專利名稱：用于提高成晶率的多晶鑄錠爐改良熱場及生產(chǎn)工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶鑄錠爐熱場和生產(chǎn)工藝的改進(jìn)，特別是一種用于提高成晶率的多 晶鑄錠爐改良熱場及生產(chǎn)工藝。
背景技術(shù)：
目前美國GT Solar 450爐子所配置的多晶鑄錠爐改良熱場，包括鑄錠爐爐體，爐 體內(nèi)部設(shè)置有石墨加熱器、石墨坩堝、支撐板；石墨加熱器活動罩在石墨坩堝的外圍，支撐 板設(shè)置于石墨坩堝的底部；石墨加熱器由前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板和頂部 石墨板圍攏而成；前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板和頂部石墨板均為矩形；頂部石墨板與前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板分別依靠搭接件連接為一 體；搭接件由側(cè)翼和垂直翼組成，側(cè)翼和垂直翼互相垂直；側(cè)翼的尾部設(shè)置有安裝孔， 垂直翼的尾部設(shè)置有安裝孔；側(cè)翼平貼與頂部石墨板接觸，垂直翼平貼與前石墨板或后石墨板或左石墨板或右 石墨板接觸。其中側(cè)翼的長度為14-16厘米，垂直翼的長度為14-16厘米。根據(jù)本發(fā)明根據(jù)化學(xué)工業(yè)出版社2007年1月北京第一版第一次印刷的《太陽能電 池材料》第151頁的記載晶體凝固時，一般自坩堝的底部開始，晶體在底部形成核并逐漸 向上生長，在不同的熱場設(shè)計中，固液界面的形狀呈現(xiàn)凹形或凸形。需要特殊的熱場設(shè)計， 使得硅熔體在凝固時，自底部開始到上部結(jié)束，其固液界面始終保持與水平面平行，稱為平 面固液界面凝固技術(shù)。這樣制備出來的鑄造多晶硅硅片的表面和晶界垂直，可以使相關(guān)太 陽電池有效地避免界面的負(fù)面影響?？梢姳M量保持固液界面始終與水平面平行是提高成晶率的關(guān)鍵。經(jīng)過多次試驗測量，傳統(tǒng)的GT Solar 450爐子的固液界面的形狀呈現(xiàn)比較明顯的 凹形，具體見圖1。傳統(tǒng)的GT Solar 450因為熱場設(shè)計不合理，導(dǎo)致成晶率偏低，只有61_63%。成晶 率的計算方式是去頭尾去邊皮后能用于切割的成品重量與投料量重量的比值。傳統(tǒng)的GT Solar 450的不足表現(xiàn)在目前美國GT Solar 450爐子普遍存在的缺 陷晶粒較小，中部雜質(zhì)無法排出及嚴(yán)重的微晶現(xiàn)象，這使生產(chǎn)的可利用率大大降低，從而使 生產(chǎn)成本增加。微晶的產(chǎn)生機理主要是熱場的原因，并非長晶速度過快的原因。只要長晶速度不 超過2cm/h，降低長晶速度是可以改善微晶的，但影響了生產(chǎn)效率，并且能耗也增加了。目 前GT Solar 450的熱場的固液界面并非是平坦的，而是一條浴盆曲線，中心溫度高，四周溫 度低，那么為什么會出現(xiàn)這種現(xiàn)象呢？由于坩堝頂部增加了加熱器，因為熱場是一個溫區(qū)， 因此頂部的功率不能單獨調(diào)節(jié)的，當(dāng)隔熱籠打開后，四周開始散熱，為了恒定長晶的溫度因 此功率會逐漸增大，因此頂部的溫度會比四周的溫度要高，而且溫差會越來越大，這就造成
4了硅錠中心的溫度偏高，雖然通過提升隔熱籠的位置可以控制長晶的溫度梯度，但這種凹 型固液界面會使雜質(zhì)向溫度高的位置遷移，造成硅錠中心部分的雜質(zhì)濃度大大高于其它區(qū) 域，如果雜質(zhì)超過一定范圍，則會在中心位置形成新的晶核，由于此時的排列都是非規(guī)則 的，而且生產(chǎn)速度并不快晶體都長不大，因此這個區(qū)域就出現(xiàn)了微晶的現(xiàn)象。這就是為何用 好料鑄錠微晶的現(xiàn)象就較小或沒有，而差料就會經(jīng)常出現(xiàn)的原因，這種狀況通過簡單的工 藝調(diào)整是很難彌補的?，F(xiàn)有技術(shù)中可能有通過復(fù)雜的工藝來適當(dāng)提高成晶率的，但是可能涉及高昂的用 電成本或其他負(fù)面影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種特別是一種用于提高成晶率的多晶鑄錠爐改良熱場及 生產(chǎn)工藝，通過將搭接件的垂直翼適當(dāng)延長的簡單技術(shù)就可以明顯提高成晶率。本發(fā)明的技術(shù)方案為用于提高成晶率的多晶鑄錠爐改良熱場，包括鑄錠爐爐體，爐體內(nèi)部設(shè)置有石墨 加熱器、石墨坩堝、支撐板；石墨加熱器活動罩在石墨坩堝的外圍，支撐板設(shè)置于石墨坩堝 的底部；石墨加熱器由前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板和頂部石墨板圍攏而成； 前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板和頂部石墨板均為矩形；頂部石墨板與前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板分別依靠搭接件連接為一 體；搭接件由側(cè)翼和垂直翼組成，側(cè)翼和垂直翼互相垂直；側(cè)翼的尾部設(shè)置有安裝孔， 垂直翼的尾部設(shè)置有安裝孔；側(cè)翼平貼與頂部石墨板接觸，垂直翼平貼與前石墨板或后石墨板或左石墨板或右 石墨板接觸。其中側(cè)翼的長度短于垂直翼的長度。用于提高成晶率的多晶鑄錠爐改良熱場，包括鑄錠爐爐體，爐體內(nèi)部設(shè)置有石墨 加熱器、石墨坩堝、支撐板；石墨加熱器活動罩在石墨坩堝的外圍，支撐板設(shè)置于石墨坩堝 的底部；石墨加熱器由前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板和頂部石墨板圍攏而成； 前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板和頂部石墨板均為矩形；頂部石墨板與前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板分別依靠搭接件連接為一 體；搭接件由側(cè)翼和垂直翼組成，側(cè)翼和垂直翼互相垂直；側(cè)翼的尾部設(shè)置有安裝孔， 垂直翼的尾部設(shè)置有安裝孔；側(cè)翼平貼與頂部石墨板接觸，垂直翼平貼與前石墨板或后石墨板或左石墨板或右 石墨板接觸；其中側(cè)翼的長度為14-16厘米，垂直翼的長度為1946厘米。提高成晶率的多晶鑄錠生產(chǎn)工藝，采用的鑄錠爐爐體結(jié)構(gòu)如下爐體內(nèi)部設(shè)置有 石墨加熱器、石墨坩堝、支撐板；石墨加熱器活動罩在石墨坩堝的外圍，支撐板設(shè)置于石墨 坩堝的底部；石墨加熱器由前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板和頂部石墨板圍攏而 成；前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板和頂部石墨板1均為矩形；
頂部石墨板與前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板分別依靠搭接件連接為一 體；搭接件由側(cè)翼和垂直翼組成，側(cè)翼和垂直翼互相垂直；側(cè)翼的尾部設(shè)置有安裝孔， 垂直翼的尾部設(shè)置有安裝孔；側(cè)翼平貼與頂部石墨板接觸，垂直翼平貼與前石墨板或后石墨板或左石墨板或右 石墨板接觸；其中側(cè)翼的長度為14-16厘米，垂直翼的長度為1916厘米；頂部石墨板El的長度為61-63厘米，頂部石墨板El的寬度為39_41厘米，前石墨 板Al或后石墨板Bl或左石墨板Cl或右石墨板Dl的寬度為39-41厘米，前石墨板Al或后 石墨板Bl或左石墨板Cl或右石墨板Dl的高度為38-41厘米；采用的生產(chǎn)工藝如下用電機驅(qū)動移動件，移動件驅(qū)使石墨加熱器1勻速上移，石 墨加熱器的起始位置與終止的位置之間的上移全程為14cm-16cm，上移的時間為20-24小 時。本發(fā)明的優(yōu)點通過將搭接件的垂直翼適當(dāng)延長的簡單技術(shù)就可以明顯提高成晶 率。更改工藝后使成晶率增加了 4-7個百分點；工藝參數(shù)控制良好的話可以使成晶率增加 了 6-7個百分點；在多晶少子壽命上也得到了重大的改善，從而大大的提高了多晶硅片的 轉(zhuǎn)換效率和電性能。中雜和微晶現(xiàn)象很少，出現(xiàn)的比例也顯著減少；本發(fā)明可以使排雜效果 和長晶規(guī)律等都達(dá)到最佳效果。


附圖1是本發(fā)明改造前的結(jié)構(gòu)示意圖附圖2是本發(fā)明改造后的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖3是本發(fā)明石墨加熱器1的結(jié)構(gòu)爆炸分解圖；附圖4是本發(fā)明搭接件4的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記石墨加熱器1、石墨坩堝2、支撐板3、搭接件4、側(cè)翼5、垂直翼6、前石墨 板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、右石墨板Dl、頂部石墨板El。
具體實施例方式實施例1、用于提高成晶率的多晶鑄錠爐改良熱場，包括鑄錠爐爐體，爐體內(nèi)部設(shè) 置有石墨加熱器1、石墨坩堝2、支撐板3 ；石墨加熱器1活動罩在石墨坩堝2的外圍，支撐 板3設(shè)置于石墨坩堝2的底部；石墨加熱器1由前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、右 石墨板Dl和頂部石墨板El圍攏而成；前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、右石墨板Dl 和頂部石墨板El均為矩形；頂部石墨板El與前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、右石墨板Dl分別依靠搭 接件4連接為一體；搭接件4由側(cè)翼5和垂直翼6組成，側(cè)翼5和垂直翼6互相垂直；側(cè)翼5的尾部設(shè) 置有安裝孔，垂直翼6的尾部設(shè)置有安裝孔；側(cè)翼5平貼與頂部石墨板El接觸，垂直翼6平貼與前石墨板Al或后石墨板Bl或左石墨板Cl或右石墨板Dl接觸。其中側(cè)翼5的長度短于垂直翼6的長度。實施例2、用于提高成晶率的多晶鑄錠爐改良熱場，包括鑄錠爐爐體，爐體內(nèi)部設(shè) 置有石墨加熱器1、石墨坩堝2、支撐板3 ；石墨加熱器1活動罩在石墨坩堝2的外圍，支撐 板3設(shè)置于石墨坩堝2的底部；石墨加熱器1由前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、右 石墨板Dl和頂部石墨板El圍攏而成；前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、右石墨板Dl 和頂部石墨板El均為矩形；頂部石墨板El與前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、右石墨板Dl分別依靠搭 接件4連接為一體；搭接件4由側(cè)翼5和垂直翼6組成，側(cè)翼5和垂直翼6互相垂直；側(cè)翼5的尾部設(shè) 置有安裝孔，垂直翼6的尾部設(shè)置有安裝孔；側(cè)翼5平貼與頂部石墨板El接觸，垂直翼6平貼與前石墨板Al或后石墨板Bl或 左石墨板Cl或右石墨板Dl接觸；其中側(cè)翼5的長度為14-16厘米，垂直翼6的長度為1946厘米。實施例3、提高成晶率的多晶鑄錠生產(chǎn)工藝，采用的鑄錠爐爐體結(jié)構(gòu)如下爐體內(nèi) 部設(shè)置有石墨加熱器1、石墨坩堝2、支撐板3 ；石墨加熱器1活動罩在石墨坩堝2的外圍，支 撐板3設(shè)置于石墨坩堝2的底部；石墨加熱器1由前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、 右石墨板Dl和頂部石墨板El圍攏而成；前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、右石墨板 Dl和頂部石墨板El均為矩形；頂部石墨板El與前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、右石墨板Dl分別依靠搭 接件4連接為一體；搭接件4由側(cè)翼5和垂直翼6組成，側(cè)翼5和垂直翼6互相垂直；側(cè)翼5的尾部設(shè) 置有安裝孔，垂直翼6的尾部設(shè)置有安裝孔；側(cè)翼5平貼與頂部石墨板El接觸，垂直翼6平貼與前石墨板Al或后石墨板Bl或 左石墨板Cl或右石墨板Dl接觸；其中側(cè)翼5的長度為14-16厘米，垂直翼6的長度為1946厘米；頂部石墨板El的長度為61-63厘米，頂部石墨板El的寬度為39_41厘米，前石墨 板Al或后石墨板Bl或左石墨板Cl或右石墨板Dl的寬度為39-41厘米，前石墨板Al或后 石墨板Bl或左石墨板Cl或右石墨板Dl的高度為38-41厘米；采用的生產(chǎn)工藝如下用電機驅(qū)動移動件，移動件驅(qū)使石墨加熱器1勻速上移，石 墨加熱器1的起始位置與終止的位置之間的上移全程為14cm-16cm，上移的時間為20- 小 時。本發(fā)明比較好的解決了微晶的問題，因改變GT Solar 450的熱場，對于DSS爐來 說，徑向的溫度梯度趨向為0，降低加熱器的高度，使得高溫區(qū)下移，對于控制溫度梯度，降 低固相和液相分凝面曲率有很好的效果，這是在GTSolar 450現(xiàn)有設(shè)備結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上做的 最直接有效的改動。實施例4、提高成晶率的多晶鑄錠生產(chǎn)工藝，采用的鑄錠爐爐體結(jié)構(gòu)如下爐體內(nèi) 部設(shè)置有石墨加熱器1、石墨坩堝2、支撐板3 ；石墨加熱器1活動罩在石墨坩堝2的外圍，支撐板3設(shè)置于石墨坩堝2的底部；石墨加熱器1由前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、 右石墨板Dl和頂部石墨板El圍攏而成；前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、右石墨板 Dl和頂部石墨板El均為矩形；頂部石墨板El與前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、右石墨板Dl分別依靠搭 接件4連接為一體；搭接件4由側(cè)翼5和垂直翼6組成，側(cè)翼5和垂直翼6互相垂直；側(cè)翼5的尾部設(shè) 置有安裝孔，垂直翼6的尾部設(shè)置有安裝孔；側(cè)翼5平貼與頂部石墨板El接觸，垂直翼6平貼與前石墨板Al或后石墨板Bl或 左石墨板Cl或右石墨板Dl接觸；其中側(cè)翼5的長度為14-16厘米，垂直翼6的長度為1946厘米；采用的生產(chǎn)工藝如下用電機驅(qū)動移動件，移動件驅(qū)使石墨加熱器1勻速上移，石 墨加熱器1的起始位置與終止的位置之間的上移全程為14cm-16cm，上移的時間為20- 小 時。本發(fā)明比較好的解決了微晶的問題，因改變GT Solar 450的熱場，對于DSS爐來 說，徑向的溫度梯度趨向為0，降低加熱器的高度，使得高溫區(qū)下移，對于控制溫度梯度，降 低固相和液相分凝面曲率有很好的效果，這是在GTSolar 450現(xiàn)有設(shè)備結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上做的 最直接有效的改動。實施例5、提高成晶率的多晶鑄錠生產(chǎn)工藝，采用的鑄錠爐爐體結(jié)構(gòu)如下爐體 內(nèi)部設(shè)置有石墨加熱器1、石墨坩堝2、支撐板3 ；石墨加熱器1活動罩在石墨坩堝2的外 圍，支撐板3設(shè)置于石墨坩堝2的底部；石墨加熱器1由前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨 板Cl、右石墨板Dl和頂部石墨板El圍攏而成；前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、右 石墨板Dl和頂部石墨板El均為矩形；頂部石墨板El與前石墨板Al、后石墨板Bi、左石墨板Cl、右石墨板Dl分別依靠搭 接件4連接為一體；搭接件4由側(cè)翼5和垂直翼6組成，側(cè)翼5和垂直翼6互相垂直；側(cè)翼5的尾部設(shè) 置有安裝孔，垂直翼6的尾部設(shè)置有安裝孔；側(cè)翼5平貼與頂部石墨板El接觸，垂直翼6平貼與前石墨板Al或后石墨板Bl或 左石墨板Cl或右石墨板Dl接觸；其中側(cè)翼5的長度為14-16厘米，垂直翼6的長度為1916厘米；采用的生產(chǎn)工藝如下用電機驅(qū)動移動件，移動件驅(qū)使石墨加熱器1勻速上移，石 墨加熱器1的起始位置與終止的位置之間的上移全程為14cm-20cm，上移的時間為20- 小 時。本發(fā)明比較好的解決了微晶的問題，因改變GT Solar 450的熱場，對于DSS爐來 說，徑向的溫度梯度趨向為0，降低加熱器的高度，使得高溫區(qū)下移，對于控制溫度梯度，降 低固相和液相分凝面曲率有很好的效果，這是在GTSolar 450現(xiàn)有設(shè)備結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上做的 最直接有效的改動。實施例6、提高成晶率的多晶鑄錠生產(chǎn)工藝，其中采用的生產(chǎn)工藝如下用電機驅(qū)動移動件，移動件驅(qū)使石墨加熱器1勻速上移，石墨加熱器1的起始位置與終止的位置之 間的上移全程為14cm，上移的時間為28小時。其余同實施例5。實施例7、提高成晶率的多晶鑄錠生產(chǎn)工藝，其中采用的生產(chǎn)工藝如下用電機 驅(qū)動移動件，移動件驅(qū)使石墨加熱器1勻速上移，石墨加熱器1的起始位置與終止的位置之 間的上移全程為20cm，上移的時間為20小時。其余同實施例5。實施例8、提高成晶率的多晶鑄錠生產(chǎn)工藝，其中采用的生產(chǎn)工藝如下用電機 驅(qū)動移動件，移動件驅(qū)使石墨加熱器1勻速上移，石墨加熱器1的起始位置與終止的位置之 間的上移全程為16cm，上移的時間為M小時。其余同實施例5。實施例9、提高成晶率的多晶鑄錠生產(chǎn)工藝，其中采用的生產(chǎn)工藝如下用電機 驅(qū)動移動件，移動件驅(qū)使石墨加熱器1勻速上移，石墨加熱器1的起始位置與終止的位置之 間的上移全程為15cm，上移的時間為22小時。其余同實施例5。實施例10、現(xiàn)有的提高成晶率的多晶鑄錠生產(chǎn)工藝，其中側(cè)翼的長度為14-16厘 米，垂直翼的長度為14-16厘米。其余工藝采用GT Solar 450的現(xiàn)有工藝。對比試驗結(jié)果
權(quán)利要求
1.用于提高成晶率的多晶鑄錠爐改良熱場，包括鑄錠爐爐體，爐體內(nèi)部設(shè)置有石墨加 熱器(1)、石墨坩堝O)、石墨加熱器(1)活動罩在石墨坩堝(2)的外圍，支撐板(3)設(shè)置于 石墨坩堝O)的底部；石墨加熱器(1)由前石墨板(Al)、后石墨板(Bi)、右石墨板(Dl)和 頂部石墨板(El)圍攏而成；前石墨板(Al)、后石墨板(Bi)、左石墨板(Cl)、右石墨板(Dl) 和頂部石墨板(El)均為矩形；頂部石墨板(El)與前石墨板(Al)、后石墨板(Bi)、左石墨板(Cl)、右石墨板(Dl)分別 依靠搭接件(4)連接為一體；搭接件(4)由側(cè)翼(5)和垂直翼(6)組成，側(cè)翼(5)和垂直翼(6)互相垂直；側(cè)翼(5) 的尾部設(shè)置有安裝孔，垂直翼(6)的尾部設(shè)置有安裝孔；側(cè)翼(5)平貼與頂部石墨板(El)接觸，垂直翼(6)平貼與前石墨板(Al)或后石墨板 (Bi)或左石墨板(Cl)或右石墨板(Dl)接觸。其特征在于側(cè)翼(5)的長度短于垂直翼(6)的長度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于提高成晶率的多晶鑄錠爐改良熱場，包括鑄錠爐爐 體，爐體內(nèi)部設(shè)置有石墨加熱器(1)、石墨坩堝O)、支撐板(3)；石墨加熱器(1)活動罩在 石墨坩堝(2)的外圍，支撐板(3)設(shè)置于石墨坩堝(2)的底部；石墨加熱器(1)由前石墨板 (Al)、后石墨板(Bi)、左石墨板(Cl)、右石墨板(Dl)和頂部石墨板(El)圍攏而成；前石墨 板(Al)、后石墨板(Bi)、左石墨板(Cl)、右石墨板(Dl)和頂部石墨板(El)均為矩形；頂部石墨板(El)與前石墨板(Al)、后石墨板(Bi)、左石墨板(Cl)、右石墨板(Dl)分別 依靠搭接件(4)連接為一體；搭接件(4)由側(cè)翼(5)和垂直翼(6)組成，側(cè)翼(5)和垂直翼(6)互相垂直；側(cè)翼(5) 的尾部設(shè)置有安裝孔，垂直翼(6)的尾部設(shè)置有安裝孔；側(cè)翼(5)平貼與頂部石墨板(El)接觸，垂直翼(6)平貼與前石墨板(Al)或后石墨板 (Bi)或左石墨板(Cl)或右石墨板(Dl)接觸；其特征在于側(cè)翼(5)的長度為14-16厘米，垂直翼(6)的長度為1916厘米。
3.提高成晶率的多晶鑄錠生產(chǎn)工藝，采用的鑄錠爐爐體結(jié)構(gòu)如下爐體內(nèi)部設(shè)置有石 墨加熱器(1)、石墨坩堝(2)、支撐板(3)；石墨加熱器(1)活動罩在石墨坩堝(2)的外圍，支 撐板(3)設(shè)置于石墨坩堝(2)的底部；石墨加熱器(1)由前石墨板(Al)、后石墨板(Bi)、左 石墨板(Cl)、右石墨板(Dl)和頂部石墨板(El)圍攏而成；前石墨板(Al)、后石墨板(Bi)、 左石墨板(Cl)、右石墨板(Dl)和頂部石墨板(El)均為矩形；頂部石墨板(El)與前石墨板(Al)、后石墨板(Bi)、左石墨板(Cl)、右石墨板(Dl)分別 依靠搭接件(4)連接為一體；搭接件(4)由側(cè)翼(5)和垂直翼(6)組成，側(cè)翼(5)和垂直翼(6)互相垂直；側(cè)翼(5) 的尾部設(shè)置有安裝孔，垂直翼(6)的尾部設(shè)置有安裝孔；側(cè)翼(5)平貼與頂部石墨板(El)接觸，垂直翼(6)平貼與前石墨板(Al)或后石墨板 (Bi)或左石墨板(Cl)或右石墨板(Dl)接觸； 其特征在于側(cè)翼(5)的長度為14-16厘米，垂直翼(6)的長度為1916厘米； 頂部石墨板(El)的長度為61-63厘米，頂部石墨板(El)的寬度為39-41厘米，前石墨 板(Al)或后石墨板(Bi)或左石墨板(Cl)或右石墨板(Dl)的寬度為39-41厘米，前石墨板(Al)或后石墨板(Bi)或左石墨板(Cl)或右石墨板(Dl)的高度為38-41厘米；采用的生產(chǎn)工藝如下用電機驅(qū)動移動件，移動件驅(qū)使石墨加熱器(1)勻速上移，石墨 加熱器(1)的起始位置與終止的位置之間的上移全程為14cm-16cm，上移的時間為20- 小 時。
4.提高成晶率的多晶鑄錠生產(chǎn)工藝，采用的鑄錠爐爐體結(jié)構(gòu)如下爐體內(nèi)部設(shè)置有石 墨加熱器(1)、石墨坩堝O)、支撐板(3)；石墨加熱器(1)活動罩在石墨坩堝(2)的外圍，支 撐板(3)設(shè)置于石墨坩堝(2)的底部；石墨加熱器(1)由前石墨板(Al)、后石墨板(Bi)、左 石墨板(Cl)、右石墨板(Dl)和頂部石墨板(El)圍攏而成；前石墨板(Al)、后石墨板(Bi)、 左石墨板(Cl)、右石墨板(Dl)和頂部石墨板(El)均為矩形；頂部石墨板(El)與前石墨板(Al)、后石墨板(Bi)、左石墨板(Cl)、右石墨板(Dl)分別 依靠搭接件(4)連接為一體；搭接件(4)由側(cè)翼(5)和垂直翼(6)組成，側(cè)翼(5)和垂直翼(6)互相垂直；側(cè)翼(5) 的尾部設(shè)置有安裝孔，垂直翼(6)的尾部設(shè)置有安裝孔；側(cè)翼(5)平貼與頂部石墨板(El)接觸，垂直翼(6)平貼與前石墨板(Al)或后石墨板 (Bi)或左石墨板(Cl)或右石墨板(Dl)接觸； 其特征在于側(cè)翼(5)的長度為14-16厘米，垂直翼(6)的長度為1916厘米；采用的生產(chǎn)工藝如 下用電機驅(qū)動移動件，移動件驅(qū)使石墨加熱器(1)勻速上移，石墨加熱器(1)的起始位置 與終止的位置之間的上移全程為Hcm-20cm，上移的時間為20-28小時。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高成晶率的多晶鑄錠生產(chǎn)工藝，其特征在于采用的生產(chǎn) 工藝如下用電機驅(qū)動移動件，移動件驅(qū)使石墨加熱器(1)勻速上移，石墨加熱器(1)的起 始位置與終止的位置之間的上移全程為15cm，上移的時間為22小時。
全文摘要
本發(fā)明涉及多晶鑄錠爐熱場和生產(chǎn)工藝的改進(jìn)，特別是一種用于提高成晶率的多晶鑄錠爐改良熱場及生產(chǎn)工藝。本發(fā)明的技術(shù)方案包括鑄錠爐爐體，爐體內(nèi)部設(shè)置有石墨加熱器、石墨坩堝、支撐板；石墨加熱器活動罩在石墨坩堝的外圍，支撐板設(shè)置于石墨坩堝的底部；石墨加熱器由前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板和頂部石墨板圍攏而成；前石墨板、后石墨板、左石墨板、右石墨板和頂部石墨板均為矩形。本發(fā)明的優(yōu)點通過將搭接件的垂直翼適當(dāng)延長的簡單技術(shù)就可以明顯提高成晶率。從而大大的提高了多晶硅片的轉(zhuǎn)換效率和電性能。中雜和微晶現(xiàn)象很少，出現(xiàn)的比例也顯著減少；本發(fā)明可以使排雜效果和長晶規(guī)律等都達(dá)到最佳效果。
文檔編號C30B28/06GK102140681SQ201010276290
公開日2011年8月3日 申請日期2010年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月25日
發(fā)明者周建國, 徐志群, 胡董成 申請人:晶科能源有限公司