專利名稱：成膜裝置、成膜方法和有機el元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及成膜裝置、成膜方法和有機EL元件，更詳細的說，涉及有機EL元件包含的膜構(gòu)造和用于形成上述膜構(gòu)造的成膜裝置和成膜方法。
背景技術(shù)：
近年，利用采用有機化合物并使其發(fā)光的有機EUOrganic Electroluminescence)元件的有機EL顯示器受到注目。該有機EL元件具有自身發(fā)光、反應(yīng)速度快、消耗電力低等特征。因此，與液晶顯示器相比影像不僅非常美麗，而且不需要背光燈，可為薄型，尤其期待應(yīng)用在便攜式機器的顯示部等。有機EL元件形成于玻璃基板上，具有有機層由陽極層(正極)和陰極層(負極) 夾著的三明治構(gòu)造。在該有機EL元件從外部施加數(shù)V電壓并使電流流動時，電子從陰極側(cè)被注入至有機層，空穴從陽極側(cè)被注入至有機層。通過注入電子和空穴，有機材料蒸氣成為激發(fā)狀態(tài)，但是當電子和空穴復(fù)合并且被激發(fā)的有機材料蒸氣回到原來的基態(tài)時，其剩余的能量以光被放出。將電子注入有機層的時候，若能使電子注入障礙降低并將電子從陰極側(cè)高效地注入有機層，則能制造高性能的有機EL元件。因此，一般在有機層與陰極的界面形成由功函數(shù)低的堿金屬等材料形成的電子注入層。(例如參照非專利文獻1)。在非專利文獻1中公布了 在各陰極與發(fā)射極層之間形成摻雜金屬后的有機層。 作為摻雜劑金屬，能舉例有例如鋰(Li)、鍶(Sr)和釤(Sm)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻非專利文獻 1 “Bright organic electroluminescent devices having a metal-dopedelectron-injecting layer"" 1998 American Institute of Physics, Applied Physics Letters, VOLUME 73，NUMBER 20,16N0VEMBER 1998

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題堿金屬由于功函數(shù)小所以優(yōu)選作為形成電子注入層的材料。但是，另一方面，由于堿金屬是高活性類，所以即使在高真空狀態(tài)的處理室內(nèi)也容易與室內(nèi)殘留的水分、氮、氧等反應(yīng)。因此，在成為電子注入層的基底的有機層的表面存在這樣的雜質(zhì)的狀態(tài)下將電子注入層成膜時，在其界面鋰等金屬與雜質(zhì)反應(yīng)，并成為例如氧化鋰(Li2O)的絕緣物等，膜產(chǎn)生劣化。因此，現(xiàn)有技術(shù)中考慮到鋰等金屬變化為氧化鋰等絕緣物，采用使鋰的膜極薄地成膜的方法。但是，即使這樣，存在鋰的膜很薄地成膜時膜的面內(nèi)均一性變壞、產(chǎn)生有機EL元件的性能的偏差等問題。因此，為了解決上述問題，本發(fā)明提供防止形成電子注入層的金屬層的劣化、并能提高同層的電子注入效率的成膜裝置、成膜方法和有機EL元件。
解決問題的手段S卩，為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的某方式，提供一種成膜裝置，具備處理容器，在內(nèi)部在被處理體上實施所需的處理；第一蒸鍍源，其收納有機材料，并將所收納的有機材料加熱來使其氣化；第一噴出機構(gòu)，其內(nèi)置于上述處理容器并與上述第一蒸鍍源連結(jié)， 將在上述第一蒸鍍源被氣化的有機材料向上述處理容器內(nèi)的被處理體噴出；第二蒸鍍源， 其收納堿金屬材料，并將所收納的堿金屬材料加熱來使其氣化；第二噴出機構(gòu)，其內(nèi)置于上述處理容器并與上述第二蒸鍍源連結(jié)，將在上述第二蒸鍍源被氣化的堿金屬材料向上述處理容器內(nèi)的被處理體噴出。由此具有將在第一蒸鍍源被氣化的有機材料向處理容器內(nèi)的被處理體噴出的第一噴出機構(gòu)，和將在第二蒸鍍源被氣化的堿金屬向上述處理容器內(nèi)的被處理體噴出的第二噴出機構(gòu)。這樣，則噴出有機材料的材料蒸氣的第一噴出機構(gòu)和噴出堿金屬的氣化原子的第二噴出機構(gòu)配置在一個處理容器內(nèi)。這樣，則有機層的成膜后，不將被處理體向其他的處理裝置搬送，能在同一腔室內(nèi)使堿金屬層成膜。由此，能避免在有機層的表面附著水分、氮、 氧等雜質(zhì)。由此，能防止堿金屬層與附著在有機層的表面的雜質(zhì)反應(yīng)、氧化而成為絕緣物等的膜的劣化。其結(jié)果是，能提高電子注入效率，能制造高性能的有機EL元件。此外，如上述由于能防止堿金屬層的劣化，所以與現(xiàn)有技術(shù)相比能使膜較厚地成膜。例如，能使堿金屬層在0.5nm IOOnm的厚度成膜。通過使堿金屬層在某程度的厚度成膜，能抑制有機EL元件的性能的偏差。此外，通過將堿金屬層設(shè)定為某程度的厚度，不僅能使堿金屬層作為電子注入層起作用，還能作為有機EL元件的陰極來起作用。但是，為了防止活性的堿金屬層與處理容器內(nèi)的殘留水分、氮、氧等反應(yīng)，堿金屬層成膜后，需要立即通過金屬、樹脂或SiN等硅氧化氮化膜等保護膜保護堿金屬層。因此，成膜裝置可以還具有第三蒸鍍源，其收納保護膜用材料，并將被收納的保護膜用材料加熱來使其氣化；第三噴出機構(gòu)，其內(nèi)置于上述處理容器并與上述第三蒸鍍源連結(jié)，將在上述第三蒸鍍源被氣化的保護膜用材料向上述處理容器內(nèi)的被處理體噴出。也可以還具有內(nèi)置于上述處理容器、對由保護膜用材料形成的靶進行濺射的濺射
直ο也可以具備載置被搬送到上述處理容器的被處理體的載置臺，上述載置臺使朝上或者朝下或者縱向載置的被處理體從上述第一噴出機構(gòu)一側(cè)向上述第二噴出機構(gòu)一側(cè)滑動。也可以在上述處理容器的兩端具備輥子，通過旋轉(zhuǎn)上述兩端的輥子，使卷繞在上述兩端的輥子的薄膜從上述第一噴出機構(gòu)一側(cè)向上述第二噴出機構(gòu)一側(cè)移動?？梢栽谏鲜鎏幚砣萜鞯闹辽偕鲜龅谝粐姵鰴C構(gòu)一側(cè)配置排氣裝置?？梢栽谏鲜龅谝粐姵鰴C構(gòu)與上述第二噴出機構(gòu)之間設(shè)置隔壁。上述第一蒸鍍源由收納多種有機材料的多個坩堝形成，上述第一噴出機構(gòu)由連結(jié)在多個坩堝的多個噴出部形成，通過使在上述多個坩堝被氣化的多個有機材料從設(shè)置于上述第一噴出機構(gòu)的多個噴出部分別噴出，可以使層積有多種有機材料的有機層在被處理體上連續(xù)成膜。上述堿金屬可以是鋰、銫、鈉、鉀和銣中的任一種。此外，為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的其他方式，提供一種成膜方法將被收納
5在第一蒸鍍源的有機材料加熱并氣化，將在上述第一蒸鍍源被氣化的有機材料從連結(jié)在上述第一蒸鍍源的第一噴出機構(gòu)向處理容器內(nèi)噴出，通過上述被噴出的有機材料，在上述處理容器內(nèi)使有機層在被處理體成膜；將被收納在第二蒸鍍源的堿金屬加熱并氣化，將在上述第二蒸鍍源被氣化的堿金屬從連結(jié)在上述第二蒸鍍源的第二噴出機構(gòu)噴至上述處理容器內(nèi)，通過上述被噴出的堿金屬，在上述處理容器內(nèi)立即使金屬層在被處理體的有機層上成膜。這時，可以使上述金屬層在0. 5nm IOOnm的厚度成膜。由此，能使上述金屬層作為電子注入層和電極來起作用。也可以將被收納在第三蒸鍍源的保護膜用材料加熱并氣化，將在上述第三蒸鍍源被氣化的保護膜用材料從連結(jié)在上述第三蒸鍍源的第三噴出機構(gòu)向處理容器內(nèi)噴出，通過上述被噴出的保護膜用材料，在上述處理容器內(nèi)立即使保護膜在被處理體的金屬層上成膜。也可以由內(nèi)置于上述處理容器的濺射裝置對由保護膜用材料形成的靶(target) 進行濺射，通過上述被濺射的保護膜用材料，在上述處理容器內(nèi)立即使保護膜在被處理體的金屬層上成膜。也可以通過配置于上述處理容器外的蝕刻裝置對上述金屬層的表面進行蝕刻，由配置于上述處理容器外的濺射裝置對由保護膜用材料形成的靶進行濺射，由上述被濺射的保護膜用材料，在上述處理容器外立即使保護膜在被處理體的金屬層上成膜。也可以由配置于上述處理容器外的蝕刻裝置對上述金屬層表面進行蝕刻，由配置于上述處理容器外的CVD裝置從保護膜用材料氣體激發(fā)等離子體，由被激發(fā)的等離子體， 在上述處理容器外立即使保護膜在被處理體的金屬層上成膜。此外，為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的其他方式，提供一種有機EL元件，包含 在被處理體的ITO上成膜的有機層；金屬層，其通過在上述有機層上使鋰、銫、鈉、鉀和銣中的任何一種在0. 5nm IOOnm的厚度成膜，來作為電子注入層和電極起作用；和在上述金屬層上成膜的保護膜。這樣，通過在處理容器內(nèi)的同一空間使有機層和堿金屬層連續(xù)地成膜，能防止在堿金屬層與有機層的界面，堿金屬與處理容器內(nèi)的殘留水分、氮、氧等反應(yīng)而劣化。由此，能制造維持了高電子注入效率的高性能有機EL元件。為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的其他方式，能提供一種成膜裝置，具備處理容器，在內(nèi)部在被處理體上實施所需的處理；第一蒸鍍源，其收納有機材料，將被收納的有機材料加熱并氣化；第一噴出機構(gòu)，其內(nèi)置于上述處理容器并與上述第一蒸鍍源連結(jié)，將在上述第一蒸鍍源被氣化的有機材料向上述處理容器內(nèi)的被處理體噴出；第一濺射裝置，其內(nèi)置于上述處理容器，對由堿金屬材料形成的靶進行濺射；和第二濺射裝置，其內(nèi)置于上述處理容器，對由保護膜用材料形成的靶進行濺射?？梢栽谏鲜鎏幚砣萜鞯闹辽偕鲜龅谝粐姵鰴C構(gòu)一側(cè)配置排氣裝置?？梢栽谏鲜龅谝粐姵鰴C構(gòu)與上述第一濺射裝置之間配置隔壁。發(fā)明的效果如以上說明，根據(jù)本發(fā)明，能防止形成電子注入層的金屬層的劣化，能提高同層的電子注入效率。


圖1是第1 第4實施方式和其變形例的基板處理系統(tǒng)的概略構(gòu)成圖。圖2是表示本發(fā)明的一實施方式的有機EL元件的制造工序的一個例子的圖。圖3是第1實施方式的成膜裝置PMl的縱截面圖。圖4是表示通過第1 第4的實施方式的6層連續(xù)成膜處理而形成的有機EL 元件的圖。圖5是第1實施方式的變形例的成膜裝置PMl的縱截面圖。圖6是第2實施方式的成膜裝置PMl的縱截面圖。圖7是第3實施方式的成膜裝置PMl的縱截面圖。圖8是第3實施方式的變形例的成膜裝置PMl的縱截面圖。圖9是第4實施方式的成膜裝置PMl的縱截面圖。
具體實施例方式以下參照附圖詳細說明本發(fā)明的各實施方式。而且，在以下的說明和附圖中，通過對具有同一構(gòu)成和功能的構(gòu)成元件賦予同一符號，來省略重復(fù)說明。此外，按照以下所示的順序說明。1第一實施方式1-1基板處理系統(tǒng)的整體構(gòu)成
1-2成膜裝置的內(nèi)部構(gòu)成1-3第1實施方式的變形例2第2實施方式2-1成膜裝置的內(nèi)部構(gòu)成3第3實施方式3-1成膜裝置的內(nèi)部構(gòu)成3-2第3實施方式的變形
4第4實施方式1第1實施方式1-1基板處理系統(tǒng)的整體構(gòu)成首先，參照圖1說明第1實施方式的含有成膜裝置的基板處理系統(tǒng)的整體構(gòu)成。有機EL元件在例如如圖1所示的群集型的基板處理系統(tǒng)Sys內(nèi)被制造。在基板處理系統(tǒng)Sys中，多個處理容器連結(jié)在群集側(cè)。實際上，基板處理系統(tǒng) Sys 具有負載鎖定裝置 LLM (Load Lock Module)、搬送裝置 TM (Transfer Module)、清洗裝置(前處理室)CM (Cleaning Module)、成膜裝置 PMl process Module)、蝕刻裝置 PM2、 CVD (Chemical Vapor D印osition 化學(xué)蒸鍍薄膜成膜法)裝置PM3和濺射裝置PM4。成膜裝置PMl相當于在同一處理容器內(nèi)使有機層與堿金屬層連續(xù)地成膜的成膜裝置。負載鎖定裝置LLM是為了將從大氣被搬送的玻璃基板G (以下稱基板G)搬送到減壓狀態(tài)的搬送裝置TM而使內(nèi)部保持在減壓狀態(tài)的真空搬送室。在搬送裝置TM的大致中央處配設(shè)能屈伸和能旋轉(zhuǎn)的多關(guān)節(jié)狀的搬送臂Arm。最初使用搬送臂Arm將基板G從負載鎖定裝置LLM搬送到清洗裝置CM。在基板G形成作為陽極層的ITOandium Tin Oxide)，在清洗裝置CM除去附著在其表面的污染物(主要為有機物)。圖2表示有機EL元件的制造工序。如圖2的(a)所示，在成膜裝置PMl搬入已清洗的基板G。在成膜裝置PM1，如圖2的(b)所示，通過蒸鍍在基板的ITO表面使6層的有機層20連續(xù)地成膜。有機層成膜后，在同一成膜裝置PM1，如圖2的(c)所示，立即通過蒸鍍使金屬層30成膜。在金屬層30的成膜中利用氣化器。形成金屬層30的金屬優(yōu)選功函數(shù)低的堿金屬，尤其優(yōu)選鋰、銫、鈉、鉀或者銣中任一種?？紤]這些堿金屬是高活性類且不穩(wěn)定，尤其薄膜的情況下難以實現(xiàn)面內(nèi)均一性，在本實施方式中在成膜裝置PMl的同一空間內(nèi)使有機層20和金屬層30連續(xù)成膜。對此，在本實施方式中，以使用鋰作為堿金屬的情況為例子后面詳述。接著，基板G被搬送裝置TM的臂Arm抓取，搬送到蝕刻裝置PM2。在蝕刻裝置PM2， 如圖2(d)所示，對金屬層30的表面進行軟蝕刻，除去附著在金屬層30的表面的雜質(zhì)。之后，基板G被搬送裝置TM的臂Arm抓取，搬送到濺射裝置PM4。在濺射裝置PM4，通過對由鋁或銀等保護膜用材料形成的靶進行濺射，來使飛出的保護膜用材料的原子在金屬層30上層積。由此，如圖2(e)所示，在金屬層30上使保護膜40成膜。從層積膜的上部取出光的時候，由于需要在金屬層30使光透過，所以需要形成薄的金屬層30。這時，由于金屬層30是薄膜，所以存在不能進行圖2(d)所示的軟蝕刻的情況。由此，可以在金屬層30的表面形成ITO膜那樣的透明氧化物膜，以使不進行軟蝕刻也可以。在保護膜40的成膜中也可以使用CVD裝置PM3來代替濺射裝置PM4。這時，也如圖2(d)所示，首先，對金屬層30的表面進行軟蝕刻，除去附著在金屬層30的表面的雜質(zhì)。 之后，將基板G搬送到CVD裝置PM3。在CVD裝置PM3中，從保護膜用材料氣體激發(fā)等離子體，通過被激發(fā)的等離子體在基板G的金屬層上使保護膜40成膜。由此，也如圖2(e)所示，在金屬層30上使保護膜40成膜。而且，CVD裝置PM3可以是電容耦合型(平行平板) 等離子體處理裝置、電感耦合型(ICP dnductively Coupled Plasma)等離子體處理裝置、 ECR(Electron Cyclotron Resonance)、微波等離子體處理裝置等激發(fā)氣體生成等離子體、 并且使用生成的等離子體使基板G成膜的裝置。(控制器)控制器50 具有 ROMSOa、RAM5Ob、CPU5Oc 和輸入輸出 I/F (接口(interface)) 5OcL 在R0M50a、RAM50b貯存用于控制例如使有機層20成膜時的有機材料的蒸發(fā)速度、或者控制使金屬層30成膜時的堿金屬的蒸發(fā)速度的數(shù)據(jù)和控制程序?；逄幚硐到y(tǒng)Sys的各裝置被控制器50控制。具體而言，CPU50c使用貯存在 R0M50a、RAM50b的數(shù)據(jù)和控制程序，生成用于控制基板處理系統(tǒng)Sys內(nèi)的搬送和工序的驅(qū)動信號。輸入輸出I/F50d將由CPTOOc生成的驅(qū)動信號輸出到基板處理系統(tǒng)Sys，與此對應(yīng)輸入從基板處理系統(tǒng)Sys輸出的應(yīng)答信號，傳給CPTOOc。1-2成膜裝置的內(nèi)部構(gòu)成 接著，針對成膜裝置PMl的內(nèi)部構(gòu)成，參照圖3詳細地進行說明。圖3是模式化地表示本實施方式的成膜裝置PMl的縱截面圖。成膜裝置PMl具有處理容器100、作為第一蒸鍍源的蒸鍍源200、作為第二蒸鍍源的氣化器300。
處理容器100是長方體，內(nèi)置能滑動的載置臺110、6個第一噴出機構(gòu)120a 120f、l個第二噴出機構(gòu)130、隔壁140和隔壁150。在處理容器100的側(cè)壁設(shè)置通過開關(guān)能將基板G搬入、搬出的閘閥160a，160b。載置臺110，通過從未圖示的高電壓電源施加的高電壓，靜電吸附從閘閥160a被搬入的基板G。載置臺110，在這樣朝下地載置基板G的狀態(tài)下，在設(shè)置于頂棚的軌道IlOa 上從第一噴出機構(gòu)120a —側(cè)朝向第二噴出機構(gòu)130—側(cè)滑動。由此，基板G按照第一噴出機構(gòu)120a、120b、120c、120d、120e、120f、第二噴出機構(gòu)130的順序在各噴出口的稍上空平行移動。第一噴出機構(gòu)120a 120f，形狀和構(gòu)造全部相同，相互平行并等間隔地配置。第一噴出機構(gòu)120a 120f，其內(nèi)部為中空(緩沖空間S)的矩形形狀，從設(shè)置于其上部中央的開口噴出有機材料蒸氣。第一噴出機構(gòu)120a 120f的下部通過貫通處理容器100的底壁的第一氣體供給管170a 170f連結(jié)于蒸鍍源200。在處理容器100的同一空間中稍微離開第一噴出機構(gòu)120f地設(shè)置第二噴出機構(gòu) 130。第二噴出機構(gòu)130的下部通過貫通處理容器100的底壁的第二氣體供給管180與氣化器300連結(jié)。在第一氣體供給管170a 170b和第二氣體供給管180分別設(shè)置控制被搬送到處理容器一側(cè)的有機材料和堿金屬材料的供給、斷開和流量的閥門VI，V2。在第一噴出機構(gòu)120a 120f和第二噴出機構(gòu)130的兩側(cè)設(shè)置將各噴出機構(gòu)隔開的隔壁140、150。由此，能防止從相鄰的第一噴出機構(gòu)120a 120f和第二噴出機構(gòu)130的噴出口噴出的各種有機材料和堿金屬材料的混入。在處理容器100的第一噴出機構(gòu)120a —側(cè)設(shè)置排氣口 190a。驅(qū)動連接在排氣口 190a的排氣裝置l%a時，從第一噴出機構(gòu)120a 120f噴出的有機材料的殘留物從排氣口 190a被噴出處理容器外。此外，在處理容器100的第二噴出機構(gòu)130 —側(cè)設(shè)置排氣口 190b。 驅(qū)動連接在排氣口 190b的排氣裝置l%b時，從第二噴出機構(gòu)130噴出的堿金屬材料蒸氣的殘留原子從排氣口 190b被噴出處理容器外。尤其是，在通過蒸鍍的成膜中，氣化原子在處理容器內(nèi)飛動、一邊擴散一邊到達基板G被用于成膜。還存在即使暫時吸附在基板G的氣體原子也從基板G離開在處理容器內(nèi)再次飛動的情況。這樣，在通過蒸鍍的成膜中，氣化原子在處理容器內(nèi)在非常寬的范圍擴散的傾向很強。由此，通過將從第一噴出機構(gòu)120a—側(cè)殘留的有機材料蒸氣進行排氣，能夠抑制有機材料蒸氣飛至第二噴出機構(gòu)130 —側(cè)并混入金屬層30。此外，通過將從第二噴出機構(gòu) 130 一側(cè)殘留的鋰進行排氣，能抑制鋰飛至第一噴出機構(gòu)120a 120f—側(cè)并混入有機層 20。有機層20的成膜中可以僅驅(qū)動排氣裝置195a，使殘留有機材料蒸氣不飛至第二噴出機構(gòu)130 —側(cè)，金屬層30的成膜中可以僅驅(qū)動排氣裝置195b，使殘留鋰不飛至第一噴出機構(gòu) 120a 120f—側(cè)。成膜中，處理容器內(nèi)通過驅(qū)動各排氣裝置195a、195b被保持在10’a IO^3Pa左右的減壓狀態(tài)。在蒸鍍源200內(nèi)置形狀和構(gòu)造相同的6個坩堝210a 210f。各坩堝210a 210f 分別在內(nèi)部收納不同的有機材料A F。在分別收納有機材料A F的容器底面分別埋入加熱器220a 220f。通過分別加熱加熱器220a 220f，使坩堝210a 210f達到200 500°C左右的高溫，由此控制有機材料A F的氣化速度。而且，氣化不只是液體變?yōu)闅怏w的現(xiàn)象，也包含固體不經(jīng)過液體的狀態(tài)直接變?yōu)闅怏w的現(xiàn)象(即，升華)。
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在坩堝210a 210f設(shè)置供給氬氣Ar的氣體管路。從氣體管路供給到坩堝210f 內(nèi)的氬氣，將在各坩堝210a 210f被氣化的有機材料蒸氣A F通過第一氣體供給管 170a 170b搬送到第一噴出機構(gòu)120a 120f，從第一噴出機構(gòu)120a 120f的噴出口在處理容器100的內(nèi)部被放出。在蒸鍍源200設(shè)置排氣口 230。通過驅(qū)動排氣裝置M0，使處理容器內(nèi)維持在所需的真空度。使氬氣和有機材料蒸氣通過的第一氣體供給管170a 170f也與坩堝相同地被調(diào)節(jié)到200°C以上的溫度。由此，能防止有機材料蒸氣被氬氣搬送時，附著在第一氣體供給管 170a 170f等上并液化。由此，能提高使有機層20成膜時的材料效率。在處理容器100的外部設(shè)置加熱鋰并使其氣化的氣化器300。在氣化器300的內(nèi)部設(shè)置能收納鋰等堿金屬的蒸發(fā)容器Dsl。在蒸發(fā)容器Dsl連接電源Ds2。根據(jù)從控制器 50輸出的驅(qū)動信號在電源Ds2施加所需的電壓，規(guī)定的電流在蒸發(fā)容器Dsl流動。由此，蒸發(fā)容器Dsl被加熱并保持在所需的溫度。這樣做，能調(diào)整收納在蒸發(fā)容器Dsl的鋰的蒸發(fā)量。而且，收納在蒸發(fā)容器Dsl的材料若是功函數(shù)低的堿金屬材料，則也可以是鋰、鈉、鉀、 銣、銫等的任一種。氣化器300通過開度可調(diào)整閥門V3連結(jié)在真空泵310。氣化器300的內(nèi)部通過根據(jù)從控制器50輸出的驅(qū)動信號調(diào)節(jié)閥門V3的開度而被控制在所需的真空壓。此外，氣化器300通過調(diào)整氣體的流量的質(zhì)量流控制器MFC和閥門V4連結(jié)在氬氣供給源320。通過根據(jù)從控制器50輸出的驅(qū)動信號控制質(zhì)量流控制器MFC和閥門V4，來調(diào)節(jié)氬氣的供給、斷開和流量。由此，在氣化器300內(nèi)蒸發(fā)的鋰，以被送入氣化器300內(nèi)的規(guī)定量的氬氣作為運載氣體，通過第二氣體供給管180被搬送到第二噴出機構(gòu)130，從噴出口在處理容器內(nèi)被放出。而且，作為從第二噴出機構(gòu)130噴出堿金屬的機器，不限定于上述氣化器300，也可以使用使堿金屬單體直接蒸發(fā)并噴出的機構(gòu)。使氬氣和有機材料蒸氣通過的第二氣體供給管180和氣化器300被調(diào)節(jié)到200°C 以上的溫度。由此，在控制鋰的蒸發(fā)速度并且鋰被氬氣搬送的時候，能防止在第二氣體供給管180等附著并液化。由此，能提高金屬層30成膜時的材料效率。而且，為了使金屬層30成膜，代替氣化器300，可以使用與為了使有機層20成膜而使用的坩堝相同構(gòu)成的蒸鍍源，也可以是電阻加熱板等加熱器。根據(jù)以上說明的成膜裝置PM1，由從第一噴出機構(gòu)120a 120f噴出的有機材料蒸氣形成有機層20，之后，由從第二噴出機構(gòu)130噴出的有機材料蒸氣連續(xù)地形成有機層20。具體而言，從第一噴出機構(gòu)120a 120f噴出的有機材料蒸氣之中，首先，從第一噴出機構(gòu)120a噴出的有機材料蒸氣附著在在噴出機構(gòu)120a的上方以某速度行進的基板G 上的ΙΤ0(陽極)，由此，如圖4所示，通過從第一噴出機構(gòu)120a噴出的有機材料蒸氣A在基板G進行堆積，在基板上形成第一層空穴注入層。接著，基板G從第一噴出機構(gòu)120b按順序移動到第一噴出機構(gòu)120f的時候，從第一噴出機構(gòu)120b 120f噴出的有機材料蒸氣 B F分別在基板G進行堆積，由此順序形成有機層(第2層 第6層)。最后，通過從第二噴出機構(gòu)130放出的鋰在基板G進行堆積，來形成金屬層30。這樣做，通過使有機層20和金屬層30在同一處理裝置內(nèi)連續(xù)地進行成膜，能防止有機層20和金屬層30的劣化。對此進行具體的說明。鋰和銫等堿金屬由于功函數(shù)小，所以優(yōu)選作為形成有機EL元件的電子注入層的材料。但是，另一方面由于堿金屬是高活性類，即使在高真空狀態(tài)的處理室內(nèi)也容易與室內(nèi)殘留的水分、氮、氧等反應(yīng)。因此，在這樣的雜質(zhì)存在于成為金屬層30的基底的有機層20的表面的狀態(tài)下，如果在其上金屬層30成膜時，在有機層20與金屬層30的界面成膜的堿金屬與附著在有機層的雜質(zhì)反應(yīng)，例如，成為氧化鋰(Li2O)的絕緣物等，在金屬層30產(chǎn)生劣化。因此，現(xiàn)有技術(shù)中考慮到鋰等堿金屬變化為絕緣物的情況，采取使鋰的膜非常薄地成膜的方法。但是，即使如此，仍存在使鋰的膜非常薄地成膜時膜的面內(nèi)均一性變差、產(chǎn)生有機EL元件的性能的偏差等問題。對此，在本實施方式的成膜裝置PMl中，有機層20的成膜后，不需要在金屬層30 成膜前將基板搬送到其他腔室。由此，雜質(zhì)附著在有機層上的概率變得非常低。由此，在同一處理容器內(nèi)直接在有機層上成膜的金屬層30，在有機層20的界面與雜質(zhì)反應(yīng)而絕緣物化的概率也變非常低。其結(jié)果是，能提高金屬層30的電子注入效率，能提高有機層20的光電變換效率。此外，根據(jù)本實施方式的成膜裝置PM1，如上述，由于金屬層30在有機層20的界面與雜質(zhì)反應(yīng)而絕緣物化的概率變非常低，所以不降低電子注入效率而能使堿金屬的膜比現(xiàn)有技術(shù)更厚地進行成膜。因此，根據(jù)本成膜裝置PMl，例如，能使金屬層30在0. 5nm IOOnm 的厚度進行成膜，成為能管理成膜工序的膜厚。通過使金屬層30在某程度的厚度進行成膜，能改善金屬層30的面內(nèi)均一性，能抑制有機EL元件的性能的偏差。進而，通過使金屬層30在某程度的厚度進行成膜，能使現(xiàn)有技術(shù)中膜太薄而不可能的電子注入層的電極化成為可能。也就是說，根據(jù)本實施方式的成膜裝置，通過使金屬層 30在例如50nm IOOnm程度的厚度進行成膜，能使金屬層30作為電子注入層和電極(陰極)起作用。此外，通過使金屬層30在某程度厚度進行成膜，對于之后工序的保護膜的濺射能通過金屬層30吸收其損傷，能使由濺射引起的對有機層20的損傷減低。使金屬層30成膜后，基板G被搬送到圖1的蝕刻裝置PM2，對易發(fā)生反應(yīng)的鋰的金屬層30進行軟蝕刻并清洗其表面(參照圖2的(d))。之后，立即搬送到濺射裝置PM4，通過使氬氣的離子沖撞由鋁Al和銀Ag形成的濺射材，打出濺射原子Ag。被打出的濺射原子 Ag堆積在金屬層30上。由此，圖2 (e)所示的保護膜40成膜。保護膜40防止高活性化類的金屬層30的氧化。從層積膜的上部取出光的時候，由于需要在金屬層30使光透射，所以需要形成薄的金屬層30。這時，由于金屬層30是薄膜，所以存在不能進行圖2(d)所示的軟蝕刻的情況。由此，可以在金屬層30的表面形成ITO膜那樣的透明氧化物膜，以使不進行軟蝕刻也可以。而且，保護膜40若是能保護高活性化類的堿金屬的金屬層30的材質(zhì)，則除了銀和鋁還能使用樹脂等。但是，將樹脂用于保護膜40時，由于不能使用通過濺射的成膜方法，所以使用通過蒸鍍或CVD的成膜方法。從ITO—側(cè)放出光的有機EL元件的情況下，優(yōu)選使用光的反射率高的銀和鋁作為保護膜40。此外，由于當保護膜40薄時光透射，所以為了從ITO —側(cè)放出光而保護膜40需要一定程度的厚度。此外，這時，在保護膜40不能使用不反射光的樹脂。另一方面，從與ITO —側(cè)相反的一側(cè)(保護膜一側(cè))取出光的有機EL元件的情況下，可以使銀和鋁較薄地成膜，來作為保護膜40，以使光容易透射。此外，這時，只要是難吸收光且使光容易透射的樹脂便能用于保護膜40。并且，通過使鋰等金屬層30與鋁和銀等保護膜40的厚度比最優(yōu)化，能使對于金屬層30和保護膜40的光的透射率和光的反射率最優(yōu)化。如以上說明，根據(jù)本實施方式的成膜裝置PM1，通過從第一噴出機構(gòu)120a 120f 噴出的有機材料的材料蒸氣堆積在基板G，形成有機層20，之后立即在同一空間內(nèi)通過從第二噴出機構(gòu)130噴出的堿金屬的氣化原子堆積在基板G形成金屬層30。這樣，則有機層 20成膜后，不將基板G搬向其他的處理裝置，能在同一腔室內(nèi)使金屬層30成膜。由此，能避免在有機層20的表面附著水分、氮、氧等雜質(zhì)，能防止金屬層30與附著在有機層20的表面的雜質(zhì)反應(yīng)、氧化而絕緣物化后膜的劣化。其結(jié)果是，能制造電子注入效率高、高性能的有機EL元件。此外，由于能如上述那樣防止金屬層30的劣化，所以能使金屬層30比現(xiàn)有技術(shù)厚。例如，能使金屬層30在0. 5nm IOOnm的厚度進行成膜。通過將金屬層30設(shè)定為某程度的厚度，不僅能使金屬層30作為電子注入層來起作用，還能作為有機EL元件的陰極起作用。此外，能抑制有機EL元件的性能的偏差。1-3第1實施方式的變形例參照圖5說明第1實施方式的成膜裝置PMl的變形例。在第1實施方式的成膜裝置PMl中，使基板G以朝下的方式進行成膜。對此，在第1實施方式的變形例的成膜裝置PMl中，載置臺110，如圖5所示，設(shè)置于處理容器100的底面。載置臺110將從閘閥160a搬入的基板G以朝上的狀態(tài)載置。而且，若能氣體輸送成膜，則成膜基材不僅可以朝上(面朝上)，還能朝下(面朝下)或朝向縱向(側(cè)面)。載置臺110在設(shè)置于處理容器的底面的軌道IlOa上從第一噴出機構(gòu)120a — 側(cè)向第二噴出機構(gòu)130—側(cè)滑動。由此，基板G按照第一噴出機構(gòu)120a、120b、120c、120d、 120e、120f、第二噴出機構(gòu)130的順序在各噴出口的稍微上空進行平行移動。其結(jié)果是，與第1實施方式相同，在同一處理容器100的內(nèi)部有機層20和金屬層30連續(xù)地被成膜。由此，能在使基板G朝上載置的狀態(tài)下實施成膜處理。由此，即使是大型基板的情況下，也能不將基板G反轉(zhuǎn)而容易地將其搬送。此外，能提高形成于基板上的膜的面內(nèi)均一性。2第2實施方式接著，參照圖6說明第2實施方式的成膜裝置。而且，第2實施方式的基板處理系統(tǒng)Sys與第1實施方式相同，有機EL元件在圖1所示的群集型基板處理系統(tǒng)Sys內(nèi)制造。2-1成膜裝置的內(nèi)部構(gòu)成在本實施方式的成膜裝置PMl中，有機層20的蒸鍍、金屬層30的蒸鍍和保護膜40 的成膜在處理容器100的內(nèi)部連續(xù)地進行處理。由此，在本實施方式的成膜裝置PMl中，除了為了在第一實施方式的成膜裝置PMl對有機層20進行蒸鍍而設(shè)置的蒸鍍源200 (第一蒸鍍源)和第一噴出機構(gòu)120a 120f、為了對金屬層30進行蒸鍍而設(shè)置的氣化器300 (第二蒸鍍源)和第二噴出機構(gòu)130之外，在處理容器內(nèi)部設(shè)置有下述的濺射裝置400。濺射裝置400在處理容器100的內(nèi)部設(shè)置于第二噴出機構(gòu)130的旁邊。與在第一噴出機構(gòu)120a 120f與第二噴出機構(gòu)130之間設(shè)置隔壁140、150相同地，在第二噴出機構(gòu)130與濺射裝置400之間設(shè)置隔壁410。
濺射裝置400使氬氣激發(fā)而生成等離子體，由氬的離子對銀的靶進行濺射并打出銀原子。被打出的銀堆積在基板上，由此形成保護膜40。具體而言，濺射裝置400具有靶材420a、420b、背板(backingplate)430a、430b、 靶材支架440a、440b、磁場產(chǎn)生機構(gòu)450a、450b和氣體噴頭460。一對靶材420a、420b以濺射面呈平行的方式相向配置。靶材材420a、420b優(yōu)選電阻低、光反射率高的銀或者鋁作為保護膜用材料。在本實施方式中，靶材420a、420b由銀形成。一對靶材420a、420b經(jīng)由背板430a、430b被靶材支架440a、440b保持。磁場產(chǎn)生機構(gòu)450a、450b在本實施方式中是磁石，在各靶材420a、420b的背面以S極位于靶材420a、 N極位于靶材420b的方式配置磁石。由此，在靶材420a、420b的相向的空間中，以包圍該空間的方式在各靶材420a、420b產(chǎn)生垂直的磁場。從氬氣供給源320輸出的氬氣從氣體噴頭460供給到處理容器內(nèi)。通過根據(jù)從控制器50輸出的驅(qū)動信號控制質(zhì)量流控制器MFC和閥門V5來調(diào)節(jié)氬氣的供給、斷開和流量。直流電源470以各靶材420a、420b為陰極、以背板430b為陽極，根據(jù)從圖1所示的控制器50輸出的驅(qū)動信號施加所需的直流電壓(DC恒電力)。由此，在靶材420a、420b 的相向的空間生成等離子體。作為電力的種類，不限定于DC恒電力，也可以是AC電力、RF 電力、MF電力、脈沖DC電力等，也可以是它們的疊加電力。而且，直流電源470是在處理容器100的內(nèi)部供給所需的能量的能量源的一個例子。在濺射裝置400的附近設(shè)置有排氣口 480和連接在排氣口 480的排氣裝置490，通過驅(qū)動排氣裝置490，將處理容器內(nèi)殘余的靶材原子排氣到外部。這里，說明處理容器100的內(nèi)部壓力。處理容器100的內(nèi)部壓力對各成膜有極大的影響。例如，若有機層20和金屬層30與水分、氮、氧等反應(yīng)則其膜質(zhì)劣化。因此，蒸鍍時的處理容器內(nèi)的壓力優(yōu)選左右。尤其是，有機層20和金屬層30是靈敏的膜，成膜時的環(huán)境對膜質(zhì)有大的影響。例如，在處理容器內(nèi)的壓力高、在處理容器內(nèi)存在很多雜質(zhì)的狀態(tài)下，有機層20膜與水分等反應(yīng)、在膜中產(chǎn)生黑斑等使光電變換效率惡化，使有機EL元件的壽命劣化。此外，由于在金屬層30使用鋰等高活性金屬，所以在處理容器內(nèi)的壓力高、存在很多雜質(zhì)的狀態(tài)下，金屬層30與氧等反應(yīng)而成為絕緣物，電子注入效率惡化。因此，在使處理容器內(nèi)的壓力為比更低真空度的狀態(tài)下對有機層20和金屬層30進行蒸鍍不是好辦法。在本實施方式中，通過將處理容器內(nèi)的壓力維持在10_2 左右，實現(xiàn)在同一容器內(nèi)連續(xù)地進行有機層20的蒸鍍、金屬層30的蒸鍍、保護膜40的濺射的處理的成膜裝置。根據(jù)本實施方式的成膜裝置PMl，能防止有機材料和堿金屬材料的氧化和氮化，并能成膜成優(yōu)質(zhì)的有機層20和金屬層30。與此同時，由設(shè)置于同一處理室內(nèi)的濺射裝置400 能使氬氣進行等離子體點火，由氬氣的離子打出濺射原子Ag，由此，能在同一腔室內(nèi)使圖 2(e)所示的保護膜40成膜。由此，使金屬層30成膜后，不需要將基板G搬送到處理容器100的外部。其結(jié)果是，能避免在金屬層30的表面附著水分、氮、氧等雜質(zhì)，能防止在金屬層30上形成保護膜40 之前，金屬層30與處理容器內(nèi)的雜質(zhì)反應(yīng)、氧化而絕緣物化后的膜的劣化。這樣，通過在高活性化類金屬層30氧化之前在同一腔室內(nèi)使保護膜40成膜，能制造電子注入效率高、高性能的有機EL元件。此外，在本實施方式中，不需要進行在第1實施方式中作為濺射的前處理而實施的軟蝕刻的工序(圖2(d))。由此，能提高處理能力、提高生產(chǎn)性。并且，根據(jù)本實施方式，能在比現(xiàn)有技術(shù)更低真空的10_2 左右實施濺射。 因此，排氣效率變高，能使基板G的搬送和處理所需的時間比現(xiàn)有技術(shù)縮短。由此，也能提高處理能力、提高生產(chǎn)性。3第3實施方式接著，參照圖7說明第3實施方式的成膜裝置。而且，第3實施方式的基板處理系統(tǒng)Sys與第1實施方式相同，有機EL元件在圖1所示的群集型的基板處理系統(tǒng)Sys內(nèi)制造。3-1成膜裝置的內(nèi)部構(gòu)成在本實施方式的成膜裝置PMl中，在處理容器100的內(nèi)部連續(xù)地處理有機層20的蒸鍍、金屬層30的蒸鍍和保護膜40的蒸鍍。由此，在本實施方式的成膜裝置PMl中，除了在第2實施方式的成膜裝置PMl中為了對有機層20進行蒸鍍而設(shè)置的蒸鍍源200 (第一蒸鍍源)和第一噴出機構(gòu)120a 120f、對金屬層30進行蒸鍍而設(shè)置的氣化器300 (第二蒸鍍源)和第二噴出機構(gòu)130，還在處理容器內(nèi)部設(shè)置下述的氣化器500(相當?shù)谌翦冊?和第三噴出機構(gòu)510。在處理容器100的外部，除了加熱鋰并使其氣化的氣化器300之外，還設(shè)置有使銀或者鋁氣化的氣化器500。氣化器500通過開度可調(diào)閥門V6與真空泵520連結(jié)。通過根據(jù)從控制器50輸出的驅(qū)動信號調(diào)節(jié)閥門V6的開度，氣化器500的內(nèi)部被控制在所需的真空壓。此外，氣化器500通過調(diào)整氣體流量的質(zhì)量流控制器MFC和閥門V7與氬氣供給源 320連結(jié)。通過根據(jù)從控制器50輸出的驅(qū)動信號控制質(zhì)量流控制器MFC和閥門V7，來調(diào)節(jié)氬氣的供給、斷開和流量。氣化器500和第三噴出機構(gòu)510由第三氣體供給管530連結(jié)。在第三氣體供給管530設(shè)置控制被搬送到處理容器一側(cè)的保護膜用材料的供給、斷開和流量的閥門V8。由此，在氣化器500內(nèi)蒸發(fā)的鋁和銀，以被送入氣化器500內(nèi)的規(guī)定量的氬氣作為運載氣體，通過第三氣體供給管520內(nèi)部的通路被搬送到處理容器內(nèi)。在第二噴出機構(gòu)130與第三噴出機構(gòu)510之間設(shè)置有隔壁M0。此外，在處理容器 100的第三噴出機構(gòu)510 —側(cè)設(shè)置有排氣口 550。排氣口 550與排氣裝置560連接。驅(qū)動排氣裝置560時，從第三噴出機構(gòu)510噴出的銀的殘留原子從排氣口 550被噴出處理容器外。而且，為了使保護膜40成膜，代替氣化器500，可以使用與為了使有機層20成膜而使用的坩堝相同構(gòu)成的蒸鍍源。但是，由于保護膜用材料氣體是金屬材料，所以需要注意不目旨是合金。根據(jù)以上說明的連續(xù)成膜裝置，基板G在第一噴出機構(gòu)120b 120f的上空順序移動時，從第一噴出機構(gòu)120b 120f噴出的有機材料蒸氣A F分別堆積在基板G，由此順序形成有機層(第1層 第6層)。接著，從第二噴出機構(gòu)130放出的鋰堆積在基板G，由此形成金屬層30。最后，從第三噴出機構(gòu)510放出的銀堆積在基板G，由此形成保護膜40。
由此，能防止有機材料和堿金屬材料的氧化和氮化，并且能成膜為優(yōu)質(zhì)的有機層 20和金屬層30。除此之外，根據(jù)本實施方式的成膜裝置PM1，由從設(shè)置于同一處理室內(nèi)的第三噴出機構(gòu)510噴出的銀，能在金屬層30上立即形成保護膜40。由此，金屬層30成膜后，不需要將基板G搬送到處理容器100的外部。其結(jié)果是， 能避免在金屬層30的表面附著水分、氮、氧等雜質(zhì)，能防止在金屬層30上形成保護膜40之前，金屬層30與處理容器內(nèi)的雜質(zhì)反應(yīng)、氧化而絕緣物化后膜的劣化。這樣做，通過在高活性化類金屬層30氧化之前在同一腔室內(nèi)使保護膜40成膜，能制造電子注入效率變高、高性能的有機EL元件。此外，不需要在第1實施方式中作為濺射的前處理而實施的軟蝕刻的工序(圖 2(d))。由此，能提高處理能力、提高生產(chǎn)性。3-2第3實施方式的變形例在以上的各實施方式中，在載置臺110載置基板G，通過使用軌道IlOa使載置臺 110滑行移動，來使各層在基板G連續(xù)地成膜。對此，在第3實施方式的變形例中，代替將基板G載置于載置臺110，如圖8所示，在處理容器的兩端設(shè)置輥子610、620，通過旋轉(zhuǎn)兩端的輥子610、620，卷繞在兩端的輥子610、620的薄膜Flm從第一噴出機構(gòu)120a 120f — 側(cè)經(jīng)第二噴出機構(gòu)130、向第三噴出機構(gòu)510卷繞。這期間，從第一噴出機構(gòu)120a 120f、 第二噴出機構(gòu)130、第三噴出機構(gòu)510分別噴出有機材料A F、鋰、銀，在薄膜Flm按順序被蒸鍍。由此，在處理容器內(nèi)的同一空間能使有機層20、金屬層30、保護膜40在薄膜Flm 上連續(xù)地進行成膜。由此，能防止在成膜中的氣氛中靈敏反應(yīng)的有機層20和金屬層30的成膜中的劣化。由此，在薄膜Flm上維持高的光電變換效率和電子注入效率，能制造長壽命的有機EL元件，并且通過代替基板G將薄膜Flm用于被處理體能使制造成本降低。而且， 作為薄膜Flm，能使用PET (聚酯合成纖維Polyethylene Terephthalate)和PPE (聚苯醚 Polyphenylene Ether)。4第4實施方式接著，參照圖9說明第4實施方式的成膜裝置的內(nèi)部構(gòu)成。在本實施方式的成膜裝置PMl中，繼有機層20的蒸鍍之后，使用2個不同的靶的2個不同的濺射處理能在同一處理容器100內(nèi)連續(xù)地進行。說明具體的處理。首先，對有機層20進行蒸鍍的時候，在蒸鍍源200被氣化的有機材料蒸氣從第一噴出機構(gòu)120a 120f朝向基板分別被噴出，由此實施有機層20的6層連續(xù)成膜。在處理容器100內(nèi)置有用于在第一噴出機構(gòu)120f旁邊使金屬層30成膜的濺射裝置401。而且，內(nèi)置有用于在濺射裝置401的旁邊使保護膜40成膜的濺射裝置402。由于濺射裝置401和濺射裝置402主要的內(nèi)部構(gòu)成，與在第2實施方式說明的濺射裝置400相同，所以這里省略說明。而且，濺射裝置401相當于第一濺射裝置，濺射裝置402相當于第
二濺射裝置。有機層20成膜后，基板移動到濺射裝置401的下方，在此，功函數(shù)高的金屬層30 成膜。濺射裝置401，例如通過對由鎂Mg形成的靶進行濺射，使被打出的鎂Mg在基板上層積，形成金屬層30。金屬層30成膜后，基板移動到濺射裝置402的下方，成膜為作為陰極起作用的保
15護膜40。濺射裝置402，例如通過對由銀Ag形成的靶進行濺射，使被打出的銀Ag原子在基板上層積，形成保護膜40。在保護膜40也可以使用鋁Al。此外，代替濺射裝置401、402，也可以使用堿發(fā)放器(alkali dispenser)。而且，在保護膜40上形成由氧化硅膜SiO2和氮化硅膜SiN等形成的密封膜(未圖示)，由此，能制造有機EL元件。在有機材料蒸氣的蒸鍍中，有機材料蒸氣一邊擴展一邊到達基板。反之，濺射原子比較直線地到達基板。因此，有機材料蒸氣比濺射原子更易飛到附近。因此，有機材料蒸氣飛至濺射裝置，優(yōu)選在有機成膜一側(cè)至少設(shè)置1個以上的排氣機構(gòu)，以不對金屬層30的成膜產(chǎn)生壞影響。在本實施方式中，在第一噴出機構(gòu)120f—側(cè)配置排氣裝置195b，主要使從第一噴出機構(gòu)120a 120f噴出的有機材料蒸氣進行排氣，防止有機材料蒸氣飛向濺射裝置401。第一噴出機構(gòu)120f與濺射裝置401之間的隔壁410也同樣防止有機材料蒸氣飛向濺射裝置401。當然，它們的構(gòu)造也防止濺射原子飛至有機成膜一側(cè)。根據(jù)本實施方式，能防止有機材料和堿金屬材料等的氧化和氮化，并且能使有機層20、金屬層30和保護膜40成膜。在本實施方式中，由于能在同一處理容器內(nèi)連續(xù)地實施有機層20的蒸鍍、金屬層30和保護膜40的形成，所以能實現(xiàn)在提高生產(chǎn)性的同時降低制造成本。尤其是，通過將濺射裝置401，402橫向排列地配置，能連續(xù)實施不同條件的成膜、 不同裝置構(gòu)造、不同材料的濺射成膜，具有在同一處理容器進行功能分離和短縮時間的效^ ο而且，在本實施方式中，排列2個濺射裝置，也可以排列3個以上的濺射裝置。如以上說明，根據(jù)各實施方式，能不使易活性化的堿金屬氧化等，而穩(wěn)定地制造高性能的有機EL裝置。在上述實施方式中，各部分的動作相互關(guān)聯(lián)，能一邊考慮相互關(guān)聯(lián)，一邊轉(zhuǎn)換一系列的動作。于是，通過這樣的轉(zhuǎn)換，能將用于制造上述有機EL元件的成膜裝置的實施方式設(shè)定為用于制造上述有機EL元件的成膜方法的實施方式和使用上述成膜裝置制造的有機 EL元件的實施方式。以上參照

了本發(fā)明適合的實施方式，但是本發(fā)明不限定于有關(guān)的例子。 凡本領(lǐng)域技術(shù)人員在權(quán)利要求記載的范疇內(nèi)，能夠想到的各種變更例或者修改例當然也屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。例如，在本發(fā)明中，使堿金屬氣化并成膜，但是堿金屬的熔點低，能使用液體連續(xù)供給。因此，這種情況下，具有使用專用容器代替上述氣化器能以液體一邊連續(xù)地供給堿金屬一邊實施成膜的特征。反之，用上述氣化器則難以連續(xù)供給材料。因此，為了由氣化器連續(xù)供給材料，準備多個氣化器，需要想辦法更換使用各氣化器等。此外，本發(fā)明使用的堿金屬材料可以使用單體也可以使用化合物。但是，使用化合物的時候，需要在氣化器配置吸氣材料(getter)，使得為形成膜而必要的金屬蒸氣以外的材料不混入膜中。在本實施方式中，成膜裝置的處理容器100和蒸鍍源200另外設(shè)置，但也可以在一個處理容器內(nèi)內(nèi)置各有機材料的蒸鍍源。此外，被處理體可以是730mm X 920mm以上的基板，也可以是200mm或300_以上
的硅晶片。
此外，有機層和功函數(shù)蒸鍍層(金屬層)可以是使相互的材料蒸氣一邊混雜在一起一邊成膜。例如，也可以使殘留的有機材料蒸氣從第一噴出機構(gòu)120a—側(cè)飛至第二噴出機構(gòu)130 —側(cè)并混入金屬層30。此外，可以使鋰飛至第一噴出機構(gòu)120a 120f —側(cè)并混入有機層20。符號說明10 ITO20有機層30 金屬層40保護膜50控制器100處理容器110載置臺120a 120f第一噴出機構(gòu)130第二噴出機構(gòu)140、150、410、540 隔壁195a、195b、240、490、560 排氣裝置200蒸鍍源300、500 氣化器400、401 濺射裝置420a、420b 靶材510第三噴出機構(gòu)610、620 輥子G 基板Sys基板處理系統(tǒng)PMl成膜裝置PM2蝕刻裝置PM3 CVD 裝置PM4濺射裝置CM清洗裝置TM搬送裝置LLM負載鎖定裝置Flm 薄膜
權(quán)利要求
1.一種成膜裝置，其特征在于，包括處理容器，在內(nèi)部在被處理體上實施所需的處理； 第一蒸鍍源，其收納有機材料，并將所收納的有機材料加熱來使其氣化； 第一噴出機構(gòu)，其內(nèi)置于所述處理容器并與所述第一蒸鍍源連結(jié)，將在所述第一蒸鍍源被氣化的有機材料向所述處理容器內(nèi)的被處理體噴出；第二蒸鍍源，其收納堿金屬材料，并將所收納的堿金屬材料加熱來使其氣化；和第二噴出機構(gòu)，其內(nèi)置于所述處理容器并與所述第二蒸鍍源連結(jié)，將在所述第二蒸鍍源被氣化的堿金屬材料向所述處理容器內(nèi)的被處理體噴出。
2.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，還具有第三蒸鍍源，其收納保護膜用材料，并將被收納的保護膜用材料加熱來使其氣化；和第三噴出機構(gòu)，其內(nèi)置于所述處理容器并與所述第三蒸鍍源連結(jié)，將在所述第三蒸鍍源被氣化的保護膜用材料向所述處理容器內(nèi)的被處理體噴出。
3.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于還具有內(nèi)置于所述處理容器、對由保護膜用材料形成的靶進行濺射的濺射裝置。
4.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于 具備載置被搬送到所述處理容器的被處理體的載置臺，所述載置臺，使朝上或者朝下或者縱向載置的被處理體從所述第一噴出機構(gòu)一側(cè)向所述第二噴出機構(gòu)一側(cè)滑動。
5.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于 在所述處理容器的兩端具有輥子，通過旋轉(zhuǎn)兩端的所述輥子，來使被卷繞在兩端的所述輥子的薄膜從所述第一噴出機構(gòu)一側(cè)向所述第二噴出機構(gòu)一側(cè)移動。
6.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于所述處理容器中，至少在所述第一噴出機構(gòu)一側(cè)配置有排氣裝置。
7.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于在所述第一噴出機構(gòu)與所述第二噴出機構(gòu)之間設(shè)置有隔壁。
8.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于 所述第一蒸鍍源由收納多種有機材料的多個坩堝形成， 所述第一噴出機構(gòu)由連結(jié)在多個坩堝的多個噴出部形成，通過將在所述多個坩堝被氣化的多種有機材料從設(shè)置于所述第一噴出機構(gòu)的多個噴出部分別噴出，將層積有多種有機材料的有機層在被處理體上連續(xù)成膜。
9.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于 所述堿金屬材料是鋰、銫、鈉、鉀和銣中的任一種。
10.一種成膜裝置，其特征在于，包括處理容器，在內(nèi)部在被處理體上實施所需的處理； 第一蒸鍍源，其收納有機材料并將所收納的有機材料加熱來使其氣化； 第一噴出機構(gòu)，其內(nèi)置于所述處理容器并與所述第一蒸鍍源連結(jié)，將在所述第一蒸鍍源被氣化的有機材料向所述處理容器內(nèi)的被處理體噴出；第一濺射裝置，其內(nèi)置于所述處理容器，對由堿金屬材料形成的靶進行濺射；和第二濺射裝置，其內(nèi)置于所述處理容器，對由保護膜用材料形成的靶進行濺射。
11.如權(quán)利要求10所述的成膜裝置，其特征在于在所述處理容器中，至少在所述第一噴出機構(gòu)一側(cè)配置有排氣裝置。
12.如權(quán)利要求10所述的成膜裝置，其特征在于在所述第一噴出機構(gòu)與所述第一濺射裝置之間設(shè)置有隔壁。
全文摘要
本發(fā)明提供一種成膜裝置。其防止形成電子注入層的有機EL元件的金屬層的劣化。成膜裝置PM1具有處理容器(100)，其于內(nèi)部在基板上實施所需的處理；蒸鍍源(200)(第一蒸鍍源)，其收納有機材料，將被收納的有機材料加熱并使其氣化；第一噴出機構(gòu)(120a)～(120f)，其內(nèi)置于處理容器(100)并與蒸鍍源(200)連結(jié)，將在蒸鍍源(200)被氣化的有機材料排向處理容器內(nèi)的基板G；氣化器(300)(第二蒸鍍源)，其收納鋰等堿金屬材料，將被收納的堿金屬材料加熱并使其氣化；第二噴出機構(gòu)(130)，其內(nèi)置于處理容器(100)并與氣化器(300)連結(jié)，將在氣化器(300)被氣化的堿金屬材料排向處理容器內(nèi)的基板G。
文檔編號H05B33/10GK102369787SQ20108001474
公開日2012年3月7日 申請日期2010年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月31日
發(fā)明者江面知彥, 繼田浩平, 鱷渕美子 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社