專利名稱：一種高取向單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜的低溫制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體納米線陣列薄膜的低溫制備方法，具體涉及一種透明導(dǎo)電 玻璃表面高取向單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜的低溫制備方法，適用于太陽(yáng)能電池中的光 電極。
背景技術(shù)：
隨著全球范圍內(nèi)能源和環(huán)境問(wèn)題的日益嚴(yán)峻，急需要開發(fā)一種既容易獲取又清潔 環(huán)保的新能源，太陽(yáng)能正是這樣一種新型能源。開發(fā)利用太陽(yáng)能的形式多種多樣，太陽(yáng)能電 池是其中的一種主要形式。傳統(tǒng)的太陽(yáng)能電池主要由硅基半導(dǎo)體材料制備，這類電池的光 電轉(zhuǎn)換效率高(可達(dá)18%左右)，但是對(duì)材料的純度要求非常高，材料制備工藝復(fù)雜、成本 很高，僅局限于航空、航天以及軍事等國(guó)防領(lǐng)域使用。為了實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電池的推廣使用，急 需要開發(fā)一種制造成本低、轉(zhuǎn)換效率高的太陽(yáng)能電池。新型的敏化二氧化鈦納米晶半導(dǎo)體氧化物太陽(yáng)能電池，以其低廉的制造成本和優(yōu) 異的光電性能受到廣泛關(guān)注。這種電池是以表面吸附敏化劑的、尺寸20納米左右的二氧化 鈦納米顆粒薄膜為光電極，在光照下，敏化劑吸收光子轉(zhuǎn)化為電子激發(fā)態(tài)產(chǎn)生光生電子，光 生電子快速由敏化劑的激發(fā)態(tài)注入半導(dǎo)體的導(dǎo)帶，進(jìn)而穿過(guò)納米半導(dǎo)體網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至外電路 形成光電流。光生電子在穿過(guò)納米半導(dǎo)體網(wǎng)絡(luò)過(guò)程中必然會(huì)遇到大量晶界，引起電子的散 射損耗，影響器件性能。為此，需要優(yōu)化光電極結(jié)構(gòu)，提高光生電子的傳輸速度。無(wú)疑一維納米結(jié)構(gòu)陣列可 以直接為光生電子的傳輸提供直接通道，提高電子的傳輸速度，是新型太陽(yáng)能電池光電極 的一種理想結(jié)構(gòu)形式。一維二氧化鈦納米結(jié)構(gòu)陣列薄膜主要有納米管陣列和納米線陣列薄 膜兩種形式。目前，一維二氧化鈦納米管陣列薄膜主要通過(guò)電化學(xué)陽(yáng)極氧化鈦片或沉積在 透明導(dǎo)電玻璃表面的鈦膜制備，所得納米管陣列薄膜一方面呈現(xiàn)非晶態(tài)，需要高溫晶化處 理，另一方面，由于鈦片本身不透光，影響光照方式，或者很難沉積高質(zhì)量的厚度超過(guò)微米 級(jí)的鈦膜，使得合成納米管的長(zhǎng)度受到限制。一維二氧化鈦納米線陣列薄膜主要通過(guò)各種 氣相沉積方法制備，設(shè)備復(fù)雜、成本較高，合成溫度偏高，不利于大規(guī)模生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種基于低溫非均相溶劑熱技術(shù)結(jié)合界面化學(xué)反應(yīng)，能夠直接在 透明導(dǎo)電玻璃表面大面積沉積形成高取向單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜的低溫制備方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是1)首先，將丙酮、乙醇和去離子水 依次超聲清洗的摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃晾干并放入不銹鋼壓力釜的聚四氟乙烯內(nèi)襯中，按 (10-20) (0.5-1.5) (0.5-1.5)的體積比將甲苯、鈦酸丁酯和濃鹽酸混合后加入到不 銹鋼壓力釜的聚四氟乙烯內(nèi)襯中，密封壓力釜；2)其次，將密封好的壓力釜轉(zhuǎn)移到恒溫設(shè) 備中，在160-200°C的恒溫條件下，保溫1-20個(gè)小時(shí)，進(jìn)行溶劑熱反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后自然冷 卻至室溫；3)然后，打開壓力釜蓋，取出摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃并除去表面殘余的未反應(yīng)物，室溫干燥得到直接沉積在摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的TiO2納米線陣列薄膜；4)最后，將沉 積有TiO2納米線陣列薄膜的摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃置于60-70°C的濃度為0. 05摩爾每升的 TiCl4溶液中30分鐘，取出后用去離子水充分沖洗干凈，在450°C下保溫30min，即得到垂直 于摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的、單晶金紅石二氧化鈦納米線陣列薄膜。本發(fā)明的濃鹽酸的濃度為36% -38%;所述步驟3)中除去摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表 面殘余物是用無(wú)水乙醇、異丙醇充分沖洗摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃或采用超聲浴除去摻氟氧化 錫導(dǎo)電玻璃表面殘余物。本發(fā)明采用低溫非均相溶劑熱技術(shù)，在非極性溶劑與親水性的基底表面，通過(guò)可 控界面化學(xué)反應(yīng)直接在基底表面制備垂直基底的、高度結(jié)晶的二氧化鈦納米線陣列薄膜。 這種薄膜沉積方法原料成本低、工藝簡(jiǎn)單、重復(fù)性好、反應(yīng)溫度低、易于大面積成膜，產(chǎn)物高 度取向、結(jié)晶好、微觀尺寸易控，生長(zhǎng)薄膜的基底高透過(guò)，是直接制備太陽(yáng)能電池光電極的 一種理想途徑。作為光電極使用，該納米線陣列薄膜結(jié)構(gòu)為光生電子的徑向傳輸提供直接 通道，有利于提高電子的傳輸速度同時(shí)降低電子的復(fù)合損失，也是組裝其它納米光電器件 的一種很好的選擇。


圖1本發(fā)明實(shí)施例4制備的二氧化鈦納米線陣列薄膜的俯視圖；圖2本發(fā)明實(shí)施 例3制備的二氧化鈦納米線陣列薄膜的正視圖；圖3本發(fā)明實(shí)施例3制備的二氧化鈦納米 線陣列薄膜的X射線衍射圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例4制備的N719染料敏化二氧化鈦納米線 陣列薄膜太陽(yáng)能電池的IPCE圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例1 :1)首先，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃(FTO)裁剪成1. 5cmX2. 0尺寸，依次經(jīng) 丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗干凈晾干后，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃放入不銹鋼壓力釜的 聚四氟乙烯內(nèi)襯中，按10 0.5 0.5的體積比將甲苯、鈦酸丁酯和濃度為36-38%的濃鹽 酸混合后加入到不銹鋼壓力釜的聚四氟乙烯內(nèi)襯中，然后密封壓力釜；2)其次，將密封好 的壓力釜轉(zhuǎn)移到恒溫設(shè)備中，在160°C的恒溫條件下，保溫20個(gè)小時(shí)，進(jìn)行溶劑熱反應(yīng)，反 應(yīng)結(jié)束后自然冷卻至室溫；3)然后，打開壓力釜蓋，取出摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃用無(wú)水乙醇、 異丙醇充分沖洗摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃，室溫干燥得到直接沉積在摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面 的TiO2納米線陣列薄膜；4)最后，將沉積有TiO2納米線陣列薄膜的摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃置 于70°C的濃度為0. 05摩爾每升的TiCl4溶液中30分鐘，取出后用去離子水充分沖洗干凈， 在450°C下保溫30min，即得到垂直于摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的、單晶金紅石二氧化鈦納 米線陣列薄膜，可直接作為新型高性能太陽(yáng)能電池用光電極。實(shí)施例2 :1)首先，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃(FTO)裁剪成1.5cmX2.0尺寸，依次經(jīng) 丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗干凈晾干后，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃放入不銹鋼壓力釜的 聚四氟乙烯內(nèi)襯中，按10 0.5 0.5的體積比將甲苯、鈦酸丁酯和濃度為36-38%的濃鹽 酸混合后加入到不銹鋼壓力釜的聚四氟乙烯內(nèi)襯中，密封壓力釜；2)其次，將密封好的壓 力釜轉(zhuǎn)移到恒溫設(shè)備中，在180°C的恒溫條件下，保溫10個(gè)小時(shí)，進(jìn)行溶劑熱反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后自然冷卻至室溫；3)然后，打開壓力釜蓋，取出摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃采用超聲浴除去 摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃導(dǎo)電層表面的殘余物，室溫干燥得到直接沉積在摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃 表面的TiO2納米線陣列薄膜；4)最后，將沉積有TiO2納米線陣列薄膜的摻氟氧化錫導(dǎo)電玻 璃置于60°C的濃度為0. 05摩爾每升的TiCl4溶液中30分鐘，取出后用去離子水充分沖洗 干凈，在450°C下保溫30min，即得到垂直于摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的、單晶金紅石二氧 化鈦納米線陣列薄膜，可直接作為新型高性能太陽(yáng)能電池用光電極。實(shí)施例3 :1)首先，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃(FTO)裁剪成1.5cmX2.0尺寸，依次經(jīng) 丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗干凈晾干后，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃放入不銹鋼壓力釜的 聚四氟乙烯內(nèi)襯中，按10 0.8 1.0的體積比將甲苯、鈦酸丁酯和濃度為36-38%的濃鹽 酸混合后加入到不銹鋼壓力釜的聚四氟乙烯內(nèi)襯中，密封壓力釜；2)其次，將密封好的壓 力釜轉(zhuǎn)移到恒溫設(shè)備中，在180°C的恒溫條件下，保溫10個(gè)小時(shí)，進(jìn)行溶劑熱反應(yīng)，反應(yīng)結(jié) 束后自然冷卻至室溫；3)然后，打開壓力釜蓋，取出摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃用無(wú)水乙醇、異丙 醇充分沖洗摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃導(dǎo)電面的殘余物，室溫干燥得到直接沉積在摻氟氧化錫導(dǎo) 電玻璃表面的TiO2納米線陣列薄膜；4)最后，將沉積有TiO2納米線陣列薄膜的摻氟氧化錫 導(dǎo)電玻璃置于65°C的濃度為0. 05摩爾每升的TiCl4溶液中30分鐘，取出后用去離子水充 分沖洗干凈，在450°C下保溫30min，即得到垂直于摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的、單晶金紅 石二氧化鈦納米線陣列薄膜，可直接作為新型高性能太陽(yáng)能電池用光電極。由圖2可以看出，F(xiàn)TO導(dǎo)電玻璃表面沉積形成的一維二氧化鈦納米線陣列薄膜，該 薄膜垂直FTO表面、分布均勻致密、比表面積大。制備薄膜中納米線的直徑為幾十納米，長(zhǎng) 度可以通過(guò)控制反應(yīng)時(shí)間從幾十納米至幾十微米之間任意變化。由圖3可以看出，試樣僅出現(xiàn)少量衍射峰，且(002)晶面的衍射峰強(qiáng)度異常大，表 明產(chǎn)物高取向生長(zhǎng)、結(jié)晶良好。實(shí)施例4 :1)首先，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃(FTO)裁剪成1. 5cmX2. 0尺寸，依次經(jīng) 丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗干凈晾干后，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃放入不銹鋼壓力釜的 聚四氟乙烯內(nèi)襯中，按15 1 1.2的體積比將甲苯、鈦酸丁酯和濃度為36-38%的濃鹽酸 混合后加入到不銹鋼壓力釜的聚四氟乙烯內(nèi)襯中，密封壓力釜；2)其次，將密封好的壓力 釜轉(zhuǎn)移到恒溫設(shè)備中，在170°C的恒溫條件下，保溫15個(gè)小時(shí)，進(jìn)行溶劑熱反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束 后自然冷卻至室溫；3)然后，打開壓力釜蓋，取出摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃采用超聲浴除去摻 氟氧化錫導(dǎo)電玻璃導(dǎo)電層表面的殘余物，室溫干燥得到直接沉積在摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表 面的TiO2納米線陣列薄膜；4)最后，將沉積有TiO2納米線陣列薄膜的摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃 置于70°C的濃度為0. 05摩爾每升的TiCl4溶液中30分鐘，取出后用去離子水充分沖洗干 凈，在450°C下保溫30min，即得到垂直于摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的、單晶金紅石二氧化 鈦納米線陣列薄膜，可直接作為新型高性能太陽(yáng)能電池用光電極。由圖1可以看出，F(xiàn)TO導(dǎo)電玻璃表面沉積形成的一維二氧化鈦納米線陣列薄膜，該 薄膜垂直FTO表面、分布均勻致密、比表面積大。制備薄膜中納米線的直徑為幾十納米，長(zhǎng) 度可以通過(guò)控制反應(yīng)時(shí)間從幾十納米至幾十微米之間任意變化。由圖4可以看出，在染料的吸光范圍內(nèi)，入射光子轉(zhuǎn)化為電子的轉(zhuǎn)換效率超過(guò) 50%，表明這種結(jié)構(gòu)有利于光電轉(zhuǎn)換，是高性能太陽(yáng)能電池用光電極的一種理想結(jié)構(gòu)形式。實(shí)施例5 :1)首先，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃(FTO)裁剪成1.5cmX2.0尺寸，依次經(jīng)丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗干凈晾干后，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃放入不銹鋼壓力釜的 聚四氟乙烯內(nèi)襯中，按18 1.2 1的體積比將甲苯、鈦酸丁酯和濃度為36-38%的濃鹽酸 混合后加入到不銹鋼壓力釜的聚四氟乙烯內(nèi)襯中，密封壓力釜；2)其次，將密封好的壓力 釜轉(zhuǎn)移到恒溫設(shè)備中，在200°C的恒溫條件下，保溫1個(gè)小時(shí)，進(jìn)行溶劑熱反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后 自然冷卻至室溫；3)然后，打開壓力釜蓋，取出摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃用無(wú)水乙醇、異丙醇充 分沖洗摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面殘余物，室溫干燥得到直接沉積在摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表 面的TiO2納米線陣列薄膜；4)最后，將沉積有TiO2納米線陣列薄膜的摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃 置于68°C的濃度為0. 05摩爾每升的TiCl4溶液中30分鐘，取出后用去離子水充分沖洗干 凈，在450°C下保溫30min，即得到垂直于摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的、單晶金紅石二氧化 鈦納米線陣列薄膜，可直接作為新型高性能太陽(yáng)能電池用光電極。實(shí)施例6 :1)首先，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃(FTO)裁剪成1. 5cmX2. 0尺寸，依次經(jīng) 丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗干凈晾干后，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃放入不銹鋼壓力釜的 聚四氟乙烯內(nèi)襯中，按19 1.5 0.8的體積比將甲苯、鈦酸丁酯和濃度為36-38%的濃鹽 酸混合后加入到不銹鋼壓力釜的聚四氟乙烯內(nèi)襯中，密封壓力釜；2)其次，將密封好的壓 力釜轉(zhuǎn)移到恒溫設(shè)備中，在190°C的恒溫條件下，保溫5個(gè)小時(shí)，進(jìn)行溶劑熱反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束 后自然冷卻至室溫；3)然后，打開壓力釜蓋，取出摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃采用超聲浴除去摻 氟氧化錫導(dǎo)電玻璃導(dǎo)電層表面的殘余物，室溫干燥得到直接沉積在摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表 面的TiO2納米線陣列薄膜；4)最后，將沉積有TiO2納米線陣列薄膜的摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃 置于62°C的濃度為0. 05摩爾每升的TiCl4溶液中30分鐘，取出后用去離子水充分沖洗干 凈，在450°C下保溫30min，即得到垂直于摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的、單晶金紅石二氧化 鈦納米線陣列薄膜，可直接作為新型高性能太陽(yáng)能電池用光電極。實(shí)施例7 :1)首先，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃(FTO)裁剪成1.5cmX2.0尺寸，依次經(jīng) 丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗干凈晾干后，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃放入不銹鋼壓力釜的 聚四氟乙烯內(nèi)襯中，按20 1 1.5的體積比將甲苯、鈦酸丁酯和濃度為36-38%的濃鹽酸 混合后加入到不銹鋼壓力釜的聚四氟乙烯內(nèi)襯中，密封壓力釜；2)其次，將密封好的壓力 釜轉(zhuǎn)移到恒溫設(shè)備中，在165°C的恒溫條件下，保溫18個(gè)小時(shí)，進(jìn)行溶劑熱反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束 后自然冷卻至室溫；3)然后，打開壓力釜蓋，取出摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃用無(wú)水乙醇、異丙醇 充分沖洗摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面殘余物，室溫干燥得到直接沉積在摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃 表面的TiO2納米線陣列薄膜；4)最后，將沉積有TiO2納米線陣列薄膜的摻氟氧化錫導(dǎo)電玻 璃置于67V的濃度為0. 05摩爾每升的TiCl4溶液中30分鐘，取出后用去離子水充分沖洗 干凈，在450°C下保溫30min，即得到垂直于摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的、單晶金紅石二氧 化鈦納米線陣列薄膜，可直接作為新型高性能太陽(yáng)能電池用光電極。實(shí)施例8 :1)首先，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃(FTO)裁剪成1. 5cmX2. 0尺寸，依次經(jīng) 丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗干凈晾干后，將摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃放入不銹鋼壓力釜的 聚四氟乙烯內(nèi)襯中，按12 1.5 1.5的體積比將甲苯、鈦酸丁酯和濃度為36-38%的濃鹽 酸混合后加入到不銹鋼壓力釜的聚四氟乙烯內(nèi)襯中，密封壓力釜；2)其次，將密封好的壓 力釜轉(zhuǎn)移到恒溫設(shè)備中，在185°C的恒溫條件下，保溫7個(gè)小時(shí)，進(jìn)行溶劑熱反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束 后自然冷卻至室溫；3)然后，打開壓力釜蓋，取出摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃采用超聲浴除去摻 氟氧化錫導(dǎo)電玻璃導(dǎo)電層表面的殘余物，室溫干燥得到直接沉積在摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的TiO2納米線陣列薄膜；4)最后，將沉積有TiO2納米線陣列薄膜的摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃 置于66°C的濃度為0. 05摩爾每升的TiCl4溶液中30分鐘，取出后用去離子水充分沖洗干 凈，在450°C下保溫30min，即得到垂直于摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的、單晶金紅石二氧化 鈦納米線陣列薄膜，可直接作為新型高性能太陽(yáng)能電池用光電極。
本發(fā)明中所使用原材料均為常用化學(xué)試劑，不需要純化處理，并且反應(yīng)溫度較低， 不超過(guò)200°C，制備過(guò)程成本低廉；同時(shí)，制備薄膜面積取決于所用FTO導(dǎo)電玻璃，容易實(shí)現(xiàn) 大面積薄膜制備，所以，本發(fā)明是高效、低成本、大面積制備高取向單晶二氧化鈦納米線陣 列薄膜的一種濕化學(xué)方法，也是新型太陽(yáng)能電池用光電極材料的一種理想結(jié)構(gòu)形式。
權(quán)利要求
一種高取向單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜的低溫制備方法，其特征在于1)首先，將丙酮、乙醇和去離子水依次超聲清洗的摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃晾干并放入不銹鋼壓力釜的聚四氟乙烯內(nèi)襯中，按(10-20)∶(0.5-1.5)∶(0.5-1.5)的體積比將甲苯、鈦酸丁酯和濃鹽酸混合后加入到不銹鋼壓力釜的聚四氟乙烯內(nèi)襯中，然后密封壓力釜；2)其次，將密封好的壓力釜轉(zhuǎn)移到恒溫設(shè)備中，在160-200℃的恒溫條件下，保溫1-20個(gè)小時(shí)，進(jìn)行溶劑熱反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后自然冷卻至室溫；3)然后，打開壓力釜蓋，取出摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃并除去表面殘余的未反應(yīng)物，室溫干燥得到直接沉積在摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的TiO2納米線陣列薄膜；4)最后，將沉積有TiO2納米線陣列薄膜的摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃置于60-70℃的濃度為0.05摩爾每升的TiCl4溶液中30分鐘，取出后用去離子水充分沖洗干凈，在450℃下保溫30min，即得到垂直于摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面的、單晶金紅石二氧化鈦納米線陣列薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高取向單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜的低溫制備方法，其特 征在于所述濃鹽酸的濃度為36% -38%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高取向單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜的低溫制備方法，其特 征在于所述步驟3)中除去摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面殘余物是用無(wú)水乙醇、異丙醇充分沖 洗摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃或采用超聲浴除去摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃表面殘余物。
全文摘要
一種高取向單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜的低溫制備方法，利用改進(jìn)的低溫非均相溶劑熱技術(shù)結(jié)合界面化學(xué)反應(yīng)，直接在透明導(dǎo)電玻璃表面大面積沉積形成高度取向、結(jié)晶良好、尺寸可調(diào)的單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜。這種一維納米結(jié)構(gòu)陣列薄膜垂直導(dǎo)電玻璃表面生長(zhǎng)，可以作為納米電極組裝新型納米器件，尤其是可直接作為新型太陽(yáng)能電池的光電極使用，能夠提高光電子的傳輸速率而降低其復(fù)合速度。本發(fā)明材料的制備過(guò)程簡(jiǎn)單、環(huán)保、成本低，易于工業(yè)化推廣使用，有利于低成本開發(fā)利用太陽(yáng)能。
文檔編號(hào)C30B29/16GK101845664SQ20101020333
公開日2010年9月29日 申請(qǐng)日期2010年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月18日
發(fā)明者賈巧英, 闕文修 申請(qǐng)人:西安交通大學(xué)