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螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法

文檔序號(hào):8122429閱讀:186來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電磁波輻射抑制方法,特別是涉及一種螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電
磁波輻射抑制方法。
背景技術(shù)
印刷電路板上的雙倍速(Double Data Rate, DDR)存儲(chǔ)器的數(shù)字濾波器 (Data strobe)的電磁干擾是很常見且棘手的問題,電磁兼容性(ElectroMagnetic Compatibility, EMC)測(cè)試時(shí)由于對(duì)DDR存儲(chǔ)器高速頻繁信號(hào)的傳輸,在1GHz附近的高頻 區(qū)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁波輻射。尤其在進(jìn)入Vista時(shí)代,對(duì)DDR存儲(chǔ)器速度與容量的要求更高, 也更加突顯此問題的嚴(yán)重性?,F(xiàn)在屏蔽DDR Strobe輻射問題不外乎是調(diào)整處理相關(guān)存儲(chǔ) 器周圍的電容值及注意設(shè)計(jì)(Layout)時(shí)的布線,避免造成干擾。但因現(xiàn)在數(shù)據(jù)傳輸速度越 來(lái)越快且封包倍數(shù)成長(zhǎng),且輸入/輸出(1/0)的數(shù)字模擬兼容需求越來(lái)越多,印刷電路板設(shè) 計(jì)的層數(shù)空間定義越來(lái)越窄,所以在此嚴(yán)苛的條件下,DDR的strobe干擾問題始終無(wú)法獲 得有效的抑制。 由此可見,上述現(xiàn)有的屏蔽DDR Strobe電磁波輻射的方法在方法與使用上,顯然 仍存在有不便與缺陷,而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題,相關(guān)廠商莫不費(fèi) 盡心思來(lái)謀求解決之道,但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成,而一般方法又沒有 適切的方法能夠解決上述問題,此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種 新的螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一,亦成為當(dāng) 前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。 有鑒于上述現(xiàn)有的屏蔽DDR Strobe電磁波輻射的方法存在的缺陷,本發(fā)明人基于 從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí),并配合學(xué)理的運(yùn)用,積極加以研 究創(chuàng)新,以期創(chuàng)設(shè)一種新的螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,能夠改進(jìn)一般現(xiàn) 有的屏蔽DDR Strobe電磁波輻射的方法,使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì),并經(jīng) 反復(fù)試作及改進(jìn)后,終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,克服現(xiàn)有的屏蔽DDR Strobe電磁波輻射的方法存在的缺陷,
而提供一種新的螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,所要解決的技術(shù)問題是使其
通過直接改善印刷電路板的接地的效率來(lái)抑制電磁波輻射,非常適于實(shí)用。 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出
的一種螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,其是通過在印刷電路板上的螺絲上采
用包覆導(dǎo)通薄膜連接,來(lái)直接提高印刷電路板的接地效率,實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁波輻射的抑制。 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,其中所述的導(dǎo)通薄膜泛指具
有導(dǎo)通性的薄膜。
前述的螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,其中所述的導(dǎo)通薄膜是鋁箔。 前述的螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,其中所述的導(dǎo)通薄膜是銅箔。 前述的螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,其中所述的印刷電路板是電
腦的主機(jī)板。 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。借由上述技術(shù)方案,本發(fā)明
螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果 1 、本發(fā)明螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,主要針對(duì)DDRData
strobe,可以用于改善由DDR引起的電磁輻射問題。 2、本發(fā)明增加了接地的效率,加強(qiáng)了對(duì)靜電的防護(hù)。 3、本發(fā)明還可以降低地端雜訊,改善其他頻率的電磁輻射問題。 4、本發(fā)明實(shí)施簡(jiǎn)單,成本低廉,對(duì)電磁波輻射的抑制效果明顯,且安全可靠,復(fù)制
容易,應(yīng)用廣泛,適合大量生產(chǎn),具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。 綜上所述,本發(fā)明具有上述優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值,其不論在方法或功能上皆有較大的改進(jìn),在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步,并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果,且較現(xiàn)有的屏蔽DDR Strobe電磁波輻射的方法具有增進(jìn)的突出功效,從而更加適于實(shí)用,誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。 上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段,而可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實(shí)施例,并配合附圖,詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1是本發(fā)明螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法的主機(jī)板上的螺絲上采用包覆導(dǎo)通薄膜連接的示意圖。 圖2是本發(fā)明螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法的主機(jī)板上的螺絲上采用包覆導(dǎo)通薄膜連接的剖面示意圖。 圖3是本發(fā)明螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法的螺絲未貼上導(dǎo)通薄膜的測(cè)試數(shù)據(jù)的示意圖。 圖4是本發(fā)明螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法的螺絲貼上導(dǎo)通薄膜的測(cè)試數(shù)據(jù)的示意圖。
1 :主機(jī)板 2 :連接螺絲 3 :導(dǎo)通薄膜
具體實(shí)施例方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例,對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法其具體實(shí)施方式
、方法、步驟、特征及其功效,詳細(xì)說(shuō)明如后。 有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效,在以下配合參閱圖式的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中將可清楚呈現(xiàn)。通過具體實(shí)施方式
的說(shuō)明,當(dāng)可對(duì)本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效獲得一更加深入且具體的了解,然而所附圖式僅是提供參考與說(shuō)明之用,并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。 在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中,印刷電路板為電腦的主機(jī)板。經(jīng)量測(cè)發(fā)現(xiàn)DDR周遭存儲(chǔ)器附近,帶有很高的電磁干擾,依據(jù)印刷電路板測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是主機(jī)板接地的效率不良造成。所以,直接改善印刷電路板的接地的效率可以改善此現(xiàn)象,以降低DDR存儲(chǔ)器的Datastrobe電磁干擾。 請(qǐng)參閱圖1及圖2所示,圖1是本發(fā)明螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法的主機(jī)板上的螺絲上采用包覆導(dǎo)通薄膜連接的示意圖,圖2是本發(fā)明螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法的主機(jī)板上的螺絲上采用包覆導(dǎo)通薄膜連接的剖面示意圖。
本發(fā)明較佳實(shí)施例的螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,其主要是在印刷電路板上的螺絲上采用包覆導(dǎo)通薄膜連接,來(lái)直接提高印刷電路板的接地效率,實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁波輻射的抑制。 其中,在印刷電路板上的螺絲上采用包覆導(dǎo)通薄膜連接,在本較佳實(shí)施例中,是通
過在主機(jī)板與機(jī)箱連接的螺絲上貼覆4cm*4cm的導(dǎo)通薄膜來(lái)實(shí)現(xiàn),該導(dǎo)通薄膜泛指具有導(dǎo)
通性的薄膜,例如鋁箔、銅箔等可導(dǎo)通的材料薄膜。 其操作流程為 a、選取主機(jī)板; b、選取電腦機(jī)箱; c、依據(jù)主機(jī)板上螺孔的位置將電腦機(jī)箱上相對(duì)應(yīng)的螺絲鎖上; d、在這些對(duì)應(yīng)的螺絲口上貼上4cm*4cm導(dǎo)通薄膜,并將主機(jī)板與機(jī)箱搭接,這些
導(dǎo)通薄膜覆蓋在螺絲的端面及機(jī)箱上,以加強(qiáng)主板上的螺母與機(jī)箱上的螺絲的搭接及下地
的效益; e、將主機(jī)板固定在機(jī)箱對(duì)應(yīng)的螺絲上;
f、鎖上主機(jī)板上的螺母;
g、完成主機(jī)板與機(jī)箱的組裝。 請(qǐng)參閱圖3、圖4所示,圖3是本發(fā)明螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法的螺絲未貼上導(dǎo)通薄膜的測(cè)試數(shù)據(jù)的示意圖。圖4是本發(fā)明螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法的螺絲貼上導(dǎo)通薄膜的測(cè)試數(shù)據(jù)的示意圖。 由以上兩圖的數(shù)據(jù)對(duì)比可以看出,在使用本發(fā)明后Data stroe問題改善接近達(dá)2dB,且250MHz-lGMHz的base降低,效果明顯。 經(jīng)過反復(fù)驗(yàn)證,并擁有可靠數(shù)據(jù)佐證,本發(fā)明可以有效的降低DDR存儲(chǔ)器的Datastrobe電磁干擾。開發(fā)此技術(shù)簡(jiǎn)單、有效,只要在印刷電路板固定時(shí),將印刷電路板用于固定的螺絲的螺絲口上貼上具有導(dǎo)通性的導(dǎo)通薄膜,再進(jìn)行搭接固定,就可以增加DDR存儲(chǔ)器下地的效率,進(jìn)而降低DDR存儲(chǔ)器的電磁干擾現(xiàn)象。而一般技術(shù)在解決DDR存儲(chǔ)器的Datastrobe電磁干擾問題時(shí),僅由調(diào)整電容值及設(shè)計(jì)布局,常忽略如何提高接地的效率,并有效抑制EMC所引帶出危害人體的電波。 本發(fā)明的實(shí)施并不僅限于此,本發(fā)明也可通過設(shè)計(jì)專用螺絲,加大印刷電路板的搭接的面積或設(shè)計(jì)專用的導(dǎo)通薄膜等方式來(lái)實(shí)施。
本發(fā)明與現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)相比較可廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品的印刷電路板上,以抑制 DDR存儲(chǔ)器的data strobe電磁輻射問題,也可應(yīng)用于封閉型電子設(shè)備內(nèi),如電腦、服務(wù)器、 手機(jī),游樂器等消費(fèi)型電子產(chǎn)品及開放型電子設(shè)備內(nèi),如測(cè)試設(shè)備等,還可應(yīng)用于電機(jī)設(shè)備 等需要有主機(jī)板設(shè)備,如配電盤等和必需增加靜電防護(hù)的設(shè)備。同時(shí)本發(fā)明成本低廉并具 有廣闊商業(yè)價(jià)值。 以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制,雖 然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾 為等同變化的等效實(shí)施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì) 對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,其特征在于其是通過在印刷電路板上的螺絲上采用包覆導(dǎo)通薄膜連接,來(lái)直接提高印刷電路板的接地效率,實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁波輻射的抑制。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,其特征在于其中所述的導(dǎo)通薄膜泛指具有導(dǎo)通性的薄膜。
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4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,其特征在于其中所述的導(dǎo)通薄膜是鋁箔。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,其特征在于其中所述的導(dǎo)通薄膜是銅箔。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,其特征在于其中所述的印刷電路板是電子設(shè)備的電路板。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種螺絲上包覆導(dǎo)通薄膜的電磁波輻射抑制方法,其是通過在印刷電路板上的螺絲上采用包覆導(dǎo)通薄膜連接,來(lái)直接提高印刷電路板的接地效率,實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁波輻射的抑制。藉此,本發(fā)明可以有效的降低DDR存儲(chǔ)器的Data strobe電磁干擾,并有效抑制EMC所引帶出危害人體的電波。
文檔編號(hào)H05K9/00GK101754665SQ20081017278
公開日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2008年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月12日
發(fā)明者何志剛 申請(qǐng)人:微盟電子(昆山)有限公司
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