專利名稱：用于向經(jīng)受調(diào)光的光源饋電的系統(tǒng)和相應(yīng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于向光源饋送電力的配置。通過特別關(guān)注于本發(fā)明可能結(jié)合經(jīng)受調(diào)光的鹵素?zé)舻氖褂?，開發(fā)了本發(fā)明。然而，本發(fā)明的應(yīng)用領(lǐng)域決不限于該可能應(yīng)用。
背景技術(shù)：
電子調(diào)光器是用于通過減少或增加饋送到光源的平均功率來調(diào)節(jié)光源(例如， 燈，諸如鹵素?zé)艋蛘甙l(fā)光二極管或LED)的亮度的器件。用于鹵素?zé)舻恼{(diào)光器通常用首字母縮略詞ECG(電子控制裝置)指代。根據(jù)ECG 的操作機(jī)制，ECG可被分為兩個(gè)主要類別后緣調(diào)光器和前緣調(diào)光器。后緣調(diào)光器通過切除波形的下降部分或邊緣期間的正弦波電源電壓來調(diào)節(jié)傳輸 到燈的功率。典型地，這些電路使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)以便于阻斷施加到ECG的 電源電壓。前緣調(diào)光器通過切除電壓電源波形的上升部分或邊緣期間的正弦波電壓來調(diào)節(jié) 功率。由于例如三端雙向可控硅開關(guān)元件或相似部件的點(diǎn)火，因此允許電流流入向光源饋 電的電子變壓器。通常通過改變RC網(wǎng)絡(luò)的時(shí)間常數(shù)而獲得的三端雙向可控硅開關(guān)元件點(diǎn) 火中的延遲確定了遞送到燈的平均功率。較之后緣調(diào)光器，使用前緣調(diào)光器的主要優(yōu)點(diǎn)在于制造成本。用于生產(chǎn)前緣調(diào)光 器的電子部件通常比用于制造后緣調(diào)光器的部件便宜。例如，功率級(用于前緣調(diào)光器的 三端雙向可控硅開關(guān)元件和用于后緣調(diào)光器的IGBT)以及相關(guān)的驅(qū)動(dòng)電路(用于前緣調(diào)光 器的RC網(wǎng)絡(luò)和兩端交流開關(guān)元件、用于后緣調(diào)光器的驅(qū)動(dòng)器模塊或微處理器)使得這一比 較是不言自明的。在用于例如鹵素?zé)舻木哂须娮幼儔浩鞯恼{(diào)光器的使用中出現(xiàn)的問題在于與ECG 的輸入濾波器級的可能的相互作用。在接近所允許的其供電的最小極限的負(fù)載下使用調(diào)光 器時(shí)(即，光源被調(diào)得很暗而使其產(chǎn)生非常低的照明功率時(shí))，情況尤其如此。ECG的輸入 濾波器的用意在于確保符合電磁兼容性(EMC)要求以及由諸如EN 55015規(guī)范的規(guī)章和規(guī) 范設(shè)定的限制。該輸入濾波器中的電容器和電感器可能在電子調(diào)光器的切換階段期間與調(diào) 光器(前緣和后緣調(diào)光器兩種)的功率級諧振。施加到ECG的電壓的振蕩產(chǎn)生了噪聲、嗡 嗡聲，并且在最壞情況中，產(chǎn)生了燈光的閃光或閃爍。對于前緣調(diào)光器，考慮到其內(nèi)部結(jié)構(gòu)， 該問題是特別煩人的，并且在前緣調(diào)光器與ECG的低輸出負(fù)載一起使用時(shí)變得特別明顯。本申請人已注意到迄今為止提出了嘗試消除前文中概述的缺陷的許多解決方案。 這些解決方案可以與兩種基本方法相關(guān)。
一種方法基于如下概念，適當(dāng)?shù)卮_定輸入濾波器的大小，以便于在確保利用前緣 調(diào)光器的ECG操作的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)EMC測試中的良好行為。該方法典型地牽涉在輸入濾波器 中包括具有高的電感值的電感器以及具有盡可能低的電容值的電容器。另一方法是添加RC “減振器”(即，阻尼濾波器)，其被確定大小，以給出EMC測試中的良好結(jié)果。該“減振器”通常包括電容器和電阻器，它們被確定大小，以便于阻尼施加到 作為基本元件包括在ECG中的自振蕩半橋的電壓中的振蕩。減振器的電容器具有高的值， 并且被選擇為高電壓電容器(例如，具有數(shù)百納法的電容，在240Vrms的AC電源電壓下具 有最小400V的額定電壓的電容器)。相似地，需要功率電阻器，以便于能夠管理由減振器過 濾的電流。US-B-7 154 230公開了一種用于對至少一個(gè)燈調(diào)光的電路配置，包括連接到調(diào)光 器件的輸出的濾波器。該濾波器具有至少一個(gè)電容器和用于耦合到電子鎮(zhèn)流器的輸出。輸 入阻抗修改器件連接到濾波器器件，以便于修改濾波器輸入處的有效的輸入阻抗。

發(fā)明內(nèi)容
本申請人已觀察到，迄今為止為了獲得例如前緣調(diào)光器和ECG的正確操作而開發(fā) 的解決方案受到許多缺陷的困擾。這些缺陷包括需要具有高的值的電感器；這些電感器生 產(chǎn)起來是昂貴的并且在其安裝的電路板(印刷電路板或PCB)的上面占用很大的空間。這 同樣適用于那些使用傳統(tǒng)的RC減振器的配置中的高值的和高電壓的電容器或者功率電阻本申請人已注意到，便宜的前緣調(diào)光器的使用可能與提供不與調(diào)光器諧振的輸入濾波器所牽涉的較高的成本相抵觸。這些成本主要涉及輸入濾波器骨架(bobbin)的磁部 件。磁部件(鐵氧體、磁粉芯、銅等)的成本近來年穩(wěn)步增加，對電子變壓器的整體成本有 不利的影響。此外，如US-B-7 154 230中公開的輸入阻抗修改器件是相當(dāng)復(fù)雜的，并且在任何 情況中，僅對輸入或者饋送到配置中的供電電壓敏感?？紤]到前述內(nèi)容，需要改進(jìn)的配置，其可以在不使ECG輸入濾波器的EMC性能折衷 的情況下，允許有效地使用具有電子變壓器的前緣調(diào)光器，同時(shí)不需要可能是昂貴的以及 在其安裝的PCB上占用過度的空間的部件。本發(fā)明的目的在于提供一種滿足該需要的配置。根據(jù)本發(fā)明，借助于一種具有所附權(quán)利要求中闡述的特征的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了該目的。 本發(fā)明還涉及一種相應(yīng)的系統(tǒng)。權(quán)利要求是此處提供的本發(fā)明的公開內(nèi)容的不可分割的部 分。本發(fā)明的實(shí)施例的基本思想是與ECG的輸出負(fù)載相關(guān)地(例如作為其函數(shù))動(dòng)態(tài) 改變輸入濾波器的電氣行為。本發(fā)明的實(shí)施例允許通過使更便宜和更緊湊的輸入濾波器的 成本最優(yōu)化，高效地使用具有電子變壓器的前緣調(diào)光器。在實(shí)施例中，輸入濾波器可被設(shè)計(jì) 為通過使用具有較高的值的電容器，同時(shí)還減小骨架的電感值(并且因此減小成本)，來滿 足EMC要求。由于可以使電感作為部件是更加緊湊的，因此關(guān)于電感的較低的成本兼有空 間方面的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的實(shí)施例包括雙向開關(guān)和驅(qū)動(dòng)它以便于使能/禁止與輸入濾波器中 的電容器串聯(lián)連接的電阻的控制電路。各種選擇可用于制造該控制電路，以便于產(chǎn)生根據(jù) 輸出負(fù)載條件來操作開關(guān)(接通/斷開)的信號。因此該開關(guān)在與輸出負(fù)載相關(guān)的信號的 作用下被控制，可以通過感測取決于負(fù)載的任何參數(shù)(例如，電流和/或電壓)來獲得該信 號。


現(xiàn)將參照附圖僅借助于示例描述本發(fā)明，在附圖中圖1是用于對光源調(diào)光的電路配置的示意性示圖；圖2是圖1中示出的配置的可能的實(shí)施例的更詳細(xì)的示圖；以及圖3是圖2中示出的配置的簡化版本的示圖。
具體實(shí)施例方式圖1是用于對從諸如例如240Vrms電源電壓的電源電壓Vm啟動(dòng)的諸如鹵素?zé)鬖的光源饋電的配置的示意性示圖。在所示出的示例性實(shí)施例中，經(jīng)由自振蕩半橋10對光源L饋電。自振蕩半橋10 構(gòu)成了用于為光源L供電(即饋送電力)的ECG(電子控制裝置)的核心。經(jīng)由調(diào)光器12有選擇地控制饋送到光源L的功率(并且因此，控制光源L的亮 度)。在實(shí)施例中，調(diào)光器12具有如本說明書中介紹性部分中討論的前緣類型。調(diào)光器12的輸出經(jīng)由輸入濾波器14連接到自振蕩半橋配置10的輸入。在所示 出的示例性實(shí)施例中，輸入濾波器是所謂的“Π”(希臘字母Pi)濾波器構(gòu)型，其包括第一電 容器Cl和第二電容器C2，它們構(gòu)成pi構(gòu)型的“腿”。電感器Ll與全波整流器R —起構(gòu)成 Pi構(gòu)型的頂部分。剛剛描述的構(gòu)型是本領(lǐng)域中的傳統(tǒng)構(gòu)型，并且在此背景下(除下面詳細(xì)描述的部 分之外)不需要進(jìn)一步地詳細(xì)描述。這同樣適用于向光源L饋電的自振蕩半橋配置10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。盡管圖2和3的示圖示出了該半橋10的部件的示例性配置，但是所示出的構(gòu)造決 不是強(qiáng)制性的。在此處示出的示例性實(shí)施例的框架內(nèi)，可以使用關(guān)于橋配置的任何其他構(gòu)造。示例性自振蕩半橋10被示出為包括輸出端口或連接點(diǎn)，從該輸出端口或連接點(diǎn) 可以得到線路16上的(電壓和/或電流)信號Vr。信號Vr表示半橋10的輸出處的負(fù)載 (這基本上是光源L提供的負(fù)載)。信號Vr將使得可以區(qū)別“標(biāo)稱”負(fù)載情況和“低”負(fù)載條件。如下文中更詳細(xì)描 述的，將通過配置的特定操作條件來指定識別“低負(fù)載”條件的閾值的值。在此處示出的示例性實(shí)施例中，具有與其關(guān)聯(lián)的雙向開關(guān)Sl的電阻器Rl與電容 器C2串聯(lián)連接。開關(guān)Sl本身又由控制電路(信號模塊)SB控制，線路16上存在的負(fù)載敏 感信號Vr被饋送到該控制電路SB。此處示出的配置的操作的基本原理如下。對于標(biāo)稱輸出負(fù)載(“高負(fù)載”)，雙向開關(guān)Sl接通(S卩，閉合)從而使電阻器Rl 是短路的。因此根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的希臘字母Pi構(gòu)型來構(gòu)造輸入濾波器14。相反地，當(dāng)線路16上的信號Vr指明低輸出負(fù)載(“低負(fù)載”)時(shí)，開關(guān)Sl斷開 (即，打開)從而使電阻器Rl與電容器C2串聯(lián)連接，以提供“減振器”操作。以如下方式確定輸入濾波器14(即電容器Cl、C2和電感器Li)的大小，即對于預(yù) 期用于低電壓鹵素?zé)舻腅CG，符合諸如EN 55015的EMC規(guī)范。因此，通過使開關(guān)Sl閉合以 短接電阻器R1，輸入濾波器提供最大EMC過濾性能。
在存在低負(fù)載條件的情況中，ECG產(chǎn)生的噪聲減少。同時(shí)，低負(fù)載條件結(jié)果成為關(guān)于具有ECG的調(diào)光器的正確操作的最壞情況條件。此處公開的示例性配置基于如下認(rèn)識，在低輸出負(fù)載下，ECG產(chǎn)生的噪聲減少，從 而使輸入濾波器最終是過大。低輸出負(fù)載條件中產(chǎn)生的較低的EMC噪聲允許斷開開關(guān)Si， 因此使電阻器Rl與電容器C2耦合(即串聯(lián)連接)。盡管該步驟降低了輸入濾波器在EMC噪 聲過濾方面的性能，但是因此創(chuàng)建的RC減振器有利地確保具有ECG的調(diào)光器的正確功用。 此外，因此創(chuàng)建的減振器電路包括輸入濾波器的電容器C2，由此未增加整體電路復(fù)雜性。在所示出的示例性實(shí)施例中，用于驅(qū)動(dòng)開關(guān)Sl的信號與在線路16上感測的ECG 的輸出負(fù)載成正比例。在全負(fù)載下，信號模塊SB的輸出是例如高的，因此閉合開關(guān)Sl以使電阻器Rl短 路。當(dāng)負(fù)載減小到關(guān)于調(diào)光器的臨界值時(shí)，信號模塊SB的輸出是低的，從而使開關(guān)Sl打開 并且電阻器Rl與電容器C2耦合。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將迅速地認(rèn)識到，諸如示例性配置不是強(qiáng)制性的，因?yàn)榭梢栽O(shè) 計(jì)其他電路配置來確保(僅)在低負(fù)載條件下將電阻器Rl耦合到電容器C2以提供減振器作用。在實(shí)施例中，開關(guān)Sl被實(shí)現(xiàn)為電子開關(guān)。因此開關(guān)Sl在“斷開”(S卩“打開”)時(shí) 阻擋電容器C2過濾的電流，而在“接通”(即“閉合”)時(shí)承載(即傳導(dǎo))C2過濾的電流。在 實(shí)施例中，開關(guān)Sl是能夠承受C2過濾的電流的雙向開關(guān)。在實(shí)施例中，電阻器Rl的大小 被確定為，當(dāng)Sl斷開時(shí)，其可以適當(dāng)?shù)毓芾砹鹘?jīng)電容器C2的電流以便于獲得阻尼因素，該 阻尼因素消除了施加到電容器C2的電壓的振蕩。在實(shí)施例中，電阻器Rl的電阻值的范圍是...，電容器C2的電容值的范圍是...。在圖2中示出的示例性實(shí)施例中，通過使用并聯(lián)連接的P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體 場效應(yīng)晶體管(MOSraT) 100和N溝道MOSFET 102來實(shí)現(xiàn)開關(guān)Si，各晶體管100、102具有串 聯(lián)的二極管100a、102a以確保當(dāng)關(guān)聯(lián)的晶體管100、102關(guān)斷時(shí)電流將不會(huì)流經(jīng)它們的體二極管。以如下方式選擇MOSFET 100、102和二極管100a、102a，即在“導(dǎo)通”時(shí)能夠維持電 容器C2過濾的電流，并且在“關(guān)斷”時(shí)能夠承受跨越電阻器Rl的電壓。在所示出的示例性實(shí)施例中，線路16上的負(fù)載敏感信號Vr被傳遞通過電容器C5 以過濾其上可能存在的波紋，并且隨后被饋送到包括兩個(gè)電阻器R3和R4的分壓器。分壓器R3、R4產(chǎn)生與ECG上的負(fù)載成比例的電壓信號，其基本上由ECG的輸出處 的去耦電容器之間的電壓的交流部分表示(參見圖2和3中的線路16的起點(diǎn))。這兩個(gè)去 耦電容器之間的電壓的峰值實(shí)際上直接與輸出負(fù)載相關(guān)。在所示出的示例性實(shí)施例中，電路SB包括兩個(gè)峰檢測器，兩個(gè)峰檢測器分別包括 與齊納二極管108、110和RC積分網(wǎng)絡(luò)112、114串聯(lián)的二極管104、106。在因此形成的兩個(gè)峰檢測器中，當(dāng)輸入信號足夠低時(shí)，驅(qū)動(dòng)P-MOSFET 100的峰檢 測器104、108和112給出負(fù)輸出。相反地，當(dāng)輸入信號足夠高時(shí)，驅(qū)動(dòng)N-MOSFET 102的峰 檢測器106、110和114給出正輸出。由于輸入信號基本上是正弦電壓，因此P-MOSFET 100和N-M0SFET 102同時(shí)導(dǎo)通。在所示出的示例性配置中，可以通過結(jié)合二極管108和110的齊納電壓選擇分壓器中的電阻器R3和R4的值，(根據(jù)預(yù)期應(yīng)用)來限定開關(guān)MOSFET100和102的電壓電平。在實(shí)施例中，所討論的閾值電平被選擇為，使得在低輸出負(fù)載的操作期間，兩個(gè) MOSFET 100和102被關(guān)斷，從而使包括電阻器Rl的輸入濾波器14提供足夠的阻尼作用，以 消除可能導(dǎo)致光源的閃爍的ECG中的振蕩。圖3的示圖(將認(rèn)識到，在圖1至3中相同或等同的元件由相同的附圖標(biāo)記表示) 描繪了此處的配置的簡化的實(shí)施例，其中省略了圖2中示出的許多部件。在圖3的示例性簡化實(shí)施例中，P-MOSFET和關(guān)聯(lián)的負(fù)峰檢測器被省略。雙向開關(guān) Sl基本上包括單獨(dú)的N-MOSFET 102。在這些條件下，雙向開關(guān)Sl不再是理想的雙向開關(guān)， 而是如下的開關(guān)，其中在圖3的配置中，圖2中的P-MOSFET 100的任務(wù)由N-MOSFET 102的 體二極管承擔(dān)。電容器C2過濾的電流Ic具有略微高于負(fù)分量的正分量。因此，通過僅阻尼電流Ic的正分量仍確保了此處描述的配置的完全令人滿意的操作，以便于消除調(diào)光操作期間的 輸入濾波器14的振蕩。當(dāng)N-MOSFET 102關(guān)斷時(shí)，電流的負(fù)部分流經(jīng)MOSFET 102的體二極管并且未流經(jīng)電阻器R1。該電流盡管未被阻尼，仍不能引發(fā)輸入濾波器中的非期望的振蕩。在圖3中，附圖標(biāo)記116和118指示針對其中示出的布局的兩個(gè)可能的有利添加 物(以虛線示出)具體地，附圖標(biāo)記116表示二極管，其可以與N-MOSFET 102并聯(lián)地添加，從而僅在 二極管116的順向二極管電壓低于MOSFET 102的體二極管的順向二極管電壓的情況下，電 容器C2過濾的電流I。的負(fù)分量將流經(jīng)二極管118。附圖標(biāo)記118表示另一二極管，其可以與MOSFET 102串聯(lián)地添加。二極管118的 目的在于防止電流I。的負(fù)分量流經(jīng)MOSFET 102的體二極管。此處示出的示例性實(shí)施例提供了開關(guān)Si，當(dāng)進(jìn)入或退出“低負(fù)載”條件時(shí)，該開關(guān) Sl在指示負(fù)載達(dá)到給定閾值水平的單個(gè)給定信號電平下切換。有利地，通過確保引起Sl關(guān)斷的負(fù)載水平低于引起開關(guān)Sl接通的負(fù)載水平，可以使開關(guān)Si具有滯后行為。該配置的優(yōu)點(diǎn)在于，其消除了器件操作中的任何非期望的準(zhǔn)穩(wěn)定 分歧。另一實(shí)施例可以提供第一低負(fù)載水平和第二高負(fù)載水平之間的開關(guān)Sl的線性控 制。在低于低負(fù)載水平的情況下，開關(guān)Sl將完全關(guān)斷以確保充分的減振器操作。在高于高 負(fù)載水平的情況下，開關(guān)Sl將完全接通以確保充分的EMC噪聲過濾。在低和高負(fù)載水平之 間，開關(guān)Sl將根據(jù)負(fù)載水平、類似與電阻器Rl并聯(lián)的可控電阻器而或多或少地操作(這可 以例如通過如下操作來實(shí)現(xiàn)，利用可以從完全打開到完全閉合逐漸變化的占空比，在“斷續(xù) 器”模式中致動(dòng)開關(guān)Si)。在存在逐漸減小的負(fù)載的情況中，將因此存在如下可能性，電阻 器Rl逐漸連接到電容器C2，因此提供了減振器配置的逐漸激活，同時(shí)逐漸減弱輸入濾波器 的EMC噪聲過濾作用并且逐漸增大抵制ECG配置中的可能的非期望的振蕩的作用。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易地從前面描述的示例性的“接通_關(guān)斷”單閾值配置 實(shí)現(xiàn)剛剛描述的滯后類的操作和線性操作。因此，在不偏離如所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的前提下，在不損害本發(fā)明 的基本原理的情況下，細(xì)節(jié)和實(shí)施例可以相對于此處純粹借助示例描述和/或示出的內(nèi)容變化，甚至明顯 地變化。
權(quán)利要求
一種用于經(jīng)由具有用于連接到調(diào)光器(12)的輸入濾波器(14)的橋配置(10)向光源(L)饋送電力的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括電阻器(R1)，能夠耦合到所述輸入濾波器(14)以形成減振器電路，用以防止所述輸入濾波器(14)和所述橋配置(10)的振蕩，所述系統(tǒng)包括開關(guān)(S1)，對所述橋配置(10)上的負(fù)載敏感(16、SB)，用以當(dāng)所述橋配置(10)上的負(fù)載低于給定閾值時(shí)，有選擇地將所述電阻器(R1)耦合到所述輸入濾波器(14)。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，包括如下配置的所述開關(guān)(Si):當(dāng)所述橋配置(10)上的 所述負(fù)載高于相應(yīng)閾值時(shí)，所述開關(guān)(Si)使所述電阻器(Rl)與所述輸入電路濾波器(14) 斷開連接。
3.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，包括如下配置的所述開關(guān)(Si):當(dāng)所述橋配置(10)上的 負(fù)載分別低于和高于所述給定閾值時(shí)，所述開關(guān)(Si)使所述電阻器(Rl)耦合到所述輸入 濾波器(14)和與所述輸入濾波器(14)斷開連接。
4.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，包括如下配置的所述開關(guān)(Si):當(dāng)所述橋配置(10)上的 負(fù)載低于第一閾值時(shí)，所述開關(guān)(Si)將所述電阻器(Rl)耦合到所述輸入濾波器(14)，以及 當(dāng)所述橋配置(10)上的負(fù)載高于第二閾值時(shí)，所述開關(guān)(Si)使所述電阻器(Rl)與所述輸 入濾波器(14)斷開連接，其中，所述第二閾值高于所述第一閾值。
5.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，包括如下配置的所述開關(guān)(Si):當(dāng)所述橋配置(10)上的 負(fù)載位于所述第一閾值和第二閾值之間時(shí)，所述開關(guān)(Si)將所述電阻器(Rl)部分地耦合 到所述輸入濾波器(14)。
6.如前面任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中，所述輸入濾波器(14)具有包括輸出電容器 (C2)的希臘字母pi的構(gòu)型，以及其中，所述電阻器(Rl)能夠經(jīng)由所述開關(guān)有選擇地耦合到 所述輸出電容器(C2)。
7.如前面任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，包括用以將所述電阻器(1)串聯(lián)連接到所述輸出 電容器(C2)的所述開關(guān)(Si)。
8.如前面任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中，所述開關(guān)(Si)是電子開關(guān)。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，所述開關(guān)(Si)是雙極型開關(guān)。
10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述開關(guān)(Si)包括兩個(gè)相反極性的晶體管(100、 102)。
11.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述開關(guān)(Si)包括單個(gè)晶體管(102)，該單個(gè)晶 體管(102)包括體二極管，其中，所述開關(guān)的雙極性質(zhì)由所述晶體管(102)及其體二極管提{共。
12.如前面任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，包括用于所述開關(guān)(Si)的控制電路(SB)，所 述控制電路具有對表示所述橋配置(10)上的負(fù)載的信號(16)敏感的至少一個(gè)閾值檢測器 (104、108、112 ；106、110、114)。
13.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)閾值檢測器(104、108、112;106、 110,114)包括齊納二極管(108、110)，其中，所述齊納二極管(108、110)的齊納電壓限定關(guān) 于所述開關(guān)(Si)的切換點(diǎn)。
14.如前面任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，包括用于所述開關(guān)(Si)的控制電路(SB)，所述 控制電路(SB)耦合到對所述橋配置(10)上的負(fù)載敏感的分壓器(R3、R4)，其中，所述分壓 器(R3、R4)的劃分點(diǎn)限定關(guān)于所述開關(guān)(Si)的切換點(diǎn)。
15.如前面任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其中，所述調(diào)光器是前緣調(diào)光器(12)。
16.一種用于經(jīng)由具有用于連接到調(diào)光器(12)的輸入濾波器(14)的橋配置(10)向光源(L)饋送電力的方法，其中，提供電阻器(Rl)，所述電阻器(Rl)能夠耦合到所述輸入濾波 器(14)以形成減振器電路，用以防止所述輸入濾波器(14)和所述橋配置(10)的振蕩，所 述方法包括如下步驟感測所述橋配置(10)上的負(fù)載，以及當(dāng)所述橋配置(10)上的負(fù)載低 于給定閾值時(shí)，有選擇地(Si)將所述電阻器(Rl)耦合到所述輸入濾波器(14)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，包括如下步驟當(dāng)所述橋配置(10)上的所述負(fù)載高于 相應(yīng)閾值時(shí)，使所述電阻器(Rl)與所述輸入電路濾波器(14)斷開連接。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，包括如下步驟當(dāng)所述橋配置(10)上的負(fù)載分別低于 和高于所述給定閾值時(shí)，使所述電阻器(Rl)耦合到所述輸入濾波器(14)和與所述輸入濾 波器(14)斷開連接。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，包括如下步驟當(dāng)所述橋配置(10)上的負(fù)載低于第一 閾值時(shí)，將所述電阻器(Rl)耦合到所述輸入濾波器(14)，以及當(dāng)所述橋配置(10)上的負(fù)載 高于第二閾值時(shí)，使所述電阻器(Rl)與所述輸入濾波器(14)斷開連接，其中，所述第二閾 值高于所述第一閾值。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，包括如下步驟當(dāng)所述橋配置(10)上的負(fù)載位于所述 第一閾值和第二閾值之間時(shí)，將所述電阻器(Rl)部分地耦合到所述輸入濾波器(14)。
全文摘要
一種用于經(jīng)由具有用于連接到調(diào)光器(12)的輸入濾波器(14)的橋配置(10)向諸如鹵素?zé)?L)的光源(L)饋電的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括電阻器(R1)，用于耦合到輸入濾波器(14)以便于形成減振器電路，以便于防止所述輸入濾波器(14)和橋配置(10)的振蕩。該系統(tǒng)包括開關(guān)(S1)，其對橋配置(10)上的負(fù)載敏感(16、SB)，用以當(dāng)橋配置(10)上的負(fù)載低于給定閾值時(shí)，有選擇地將電阻器(R1)耦合到輸入濾波器(14)。
文檔編號H05B41/392GK101843177SQ200780101396
公開日2010年9月22日 申請日期2007年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月31日
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