專利名稱：狹口閥的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及用于處理襯底的工藝腔室，更尤其涉及用于保護(hù)狹口閥密 封構(gòu)件不由于工藝腔室中的條件而退化。
背景技術(shù)：
用于在襯底上的制造集成電路(ic)的處理系統(tǒng)主要包括用于執(zhí)行在襯底 的各種工藝以形成構(gòu)成IC的各種特征和結(jié)構(gòu)的工藝腔室。
工藝腔室主要包括狹口閥，用于在處理期間選擇性地密封腔室，同時(shí)促進(jìn) 襯底進(jìn)出工藝腔室。狹口閥主要包括具有通常稱之為狹口闊開口的狹長開口的 外殼，用于提供到腔室的物理入口。例如，狹口閥開口可用于在工藝腔室和耦
接到工藝腔室的傳送腔室之間傳送襯底。狹n閥進(jìn)一步包括門和當(dāng)門處于關(guān)閉 位置時(shí)提供密封的可壓縮密封構(gòu)件。可壓縮密封構(gòu)件一般保持在工藝腔室中的 氣密密封(以防止泄露到或泄露出腔室，以有利于保持腔室內(nèi)部的非大氣壓條 件等等)。
然而，典型地采用以在這些工藝腔室中制造ic的許多工藝(諸如化學(xué)氣
相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、蝕刻工藝等等)通常導(dǎo)致工藝腔室
中的揮發(fā)性和腐蝕性氣體。這些腐蝕氣體可侵蝕狹口闊的可壓縮密封構(gòu)件。所 述侵蝕可導(dǎo)致密封構(gòu)件的退化，從而導(dǎo)致顆粒形成(其可污染襯底)和/或密 封構(gòu)件的失效(其可導(dǎo)致工藝氣體的泄露或工藝腔室內(nèi)的工藝條件的穩(wěn)定性)。 可選地，可頻繁地替換密封構(gòu)件(和/或狹口閥及其組件)以防止隨時(shí)間的以 上所提及的退化，從而造成增加的停工期和維護(hù)成本和較低的工藝產(chǎn)量。
因此，需要一種狹口閥，其能減少可壓縮密封構(gòu)件暴露于工藝腔室中存在 的氣體的時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
在此提供一種用于工藝腔室具有改進(jìn)的密封性能的闊組件的實(shí)施方式。在一些實(shí)施方式中，用于工藝腔室的閥組件包括外殼，具有設(shè)置在其壁中的開 口并且通過該開口可傳送襯底；門，在基本平行于外殼的壁的平面中可移動(dòng)地 耦接到外殼，用于選擇性地密封開口；可壓縮密封構(gòu)件，至少部分設(shè)置在門的 上表面上和外殼的相應(yīng)表面之間，用于當(dāng)門位于關(guān)閉位置時(shí)在基本垂直于壁的 方向上通過可壓縮密封構(gòu)件的壓縮而在二者之間形成密封；以及機(jī)械裝置，用 于限制可壓縮密封構(gòu)件對(duì)在外殼的工藝腔室側(cè)的環(huán)境的暴露。
在一些實(shí)施方式中，襯底處理系統(tǒng)包括具有在其側(cè)壁中形成的開口的工藝 腔室；以及閥組件，接近所述開口設(shè)置用于選擇性密封所述開口，該閥組件包 含外殼，具有設(shè)置在其壁中的開口并且通過該開口傳送襯底；門，在基本平 行于外殼的壁的平面中可移動(dòng)地耦接到外殼，用于選擇性地密封開口；可壓縮 密封構(gòu)件，至少部分設(shè)置在門的上表面上和外殼的相應(yīng)表面之間當(dāng)門位于關(guān)閉 位置時(shí)在基本垂直于所述壁的方向上通過可壓縮密封構(gòu)件的壓縮而在門的上 表面和外殼的相應(yīng)表面之間形成密封；以及機(jī)械裝置，用于限制到外殼的工藝 腔室側(cè)上的環(huán)境的可壓縮密封構(gòu)件的暴露。
在木發(fā)明的另一方案中，提供-一種制造閥組件的方法'在一些實(shí)施方式中-制造閥組件的方法包括提供具有外殼、門和可壓縮密封構(gòu)件的閥組件，該外殼 具有在其壁中形成的開口，該門在基本平行于所述壁的方向上可移動(dòng)耦接到所 述外殼，當(dāng)門位于關(guān)閉位置時(shí)所述可壓縮密封構(gòu)件在所述門和所述外殼之間形 成密封；以及提供到所述閥組件的歧管，所述歧管具有入口和多個(gè)氣孔，配置 該氣孔以當(dāng)所述門位于關(guān)閉位置時(shí)流動(dòng)性耦接到所述歧管和所述可壓縮密封 構(gòu)件附近的區(qū)域，從而傳輸?shù)剿銎绻艿膲嚎s氣體至少部分形成氣幕，當(dāng)所述 門位于關(guān)閉位置時(shí)該氣幕撞擊到所述可壓縮密封構(gòu)件上或者流到所述可壓縮 密封構(gòu)件附近。


為了能詳細(xì)理解本發(fā)明的以上概述特征，將參照部分在附圖中示出的實(shí)施 方式對(duì)以上的簡要概述和以下的其它描述進(jìn)行本發(fā)明的更詳細(xì)描述。然而，應(yīng) 該注意到附圖僅示出了本發(fā)明的典型實(shí)施方式，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明范圍 的限定，因?yàn)楸景l(fā)明可承認(rèn)其它等效的實(shí)施方式。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)的簡要視圖；圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的閥組件的透視圖； 圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的閥組件的前視圖； 圖2C示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的閥組件的側(cè)視圖； 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的閥組件的側(cè)視圖； 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的閥組件的側(cè)視圖； 圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的閥組件的截面前視圖。 在此盡可能使用相同的附圖標(biāo)記表示附圖中共有的相同元件。為了示意性 目的，簡化在附圖中使用的圖像，并且沒有必要按比例描述。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種適合在工藝腔室中使用的狹口閥，諸如在半導(dǎo)體處理裝置 中，其中該狹口閥可暴露于由于例如腐蝕性氣體導(dǎo)致的損壞環(huán)境中。狹口閥一 般包含具有外殼、門、可壓縮密封構(gòu)件和用于保護(hù)可壓縮密封構(gòu)件的閥組件。 外殼包括設(shè)置在其壁中的開口，以有助于穿過外殼傳送襯底，例如從一個(gè)腔室 到另一個(gè)腔室。外殼進(jìn)一步包括設(shè)置在開口上方并基本垂直于壁形成的密封表 面。門在基本平行于外殼的壁的平面中可移動(dòng)耦接到外殼，并用于選擇性密封 開口?？蓧嚎s密封構(gòu)件設(shè)置在門的上表面上，用于嚙合外殼的密封表面并當(dāng)門 位于關(guān)閉位置時(shí)在其中形成密封。
機(jī)械裝置限制可壓縮密封構(gòu)件到外殼的工藝腔室側(cè)的環(huán)境的暴露。在一些 實(shí)施方式中，外殼可包括歧管，該歧管在接近具有從歧管延伸到外殼的外表面 的多個(gè)氣孔的密封表面的外殼中形成。當(dāng)門位于關(guān)閉位置時(shí)，多個(gè)氣孔有助于 壓縮氣體撞擊到可壓縮密封構(gòu)件上，從而形成限制其它工藝氣體接觸可壓縮密 封構(gòu)件的氣幕?？蛇x地或者結(jié)合，外殼可包括物理阻擋層。當(dāng)門位于關(guān)閉位置 時(shí)，物理阻擋層可充分接近可壓縮密封構(gòu)件設(shè)置以限定在二者之間的小間隙。 物理阻擋層保護(hù)可壓縮密封構(gòu)件不直接暴露于可能存在于工藝腔室中的工藝 氣體。
雖然在此描述了在半導(dǎo)體處理裝置中使用，但是在此公開的狹口閥組件可 用于需要的任何腔室中，以防止腔室內(nèi)的腐蝕性環(huán)境侵蝕狹口閥組件的密封。
例如，圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的示例性襯底處理系統(tǒng)100的簡 要視圖。在一些實(shí)施方式中，襯底處理系統(tǒng)100可為真空處理系統(tǒng)，諸如半導(dǎo)體處理裝置。襯底處理系統(tǒng)100可包括具有設(shè)置在其中的襯底支架118的工藝
腔室104。為了簡潔，省略典型地存在于多個(gè)工藝腔室的額外的組件(諸如工 藝氣體入口、排氣管、控制器、RF發(fā)生器或其它等離子體源等等)。
隨著襯底移動(dòng)經(jīng)過所需制造順序，襯底典型地傳送進(jìn)出工藝腔室104。例 如，傳送腔室102可耦接到工藝腔室104以有助于放置襯底到襯底支架118 上或者有助于從襯底支架118移除襯底。開口 106設(shè)置在傳送腔室102和工藝 腔室104的各個(gè)鄰近的壁中以有助于襯底傳送進(jìn)出工藝腔室104。閥組件108 鄰近開口 106設(shè)置以有助于選擇性密封開口 106。
閥組件108包括可移動(dòng)以選擇性密封腔室104的門110。門110在一般平 行于開口 106的平面的方向上可移動(dòng)。致動(dòng)器112，諸如氣動(dòng)致動(dòng)器、液壓致 動(dòng)器、發(fā)動(dòng)機(jī)等等經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)柱112耦接到門110。從而致動(dòng)器112的操 作控制選擇的開口和門IIO的關(guān)閉。
圖2A、圖2B、圖2C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的閥組件108 的透視圖、前視圖和側(cè)視圖。閥組件108—般包括具有開口、門、可壓縮密封 構(gòu)件的外殼和以保護(hù)可壓縮密封構(gòu)件的機(jī)械裝置，例如.如圖2A所示.閥組 件108可包括具有設(shè)置在其壁203中的開口 204的外殼202。開口 204設(shè)計(jì)尺 寸以有助于穿過其中傳送襯底。外殼202可由諸如鋁的任何適宜的材料制造， 并且可包括一個(gè)或多個(gè)在其上形成的密封表面以有助于由以下所述的可壓縮 密封構(gòu)件形成密封。在圖2A-C中所述的實(shí)施方式中，外殼202可具有設(shè)置在 開口 204上方的上密封表面207A和設(shè)置在開口 204下面的下密封表面207B。 上密封表面207A和下密封表面207B可基本垂直于壁203形成。
如圖2C所示，閥組件108進(jìn)一歩包括門206。在基本平行于外殼202的 壁203的平面中，門206可移動(dòng)耦接到接近開口 204的外殼202并用于(通過 可壓縮密封構(gòu)件)選擇性密封開口 204。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，開關(guān)門 206只通過線性移動(dòng)完成。門206可由與適宜于外殼202的以上所述的相同材 料制造。
門206 —般具有與在外殼中設(shè)置的密封表面(諸如在外殼202中密封表面 207A、 207B)相接的相應(yīng)的表面。在圖2A-C中所描述的實(shí)施方式中，以及由 在圖2C中特別示出的，門206可包括配置與上密封表面207A相接的第一表 面209A和配置與下密封表面207B相接的第二表面209B。在一些實(shí)施方式中，為了有助于牢固密封，在外殼202上的上密封表面207A和下密封表面207B 及在門206上的第一表面209A和第二表面209B可基本垂直于門206的移動(dòng) 方向設(shè)置，和/或上密封表面207A和下密封表面207B及第一表面209A和第 二表面209B和基本彼此平行設(shè)置。
可壓縮密封構(gòu)件可設(shè)置在門206和外殼202之間(例如，在上密封表面 207A和下密封表面207B與第一表面209A和第二表面209B之間)以有助于 當(dāng)門206位于關(guān)閉位置時(shí)在二者之間形成密封。在圖2A-C中所描述及在圖2C 中具體示出的實(shí)施方式中，上密封208A (諸如O-環(huán)，墊圈等等)可設(shè)置在門 206的第一表面209A上以及下密封208B可設(shè)置在門206的第二表面209B上， 用于當(dāng)門206位于關(guān)閉位置時(shí)嚙合外殼202的密封表面207A、 207B。可選地， 一個(gè)或多個(gè)密封208A、 208B可設(shè)置在外殼202的各個(gè)密封表面207A、 207B 上。 一般認(rèn)為單獨(dú)的密封元件可沿著所需表面設(shè)置(例如，門206的第一和第 二表面209A、 209B或者外殼202的密封表面207A、 207B)以提供在此所述 的密封性能。
可壓縮密封構(gòu)件G列如，密封208A、 可由在使用(例如.在T藝
壓力下可壓縮和能形成所需密封)期間功能上適宜于提供所需密封屬性的任何 工藝兼容的材料(例如，與工藝溫度、壓力、工藝氣體等等兼容)制造。例如， 可壓縮密封構(gòu)件可由彈性材料諸如全氟彈性材料形成，或者更具體地由 Che腿z⑧E-38、 513、和520材料，Kalrez KLR 9100和Sahara 8575、 8475、 8375和8385材料等形成。
閥組件108進(jìn)一歩包括一個(gè)或多個(gè)機(jī)械裝置以保護(hù)可壓縮密封構(gòu)件。通過 限定可壓縮密封構(gòu)件暴露于工藝腔室內(nèi)的工藝環(huán)境，該工藝環(huán)境可包含腐蝕性 氣體和/或來自等離子體的反應(yīng)性物質(zhì)，機(jī)械裝置可保護(hù)可壓縮密封構(gòu)件。
在一些實(shí)施方式中，可提供惰性氣體的氣幕或薄層(blanket)以防止或限 制工藝腔室內(nèi)的任何腐蝕性元素接觸可壓縮密封構(gòu)件。例如，在圖2A-C的實(shí) 施方式中，外殼202可進(jìn)一步包括設(shè)置在其中并具有沿著外殼分布的多個(gè)氣孔 210的歧管211。歧管211可鄰近一個(gè)或多個(gè)密封表面207A、 208A設(shè)置。可 設(shè)置氣孔210以導(dǎo)引惰性氣流以撞擊可壓縮密封構(gòu)件，或者使惰性氣體流到接 近可壓縮密封構(gòu)件處以在可壓縮密封構(gòu)件和工藝腔室內(nèi)的任何腐蝕性氣體之 間形成氣幕?？筛鶕?jù)需要選擇歧管211的尺寸、數(shù)量和配置以控制氣幕的流速和分布。
在一些實(shí)施方式中，歧管211的直徑可為約6.3511101+/-約0.08mm?？筛鶕?jù)需 要選擇氣孔210的尺寸、間隔、幾何形狀、數(shù)量以控制氣幕的流速和分布。在 本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，氣孔的直徑可為約0.30mm+/4々O.Olmm。另外， 可根據(jù)需要選擇任何一個(gè)或多個(gè)氣孔210的方向以控制氣幕的流動(dòng)方向。例 如，設(shè)置在開口 204每一側(cè)附近的孔210的部分可在水平或垂直方向上的一個(gè) 或多個(gè)角度以朝鄰近閥組件108的側(cè)部的可壓縮密封構(gòu)件定向氣幕部分。
一般可設(shè)置入口用于耦接歧管211到氣體供應(yīng)(未示出)。例如，圖5 描述了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式示出歧管211的外殼202的示意性截面前視 圖。在圖5中描述的實(shí)施方式中，歧管211從設(shè)置在外殼202的底部分中的入 口 506穿過外殼202到接近上密封表面207A (在圖2A-C中示出)的位置經(jīng) 過。入口 506可具有用于從氣源(未示出)連接到氣體管道的適宜的零件。
在圖5中示出的入口 506的位置僅是示意性的，可設(shè)計(jì)入口的其它位置， 或入口和/或歧管211的數(shù)量。入口 506的尺寸，和歧管211的尺寸可為任何 適宜的尺寸以提供閥組件108內(nèi)的所需氣流在一些實(shí)施方式中入門50" 的直徑可為約6.35mm+A約0.08mm。盡管在圖2A-C和圖5中示出為外殼202 的上部分，但是歧管211 (或者其它類似歧管)可設(shè)置在外殼的其它部分中(諸 如側(cè)部、外殼的下部分、每側(cè)等)，或者可選地或結(jié)合地，可設(shè)置在門206 內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)位置中。
歧管211可以任何適宜的方式形成，諸如通過穿過外殼202機(jī)械加工多個(gè) 孔及選擇性密封部分孔以限定歧管211的所需路徑。在一個(gè)示意性實(shí)施例中， 多個(gè)孔550、 560、 570、 580可加工到外殼202中?？?50、 560、 570、 580 交叉以形成穿過外殼202的流體通道。孔550、 560、 570、 580的選擇性部分 可密封(如由562、 572、 582陰影示出的)以限定歧管211。 一般認(rèn)為可利用 用于形成歧管的其它方法，諸如通過經(jīng)過歧管至少部分到外殼202外，或者在 外殼的組件上(諸如垂直分裂外殼的兩半)限定歧管的多片外殼的一個(gè)或多片 等中形成部分歧管。
在此參考圖2A-C，在操作中，當(dāng)門206位于關(guān)閉位置(例如，在處理期 間)時(shí)可從氣源(未示出)提供惰性氣體到歧管211。該惰性氣體可經(jīng)由多個(gè) 氣孔210排出歧管211以形成接近可壓縮密封構(gòu)件208的氣幕。壓縮氣體可為任何工藝相容的惰性氣體諸如氮?dú)狻⒍栊詺怏w或?qū)γ芊獾牟牧隙栊圆⑶也粚?duì)工 藝腔室內(nèi)發(fā)生的工藝不利的其它氣體。
在一些實(shí)施方式中，氣幕可在工藝氣體的供應(yīng)之前或者在開始工藝腔室內(nèi) 的處理之前形成以避免可壓縮密封構(gòu)件起始暴露于腔室內(nèi)的任何腐蝕性氣氛。 在一些實(shí)施方式中，壓縮氣體可在預(yù)定的流速供應(yīng)以形成所需的氣幕并限制可 壓縮密封構(gòu)件暴露于腔室內(nèi)的任何腐蝕性氣氛。在一些實(shí)施方式中，在工藝完
成之后，在凈化工藝腔室之后和或在打開門206之后，可在預(yù)定時(shí)間內(nèi)持續(xù)提
供氣幕，以進(jìn)一步限制可壓縮密封構(gòu)件暴露于腔室內(nèi)的任何腐蝕性氣氛?？苫?于工藝氣體的濃度所需的時(shí)間計(jì)算預(yù)定的時(shí)間，以達(dá)到實(shí)際上不退化可壓縮密
封構(gòu)件208的預(yù)定限度。
可選地或結(jié)合地，可提供物理阻擋層或阻障物以防止或限制工藝腔室內(nèi)的 任何腐蝕性元素接觸可壓縮密封構(gòu)件。例如，在圖2A-C描述的實(shí)施方式中， 外殼202可進(jìn)一步包括當(dāng)門206位于關(guān)閉位置時(shí)設(shè)置在可壓縮密封構(gòu)件(密封 208A-B)和開口 204 (或者工藝腔室的內(nèi)部)之間的物理阻擋層212。物理阻 擋層212可充分接近可壓縮密封構(gòu)件設(shè)置以在一者之間形成小間隙 " 2C所示)。物理阻擋層212可為隆起部(或者相應(yīng)的凹槽)、壁架、唇緣、 凸緣、凸起部(boss)、壁、表面或者當(dāng)門206位于關(guān)閉位置時(shí)提供在可壓縮 密封構(gòu)件和開口 204 (或工藝腔室的內(nèi)部)之間的阻塞的其它構(gòu)件或元素的至 少其中之一。
在圖2A-C中所描述的實(shí)施方式中，壁214設(shè)置在外殼202的開口 204的 上部分中以保護(hù)密封208A-B。以其它方式描述，密封表面208A可在開口 204 的上部分中形成的凹槽或壁架中形成。物理阻擋層212可由任何適宜的方法形 成。在一些實(shí)施方式中，可通過在開口 204的上部分中機(jī)械加工凹槽，將材料 的層粘附到開口 204的上表面等或其結(jié)合而形成物理阻擋層212。當(dāng)將材料的 層粘附到開口 204的上表面(諸如粘結(jié)、銅焊、焊接等)時(shí)，至少部分歧管 211可設(shè)置在材料的層和開口 204的上表面之間。
在操作中，當(dāng)門206位于關(guān)閉位置時(shí)，壁214 (或其它物理阻擋層212) 限制工藝腔室中的腐蝕性氣體輕易地接觸可壓縮密封構(gòu)件(例如，密封208A)。 物理阻擋層212充分接近可壓縮密封構(gòu)件設(shè)置以限定在二者之間的小間隙 216，該小間隙216限制腐蝕性氣體流動(dòng)到達(dá)可壓縮密封構(gòu)件。在圖2A-C中描述的實(shí)施方式中，密封208B設(shè)置在開口 206的下部分中的壁架下面并且類 似地保護(hù)密封208B。
閥組件108的外殼202可進(jìn)一歩包括一個(gè)或多個(gè)開口 (未示出)以有助于 門206的致動(dòng)，例如，通過以上關(guān)于圖1所描述的柱114和致動(dòng)器112。 一般 認(rèn)為可利用不需要外殼202中的開口的外殼202的其它配置。
如上所述，可單獨(dú)地設(shè)置氣幕和物理阻擋層機(jī)械裝置。例如，圖3示出了 根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式僅具有物理阻擋層312的閥組件308。除了以下所 述的部分，閥組件308類似于閥組件108。閥組件308包括外殼302，其示意 性具有設(shè)置在外殼302的開口 304的上部分中的壁314。壁314或者其它物理 阻擋層312 (類似于以上所述的物理阻擋層212和壁214)限定在物理阻擋層 312和可壓縮密封構(gòu)件(密封208A)之間的小間隙316。壁314或其它物理阻 擋層312可形成并可起以上關(guān)于圖2A-C所述的作用。
在一些實(shí)施方式中，如圖4中所述，闊組件408根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方 式可設(shè)置僅具有氣幕。除了以下所述的部分，閥組件408類似于閥組件108。 閥組件408包括示意性具有歧管411和設(shè)置在外殼402的開口 404的上部分中 的多個(gè)氣孔410的外殼402。歧管411和多個(gè)氣孔410可形成并可起以上關(guān)于 圖2A-C的歧管211和多個(gè)氣孔210所述的作用。
因此，在此提供了具有改善的密封壽命和性能的狹口閥組件的實(shí)施方式。 閥組件有利地限制門的密封構(gòu)件暴露于在其中安裝閥的工藝腔室中的任何腐 蝕性氣氛。另外，在此描述了結(jié)合閥組件的處理系統(tǒng)。此外，歧管組件可翻新 改進(jìn)至現(xiàn)有處理系統(tǒng)中。
例如， 一個(gè)或多個(gè)歧管可形成在外殼中，和/或可選地，形成在閥組件的 門中。多個(gè)氣孔可形成以將歧管流動(dòng)性耦合到閥組件的所需區(qū)域以有助于產(chǎn)生 并保持以上所述的氣幕。歧管可包含入口并至少部分設(shè)置在有助于流動(dòng)性耦接 到氣孔的區(qū)域中。在一些實(shí)施方式中，可通過鉆孔多個(gè)孔形成歧管。
雖然前述涉及本發(fā)明的一些實(shí)施方式，但是在不脫離本發(fā)明的基本范圍 下，本發(fā)明還承認(rèn)本發(fā)明的其它和進(jìn)一步的實(shí)施方式，并且本發(fā)明的實(shí)施方式 由以下的權(quán)利要求書確定。
權(quán)利要求
1、一種工藝腔室的閥組件，包括外殼，其具有設(shè)置在其壁中的開口以及通過該開口可傳送襯底；門，在基本平行于所述外殼的所述壁的平面中可移動(dòng)耦接到所述外殼，用于選擇性地密封所述開口；可壓縮密封構(gòu)件，至少部分設(shè)置在所述門的上表面和所述外殼的相應(yīng)表面之間，用于當(dāng)所述門位于關(guān)閉位置時(shí)在基本垂直于所述壁的方向上通過所述可壓縮密封構(gòu)件的壓縮而在二者之間形成密封；以及機(jī)械裝置，用于限制所述可壓縮密封構(gòu)件對(duì)在所述外殼的工藝腔室側(cè)的環(huán)境的暴露。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的閥組件，其特征在于，所述外殼進(jìn)一歩包含 密封表面，設(shè)置在所述開口上方并基本垂直于所述壁。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的閥組件，其特征在于，所述可壓縮密封構(gòu)件設(shè) 置在所述門的上表面上，用于當(dāng)所述門位于關(guān)閉位置時(shí)嚙合所述外殼的所述密封表面。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的閥組件，其特征在于，所述機(jī)械裝置包含當(dāng)所 述門位于關(guān)閉位置時(shí)設(shè)置在所述可壓縮密封構(gòu)件和所述開口之間的物理阻擋層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的閥組件，其特征在于，所述物理阻擋層包含隆 起部、壁架、唇緣、凸緣、凸起部、壁、表面或者構(gòu)件的至少其中之一。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的閥組件，其特征在于，所述機(jī)械裝置包含 歧管，在接近所述密封表面的外殼中形成；以及多個(gè)氣孔，在所述外殼中形成并從所述歧管延伸到所述外殼的外表面用于 當(dāng)所述門位于關(guān)閉位置時(shí)允許傳輸?shù)剿銎绻艿膲嚎s氣體撞擊所述可壓縮密 封構(gòu)件。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的閥組件，其特征在于，所述機(jī)械裝置進(jìn)一步包 含當(dāng)所述門位于關(guān)閉位置時(shí)設(shè)置在所述可壓縮密封構(gòu)件和所述開口之間的物 理阻擋層。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的閥組件，其特征在于，所述物理阻擋層包含隆起部、壁架或凹槽的至少其中之一。
9、 一種襯底處理系統(tǒng)，包含工藝腔室，具有在其側(cè)壁中形成的開口；以及閥組件，接近所述開口設(shè)置用于選擇性密封所述開口，所述閥組件包含 外殼，具有設(shè)置在其壁中的開口并且通過該開口傳送襯底； 門，在基本平行于所述外殼的所述壁的平面中可移動(dòng)地耦接到所述外殼，用于選擇性地密封所述開口；可壓縮密封構(gòu)件，至少部分設(shè)置在所述門的上表面和所述外殼的相應(yīng)表面之間當(dāng)所述門位于關(guān)閉位置時(shí)在基本垂直于所述壁的方向上通過所述可壓縮密封構(gòu)件的壓縮而在所述門的上表面和所述外殼的相應(yīng)表面之間形成密封；以及機(jī)械裝置，用于限制可壓縮密封構(gòu)件對(duì)所述外殼的工藝腔室側(cè)上的環(huán) 境的暴露。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其特征在于，所述外殼進(jìn)一 步包含密封表面，設(shè)置在所述開口上方并基本垂直于所述壁。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其特征在于，所述可壓縮 密封構(gòu)件設(shè)置在所述門的上表面上，用于當(dāng)所述門位于關(guān)閉位置時(shí)嚙合所述外 殼的所述密封表面。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其特征在于，所述機(jī)械裝置包含當(dāng)所述門位于關(guān)閉位置時(shí)設(shè)置在所述可壓縮密封構(gòu)件和所述開口之間的 物理阻擋層。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其特征在于，所述物理阻 擋層包含隆起部、壁架、唇緣、凸緣、凸起部、壁、表面或者構(gòu)件的至少其中之一。
14、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其特征在于，所述機(jī)械裝置 包含歧管，在接近所述密封表面的外殼中形成；以及多個(gè)氣孔，在所述外殼中形成并從所述歧管延伸到所述外殼的外表面用于 當(dāng)所述門位于關(guān)閉位置時(shí)允許傳輸?shù)剿銎绻艿膲嚎s氣體撞擊所述可壓縮密封構(gòu)件。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其特征在于，所述機(jī)械裝 置包含當(dāng)所述門位于關(guān)閉位置時(shí)設(shè)置在所述可壓縮密封構(gòu)件和所述開口之間 的物理阻擋層。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其特征在于，所述物理阻 擋層包含隆起部、壁架、唇緣、凸緣、凸起部、壁、表面或者構(gòu)件的至少其中之一。
17、 一種制造閥組件的方法，包含提供具有外殼、門和可壓縮密封構(gòu)件的閥組件，所述外殼具有在其壁中形 成的開口，所述門在基本平行于所述壁的方向上可移動(dòng)耦接到所述外殼，當(dāng)所 述門位于關(guān)閉位置時(shí)所述可壓縮密封構(gòu)件在所述門和所述外殼之間形成密封；以及提供到所述閥組件的歧管，所述歧管具有入口和多個(gè)氣孔，配置該氣孔以 當(dāng)所述門位于關(guān)閉位置時(shí)流動(dòng)性耦接到所述歧管和接近所述可壓縮密封構(gòu)件 的區(qū)域，從而傳輸?shù)剿銎绻艿膲嚎s氣體至少部分形成氣幕，當(dāng)所述門位于關(guān) 閉位置時(shí)該氣幕撞擊到所述可壓縮密封構(gòu)件上或者流到所述可壓縮密封構(gòu)件 附近。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，提供歧管包含在所述門中形成歧管。
19、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，提供歧管包含在所述外殼中形成歧管。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，在所述外殼中形成歧管進(jìn)一步包含形成貫穿所述外殼的多個(gè)孔；以及選擇性密封所述孔的部分以限定所述歧管的預(yù)期路徑。
21、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，提供歧管包含耦接歧管到所述門或所述外殼的至少其中之一。
22、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含當(dāng)所述門位于關(guān)閉位置時(shí)，在所述開口中鄰近所述可壓縮密封構(gòu)件的位置 形成隆起部，以限定在二者之間的小間隙。
全文摘要
在此提供一種用于工藝腔室具有改進(jìn)的密封性能的閥組件的實(shí)施方式。在一些實(shí)施方式中，用于工藝腔室的閥組件包括外殼，具有設(shè)置在其壁中的開口并且通過該開口可傳送襯底；門，在基本平行于外殼的壁的平面中可移動(dòng)地耦接到外殼，用于選擇性地密封開口；可壓縮密封構(gòu)件，至少部分設(shè)置在門的上表面上和外殼的相應(yīng)表面之間，用于當(dāng)門位于關(guān)閉位置時(shí)在基本垂直于壁的方向上通過可壓縮密封構(gòu)件的壓縮而在二者之間形成密封；以及機(jī)械裝置，用于限制可壓縮密封構(gòu)件對(duì)在外殼的工藝腔室側(cè)的環(huán)境的暴露。
文檔編號(hào)C30B25/08GK101314867SQ20071013805
公開日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2007年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月1日
發(fā)明者倫 崔, 幫·王, 托恩·Q·特蘭, 迪米特里·盧伯米爾斯基 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料股份有限公司