專利名稱：制作有機(jī)發(fā)光器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制作有機(jī)發(fā)光器件的方法。
背景技術(shù)：
最近幾年，使用作為自發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光器件正作為平板顯示器而受到關(guān)注。然而，已知的是，有機(jī)發(fā)光元件對水分和氧極其敏感，并且例如由于水分浸入有機(jī)發(fā)光元件中而形成稱為暗點(diǎn)的非發(fā)光區(qū)域，結(jié)果是不能保持發(fā)光。作為防止水分浸入有機(jī)發(fā)光元件中的一種方法，日本專利申請公開 No. 2003-282240公開了在有機(jī)發(fā)光元件上形成由樹脂保護(hù)膜和無機(jī)保護(hù)膜組成的保護(hù)膜的方法。這里，樹脂保護(hù)膜覆蓋有機(jī)發(fā)光元件和有機(jī)發(fā)光元件周圍的襯底的表面，并使有機(jī)發(fā)光元件的凹凸平整。無機(jī)保護(hù)膜覆蓋平整的樹脂膜、樹脂膜的邊緣和樹脂膜周圍的襯底的表面(不具有使得水分能夠浸入底層中的有機(jī)發(fā)光元件的透濕性的膜的表面)。根據(jù)這樣的構(gòu)造，與僅用無機(jī)保護(hù)膜防止水分浸入到具有凹凸的有機(jī)發(fā)光元件的情況相比，能以小很多的厚度實(shí)現(xiàn)防濕性，由此可防止有機(jī)發(fā)光元件中的劣化。此外，作為形成這樣的配置的樹脂保護(hù)膜的方法，日本專利申請公開 No. 2006-147528從厚度穩(wěn)定性、形成膜的平整性、構(gòu)圖性能等方面公開了一種絲網(wǎng)印刷方法。在由樹脂保護(hù)膜和無機(jī)保護(hù)膜組成的密封配置中，無機(jī)保護(hù)膜的大部分區(qū)域形成在平整的樹脂保護(hù)膜上。因此，可通過作為通用過程的氣相沉積法(化學(xué)氣相沉積法、濺射法、真空蒸鍍法等)來形成均勻的并且具有滿意的防濕性的沒有任何缺陷的膜。然而，形成在樹脂保護(hù)膜周圍的襯底表面上的無機(jī)保護(hù)膜不必處于相同的狀況。更具體地講，在形成無機(jī)保護(hù)膜之前在區(qū)域中產(chǎn)生由表面缺陷等引起的雜質(zhì)和凹凸的情況下，無機(jī)保護(hù)膜不能完全覆蓋它們，或者即使無機(jī)保護(hù)膜能覆蓋它們，將形成在凹凸的側(cè)面部分中的膜的密度也降低，結(jié)果是不能實(shí)現(xiàn)滿意的防濕性。根據(jù)通過絲網(wǎng)印刷的樹脂保護(hù)層的形成，在襯底上某一距離處放置絲網(wǎng)印刷板。 然后，稱為刮墨刀(squeegee)的橡膠刀片在壓力下移動，以使絲網(wǎng)印刷板與襯底接觸，由此樹脂通過絲網(wǎng)印刷板的開口被傳送到襯底表面。在絲網(wǎng)印刷板的開口的外周部分中，樹脂出現(xiàn)，并且由固化的樹脂形成的雜質(zhì)沉積。那么，存在這樣的問題，即，當(dāng)沉積物和絲網(wǎng)印刷板本身與襯底表面摩擦?xí)r，在襯底表面上產(chǎn)生諸如雜質(zhì)的粘接和傷痕的表面缺陷(凹凸)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供這樣一種制作方法，該制作方法能夠通過防止對于有機(jī)發(fā)光元件的水分浸入來制作具有高可靠性的有機(jī)發(fā)光器件，而不引起發(fā)光特性的劣化。具體地講，本發(fā)明的制作有機(jī)發(fā)光器件的方法具有以下特征。也就是說，通過本發(fā)明的制作有機(jī)發(fā)光器件的方法制作的有機(jī)發(fā)光器件包括襯底、設(shè)在襯底上的有機(jī)發(fā)光元件和覆蓋有機(jī)發(fā)光元件的樹脂保護(hù)膜，所述制作有機(jī)發(fā)光器件的方法包括將設(shè)有有機(jī)發(fā)光元件的襯底移動到印刷室中，其中，在有機(jī)發(fā)光元件中在襯底上依次設(shè)置下電極、發(fā)光層和上電極；和使用絲網(wǎng)印刷板進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，以形成樹脂保護(hù)膜，其中，絲網(wǎng)印刷板的非印刷區(qū)域具有突起，或者襯底的非印刷區(qū)域具有突起，并且絲網(wǎng)印刷板在經(jīng)由突起與襯底接觸的同時形成所述樹脂保護(hù)膜。從以下參照附圖對示例性實(shí)施例的描述，本發(fā)明的進(jìn)一步的特征將變得清楚。


圖1是示出在本發(fā)明的實(shí)施例中制作的有機(jī)發(fā)光器件的示意性截面圖。圖2是示出在本發(fā)明的實(shí)施例1中制作的有機(jī)發(fā)光器件的示意性截面圖。圖3是示出在本發(fā)明的實(shí)施例1中制作的有機(jī)發(fā)光器件的示意性截面圖。圖4是示出在本發(fā)明的實(shí)施例2中制作的有機(jī)發(fā)光器件的示意性截面圖。圖5是示出在比較示例中制作的有機(jī)發(fā)光器件的示意性截面圖。圖6是示出本發(fā)明的示例1中的絲網(wǎng)印刷步驟中所使用的裝置的透視圖。圖7是示出本發(fā)明的示例2中的絲網(wǎng)印刷步驟中所使用的裝置的透視圖。圖8是示出本發(fā)明的示例3中的絲網(wǎng)印刷步驟中所使用的裝置的透視圖。圖9是示出本發(fā)明的實(shí)施例中的大型襯底的示意性平面圖。
具體實(shí)施例方式通過本發(fā)明的制作方法制作的有機(jī)發(fā)光器件包括襯底、設(shè)在襯底上的有機(jī)發(fā)光元件、覆蓋有機(jī)發(fā)光元件的樹脂保護(hù)膜、覆蓋樹脂保護(hù)膜的無機(jī)保護(hù)膜。此外，本發(fā)明的制作有機(jī)發(fā)光器件的方法包括通過絲網(wǎng)印刷形成樹脂保護(hù)膜的絲網(wǎng)印刷步驟，并且在該絲網(wǎng)印刷步驟中，以絲網(wǎng)印刷板不與襯底接觸這樣的方式在襯底上的印刷區(qū)域周圍形成樹脂保護(hù)膜。此外，在這樣的制作方法中，絲網(wǎng)印刷步驟中所使用的絲網(wǎng)印刷板可在當(dāng)形成樹脂保護(hù)膜時作為襯底的相對表面的反面上具有用于防止襯底與絲網(wǎng)印刷板之間的接觸的突出部分。此外，襯底可在當(dāng)形成樹脂保護(hù)膜時作為絲網(wǎng)印刷板的相對表面的表面上具有防止襯底與絲網(wǎng)印刷板之間的接觸的突出部分。此外，在絲網(wǎng)印刷步驟中，襯底或者絲網(wǎng)印刷板的非印刷區(qū)域可具有用于防止襯底與絲網(wǎng)印刷板之間的接觸的突出部分。因此，根據(jù)本發(fā)明的制作有機(jī)發(fā)光器件的方法，當(dāng)形成樹脂保護(hù)膜時，絲網(wǎng)印刷板不與存在于樹脂保護(hù)膜周圍的襯底表面接觸。因此，沒有表面缺陷(凹凸)，諸如來自絲網(wǎng)印刷板的雜質(zhì)的粘接以及當(dāng)雜質(zhì)和絲網(wǎng)印刷板本身與襯底摩擦?xí)r引起的傷痕，并且無機(jī)保護(hù)膜能夠滿意地覆蓋平整的樹脂保護(hù)膜、樹脂保護(hù)膜的邊緣和樹脂保護(hù)膜周圍的襯底表面。因此，滲透穿過不完美地形成無機(jī)保護(hù)膜的部分和膜質(zhì)量劣化的部分的水分不以任何方式通過樹脂保護(hù)膜到達(dá)顯示部分。因此，可獲得在其中由于水分浸入而引起的發(fā)光特性不劣化的有機(jī)發(fā)光元件。因此，可制作具有高可靠性的有機(jī)發(fā)光器件。(實(shí)施例1)以下，參照附圖對根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件的實(shí)施例1進(jìn)行描述。圖1是示出通過根據(jù)本發(fā)明的制作有機(jī)發(fā)光器件的方法制作的有機(jī)發(fā)光器件的示意性截面圖。此外，圖2和3是示出在本發(fā)明的實(shí)施例1中制作的有機(jī)發(fā)光器件的示意性截面圖。這里，在圖1中，有機(jī)發(fā)光器件包括襯底101、TFT電路102、平面化層104、下電極105、觸排(bank) 106、有機(jī)化合物層107、上電極108、樹脂保護(hù)層109和無機(jī)保護(hù)膜110。 此外，在圖2和3中，有機(jī)發(fā)光器件包括襯底201、TFT電路202、平面化層204、下電極205、 觸排206、有機(jī)化合物層207、上電極208、樹脂保護(hù)膜209、刀片210、絲網(wǎng)印刷板211和突出部分212。首先，對作為有機(jī)發(fā)光器件的組成構(gòu)件的有機(jī)發(fā)光元件進(jìn)行描述。如圖1所示，在實(shí)施例1中制作的有機(jī)發(fā)光器件中，TFT電路102形成在襯底101 上。這里，有機(jī)發(fā)光器件中所使用的襯底101的示例包括在其表面上形成由硅氧化物、硅氮化物等制成的絕緣層的玻璃襯底、由合成樹脂等制成的絕緣襯底和導(dǎo)電襯底或半導(dǎo)體襯底。此外，襯底101可以是透明的或者不透明的。在包括TFT電路102的襯底101上，通過例如光刻法在期望的圖案中形成由丙烯酸樹脂、基于聚酰亞胺的樹脂、基于降冰片烯的樹脂、基于氟的樹脂等制成的平面化層104。 這里，平面化層104是用于使通過提供TFT電路102而產(chǎn)生的凹凸平面化的層。應(yīng)該指出， 用于平面化層104的材料和制作方法不特別受限，只要平面化層104可使通過提供TFT電路102而產(chǎn)生的凹凸平整即可。此外，可在平面化層104與TFT電路102之間形成由諸如硅氮化物、硅氧氮化物、硅氧化物等無機(jī)材料制成的絕緣層(未顯示)。設(shè)在平面化層104上的、將與TFT電路102的一部分電連接的下電極(第一電極)105可以是透明電極或者反射電極。在下電極105是透明電極的情況下，其組成材料的示例包括ITO和Ιη203。在下電極105是反射電極的情況下，其組成材料的示例包括金屬元素，諸如Au、Ag、Al、Pt、Cr、Pd、k和Ir ；由多種這些金屬元素的組合形成的合金；和金屬化合物，諸如銅碘化物。下電極105的厚度優(yōu)選地為0. 1 μ m到1 μ m。觸排(分離膜)106設(shè)在下電極105的周邊邊緣部分中。用于觸排106的組成材料的示例包括由硅氮化物、硅氧氮化物、硅氧化物等制成的無機(jī)絕緣層，和丙烯酸樹脂、基于聚酰亞胺的樹脂和基于酚醛的樹脂。觸摸106的厚度優(yōu)選地為1 μ m到5 μ m。設(shè)在下電極105上的有機(jī)化合物層107可以由一個層或多個層形成，所述一個層或多個層可通過考慮有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光功能來合適地選擇。此外，構(gòu)成有機(jī)化合物層107 的層的特定示例包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層?？墒褂靡阎幕衔镒鳛橛糜谶@些層的組成材料。應(yīng)該指出，有機(jī)化合物層107中的發(fā)光區(qū)域可存在于特定層中或者相鄰層之間的界面處。通過真空蒸鍍、噴墨法等形成有機(jī)化合物層 107。在蒸鍍的情況下使用高精度掩模在發(fā)光區(qū)域中形成有機(jī)化合物層，或者在噴墨方法的情況下使用高精度噴射在發(fā)光區(qū)域中形成有機(jī)化合物層。在有機(jī)化合物層107上，形成上電極(第二電極)108。上電極108可以是透明電極或者反射電極。可使用與下電極105的材料相同的材料作為用于上電極108的組成材料。通過形成上電極108，在襯底101上形成有機(jī)發(fā)光元件。這里，當(dāng)如圖9所示那樣在大型襯底上形成有機(jī)發(fā)光元件時，在大型襯底601上按矩陣布置多個有機(jī)發(fā)光元件602。接下來，對形成樹脂保護(hù)膜的步驟進(jìn)行描述。在本實(shí)施例中，首先，在低露點(diǎn)氣氛中將其上形成有機(jī)發(fā)光元件的襯底移動到印刷室中。接著，如圖2所示，執(zhí)行絲網(wǎng)印刷步驟，在該絲網(wǎng)印刷步驟中，通過使用絲網(wǎng)印刷機(jī)的絲網(wǎng)印刷在有機(jī)發(fā)光元件上印刷將作為樹脂保護(hù)膜209的粘接劑。應(yīng)該指出，圖2僅示出了絲網(wǎng)印刷板211和刀片210。此外，絲網(wǎng)印刷板211的細(xì)線部分表示與所謂的網(wǎng)孔部分對應(yīng)的印刷區(qū)域。另一方面，絲網(wǎng)印刷板 211的粗線部分表示與支持網(wǎng)孔部分的框架對應(yīng)的非印刷區(qū)域。如圖6所示，此時所使用的絲網(wǎng)印刷板在襯底303的相對表面的印刷開口的外周(從開口末端起大約0. 5mm到Imm的區(qū)域)中設(shè)有高度為幾μ m到十幾μ m的突出部分302。因此，絲網(wǎng)印刷板301不與位于樹脂保護(hù)膜周圍的襯底303的表面接觸?？商鎿Q地，如圖3所示，執(zhí)行絲網(wǎng)印刷步驟，在該絲網(wǎng)印刷步驟中，通過使用絲網(wǎng)印刷機(jī)的絲網(wǎng)印刷在有機(jī)發(fā)光元件上印刷將作為樹脂保護(hù)膜209的粘接劑。如圖7所示， 此時所使用的絲網(wǎng)印刷板401在襯底403的相對表面的印刷開口的內(nèi)周(從開口末端起大約0. 3mm到0. 8mm的區(qū)域)中設(shè)有高度為十幾μ m到二十幾μ m的突出部分402。因此， 絲網(wǎng)印刷板401不與位于樹脂保護(hù)膜209周圍的襯底403的表面接觸。在這種情況下，由于突出部分402形成在印刷區(qū)域中，所以在印刷之后粘接劑沒有立即印刷到該部分。具有如絲網(wǎng)印刷中通常所使用的程度這樣的程度的粘度的粘接劑通過其流動性填充該部分，因此，沒有形成非印刷區(qū)域。因此，絲網(wǎng)印刷板211不與其接觸的、沒有任何缺陷的清潔區(qū)域存在于從樹脂保護(hù)膜209的末端起大約0. 5mm的寬度中，由此襯底201的表面和無機(jī)保護(hù)膜可表現(xiàn)出足夠的防濕性。作為用于印刷的樹脂保護(hù)膜209的粘接劑，具體地講，可使用UV固化粘接劑、熱固性粘接劑等，只要它不包含不利地影響有機(jī)發(fā)光元件的成分即可。(實(shí)施例2)接下來，對實(shí)施例2進(jìn)行描述。可省略與實(shí)施例1中的元件類似的元件的描述。圖 4是示出在本發(fā)明的實(shí)施例2中制作的有機(jī)發(fā)光器件的示意性截面圖。這里，在圖4中，有機(jī)發(fā)光器件包括襯底201、TFT電路202、平面化層204、下電極205、觸排206、有機(jī)化合物層 207、上電極208、樹脂保護(hù)膜209、刀片210、絲網(wǎng)印刷板211和突出部分213。在本實(shí)施例中，通過與實(shí)施例1中的方法相同的方法形成將形成在襯底上的有機(jī)發(fā)光元件。對形成樹脂保護(hù)膜的步驟進(jìn)行描述。在本實(shí)施例中，執(zhí)行絲網(wǎng)印刷步驟，在該絲網(wǎng)印刷步驟中，通過使用如圖4所示的絲網(wǎng)印刷機(jī)的絲網(wǎng)印刷，利用所述有機(jī)發(fā)光元件在低露點(diǎn)氮?dú)夥罩斜灰苿拥接∷⑹?，在襯底上的有機(jī)發(fā)光元件上印刷將作為樹脂保護(hù)膜209的粘接劑。在絲網(wǎng)印刷步驟中，如圖8所示，襯底502的表面上的樹脂保護(hù)膜形成區(qū)域的外周 (從樹脂保護(hù)膜的末端起大約0. 5mm到Imm的區(qū)域)設(shè)有高度為幾μ m到十幾μ m的突出部分503。因此，絲網(wǎng)印刷板501不與樹脂保護(hù)膜周圍的襯底502的表面接觸。因此，絲網(wǎng)印刷板501不與其接觸的、沒有任何缺陷的清潔區(qū)域存在于從樹脂保護(hù)膜209的末端起大約0. 5mm的寬度中，由此，襯底502的表面和無機(jī)保護(hù)膜110可表現(xiàn)出足夠的防濕性。示例接下來，將對本發(fā)明的特定示例進(jìn)行詳細(xì)描述。圖5是示出在比較示例中制作的有機(jī)發(fā)光器件的示意性截面圖。此外，圖6是示出示例1中的絲網(wǎng)印刷步驟中所使用的裝置的透視圖。圖7是示例2中的絲網(wǎng)印刷步驟中所使用的裝置的透視圖。圖8是示出本發(fā)明的示例3中的絲網(wǎng)印刷步驟中所使用的裝置的透視圖。示例 1
在示例1中，首先，對具有由Cr形成的下電極的TFT襯底進(jìn)行UV/臭氧清潔。然后，在光刻步驟中，在下電極周圍對觸排進(jìn)行構(gòu)圖。此時，觸排的厚度是2μπι。接著，通過真空蒸鍍法依次形成構(gòu)成有機(jī)化合物層的空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。具體地講，首先，在下電極上形成α NPD，以形成空穴傳輸層。此時，空穴傳輸層的厚度是50nm。接下來，在空穴傳輸層上，使作為主體的鋁螯合物(Alq3)和作為客體的香豆素6共同沉積，以使得重量比為100 6，以形成發(fā)光層。此時，將發(fā)光層的厚度設(shè)置為 50nm。接著，將菲咯啉化合物(phenanthroline compound,Bphen)形成為膜，以在發(fā)光層上形成電子傳輸層。此時，將電子傳輸層的厚度設(shè)置為lOnm。接著，使菲咯啉化合物(Bphen) 和碳酸銫(Cs2Co3)共同沉積，以使得重量比為100 1，以在電子傳輸層上形成電子注入層。 此時，將電子注入層的厚度設(shè)置為40nm。接著，通過濺射法將ITO形成為膜，以在電子注入層上形成上電極。此時，將上電極的厚度設(shè)置為130nm。通過以上步驟制作有機(jī)發(fā)光元件。接著，在印刷室中在低露點(diǎn)氮?dú)夥罩行纬蓸渲Ｗo(hù)膜。更具體地講，作為絲網(wǎng)印刷步驟，如圖2所示通過使用絲網(wǎng)印刷機(jī)的絲網(wǎng)印刷法，在設(shè)有有機(jī)發(fā)光元件的襯底201上印刷熱固性環(huán)氧樹脂。如圖6所示，這里所使用的絲網(wǎng)印刷板在襯底303的相對表面的印刷開口的外周(從開口末端起0.8mm的區(qū)域)中設(shè)有高度為10 μ m的突出部分302。因此，絲網(wǎng)印刷板301不與位于將形成的樹脂保護(hù)膜周圍的襯底303的表面接觸。此后，通過在真空環(huán)境下以100°C過加熱15分鐘將樹脂保護(hù)膜固化。這里，將固化之后的樹脂保護(hù)膜的厚度設(shè)置為30 μ m。這些，通過使用SiH4氣體、隊氣體和吐氣體的等離子體CVD法形成由硅氮化物制成的無機(jī)保護(hù)膜。這里，將無機(jī)保護(hù)膜的厚度設(shè)置為ι μ m。此外，無機(jī)保護(hù)膜覆蓋整個樹脂保護(hù)膜，并在樹脂保護(hù)膜的外周中在襯底表面上形成為大約Imm的寬度。在60°C的溫度和90%的濕度的環(huán)境下，對如上所述那樣形成的有機(jī)發(fā)光器件進(jìn)行存放測試。結(jié)果，即使在1000個小時的存放測試的結(jié)果中，也沒有產(chǎn)生暗點(diǎn)。示例 2在示例2中，通過以下方法制作有機(jī)發(fā)光器件。應(yīng)該指出，制作有機(jī)發(fā)光器件的方法與示例1的方法相同，因此，省略其詳細(xì)描述。接著，在印刷室中在低露點(diǎn)氮?dú)夥罩性谄渖弦研纬捎袡C(jī)發(fā)光器件的襯底上形成樹脂保護(hù)膜。更具體地講，作為絲網(wǎng)印刷步驟，如圖3所示，通過使用絲網(wǎng)印刷機(jī)的絲網(wǎng)印刷法在設(shè)有有機(jī)發(fā)光元件的襯底201上印刷熱固性環(huán)氧樹脂。如圖7所示，所使用的絲網(wǎng)印刷板在襯底403的相對表面的印刷開口的內(nèi)周(從開口末端起0. 3mm的區(qū)域)中設(shè)有高度為20 μ m的突出部分402。因此，防止絲網(wǎng)印刷板401與位于樹脂保護(hù)膜周圍的襯底403的表面接觸。此后，通過在真空環(huán)境下以100°C過加熱15分鐘將樹脂保護(hù)膜固化。這里，將固化之后的樹脂保護(hù)膜的厚度設(shè)置為30 μ m。接著，通過使用SiH4氣體、隊氣體和吐氣體的等離子體CVD法形成由硅氮化物制成的無機(jī)保護(hù)膜。這里，將無機(jī)保護(hù)膜的厚度設(shè)置為ι μ m。此外，無機(jī)保護(hù)膜覆蓋整個樹脂保護(hù)膜，并在樹脂保護(hù)膜的外周中在襯底表面上形成為大約Imm的寬度。在60°C的溫度和90%的濕度的環(huán)境下，對如上所述那樣形成的有機(jī)發(fā)光器件進(jìn)行存放測試。結(jié)果，即使在1000個小時的存放測試的結(jié)果中，也沒有產(chǎn)生暗點(diǎn)。
示例 3在示例3中，通過以下方法制作有機(jī)發(fā)光器件。應(yīng)該指出，制作有機(jī)發(fā)光器件的方法與示例1的方法相同，因此，省略其詳細(xì)描述。接著，在印刷室中在低露點(diǎn)氮?dú)夥罩性谄渖弦研纬捎袡C(jī)發(fā)光器件的襯底上形成樹脂保護(hù)膜。更具體地講，作為絲網(wǎng)印刷步驟，通過使用如圖4所示的絲網(wǎng)印刷機(jī)的絲網(wǎng)印刷法在設(shè)有有機(jī)發(fā)光元件的襯底201上印刷熱固性環(huán)氧樹脂。此時，當(dāng)對觸排進(jìn)行構(gòu)圖時，為襯底502的表面上的樹脂保護(hù)膜形成區(qū)域的外周(從樹脂保護(hù)膜的末端起大約0. 5mm的區(qū)域)設(shè)置高度為2μπι的突出部分503。因此，防止絲網(wǎng)印刷板501與位于樹脂保護(hù)膜周圍的襯底502的表面接觸。此后，通過在真空環(huán)境下以100°C過加熱15分鐘將樹脂保護(hù)膜固化。這里，將固化之后的樹脂保護(hù)膜的厚度設(shè)置為30 μ m。接著，通過使用SiH4氣體、N2氣體和H2氣體的等離子體CVD法形成由硅氮化物制成的無機(jī)保護(hù)膜。這里，將無機(jī)保護(hù)膜的厚度設(shè)置為ι μ m。此外，無機(jī)保護(hù)膜覆蓋整個樹脂保護(hù)膜，并在樹脂保護(hù)膜的外周中在襯底表面上形成為大約Imm的寬度。在60°C的溫度和90%的濕度的環(huán)境下，對如上所述那樣形成的有機(jī)發(fā)光器件進(jìn)行存放測試。結(jié)果，即使在1000個小時的存放測試的結(jié)果中，也沒有產(chǎn)生暗點(diǎn)。比較示例作為比較，如圖5所示，通過使用絲網(wǎng)印刷機(jī)的絲網(wǎng)印刷法在襯底201上執(zhí)行印刷。此時，使用對于絲網(wǎng)印刷板211側(cè)和襯底201側(cè)中的每一個不具有用于防止絲網(wǎng)印刷板211與襯底201之間接觸的突出部分的襯底201形成有機(jī)發(fā)光元件。然后，在印刷室中在低露點(diǎn)氮?dú)夥罩性谄渖弦研纬闪擞袡C(jī)發(fā)光器件的襯底上形成樹脂保護(hù)膜。此后，通過在真空環(huán)境下以100°c過加熱15分鐘將樹脂保護(hù)膜固化。這里，將固化之后的樹脂保護(hù)膜的厚度設(shè)置為30 μ m。接著，通過使用SiH4氣體、隊氣體和吐氣體的等離子體CVD法形成由硅氮化物制成的無機(jī)保護(hù)膜。這里，將無機(jī)保護(hù)膜的厚度設(shè)置為ι μ m。此外，無機(jī)保護(hù)膜覆蓋整個樹脂保護(hù)膜，并在樹脂保護(hù)膜的外周中在襯底表面上形成為大約Imm的寬度。在60°C的溫度和90%的濕度的環(huán)境下，對如上所述那樣形成的有機(jī)發(fā)光器件進(jìn)行存放測試。結(jié)果，在相對于顯示部分的外周上的兩個點(diǎn)中的每個的平均半徑為5mm的區(qū)域中產(chǎn)生暗點(diǎn)。盡管已參照示例性實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是將理解本發(fā)明不限于所公開的示例性實(shí)施例。將給予以下權(quán)利要求的范圍以最廣泛的解釋，以涵蓋所有這樣的修改以及等同結(jié)構(gòu)和功能。本申請要求于2009年5月12日提交的日本專利申請No. 2009-115379的優(yōu)先權(quán)， 在此通過引用并入其全部內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種制作有機(jī)發(fā)光器件的方法，所述有機(jī)發(fā)光器件包括襯底、設(shè)在襯底上的有機(jī)發(fā)光元件和覆蓋有機(jī)發(fā)光元件的樹脂保護(hù)膜，所述方法包括將設(shè)有有機(jī)發(fā)光元件的襯底移動到印刷室中，其中，在有機(jī)發(fā)光元件中在襯底上依次設(shè)置下電極、發(fā)光層和上電極；和使用絲網(wǎng)印刷板進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，以形成樹脂保護(hù)膜，其中，絲網(wǎng)印刷板的非印刷區(qū)域具有突起，或者襯底的非印刷區(qū)域具有突起，并且絲網(wǎng)印刷板在經(jīng)由突起與襯底接觸的同時形成所述樹脂保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作有機(jī)發(fā)光器件的方法，還包括在樹脂保護(hù)膜上形成無機(jī)保護(hù)膜。
全文摘要
通過防止對于有機(jī)發(fā)光元件的水分浸入來制作具有高可靠性的有機(jī)發(fā)光器件，而不引起發(fā)光特性的任何劣化。提供一種制作有機(jī)發(fā)光器件的方法，所述有機(jī)發(fā)光器件包括襯底101、設(shè)在襯底101上的有機(jī)發(fā)光元件和覆蓋有機(jī)發(fā)光元件的樹脂保護(hù)膜109，所述方法包括將設(shè)有有機(jī)發(fā)光元件的襯底移動到印刷室中；以及使用絲網(wǎng)印刷板進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，以形成樹脂保護(hù)膜，其中，所述絲網(wǎng)印刷板的非印刷區(qū)域具有突起212，或者所述襯底的非印刷區(qū)域具有突起213，并且所述絲網(wǎng)印刷板在經(jīng)由所述突起與襯底101接觸的同時形成樹脂保護(hù)膜。
文檔編號H05B33/10GK102422714SQ201080020108
公開日2012年4月18日 申請日期2010年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月12日
發(fā)明者亀山誠, 小池淳 申請人:佳能株式會社