技術(shù)編號(hào):8140146
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體納米線陣列薄膜的低溫制備方法,具體涉及一種透明導(dǎo)電 玻璃表面高取向單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜的低溫制備方法,適用于太陽(yáng)能電池中的光 電極。背景技術(shù)隨著全球范圍內(nèi)能源和環(huán)境問(wèn)題的日益嚴(yán)峻,急需要開發(fā)一種既容易獲取又清潔 環(huán)保的新能源,太陽(yáng)能正是這樣一種新型能源。開發(fā)利用太陽(yáng)能的形式多種多樣,太陽(yáng)能電 池是其中的一種主要形式。傳統(tǒng)的太陽(yáng)能電池主要由硅基半導(dǎo)體材料制備,這類電池的光 電轉(zhuǎn)換效率高(可達(dá)18%左右),但是對(duì)材料的純度要求非常高,材料制備工藝復(fù)雜、成本 很高,僅局限于航空、航天以及...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。