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一種高取向單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜的低溫制備方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):8140146

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技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體納米線陣列薄膜的低溫制備方法,具體涉及一種透明導(dǎo)電 玻璃表面高取向單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜的低溫制備方法,適用于太陽(yáng)能電池中的光 電極。背景技術(shù)隨著全球范圍內(nèi)能源和環(huán)境問(wèn)題的日益嚴(yán)峻,急需要開發(fā)一種既容易獲取又清潔 環(huán)保的新能源,太陽(yáng)能正是這樣一種新型能源。開發(fā)利用太陽(yáng)能的形式多種多樣,太陽(yáng)能電 池是其中的一種主要形式。傳統(tǒng)的太陽(yáng)能電池主要由硅基半導(dǎo)體材料制備,這類電池的光 電轉(zhuǎn)換效率高(可達(dá)18%左右),但是對(duì)材料的純度要求非常高,材料制備工藝復(fù)雜、成本 很高,僅局限于航空、航天以及...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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