專利名稱：具有至少一個(gè)開口的帶狀晶拉晶爐后熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及帶狀晶拉晶爐，并且更具體地，本發(fā)明涉及控制帶狀晶拉晶爐內(nèi)的熱量。
背景技術(shù)：
硅片是各式各樣的半導(dǎo)體器件，例如太陽(yáng)能電池、集成電路和MEMS裝置的構(gòu)建基塊。例如，Marlboro, Massachusetts的EvergreenSolar， Inc由通過已知的"帶狀拉晶，，技術(shù)生產(chǎn)的硅片形成太陽(yáng)能電池。 帶狀拉晶技術(shù)通常使用一種專門的爐，該爐圍繞容納熔融硅的坩堝和正生長(zhǎng)的帶狀晶。該爐通常具有由固體、絕熱材料形成的基座，以及位于基座絕熱體上方和生長(zhǎng)的帶狀晶附近兩處的絕熱材料(通稱是"后熱器")。 通常，本發(fā)明人已知的現(xiàn)有技術(shù)的后熱器僅在其最接近處提供了有限的溫度分布的變化。因此，隨著晶冷卻，最近生長(zhǎng)的帶狀晶可能包含有應(yīng)力，該應(yīng)力對(duì)其物理性能有不利影響。該應(yīng)力能夠不合意地降低最終由這種帶狀晶制造的太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，帶狀晶拉晶爐具有用于圍繞一個(gè)或多個(gè)帶狀晶的至少一部分的內(nèi)部，和位于該內(nèi)部之內(nèi)的后熱器。該后熱器具有至少一個(gè)壁，壁帶有有助于控制爐體內(nèi)的溫度分布的一個(gè)或多個(gè)開口 。 在相關(guān)實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)開口可具有均一或可變尺寸的細(xì)長(zhǎng)槽的形式。該一個(gè)或多個(gè)開口可完全或部分地延伸穿過該壁。爐還可在內(nèi)部中包括坩堝，而后熱器可位于坩堝上方。爐也可包括設(shè)置在坩堝附近的基座絕熱體，并且后熱器可以由基座絕熱體支撐。爐也可包括圍繞后熱器的殼體，并且后熱器可以附接到殼體的頂部。該后熱器可以包括彼此面對(duì)的兩個(gè)部分，其中每個(gè)部分可包括至少一個(gè)壁，并且各個(gè)壁可以具有一個(gè)或多個(gè)開□。 爐也可包括具有至少兩個(gè)線孔的坩堝，所述線孔沿著帶狀晶生長(zhǎng)方向限定垂直延伸的平面，并且一個(gè)或多個(gè)開口可以與該平面的邊緣對(duì)齊，以控制線附近的帶狀晶的厚度。該開口可以沿著該平面的邊緣在彼此頂部豎直對(duì)齊。 根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，生產(chǎn)帶狀晶拉晶爐的方法形成用于接納一個(gè)或多個(gè)帶狀晶的至少一部分的內(nèi)部。該方法還(在該內(nèi)部?jī)?nèi))設(shè)置后熱器，該后熱器具有帶一個(gè)或多個(gè)開口的至少一個(gè)壁。 在相關(guān)實(shí)施例中，該方法可進(jìn)一步將坩堝設(shè)置在內(nèi)部中，并將后熱器定位在坩堝
上方。該方法可進(jìn)一步將基座絕熱體設(shè)置在坩堝附近，并將后熱器支撐在基座絕熱體上方。該方法可進(jìn)一步設(shè)置圍繞該后熱器的殼體，并將后熱器附接到殼體的頂部。 在一些實(shí)施例中，后熱器可包括彼此面對(duì)的兩個(gè)部分。這兩個(gè)部分可允許帶狀晶
在兩個(gè)部分的一部分之間穿過。該方法可進(jìn)一步設(shè)置具有至少兩個(gè)線孔的坩堝，所述線孔沿帶狀晶生長(zhǎng)方向限定垂直延伸的平面，并且將所述開口與該平面的邊緣對(duì)齊。 根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，冷卻帶狀晶的方法提供了一種具有內(nèi)部的帶狀晶拉晶爐，并將后熱器設(shè)置在內(nèi)部中。該后熱器具有帶一個(gè)或多個(gè)開口的至少一個(gè)壁。該方法還使帶狀晶至少部分穿過爐的內(nèi)部生長(zhǎng)。帶狀晶的至少一部分在至少一個(gè)壁附近生長(zhǎng)。


下面通過參照概括的附圖而討論說明的"具體實(shí)施方式
"，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)更完全地理解本發(fā)明的各種實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)。
圖1示意性地示出可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的硅帶狀晶生長(zhǎng)爐。
圖2示意性地示出圖1所示的帶狀晶生長(zhǎng)爐移除殼體部分的部分剖視 圖3示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例移除殼體的沿著圖2中線A-A的透視剖視圖； 圖4示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例移除殼體的沿著圖2中線A-A的剖視 圖5示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例移除殼體的帶狀晶生長(zhǎng)爐的透視 圖6A和6B分別示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的后熱器絕熱體的側(cè)視圖和透視底視圖； 圖7示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的后熱器絕熱體的側(cè)視圖；并且
圖8示意性地示出無(wú)后熱器絕熱體的基座絕熱體和襯里絕熱體的透視頂視圖。
具體實(shí)施例方式
在示例性的實(shí)施例中，帶狀晶拉晶爐將后熱器絕熱體定位在基座絕熱體上方并且鄰近于生長(zhǎng)帶狀晶。后熱器絕熱體包括一個(gè)或多個(gè)開口，以控制生長(zhǎng)著的帶狀晶附近的溫度，潛在地降低生長(zhǎng)帶狀晶內(nèi)的應(yīng)力。下面要論述示例性的實(shí)施例的細(xì)節(jié)。
圖1示意性示出一種可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的硅帶狀晶拉晶爐10。該爐IO包括形成基本上無(wú)氧(例如為了防止燃燒)的密閉或密封內(nèi)部的殼體12。代替氧，內(nèi)部可以具有某種濃度的另一種氣體，比如氬或其他惰性氣體，或者氣體的混合物。內(nèi)部包括有坩堝14(如圖2-6中所示)及其他組件(其中一些在下面論述)，用于基本上同時(shí)生長(zhǎng)多個(gè)硅帶狀晶16。盡管圖1示出四個(gè)硅帶狀晶，但該爐IO可基本上同時(shí)生長(zhǎng)更多或更少的帶狀晶。帶狀晶16可以是單晶硅、復(fù)晶硅或多晶硅。殼體12中的進(jìn)料口 18設(shè)置有用于將硅原料導(dǎo)向殼體12的內(nèi)部以進(jìn)入坩堝14的裝置，同時(shí)一個(gè)或多個(gè)可選的窗口 20允許對(duì)內(nèi)部和其組件進(jìn)行觀測(cè)。 應(yīng)當(dāng)注意的是，硅帶狀晶16的討論是說明性的，并不意圖限制本發(fā)明的全部實(shí)施例。例如，帶狀晶16可以由其他材料的原料或者硅和某種其他材料的混合物形成。
圖2示意性地示出圖1所示的移除一部分殼體12的爐10的部分剖視圖。該視圖 示出其中的上述坩堝14，該坩堝具有可以支撐或容納熔融材料的基本上平坦的頂表面。坩 堝14的該實(shí)施例沿著其長(zhǎng)度具有縱長(zhǎng)的形狀，以用于生長(zhǎng)硅帶狀晶16的區(qū)域并肩布置。
爐10具有絕熱體，絕熱體根據(jù)爐10內(nèi)各種區(qū)域、例如容納熔融材料的區(qū)域和容納 生長(zhǎng)帶狀晶的區(qū)域的熱需求進(jìn)行特別配置。這兩個(gè)區(qū)域基本上形成生長(zhǎng)的帶狀晶16穿過 的內(nèi)部區(qū)域。因此，爐10的內(nèi)部包括基座絕熱體24和襯里絕熱體26，它們共同形成容納坩 堝14的區(qū)域，這將在下文更詳細(xì)地討論。該爐同樣包括位于基座絕熱體24和襯里絕熱體 26(從附圖的透視圖中看)上方的后熱器28。該后熱器28提供了用于使生長(zhǎng)的帶狀晶16 隨著它從坩堝14中升起而冷卻的可控?zé)岘h(huán)境?；^熱體24、襯里絕熱體26和后熱器26 可以具有相關(guān)的但是不同的熱需求，因此，可以用不同的材料生產(chǎn)。然而，替代實(shí)施例可以 在不同區(qū)域中具有類似的或相同的絕熱材料。 圖3和4分別示意性地示出移除殼體的沿著圖2的線A-A的透視剖視圖和剖視 圖。如圖2-4所示，后熱器28大致在基座絕熱體24和襯里絕熱體26上垂直間隔。后熱器 28例如可通過支柱(未示出)由基座絕熱體24和襯里絕熱體26之一或兩者加以支撐。此 外或可替代地，后熱器28可以連接或固定到殼體12的頂端部分12a上。在一些實(shí)施例中， 后熱器28具有兩個(gè)部分28a、28b，它們位于生長(zhǎng)的帶狀晶16在兩側(cè)上。這兩個(gè)部分28a、 28b形成一個(gè)或多個(gè)通道30 (如圖3所示)，帶狀晶穿過所述通道生長(zhǎng)。可替代地，后熱器 28也可以位于生長(zhǎng)的帶狀體晶16的僅一側(cè)上，如圖5中所示。 后熱器28可以由提供適當(dāng)熱需求用于允許帶狀體晶以可控方式冷卻的任何絕熱 材料形成。例如，后熱器28可以由石墨或碳材料、比如碳泡沫或石墨泡沫絕熱材料形成。因 此，后熱器28可以由類似于襯里絕熱體26的材料形成，這進(jìn)一步在下文詳細(xì)討論。盡管如 此，后熱器26形成的區(qū)域中的熱需求通常不同于包括坩堝14和熔融材料的區(qū)域中的熱需 求。 在示例性的實(shí)施例中，后熱器28具有一個(gè)或多個(gè)開口 32，以用于可控地從穿過通 道30生長(zhǎng)的帶狀晶16中導(dǎo)出熱量。圖6A和6B示出這種后熱器28的一個(gè)實(shí)施例。在該 實(shí)施例中，后熱器28具有面對(duì)基座絕熱體24和襯里絕熱體26的底部34，以及具有開口 32 的至少一個(gè)豎直延伸的壁36。 在所示的實(shí)施例中，開口 32具有細(xì)長(zhǎng)槽形狀，每個(gè)細(xì)長(zhǎng)槽都具有基本上均勻的寬 度。可替代地，該槽也可以具有不同的寬度。在其他實(shí)施例中，開口 32也可以具有均勻或 變化的不同形狀，例如圓形、矩形或者不規(guī)則的形狀。開口 32可以彼此相鄰設(shè)置，開口在豎 直方向上延伸壁36的長(zhǎng)度，如圖6A所示?？商娲兀_口 32可以垂直地排列在彼此的頂 部，如圖7所示。期望的生長(zhǎng)晶帶狀區(qū)域的熱性能以及后熱器28的材料成分和厚度是開口 32和/或其結(jié)構(gòu)的區(qū)域總量的因素。 開口 32的尺寸和形狀可以根據(jù)帶狀晶16的期望厚度而變化。然而，通常，尺寸和 形狀不應(yīng)該太大，因?yàn)閹罹?6會(huì)在某些區(qū)域中變得很厚和/或具有不期望的內(nèi)應(yīng)變或內(nèi) 應(yīng)力。因而應(yīng)該小心地控制開口 32的尺寸和形狀，以使這種應(yīng)變或應(yīng)力最小化，并且保證 適當(dāng)?shù)膸罹Ш穸取?開口 32優(yōu)選完全延伸穿過后熱器28的壁36。然而，在替代實(shí)施例中，開口 32僅
6可以是后熱器28的較薄區(qū)域。后熱器28的壁36可以具有例如圖3和5中所示的變化的 厚度以及具有完全延伸穿過壁36的開口 32。 開口 32示例性地位于指定位置上，以控制生長(zhǎng)的帶狀晶16的某些特征和品質(zhì)。例 如，坩堝14可以具有用于接納線42的多個(gè)線孔40(見圖8)。隨著線42穿過坩堝14，熔融 硅凝固到其表面，從而形成生長(zhǎng)的帶狀晶16。不期望的是，可能存在生長(zhǎng)的帶狀晶16的部 分，所述部分缺乏某些進(jìn)一步冷卻而比意圖的(例如形成薄的、易碎"頸區(qū)")更薄。因此， 開口 32可以位于生長(zhǎng)的帶狀晶16的那些部分的附近，以保證適當(dāng)?shù)睦鋮s，并因此保證期望 的厚度。 例如，兩個(gè)線孔可以被認(rèn)為沿著帶狀晶生長(zhǎng)方向形成豎直向上延伸穿過爐10的 平面。如圖2中所示，帶狀晶16大致平行于該平面生長(zhǎng)。開口 32可以沿著該平面的邊緣 或生長(zhǎng)的帶狀晶16放置或排列，如圖2和5所示，或者可以位于沿著該豎直延伸平面的任 何地方，從而降低爐10的那一區(qū)域中的溫度。降低那一區(qū)域中的溫度應(yīng)具有增加相應(yīng)區(qū)域 內(nèi)帶狀晶厚度的效果。 隨著線42穿過坩堝14，坩堝14內(nèi)的熔融硅可能會(huì)無(wú)意潑濺在襯里絕熱體26上。 此外，當(dāng)操作者人工清潔爐10時(shí)，襯里絕熱體26會(huì)受損或被污染。這可以引起該絕熱體26 對(duì)爐10的那一區(qū)域具有不同的、相對(duì)不可預(yù)知的熱效應(yīng)。同時(shí)，在實(shí)際使用期間，熔融材料 附近的絕熱部分可能剝落進(jìn)入到坩堝14內(nèi)，從而與硅熔料混合，這是本技術(shù)領(lǐng)域已知的。 因此，期望能保證這些薄片對(duì)硅熔料的化學(xué)成分以及最終生長(zhǎng)的帶狀晶沒有較大的可忽略 的影響。 為此，襯里絕熱體26優(yōu)選由很純的、高質(zhì)量材料形成，該材料能夠經(jīng)得起比較高 的溫度。例如，襯里絕熱材料優(yōu)選在從約IOO(TC到約150(TC的溫度范圍工作。為此，襯里 絕熱體26可以由具有各種物理結(jié)構(gòu)的各種材料(例如石墨、碳化硅、石英或氧化鋁)形成， 例如低密度、高導(dǎo)熱率的材料(例如碳泡沫、碳纖維或石墨泡沫材料)?？山邮艿囊r里絕熱 材料市購(gòu)自Biddeford， ME的Fiber Materials, Inc.或Buffalo Grove， IL的Graphtek， LLC。 在示例性的實(shí)施例中，基座絕熱體24可以由比襯里絕熱體26相對(duì)比較不純的、價(jià) 格比較低廉的材料形成。由于基座絕熱體26通過襯里絕熱體26與高溫熔融材料分開，基 座絕熱材料24不需要經(jīng)受襯里絕熱體26必須經(jīng)受的高溫。例如，基座絕熱材料可以在從 約室溫到約100(TC的溫度范圍操作?；^熱體24因此可以由滿足那些要求的各種材料 形成，例如陶瓷材料(如氧化鋁或二氧化硅)。相反，襯里絕熱體26由能夠經(jīng)得起較高溫度 的材料形成。為此，襯里絕熱體26可以由與基座絕熱體30的材料(在化學(xué)上和/或結(jié)構(gòu) 上)不同的材料形成。例如，基座絕熱體24可以由固體、相對(duì)致密的石墨板形成，而襯里絕 熱體26可以由石墨或碳泡沫材料形成。在其他的實(shí)施例中，基座絕熱體24和襯里絕熱體 26可以由相同或類似材料形成。 如圖3和4中更清楚所示，該襯里絕熱體26豎直地沿著基座絕熱體24的側(cè)壁設(shè) 置(即坩堝14附近)，并且也可以設(shè)置在坩堝14下方。這樣，襯里絕熱體26有效地形成用 于部分容納坩堝14的內(nèi)部。在某些實(shí)施例中，爐10可以包括具有連接到供氣歧管46的氣 體噴口 44的供氣系統(tǒng)，以進(jìn)一步冷卻生長(zhǎng)的帶狀晶。例如，如圖3和4所示，襯里絕熱體26 包括使氣體噴口 44進(jìn)入到坩堝14附近的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的開口 ，同時(shí)保護(hù)供氣歧管46不被熔融材料顯著污染。 襯里絕熱體26的厚度可以根據(jù)許多因素變化，這些因素包括襯里絕熱體26和基 座絕熱體24的絕熱性能以及爐10的期望工作溫度。然而，在一個(gè)實(shí)施例中，襯里絕熱體26 可以比基座絕熱體24更薄，以降低替換很純的、高質(zhì)量的、通常昂貴的材料的成本。
襯里絕熱體26預(yù)期受最終能夠減少其效率的許多環(huán)境因素影響，因此可以認(rèn)為 具有一定壽命。如上所述，潑濺在襯里絕熱體壁上的熔融硅以及通常的薄片會(huì)影響襯里絕 熱體的效率。因此，在某種程度上，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以選擇替換襯里絕熱體26。為此，可 以從襯里絕熱體的與基座絕熱體24的連接中移除襯里絕熱體26，隨后丟棄。新的襯里絕熱 體26可移除地連接到基座絕熱體24上，能夠使?fàn)t10回到更有效率的操作方式(即基本上 沒有上述問題且?guī)в行碌囊r里絕熱體26)。 如上所述，在本發(fā)明的示例性的實(shí)施例中，襯里絕熱體26可移除地連接到基座絕 熱體24上。許多方法可以用來(lái)可移除地把襯里絕熱體26與基座絕熱體24連接在一起。例 如，多個(gè)螺絲(未示出)可以將襯里絕熱體26緊固到基座絕熱體24上。然而，也可以使用 其他技術(shù)，包括卡扣配合結(jié)構(gòu)。 本發(fā)明的各種實(shí)施例可以相互組合。例如，后熱器28可移除地連接到基座絕熱體 24或襯里絕熱體26上，因此也相對(duì)容易更換。此外，基座絕熱體24可以具有開口 32，該開 口有效地充當(dāng)坩堝14附近區(qū)域中的熱排氣口。因此，不同的實(shí)施例的這些方面中每一個(gè)的 整體上分開討論并不意圖限制所有實(shí)施例。 因此，本發(fā)明的各種實(shí)施例允許需要時(shí)更換爐10內(nèi)的絕熱體而不改變爐的基本 結(jié)構(gòu)。另外，其他的實(shí)施例能夠通過在后熱器28或基座絕熱體24中具有開口 32來(lái)對(duì)爐10 內(nèi)的熱分布進(jìn)行更好的控制。這些開口 32實(shí)際上充當(dāng)了通熱口。 雖然上述討論公開了本發(fā)明的各種示例性的實(shí)施例，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言 顯而易見的是，能夠在不背離本發(fā)明的實(shí)際保護(hù)范圍的情況下進(jìn)行各種的修改，以實(shí)現(xiàn)本 發(fā)明的一些優(yōu)點(diǎn)。
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權(quán)利要求
一種帶狀晶拉晶爐，包括內(nèi)部，所述內(nèi)部用于圍繞一個(gè)或多個(gè)帶狀晶的至少一部分；和后熱器，所述后熱器位于所述內(nèi)部中，所述后熱器具有至少一個(gè)壁，所述壁具有一個(gè)或多個(gè)開口。
2. 如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，其中，所述一個(gè)或多個(gè)開口包括細(xì)長(zhǎng)槽。
3. 如權(quán)利要求2所述的帶狀晶拉晶爐，其中，所述槽的尺寸是可變的。
4. 如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，其中，所述一個(gè)或多個(gè)開口完全延伸穿過所述 壁。
5. 如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，其中所述一個(gè)或多個(gè)開口部分地延伸穿過所述壁。
6. 如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，還包括所述內(nèi)部中的坩堝，其中，所述后熱器位于所述坩堝上方。
7. 如權(quán)利要求6所述的帶狀晶拉晶爐，還包括設(shè)置在所述坩堝附近的基座絕熱體，其中，所述后熱器由所述基座絕熱體支撐。
8. 如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，還包括圍繞所述后熱器的殼體，所述后熱器附接到所述殼體的頂部。
9. 如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，其中，所述后熱器包括彼此面對(duì)的兩個(gè)部分，所述兩個(gè)部分中的每個(gè)都具有至少一個(gè)壁，每個(gè)所述壁都具有一個(gè)或多個(gè)開口 。
10. 如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，還包括具有至少兩個(gè)線孔的坩堝，所述線孔沿著帶狀晶的生長(zhǎng)方向限定豎直延伸的平面，所述至少一個(gè)或多個(gè)開口與所述平面的邊緣對(duì)齊。
11. 如權(quán)利要求io所述的帶狀晶拉晶爐，其中，所述一個(gè)或多個(gè)開口包括沿著所述平面的邊緣在彼此頂部上豎直對(duì)齊的多個(gè)開口。
12. —種生產(chǎn)帶狀晶拉晶爐的方法，包括形成用于容納一個(gè)或多個(gè)帶狀晶的至少一部分的內(nèi)部；并且在所述內(nèi)部中設(shè)置后熱器，所述后熱器具有至少一個(gè)壁，所述壁具有一個(gè)或多個(gè)開口 。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)開口包括細(xì)長(zhǎng)槽。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述槽的尺寸是可變的。
15. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)開口完全延伸穿過所述壁。
16. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)開口部分地延伸穿過所述壁。
17. 如權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述內(nèi)部中設(shè)置坩堝；并且將所述后熱器定位在所述坩堝上方。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，還包括在所述坩堝附近設(shè)置基座絕熱體；并且將所述后熱器支撐在所述基座絕熱體上。
19. 如權(quán)利要求12所述的方法，還包括設(shè)置圍繞所述后熱器的殼體；并且將所述后熱器附接到所述殼體的頂部。
20. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述后熱器包括彼此面對(duì)的兩個(gè)部分，所述兩個(gè)部分構(gòu)造成允許所述至少一個(gè)帶狀晶在所述兩個(gè)部分中的至少一部分之間行進(jìn)。
21. 如權(quán)利要求12所述的方法，還包括設(shè)置具有至少兩個(gè)線孔的坩堝，所述線孔沿著帶狀晶的生長(zhǎng)方向限定垂直延伸的平面；并且使所述一個(gè)或多個(gè)開口與所述平面的邊緣對(duì)齊。
22. —種按照權(quán)利要求12所述方法生產(chǎn)的帶狀晶拉晶爐。
23. —種冷卻帶狀晶的方法，所述方法包括設(shè)置具有內(nèi)部的帶狀晶拉晶爐；將后熱器定位在所述內(nèi)部中，所述后熱器具有至少一個(gè)壁，所述壁具有一個(gè)或多個(gè)開口 ；并且使得帶狀晶至少部分地穿過所述爐的所述內(nèi)部來(lái)生長(zhǎng)，所述帶狀晶的至少一部分在所述至少一個(gè)壁的附近生長(zhǎng)。
24. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)開口包括細(xì)長(zhǎng)槽。
25. 如權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述槽的尺寸是可變的。
26. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)開口完全延伸穿過所述壁。
27. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)開口部分地延伸穿過所述壁。
28. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述后熱器包括彼此面對(duì)的兩個(gè)部分，所述兩個(gè)部分形成有通道，所述帶狀晶穿過所述通道來(lái)生長(zhǎng)。
29. 如權(quán)利要求23所述的方法，還包括使所述一個(gè)或多個(gè)開口與所述帶狀晶的邊緣對(duì)齊。
全文摘要
一種帶狀晶拉晶爐，該帶狀晶拉晶爐具有用于圍繞一個(gè)或多個(gè)帶狀晶的至少一部分的內(nèi)部，并且具有定位在該內(nèi)部中的后熱器。該后熱器具有至少一個(gè)壁，所述壁具有有助于控制爐內(nèi)溫度分布的一個(gè)或多個(gè)開口。
文檔編號(hào)C30B15/14GK101755076SQ200880018610
公開日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2008年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月14日
發(fā)明者大衛(wèi)·哈維, 斯科特·賴特斯瑪, 黃衛(wèi)東 申請(qǐng)人:長(zhǎng)青太陽(yáng)能股份有限公司