方式,所述電子組件包括基體。基體例如可以是SMD殼(surfacemountabledevice(可表面安裝設(shè)備))。基體具有上側(cè)以及與上側(cè)相對的下側(cè)。在所述上側(cè)和下側(cè)處分別構(gòu)造有通過基體的外表面的一部分構(gòu)成的面。下側(cè)處的面在此表示基體的、在安裝狀態(tài)下朝向接觸載體(例如電路板)的外表面。根據(jù)至少一個實施方式,基體在其下側(cè)處具有連接位置。所述組件的連接位置在此被設(shè)置用于電接觸該組件。優(yōu)選地,在組件的下側(cè)處的連接位置可以從外部到達,其中組件的下側(cè)同時是基體的下側(cè)。也就是說,在組件的下側(cè)處可電接觸該組件。根據(jù)至少一個實施方式,電子器件在基體處布置在基體的上側(cè)處。該電子器件例如可以與基體上側(cè)處的面?zhèn)鲗?dǎo)地連接。為此可以將電子器件接合、焊接或者導(dǎo)電粘合到該面上。所述電子器件可以是接收輻射的或發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。所述半導(dǎo)體芯片例如是發(fā)亮二極管芯片,諸如發(fā)光二極管芯片或激光二極管芯片。根據(jù)至少一個實施方式,所述基體具有至少一個側(cè)面,該至少一個側(cè)面具有帶有第一區(qū)域和第二區(qū)域的至少一個檢查位置。所述側(cè)面是組件的如下面所述面從側(cè)面包圍下側(cè)處的面并且例如在與該面垂直的方向上延伸。所述側(cè)面從下側(cè)延伸到上側(cè)并且因此連接上側(cè)和下側(cè)處的面。所述至少一個檢查位置優(yōu)選可從外部到達,并且例如對于外部觀察者來說是可自由地看到的?!翱勺杂傻乜吹健痹诖艘馕吨?,可以從外部在視覺上檢查所述檢查位置,而在組件被安裝在接觸載體上時無需覆蓋或遮蓋檢查位置的部分?!皡^(qū)域”在該上下文中是至少局部地形成和構(gòu)成側(cè)面的表面。優(yōu)選地,所述檢查位置完全由第一和第二區(qū)域構(gòu)成。換句話說,所述檢查位置是側(cè)面的部分并且本身劃分成兩個區(qū)域。所述檢查位置是側(cè)面的一部分,該部分與側(cè)面的其余部分例如在材料方面不同。根據(jù)至少一個實施方式,所述第二區(qū)域構(gòu)造為第一區(qū)域中的凹處。換句話說,所述“凹處”是第一區(qū)域中的例如凹口或凹入部的凹陷。第二區(qū)域被第一區(qū)域至少局部地在側(cè)面包圍。第二區(qū)域例如被第一區(qū)域完全包圍。根據(jù)至少一個實施方式,第一和第二區(qū)域包含不同的材料?!安煌摹痹诖艘馕吨?,用來分別構(gòu)成第一和第二區(qū)域的材料不是相同的。例如,第二區(qū)域可以通過附加的鍍層而與第一區(qū)別相區(qū)別。根據(jù)所述電子組件的至少一個實施方式,所述電子組件具有基體,該基體具有上側(cè)以及與上側(cè)相對的下側(cè),其中所述基體在其下側(cè)具有連接位置。電子器件在基體處布置在基體的上側(cè)處。另外,所述基體具有至少一個側(cè)面,該至少一個側(cè)面具有帶有第一區(qū)域和第二區(qū)域的至少一個檢查位置,其中第二區(qū)域構(gòu)造為第一區(qū)域中的凹處。第一和第二區(qū)域包含不同的材料。這里所述的電子組件在此尤其是基于如下認(rèn)識,即當(dāng)所述電子組件位于接觸載體(例如電路板)上時,布置在電子組件的下側(cè)處的連接位置不能從外部看到。所述連接位置于是被電子組件的基體覆蓋。例如,因此不能關(guān)于連接位置是否被連接材料充分浸潤的方式來檢查所述連接位置。另外不能保證的是,所述電子組件的連接位置是否還與接觸載體電接觸和/或機械連接?,F(xiàn)在為了能夠檢查組件的連接位置是否被連接材料充分浸潤,這里所述的組件利用這樣的想法,即使用具有至少一個側(cè)面的基體,該至少一個側(cè)面具有至少一個檢查位置。所述檢查位置具有第一區(qū)域和第二區(qū)域。如果現(xiàn)在使連接位置以及至少一個檢查位置都與連接材料接觸并且在連接材料與檢查位置之間顯示出充分的浸潤和物理/化學(xué)穩(wěn)定的連接,則所述連接位置也被連接材料充分浸潤并且因此在硬化以后例如與接觸載體電氣和機械穩(wěn)定地連接。因此如果在接觸載體上施加電子組件,則所述檢查位置使得能夠借助于可視的檢查來斷定,所述連接位置是否同樣被連接材料充分浸潤。根據(jù)至少一個實施方式,與第一區(qū)域相比,第二區(qū)域能被連接材料更強地浸潤。也就是說,連接材料與第二區(qū)域比與第一區(qū)域達到更強的物理和/或化學(xué)連接,并且因此連接材料在施加到第二區(qū)域上時例如不會“脫落(abperlen)”。在硬化以后,連接材料與第二區(qū)域更強地連接,從而例如連接材料與第二區(qū)域之間的連接位置比連接材料與第一區(qū)域之間的連接位置承受更大的外部機械負荷。所述連接材料可以例如是焊劑。于是,焊劑例如用無鉛的或含鉛的焊錫構(gòu)成。同樣可能的是,連接材料用粘合劑構(gòu)成。所述粘合劑例如是銀導(dǎo)電粘合劑。根據(jù)至少一個實施方式,所述基體具有金屬載體。所述載體可以是金屬的載體帶(也稱為Leadframe(引線框))。所述載體帶于是例如用兩個帶狀的金屬帶構(gòu)成。所述金屬載體例如可以用銅構(gòu)成。同樣可能的是,所述金屬載體用材料鎳、鈀、銀中的一種或多種材料或者所述材料連同銅的混合物構(gòu)成。根據(jù)至少一個實施方式,所述金屬載體局部地被輻射不能透過的殼體覆蓋。于是,所述金屬載體和殼體優(yōu)選地構(gòu)成所述基體。“覆蓋”在該上下文中表示,所述殼體局部地與金屬載體直接接觸并且因此在金屬載體與殼體之間的位置處既不構(gòu)造裂縫也不構(gòu)造斷開?!拜椛洳荒芡高^”在此表示,殼體對于射到其上的電磁輻射有80%、優(yōu)選有90%是不能透過的。所述殼體可以用熱固性的或者熱塑性的材料、例如環(huán)氧化物構(gòu)成,或者還可以用陶瓷材料構(gòu)成,或者由這樣的材料組成??梢詫⒏郊拥奈蛰椛涞牟牧?、例如炭黑顆粒或其他填料置入到所述材料中。根據(jù)至少一個實施方式,所述殼體將金屬載體和檢查位置彼此機械連接。因此有利地提供了相對于例如外部機械作用特別穩(wěn)定的組件。另外,由于所述殼體,可以將金屬載體和檢查位置彼此穩(wěn)定在其位置中。另外,所述殼體是電絕緣的并且布置在所述金屬載體與檢查位置之間。根據(jù)至少一個實施方式,所述金屬載體和/或檢查位置至少部分地嵌入到殼體4中??梢哉f,除了所述連接位置和針對電子器件的安裝區(qū)域之外所述金屬載體被所述殼體包圍。也就是說,所述殼體優(yōu)選地至少局部形狀匹配地包圍所述組件的連接位置。優(yōu)選地,所述連接位置于是與殼體豎直齊平地接界?!柏Q直”在此表示在這樣的平面上延伸的方向,所述平面與基體下側(cè)處的面垂直地或基本上垂直地延伸。也就是說,所述連接位置位于基體的下側(cè)處并且不超出殼體。在此,所述連接位置優(yōu)選具有一個面,經(jīng)由該面可從組件的外部電接觸這些連接位置。于是,所述連接位置至少在該連接面處不被殼體包圍。根據(jù)至少一個實施方式,所述連接位置和檢查位置用相同的材料構(gòu)成。例如,所述連接位置和檢查位置用銅構(gòu)成,其中在第二區(qū)域中的連接位置和檢查位置于是附加地配備有金屬鍍層、例如金或銀鍍層。如果第二區(qū)域中的檢查位置被連接材料充分地浸潤,則這使得能夠斷定,在附加地使連接位置與連接材料接觸之后,連接位置也被充分地浸潤。根據(jù)至少一個實施方式,所述基體用陶瓷材料構(gòu)成。如果所述基體完全地用陶瓷材料構(gòu)成,則下側(cè)處的面至少局部地用可電接觸的材料(例如金屬)鍍層,其中被鍍層的位置于是構(gòu)造了連接位置。于是,所述基體另外可以具有用于接觸電子器件的芯片連接位置以及印制導(dǎo)線。根據(jù)至少一個實施方式,基體的至少一個側(cè)面局部地借助于分隔來產(chǎn)生。尤其是,所述側(cè)面的輪廓形狀因此不通過澆注或壓制過程產(chǎn)生,而是借助于成型體的分隔過程來產(chǎn)生。所述分隔可以例如借助于鋸、切割、銑或者制造斷裂面并且緊接著折斷來進行。殼體的側(cè)面因此借助于材料損耗(Materialabtrag)產(chǎn)生。于是所述側(cè)面優(yōu)選具有材料損耗的痕跡。如果基體用金屬載體構(gòu)成并且在制造所述電子組件時既穿過殼體又穿過該金屬載體進行分隔、切割或者折斷,則該金屬載體的側(cè)面在橫向上與殼體齊平地接界。“橫向”在此表示在如下平面中延伸的方向,所述平面平行于或者基本上平行于下側(cè)處的面延伸。所述側(cè)面于是既局部地穿過殼體又局部地穿過金屬載體構(gòu)成。于是,載體的被穿過而進行分隔的位置可以構(gòu)造檢查位置。但是優(yōu)選地,在分隔時不穿過檢查位置的第二區(qū)域進行分隔,從而第二區(qū)域不具有分隔的痕跡,例如不具有材料損耗的痕跡。根據(jù)至少一個實施方式,檢查位置的第一區(qū)域用金屬構(gòu)成。在該上下文中可以設(shè)想,所述基體具有金屬載體。根據(jù)至少一個實施方式,檢查位置的第一區(qū)域用陶瓷材料構(gòu)成。于是優(yōu)選地,基體也完全用陶瓷材料構(gòu)成。根據(jù)至少一個實施方式,檢查位置的第二區(qū)域具有金屬鍍層。優(yōu)選地,連接位置以及檢查位置的第二區(qū)域都配備有金屬鍍層。優(yōu)選地,檢查位置的第二區(qū)域和連接位置的金屬鍍層用相同的材料構(gòu)成。該金屬鍍層有利地實現(xiàn)了用連接材料的可浸潤性的調(diào)整、例如提高。所述金屬鍍層例如是優(yōu)選用銀或金構(gòu)成的層。另外,說明一種具有電子組件的光電子裝置。根據(jù)光電子裝置的至少一個實施方式,光電子裝置具有根據(jù)前述實施方式之一的電子組件。根據(jù)至少一個實施方式,所述光電子裝置具有用于電接觸電子組件的接觸載體,其中在接觸載體的表面處構(gòu)造有至少一個安裝區(qū)域。所述接觸載體可以例如是電路板,其中所述安裝區(qū)域于是是在其上安裝有所述電子組件的區(qū)域。所述安裝區(qū)域因此是接觸載體的表面的如下區(qū)域,該區(qū)域朝向所述電子組件并且所述電子組件放在該區(qū)域上。為此,所述5安裝區(qū)域可以至少局部地與所述電子組件機械接觸。優(yōu)選地,所述安裝區(qū)域與連接材料接觸,經(jīng)由該連接材料來電接觸所述電子組件。也就是說,所述連接材料于是至少局部地浸潤至少組件的連接位置并且因此也浸潤安裝區(qū)域的部分。根據(jù)至少一個實施方式,檢查位置的第二區(qū)域借助于連接材料穩(wěn)固接合地(stoffschlilssig)與安裝區(qū)域連接?!胺€(wěn)固接合”在此表示,在連接材料硬化以后,連接材料與第二區(qū)域達到固定連接,該固定連接例如針對外部的機械負荷也是穩(wěn)定的和能承載的。優(yōu)選地,連接材料與第二區(qū)域的材料于是達到物理的和/或化學(xué)的連接,從而在連接材料與第二區(qū)域之間既不構(gòu)造裂縫也不構(gòu)造斷開。尤其是,所述連接材料與第二區(qū)域不易斷開地連接。根據(jù)至少一個實施方式,所述連接位置可以從接觸載體的表面自由地看到。“自由地看到”在此表示,所述檢查位置可以從接觸載體的朝向電子組件的那側(cè)可視地檢查。例如,外部觀察者于是可以關(guān)于連接材料是否穩(wěn)固接合地與第二區(qū)域連接來檢查所述檢查位置。如果檢查位置的第二區(qū)域穩(wěn)固接合地與連接材料連接,則也就是說,電子組件的連接位置也穩(wěn)固接合地與連接材料連接。根據(jù)至少一個實施方式,所述連接材料是焊劑。如果所述連接材料是焊錫,則可以設(shè)想,檢查位置的第二區(qū)域配備有銀鍍層或金鍍層。優(yōu)選地,在金鍍層的情況下,例如在用銅構(gòu)成的金屬載體上借助于沉積技術(shù)例如無電流地將多個層的復(fù)合體例如在檢查位置的第二區(qū)域中沉積到金屬載體上。優(yōu)選地,該復(fù)合體從金屬載體出發(fā)在連接材料的方向上遵循層序列鎳/鈀/金。同樣可以設(shè)想,該復(fù)合體的層序列用其他材料構(gòu)成和/或與所述層序列不同。下面根據(jù)實施例和所屬附圖詳細闡述這里所述的電子組件以及這里所述的光電子裝置。圖la、lbja、2b、2c和4示出這里所述電子組件的實施例的示意圖。圖3和5分別在示意性俯視圖中示出用于制造這里所述的電子組件的載體復(fù)合體。圖6在示意性側(cè)視圖中示出這里所述的光電子裝置的實施例。具體實施例方式在實施例和附圖中,相同的或者作用相同的組成部分分別配備有相同的附圖標(biāo)記。所示元件不應(yīng)看作是按照比例的,更確切地說,為了更好的理解可以不同大小地示出各個元件。圖Ia在沿著截線A-A的示意性截面圖中示出這里所述的電子組件EBT的實施例?;w100具有上側(cè)IA和與上側(cè)相對的下側(cè)1B。另外,基體100具有金屬載體101。該金屬載體101在此可以例如用銅構(gòu)成。另夕卜,該金屬載體101局部地被輻射不能透過的殼體6覆蓋。載體101于是與殼體6—起形成基體100。根據(jù)圖Ia的實施例,除了芯片安裝區(qū)域之外殼體6完全地覆蓋基體100的上側(cè)IA處的面1AF。在基體100的下側(cè)IB處,殼體6與金屬載體101的連接位置Al,A2橫向上齊平地接界。也就是說,基體100的下側(cè)IB處的面IBF是平坦的,并且因此既不具有隆起也不具有凹陷或斷開,并且僅通過基體100的形狀來確定。連接位置Al和A2用于電接觸電子組件EBT。連接位置A1、A2可以從基體100的下側(cè)IB自由到達并且當(dāng)前用可電接觸的材料、例如銀鍍層或金鍍層來鍍層。在局部由載體101構(gòu)成的面IAF上,布置有電子器件2。該電子器件2借助于接合線接觸21與金屬載體101電接觸。該電子器件2可以是接收輻射的或者發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。該半導(dǎo)體芯片例如是發(fā)亮二極管芯片,諸如發(fā)光二極管芯片或者激光二極管芯片。另外,基體100具有側(cè)面3,所述側(cè)面3借助于分隔產(chǎn)生。該分隔例如可以借助于鋸、切割、銑、制造斷裂面并且緊接著折斷或者制造其它形式的材料損耗來進行。基體的側(cè)面3于是借助于材料損耗產(chǎn)生。側(cè)面3于是優(yōu)選具有材料損耗的痕跡。于是在分隔時,既穿過殼體6又穿過金屬載體101進行分隔,從而側(cè)面3局部地由殼體6和金屬載體101構(gòu)成。每個側(cè)面3具有檢查位置4,該檢查位置具有第一區(qū)域4A和第二區(qū)域4B,其中第二區(qū)域作為第一區(qū)域4A中的凹處5構(gòu)造。為了使第二區(qū)域4B可用連接材料浸潤,區(qū)域4B配備有金屬鍍層。該金屬鍍層例如是由銀或金構(gòu)成的鍍層。區(qū)域4B的金屬鍍層是也用來給連接位置Al、A2鍍層的相同材料。尤其是,在分隔時不穿過區(qū)域4B進行分隔,從而檢查位置4的區(qū)域4B不具有分隔痕跡。在圖Ib中,在示意性截面圖中描述根據(jù)這里所述的電子組件EBT的另一實施例,其中金屬載體101用兩個彼此分開的載體部分150和160構(gòu)成。載體部分150在此具有檢查位置4。在載體部分150與160之間布置有殼體6。殼體6是電絕緣的并且將兩個載體部分150和160彼此機械連接。有利地,根據(jù)該實施方式可以實現(xiàn),具有檢查位置4的載體部分150被用于接觸另外的、例如外部的電子組件。該實施方式尤其實現(xiàn)了,載體部分160和載體部分150位于不同的電勢上并且因此在兩個載體部分150與160之間可以構(gòu)造電壓。圖2a、2b和2c在示意性的俯視圖和側(cè)視圖中以及在對下側(cè)的俯視圖中示出根據(jù)圖Ia的實施例。又可以分別看出由第一區(qū)域4A和第二區(qū)域4B構(gòu)成的檢查位置4。第二區(qū)域4B構(gòu)成為第一區(qū)域中的凹處5,其中凹處5通過分別由兩個側(cè)面3形成的角邊(Eckkante)31以“柱段狀”凹陷的形式產(chǎn)生?!爸螤睢痹诖吮硎?,凹處5通過連續(xù)彎曲的內(nèi)面以及與內(nèi)面垂直延伸的角內(nèi)面(Eckinnenfl^che)構(gòu)成。圖3在示意性俯視圖中示出金屬載體復(fù)合體1000。為了制造基體100,將殼體材料施加到載體復(fù)合體1000的區(qū)域G2上。優(yōu)選這樣將許多殼體材料施加到區(qū)域G2上,即在硬化之后殼體材料既與稍后的基體100的連接位置Al、A2又與通過載體復(fù)合體1000構(gòu)成的環(huán)狀柱形環(huán)M豎直齊平地接界。在載體復(fù)合體1000中,與區(qū)域G2的表面相比,連接位置A1、A2以及柱形環(huán)M構(gòu)成隆起。柱形環(huán)M具有180至220μm、優(yōu)選200μm的外徑R1,其中內(nèi)徑R2具有在80至120μm之間的、優(yōu)選IOOym的尺寸。優(yōu)選地,在澆鑄之后,由柱形環(huán)M圓形包圍的區(qū)域Gl保持沒有殼體材料。在下一步驟中,在殼體材料硬化成殼體6之后,載體復(fù)合體1000可以沿著截線S被分隔成各個基體100。在沿著截線S分隔之后,在區(qū)域G2的位置處分別形成各個金屬載體101的檢查位置4的第二區(qū)域4B。換句話說,通過分隔過程來分割柱形環(huán)M,從而在分隔之后,每個金屬載體101分別具有“柱段狀”凹陷形式的凹處5。圖4在對下側(cè)的俯視圖中示出這里所述的電子組件EBT的另一實施例。在此,基體100用陶瓷材料構(gòu)成,其中基體100也在這種情況下具有連接位置Al和A2。連接位置A1、A2可以用金屬材料、例如用金屬鍍層構(gòu)成,該金屬鍍層例如用銀或金構(gòu)成?;w于是配備有從下側(cè)IB到上側(cè)IA的印制導(dǎo)線和通孔(Durchkontaktierung),從而電子器件2與連接位置A1、A2電接觸。如在前面的實施例中那樣,根據(jù)該實施例的組件同樣具有側(cè)面3。另外,每個側(cè)面3又具有帶有第一區(qū)域4A和第二區(qū)域4B的檢查位置4,其中第二區(qū)域構(gòu)造為第一區(qū)域4A中的凹處5。在此,構(gòu)造為凹處5的區(qū)域4B鍍有金屬材料。在此涉及也用來構(gòu)成連接位置Al、A2的相同材料。圖5在示意性俯視圖中示出陶瓷載體復(fù)合體1001。該載體復(fù)合體1001具有空隙2000,該空隙沒有材料并且例如充有空氣。另外,空隙2000的內(nèi)壁2001具有金屬鍍層。該金屬鍍層例如可以用金或銀構(gòu)成。沿著截線S,陶瓷載體復(fù)合體1001被分隔成各個基體100。在分隔之后,可以從外面達到并且看到內(nèi)壁2001。也就是說,在穿過所劃分的空隙2001進行分隔之后,分別構(gòu)造了檢查位置4的凹處5形式的第二區(qū)域4B。在圖6中在示意性側(cè)視圖中示出根據(jù)這里所述的實施例的光電子裝置130。在接觸載體Iio上,在接觸載體110的表面120的安裝區(qū)域140上裝配有電子組件EBT。該接觸載體110可以例如是電路板,電子組件EBT被安裝到該電路板上。安裝區(qū)域140在此是接觸載體130的表面120的如下區(qū)域,該區(qū)域與電子組件EBT至少局部地機械接觸。電子組件EBT與接觸載體110經(jīng)由連接位置Al和A2通過例如焊劑或粘合劑的連接材料A既電接觸又機械連接。優(yōu)選地,檢查位置4的第二區(qū)域4B也借助于連接材料A穩(wěn)固接合地與安裝區(qū)域140連接。也就是說,在連接材料A/第二區(qū)域4B的界面處以及在連接材料A/安裝區(qū)域140的界面處,既不構(gòu)造裂縫也不構(gòu)造斷開或者例如氣泡。檢查位置4可以從接觸載體110的表面120自由地看到。因為施加到接觸載體110上的組件EBT的連接位置Al和A2被基體100覆蓋,所以這里要求保護的組件EBT的這里提出的實施方式使得能夠借助于從側(cè)面可自由地看到的檢查位置4來確定,連接位置Al和A2是否穩(wěn)固接合地與連接材料A連接并且電子器件是否因此充分地與接觸載體110電接觸。如果檢查位置4與連接材料A穩(wěn)固接合地連接,則這同樣適用于連接位置Al和A2。本發(fā)明不通過根據(jù)實施例的描述而受到限制。更確切地說,本發(fā)明包括每種新的特征以及特征的每種組合,這尤其是包含權(quán)利要求中特征的每種組合,即使當(dāng)該特征或者該組合本身沒有明確地在權(quán)利要求和實施例中說明時也是如此。權(quán)利要求1.一種電子組件(EBT),具有-基體(100),其具有上側(cè)(IA)以及與上側(cè)相對的下側(cè)(1B),其中基體(100)在其下側(cè)(IB)處具有連接位置(Al、A2),-電子器件(2),其在基體(100)處布置在基體(100)的上側(cè)(IA)處,其中-基體(100)具有至少一個側(cè)面(3),該至少一個側(cè)面具有帶有第一區(qū)域(4A)和第二區(qū)域(4B)的至少一個檢查位置(4),其中-第二區(qū)域(4B)構(gòu)造為第一區(qū)域(4A)中的凹處(5),-第一區(qū)域(4A)和第二區(qū)域(4B)包含不同的材料。2.根據(jù)權(quán)利要求1的電子組件(EBT),其中與第一區(qū)域(4A)相比,第二區(qū)域(4B)能被連接材料(A)更強地浸潤。3.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的電子組件(EBT),其中基體(100)具有金屬載體(101)。4.根據(jù)權(quán)利要求3的電子組件(EBT),其中金屬載體(101)局部地由輻射不能透過的殼體(6)覆蓋。5.根據(jù)權(quán)利要求4的電子組件(EBT),其中殼體(6)將金屬載體(101)和檢查位置(4)彼此機械連接。6.根據(jù)權(quán)利要求4至5之一的電子組件(EBT),其中金屬載體(101)和/或檢查位置(4)至少部分地嵌入到殼體(6)中。7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的電子組件(EBT),其中連接位置(A1、A2)和檢查位置(4)用相同的材料構(gòu)成。8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的電子組件(EBT),其中基體(100)的至少一個側(cè)面(3)局部地借助于分隔產(chǎn)生。9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的電子組件(EBT),其中檢查位置(4)的第一區(qū)域(4A)用金屬構(gòu)成。10.根據(jù)權(quán)利要求1至8之一的電子組件(EBT),其中檢查位置(4)的第一區(qū)域(4A)用陶瓷材料構(gòu)成。11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的電子組件(EBT),其中檢查位置(4)的第二區(qū)域(4B)具有金屬鍍層。12.一種光電子裝置(130),具有-根據(jù)前述權(quán)利要求之一的電子組件(EBT),-用于電接觸電子組件(EBT)的接觸載體(110),其中在接觸載體(110)的表面(120)處構(gòu)造有至少一個安裝區(qū)域(140),-檢查位置(4)的第二區(qū)域(4B)借助于連接材料(A)穩(wěn)固接合地與安裝區(qū)域(140)連接,其中-能從接觸載體(Iio)的表面(120)自由地看到檢查位置(4)。13.根據(jù)權(quán)利要求12的光電子裝置(130),其中連接材料(A)是焊劑。全文摘要說明一種電子組件,具有基體(100)和電子器件(2),所述基體具有上側(cè)(1A)以及與上側(cè)相對的下側(cè)(1B),其中基體(100)在其下側(cè)(1B)處具有連接位置(A1、A2),所述電子器件在基體(100)處布置在基體(100)的上側(cè)(1A)處,其中基體(100)具有至少一個側(cè)面(3),該至少一個側(cè)面具有帶有第一區(qū)域(4A)和第二區(qū)域(4B)的至少一個檢查位置(4),其中第二區(qū)域(4B)構(gòu)造為第一區(qū)域(4A)中的凹處(5),第一區(qū)域(4A)和第二區(qū)域(4B)包含不同的材料。文檔編號H05K3/34GK102484949SQ201080039982公開日2012年5月30日申請日期2010年6月22日優(yōu)先權(quán)日2009年7月8日發(fā)明者齊茨爾施珀格M.,格雷奇S.申請人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
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