專利名稱：布線板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及布線板。
技術(shù)背景
在其中將諸如半導(dǎo)體元件的電子組件安裝在布線板中的封裝結(jié)構(gòu)中，與其中安裝 了電子組件的一個表面相對一側(cè)的布線板的另一表面設(shè)置有多個端子，該多個端子用于將 封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)一步連接到諸如母板等的外部板的端子。在這樣的端子上設(shè)置焊球，并且布線 板和外部板通過該焊球彼此電連接。
日本未審查的專利公開No. 2006-066451公開了以下的構(gòu)造。諸如鎳的金屬薄膜 被形成在基本絕緣層上，并且由具有比用于形成金屬薄膜的金屬的電離傾向更小的電離傾 向的金屬制成的金屬布線(銅)通過加成法被形成在金屬薄膜上。形成用于覆蓋金屬布線 的覆蓋絕緣層，使得金屬布線被部分地暴露在基本絕緣層上作為端子部，并且形成保護(hù)絕 緣層，使保護(hù)絕緣層與從覆蓋絕緣層暴露的端子部周圍的一側(cè)緊密相鄰。因此，能夠防止金 屬薄膜被腐蝕，并且能夠?qū)崿F(xiàn)金屬布線和基本絕緣層之間的附著力的改善。
日本未審查的專利公開No. 2002-158424公開了一種印刷電路板，其中，遠(yuǎn)離印刷 電路板的襯底上設(shè)置的銅圖案施加抗蝕劑，用遠(yuǎn)離抗蝕劑的M鍍層涂覆銅圖案的暴露的 外表面，并且用Au鍍層涂覆鍍M的暴露的外表面。
日本未審查的專利公開No. S61-264796公開了如下構(gòu)造，其中，鎳被設(shè)置在導(dǎo)電 通路和鋁端子之間，而在鋁端子上形成諸如銅的導(dǎo)電通路。因此，通過使用鎳來減小鋁和銅 之間的電離傾向的差別。發(fā)明內(nèi)容
然而，本發(fā)明已經(jīng)發(fā)現(xiàn)如下問題，在其中銅圖案的表面上稀疏地部署鎳焊接區(qū)的 構(gòu)造中產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕。
在一個實施例中，提供了一種布線板，該布線板包括基材；金屬圖案，所述金屬 圖案被形成在所述基材的一個表面上并且由第一金屬制成；以及第一焊接區(qū)和第二焊接 區(qū)，所述第一焊接區(qū)和所述第二焊接區(qū)與所述金屬圖案接觸地被形成在所述金屬圖案上， 由第二金屬制成并且通過所述金屬圖案被彼此電連接，所述第二金屬具有比所述第一金屬 更高的電離傾向，其中，當(dāng)從平視圖來看時，在至少與所述第一焊接區(qū)重疊的區(qū)域周圍的金 屬圖案中形成到達(dá)所述基材的凹槽。
根據(jù)該構(gòu)造，能夠通過對在其中形成多個焊接區(qū)的區(qū)域上形成的金屬圖案的第一 焊接區(qū)被形成的區(qū)域的外圍中設(shè)置狹縫，來增加第二金屬相對于第一金屬的表面積，并且 能夠防止產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕。另外，通過提供這樣的狹縫，使絕緣膜與基材接觸，并且因此能 夠改善絕緣膜和基材之間的附著力，并且防止產(chǎn)生分層的現(xiàn)象。由此，能夠防止第二金屬被洗提，并且能夠防止當(dāng)布線板的端子被電連接到其它元件時產(chǎn)生壞連接。
同時，根據(jù)本發(fā)明的各方面，上述組件以及通過方法、器件等之中的本發(fā)明的表達(dá) 的轉(zhuǎn)換得到的組件的任意組合也是有效的。
根據(jù)本發(fā)明，可以防止當(dāng)布線板的端子被電連接到其它元件時產(chǎn)生壞連接。


從以下結(jié)合附圖的對特定優(yōu)選實施例的描述，本發(fā)明的以上和其它目的、優(yōu)點和 特征將更清楚，在附圖中
圖IA和圖IB是圖示根據(jù)本發(fā)明的實施例的布線板的構(gòu)造的示例的平視圖。
圖2A和圖2B是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的布線板的構(gòu)造的示例的橫截面視圖。
圖3A至圖3C是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的在銅圖案中形成的狹縫的另一個實例的 平視圖。
圖4A和圖4B是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的布線板的另一個區(qū)域的圖示。
圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的布線板的另一個區(qū)域的平視圖。
圖6A和圖6B是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的布線板的另一個構(gòu)造實例的圖示。
圖7A和圖7B是圖示現(xiàn)有技術(shù)的布線板的示例的橫截面視圖。
圖8A和圖8B是用于解釋現(xiàn)有技術(shù)的布線板的問題的橫截面視圖。
圖9A和圖9B是圖示根據(jù)圖4A和圖4B中示出的實施例的布線板的構(gòu)造的另一個 示例的圖示。
圖10是圖示使用根據(jù)圖2A和圖2B中示出的實施例的布線板的半導(dǎo)體器件的構(gòu) 造的橫截面視圖。
圖11是圖示使用根據(jù)圖2A和圖2B中示出的實施例的布線板的半導(dǎo)體器件構(gòu)造 的橫截面視圖。
圖12是圖示使用根據(jù)圖10所示的示例的布線板的半導(dǎo)體器件被安裝在外部板上 時的構(gòu)造的橫截面視圖。
具體實施方式
在描述本發(fā)明之前，為了促進(jìn)理解本發(fā)明，將參考圖7A、圖7B、圖8A和圖8B來詳 細(xì)解釋現(xiàn)有技術(shù)。
在其中安裝了電子組件的布線板中，如圖7A和圖7B中所示地構(gòu)造與焊球連接的 端子。圖7A是布線板1的橫截面視圖；并且圖7B是圖7A中沿著線d-d'的橫截面取的的 平視圖。
布線板1包括基材2 ；形成在基材2上的銅圖案4 ；形成在銅圖案4中形成的開口 7內(nèi)的隔離的銅圖案如；以及形成在銅圖案4和隔離的銅圖案如上的阻焊劑20。這里，銅 圖案4是平面。例如，將地電位或電源電位提供到銅圖案4。另一方面，隔離的銅圖案如沒 有被電連接到銅圖案4，而是被連接到例如信號線。布線板1進(jìn)一步包括在阻焊劑20的 開口處在銅圖案4上形成的鎳焊接區(qū)10和鎳焊接區(qū)12 ；在隔離的銅圖案如上形成的鎳焊 接區(qū)14;以及分別在鎳焊接區(qū)10、鎳焊接區(qū)12和鎳焊接區(qū)14上形成的焊球30。這里，通 過銅圖案4和鎳焊接區(qū)10和鎳焊接區(qū)12以及隔離的銅圖案如和鎳焊接區(qū)14分別形成端子。同時，為了進(jìn)行說明，在圖7B中沒有示出阻焊劑20。
端子包括阻焊膜限定(SMD)型，在該SMD型中，阻焊劑的開口小于端子，并且端子 被暴露的形狀由阻焊劑來限定；以及非阻焊膜限定(NSDM)型，在該NSMD型中，阻焊劑的開 口大于端子。在圖7A和圖7B所示的示例中，鎳焊接區(qū)10和鎳焊接區(qū)12被形成在銅圖案 104上并且是SMD型，該銅圖案104是在基材2的一個表面的大范圍上形成的平面。鎳焊接 區(qū)14也被示為SMD型，但是鎳焊接區(qū)14可以被形成為NSMD型。
然而，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)如下問題例如，在高溫和高濕度的條件下，當(dāng)端子被電 連接到其它元件時，在這樣的布線板1中出現(xiàn)壞連接。為了研究成因，本發(fā)明人在高溫和高 濕度(121°C、2.0^itm、飽和)的環(huán)境下執(zhí)行PCT測試。因此，形成為鍍膜的鎳消失，并且因 而在焊球30與銅圖案4之間的空洞的產(chǎn)生被視為是這樣的壞連接的成因。
圖8A和圖8B是用于解釋該機制的圖示。例如，當(dāng)由于高溫和高濕度的環(huán)境而導(dǎo) 致在阻焊劑20與銅圖案4之間產(chǎn)生分層并且由此在該時間期間出現(xiàn)滲水時，銅和鎳與水接 觸。由于銅和鎳在電離傾向上彼此不同，因此在銅和鎳之間產(chǎn)生電位差，并且因此形成原電 池。這里，具有比銅更高的電離傾向的鎳留下電子，被轉(zhuǎn)換成M離子42，并且然后在電解液 中被洗提，這導(dǎo)致了腐蝕(電化學(xué)腐蝕)(圖8A)。當(dāng)洗提這樣的Ni離子42時，銅圖案4和 焊球30之間的鎳焊接區(qū)10和鎳焊接區(qū)12消失，并且產(chǎn)生空洞40，由此造成了壞連接(圖 8B)。同時，已經(jīng)通過元素分析(EDX)確認(rèn)了鎳流出至附圖中“42”所示的位置。
這里，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，形成為鍍膜的鎳消失，而由此易于在銅圖案4上形成的 鎳焊接區(qū)10和鎳焊接區(qū)12中而非隔離的銅圖案如上形成的鎳焊接區(qū)14中產(chǎn)生壞連接。 鎳焊接區(qū)10和鎳焊接區(qū)12中的環(huán)繞的阻焊劑20和銅圖案4之間的弱的附著力以及由此 在阻焊劑20和銅圖案4之間的界面中容易產(chǎn)生的分層被視為這些成因中的一個。另外，隨 著要接觸的金屬的電位差越來越大，并且隨著具有不同電離傾向的鎳和銅的面積比越來越 大，即，隨著具有低電離傾向的金屬相對于具有高電離傾向的金屬的表面積相對越來越大， 這樣的腐蝕(電化學(xué)腐蝕)的影響變得越來越大。
如圖7B中所示，在作為平面的在銅圖案4上形成的鎳焊接區(qū)10和鎳焊接區(qū)12中， 具有高電離傾向的鎳的表面積相對于具有低電離傾向的銅的表面積變得極小。為此，認(rèn)為 易于產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕，并且易于洗提Ni離子42。
現(xiàn)在，在本文中將參考說明性實施例來描述本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到， 可以使用本發(fā)明的教導(dǎo)來實現(xiàn)許多替選實施例，并且本發(fā)明不限于為了說明的目的而圖示 的實施例。
下文中，將參考附圖來描述本發(fā)明的實施例。在所有附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示 相同的元件，并且將不再重復(fù)對其的說明。
圖IA和圖IB是圖示根據(jù)實施例的布線板100的構(gòu)造的平視圖。另外，圖2A和圖 2B是圖示根據(jù)實施例的布線板100的構(gòu)造的橫截面視圖。圖2A是沿著圖IA中的線A-A' 取的橫截面視圖。圖IB是沿著圖2A中的線a-a'的橫截面取的平視圖。
布線板100包括基材102、在基材102的一個表面(附圖中的上表面)上形成的 并且由銅(第一金屬)制成的銅圖案104(金屬圖案)、以及在銅圖案104上形成的阻焊劑 120 (絕緣膜)?；?02包括絕緣材料和布線圖案，并且可以被形成為層疊結(jié)構(gòu)，在該層疊 結(jié)構(gòu)中，例如，布線層和樹脂層(絕緣層)交替層疊。例如，基材102可以是襯底。
布線板100還包括第一鎳焊接區(qū)110 (第一焊接區(qū))和第二鎳焊接區(qū)112(第二焊 接區(qū))、以及焊球130，該第一鎳焊接區(qū)110 (第一焊接區(qū))和該第二鎳焊接區(qū)112 (第二焊 接區(qū))被形成在銅圖案104上并且由具有比銅更高的電離傾向的鎳制成，該焊球130在阻 焊劑120的第一開口 120a和第二開口 120b中分別被形成在第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊 接區(qū)112上。這里，分別通過第一鎳焊接區(qū)110、第二鎳焊接區(qū)112和銅圖案104形成端子。 另外，分別在第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112上形成抗氧化層140和142。抗氧化層 140和142由例如金制成。
同時，圖2A示出了在第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112上形成焊球130之前 的布線板100的狀態(tài)。另外，為了說明的目的，在圖IA中沒有示出阻焊劑120。另外，在圖 IB中，為了說明的目的，用虛線示出了其中形成第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112的位 置。在圖IA和圖IB中，在第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112上還分別形成抗氧化層 140和142(未示出)。在實施例中，布線板100可以被形成為，例如，具有用于外部連接的 接地引腳的球柵陣列(BGA)板。雖然未示出，但是布線板100通過焊球130被電連接到諸 如母板等的外部板的端子。另外，諸如半導(dǎo)體元件的電子組件被安裝在與布線板100的基 材102的一個表面相對的表面(附圖中的下表面)中。
這里，第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112是SMD型，該第一鎳焊接區(qū)110和第 二鎳焊接區(qū)112分別被選擇性地形成在由阻焊劑120的第一開口 120a和第二開口 120b指 定的區(qū)域內(nèi)。在銅圖案104上形成阻焊劑120并且形成第一開口 120a和第二開口 120b之 后，第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112可以通過電鍍工藝形被成為，例如，鍍膜，該鍍膜 被形成在從第一開口 120a和第二開口 120b暴露的銅圖案104上。
圖2B示出了在第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112上形成焊球130之后的布 線板100的狀態(tài)。在形成焊球130時，第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112上形成的抗 氧化層140和142被合并到焊球130中。為此，抗氧化層140和142從第一鎳焊接區(qū)110 和第二鎳焊接區(qū)112上消失。此時，布線板100具有在銅圖案104上設(shè)置有第一鎳焊接區(qū) 110和第二鎳焊接區(qū)112并且在其上設(shè)置有含金焊球130的結(jié)構(gòu)。
如圖IB中所示，第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112通過銅圖案104被彼此電 連接。這里，銅圖案104是在基材102的一個表面的大范圍上形成的平面。將地電位和電 源電位提供到銅圖案104。
在本說明書中，例如，“平面”包括電源平面或GND平面。在該情況下，平面通常具 有比信號互連線的線寬更寬的線寬，例如約等于或大于20μπι的線寬?！捌矫妗边€包括，例 如，甚至可以提高圖案密度的島形圖案、虛擬圖案等。島形圖案和虛擬圖案不會對電路操作 產(chǎn)生電學(xué)影響。島形圖案或虛擬圖案可能被電懸浮。可以在島形圖案或虛擬圖案上形成焊 接區(qū)部分。
在實施例中，凹槽可以是狹縫。在該實施例中，當(dāng)從平視圖來看時，在與第一鎳焊 接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112重疊的區(qū)域周圍的銅圖案104中分別形成到達(dá)基材102的狹 縫106a和狹縫106b。這里，銅圖案104包括與第一鎳焊接區(qū)110重疊的區(qū)域。沿著與第一 鎳焊接區(qū)110重疊的區(qū)域的外周形成狹縫106a，以便于將與第一鎳焊接區(qū)110重疊的區(qū)域 與狹縫106a外部形成的另一區(qū)域分離。銅圖案104呈如下形狀在與第一鎳焊接區(qū)110重 疊的區(qū)域的外周的一部分中包括連接部分，該連接部分連接與第一鎳焊接區(qū)110重疊的區(qū)域和狹縫106a的外周中形成的另一區(qū)域。狹縫106b還具有與狹縫106a相同的形狀，并且 沿著與第二鎳焊接區(qū)112重疊的區(qū)域的外周形成，以便于將與第二鎳焊接區(qū)112重疊的區(qū) 域與狹縫106b外部形成的另一區(qū)域分離。銅圖案104呈如下形狀在與第二鎳焊接區(qū)112 重疊的區(qū)域的外周的一部分中包括連接部分，該連接部分連接與第二鎳焊接區(qū)112重疊的 區(qū)域和狹縫106b的外周中形成的另一區(qū)域。在圖IA和圖IB所示的示例中，設(shè)置了兩個連 接部分。
另外，狹縫106a和狹縫106b可以被形成基材102的絕緣材料上。由此，銅圖案 104上形成的阻焊劑120與基材102的絕緣材料接觸，并且由此可以改善阻焊劑120和基材 102之間的附著力。
當(dāng)以該方式在作為平面的銅圖案104上形成第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū) 112時，就其本身而言，如上所述，具有高電離傾向的鎳的表面積變得遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于具有低電離 傾向的銅的表面積，并且由此易于產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕。然而，在本實施例中，能夠通過對在形 成銅圖案104的第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112的區(qū)域外圍設(shè)置狹縫來增加鎳相對 于銅的表面積，并且能夠防止產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕。另外，能夠通過改善焊球120和基材102之 間的附著力來防止鎳被洗提。
圖3A至圖3C是圖示銅圖案104中形成的狹縫106a的另一個示例的平視圖。這 里，為了說明的目的，用虛線示出了其中形成第一鎳焊接區(qū)110的位置。另外，雖然這里示 出了狹縫106a的構(gòu)造，但是狹縫106b同樣可以如此。
例如，狹縫106b可以沿著與第一鎳焊接區(qū)110重疊的區(qū)域的外周形成，以便于將 與第一鎳焊接區(qū)110重疊的區(qū)域與狹縫106a外部形成的另一區(qū)域分離，如圖3A中所示。銅 圖案I04呈如下形狀在與第一鎳焊接區(qū)Il0重疊的區(qū)域的外周的一部分中包括連接部分， 該連接部分連接與第一鎳焊接區(qū)110重疊的區(qū)域和狹縫106a的外周中形成的另一區(qū)域。這 里，銅圖案104包括一個連接部分。
在圖:3B中，設(shè)置了三個連接部分。在圖3C中，設(shè)置了四個連接部分。這里，當(dāng)銅 圖案104包括多個連接部分時，例如，這些連接部分可以被均勻地分散和部署。因此，用作 銅圖案104的端子的與第一鎳焊接區(qū)110重疊的區(qū)域和另一區(qū)域的電連接被分散，并且由 此可以降低連接電阻。
可以僅通過設(shè)置不同的掩膜，通過與布線板中的常規(guī)平面相同的制造工藝來制造 根據(jù)實施例的銅圖案104。
換言之，可以使用具有期望形狀的開口的掩膜來形成銅圖案104中形成的狹縫 106a和狹縫106b。例如，在基材102的整個表面上形成銅圖案之后，通過使用掩膜部分地 去除銅圖案來形成狹縫，其中，與狹縫106相對應(yīng)的位置是打開的。另外，使用用于保護(hù)與 狹縫106a相對應(yīng)的位置的掩膜，還可以在除了狹縫106之外的位置中形成銅圖案104。
圖4A和圖4B是另外圖示根據(jù)實施例的布線板100的另一區(qū)域的圖示。圖4A是 布線板100的橫截面視圖，并且圖4B是沿著圖4A中的線b-b'的橫截面取的平視圖。
可以在布線板100中形成隔離的銅圖案10 ，該圖案10 被形成在作為平面的銅 圖案104中形成的開口 107內(nèi)，并且被電連接到銅圖案104。隔離的銅圖案10 通過布線 板100中的通孔(via)等(未示出)被連接到，例如，信號線。在隔離的銅圖案10 上形 成第三鎳焊接區(qū)114。另外，在第三鎳焊接區(qū)114上形成抗氧化層144?？寡趸瘜?44由，例如，金制成。即使在圖4A的情況下，也可以分別在第一鎳焊接區(qū)110、第二鎳焊接區(qū)112 和第三鎳焊接區(qū)114上形成焊球130。另外，為了說明的目的，在圖4B中沒有示出阻焊劑 120。在這樣的構(gòu)造中，由于第三鎳焊接區(qū)114被形成在隔離的銅圖案10 上，因此鎳相對 于銅的表面積必須很高。為此，第三鎳焊接區(qū)114附近的構(gòu)造可以具有與相關(guān)技術(shù)相同的 構(gòu)造。
圖5是另外圖示根據(jù)實施例的布線板100的又一區(qū)域的平視圖。
這里，銅圖案104上形成的鎳焊接區(qū)可以包括與其外圍中形成的其它鎳焊接區(qū)遠(yuǎn) 遠(yuǎn)分離的鎳焊接區(qū)以及與其外圍中形成的其它鎳焊接區(qū)狹小分離的鎳焊接區(qū)。在圖5中， 為了說明的目的，用虛線示出了鎳焊接區(qū)。另外，具有在鎳焊接區(qū)之間的小間隙的位置被示 出為由單點劃線圍繞。
這里，在由單點劃線圍繞的區(qū)域105中的鎳焊接區(qū)被形成在銅圖案104上，并且可 以被電連接到銅圖案104。例如，構(gòu)造區(qū)域105內(nèi)形成的第四鎳焊接區(qū)116，使得其外圍被 其它鎳焊接區(qū)圍繞，并且與其它鎳焊接區(qū)狹小地分離。在這樣的區(qū)域105中，由于鎳相對于 銅的表面積大到一定程度，因此基本上難以產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕。為此，其上形成了第四鎳焊接 區(qū)116的區(qū)域可以具有如下構(gòu)造，在該構(gòu)造中，其外圍上的銅圖案104沒有被設(shè)置有狹縫。
S卩，在該實施例中，其中稀疏地部署鎳焊接區(qū)的位置可以根據(jù)其外圍上的銅圖案 104的形狀以及該外圍上的其它鎳焊接區(qū)的部署狀態(tài)來針對每個鎳焊接區(qū)被選擇性地設(shè)置 有狹縫，例如狹縫106a。
作為示例，例如，在包括其上形成了每個鎳焊接區(qū)的區(qū)域的預(yù)定范圍的區(qū)域中，當(dāng) 銅的表面積的比率等于或大于預(yù)定值，并且鎳與銅的表面積的比率等于或小于預(yù)定值時， 其外圍可以被選擇性地設(shè)置有狹縫。例如，當(dāng)在阻焊劑120處開口的開口的半徑(鎳焊接 區(qū)的半徑)被設(shè)置為r時，以要集中的鎳焊接區(qū)中心為中心的半徑為8. 9r的圓形圍繞的區(qū) 域被設(shè)置成預(yù)定范圍。這里，預(yù)定范圍中的面積被設(shè)置為Dp，預(yù)定范圍中的銅圖案的表面積 被設(shè)置為D。，并且預(yù)定范圍中的鎳的表面積被設(shè)置為Dn。在該情況下，例如，當(dāng)D。等于或大 于Dp面積的1/2，并且Dn與D。的比等于或大于2. 5%時，鎳焊接區(qū)的外圍可以被設(shè)置有狹 縫。
在圖5中所示的示例中，雖然與其它鎳焊接區(qū)遠(yuǎn)遠(yuǎn)分離的第一鎳焊接區(qū)110和第 二鎳焊接區(qū)112的外圍被分別設(shè)置有狹縫106a和狹縫106b，但是區(qū)域105內(nèi)形成的諸如第 四鎳焊接區(qū)116的鎳焊接區(qū)的外圍沒有被設(shè)置有狹縫。
通過這樣的構(gòu)造，由于包括足以設(shè)置狹縫的區(qū)域的具有在鎳焊接區(qū)與銅圖案104 的低部署比的位置被選擇性地設(shè)置有狹縫，并且在鎳焊接區(qū)之間具有小間隙的位置沒有被 設(shè)置狹縫，因此能夠防止面積增大?？梢苑乐巩?dāng)布線板的端子被電連接到其它元件時產(chǎn)生 壞連接。
圖6A和圖6B是圖示根據(jù)實施例的布線板100的構(gòu)造的另一示例的圖示。圖6A 是布線板100的橫截面視圖，并且圖6B是沿著圖6A中的線C-C'的橫截面取的平視圖。
這里，與銅圖案104中的第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112重疊的區(qū)域(104b 和I(Mc)的外圍中分別形成的狹縫106a和狹縫106b可以沿著銅圖案104b和銅圖案l(Mc 的整個外周來形成，以便于將銅圖案104b和銅圖案l(Mc與狹縫106a和狹縫106b外部形 成的區(qū)域分離。這里，銅圖案104被形成為基材102的第二層102b中一擊甚至下面的第一層10 中的通孔和布線。第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112通過基材102中形成的 布線或通孔被彼此電連接。在該情況下，狹縫106a和狹縫106b沒有被形成在基材102的 布線或通孔上，而是被形成在絕緣材料上。
這里，銅圖案104可以被形成為基材102的一個表面上的狹縫106a和狹縫106b的 大范圍的外周中形成的平面。另外，作為另一個示例，銅圖案104可以被形成為第一層10 處大范圍形成的平面。
圖9A和圖9B是圖示根據(jù)圖4A和圖4B中所示的實施例的布線板100的構(gòu)造的另 一示例的圖示。圖9A是布線板100的橫截面視圖，并且圖9B是沿著圖9A中的線f-f的橫 截面取的平視圖。即使在圖9A的情況下，可以在第一鎳焊接區(qū)110、第二鎳焊接區(qū)112和第 三鎳焊接區(qū)114上分別形成焊球130。另外，為了說明的目的，沒有在圖9B中示出阻焊劑 120。
這里，第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112被同一狹縫106圍繞。形成狹縫106， 以便于圍繞第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112。這里，銅圖案104以通過狹縫106的中 心的形狀來形成，使得與第一鎳焊接區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112重疊的區(qū)域被連接到圍繞 的銅圖案104。
圖10是圖示使用根據(jù)圖2A和圖2B中所示的實施例的布線板100的半導(dǎo)體器件 160的構(gòu)造的橫截面視圖。在圖10中，半導(dǎo)體元件150被安裝在與布線板100的基材102 的一個表面相對的表面(附圖中的上表面)中。另外，半導(dǎo)體元件150通過焊球154以倒 裝芯片方式被連接到布線板100。另外，在半導(dǎo)體元件150和布線板100之間填充底部填充 樹脂158。因此，形成半導(dǎo)體器件160。例如，半導(dǎo)體器件160是BGA封裝。
圖11是圖示使用根據(jù)圖2A和圖2B中示出的實施例的布線板100的半導(dǎo)體器件 162的構(gòu)造的橫截面視圖。在圖11中，半導(dǎo)體元件150被安裝在與布線板100的基材102 的一個表面相對的表面(附圖中的上表面)中。另外，半導(dǎo)體元件150通過焊線152被電 連接到布線板100。通過成型樹脂156來密封半導(dǎo)體元件150和焊線152。因此，形成半導(dǎo) 體器件162。
圖12是圖示在使用根據(jù)圖10中所示的實施例的布線板100的半導(dǎo)體器件160被 安裝在外部板170上的情況下的構(gòu)造的橫截面視圖。在該情況下，半導(dǎo)體器件160通過布 線板100中形成的焊球130來被電連接到為外部板170設(shè)置的外部端子(未示出)。
接下來，將描述根據(jù)實施例的布線板100的作用。
如從上文看出的，在實施例中，能夠通過對其中形成了銅圖案104的第一鎳焊接 區(qū)110和第二鎳焊接區(qū)112的區(qū)域外圍設(shè)置狹縫，來增大鎳相對于銅的表面積，并且能夠防 止產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕。另外，通過設(shè)置這樣的狹縫，使阻焊劑120與基材102的絕緣材料接觸， 并且因此可以改善阻焊劑120和基材102之間的附著力，并且可以防止產(chǎn)生分層。因此，可 以防止鎳被洗提，并且可以防止當(dāng)布線板100的端子被電連接到其它元件時產(chǎn)生壞連接。
在圖4A和圖4B中所示構(gòu)造的布線板100中與圖7A和圖7B中所示的示例的相同 的高溫和高濕度(121°C、2. 02atm、飽和)環(huán)境下執(zhí)行PCT測試時，即使在第一鎳焊接區(qū)110 和第二鎳焊接區(qū)112中，也沒有觀察到鎳的洗提。
如上所述，雖然已經(jīng)參考附圖闡述了本發(fā)明的實施例，但這僅僅是本發(fā)明的說明， 并且可以采用與上述不同的各種構(gòu)造。
在上述的實施例中，雖然已經(jīng)通過示例的方式描述了其中第一金屬是銅并且第二 金屬是鎳的情況，但是當(dāng)?shù)诙饘倬哂斜鹊谝唤饘俑叩碾婋x傾向高時，其它金屬的組合 可以適用于第一金屬和第二金屬。
顯而易見的是，本發(fā)明不限于上述實施例，并且在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的 情況下，可以對本發(fā)明進(jìn)行修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種布線板，包括 基材；金屬圖案，所述金屬圖案被形成在所述基材的一個表面上，并且由第一金屬制成；以及 第一焊接區(qū)和第二焊接區(qū)，所述第一焊接區(qū)和所述第二焊接區(qū)與所述金屬圖案相接觸 地被形成在所述金屬圖案上，所述第一焊接區(qū)和所述第二焊接區(qū)由第二金屬制成并且通過 所述金屬圖案被彼此電連接，所述第二金屬具有比所述第一金屬更高的電離傾向，其中，當(dāng)從平視圖來看時，在至少與所述第一焊接區(qū)重疊的區(qū)域周圍的所述金屬圖案 中形成到達(dá)所述基材的凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線板，進(jìn)一步包括絕緣膜，所述絕緣膜被形成在所述基材的所述一個表面上的所述金屬圖案上，在所述 絕緣膜中形成有在所述第一焊接區(qū)和所述第二焊接區(qū)上分別開口的第一開口和第二開口， 其中，分別將所述第一焊接區(qū)和所述第二焊接區(qū)選擇性地形成在由所述絕緣膜的所述 第一開口和所述第二開口指定的區(qū)域內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線板，其中，所述凹槽沿著所述區(qū)域的外周被形成，以使得將所述外周內(nèi)的所述區(qū)域與在所述凹槽 外部形成的另一區(qū)域相分離，并且所述金屬圖案進(jìn)一步包括連接部分，所述連接部分被形成在所述區(qū)域的外周的一部分 處，用于連接所述區(qū)域和在所述凹槽外部形成的所述另一區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線板，其中，所述基材包括布線層，在所述布線層中形成有由所述第一金屬制成的布線， 所述凹槽沿著所述區(qū)域的外周被形成，以使得將所述外周內(nèi)的所述區(qū)域與在所述凹槽 外部形成的另一區(qū)域相分離，并且所述區(qū)域通過所述基材的所述布線層的所述布線被電連接到所述第二焊接區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的布線板，其中，所述區(qū)域通過所述基材的所述布線層的所述布線被連接到在所述凹槽外部形成的所 述另一區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線板，其中，所述第一金屬是銅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線板，其中，所述第二金屬是鎳。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線板，其中，所述金屬圖案是平面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線板，其中，電源電位或地電位通過所述金屬圖案被施加 到所述第一焊接區(qū)和所述第二焊接區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線板，其中，所述基材包括絕緣材料和布線圖案，并且所 述金屬圖案的所述凹槽被形成在所述基材的所述絕緣材料上。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種布線板。該布線板包括基材；被形成在所述基材的一個表面中并且由第一金屬制成的銅圖案；以及與該銅圖案接觸地被形成在銅圖案上的并且由第二金屬制成第一鎳焊接區(qū)和第二鎳焊接區(qū)，該第二金屬具有比第一金屬更高的電離傾向，其中，當(dāng)從平視圖來看時，在至少與第一鎳焊接區(qū)重疊的區(qū)域周圍的銅圖案中形成到達(dá)基材的凹槽。
文檔編號H05K1/11GK102036475SQ201010508388
公開日2011年4月27日 申請日期2010年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月7日
發(fā)明者佐藤嘉昭 申請人:瑞薩電子株式會社