專利名稱：蒸鍍裝置和方法、顯示裝置及制造方法、有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過加熱蒸鍍材料、從而蒸發(fā)該蒸鍍材料以及將擴(kuò) 散蒸發(fā)的蒸鍍材料從開口擴(kuò)散到蒸鍍構(gòu)件來執(zhí)行蒸鍍的蒸鍍裝置、 蒸鍍方法、有機(jī)電致發(fā)光元件以及顯示裝置，具體地，涉及當(dāng)將有 機(jī)材料用作蒸鍍材料時適合的蒸鍍裝置、蒸鍍方法、有機(jī)電致發(fā)光 元件以及顯示裝置。
背景技術(shù)：
在用于通過蒸鍍形成有機(jī)EL (電致發(fā)光)層的批量生產(chǎn)裝置 中，蒸鍍源需要填充大量的有機(jī)材料，使得在較長的時間段內(nèi)連續(xù) #1行生產(chǎn)。由于有才幾材料通常易受熱的影響，所以/人生產(chǎn)時間的開 始到結(jié)束連續(xù)將大量有才幾材津牛加熱到用于達(dá)到固定蒸鍍率的溫度 會在生產(chǎn)的最后階段使材料和有機(jī)EL元件的特性劣化。為了避免 這種情況，已經(jīng)-提出直接向材料按壓加熱元件的技術(shù)作為局部加熱 材料的方法(參見專利文獻(xiàn)l (日本專利公開第2003-113465號))。另夕卜，專利文獻(xiàn)2 (日本專利公開第2003-253430號)被引用 作為使用通過輻射熱進(jìn)行加熱而非直接向材料按壓加熱元件的4支 術(shù)。例如，在專利文獻(xiàn)3 (日本專利公開第2005-307302號)中公 開了僅利用光來蒸發(fā)材料的另 一種技術(shù)。發(fā)明內(nèi)容然而，利用專利文獻(xiàn)l中所/>開的向材料直4妄力0壓加熱元件的 技術(shù)，由于有機(jī)材料自身的熱傳導(dǎo)、融化所致的對流等問題而難以 獲得穩(wěn)定的蒸鍍率。使用專利文獻(xiàn)2中公開的使用通過輻射熱進(jìn)行 加熱的技術(shù)，材料整體均勻地處于高溫，因此不能獲得抑制材料劣 化的效果。利用專利文檔3中公開的僅通過光來蒸發(fā)材料的技術(shù)， 難以獲得上述局部加熱的穩(wěn)定率，并且需要高能量的激光等以將材 料加熱到用于4又通過光獲得期望蒸鍍率的溫度，乂人而取而代之出現(xiàn) 了破壞有機(jī)材料的問題。本發(fā)明的目的在于解決這些問題。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例， 提供了一種蒸鍍裝置，包括材料保持部，用于填充有蒸鍍材料并 加熱該蒸鍍材料；開口，用于朝向蒸鍍構(gòu)件擴(kuò)散由材料保持部蒸發(fā) 的蒸鍍材料；以及高溫體，設(shè)置在材料保持部和開口之間，高溫體 被加熱到比在材料保持部中被加熱的蒸鍍材料的溫度高于的溫度。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在蒸鍍時，只有材料保持部和填充在材 料保持部中的材料的表面可通過來自高溫體的輻射熱被局部被加 熱，其中，高溫體;^皮加熱到比材料保持部和材料的溫度高的溫度。因此，可以獲得期望的蒸4度率，而不對蒸鍍材料內(nèi)部產(chǎn)生加熱影響。穩(wěn)定材料被用作用于高溫體的材料，其不會例如由于在真空中 被加熱而分解或發(fā)出氣體，例如金屬材料(例如鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo )和不銹鋼(SUS ))、碳材料或陶瓷(例如A1203 )。優(yōu)選地，高溫體經(jīng)受表面處理等來增強(qiáng)輻射率。另夕卜，以板的形式提供高溫體，并將其設(shè)置在高溫體與來自材 料保持部的材料蒸氣的流出方向垂直的位置處。乂人而可以減少由于蒸鍍材料的突沸所引起的形成在蒸鍍構(gòu)件上的蒸鍍膜的厚度變化， 而且還帶來在蒸鍍源內(nèi)有助于蒸氣擴(kuò)散的效果。此外，在這種情況 下，選擇用于確保材料蒸氣的充分流動通路的位置，使得可以抑制 用于獲取期望蒸鍍率的材料加熱溫度的增高。才艮據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例，提供了一種蒸鍍方法，用于在蒸 鍍材料被填充在材料保持部中的狀態(tài)下加熱蒸鍍材料、蒸發(fā)蒸鍍材 料、以及將經(jīng)過蒸發(fā)的蒸鍍材料從開口擴(kuò)散到蒸鍍構(gòu)件，該蒸鍍方法包括在材料保持部和開口之間設(shè)置高溫體，以及當(dāng)執(zhí)行蒸鍍時 將高溫體加熱到比在材料保持部中被加熱的蒸鍍材料的溫度高的 溫度。才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在蒸4度時，只有材^H呆才寺部和i真充在材 料保持部中的材料的表面可通過來自高溫體的輻射熱被局部加熱，其中，高溫體被加熱到比材料保持部和材料的溫度高的溫度。因此， 可以獲得期望的蒸鍍率，而不對對蒸鍍材料的內(nèi)部產(chǎn)生加熱影響。才艮據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，l是供了一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其 在基板上具有第一電極、包括發(fā)光層的有才幾層以及第二電極，其中，料、蒸發(fā)該有機(jī)材料、以及將所蒸發(fā)的有機(jī)材料從開口擴(kuò)散到基板 的蒸鍍方法，通過蒸鍍形成發(fā)光層，該蒸鍍方法包4舌在材料保持部 和開口之間i殳置高溫體，以及將高溫體加熱到比在材料保持部中一皮加熱的有機(jī)材料的溫度高的溫度。才艮據(jù)本發(fā)明的另 一實(shí)施例，才是供了 一種使用有才幾電致發(fā)光元件 的顯示裝置，該有才幾電致發(fā)光元件具有在基板上的第一電才及、包4舌 發(fā)光層的有4幾層和第二電極，其中，通過用于在有才幾材辨"帔填充在 材料j呆持部中的狀態(tài)下加熱有才幾材料、蒸發(fā)該有才幾材料、以及將所蒸發(fā)的有機(jī)材料從開口擴(kuò)散到基板的蒸鍍方法，通過蒸鍍形成發(fā)光 層，該蒸鍍方法包括在材料保持部和開口之間設(shè)置高溫體，以及將 高溫體加熱到比在材料保持部被加熱的有機(jī)材料的溫度高的溫度。因此，本發(fā)明具有以下效果。通過來自高溫體的輻射熱加熱表 層可使填充在材料保持部中的蒸鍍材料整體維持在較低的平均溫 度，從而可以抑制材料的劣化。因此，可以在較長時間段內(nèi)連續(xù)生 產(chǎn)具有良好特性的元件。另外，可以在蒸4度構(gòu)件的舉交寬區(qū)域上長時 間穩(wěn)定地控制形成在蒸4度構(gòu)件上的蒸鍍膜的厚度分布。
圖1是用于說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸鍍裝置概要的示意圖；圖2A和圖2B是用于說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸鍍裝置的裝 置結(jié)構(gòu)實(shí)例的示意圖，圖2A是整體圖，以及圖2B是高溫體和高溫 體周邊的局部;故大圖；圖3A和圖3B是用于說明應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸鍍裝置 的蒸4度系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)實(shí)例的示意圖，圖3A是整體圖，以及圖3B是沿 管的側(cè)面方向的截面圖；圖4是用于i兌明如4可通過蒸4度減少材^+的示意圖；圖5A和圖5B是用于i兌明蒸4度率相對于高溫體的溫度而改變 的示圖，圖5A對應(yīng)于蒸4度率為幾埃/秒的情況，以及圖5B乂于應(yīng)于 蒸鍍率為幾十埃/秒的情況；圖6是示出蒸鍍膜厚度的平面內(nèi)分布的仿真結(jié)果的示圖，圖6 中的實(shí)線對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸鍍裝置(具有高溫體)的情 況，以及圖6中的虛線對應(yīng)于現(xiàn)有蒸鍍裝置(不具有高溫體)的情 況；圖7是用于說明通過應(yīng)用才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸鍍裝置和蒸4度 方法所形成的有才幾電致發(fā)光元件的實(shí)例的示意性截面圖；圖8A和圖8B是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的實(shí)例的 示圖，圖8A是示意性框圖，以及圖8B是像素電i 各的結(jié)構(gòu)示圖；圖9是用于說明模塊形狀的示意性平面圖；圖IO是應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的電視機(jī)的透視圖；圖IIA和圖IIB是應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)碼相機(jī)的透視圖，圖 IIA是從前側(cè)看的數(shù)碼相機(jī)的透視圖，以及圖IIB是從后側(cè)看的數(shù) 石馬才目才幾的it一見圖；圖12是應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的筆記本個人計算4幾的透#見圖；圖13是應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的攝像機(jī)的透視圖；以及圖14A、 14B、 14C、 14D、 14E、 14F和14G是示出應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的諸如便攜式電話的便攜式終端裝置的示圖，圖14A是處 于打開狀態(tài)的便攜式電話的正視圖，圖14B是處于打開狀態(tài)的便攜 式電話的側(cè)視圖，圖14C是處于關(guān)閉狀態(tài)的便攜式電話的正視圖，圖14D是左視圖，圖14E是右視圖，圖14F是頂視圖，以及圖14G 是底—見圖。
具體實(shí)施方式
接下來，將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。圖l是用于說 明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸鍍裝置概要的意圖。具體來說，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸鍍裝置包括材料保持部ll，主要使用有機(jī)材料作為 蒸鍍材料10，該材料保持部11填充有作為蒸鍍材料10的有機(jī)材料 并加熱有才幾材:抖；開口 12，用于朝向例如作為蒸鍍構(gòu)件20的基玲反 擴(kuò)散由材料保持部11所蒸發(fā)的蒸鍍材料10;以及高溫體13，設(shè)置 在材料保持部11和開口 12之間，該高溫體13 ,皮力口熱到比在材料 保持部11中被加熱的蒸鍍材料10的溫度T2高的溫度Tl。通過圖中未示出的加熱器來加熱材料保持部11,從而能夠?qū)⑷?納在材料保持部11內(nèi)的蒸鍍材料10整體加熱到預(yù)定溫度T2。通常， 將溫度T2設(shè)置得高于蒸鍍材料10的蒸鍍溫度，以產(chǎn)生蒸鍍材料10 朝向蒸鍍構(gòu)件20擴(kuò)散的狀態(tài)。然而，在本實(shí)施例中，溫度T2被設(shè) 置得低于蒸鍍材料10的蒸鍍溫度。從而，可以抑制容納在材料保 持部11中的有機(jī)材料等的蒸鍍材料10的特性劣化。順便提及，當(dāng) 除有才幾材#+以外的由于加熱而特性劣化顯著的材并+一皮用作蒸4度材 料10時，可以獲得與有機(jī)材料類似的抑制特性劣化的類似效果。作為根據(jù)本實(shí)施例的蒸鍍裝置的特征的高溫體13設(shè)置在材料 4呆持部11中的蒸4度材泮牛10和開口 12之間，并一皮力口熱到比蒸《度材 4十10的溫度T2高的溫度Tl。處在Tl這個溫度，來自高溫體13 的輻射熱將材料保持部11內(nèi)蒸4度材料10的表面?zhèn)鹊牟糠志植考訜?到高于蒸4度溫度的溫度。即，來自高溫體13的輻射熱局部加熱蒸 鍍材料10的該部分，使得只有這部分達(dá)到蒸鍍所必需的溫度。高溫體可"設(shè)置在任意位置，只要該位置能夠在填充在材料保持 部11中的蒸氣材料10的內(nèi)部和表面之間有意地^是供溫度差。優(yōu)選 地，為了更高的輻射效率，將高溫體13設(shè)置在蒸鍍材料10的附近。然而，高溫體13不應(yīng)該多余;也妨5尋蒸4度才才津+ 10的蒸氣;危動。從金屬材料、碳材料以及陶瓷中所選擇的材料被用作高溫體13 的材料。對于這些材料，金屬材料包括例如鈦(Ti)、鉭(Ta )、鉬(Mo ) 以及不《秀鋼(SUS)。陶資例如包4舌A1203。即，例3口作為在真空中 被加熱的結(jié)果而不分解或發(fā)出氣體的穩(wěn)定材料被用作高溫體13。另 外，優(yōu)選地，高溫體13經(jīng)受表面處理等以4是高輻射率。圖2A和2B是用于說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸鍍裝置的裝置 結(jié)構(gòu)實(shí)例的示意圖，圖2A是整體圖，以及圖2B是高溫體和高溫體 周邊的局部;故大圖。在圖2A所示的裝置結(jié)構(gòu)中，多個開口 12沿蒸 鍍構(gòu)件20的寬度方向配置在管14的上側(cè)，并且高溫體13基本附 著至管14內(nèi)部的中心。順便提及，在管14的蒸鍍元件20側(cè)的外 表面上i殳置用于防止蒸4度源的熱量傳遞到蒸4度構(gòu)件20的熱遮蔽才反 16。在管14的下側(cè)設(shè)置通路管15。管14和材料保持部11通過通 路管15彼此連接。管14和材料保持部11各自設(shè)置有獨(dú)立控制的 加熱器(未示出)。圖2A中的虛線是熱屏障。因此，在作為分界的 熱屏障的上側(cè)和下側(cè)之間提供溫度差的控制成為可能。通過^f吏用加熱器加熱管14,管14內(nèi)的高溫體13也一皮加熱到預(yù) 定的溫度T1 (參見圖1)。同時，材料保持部11也^t加熱，使得材 料保持部11內(nèi)的蒸鍍材料10被加熱到預(yù)定溫度T2 (參見圖1 )。以板的形式^是供高溫體13,并將其i殳置在使高溫體13與來自 材料保持部11的蒸鍍材料10的蒸氣流出方向垂直的位置處。即，高溫體13以遮蔽的形式設(shè)置在通路管15的孔和開口 12之間，從而防止蒸鍍材沖+10的蒸氣乂人通^各管15直4妄到達(dá)開口 12。例如，這種設(shè)置可以減少由于蒸發(fā)有機(jī)材料時的突沸所引起的形成在蒸鍍構(gòu)件20上的蒸鍍膜的厚度變化，此外還提供了有助于蒸鍍源內(nèi)的 蒸氣擴(kuò)散的效果。如圖2B所示，在以遮蔽通3各管15出口的形式i殳置高溫體13 的過程中，需要確保蒸鍍材料10的蒸氣足夠的流動通道。假設(shè)Sa 是通路管15的出口部分的橫截面積，并且假設(shè)Sb是高溫體13的 下側(cè)(通路管15側(cè))和管14的內(nèi)壁之間的橫截面積，選擇該管的 直徑和高溫體13的4立置，^f吏得Sa〈Sb。具體地，通過相對于通^^管15內(nèi)的蒸氣流的傳導(dǎo)率充分地降 低高溫體13周圍的蒸氣流的傳導(dǎo)率，即使在具有通過高溫體13形 成的遮蔽時，也可以抑制為了獲得期望比率而增加材料加熱溫度。為了使用這種蒸鍍裝置來執(zhí)行蒸鍍，作為蒸鍍材料10的有機(jī) 材料等容納在材料保持部11中，并將材料保持部11附著至通路管 15。材料保持部11經(jīng)由密封墊附著至通路管15,并且材料保持部 11和通3各管15通過夾4寺才幾構(gòu)4皮此可拆卸地固定。接下來，通過加熱器加熱材料保持部11，以及通過加熱器加熱 管14。這時，通過加熱器的溫度控制，材料保持部11側(cè)4皮控制得 處于比蒸鍍材沖牛10的蒸鍍溫度4氐的溫度T2。同時，控制管14側(cè)， 4吏4尋-沒置在管14內(nèi)的高溫體13處于高于溫度T2的溫度T1。當(dāng)高溫體13達(dá)到溫度Tl時，來自高溫體13的輻射熱/人通^各 管15傳送至材剩4呆持部11中的蒸鍍材#午10的表面，乂人而^U亍局 部加熱。在蒸鍍材料10的表面超過蒸鍍溫度時的階段產(chǎn)生蒸鍍材 料10的蒸氣。蒸鍍材^l" 10的蒸氣,人通^各管15流入管14，繞過高溫體13以 避開高溫體13，并乂人i殳置在管14上側(cè)的開口 12朝向蒸4度構(gòu)4牛20 擴(kuò)散。蒸鍍材料10的擴(kuò)散蒸氣沉積在蒸4度構(gòu)件20上然后被冷卻。 從而，蒸鍍材料10的蒸氣形成為蒸鍍膜。順便提及，根據(jù)本實(shí)施例的蒸鍍裝置可以通過固定用于利用材 ^H呆持部11加熱蒸鍍材#+ 10的加熱溫度以及控制用于加熱高溫體 13的加熱溫度來控制蒸4度率。即，蒸4度率隨著高溫體13溫度的升 高而增加，并且蒸4度率隨著高溫體13溫度的降^氐而降^f氐。在通過高溫體13溫度的這種控制調(diào)節(jié)蒸鍍率的情況下，通過 控制材剩-保持部11側(cè)的溫度而使蒸4度材料10的溫度恒定，即使在 較長的時間段內(nèi)執(zhí)行連續(xù)的蒸鍍操作時，也可以防止通過熱量施加 在材料保持部11內(nèi)蒸鍍材料10上的負(fù)擔(dān)，并抑制特性的劣化。圖3A和3B是用于說明應(yīng)用根據(jù)本實(shí)施例的蒸鍍裝置的蒸鍍 系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)實(shí)例的示意圖，圖3A是整體圖，以及圖3B是沿管14 的,'〗面方向的截面圖。在該蒸《度系纟充中，三個蒸《度源附著至管14。 相對于蒸鍍源移動設(shè)置在管14上側(cè)的基板(蒸鍍構(gòu)件)，從而在基 板的下表面形成蒸鍍膜。因此，管14在與經(jīng)過管14上側(cè)的基板(蒸鍍構(gòu)件)的傳送方 向垂直的方向上延伸，并且各個蒸鍍源一皮配置在管14的中部和兩 個端部。從而，可沿基板的寬度方向均勻地形成蒸鍍膜。每個蒸4t源均包括材料保持部ll,如前所述用于容納和加熱 蒸鍍材料；通路管15,用于將材料保持部11連接到管14;以及高 溫體13， i殳置在通^各管15的出口和開口 12之間。對應(yīng)于各個蒸鍍 源配置這些i殳置。當(dāng)在一個管14內(nèi)配置乂于應(yīng)于多個蒸鍍源的多個高溫體13時，在高溫體13之間設(shè)置預(yù)定的間隔。從而確保管14內(nèi)的蒸鍍材料蒸 氣的流動通^各。如圖3B所示，高溫體13以橫跨管14內(nèi)徑的狀態(tài)設(shè)置，并且 可固定在管14內(nèi)的位置。例如，在由高溫體13 4黃^爭的位置處在管 14中設(shè)置狹縫，高溫體13從該狹縫插入并安裝到狹縫中以橫跨管 14的內(nèi)部，然后焊4姿高溫體13和管14相互交交的狹縫部分，從而 固定高溫體13。包括這種高溫體13和材料保持部11的各個裝置的蒸鍍源可經(jīng) 受相同的溫度控制，或者可分別經(jīng)受不同的溫度控制。通過設(shè)置條 件，即使在相同的溫度控制下也可以實(shí)現(xiàn)均勻的蒸鍍。在這種情況 下，通過對于管14側(cè)的一個溫度控制系統(tǒng)和對于材#+保持部11側(cè) 的 一個溫度控制系統(tǒng)可以簡4匕系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。另一方面，通過對每個蒸鍍源內(nèi)的每個高溫體13和每個材料 保持部11分別設(shè)置溫度控制系統(tǒng)，根據(jù)不同位置處蒸鍍率的檢測 結(jié)果，可通過溫度管理精確地控制每個蒸鍍源的蒸4度率。此外，由于可以使材料保持部11中蒸鍍材沖牛的溫度恒定，所 以對于每個蒸鍍源中的每個材料保持部11的溫度控制系統(tǒng)可被集 成到一個溫度控制系統(tǒng)中，以及可為每個蒸4度源中的每個高溫體13 設(shè)置單獨(dú)的溫度控制系統(tǒng)。從而，可以在材料保持部11側(cè)實(shí)現(xiàn)簡 單的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，并且通過每個高溫體13溫度的單獨(dú)控制來精確地 控制每個蒸鍍源的蒸鍍率。在通過這種蒸4度系統(tǒng)在基板上^丸行蒸鍍的過程中，利用容納在 每個蒸鍍源的每個材料保持部11中的蒸鍍材料以及利用通過上述 材料保持部11和高溫體13的溫度控制而使每一個都加熱到預(yù)定溫度的材料保持部11和高溫體13，基板從管14的開口 12上經(jīng)過。從而，例如甚至在寬基板上也可以形成均勻的蒸鍍膜。圖4是用于說明如何通過蒸鍍減少蒸鍍材料的示意圖。具體地， 在如本實(shí)施例中具有設(shè)置在管14內(nèi)的高溫體13的蒸鍍裝置中，來 自高溫體13的輻射熱局部加熱材料保持部11內(nèi)的蒸鍍材料10。因 此，即使從外部加熱材料保持部11時，蒸鍍材料10表面的中心部分首先蒸發(fā)。在圖4的實(shí)例中，在已經(jīng)將蒸鍍材料10放置在材料保持部11 中時蒸鍍材料10的表面位置由圖4中的虛線表示并且實(shí)質(zhì)上是平 坦位置。蒸鍍材料0減少使得蒸鍍材料10表面的中心部分變凹。 因此，如圖所示，由于通過高溫體13產(chǎn)生的輻射熱的效果而有效 ;也發(fā)生蒸4度。圖5A和圖5B是用于說明相對于高溫體溫度的蒸鍍率的變化 的示圖，圖5A對應(yīng)于蒸鍍率為幾纟矣/秒的情況，而圖5B對應(yīng)于蒸 鍍率為幾十埃/秒的情況。每個圖中的三條線對應(yīng)于蒸4t構(gòu)件不同的 蒸鍍位置(中心部分、右側(cè)和左側(cè))。順便提及，在圖5A和圖5B的每個圖中，材料保持部的溫度 是固定的，只有高溫體的溫度是變化的。這兩個圖示出了在材沖牛保持部的溫度固定的情況下，蒸4度率隨 著高溫體的溫度變高而增加。因此，通過在管內(nèi)設(shè)置作為根據(jù)本實(shí) 施例的蒸4度裝置特4i部分的高溫體并加熱該高溫體所產(chǎn)生的輻射 熱，可以獲4尋與高溫體的溫度成正比的蒸4度率。圖6是示出蒸4度膜厚度的平面內(nèi)(in-plane )分布的仿真結(jié)果的 示圖。圖6中的實(shí)線對應(yīng)于根據(jù)本實(shí)施例的蒸鍍裝置(具有高溫體)的情況。圖6中的虛線對應(yīng)于現(xiàn)有蒸鍍裝置(不具有高溫體)的情 況。圖6中的橫坐標(biāo)軸表示蒸鍍構(gòu)件的平面內(nèi)位置。圖6中的縱坐標(biāo)軸表示力莫厚(目標(biāo)力莫厚為100%)。如圖所示，在由圖6中的虛線所表示的現(xiàn)有蒸4度裝置(沒有高 溫體)的情況下，平面內(nèi)膜厚的分布變化很大，而在根據(jù)本實(shí)施例 的蒸鍍裝置(具有高溫體)的情況下，相對于目標(biāo)膜厚具有很小的 變化，因此可以獲得均勻性良好的膜厚。接下來，將描述通過使用上述蒸鍍裝置和蒸鍍方法形成的有機(jī) 電致發(fā)光元件、4吏用電致發(fā)光元件的顯示裝置以及應(yīng)用實(shí)例。(有才幾電致發(fā)光元件)。圖7是用于說明通過應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸鍍裝置和蒸鍍 方法形成的有4幾電致發(fā)光元件的實(shí)例的示意性截面圖。在有才幾電致 發(fā)光元件中，通過在玻璃基才反1001上依次層壓4冊電極1003、柵極 絕緣膜1005和半導(dǎo)體層1007來形成薄膜晶體管Tr。薄膜晶體管 Tr:帔層間絕》彖膜1009覆蓋。通過形成在層間絕纟彖層1009中的連接 孔設(shè)置連接到薄膜晶體管Tr的配線1011以形成像素電路。因此， 形成戶斤i胃的TFT基才反1020。通過平面化絕纟彖膜1021覆蓋TFT基板1020的頂面。在平面化 絕纟彖膜1021中形成到達(dá)配線1011的連4妻孔。例如在平面化絕緣膜 1021上形成經(jīng)由連接孔連接到配線1011的像素電極(第一電極) 1023作為正才及。形成以這種形狀^隻蓋〗象素電極1023外圍的絕緣膜 圖案1025。以覆蓋^f象素電4及1023露出面的狀態(tài)形成有才幾EL材料層1027 作為層壓膜。以通過絕緣圖案1025和有4幾EL材庫十層1027保持與
19. 根據(jù)權(quán)利要求16至18中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，具有其中儲存所 述確定的信號情景的存儲單元。
20. 根據(jù)權(quán)利要求12至19中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述處理單元具有一個將輸入信號分解成單信號的分離單元。
21. 根據(jù)權(quán)利要求12至20中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述處理單元具 有用于降低單信號電平的電平調(diào)整單元。
22. 根據(jù)權(quán)利要求12至21中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，具有輸出單元， 其從單信號中產(chǎn)生用于聲音輸出的輸出信號。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的裝置，其中，所述輸出單元放大輸出信號。如圖8B所示，設(shè)置在每個4象素a中的像素電^各例如包括有機(jī) 電致發(fā)光元件1040、驅(qū)動晶體管Trl、寫晶體管(采樣晶體管)Tr2 以及存儲電容器Cs。通過掃描線驅(qū)動電路2013的驅(qū)動，存儲電容器Cs保持經(jīng)由寫 晶體管Tr2從信號線2011寫入的視頻信號。從驅(qū)動晶體管Trl向有 機(jī)發(fā)光致電元件1040提供與保持的信號量相對應(yīng)的電流。有機(jī)發(fā) 光致電元件1040以對應(yīng)于電流值的亮度發(fā)光。注意，上述像素電路的結(jié)構(gòu)只是實(shí)例。根據(jù)要求，可在像素電 路內(nèi)設(shè)置電容性元件，并且還可以設(shè)置多個晶體管以形成像素電 路。另外，根據(jù)像素電路的變化而可能需要的驅(qū)動電路被添加到外 圍區(qū)i或2002b中。才艮據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置2001還包括具有圖9所示密封結(jié)構(gòu) 的才莫塊形式的顯示裝置。例如，顯示才莫塊對應(yīng)于顯示裝置2001,通 過圍繞作為l象素陣列單元的顯示區(qū)域A的方式設(shè)置密封部2021以 及以密封部2021用作粘合劑將像素陣列單元層壓到諸如透明玻璃 等的相對部(密封基板2006 (對應(yīng)于圖7中的密封基板1033 ))， 來形成顯示^^莫塊。透明密封基板2006可包括濾色器、保護(hù)膜、遮光膜等。順便 提及，可以為形成顯示區(qū)域A的顯示模塊的基板2002設(shè)置用于向 顯示區(qū)域2002a (像素陣列單元)外部地輸入信號等的柔性印制板 2023。(應(yīng)用實(shí)例)根據(jù)上述本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置可應(yīng)用于所有領(lǐng)域中的電子裝置的顯示單元，顯示單元顯示^r入至電子裝置的碎見頻信號或者電子裝置內(nèi)生成的的視頻信號作為圖像或視頻，電子裝置包括圖10 至14中所示的各種電子裝置，例如數(shù)碼相才幾、筆記本個人計 算機(jī)、諸如便攜式電話等的便攜式終端裝置以及攝像機(jī)。以下將描 述應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置的實(shí)例。圖10是應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的電視才幾的透視圖。根據(jù)本應(yīng)用實(shí) 例的電—見才幾包括由前面板102、濾光玻璃103等形成的一見頻顯示屏 幕單元101。使用才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置作為視頻顯示屏幕 單元101來制造電一見才幾。圖IIA和圖11B是應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)碼相片幾的透—見圖，圖 IIA是從前側(cè)看的數(shù)碼相機(jī)的透視圖，以及圖IIB是從后側(cè)看的數(shù)單元lll、顯示單元112、菜單開關(guān)113、快門按4丑114等。4吏用才艮 據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置作為顯示單元112來制造數(shù)碼相機(jī)。圖12是應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的筆記本個人計算^L的透一見圖。才艮 據(jù)本應(yīng)用實(shí)例的筆記本個人計算才幾包4舌主單元121中的用于輸入字 符等的鍵盤122、用于顯示圖像的顯示單元123等。使用根據(jù)本發(fā) 明實(shí)施例的顯示裝置作為顯示單元123來制造筆記本個人計算機(jī)。圖13是應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的攝像機(jī)的透視圖。根據(jù)本應(yīng)用實(shí) 例的攝像機(jī)包括主單元131、用于拍攝物體照片的鏡頭132 (鏡頭 位于朝前的側(cè)面上)、拍攝照片時的開始/停止按鈕133、顯示單元 134等。使用才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置作為顯示單元134來制 造攝像機(jī)。圖14A至圖14G是示出應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的便攜式終端裝置 的示圖，例如便攜式電話，圖14A是處于打開狀態(tài)的便攜式電話的 正視圖，圖14B是處于打開狀態(tài)的便攜式電話的側(cè)視圖，圖14C是或其它適宜的透鏡。密封體70由透光性高且阻氣性優(yōu)良的材料形成。作為這種材料，例舉如玻璃。也可以用透明樹脂在玻璃制的密封體的母材即透明的平板材料70A兩面或單面形成透鏡。與第一實(shí)施方式相同，也可以 對密封體70實(shí)施防反射處理。在元件基板20和密封體70之間配置有維持發(fā)光元件14和透鏡72的 距離的襯墊74。該實(shí)施方式中，襯墊74，為與密封體70的母材即透明的 平板材料70A—體形成的凸壁。在此所說的"一體"可以是由相同的材料 形成的，且也可以是如下情況，即，即使襯墊74和平板材料70A由不同 的材料形成，以只要不破壞則不能夠?qū)烧叻蛛x的方式而固定。由于襯墊 74與密封體70 —體形成，從而它們向元件基板20的安裝是容易的。襯墊74通過粘接劑40與元件基板20接合。作為粘接劑40，使用阻 氣性優(yōu)良的粘接劑(例如環(huán)氧樹脂類粘接劑)。在作為密封體70的凸壁的襯墊74上形成有多個密封空洞78。在由元 件基板20及密封體70組裝了發(fā)光裝置的狀態(tài)下，這些密封空洞78由元 件基板20及密封體70密閉。即，由元件基板20及密封體70區(qū)劃出多個 密封空洞78。在襯墊74上，將區(qū)劃相鄰的密封空洞78的部分作為隔壁 82，而示于圖中。在襯墊74中的至少密封空洞78的內(nèi)周面優(yōu)選實(shí)施光吸收處理。例如 可以涂敷鈦、鈦合金、含有鈦或鈦合金的黑色樹脂這樣的黑色材料?；蛘?在襯墊74和平板材料70A由不同的材料形成時，也可以用黑色的樹脂將 襯墊74整體覆蓋。在各密封空洞78上重疊有一個透鏡72，并且在各密封空洞78內(nèi)配置 有與該透鏡72重疊的發(fā)光元件14。在密封空洞78中，配置有吸附水分和 氧氣的至少之一的吸附劑39。借助于吸附劑39可降低發(fā)光元件14的劣化。 另外，在該密封體70中，在母材70A的一面形成有兩個突起66。在突起 66中，形成有用于配置吸附劑39的槽即凹部50。與第二實(shí)施方式相關(guān)聯(lián)， 如上所述，通過設(shè)置凹部50，從而吸附劑30的配置變?nèi)菀?。另外，也?以在密封空洞78內(nèi)填充例如氮?dú)?、氦?八y々厶)、氬氣(:r々rf力、 氤氣(年ir/ 乂)等惰性氣體。通過惰性氣體可降低發(fā)光元件14的劣化。密封體70的透鏡72的每個，使來自與該透鏡72重疊的多個發(fā)光元
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍裝置，包括材料保持部，用于填充蒸鍍材料并加熱所述蒸鍍材料；開口，用于朝向蒸鍍構(gòu)件擴(kuò)散由所述材料保持部蒸發(fā)的所述蒸鍍材料；以及高溫體，設(shè)置在所述材料保持部和所述開口之間，所述高溫體被加熱到比在所述材料保持部中被加熱的所述蒸鍍材料的溫度高的溫度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其中，通過來自所述高溫體的輻射熱局部地加熱填充在 所述材料保持部中的所述蒸4度材料的表面部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其中，以才反形狀形成所述高溫體，以及所述才反形狀的板 表面設(shè)置在與來自所述材料保持部的所述蒸鍍材料的蒸氣的 流 出方向垂直的方向上。
4. 才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸4度裝置，其中，從金屬材料、碳材料和陶瓷中選擇的一種被用作 所述高溫體。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其中，所述蒸鍍材料是有機(jī)材料。
6. —種蒸鍍方法，用于在蒸鍍材料—皮填充在材料保持部中的狀態(tài) 下加熱所述蒸鍍材料、蒸發(fā)所述蒸鍍材料以及將所蒸發(fā)的所述 蒸鍍材料從開口擴(kuò)散到蒸鍍構(gòu)件，所述蒸鍍方法包括以下步驟在所述材料保持部和所述開口之間設(shè)置高溫體；以及當(dāng)執(zhí)行蒸鍍時，將所述高溫體加熱到比在所述材料保持 部中被加熱的所述蒸鍍材料的溫度高的溫度。
7. —種有才幾電致發(fā)光元件，在基才反上具有第一電才及、包括發(fā)光層 的有機(jī)層以及第二電極，態(tài)下加熱所述有機(jī)材料、蒸發(fā)所述有機(jī)材料以及將所蒸發(fā)的所 述有機(jī)材料從開口擴(kuò)散到所述基板的蒸鍍方法，通過蒸鍍形成 所述發(fā)光層，所述蒸鍍方法包括在所述材料保持部和所述開口 之間設(shè)置高溫體，以及將所述高溫體加熱到比在所述材料保持 部中被加熱的所述有機(jī)材料的溫度高的溫度。
8. —種4吏用有才幾電致發(fā)光元件的顯示裝置，所述有才幾電致發(fā)光元 件在基板上具有第一電極、包括發(fā)光層的有機(jī)層以及第二電 極，態(tài)下加熱所述有機(jī)材料、蒸發(fā)所述有機(jī)材料以及將所蒸發(fā)的所 述有4幾材料^人開口擴(kuò)散到所述基板的蒸鍍方法，通過蒸4度形成 所述發(fā)光層，所述蒸鍍方法包括在所述材料保持部和所述開口 之間設(shè)置高溫體，以及將所述高溫體加熱到比在所述材料保持 部中#皮加熱的所述有片幾材料的溫度高的溫度。
9. 一種用于制造顯示裝置的方法，所述方法包括在蒸4度材剩-一皮填 充在材料保持部中的狀態(tài)下加熱所述蒸 渡材料、蒸發(fā)所述蒸鍍 材料以及將所蒸發(fā)的所述蒸鍍材料從開口擴(kuò)散到蒸鍍構(gòu)件的 蒸鍍步驟，其中，高溫體—皮i殳置在所述材料^f呆持部和所述開口之間， 以及當(dāng)執(zhí)行蒸4度時，將所述高溫體加熱到比在所述材料保持部 中被加熱的所述蒸鍍材料的溫度高的溫度。
全文摘要
本發(fā)明公開了蒸鍍裝置、蒸鍍方法、有機(jī)電致發(fā)光元件、顯示裝置及其制造方法，其中，該蒸鍍裝置包括材料保持部，用于填充有蒸鍍材料并加熱蒸鍍材料；開口，用于朝向蒸鍍構(gòu)件擴(kuò)散由材料保持部蒸發(fā)的蒸鍍材料；以及高溫體，設(shè)置在材料保持部和開口之間，高溫體被加熱到比在材料保持部中被加熱的蒸鍍材料的溫度高的溫度。通過來自高溫體的輻射熱加熱表層可使填充在材料保持部中的蒸鍍材料整體保持維持在較低的平均溫度，從而可以抑制材料的劣化。
文檔編號H05B33/12GK101232755SQ20081000420
公開日2008年7月30日 申請日期2008年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月22日
發(fā)明者加納浩志, 植竹猶基, 西塔明 申請人:索尼株式會社