專利名稱：電路基板及其制造方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及在形成為平面或三維立體狀的絕緣性基板的表面形成有電路的電路 基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為在絕緣性基板的表面設置電路而形成的電路基板，提出有由激光所生成的圖 案形成電路的技術(shù)(例如，參照專利文獻1)。在根據(jù)這種技術(shù)的電路基板的制造方法中，首先如圖1 (a)所示，制作成形絕緣性 基板1，接下來如圖1 (b)所示，在絕緣性基板1的整個表面利用濺射等形成金屬薄膜2。接 下來如圖1(c)所示，沿將要設置在絕緣性基板1表面上的電路3的輪廓，在作為電路3之 間的絕緣部的非電路形成部B的部位照射激光L，由此除去照射了激光L部分的金屬薄膜 2。這樣，利用激光照射而沿電路3的輪廓除去金屬薄膜2，由此，能夠通過殘留在電路形成 部A上的金屬薄膜2形成與電路3相同圖案的鍍敷基底層4，該鍍敷基底層4與殘留在非電 路形成部B上的金屬薄膜2被隔開。之后，對鍍敷基底層4通電并同時進行電鍍銅處理，由 此，如圖1(d)所示，在鍍敷基底層4的表面形成鍍銅層5。此時，由于沒有對殘留在非電路 形成部B的金屬薄膜2通電，因此，沒有在該金屬薄膜2的表面形成鍍銅層。通過進行軟式 蝕刻除去非電路形成部B的金屬薄膜2，由此，如圖1(e)所示，能夠由鍍敷在基底層4上的 鍍銅層5形成電路3。這里，如上所述，由鍍銅層5形成電路3時，銅及其合金具有高導電性，但在通常環(huán) 境中會受到腐蝕產(chǎn)生反應性氧化物或硫化物，由此，可能會明顯損壞電配線的導電性。因 此，特別在將電路基板用于便攜式電話或便攜用數(shù)碼相機等消費電子設備中時，如圖1(f) 所示，在鍍銅層5的表面形成鍍鎳層6和鍍金層7。將耐腐蝕性和接觸可靠性優(yōu)越的含Au 的鍍金層7設置在最外面來保護鍍銅層5，另外，為了防止因回流等熱載荷所導致的Cu向 Au的擴散，將對Cu和Au雙方密接性高的含有M的鍍鎳層6設置在鍍銅層5與鍍金層7之 間作為中間層。專利文獻1 日本專利第3153682號公報

發(fā)明內(nèi)容
然而，M容易與空氣中的氯離子或硫化離子等多存在于自然界中的離子發(fā)生反 應，特別在像便攜式電話或便攜用數(shù)碼相機等那樣由人來操作的設備中，與人體排出的汗 中所含有的氯離子或硫化離子等發(fā)生反應，容易加劇鍍鎳層6中的M的腐蝕反應，容易形 成腐蝕生成物。另外，如上所述，通過沿電路3的輪廓照射激光L，除去非電路形成部B的金屬薄膜 2，從而形成與電路3相同圖案的鍍敷基底層4，此時，激光L也作用在除去金屬薄膜2后的 絕緣性基板1的表面，由于激光L作用在絕緣性基板1，如圖2(a)所示，在鍍敷基底層4的 周邊部絕緣性基板1的表面被挖下，可能會起毛(粗糙)。并且，若這樣在鍍敷基底層4的周邊部絕緣性基板1的表面起毛，則如圖2(b)所示，當在鍍敷基底層4上進行層疊鍍銅層 5、鍍鎳層6、鍍金層7的鍍敷而制作電路3時，在電路3的側(cè)面邊緣的下部，在鍍銅層5或鍍 鎳層6與絕緣性基板1的表面之間產(chǎn)生微小的間隙15，在該間隙15的部分，鍍銅層5或鍍 鎳層6沒有被鍍金層7覆蓋的情況居多，因此，存在鍍銅層5或鍍鎳層6可能從該部分被腐 蝕的問題。本發(fā)明鑒于上述點而提出，其目的在于提供一種具有耐腐蝕性優(yōu)越的電路的電路 基板及其制造方法。作為本發(fā)明的一個方式的電路基板的特征在于，具備絕緣性基板和形成在該絕緣 性基板上的電路，該電路具有鍍敷基底層、鍍銅層、鍍鎳層及鍍金層，所述鍍敷基底層是通過沿電路 的輪廓對覆蓋在該絕緣性基板表面上的金屬薄膜照射激光而按電路的輪廓局部除去該金 屬薄膜，從而形成電路圖案而成的，所述鍍銅層、鍍鎳層及鍍金層是在該鍍敷基底層的表面 上從鍍敷基底層側(cè)開始依次利用金屬鍍敷而形成的，并且，在該鍍鎳層與該鍍金層之間，具 有標準電極電位比AU低的金屬的第一中間鍍敷層與鍍金層相接形成，并且，具有標準電極 電位比該第一中間鍍敷層的金屬高的金屬的第二中間鍍敷層與第一中間鍍敷層8相接形 成。作為本發(fā)明的另一方式的電路基板的特征在于，具備絕緣性基板和形成在該絕緣 性基板上的電路，該電路具有鍍敷基底層、鍍銅層、鍍鎳層及鍍金層，所述鍍敷基底層是通 過沿電路的輪廓對覆蓋在該絕緣性基板表面上的金屬薄膜照射激光而按電路的輪廓局部 除去該金屬薄膜，從而形成電路圖案而成的，所述鍍銅層、鍍鎳層及鍍金層是在該鍍敷基底 層的表面上從鍍敷基底層側(cè)開始依次利用金屬鍍敷而形成的，并且，絕緣性基板通過成形 含有聚鄰苯二甲酰胺的樹脂組合物而形成，沿電路的輪廓照射激光而除去金屬薄膜后的部 分的絕緣性基板的表面的表面粗糙度RZ小于照射激光前的表面粗糙度RZ的1. 9倍。作為本發(fā)明的另一方式的電路基板的制造方法的特征在于，包括通過沿電路的 輪廓對覆蓋在絕緣性基板表面上的金屬薄膜照射激光而沿電路的輪廓除去金屬薄膜，從而 形成電路圖案的鍍敷基底層的工序；在鍍敷基底層的表面從鍍敷基底層側(cè)開始按鍍銅層、 鍍鎳層、第二中間鍍敷層、第一中間鍍敷層、鍍金層的順序?qū)嵤┙饘馘兎蠖纬呻娐返墓?序；由標準電極電位比Au低的金屬形成第一中間鍍敷層，且該第一中間鍍敷層與鍍金層相 接形成，并且，由標準電極電位比第一中間鍍敷層的金屬高的金屬形成第二中間鍍敷層，且 該第二中間鍍敷層與第一中間鍍敷層相接形成的工序。作為本發(fā)明的另一方式的電路基板的制造方法的特征在于，包括通過沿電路的 輪廓對覆蓋在絕緣性基板表面上的金屬薄膜照射激光而沿電路的輪廓除去金屬薄膜，從而 形成電路圖案的鍍敷基底層的工序；在鍍敷基底層的表面從鍍敷基底層側(cè)開始按鍍銅層、 鍍鎳層、鍍金層的順序?qū)嵤┙饘馘兎蠖纬呻娐返墓ば?，通過調(diào)節(jié)照射條件進行激光的照 射，使照射激光除去金屬薄膜后的部分的絕緣性基板表面的表面粗糙度Rz小于照射激光 前的表面粗糙度Rz的1.9倍。根據(jù)本發(fā)明，在鍍鎳層6與鍍金層7之間，具有標準電極電位比Au低的金屬的第 一中間鍍敷層8與鍍金層相接，具有標準電極電位比第一中間鍍敷層8的金屬高的金屬的 第二中間鍍敷層9與第一中間鍍敷層8相接，由此，在鍍鎳層6側(cè)的第二中間鍍敷層8與鍍金層7側(cè)的第一鍍敷層9之間形成阻礙電子移動的勢壘，即使因鍍鎳層6中的Ni的腐蝕反 應而產(chǎn)生電子，也不會向鍍金層7移動而在還原反應的作用下放出，能夠在鍍鎳層6中抑制 Ni被腐蝕的反應，防止在電路3中產(chǎn)生腐蝕。另外，根據(jù)本發(fā)明，通過使沿電路3的輪廓照射激光L而除去金屬薄膜2后的部分 的絕緣性基板1的表面的表面粗糙度Rz小于照射激光L前的表面粗糙度Rz的1. 9倍，由 此，減小鍍敷基底層4的周邊的除去金屬薄膜2后的絕緣性基板1的表面的起毛，能夠抑制 在形成于鍍敷基底層4上的鍍銅層5或鍍鎳層6與絕緣性基板1的表面之間形成間隙的情 況，能夠防止從該間隙腐蝕鍍銅層5或鍍鎳層6，從而獲得具有耐腐蝕性優(yōu)越的電路3的電 路基板。


圖1是表示現(xiàn)有例的圖，(a) (e)分別是剖面圖，(f)是局部的放大剖面圖。圖2表示現(xiàn)有例，(a)、(b)分別是局部的放大剖面圖。圖3表示本發(fā)明的實施方式的一例，(a) (e)是簡要剖面圖，(f)是局部放大剖 面圖。圖4是示意性地表示鍍敷層的標準電極電位的簡圖，(a)是關于實施例2的圖，(b) 是關于比較例4的圖。圖5表示本發(fā)明的其他實施方式，是封孔處理狀態(tài)的放大簡圖。圖6是表示本發(fā)明的其他實施方式的局部的放大剖面圖。圖7表示本發(fā)明的其他實施方式，(a)、(b)分別是俯視圖。圖8是本發(fā)明的其他實施方式的放大的剖面圖。
具體實施例方式以下，對用于實施本發(fā)明的優(yōu)選方式進行說明。圖3(a) (f)分別表示本發(fā)明的實施方式的電路基板的制造過程的簡要剖面圖。 圖3(f)所示的本發(fā)明的實施方式的電路基板具備絕緣性基板1和形成在該絕緣性基板1 上的電路3。該電路3具有通過沿電路的輪廓對覆蓋在該絕緣性基板的表面上的金屬薄膜 照射激光并沿電路的輪廓局部除去該金屬薄膜，由此形成電路圖案而成的鍍敷基底層4、在 該鍍敷基底層4的表面上從鍍敷基底層4側(cè)按順序利用金屬鍍敷形成的鍍銅層5、鍍鎳層6 及鍍金層7，并且，在該鍍鎳層6與該鍍金層7之間，具有標準電極電位比Au低的金屬的第 一中間鍍敷層8與鍍金層7相接而形成，并且，具有標準電極電位比該第一中間鍍敷層8的 金屬高的金屬的第二中間鍍敷層9與第一中間鍍敷層8相接而形成。在圖1所示的現(xiàn)有的電路基板中，在層疊鍍銅層5、鍍鎳層6、鍍金層7而形成電路 3時，鍍鎳層6中的M的腐蝕反應隨著與M的離子化同時的電子放出而進行，上述電子向 標準電極電位比Ni高的金屬、即鍍金層7的Au移動，在還原反應作用下從最外面的鍍金層 7放出，容易加劇M的腐蝕反應。特別是，當鍍金層7中存在氣孔時，氯離子或硫化離子等 通過氣孔作用于鍍鎳層6，容易加劇上述M的腐蝕反應，從而顯著降低電路3的耐腐蝕性。因此，在本發(fā)明的實施方式的電路基板中，在鍍鎳層6與鍍金層7之間，在鍍金層 7側(cè)形成第一鍍敷層8，在鍍鎳層6側(cè)形成第二鍍敷層9。由此在鍍鎳層6側(cè)的第二中間鍍
6敷層8與鍍金層7側(cè)的第一鍍敷層9之間形成阻礙電子移動的勢壘。因此，即使因鍍鎳層6 中的M的腐蝕反應而產(chǎn)生電子，也不會向鍍金層7移動而在還原反應的作用下放出，能夠 在鍍鎳層6中抑制M被腐蝕的反應，防止在電路3中產(chǎn)生腐蝕。作為本發(fā)明的絕緣性基板1，可以使用聚鄰苯二甲酰胺、液晶聚合物、ABS、聚酰亞 胺、聚醚酰亞胺等將熱塑性樹脂或熱固化性樹脂的組成物成形而成的物質(zhì)，或?qū)⒀趸X等 陶瓷成形而成的物質(zhì)等，除了使用圖3(a)所示的形成為平板狀的絕緣性基板，還可以使用 形成為三維立體形狀的絕緣性基板。在將樹脂組合物成形制作絕緣性基板1時，根據(jù)需要在基礎樹脂中混合、攪拌無 機填料，由此能夠調(diào)制樹脂組合物。這里，當基礎樹脂為結(jié)晶性的熱塑性樹脂時，可以適當 混合粉末狀、纖維狀、板狀、球狀等微粉末的填料作為促進結(jié)晶化的結(jié)晶核劑。進而，可以微 量混合可塑劑、防靜電干擾劑、穩(wěn)定劑、顏料等著色劑、潤滑劑、難燃劑等添加劑。然后，利用 擠壓成形等將上述樹脂組合物顆?；?，之后使用模具進行注塑成型等成形，由此能夠獲得 絕緣性基板1。作為樹脂組合物的基礎樹脂，可以使用如上所述的各種熱塑性樹脂或熱固化性樹 脂，但這其中，特別優(yōu)選使用聚鄰苯二甲酰胺。聚鄰苯二甲酰胺是芳香族聚酰胺的一種，是 一種與金屬層的密接性本來就很優(yōu)越，并且耐熱性、機械特性、尺寸穩(wěn)定性、耐化學性優(yōu)越， 此外具有良好的熔融流動性，且模具污染少，成形性良好的樹脂。因此，通過將聚鄰苯二甲 酰胺制成基礎樹脂，能夠獲得物理上各特性和耐化學性高的絕緣性基板1。在如上制作的絕緣性基板1上形成金屬薄膜2之前，首先，對絕緣性基板1的表面 進行等離子處理，使絕緣性基板1的表面活性化。等離子處理可以使用在腔內(nèi)對置配置一 對電極，在一個電極上連接高頻電源并且將另一個電極接地而形成的等離子處理裝置來進 行。對絕緣性基板1的表面進行等離子處理時，在電極間將絕緣性基板1安置在一個電極 上，將腔內(nèi)抽真空而減壓到10_4Pa左右，之后向腔內(nèi)導入隊或02等化學反應活躍的氣體使 其流通，并且，將腔內(nèi)的氣壓控制在8 15Pa，接下來利用高頻電源向電極間施加高頻電壓 (RF 13. 56MHz) 10 100秒左右。此時，在電極間的高頻輝光放電所產(chǎn)生的氣體放電現(xiàn)象的 作用下，腔內(nèi)的活性氣體被激發(fā)，產(chǎn)生陽離子或游離基等的等離子體，而在腔內(nèi)形成陽離子 或游離基等。并且，上述陽離子或游離基與絕緣性基板1的表面沖撞，使絕緣性基板1的表 面活化，從而提高形成在絕緣性基板1表面上的金屬薄膜2的密接性。特別是，若陽離子被 引導而與絕緣性基板1沖撞，則在絕緣性基板1的表面導入容易與金屬結(jié)合的氮極性基或 氧極性基，因此，進一步提高與金屬薄膜2的密接性。此外，等離子體處理條件并不局限于 此，只要絕緣性基板1的表面在等離子體處理下不會被過度粗面化，就可以進行任意設定。在進行如上等離子體處理后，如圖3(b)所示，在絕緣性基板1的整個表面形成金 屬薄膜2。金屬薄膜2的形成可以通過從濺射、真空蒸鍍、離子鍍中選出的物理蒸鍍法(PVD 法)進行。這里，如上所述在腔內(nèi)對絕緣性基板1進行等離子處理后，在不將腔內(nèi)向大氣打 開的情況下以連續(xù)過程進行濺射或真空蒸鍍或離子鍍?yōu)楹?。作為形成金屬薄?的金屬， 可以使用銅、鎳、金、鋁、鉭、鉬、鉻、鎢、錫、鉛、黃銅、NiCr等金屬單體或合金。作為上述的濺射，可以適用例如DC濺射方式。首先，在腔內(nèi)配置絕緣性基板1，之 后利用真空泵將腔內(nèi)的壓力抽真空至10_4Pa以下，在該狀態(tài)下向腔內(nèi)導入氬等非活性氣體 使氣壓變成0. lPa。進而，通過施加500V的直流電壓，沖擊銅對電極，從而能夠在絕緣基板1的表面形成膜厚300 500nm左右的銅等金屬薄膜2。另外，作為真空蒸鍍可以使用電子束加熱式真空蒸鍍方式。首先，利用真空泵將腔 內(nèi)的壓力抽真空至10_3Pa以下，之后產(chǎn)生400 800mA的電子流，若使該電子流與坩堝中的 蒸鍍材料沖撞而進行加熱，則蒸鍍材料蒸發(fā)，能夠在絕緣性基板1的表面形成膜厚300nm左 右的銅等金屬薄膜2。另外，在通過離子鍍形成金屬薄膜2時，首先，將腔內(nèi)的壓力抽真空至10_4Pa以下， 在與上述真空蒸鍍相同的條件下蒸發(fā)蒸鍍材料，并且向位于絕緣基板1與坩堝之間的引導 天線部導入氬等非活性氣體，使氣壓變成0. 05 0. lPa而產(chǎn)生等離子體，然后通過對弓|導 天線以13. 56MHz的高頻施加500W的功率，并且施加100 500V的直流電壓的偏壓，由此 能夠在絕緣性基板1的表面形成300 500nm左右的膜厚的銅等金屬薄膜2。如上所述，在利用物理蒸鍍法在絕緣性基板1的表面形成金屬薄膜2時，絕緣性基 板1的表面如上所述在等離子處理的作用下被化學活化，從而能夠提高金屬薄膜2相對于 絕緣性基板1的表面的密接性。該金屬薄膜2的膜厚以進行電鍍時能夠通電為好，因此如 上所述極薄為好。接下來，如上所述在絕緣性基板1的表面形成金屬薄膜2，之后從該金屬薄膜2制 作鍍敷基底層4。鍍敷基底層4的形成可以利用激光制圖法進行。即，如圖3(c)所示，沿形 成在絕緣性基板1上的電路3的輪廓，向形成電路3的電路形成部A與作為電路3之間的 絕緣部的非電路形成部B的邊界照射激光L，除去非電路形成部B的金屬薄膜2，由此電路 形成部A的金屬薄膜2殘留在電路圖案上，形成鍍敷基底層4。接下來，對該鍍敷基底層4通電而實施電鍍。電鍍可以電鍍銅，如圖3(d)所示，可 以在鍍敷基底層4的表面形成鍍銅層5。此時，殘留在非電路形成部B上的金屬薄膜2與基 底鍍敷層4被隔開，由于沒有對該金屬薄膜2通電，因此，殘留在非電路形成部B的金屬薄 膜2的表面沒有鍍銅。形成在鍍敷基底層4的表面上的鍍銅層5的厚度并沒有特別限定， 但優(yōu)選0. 5 50 iim左右，更為優(yōu)選1 35iim左右。之后，進行軟式蝕刻處理，除去非電路形成部B的金屬薄膜2，并且使電路形成部A 的鍍銅層5殘留，由此如圖3(e)所示，可以通過鍍敷在鍍敷基底層4上的鍍銅層5來制作 圖案形狀的電路3。這樣，在鍍敷基底層4上形成鍍銅層5而形成電路3，之后為了提高電路3的耐腐 蝕性和接觸可靠性，在鍍銅層5上進一步實施電鍍鎳或電鍍金處理，設置鍍鎳層6和鍍金 層7，完成電路3的形成。鍍鎳層6和鍍金層7的厚度并沒有特別限定，但優(yōu)選鍍鎳層6為 0. 5 30 ii m左右，更為優(yōu)選3 20 ii m左右，優(yōu)選鍍金層7為0. 001 5 y m左右，更為優(yōu) 選0. 005 2iim左右。并且，在本發(fā)明中，當這樣在鍍銅層5上設置鍍鎳層6與鍍金層7時，如圖3(f)所 示，在與鍍銅層5相接而形成的鍍鎳層6與形成在最外面的鍍金層7之間通過電鍍分別形 成第一中間鍍敷層8與第二中間鍍敷層9。第一中間鍍敷層8具有標準電極電位比Au低的 金屬，該第一中間鍍敷層8與鍍金層7相接而形成。另外，第二中間鍍敷層9具有標準電極 電位比第一中間鍍敷層8的金屬高的金屬，與鍍鎳層6和第一中間鍍敷層8分別相接而形 成。這里，由表1表示主要金屬的標準電極電位。
表 1 如上所述，形成第一中間鍍敷層8的金屬與Au相比，標準電極電位低(即，標準電 極電位比Au低)，另外，形成第二中間鍍敷層9的金屬與第一中間鍍敷層8的金屬相比標準 電極電位高(即，標準電極電位比第一中間鍍敷層8的金屬高)，因此，可以從表1中選擇滿 足上述條件的金屬，形成第一中間鍍敷層8和第二中間鍍敷層9。這里，形成第一中間鍍敷 層8和第二中間鍍敷層9的金屬可以為單體的金屬，也可以為合金狀態(tài)的金屬。進而，在由 合金那樣多個金屬形成中間鍍敷層8和第二中間鍍敷層9的情況下，多個金屬中至少一種 滿足上述條件即可。因此，例如當由Rh形成第一中間鍍敷層8時，第二中間鍍敷層9可以 由Pd或Ag形成，進而也可以是像Pd-Ni那樣含有標準電極電位比第一中間鍍敷層8的金屬 低的金屬在內(nèi)的物質(zhì)。第一中間鍍敷層8和第二中間鍍敷層9的厚度并沒有特別限定，但 優(yōu)選第一中間鍍敷層8的膜厚在0. 005 1 P m左右，第二中間鍍敷層9的膜厚在0. 005 1 u m左右。圖4(a)示意性地表示按鍍鎳層6、第二中間鍍敷層9、第一中間鍍敷層8、鍍金層7 的順序形成的鍍敷層的標準電極電位(E(V))。如上所述，鍍鎳層6的M容易與氯離子或硫 化離子等發(fā)生反應而腐蝕。并且，在鍍鎳層6的Ni被腐蝕時的反應Ni — Ni++e_中，與Ni 的離子化同時放出的電子(e_)由于向外界系統(tǒng)放出所需的能量低而向貴金屬移動，但在鍍 鎳層6與鍍金層7之間，貴金屬的第二中間鍍敷層9與賤金屬的第一中間鍍敷層8相接設 置，因此，在第二中間鍍敷層9與第一中間鍍敷層8的邊界形成阻礙電子移動的勢壘，能夠 防止電子向鍍金層7移動，不會產(chǎn)生在還原反應的作用下從最外面的鍍金層7放出這樣的 情況。因此，能夠抑制在鍍鎳層6中M被腐蝕的反應，另外，即使鍍金層7中存在氣孔，也 能夠利用上述勢壘抑制電子的放出，因此能夠防止M的溶解，還能夠防止鍍鎳層6中產(chǎn)生 腐蝕的情況。作為形成第一中間鍍敷層8和第二中間鍍敷層9的金屬，只要滿足上述條件，可以 任意組合使用，但其中，優(yōu)選由Rh形成第一中間鍍敷層8，由Pd-Ni形成第二中間鍍敷層9。 或者，優(yōu)選由Rh形成第一中間鍍敷層8，由Pd形成第二中間鍍敷層9。Rh是一種標準電極電位比Pt或Pd低，但具有電阻低且不易形成氧化膜的特性，且 與Ag等電阻低的材料相比，在耐腐蝕環(huán)境下的耐腐蝕性高且穩(wěn)定的材料。因此，第一中間鍍敷層8的金屬優(yōu)選Rh。另一方面，Pd或Pd合金能夠在相同膜厚下進行氣孔比Au的氣孔少的覆蓋，另外， 與Ir、Pt等相比硬度低因而能夠抑制裂縫的產(chǎn)生。因此，優(yōu)選使用與第一中間鍍敷層8的 Rh或作為基底的鍍鎳層6的M相比作為貴金屬的Pd或Pd合金形成第二中間鍍敷層9。這樣，在鍍金層7與鍍鎳層6之間，由Rh形成第一中間鍍敷層8、由Pd-Ni的組合 形成第二中間鍍敷層9，或者由Rh形成第一中間鍍敷層8、由Pd的組合形成第二中間鍍敷 層9，由此，在鍍鎳層6與鍍金層7之間形成第一中間鍍敷層8與第二中間鍍敷層9，從而能 夠提高防腐蝕的效果，形成耐腐蝕性高的電路3。此外，優(yōu)選含Rh的第一中間鍍敷層8的厚 度在0.005 liim左右，更為優(yōu)選在0.01 0.4 iim左右。另外，優(yōu)選含Pd的第二中間鍍 敷層9的厚度在0. 005 1 ii m左右，更為優(yōu)選0. 01 0. 5 ii m左右。進而，優(yōu)選含Pd-Ni 的第二中間鍍敷層9的厚度在0. 01 1 y m左右，更為優(yōu)選0. 03 0. 5左右。另外，優(yōu)選 Pd-Ni的合金比例為Pd Ni = 7 3 9 1的質(zhì)量比的范圍。如上所述，在進行電鍍金處理形成鍍金層7時，優(yōu)選通過使用脈沖波形的電流進 行脈沖電鍍來進行電鍍金處理。在脈沖電鍍中，能夠以高脈沖電流密度鍍敷成微細結(jié)晶，能 夠致密地形成鍍金層7，從而能夠抑制氣孔的產(chǎn)生。因此，能夠更為有效地防止因氣孔所導 致的電路3的腐蝕。另外，這樣在電路3的最外面形成鍍金層7之后，優(yōu)選對鍍金層7的表面進行封孔 處理。這樣在封孔處理的作用下，即使在鍍金層7中形成有氣孔，也能夠?qū)饪酌芊?，由?防止外部環(huán)境直接作用于鍍鎳層6，能夠更為有效地防止通過氣孔腐蝕電路3的情況。作為封孔處理所使用的封孔處理劑，可以使用現(xiàn)有通常提供的材料，可舉出例如 含有氨基四唑和甲基苯并三唑的封孔液(參照日本特開2001-279491號公報)、含有四唑系 化合物和噻唑系化合物的水溶性封孔液(參照日本特開2000-282033號公報)、含有苯并 三唑系化合物、硫基苯并噻唑系化合物、三嗪系化合物中的一種或兩種以上的水溶性封孔 液(參照日本專利第2804452號公報、日本專利第2804453號公報)等。封孔處理液是含 有具有親水基17a和親油基17b的界面活性劑17與防銹劑18的物質(zhì)，如圖5所示，在界面 活性劑17的作用下使防銹劑18均勻地吸附在金屬表面，即使在鍍金層7中形成氣孔14，也 能由防銹劑18密封氣孔14，防止鍍鎳層6與加劇腐蝕的成分接觸而產(chǎn)生腐蝕。接下來，對本發(fā)明的其他實施方式的電路基板進行說明。在該電路基板中，絕緣性 基板1通過成形含有聚鄰苯二甲酰胺的樹脂組合物而形成，沿電路3的輪廓照射激光而除 去金屬薄膜后的部分的絕緣性基板1的表面粗糙度Rz小于照射激光前的表面粗糙度Rz的 1. 9倍。由此，在沿電路3的輪廓對金屬薄膜2照射激光L而形成鍍敷基底層4時，鍍敷基 底層4的周邊的除去金屬薄膜2后的絕緣性基板1的表面的起毛現(xiàn)象減少，能夠抑制在形 成于鍍敷基底層4上的鍍銅層5或鍍鎳層6與絕緣性基板1的表面之間形成間隙，從而抑 制鍍銅層5或鍍鎳層6從該間隙被腐蝕的情況。在現(xiàn)有技術(shù)的電路基板的制造過程中，通過沿電路3的輪廓對覆蓋在絕緣性基板 1表面上的金屬薄膜2照射激光L并除去非電路形成部B的金屬薄膜2，由此形成與電路3 相同圖案的鍍敷基底層4。此時，激光L也作用在絕緣性基板1上，因此如圖2(a)所示，絕 緣性基板1的表面受到損傷可能會起毛，當在鍍敷基底層4上制作電路3時，在電路3側(cè)面 的邊緣下側(cè)在鍍銅層5或鍍鎳層6與絕緣性基板1的表面之間產(chǎn)生上述圖2(b)所示的間
10隙15，鍍銅層5或鍍鎳層6可能從該間隙15的部分被腐蝕。因此，在本發(fā)明中，使照射激光L除去金屬薄膜2后的部分的絕緣性基板1表面的 表面粗糙度Rz小于照射激光L前的表面粗糙度Rz (即，沒有照射激光L的絕緣性基板1的 表面粗糙度Rz)的1.9倍。因此，在電路基板的制造過程中照射激光L時，調(diào)節(jié)照射條件進 行激光L的照射。即，將照射激光L前的絕緣性基板1的表面粗糙度設為Rzl，照射激光L 除去金屬薄膜2后的絕緣性基板1的表面粗糙度設定Rz2，滿足Rz2/Rzl < 1.9。此外，表 面粗糙度Rz是JIS B060K2001)所限定的標準。這樣，只要照射激光L除去金屬薄膜2后的部分的絕緣性基板1的表面粗糙度Rz 小于照射激光L前的表面粗糙度Rz的1. 9倍，就能夠減小激光照射所形成的鍍敷基底層4 周圍的絕緣性基板1表面的起毛，在鍍敷基底層4上實施鍍敷形成電路3時，如圖6所示， 能夠防止在電路3的側(cè)面邊緣的下部在鍍銅層5或鍍鎳層6與絕緣性基板1的表面之間產(chǎn) 生間隙。因此，能夠事先防止上述圖2所示的在電路3側(cè)面的邊緣下部形成間隙15時，鍍 銅層5或鍍鎳層6從間隙15被腐蝕的問題。此外，只要照射激光L除去金屬薄膜2后的部分的絕緣性基板1的表面粗糙度Rz 小于照射激光L前的表面粗糙度Rz的1. 9倍，就能夠防止在電路3側(cè)面的邊緣下部形成間 隙，從而能夠防止電路3的腐蝕，通過在鍍金層7與鍍鎳層6之間形成上述的第一中間鍍敷 層8和第二中間鍍敷層9，在該第一中間鍍敷層8和第二中間鍍敷層9的作用下，能夠更為 有效地防止電路3從電路3的側(cè)面邊緣部分被腐蝕。進而，通過進行上述封孔處理，能夠?qū)?電路3的側(cè)面的邊緣下部的間隙密封，能夠進一步有效地防止電路3的腐蝕。如上所述，用于使照射激光L除去金屬薄膜2后的部分的絕緣性基板1的表面粗 糙度Rz小于照射激光L前的表面粗糙度Rz的1. 9倍而進行的照射條件的調(diào)節(jié)，具體而言 優(yōu)選調(diào)節(jié)激光照射時的激光輸出條件。在這種情況下，優(yōu)選根據(jù)由聚鄰苯二甲酰胺形成絕 緣性基板1的基材顏色及激光L的波長的關系來調(diào)節(jié)激光輸出。另外，如上所述，在通過沿電路3的輪廓照射激光L并除去非電路形成部B的金屬 薄膜2，從而形成與電路3相同圖案的鍍敷基底層4時，優(yōu)選沿電路3的輪廓以等能量密度 照射激光L。由此，能夠抑制在沿著電路3的角部等輪廓的局部以高能量密度照射激光L的 情況，能夠抑制激光照射所引起的絕緣性基板1的表面起毛。例如，當由彎曲的圖案形成電 路3時，如圖7(b)所示，在電路3的角呈角狀的情況下，當沿電路3的輪廓掃描激光L時， 在電路3的呈角狀的角部，激光L的掃描速度變慢，照射到該角部(C箭頭所示)的激光L 的能量密度變大(在圖6中由“〇”表示激光L的光點)。由此，在這種情況下，在激光L的 能量密度變大的電路3的角部，絕緣性基板1的損傷變大而導致表面粗糙度變大。另一方 面，如圖7(a)所示，通過將角繪制成弧而將電路3的圖案形成為圓弧狀，由此，激光L的掃 描速度在角部也保持固定，能夠以等能量密度沿電路3的輪廓照射激光L，不會對絕緣基板 1造成損傷，且能夠在表面粗糙度不變大的情況下進行激光照射，在圖8的實施方式中，在電路3側(cè)面的邊緣部與絕緣性基板1表面之間設置樹脂 層10，用樹脂層10覆蓋電路3的側(cè)面與絕緣性基板1的表面的邊界部。這樣，通過覆蓋樹 脂層10，即使在電路3側(cè)面的邊緣下部產(chǎn)生間隙，也能夠由樹脂層10密封該間隙，能夠防 止鍍銅層5或鍍鎳層6從間隙被腐蝕的情況。此外，通過在鍍金層7與鍍鎳層6之間形成 上述的第一中間鍍敷層8和第二中間鍍敷層9，在該第一中間鍍敷層8和第二中間鍍敷層9的作用下，能夠進一步有效地防止電路3從電路3的側(cè)面邊緣下部被腐蝕的情況。作為形成上述樹脂層10的樹脂，可以不特別限定而進行使用，可以使用紫外線固 化型樹脂、顯影型樹脂、熱固化型樹脂等任意的樹脂，例如以紫外線固化型阻焊油墨(太陽 油墨制造(株式會社)制“UVR-150GNT0”)進行例示。實施例接下來，根據(jù)實施例具體地說明本發(fā)明。(實施例1)使用以著色成黑色的聚鄰苯二甲酰胺為基礎樹脂的成形材料(株式會社)倉敷聚 酯制“BT1500”，而將絕緣性基板1成形(圖3(a))。然后，對該絕緣性基板1的表面進行等 離子處理后，在絕緣性基板1的表面濺射銅，由此形成膜厚0. 3 y m的金屬薄膜2 (圖3 (b))。接下來，沿電路圖案的輪廓對金屬薄膜2照射波長355nm、輸出0. 35W的THG-YAG 激光L來進行激光制圖，由此形成鍍敷基底層4 (圖3(c))。接下來，對進行激光制圖而形成的鍍敷基底層4進行通電的鍍銅處理，從而在鍍 敷基底層4上形成鍍銅層5(圖3(d))。該鍍銅處理使用硫酸銅 五水合物的濃度200g/L、 硫酸濃度50g/L、鹽酸離子濃度75mg/L的浴組成的硫酸銅浴，在溫度25°C、電流密度2. OA/ dm2、時間25分的鍍敷條件下進行，形成膜厚10 ym的鍍銅層5。接下來，使用過氧化銨溶液作為蝕刻液，通過軟式蝕刻除去非電路形成部B的金 屬薄膜2(圖3(e))。之后，對鍍敷基底層4及鍍銅層5通電進行電鍍，在鍍銅層5上按順序?qū)盈B鍍鎳層 6、第二中間鍍敷層9、第一中間鍍敷層8、鍍金層7來制作電路3，從而得到電路基板(如圖 3(f))。此時，用于形成鍍鎳層6的鍍鎳處理使用硫酸鎳300g/L、氯化鎳45g/L、硼酸30g/ L的浴組成的瓦特浴，在溫度50°C、電流密度1. 5A/dm2、時間20分的鍍敷條件下進行，形成 膜厚6 ym的鍍鎳層6。另外，由鍍Pd-Ni處理形成第二中間鍍敷層9。該鍍Pd-Ni處理使用Pd濃度20g/ L、Ni濃度8g/L、pH7. 5的浴組成的鍍Pd_Ni浴，在溫度45°C、電流密度5A/dm2、時間20秒 的鍍敷條件下進行，由合金比例8 2的Pd-M形成膜厚0.4i!m的第二中間鍍敷層9。另外，由鍍銠處理形成第一中間鍍敷層。該鍍銠處理使用Rh2. Og/L、硫酸濃度 45g/L的浴組成的硫酸銠浴，在溫度45°C、電流密度2A/dm2、時間45秒的鍍敷條件下進行， 由膜厚0. 1 y m的Rh形成第一中間鍍敷層8。另外，用于形成鍍金層7的鍍金處理使用Au濃度5g/L、T1濃度10mg/L的浴組成 的純金鍍敷浴，在溫度60°C、電流密度0. 2A/dm2、時間90秒的鍍敷條件下進行，形成膜厚 0. 2iim的鍍金層7。此外，該鍍金處理也可以在溫度60°C、電流密度0. 2A/dm2、占空比(t。n/ (t。n+t。ff))0.09、接通時間(t。n)10ms、切斷時間(t。ff) 100ms、時間30分的脈沖電鍍下進行， 形成膜厚0.2 iim的鍍金層7。(實施例2)由鍍鈀處理形成第二中間鍍敷層9，由鍍銠處理形成第一中間鍍敷層8，除此之 外，與實施例1相同，得到電路基板。這里，第二中間鍍敷層9的鍍鈀處理使用Pd濃度6g/L、pH0. 8的浴組成的鍍鈀浴。在溫度55°C、電流密度0. 75A/dm2、時間25秒的鍍敷條件下進行，由膜厚0. 1 μ m的Pd形成
第二中間鍍敷層9。
另外，含Rh的第一中間鍍敷層9在與實施例1相同的條件下形成。(實施例3)由鍍銀處理形成第二中間鍍敷層9，由鍍銠處理形成第一中間鍍敷層8，除此之 夕卜，與實施例1相同，得到電路基板。這里，第二中間鍍敷層9的鍍銀處理使用銀濃度50g/L、游離氰基濃度lg/L、Se濃 度5mg/L的浴組成的低氰基浴，在溫度50°C、電流密度2A/dm2、時間15秒的鍍敷條件下進 行，由膜厚0. 3 μ m的Ag形成第二中間鍍敷層9。另外，含Rh的第一中間鍍敷層8在與實施例1相同的條件下形成。(比較例1)沒有形成第二中間鍍敷層9和第一中間鍍敷層8，除此之外，與實施例1相同，得到 電路基板。(比較例2)在鍍鎳層6與鍍金層7之間僅設置一層含Pd-Ni的中間鍍敷層，除此之外，與實施 例1相同，得到電路基板。該鍍Pd-Ni處理在與實施例1相同的條件下進行。(比較例3)在鍍鎳層6與鍍金層7之間僅設置一層含Rh的中間鍍敷層，除此之外，與實施例 1相同，得到電路基板。該鍍銠處理在與實施例1相同的條件下進行。(比較例4)由鍍銠處理形成第二中間鍍敷層9，由鍍鈀處理形成第一中間鍍敷層8，除此之 夕卜，與實施例1相同，得到電路基板。該鍍銠處理在與實施例1相同的條件下進行，鍍鈀處 理在與實施例2相同的條件下進行。(比較例5)由鍍銠處理形成第二中間鍍敷層9，由鍍Pd-Ni處理形成第一中間鍍敷層8，除此 之外，與實施例1相同，得到電路基板。該鍍銠處理和鍍鈀處理在與實施例1相同的條件下 進行。對上述實施例1 3及比較例1 5所得到的電路基板進行基于人造汗液的電解 腐蝕試驗。人造汗液使用依據(jù)Jis L0848 (2004)的表2所示的酸性汗液和堿性汗液，將電 路基板浸漬于該人造汗液中，對電路3接通1. 2V的直流電流3小時。表2 這之后，目視觀察電路3，將電路3中產(chǎn)生了藍銹的情況評價為“ X ”(不良)，將沒 有產(chǎn)生藍銹的情況評價為“〇”(良)。結(jié)果如表3所示。表3

從表3明確可知，在設有具有標準電極電位比Au低的金屬的第一中間鍍敷層8和 具有標準電極電位比第一中間鍍敷層8的金屬高的金屬的第二中間鍍敷層9的實施例1 3中，沒有產(chǎn)生藍銹，通過設置上述第一中間鍍敷層8與第二中間鍍敷層9，能夠提高電路3 的耐久性。這里，圖4(b)示意性地表示比較例4中按順序形成有鍍鎳層6、含Rh的第二中間 鍍敷層9、含Pd的第一中間鍍敷層8、鍍金層7的鍍敷層的標準電極電位(E (V))。在該例中， 各鍍敷層的金屬的標準電極電位按鍍鎳層6、含Rh的第二中間鍍敷層9、含Pd的第一中間 鍍敷層8、鍍金層7的順序變高，并且，第二中間鍍敷層9的Rh的標準電極電位為+0. 758V, 第一中間鍍敷層8的Pd的標準電極電位為+0. 915V，由于沒有在第二中間鍍敷層9與第一 中間鍍敷層8之間形成阻礙電子移動的勢壘，因此，鍍鎳層6的Ni被腐蝕時放出的電子(e) 向鍍金層7移動而容易在還原反應的作用下放出。因此，Ni的腐蝕反應加劇而溶出，如上 所述，產(chǎn)生藍銹。另一方面，圖4(a)示意性地表示實施例2中按順序形成有鍍鎳層6、含Pd的第二 中間鍍敷層9、含Rh的第一中間鍍敷層8、鍍金層7的鍍敷層的標準電極電位(E(V))。在該 例中，第二中間鍍敷層9的Pd的標準電極電位為+0. 915V，第一中間鍍敷層8的Rh的標準電極電位為+0. 758V，由于在第二中間鍍敷層9與第一中間鍍敷層8之間形成阻礙電子移動的勢壘，因此，能夠防止鍍鎳層6的Ni被腐蝕時放出的電子(e)向鍍金層7移動而在還原 反應的作用下放出，能夠抑制Ni的腐蝕反應加劇，防止產(chǎn)生如上所述的藍銹。(實施例4)作為絕緣性基板1，使用由以著色成白色的聚鄰苯二甲酰胺為基礎樹脂的(株式 會社)倉敷聚酯制“K1400”成形而成的材料。另外，使用激光波長355nm、激光輸出0. 35W 的THG-YAG激光進行激光制圖。并且，不進行用于形成第一中間鍍敷層8與第二中間鍍敷 層9的鍍敷處理，在鍍鎳層6上形成鍍金層7，除此之外，與實施例1相同，得到電路基板。(實施例5)作為絕緣性基板1，使用由以著色成白色的聚鄰苯二甲酰胺為基礎樹脂的(株式 會社)倉敷聚酯制“K1400”成形而成的材料。另外，使用激光波長533nm、激光輸出0. 45W 的SHG-YAG激光進行激光制圖。并且，不進行用于形成第一中間鍍敷層8與第二中間鍍敷 層9的鍍敷處理，在鍍鎳層6上形成鍍金層7，除此之外，與實施例1相同，得到電路基板。(實施例6)作為絕緣性基板1，使用由以沒有混合著色劑的自然色(乳白色的樹脂原本的顏 色)的聚鄰苯二甲酰胺為基礎樹脂的(株式會社)倉敷聚酯制“mOOOA”成形而成的材料。 另外，使用激光波長533nm、激光輸出0. 45W的SHG-YAG激光進行激光制圖。并且，不進行用 于形成第一中間鍍敷層8與第二中間鍍敷層9的鍍敷處理，在鍍鎳層6上形成鍍金層7，除 此之外，與實施例1相同，得到電路基板。(實施例7)作為絕緣性基板1，使用由以著色成黑色的聚鄰苯二甲酰胺為基礎樹脂的(株式 會社)倉敷聚酯制“BT1500”成形而成的材料。另外，使用激光波長355nm、激光輸出0.35W 的THG-YAG激光進行激光制圖。并且，不進行用于形成第一中間鍍敷層8與第二中間鍍敷 層9的鍍敷處理，在鍍鎳層6上形成鍍金層7，除此之外，與實施例1相同，得到電路基板。(比較例6)作為絕緣性基板1，使用由以著色成黑色的聚鄰苯二甲酰胺為基礎樹脂的(株式 會社)倉敷聚酯制“BT1500”成形而成的材料。另外，使用激光波長355nm、激光輸出0.35W 的THG-YAG激光進行激光制圖。并且，不進行用于形成第一中間鍍敷層8與第二中間鍍敷 層9的鍍敷處理，在鍍鎳層6上形成鍍金層7，除此之外，與實施例1相同，得到電路基板。(比較例7)作為絕緣性基板1，使用由以著色成黑色的聚鄰苯二甲酰胺為基礎樹脂的(株式 會社)倉敷聚酯制“BT1500”成形而成的材料。另外，使用激光波長355nm、激光輸出0.56W 的THG-YAG激光進行激光制圖。并且，不進行用于形成第一中間鍍敷層8與第二中間鍍敷 層9的鍍敷處理，在鍍鎳層6上形成鍍金層7，除此之外，與實施例1相同，得到電路基板。在上述實施例4 7及比較例6 7中，在進行等離子處理后，對濺射銅而形成金 屬薄膜2前的絕緣性基板1的表面粗糙度Rz (Rzl)進行測定，另外，對進行激光制圖而除去 金屬薄膜2后的絕緣性基板1的表面粗糙度Rz (Rz2)進行測定。然后計算出Rz2/Rzl。該 結(jié)果由表4表示。另外，對上述實施例4 6及比較例6 8所得到的電路基板進行與上述相同的基于人造汗液的電解腐蝕試驗，目視觀察電路3的結(jié)果由表4表示。 從表4明確可知，在Rz2/Rzl為1.9以上的各比較例中，在電路3中產(chǎn)生腐蝕，但
在Rz2/Rzl小于1. 9的各實施例中，沒有在電路3中產(chǎn)生腐蝕，電路3的耐腐蝕性提高。在此引用日本專利申請2007-287604號(申請日2007年11月5日)的全部內(nèi)容。以上，對適用了本發(fā)明者們提出的發(fā)明的實施方式進行了說明，但本發(fā)明并不局
限于上述實施方式所涉及的構(gòu)成本發(fā)明公開的一部分的論述及附圖。即，根據(jù)上述實施方
式，由本領域技術(shù)人員等提出的其他實施方式、實施例及運用技術(shù)等當然全都包含在本發(fā)
明的范疇內(nèi)。
權(quán)利要求
一種電路基板，其特征在于，具備絕緣性基板和形成在該絕緣性基板上的電路，該電路具有鍍敷基底層、鍍銅層、鍍鎳層及鍍金層，所述鍍敷基底層是通過沿電路的輪廓對覆蓋在該絕緣性基板表面上的金屬薄膜照射激光而按電路的輪廓局部除去該金屬薄膜，從而形成電路圖案而成的，所述鍍銅層、鍍鎳層及鍍金層是在該鍍敷基底層的表面上從鍍敷基底層側(cè)開始依次利用金屬鍍敷而形成的，并且，在該鍍鎳層與該鍍金層之間，具有標準電極電位比Au低的金屬的第一中間鍍敷層與鍍金層相接形成，并且，具有標準電極電位比該第一中間鍍敷層的金屬高的金屬的第二中間鍍敷層與第一中間鍍敷層相接形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于，第一中間鍍敷層含有Rh，第二中間鍍敷層含有Pd-Ni及Pd中任一者。
3.一種電路基板，其特征在于，具備絕緣性基板和形成在該絕緣性基板上的電路，該電路具有鍍敷基底層、鍍銅層、鍍鎳層及鍍金層，所述鍍敷基底層是通過沿電路的輪 廓對覆蓋在該絕緣性基板表面上的金屬薄膜照射激光而按電路的輪廓局部除去該金屬薄 膜，從而形成電路圖案而成的，所述鍍銅層、鍍鎳層及鍍金層是在該鍍敷基底層的表面上從 鍍敷基底層側(cè)開始依次利用金屬鍍敷而形成的，并且，絕緣性基板通過成形含有聚鄰苯二甲酰胺的樹脂組合物而形成， 沿電路的輪廓照射激光而除去金屬薄膜后的部分的絕緣性基板的表面的表面粗糙度 Rz小于照射激光前的表面粗糙度Rz的1. 9倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的電路基板，其特征在于， 對鍍金層實施封孔處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項所述的電路基板，其特征在于， 鍍金層是通過脈沖電鍍形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項所述的電路基板，其特征在于， 沿電路的輪廓以等能量密度照射激光而形成鍍敷基底層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項所述的電路基板，其特征在于， 電路的側(cè)面與絕緣性基板表面的至少邊界部用樹脂層覆蓋。
8.一種電路基板的制造方法，其特征在于，包括通過沿電路的輪廓對覆蓋在絕緣性基板表面上的金屬薄膜照射激光而沿電路的輪廓 除去金屬薄膜，從而形成電路圖案的鍍敷基底層的工序；在鍍敷基底層的表面從鍍敷基底層側(cè)開始按鍍銅層、鍍鎳層、第二中間鍍敷層、第一中 間鍍敷層、鍍金層的順序?qū)嵤┙饘馘兎蠖纬呻娐返墓ば颍谥圃鞕?quán)利要求1或2所述的電路基板時，包括由標準電極電位比Au低的金屬形成第 一中間鍍敷層，且該第一中間鍍敷層與鍍金層相接形成，并且，由標準電極電位比第一中間 鍍敷層的金屬高的金屬形成第二中間鍍敷層，且該第二中間鍍敷層與第一中間鍍敷層相接 形成的工序。
9.一種電路基板的制造方法，其特征在于，包括通過沿電路的輪廓對覆蓋在絕緣性基板表面上的金屬薄膜照射激光而沿電路的輪廓 除去金屬薄膜，從而形成電路圖案的鍍敷基底層的工序；在鍍敷基底層的表面從鍍敷基底層側(cè)開始按鍍銅層、鍍鎳層、鍍金層的順序?qū)嵤┙饘?鍍敷而形成電路的工序，在制造權(quán)利要求3所述的電路基板時，通過調(diào)節(jié)照射條件進行激光的照射，使照射激光除去金屬薄膜后的部分的絕緣性基板表面的表面粗糙度Rz小于照射激光前的表面粗糙 度Rz的1.9倍。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電路基板及其制造方法。電路基板具備絕緣性基板(1)和形成在該絕緣性基板(1)上的電路(3)，該電路具有鍍敷基底層(4)、鍍銅層(5)、鍍鎳層(6)及鍍金層(7)，所述鍍敷基底層(4)是通過沿電路(3)的輪廓對覆蓋在該絕緣性基板(1)表面上的金屬薄膜(2)照射激光(L)而按電路(3)的輪廓局部除去金屬薄膜(2)，從而形成電路圖案而成的，所述鍍銅層(5)、鍍鎳層(6)及鍍金層(7)是在鍍敷基底層(4)表面上從鍍敷基底層側(cè)開始依次利用金屬鍍敷而形成的。在鍍鎳層(6)與鍍金層(7)之間，具有標準電極電位比Au低的金屬的第一中間鍍敷層(8)與鍍金層相接形成，具有標準電極電位比第一中間鍍敷層的金屬高的金屬的第二中間鍍敷層(9)與第一中間鍍敷層相接(8)而形成。
文檔編號H05K3/24GK101849447SQ200880114840
公開日2010年9月29日 申請日期2008年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月5日
發(fā)明者上村恭平, 中原陽一郎, 內(nèi)野野良幸, 池川直人 申請人:松下電工株式會社