專利名稱：多層布線基板的制造方法及多層布線基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多層布線基板的制造方法及多層布線基板，該多層布線基板具有 將以相同樹(shù)脂絕緣材料為主體的多個(gè)樹(shù)脂絕緣層及多個(gè)導(dǎo)體層交替層疊形成的多層化的 層疊結(jié)構(gòu)體，且不具有所謂的芯基板。
背景技術(shù)：
被用作計(jì)算機(jī)的微處理器等的半導(dǎo)體集成電路元件(IC芯片)，近年來(lái)日趨高速 化、高功能化，其附帶的端子數(shù)量增加，具有端子間間距變小的趨勢(shì)。通常，多個(gè)端子在IC 芯片的底面密集配置成陣列狀，這種端子組以倒裝芯片形式與母板側(cè)的端子組連接。但是， 在IC芯片側(cè)的端子組與母板側(cè)的端子組中，由于端子間間距具有較大差異，所以很難直接 將IC芯片連接在母板上。因此，通常采用以下方法，制作將IC芯片安裝在IC芯片安裝用 布線基板上的半導(dǎo)體封裝，將該半導(dǎo)體封裝安裝在母板上。關(guān)于構(gòu)成這種封裝的IC芯片安裝用布線基板，被得到實(shí)際應(yīng)用的是在芯基板的 表面及背面形成了組合層的多層布線基板。在該多層布線基板中，芯基板采用例如在加強(qiáng) 纖維中浸漬了樹(shù)脂的樹(shù)脂基板(玻璃環(huán)氧基板等)。并且，利用該芯基板的剛性，在芯基板 的表面及背面上交替地層疊樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層，由此形成組合層。即，在該多層布線基板 中，芯基板發(fā)揮加強(qiáng)的作用，并且形成為相比組合層非常厚。并且，在芯基板中穿通形成了 用于實(shí)現(xiàn)在表面及背面形成的組合層間的導(dǎo)通的布線(具體地講是通孔導(dǎo)體等)。可是，近年來(lái)伴隨半導(dǎo)體集成電路元件的高速化，所使用的信號(hào)頻率達(dá)到高頻頻 帶。在這種情況下，穿通芯基板的布線將促使產(chǎn)生較大的阻抗，并導(dǎo)致高頻信號(hào)的傳輸損耗 和電路錯(cuò)誤動(dòng)作的發(fā)生，成為高速化的障礙。為了解決這種問(wèn)題，提出了使多層布線基板形 成為不具有芯基板的基板的方法(例如參照專利文獻(xiàn)1、2)。專利文獻(xiàn)1、2記述的多層布線 基板通過(guò)省略比較厚的芯基板來(lái)縮短總體布線長(zhǎng)度，所以高頻信號(hào)的傳輸損耗降低，能夠 使半導(dǎo)體集成電路元件快速動(dòng)作。在專利文獻(xiàn)1公開(kāi)的制造方法中，在臨時(shí)基板的一面配置金屬箔，在該金屬箔上 交替地層疊多個(gè)導(dǎo)體層和多個(gè)樹(shù)脂絕緣層，由此形成組合層。然后，將金屬箔從臨時(shí)基板分 離，得到在金屬箔上形成有組合層的結(jié)構(gòu)體。并且，通過(guò)蝕刻來(lái)去除金屬箔，使組合層的最 外層的表面(樹(shù)脂絕緣層的表面和多個(gè)IC芯片連接端子的表面)露出，由此制造多層布線基板。另外，專利文獻(xiàn)1公開(kāi)了在組合層的最外層形成阻焊劑的多層布線基板。在阻焊 劑中形成有使IC芯片連接端子的表面露出的開(kāi)口部。在專利文獻(xiàn)2公開(kāi)的多層布線基板 中，在IC芯片的安裝面?zhèn)鹊淖钔鈱釉O(shè)有阻焊劑，在該阻焊劑中形成有使IC芯片連接端子的 上表面露出的開(kāi)口部。阻焊劑是以具有光固化性的樹(shù)脂絕緣材料的固化物為主體而形成 的，阻焊劑的開(kāi)口部通過(guò)在配置了預(yù)定的掩模的狀態(tài)下進(jìn)行曝光及顯影而形成。并且，在露 出于阻焊劑的開(kāi)口部?jī)?nèi)的IC芯片連接端子的上表面形成有焊接突起，通過(guò)該焊接突起來(lái) 安裝IC芯片。
另外，也提出了在IC芯片安裝用的多層布線基板中，利用底層填料將與IC芯片連 接端子連接的IC芯片與基板表面的間隙密封的基板。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2007-158174號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2004-111544號(hào)公報(bào)可是，在上述的IC芯片安裝用的多層布線基板中，密封IC芯片的底層填料采用疏 水性的材料。與此相對(duì)，當(dāng)在IC芯片連接端子上形成焊接突起時(shí)采用親水性的助焊劑。即， 在多層布線基板的表面上，需要使疏水性的底層填料以及親水性的助焊劑潤(rùn)濕擴(kuò)散成為合 適的狀態(tài)，但是將多層布線基板的表面粗糙度設(shè)定為合適的狀態(tài)是很困難的事情。具體地 講，例如在專利文獻(xiàn)1的多層布線基板中，通過(guò)蝕刻來(lái)去除銅箔，使最外層的樹(shù)脂絕緣層和 IC芯片連接端子露出?？墒?，樹(shù)脂絕緣層的表面在某種程度上由于該蝕刻而變粗糙。因此， 在樹(shù)脂絕緣層的表面粗糙度增大至必要程度以上時(shí)，底層填料的流動(dòng)性變差，有可能產(chǎn)生 空隙等。相反，在阻焊劑的表面粗糙度較小時(shí)，助焊劑將潤(rùn)濕擴(kuò)散到必要程度以上，使得很 難可靠地形成焊接突起。另外，在上述多層布線基板中，在最外層形成阻焊劑的情況下，由于該阻焊劑與內(nèi) 層的各樹(shù)脂絕緣層的熱膨脹系數(shù)不同，根據(jù)這些熱膨脹系數(shù)的差異而產(chǎn)生基板的翹曲。在 這種情況下，還需要用于抑制這種翹曲的結(jié)構(gòu)(例如加強(qiáng)板等)，所以導(dǎo)致多層布線基板的 制造成本升高。另外，阻焊劑的絕緣性比內(nèi)層的樹(shù)脂絕緣層差。因此，在縮小IC芯片連接 端子的端子間隔時(shí)，阻焊劑的絕緣不足，有時(shí)產(chǎn)生端子間的短路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述問(wèn)題而提出的，其目的在于，提供一種能夠?qū)⒆钔鈱拥谋砻?粗糙度設(shè)定為合適的狀態(tài)的多層布線基板的制造方法。并且，本發(fā)明的另一個(gè)目的在于，提 供一種能夠?qū)⒆钔鈱拥谋砻娲植诙仍O(shè)定為合適的狀態(tài)，并能夠可靠地安裝IC芯片的多層 布線基板。用于解決上述問(wèn)題的方案(方案1)的多層布線基板的制造方法，該多層布線基板 具有多層化的層疊結(jié)構(gòu)體，該層疊結(jié)構(gòu)體交替層疊以相同的樹(shù)脂絕緣材料為主體的多個(gè)樹(shù) 脂絕緣層及多個(gè)導(dǎo)體層而成，在所述層疊結(jié)構(gòu)體的第1主面?zhèn)扰渲糜卸鄠€(gè)第1主面?zhèn)冗B接 端子，在所述層疊結(jié)構(gòu)體的第2主面?zhèn)扰渲糜卸鄠€(gè)第2主面?zhèn)冗B接端子，所述多個(gè)導(dǎo)體層形 成于所述多個(gè)樹(shù)脂絕緣層上，并通過(guò)隨著朝向所述第1主面?zhèn)然蛘咚龅?主面?zhèn)戎械娜?意一個(gè)主面?zhèn)榷鴶U(kuò)徑的通孔導(dǎo)體相互連接，所述多層布線基板的制造方法的特征在于，包 括組合步驟，在一個(gè)面上以能夠剝離的狀態(tài)層疊配置有金屬箔的基材上，交替地層疊多個(gè) 樹(shù)脂絕緣層及多個(gè)導(dǎo)體層而多層化，由此形成層疊結(jié)構(gòu)體；開(kāi)孔步驟，對(duì)最外層的樹(shù)脂絕緣 層實(shí)施激光孔加工，由此形成多個(gè)開(kāi)口部，露出所述第1主面?zhèn)冗B接端子；去污步驟，在所 述開(kāi)孔步驟之后，去除所述開(kāi)口部?jī)?nèi)的污跡；以及基材去除步驟，在所述組合步驟之后，去 除所述基材而露出所述金屬箔。 因此，根據(jù)方案1的發(fā)明，由與層疊結(jié)構(gòu)體中的內(nèi)層的樹(shù)脂絕緣層相同的樹(shù)脂絕 緣材料形成最外層的樹(shù)脂絕緣層，所以與最外層的樹(shù)脂絕緣層由其他樹(shù)脂絕緣材料形成時(shí) 相比，能夠減輕因?qū)盈B結(jié)構(gòu)體中的熱膨脹系數(shù)差異而造成的影響。結(jié)果，能夠抑制多層布線 基板的翹曲。其中，最外層的樹(shù)脂絕緣層是利用與內(nèi)層的樹(shù)脂絕緣層相同的樹(shù)脂絕緣材料形成的，所以在光刻步驟中很難形成開(kāi)口部。但是，通過(guò)實(shí)施激光孔加工，能夠在最外層的 樹(shù)脂絕緣層可靠地形成開(kāi)口部。并且，由于在組合步驟之后實(shí)施去污步驟， 所以能夠?qū)⒆钔?層的樹(shù)脂絕緣層的表面粗糙度設(shè)定為任意的粗糙度。因此，對(duì)構(gòu)成多層布線基板的最外層 的樹(shù)脂絕緣層的表面，能夠設(shè)定適合于助焊劑和底層填料的表面粗糙度，能夠使這些助焊 劑和底層填料潤(rùn)濕擴(kuò)散成為合適的狀態(tài)。優(yōu)選最外層的樹(shù)脂絕緣層由以不具有光固化性的樹(shù)脂絕緣材料的固化物為主體 的組合材料形成。關(guān)于該組合材料，可以考慮絕緣性、耐熱性、耐濕性等適當(dāng)選擇。作為組 合材料的優(yōu)選示例，可以列舉環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、尿烷樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂等熱 固化性樹(shù)脂，聚碳酸脂樹(shù)脂、丙烯樹(shù)脂、聚縮醛樹(shù)脂、聚丙烯樹(shù)脂等熱塑性樹(shù)脂等。另外，也 可以使用這些樹(shù)脂與玻璃纖維(玻璃織布和玻璃無(wú)紡布)或聚酰胺纖維等有機(jī)纖維的復(fù)合 材料，或者在連續(xù)多孔質(zhì)PTFE等三維網(wǎng)眼狀含氟類樹(shù)脂基材中浸漬了環(huán)氧樹(shù)脂等熱固化 性樹(shù)脂的樹(shù)脂_樹(shù)脂復(fù)合材料等。導(dǎo)體層主要由銅構(gòu)成，利用消去法、半添加法、全添加法等公知的方法形成。具體 地講，例如能夠適用銅箔的蝕刻、無(wú)電解鍍銅或者電解鍍銅等方法。另外，還可以在利用濺 射和CVD等方法形成薄膜后進(jìn)行蝕刻，由此形成導(dǎo)體層和連接端子，或者通過(guò)印刷導(dǎo)電膏 等來(lái)形成導(dǎo)體層和連接端子。也可以依次進(jìn)行以下步驟連接端子形成步驟，在基材去除步驟之后，在設(shè)置有覆 蓋第1主面的整個(gè)面的抗蝕劑的狀態(tài)下通過(guò)消去法形成金屬箔的圖案，由此形成第2主面 側(cè)連接端子；和抗蝕劑去除步驟，去除抗蝕劑，露出第1主面?zhèn)冗B接端子。在這種方法中，在 進(jìn)行基材去除步驟之前的階段實(shí)施激光孔加工的開(kāi)孔步驟。在這種情況下，基材上的層疊 結(jié)構(gòu)體具有比較強(qiáng)的強(qiáng)度，所以能夠保持沒(méi)有翹曲的狀態(tài)，能夠在該層疊結(jié)構(gòu)體的表面的 準(zhǔn)確位置形成開(kāi)口部。也可以進(jìn)行連接端子形成步驟，在基材去除步驟之后，在第2主面上設(shè)置有抗蝕 劑的狀態(tài)下形成第2主面?zhèn)冗B接端子，在該連接端子形成步驟之后進(jìn)行開(kāi)孔步驟。在這種 情況下，在連接端子形成步驟中，第1主面?zhèn)鹊淖钔鈱颖粯?shù)脂絕緣層覆蓋，在該樹(shù)脂絕緣層 沒(méi)有設(shè)置開(kāi)口部。因此，能夠使最外層的樹(shù)脂絕緣層作為抗蝕劑發(fā)揮作用。因此，不需要在 第1主面?zhèn)攘硗庠O(shè)置抗蝕劑，能夠以只在第2主面上設(shè)置抗蝕劑的狀態(tài)形成第2主面?zhèn)冗B 接端子的圖案。也可以在開(kāi)孔步驟中露出第1主面?zhèn)冗B接端子，并且露出除連接端子之外的導(dǎo)體 層露出。具體地講，例如通過(guò)露出作為校準(zhǔn)標(biāo)記而設(shè)置的導(dǎo)體層，能夠容易進(jìn)行布線基板的 定位。另外，用于解決上述問(wèn)題的方案(方案2)的多層布線基板，具有多層化的層疊結(jié) 構(gòu)體，該層疊結(jié)構(gòu)體交替層疊以相同的樹(shù)脂絕緣材料為主體的多個(gè)樹(shù)脂絕緣層及多個(gè)導(dǎo)體 層而成，在所述層疊結(jié)構(gòu)體的第1主面?zhèn)扰渲糜卸鄠€(gè)第1主面?zhèn)冗B接端子，在所述層疊結(jié)構(gòu) 體的第2主面?zhèn)扰渲糜卸鄠€(gè)第2主面?zhèn)冗B接端子，所述多個(gè)導(dǎo)體層形成于所述多個(gè)樹(shù)脂絕 緣層上，并通過(guò)隨著朝向所述第1主面?zhèn)然蛘咚龅?主面?zhèn)戎械娜我庖粋€(gè)主面?zhèn)榷鴶U(kuò)徑 的通孔導(dǎo)體相互連接，所述多層布線基板的特征在于，所述多個(gè)樹(shù)脂絕緣層由以不具有光 固化性的樹(shù)脂絕緣材料的固化物為主體的相同組合材料形成，在所述層疊結(jié)構(gòu)體的所述第 1主面?zhèn)忍幱诼冻鰻顟B(tài)的最外層的樹(shù)脂絕緣層上形成有多個(gè)開(kāi)口部，在所述第1主面上具有連接對(duì)象為IC芯片的IC芯片連接端子以及連接對(duì)象為無(wú)源部件且面積比所述IC芯片 連接端子的面積大的無(wú)源部件連接端子這兩種連接端子，作為所述第1主面?zhèn)冗B接端子， 并且在所述多個(gè)開(kāi)口部?jī)?nèi)配置有多個(gè)所述IC芯片連接端子，且所述多個(gè)IC芯片連接端子 的上表面的高度比所述最外層的樹(shù)脂絕緣層的表面低，而且表面?zhèn)韧庵懿勘宦袢胨鲎钔?層的樹(shù)脂絕緣層內(nèi)。 因此，根據(jù)方案2的發(fā)明，將以相同的樹(shù)脂絕緣材料為主體的多個(gè)樹(shù)脂絕緣層及 多個(gè)導(dǎo)體層交替地層疊，形成作為不包含芯基板的無(wú)芯布線基板的多層布線基板。在該多 層布線基板中，由不具有光固化性的與內(nèi)層的樹(shù)脂絕緣材料相同的樹(shù)脂絕緣材料形成最外 層的樹(shù)脂絕緣層，所以與最外層的樹(shù)脂絕緣層由其他樹(shù)脂絕緣材料形成時(shí)相比，能夠減輕 因熱膨脹系數(shù)差異而造成的影響。結(jié)果，能夠抑制多層布線基板的翹曲。并且，在多層布線 基板的第1主面上具有連接對(duì)象為IC芯片的IC芯片連接端子以及連接對(duì)象為無(wú)源部件且 面積比IC芯片連接端子大的無(wú)源部件連接端子這兩種連接端子，作為第1主面?zhèn)冗B接端 子，其中的IC芯片連接端子被配置在多個(gè)開(kāi)口部?jī)?nèi)。該IC芯片連接端子的上表面的高度 比最外層的樹(shù)脂絕緣層的表面低，而且表面?zhèn)韧庵懿勘宦袢胱钔鈱拥臉?shù)脂絕緣層內(nèi)。因此， 最外層的樹(shù)脂絕緣層作為阻焊劑發(fā)揮作用，能夠在IC芯片連接端子的上表面可靠地形成 焊接突起。并且，最外層的樹(shù)脂絕緣層利用與內(nèi)層的樹(shù)脂絕緣層相同的絕緣性良好的組合 材料形成，所以能夠縮小IC芯片連接端子的間隔，能夠?qū)崿F(xiàn)多層布線基板的高度集成。優(yōu)選無(wú)源部件連接端子具有由除銅之外的鍍覆層覆蓋構(gòu)成主體的銅層的上表面 及側(cè)面的結(jié)構(gòu)，所述IC芯片連接端子具有由除銅之外的鍍覆層僅覆蓋構(gòu)成主體的銅層的 上表面的結(jié)構(gòu)。這樣，能夠在無(wú)源部件連接端子的上表面及側(cè)面可靠地形成比較大的焊接 點(diǎn)。并且，能夠在IC芯片連接端子的上表面可靠地形成焊接突起。在此，無(wú)源部件連接端 子的端子間隔比IC芯片連接端子的端子間隔大，并且無(wú)源部件連接端子的尺寸比較大，所 以能夠利用在無(wú)源部件連接端子的上表面及側(cè)面形成的焊接點(diǎn)以足夠的強(qiáng)度對(duì)無(wú)源部件 進(jìn)行可靠的焊接。另一方面，由于IC芯片連接端子的端子間隔比較小，所以當(dāng)焊接突起在 IC芯片連接端子的側(cè)面鼓起時(shí)，端子間的短路將成為問(wèn)題。與此相對(duì)，在本發(fā)明中，由于只 在IC芯片連接端子的上表面形成有焊接突起，所以焊接突起不會(huì)向橫向鼓起，能夠避免端 子間的短路。


圖1是表示第1實(shí)施方式的多層布線基板的結(jié)構(gòu)概況的剖視圖。圖2是表示第1實(shí)施方式的多層布線基板的結(jié)構(gòu)概況的俯視圖。圖3是表示第1實(shí)施方式的多層布線基板的制造方法的說(shuō)明圖。圖4是表示第1實(shí)施方式的多層布線基板的制造方法的說(shuō)明圖。圖5是表示第1實(shí)施方式的多層布線基板的制造方法的說(shuō)明圖。圖6是表示第1實(shí)施方式的多層布線基板的制造方法的說(shuō)明圖。圖7是表示第1實(shí)施方式的多層布線基板的制造方法的說(shuō)明圖。圖8是表示第1實(shí)施方式的多層布線基板的制造方法的說(shuō)明圖。圖9是表示第1實(shí)施方式的多層布線基板的制造方法的說(shuō)明圖。圖10是表示第1實(shí)施方式的多層布線基板的制造方法的說(shuō)明圖。
圖11是表示第1實(shí)施方式的多層布線基板的制造方法的說(shuō)明圖。圖12是表示第1實(shí)施方式的多層布線基板的制造方法的說(shuō)明圖。圖13是表示第2實(shí)施方式的多層布線基板的制造方法的說(shuō)明圖。圖14是表示第2實(shí)施方式的多層布線基板的制造方法的說(shuō)明圖。圖15是表示第2實(shí)施方式的多層布線基板的制造方法的說(shuō)明圖。圖16是表示另一個(gè)實(shí)施方式的多層布線基板的結(jié)構(gòu)概況的剖視圖。圖17是表示另一個(gè)實(shí)施方式的多層布線基板的結(jié)構(gòu)概況的剖視圖。

圖18是表示另一個(gè)實(shí)施方式的多層布線基板的結(jié)構(gòu)概況的剖視圖。圖19是表示另一個(gè)實(shí)施方式的多層布線基板的結(jié)構(gòu)概況的剖視圖。
具體實(shí)施例方式[第1實(shí)施方式]下面，根據(jù)附圖詳細(xì)說(shuō)明將本發(fā)明具體實(shí)現(xiàn)為多層布線基板的第1實(shí)施方式。圖1 是表示本實(shí)施方式的多層布線基板的結(jié)構(gòu)概況的放大剖視圖，圖2是該多層布線基板的俯 視圖。如圖1所示，多層布線基板10是不包含芯基板而形成的無(wú)芯布線基板，具有布線 層疊部30 (層疊結(jié)構(gòu)體)，其是將以相同樹(shù)脂絕緣材料為主體的4層樹(shù)脂絕緣層21、22、23、 24及利用銅構(gòu)成的導(dǎo)體層26交替層疊形成的多層化的布線層疊部。各樹(shù)脂絕緣層21 24采用以不具有光固化性的樹(shù)脂絕緣材料、具體地講是熱固化性環(huán)氧樹(shù)脂的固化物為主體 的組合材料形成。在多層布線基板10中，在布線層疊部30的上表面31側(cè)(第1主面?zhèn)? 配置有多個(gè)連接端子41、42 (第1主面?zhèn)冗B接端子)。如圖1及圖2所示，在本實(shí)施方式的多層布線基板10中，在布線層疊部30的上表 面31側(cè)配置的多個(gè)連接端子41、42，包括連接對(duì)象為IC芯片的IC芯片連接端子41，以及 連接對(duì)象為芯片電容器(無(wú)源部件)的電容器連接端子42 (無(wú)源部件連接端子)。在布線 層疊部30的上表面31側(cè)，多個(gè)IC芯片連接端子41呈陣列狀地配置在被設(shè)于基板中央部 的芯片安裝區(qū)域43中。并且，電容器連接端子42是面積比IC芯片連接端子41大的連接 端子，被配置在芯片安裝區(qū)域43的外周側(cè)。另一方面，在布線層疊部30的下表面32側(cè)(第2主面?zhèn)?，呈陣列狀地配置有連接 對(duì)象為母板(Motherboard)的LGA (Land Grid Array 矩柵陣列)用的多個(gè)連接端子45 (作 為第2主面?zhèn)冗B接端子的母板連接端子)。這些母板連接端子45是面積比上表面31側(cè)的 IC芯片連接端子41以及電容器連接端子42大的連接端子。在樹(shù)脂絕緣層21、22、23、24分別設(shè)有通孔33及填充通孔導(dǎo)體34。各通孔導(dǎo)體34 都具有在同一方向(在圖1中是隨著從下表面?zhèn)瘸蛏媳砻鎮(zhèn)?擴(kuò)徑的形狀，將各導(dǎo)體層 26、IC芯片連接端子41、電容器連接端子42及母板連接端子45相互電連接。在布線層疊部30的上表面31側(cè)，在露出于最外層的第4層的樹(shù)脂絕緣層24形 成有多個(gè)開(kāi)口部35、36。IC芯片連接端子41以使其上表面的高度比樹(shù)脂絕緣層24的表 面(基準(zhǔn)面)低的狀態(tài)被配置在開(kāi)口部35內(nèi)，IC芯片連接端子41的表面?zhèn)韧庵懿勘宦袢?樹(shù)脂絕緣層24內(nèi)。并且，電容器連接端子42以使其上表面的高度比樹(shù)脂絕緣層24的表面 低的狀態(tài)被配置在開(kāi)口部36內(nèi)，電容器連接端子42的表面?zhèn)韧庵懿勘宦袢霕?shù)脂絕緣層24內(nèi)。IC芯片連接端子41及電容器連接端子42以銅層為主體而構(gòu)成。另外，IC芯片連接端 子41及電容器連接端子42具有利用除銅之外的鍍覆層46、47 (具體地講是鎳-金鍍覆層) 只覆蓋形成主體的銅層的上表面的結(jié)構(gòu)。 在布線層疊部30的下表面32側(cè)，樹(shù)脂絕緣層21的表面幾乎整體被阻焊劑37覆 蓋，在該阻焊劑37上形成有使母板連接端子45露出的開(kāi)口部38。在本實(shí)施方式中，開(kāi)口部 38比母板連接端子45小，母板連接端子45的表面?zhèn)韧庵懿勘宦袢胱韬竸?7內(nèi)。母板連接 端子45以銅層為主體而構(gòu)成。另外，母板連接端子45具有利用除銅之外的鍍覆層48 (具 體地講是鎳_金鍍覆層)只覆蓋形成主體的銅層的下表面的結(jié)構(gòu)。上述結(jié)構(gòu)的多層布線基板10例如按照下面的步驟來(lái)制造。首先，在組合步驟中，準(zhǔn)備具有足夠強(qiáng)度的支撐基板(玻璃環(huán)氧基板等)，在該支 撐基板上組合樹(shù)脂絕緣層21 24及導(dǎo)體層26而形成布線層疊部30。具體地講，按照?qǐng)D3所示，在支撐基板50上粘貼利用環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的片狀的絕緣 樹(shù)脂基材來(lái)形成基底樹(shù)脂絕緣層51，由此得到由支撐基板50和基底樹(shù)脂絕緣層51構(gòu)成的 基材52。并且，按照?qǐng)D4所示，在基材52的一面(具體地講是基底樹(shù)脂絕緣層51的上表 面)配置層疊金屬片體54。在此，通過(guò)把層疊金屬片體54配置在基底樹(shù)脂絕緣層51上，在 以后的制造步驟中，確保層疊金屬片體54不會(huì)從基底樹(shù)脂絕緣層51剝離的程度的緊密粘 接性。層疊金屬片體54是將兩個(gè)銅箔55、56(—對(duì)金屬箔)以能夠剝離的狀態(tài)緊密粘接而 形成的。具體地講，形成通過(guò)金屬鍍覆(例如鍍鉻、鍍鎳、鍍鈦、或者這些金屬的復(fù)合鍍覆) 來(lái)配置銅箔55、銅箔56的層疊金屬片體54。然后，按照?qǐng)D5所示，以包圍層疊金屬片體54的狀態(tài)配置片狀的樹(shù)脂絕緣層21，并 粘貼樹(shù)脂絕緣層21。在此，樹(shù)脂絕緣層21與層疊金屬片體54緊密粘接，并且在該層疊金屬 片體54的周?chē)鷧^(qū)域與基底樹(shù)脂絕緣層51緊密粘接，由此密封層疊金屬片體54。并且，按照?qǐng)D6所示，例如使用準(zhǔn)分子激光器、UV激光器、CO2激光器等實(shí)施激光加 工，在樹(shù)脂絕緣層21的預(yù)定位置形成通孔33。然后，使用過(guò)錳酸鉀溶液等蝕刻液，進(jìn)行去除 各通孔33內(nèi)的污跡的去污步驟。另外，去污步驟除了使用蝕刻液的處理之外，也可以使用 例如O2等離子進(jìn)行等離子灰化處理。在去污步驟之后，利用公知的現(xiàn)行方法進(jìn)行無(wú)電解鍍銅及電解鍍銅，在各通孔33 內(nèi)形成通孔導(dǎo)體34。另外，通過(guò)利用公知的現(xiàn)行方法(例如半加成(Semi-additive)法) 進(jìn)行蝕刻，在樹(shù)脂絕緣層21上形成導(dǎo)體層26的圖案(參照?qǐng)D7)。并且，利用與上述的第1層的樹(shù)脂絕緣層21及導(dǎo)體層26相同的方法，形成第2 層 第4層的樹(shù)脂絕緣層22 24及導(dǎo)體層26，并在樹(shù)脂絕緣層21上進(jìn)行層疊。通過(guò)以上 步驟，形成在基材52上層疊了層疊金屬片體54、樹(shù)脂絕緣層21 24及導(dǎo)體層26的布線層 疊體60 (參照?qǐng)D8)。另外，在布線層疊體60中位于層疊金屬片體54上的區(qū)域是成為多層 布線基板10的布線層疊部30的部分。并且，在第4層的樹(shù)脂絕緣層24與第3層的樹(shù)脂絕 緣層23之間形成的導(dǎo)體層26的一部分，成為IC芯片連接端子41及電容器連接端子42。并且，按照?qǐng)D9所示，對(duì)最外層的樹(shù)脂絕緣層24實(shí)施激光孔加工，由此形成多個(gè)開(kāi) 口部35、36，使IC芯片連接端子41及電容器連接端子42的上表面露出(開(kāi)孔步驟)。然 后，利用過(guò)錳酸鉀溶液或O2等離子等，進(jìn)行去除開(kāi)口部35、36內(nèi)的污跡的去污步驟。在去污步驟之后，利用切割裝置(省略圖示)將布線層疊體60切斷，去除布線層疊部30的周?chē)鷧^(qū) 域(切斷步驟)。此時(shí)，按照?qǐng)D9所示，在布線層疊部30與其周?chē)糠?4 的邊界(在圖9中利用箭頭示出的邊界)，將位于布線層疊部30的下方的各基材52(支撐 基板50及基底樹(shù)脂絕緣層51)切斷。通過(guò)這樣切斷，形成使被樹(shù)脂絕緣層21密封的層疊 金屬片體54的外緣部露出的狀態(tài)。即，通過(guò)去除周?chē)糠?4，基底樹(shù)脂絕緣層51與樹(shù)脂 絕緣層21的緊密粘接部分消失。結(jié)果，形成布線層疊部30與基材52只通過(guò)層疊金屬片體 54相連接的狀態(tài)。在此，按照?qǐng)D10所示，沿著層疊金屬片體54的一對(duì)銅箔55、56的界面進(jìn)行剝離， 由此從布線層疊部30去除基材52，使位于布線層疊部30 (樹(shù)脂絕緣層21)的下表面上的銅 箔55露出(基材去除步驟)。然后，利用消去法(Subtractive process)使布線層疊部30 的銅箔55形成圖案(連接端子形成步驟)。具體地講，在布線層疊部30的上表面31及下 表面32上層疊干膜，對(duì)該干膜進(jìn)行曝光及顯影。由此，在布線層疊部30的上表面31形成 覆蓋整個(gè)上表面31的抗蝕劑，并且在布線層疊部30的下表面32形成與母板連接端子45 對(duì)應(yīng)的預(yù)定圖案的抗蝕劑。在這種狀態(tài)下，對(duì)布線層疊部30的銅箔55進(jìn)行蝕刻形成圖案， 由此在樹(shù)脂絕緣層21上形成母板連接端子45。另外，在此通過(guò)蝕刻將銅箔55中沒(méi)有設(shè)置抗蝕劑的區(qū)域慢慢溶解并去除。即，銅 箔55從抗蝕劑側(cè)即下表面被慢慢溶解并去除。因此，母板連接端子45形成為上表面的面 積比下表面大的剖面呈梯形的形狀。并且，將在布線層疊部30的上表面31及下表面32上 形成的抗蝕劑剝離并去除(參照?qǐng)D11)。然后，在樹(shù)脂絕緣層21上涂敷感光性環(huán)氧樹(shù)脂并使其固化，由此形成阻焊劑37。 然后，在配置了預(yù)定的掩模的狀態(tài)下進(jìn)行曝光及顯影，在阻焊劑37上形成開(kāi)口部38的圖案 (參照?qǐng)D12)。然后，對(duì)從開(kāi)口部35露出的IC芯片連接端子41的表面(上表面)、從開(kāi)口部36 露出的電容器連接端子42的表面(上表面)、以及從開(kāi)口部38露出的母板連接端子45的 表面(下表面)，依次實(shí)施無(wú)電解鍍鎳、無(wú)電解鍍金，由此形成鎳_金鍍覆層46、47、48 (鍍覆 步驟)。經(jīng)過(guò)以上步驟，制造了圖1所示的多層布線基板10。因此，根據(jù)本實(shí)施方式能夠獲得以下效果。(1)在本實(shí)施方式的多層布線基板10中，最外層的樹(shù)脂絕緣層24利用與內(nèi)層的樹(shù) 脂絕緣層22、23相同的熱固化性的樹(shù)脂絕緣材料形成。在這種情況下，雖然在光刻步驟很 難在該最外層的樹(shù)脂絕緣層24上形成開(kāi)口部35、36，但是通過(guò)實(shí)施激光孔加工，能夠在樹(shù) 脂絕緣層24可靠地形成開(kāi)口部35、36。并且，由于是在組合步驟之后實(shí)施去污步驟，所以能 夠?qū)⒆钔鈱拥臉?shù)脂絕緣層24的表面粗糙度設(shè)定為任意的粗糙度。因此，對(duì)最外層的樹(shù)脂絕 緣層24的表面能夠設(shè)定適合于助焊劑和底層填料的表面粗糙度，在安裝IC芯片等時(shí)能夠 使這些助焊劑和底層填料潤(rùn)濕擴(kuò)散成為合適的狀態(tài)。(2)在本實(shí)施方式中，在進(jìn)行基材去除步驟之前的階段實(shí)施采用激光孔加工的開(kāi) 孔步驟。在這種情況下，基材52上的布線層疊部30具有比較強(qiáng)的強(qiáng)度，所以能夠保持沒(méi)有 翹曲的狀態(tài)，能夠在該布線層疊部30的最外層的樹(shù)脂絕緣層24的表面上，在與各連接端子 41,42對(duì)應(yīng)的準(zhǔn)確位置形成開(kāi)口部35、36。(3)在本實(shí)施方式的多層布線基板10的上表面31，具有連接對(duì)象為IC芯片的IC 芯片連接端子41、以及連接對(duì)象為芯片電容器的電容器連接端子42這兩種連接端子，這些連接端子41、42被配置在多個(gè)開(kāi)口部35、36內(nèi)。這些各連接端子41、42的上表面的高度比 最外層的樹(shù)脂絕緣層24的表面低，而且表面?zhèn)韧庵懿勘宦袢胱钔鈱拥臉?shù)脂絕緣層24內(nèi)。因 此，最外層的樹(shù)脂絕緣層24作為阻焊劑發(fā)揮作用，能夠在各連接端子41、42的上表面可靠 地形成焊接突起和焊接點(diǎn)(Solder fillet)。在多層布線基板10中，由于IC芯片連接端 子41的端子間隔比較小，所以當(dāng)焊接突起在IC芯片連接端子41的側(cè)面鼓起時(shí)，端子間的 短路將成為問(wèn)題。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，由于只在IC芯片連接端子41的上表面形成 有焊接突起，所以焊接突起不會(huì)向橫向鼓起，能夠避免端子間的短路。另外，最外層的樹(shù)脂 絕緣層24利用與內(nèi)層的樹(shù)脂絕緣層22、23相同的絕緣性良好的組合材料形成，所以能夠縮 小IC芯片連接端子41的間隔，能夠?qū)崿F(xiàn)多層布線基板10的高度集成。 [第2實(shí)施方式]下面，根據(jù)

具體實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的第2實(shí)施方式。在本實(shí)施方式中，多層布線 基板10的制造方法與上述第1實(shí)施方式不同。首先，在本實(shí)施方式中，與第1實(shí)施方式相同地進(jìn)行組合步驟，形成在基材52上層 疊了層疊金屬片體54、樹(shù)脂絕緣層21 24及導(dǎo)體層26的布線層疊體60 (參照?qǐng)D8)。然后，利用切割裝置(省略圖示)將布線層疊體60切斷，去除布線層疊部30的周 期區(qū)域(切斷步驟)。然后，按照?qǐng)D13所示，沿著層疊金屬片體54的一對(duì)銅箔55、56的界 面進(jìn)行剝離，由此從布線層疊部30去除基材52，使位于布線層疊部30 (樹(shù)脂絕緣層21)的 下表面上的銅箔55露出(基材去除步驟)。在基材去除步驟之后，利用消去法使布線層疊部30的銅箔55形成圖案(連接端 子形成步驟)。具體地講，在布線層疊部30的下表面32上層疊干膜，對(duì)該干膜進(jìn)行曝光及 顯影，由此在布線層疊部30的下表面32形成與母板連接端子45對(duì)應(yīng)的預(yù)定圖案的抗蝕 齊U。在這種狀態(tài)下，對(duì)布線層疊部30的銅箔55進(jìn)行蝕刻形成圖案，由此在樹(shù)脂絕緣層21 上形成母板連接端子45。并且，將在母板連接端子45的下表面32形成的抗蝕劑剝離并去 除(參照?qǐng)D14)。并且，按照?qǐng)D15所示，對(duì)最外層的樹(shù)脂絕緣層24實(shí)施激光孔加工，由此形成多個(gè) 開(kāi)口部35、36，使IC芯片連接端子41及電容器連接端子42的上表面露出(開(kāi)孔步驟)。然 后，利用過(guò)錳酸鉀溶液或O2等離子等，進(jìn)行去除開(kāi)口部35、36內(nèi)的污跡的去污步驟。然后，在樹(shù)脂絕緣層21上涂敷感光性環(huán)氧樹(shù)脂并使其固化，由此形成阻焊劑37。 然后，在配置了預(yù)定的掩模的狀態(tài)下進(jìn)行曝光及顯影，在阻焊劑37上形成開(kāi)口部38的圖案 (參照?qǐng)D12)。然后，對(duì)從開(kāi)口部35露出的IC芯片連接端子41的表面、從開(kāi)口部36露出的電容 器連接端子42的表面、以及從開(kāi)口部38露出的母板連接端子45的表面，依次實(shí)施無(wú)電解 鍍鎳、無(wú)電解鍍金，由此形成鎳_金鍍覆層46、47、48 (鍍覆步驟)。經(jīng)過(guò)以上步驟，制造了圖 1所示的多層布線基板10。這樣，在本實(shí)施方式中，在連接端子形成步驟中，布線層疊部30的上表面31側(cè)的 最外層被樹(shù)脂絕緣層24覆蓋，在該樹(shù)脂絕緣層24上沒(méi)有設(shè)置開(kāi)口部35、36。因此，樹(shù)脂絕 緣層24作為抗蝕劑發(fā)揮作用，所以不需要形成上表面31側(cè)的抗蝕劑，能夠以只在下表面32 上設(shè)置抗蝕劑的狀態(tài)來(lái)形成母板連接端子45的圖案。另外，本發(fā)明的各實(shí)施方式也可以變更如下。
·在上述各實(shí)施方式的多層布線基板10中，在布線層疊部30的下表面32形成有 阻焊劑37，但是也可以按照?qǐng)D16所示的多層布線基板IOA那樣省略阻焊劑37。并且，在多 層布線基板10中，在阻焊劑37上形成的開(kāi)口部38比母板連接端子45小，母板連接端子45 的表面外周部埋入阻焊劑37內(nèi)，但是不限于這種方式。也可以按照?qǐng)D17所示的多層布線 基板IOB那樣，在形成阻焊劑37時(shí)使開(kāi)口部38A比母板連接端子45大，并露出母板連接端 子45的側(cè)面及整個(gè)下表面。另外，多層布線基板10AU0B具有利用鍍覆層48覆蓋母板連 接端子45的下表面及側(cè)面的結(jié)構(gòu)。因此，能夠在母板連接端子45的下表面及側(cè)面形成比 較大的焊接點(diǎn)，能夠充分確保與母板的連接強(qiáng)度。并且，在多層布線基板IOA中，由于沒(méi)有 形成阻焊劑37，所以能夠避免由于各樹(shù)脂絕緣層21 24與阻焊劑37的熱膨脹系數(shù)差異而 產(chǎn)生的多層布線基板IOA的翹曲。

·在上述各實(shí)施方式的多層布線基板10中，在最外層的樹(shù)脂絕緣層24上形成的 開(kāi)口部35、36比各連接端子41、42小，各連接端子41、42的表面外周部埋入樹(shù)脂絕緣層24 內(nèi)，但是不限于這種方式。例如，也可以按照?qǐng)D18所示的多層布線基板IOC那樣，在形成樹(shù) 脂絕緣層24時(shí)使開(kāi)口部36A比電容器連接端子42大，并露出電容器連接端子42的上表面 及整個(gè)側(cè)面。多層布線基板IOC具有利用鍍覆層47覆蓋電容器連接端子42的上表面及側(cè) 面的結(jié)構(gòu)。因此，能夠在電容器連接端子42的上表面及側(cè)面形成比較大的焊接點(diǎn)，能夠充 分確保與芯片電容器的連接強(qiáng)度。另外，也可以按照?qǐng)D19所示的多層布線基板IOD那樣，在形成樹(shù)脂絕緣層24時(shí)使 開(kāi)口部35A比IC芯片連接端子41大，并露出IC芯片連接端子41的上表面及整個(gè)側(cè)面。該 多層布線基板IOD能夠在IC芯片連接端子41的上表面及側(cè)面形成比較大的焊接突起，能 夠充分確保與IC芯片的連接強(qiáng)度?！ぴ谏鲜龈鲗?shí)施方式中，在開(kāi)孔步驟中，在最外層的絕緣樹(shù)脂層24上形成多個(gè)開(kāi) 口部35、36，并露出IC芯片連接端子41及電容器連接端子42，但是不限于這種方式。例如， 在開(kāi)孔步驟中，也可以露出各連接端子41、42以及除各連接端子之外的導(dǎo)體層26(具體地 講是校準(zhǔn)(Alignment)標(biāo)記)。另外，除了校準(zhǔn)標(biāo)記之外，還可以露出序號(hào)、方向識(shí)別標(biāo)記等 的導(dǎo)體層26?！ぴ谏鲜龈鲗?shí)施方式中，在開(kāi)孔步驟之后馬上進(jìn)行去污步驟，但也可以變更為在形 成阻焊劑37之后進(jìn)行去污步驟。 在上述各實(shí)施方式中，在多個(gè)樹(shù)脂絕緣層21 24上形成的多個(gè)導(dǎo)體層26，通過(guò) 隨著從下表面32側(cè)朝向上表面31側(cè)而擴(kuò)徑的通孔導(dǎo)體34相互連接，但是不限于這種方 式。只要在多個(gè)樹(shù)脂絕緣層21 24上形成的通孔導(dǎo)體34是沿同一方向擴(kuò)徑的形狀即可， 并利用隨著從上表面31側(cè)朝向下表面32側(cè)而擴(kuò)徑的通孔導(dǎo)體將多個(gè)導(dǎo)體層26相互連接?！ぴ谏鲜龈鲗?shí)施方式中，被覆各連接端子41、42、45的鍍覆層46、47、48是鎳-金 鍍覆層，但只要是除銅之外的鍍覆層即可，例如也可以變更為鎳-鈀-金鍍覆層等其他鍍覆 層。下面，將根據(jù)前面敘述的各實(shí)施方式而掌握的技術(shù)思想列舉如下。(1) 一種多層布線基板的制造方法，該多層布線基板具有多層化的層疊結(jié)構(gòu)體，該 層疊結(jié)構(gòu)體交替層疊以相同的樹(shù)脂絕緣材料為主體的多個(gè)樹(shù)脂絕緣層及多個(gè)導(dǎo)體層而成， 在所述層疊結(jié)構(gòu)體的第1主面?zhèn)扰渲糜卸鄠€(gè)第1主面?zhèn)冗B接端子，在所述層疊結(jié)構(gòu)體的第2主面?zhèn)扰渲糜卸鄠€(gè)第2主面?zhèn)冗B接端子，所述多個(gè)導(dǎo)體層形 成于所述多個(gè)樹(shù)脂絕緣層上， 并通過(guò)隨著朝向所述第1主面?zhèn)然蛘咚龅?主面?zhèn)戎械娜我庖粋€(gè)主面?zhèn)榷鴶U(kuò)徑的通孔導(dǎo) 體相互連接，所述多層布線基板的制造方法的特征在于，包括組合步驟，在將一對(duì)金屬箔 以能夠相互剝離的狀態(tài)層疊配置在一個(gè)面上而形成的基材上，交替地層疊多個(gè)樹(shù)脂絕緣層 及多個(gè)導(dǎo)體層而多層化，由此形成層疊結(jié)構(gòu)體；開(kāi)孔步驟，對(duì)最外層的樹(shù)脂絕緣層實(shí)施激光 孔加工，由此形成多個(gè)開(kāi)口部，露出所述第1主面?zhèn)冗B接端子；基材去除步驟，在所述組合 步驟之后，將所述一對(duì)金屬箔相互剝離，由此去除所述基材，露出所述金屬箔；以及去污步 驟，在所述開(kāi)孔步驟之后，去除所述開(kāi)口部?jī)?nèi)的污跡。
權(quán)利要求
1.一種多層布線基板的制造方法，該多層布線基板具有多層化的層疊結(jié)構(gòu)體，該層疊 結(jié)構(gòu)體交替層疊以相同的樹(shù)脂絕緣材料為主體的多個(gè)樹(shù)脂絕緣層及多個(gè)導(dǎo)體層而成，在所 述層疊結(jié)構(gòu)體的第1主面?zhèn)扰渲糜卸鄠€(gè)第1主面?zhèn)冗B接端子，在所述層疊結(jié)構(gòu)體的第2主 面?zhèn)扰渲糜卸鄠€(gè)第2主面?zhèn)冗B接端子，所述多個(gè)導(dǎo)體層形成于所述多個(gè)樹(shù)脂絕緣層中，并 通過(guò)隨著朝向所述第1主面?zhèn)然蛘咚龅?主面?zhèn)戎械娜我庖粋€(gè)主面?zhèn)榷鴶U(kuò)徑的通孔導(dǎo)體 相互連接，所述多層布線基板的制造方法的特征在于，包括組合步驟，在一個(gè)面上以能夠剝離的狀態(tài)層疊配置有金屬箔的基材上，交替地層疊多 個(gè)樹(shù)脂絕緣層及多個(gè)導(dǎo)體層而多層化，由此形成層疊結(jié)構(gòu)體；開(kāi)孔步驟，對(duì)最外層的樹(shù)脂絕緣層實(shí)施激光孔加工，由此形成多個(gè)開(kāi)口部，露出所述第 1主面?zhèn)冗B接端子；去污步驟，在所述開(kāi)孔步驟之后，去除所述開(kāi)口部?jī)?nèi)的污跡；以及 基材去除步驟，在所述組合步驟之后，去除所述基材而露出所述金屬箔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層布線基板的制造方法，其特征在于，所述最外層的樹(shù)脂絕緣層由以不具有光固化性的樹(shù)脂絕緣材料的固化物為主體的組 合材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層布線基板的制造方法，其特征在于，還包括 連接端子形成步驟，在所述基材去除步驟之后，在設(shè)置有覆蓋所述第1主面的整個(gè)面的抗蝕劑的狀態(tài)下形成所述第2主面?zhèn)冗B接端子；和抗蝕劑去除步驟，去除所述抗蝕劑，露出所述第1主面?zhèn)冗B接端子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層布線基板的制造方法，其特征在于，還包括 連接端子形成步驟，在所述基材去除步驟之后，所述第2主面上設(shè)置有抗蝕劑的狀態(tài)下，通過(guò)消去法形成所述金屬箔的圖案，由此形成所述第2主面?zhèn)冗B接端子；和 在所述連接端子形成步驟之后實(shí)施的所述開(kāi)孔步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的多層布線基板的制造方法，其特征在于， 所述開(kāi)孔步驟露出所述第1主面?zhèn)冗B接端子，并且露出除連接端子之外的所述導(dǎo)體層。
6.一種多層布線基板，具有多層化的層疊結(jié)構(gòu)體，該層疊結(jié)構(gòu)體交替層疊以相同的樹(shù) 脂絕緣材料為主體的多個(gè)樹(shù)脂絕緣層及多個(gè)導(dǎo)體層而成，在所述層疊結(jié)構(gòu)體的第1主面?zhèn)?配置有多個(gè)第1主面?zhèn)冗B接端子，在所述層疊結(jié)構(gòu)體的第2主面?zhèn)扰渲糜卸鄠€(gè)第2主面?zhèn)?連接端子，所述多個(gè)導(dǎo)體層形成于所述多個(gè)樹(shù)脂絕緣層中，并通過(guò)隨著朝向所述第1主面 側(cè)或者所述第2主面?zhèn)戎械娜我庖粋€(gè)主面?zhèn)鹊姆较蚨鴶U(kuò)徑的通孔導(dǎo)體相互連接，所述多層 布線基板的特征在于，所述多個(gè)樹(shù)脂絕緣層由以不具有光固化性的樹(shù)脂絕緣材料的固化物為主體的相同組 合材料形成，在所述層疊結(jié)構(gòu)體的所述第1主面?zhèn)忍幱诼冻鰻顟B(tài)的最外層的樹(shù)脂絕緣層形成有多 個(gè)開(kāi)口部，在所述第1主面具有連接對(duì)象為IC芯片的IC芯片連接端子以及連接對(duì)象為無(wú)源部件 且面積比所述IC芯片連接端子的面積大的無(wú)源部件連接端子這兩種連接端子，作為所述 第1主面?zhèn)冗B接端子，并且在所述多個(gè)開(kāi)口部?jī)?nèi)配置有多個(gè)所述IC芯片連接端子，且所述多個(gè)IC芯片連接端子的上表面的高度比所述最外層的樹(shù)脂絕緣層的表面低，而且表面?zhèn)?外周部被埋入所述最外層的樹(shù)脂絕緣層內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層布線基板，其特征在于，所述無(wú)源部件連接端子具有由除銅之外的鍍覆層覆蓋構(gòu)成主體的銅層的上表面及側(cè) 面的結(jié)構(gòu)，所述IC芯片連接端子具有由除銅之外的鍍覆層僅覆蓋構(gòu)成主體的銅層的上表 面的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種多層布線基板的制造方法及多層布線基板，能夠?qū)⒆钔鈱拥谋砻娲植诙仍O(shè)定為合適的狀態(tài)。在組合步驟中，在將銅箔(55、56)以能夠剝離的狀態(tài)層疊配置在一面上形成的基材(52)上，交替地層疊多個(gè)樹(shù)脂絕緣層(21～24)及多個(gè)導(dǎo)體層(26)而多層化，由此形成層疊結(jié)構(gòu)體(30)。在開(kāi)孔步驟中，對(duì)最外層的樹(shù)脂絕緣層(24)實(shí)施激光孔加工，形成多個(gè)開(kāi)口部(35、36)，露出各連接端子(41、42)。然后，在去污步驟中，去除開(kāi)口部(35、36)內(nèi)的污跡。
文檔編號(hào)H05K3/46GK102111968SQ20101062307
公開(kāi)日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2010年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月28日
發(fā)明者伊藤達(dá)也, 前田真之介, 半戶琢也, 平野訓(xùn), 杉本篤彥, 鈴木哲夫 申請(qǐng)人:日本特殊陶業(yè)株式會(huì)社