專利名稱：內(nèi)埋元件的基板制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種基板制程，且特別是有關(guān)于一種內(nèi)埋元件的基板制程。
背景技術(shù)：
一般而言，線路基板主要是由多層圖案化線路層(patterned circuit layer)及介電層(dielectric layer)交替疊合所構(gòu)成。其中，圖案化線路 層是由銅箔層(copper foil)經(jīng)過微影與蝕刻制程定義形成，而介電層配置 于圖案化線路層之間，用以隔離兩相鄰的圖案化線路層。此外，相鄰的圖案 化線路層之間是透過貫穿介電層的導(dǎo)電通孔(plating through hole, Fffl) 或?qū)щ娍椎?conductive via)而彼此電性連接。最后，在線路基板的表面 配置各種電子元件(例如主動(dòng)元件或被動(dòng)元件)，并通過內(nèi)部線路的電路設(shè)計(jì) 而達(dá)到電子{言號(hào)傳遞(electrical signal propagation)的目的。
然而，隨著市場(chǎng)對(duì)于電子產(chǎn)品應(yīng)具有輕薄短小且攜帶方便的需求，因此 在目前的電子產(chǎn)品中，將原先焊接于線路基板表面的電子元件設(shè)計(jì)為可埋設(shè) 于線路基板的內(nèi)部的一內(nèi)埋元件，這樣可以增加線路基板表面的布線面積， 以達(dá)到電子產(chǎn)品薄型化的目的。
圖IA至圖IE為現(xiàn)有的一種內(nèi)埋元件的基板制程的制作流程剖面示意圖。 首先，請(qǐng)參考圖1A，提供一核心層IIO,核心層110具有一第一介電層112、 一 第一圖案化線路層114，以及一第二圖案化線路層116。第一圖案化線路層114 與第二圖案化線路層116分別位于第一介電層112的一上表面112a與一下表面 112b。
接著，請(qǐng)參考圖1B，在核心層110中形成一貫孔(through hole) Hl并且 將一內(nèi)埋元件E放置于貫孔H1中，其中內(nèi)埋元件E具有兩電極E1。接著，請(qǐng)參考圖1C，將一第一疊合層120與一第二疊合層130分別配置于第一圖案化線路 層114與第二圖案化線路層116上，其中，第一疊合層120包括一第一金屬層122 及一第二介電層124，第二疊合層130包括一第二金屬層132及一第三介電層 134，且第二介電層124與第三介電層134分別朝向第一圖案化線路層114與第 二圖案化線路層116。
再者，請(qǐng)參考圖1D，壓合第一疊合層120、核心層110與第二疊合層130， 并且形成至少一導(dǎo)電通孔H2與多個(gè)導(dǎo)電孔道V。其中，導(dǎo)電通孔H2貫穿第一疊 合層120、核心層110與第二疊合層130，使得第一金屬層122與第二金屬層132 可透過導(dǎo)電通孔H2彼此電性連接。此外，內(nèi)埋元件E的兩電極E1可透過這些導(dǎo) 電孔道V分別與第一金屬層122及第二金屬層132電性連接。
最后，請(qǐng)參考圖1D與圖1E，圖案化第一金屬層122與第二金屬層132，以 分別形成一第一表層線路122'與一第二表層線路132'，并通過導(dǎo)電通孔H2電性 導(dǎo)通第一表層線路122'與第二表層線路132'，且通過這些導(dǎo)電孔道V使得內(nèi)埋 元件E的兩電極E1分別與第一表層線路122'及第二表層線路132'電性連接。通 過這種方式完成內(nèi)埋元件的基板制程的制作流程。
然而，現(xiàn)有內(nèi)埋元件的基板制程中的內(nèi)埋元件E必須經(jīng)由這些導(dǎo)電孔道V 而電性連接至第一表層線路122，與第二放層線路132'，這樣會(huì)降低第一圖案化 線路層114與第二圖案化線路層116的布線面積，進(jìn)而降低第一圖案化線路層 114與第二圖案化線路層116的布線密度。此外，內(nèi)埋元件E需透過導(dǎo)電孔道V 與第一表層線路122'與第二表層線路132'電性連接，然而，這種方式將會(huì)增加 整個(gè)線路基板的厚度，而無法符合輕薄短小的產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求。因此現(xiàn)有的內(nèi) 埋元件的基板制程實(shí)有改進(jìn)的必要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種內(nèi)埋元件的基板制程，以提升第一圖案 化線路層、第二圖案化線路層、第一表層線路與第二表層線路的布線密度， 并可有效地減少整個(gè)基板的厚度。
為達(dá)成上述目的或是其它目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案 一種內(nèi)埋元件的基板制程，其包括下列步驟步驟(a)是提供一核心層，所述核心層具
有一第一介電層、 一第一圖案化線路層及一第二圖案化線路層，所述第一圖 案化線路層與所述第二圖案化線路層分別位于所述第一介電層的一上表面與
一下表面；步驟(b)是在所述核心層中形成一貫孔；其特征在于所述基板 制程還包括有下列步驟步驟(C)是將所述核心層配置在一支撐板上，且將 一內(nèi)埋元件置放在所述貫孔中，其中所述內(nèi)埋元件具有至少一電極；步驟(d) 是進(jìn)行一灌膠制程，使所述內(nèi)埋元件固定在所述貫孔中；步驟(e)是移除所 述支撐板；以及步驟(f)是電性連接所述內(nèi)埋元件的所述電極與所述第二圖 案化線路層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述提供核心層的步驟(a)包括利用微影及 蝕刻制程分別圖案化位于第一介電層的上表面及下表面的一第一金屬層與一 第二金屬層，以在第一介電層的上表面及下表面上形成第一圖案化線路層與 第二圖案化線路層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述提供核心層的步驟(a)包括利用微影及 蝕刻制程分別圖案化位于第一介電層的上表面及下表面的一第一金屬層與一 第二金屬層，以在第一介電層的上表面及下表面上形成第一圖案化線路層與 第二圖案化線路層。此外，第一金屬層與第二金屬層的材質(zhì)包括銅。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述形成貫孔的方式包括機(jī)械鉆孔或雷射成孔。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述支撐板可為一玻璃板或是一聚對(duì)苯二酸乙 烯酯膜(PET film)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述內(nèi)埋元件包括主動(dòng)元件及被動(dòng)元件。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述灌膠制程例如是將一黏著劑填充于內(nèi)埋元 件與貫孔之間的間隙中。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述電性連接內(nèi)埋元件的電極與第二圖案化線 路層的步驟(f)包括有以下步驟首先，在第二圖案化線路層上配置一屏蔽， 屏蔽暴露出電極與部分第二圖案化線路層；接著，在第一介電層的下表面形 成一金屬層，其中部分金屬層是電性連接電極與第二圖案化線路層；再接著， 移除屏蔽。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述電性連接內(nèi)埋元件的電極與第二圖案化線 路層的步驟(f)包括有以下步驟首先，在第二圖案化線路層上配置一屏蔽， 屏蔽暴露出電極與部分第二圖案化線路層；接著，在第一介電層的下表面形 成一金屬層，其中部分金屬層是電性連接電極與第二圖案化線路層；再接著， 移除屏蔽。此外，形成金屬層的方法包括電鍍、無電鍍、物理氣相沉積法或 化學(xué)氣相沉積法。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述電性連接內(nèi)埋元件的電極與第二圖案化線 路層的步驟(f)包括以下步驟首先，在第二圖案化線路層上配置一屏蔽， 屏蔽暴露出電極與部分第二圖案化線路層。接著，在第一介電層的下表面形 成一金屬層，其中部分金屬層是電性連接電極與第二圖案化線路層。再者， 移除屏蔽。此外，形成金屬層的方法可以是在第一介電層的下表面涂布一層 導(dǎo)電膠。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述電性連接內(nèi)埋元件的電極與第二圖案化線 路層時(shí)，可同時(shí)電性連接內(nèi)埋元件的電極與第一圖案化線路層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述電性連接內(nèi)埋元件的電極與第二圖案化 線路層之后，更包括以下步驟首先，將一第一疊合層與一第二疊合層分別 配置于第一圖案化線路層與第二圖案化線路層上，其中第一疊合層包括一第 三金屬層及一第二介電層，第二疊合層包括一第四金屬層及一第三介電層， 且第二介電層與第三介電層是分別朝向第一圖案化線路層與第二圖案化線路 層；接著，壓合第一疊合層、核心層與第二疊合層；再接著，在第一疊合層、 核心層與第二疊合層之間形成至少一導(dǎo)電通孔；再接著，圖案化第三金屬層
與第四金屬層，以分別形成一第一表層線路與一第二表層線路，并通過導(dǎo)電 通孔導(dǎo)通第一表層線路與第二表層線路。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述電性連接內(nèi)埋元件的電極與第二圖案化 線路層之后，更包括以下步驟首先，將一第一疊合層與一第二疊合層分別 配置于第一圖案化線路層與第二圖案化線路層上，其中第一疊合層包括一第 三金屬層及一第二介電層，第二疊合層包括一第四金屬層及一第三介電層， 且第二介電層與第三介電層是分別朝向第一圖案化線路層與第二圖案化線路層；接著，壓合第一疊合層、核心層與第二疊合層；再接著，在第一疊合層、 核心層與第二疊合層之間形成至少一導(dǎo)電通孔。再接著，圖案化第三金屬層 與第四金屬層，以分別形成一第一表層線路與一第二表層線路，并通過導(dǎo)電 通孔導(dǎo)通第一表層線路與第二表層線路。此外，形成第一表層線路與第二表 層線路之后，更包括以下步驟首先，在第二介電層與第三介電層上分別形 成一第一焊罩層與一第二焊罩層，其中第一焊罩層暴露出至少部分第一表層 線路，而第二焊罩層暴露出至少部分第二表層線路；接著，在第一焊罩層所 暴露的至少部分第一表層線路上形成一第一抗氧化層，并且在第二焊罩層所 暴露的至少部分第二表層線路上形成一第二抗氧化層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述電性連接內(nèi)埋元件的電極與第二圖案化 線路層之后，更包括以下步驟首先，將一第一疊合層與一第二疊合層分別 配置在第一圖案化線路層與第二圖案化線路層上，其中第一疊合層包括一第 三金屬層及一第二介電層，第二疊合層包括一第四金屬層及一第三介電層， 且第二介電層與第三介電層是分別朝向第一圖案化線路層與第二圖案化線路 層；接著，壓合第一疊合層、核心層與第二疊合層；再接著，在第一疊合層、 核心層與第二疊合層之間形成至少一導(dǎo)電通孔；再接著，圖案化第三金屬層
與第四金屬層，以分別形成一第一表層線路與一第二表層線路，并通過導(dǎo)電 通孔導(dǎo)通第一表層線路與第二表層線路。此外，形成第一表層線路與第二表 層線路之后，更包括以下步驟首先，在第二介電層與第三介電層上分別形 成一第一焊罩層與一第二焊罩層，其中第一焊罩層暴露出至少部分第一表層
線路，而第二焊罩層暴露出至少部分第二表層線路；接著，在第一焊罩層所 暴露的至少部分第一表層線路上形成一第一抗氧化層，并且在第二焊罩層所 暴露的至少部分第二表層線路上形成一第二抗氧化層。另外，形成第一抗氧 化層與第二抗氧化層的方法包括分別在第一焊罩層所暴露的至少部分第一表 層線路上及在第二焊罩層所暴露的至少部分第二表層線路上電鍍一鎳或金 層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述形成第一表層線路與第二表層線路之后， 更包括以下步驟首先，在第一表層線路與第二表層線路上分別形成圖案化的一第一抗氧化層與圖案化的一第二抗氧化層；接著，在第二介電層與第三 介電層上分別形成一第一焊罩層與一第二焊罩層，其中第一焊罩層覆蓋第一 表層線路，并暴露出第一抗氧化層，而第二焊罩層覆蓋第二表層線路，并暴 露出第二抗氧化層。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，在本發(fā)明的內(nèi)埋元件的基板制程中，內(nèi)埋元件的電極 直接電性連接至內(nèi)層的第一圖案化線路層或第二圖案化線路層，因此，可以 提升第一圖案化線路層、第二圖案化線路層、第一表層線路與第二表層線路 的布線密度，并可改善內(nèi)埋元件與第一圖案化線路層或第二圖案化線路層的 電性連接的可靠度。此外，由于內(nèi)埋元件不需透過現(xiàn)有的導(dǎo)電通孔而直接與 內(nèi)層的圖案化線路層電性連接，因此，可以有效減小整個(gè)基板的厚度，使得 應(yīng)用此基板的電子產(chǎn)品可符合輕薄短小的產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求。


圖1A至圖1E為現(xiàn)有的一種內(nèi)埋元件的基板制程的制作流程剖面示意圖。 圖2A至圖2J為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種內(nèi)埋元件的基板制程的制作流程 剖面示意圖。
圖3A至圖3C為電性連接內(nèi)埋元件的電極與第二圖案化線路層的制作流程 剖面示意圖。
圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的形成焊罩層與抗氧化層的制作流程剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
為了能夠使得本發(fā)明的上述目的及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂， 下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。
圖2A至圖2J為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種內(nèi)埋元件的基板制程的制作流程 剖面示意圖。首先，請(qǐng)參考圖2A，提供一核心層210,核心層210具有一第一 介電層212、 一第一圖案化線路層214及一第二圖案化線路層216。第一圖案化 線路層214與第二圖案化線路層216分別位于第一介電層212的一上表面212a與一下表面212b。在本實(shí)施例中，提供核心層210的步驟包括利用微影及蝕刻 制程分別圖案化位于第一介電層212的上表面212a及下表面212b的一第一金 屬層(未圖示，其材質(zhì)可為銅)與一第二金屬層(未圖示，其材質(zhì)可為銅)， 以在第一介電層212的上表面212a及下表面212b上分別形成第一圖案化線路 層214與第二圖案化線路層216。
接著，請(qǐng)參考圖2B，在核心層210中形成一貫孔H3，而貫孔H3可利用機(jī)械 鉆孔、雷射成孔或其它方式形成。接著，請(qǐng)參考圖2C，將核心層210配置于一 支撐板S上，且將一內(nèi)埋元件E'置放于貫孔H3中，其中內(nèi)埋元件E'具有至少一 電極E1'(在圖2C中設(shè)置有兩個(gè)電極E1')。在本實(shí)施例中，支撐板S可為一玻璃 板、 一聚對(duì)苯二酸乙烯酯膜或是其它材料所構(gòu)成的板件；此外，內(nèi)埋元件E， 包括主動(dòng)元件(例如是薄膜晶體管)及被動(dòng)元件(例如是電阻、電容或電感)。 值得注意的是，因?yàn)閮?nèi)埋元件E'與第二圖案化線路層216是由支撐板S所支撐， 所以內(nèi)埋元件E'與第二圖案化導(dǎo)電層216大約位于支撐板S的同一平面上。
再來，請(qǐng)參考圖2D，進(jìn)行一灌膠制程，使內(nèi)埋元件E'固定于貫孔H3中。 在本實(shí)施例中，此灌膠制程是將一黏著劑A填充于內(nèi)埋元件E'與貫孔H3之間的 間隙中，并將其固化，使內(nèi)埋元件E，固定在核心層210的貫孔H3中。此外，黏 著劑A可為熱固型樹脂(thermal setting resin)或是紫外光固化型樹脂， 以分別通過加熱或以紫外線照射的方式將其固化(curing)。之后，請(qǐng)參考圖 2E，移除支撐板S。
接下來，請(qǐng)繼續(xù)參考圖2E，電性連接內(nèi)埋元件E'的電極E1'與第二圖案化 線路層216。通過這種方式完成基本的內(nèi)埋元件的基板制程。
以下將搭配圖示說明其中一種電性連接內(nèi)埋元件E'的電極E1'與第二圖 案化線路層216的制作方法，然而，使用者也可通過其它方式使內(nèi)埋元件E'的 電極E1'與第二圖案化線路層216構(gòu)成電性連接，本發(fā)明對(duì)此不作任何限制。 圖3A至圖3C為電性連接內(nèi)埋元件的電極與第二圖案化線路層的制作流程剖面 示意圖。具體而言，首先，請(qǐng)參考圖3A，在第二圖案化線路層216上配置一屏 蔽M，屏蔽M暴露出電極E1'與部分第二圖案化線路層216。接著，請(qǐng)參考圖3B， 在第一介電層212的下表面212b形成一金屬層L，其中部分金屬層L是電性連接電極E1'與第二圖案化線路層216。形成金屬層L的方法包括電鍍、無電鍍、物 理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法，或者是在第一介電層212的下表面212b涂布 一層導(dǎo)電膠也可。再者，請(qǐng)參考圖3B與圖3C，移除屏蔽M，通過這種方式，內(nèi) 埋元件E'的電極E1'即可透過金屬層L與第二圖案化線路層216構(gòu)成電性連接。 在此必須說明的是，在上述電性連接內(nèi)埋元件E'的電極E1'與第二圖案化線路 層216時(shí)，可同時(shí)電性連接內(nèi)埋元件E'的電極E1'與第一圖案化線路層214，但 是在此并未以圖面繪示。
而在完成圖2E所繪示的電性連接內(nèi)埋元件E'的電極E1'與第二圖案化線 路層216的步驟后，更可利用下列兩種方式在基板兩側(cè)的表面形成表層線路、 焊罩層及抗氧化層，以使基板成為具有雙層線路層的基板。
圖2F至2J為在基板上預(yù)先保留下電鍍線，以在基板的表面上依序形成表 層線路、焊罩層及抗氧化層的制作流程剖面圖。首先，請(qǐng)參考圖2F，將一第 一疊合層220與一第二疊合層230分別配置于第一圖案化線路層214與第二圖 案化線路層216上。其中第一疊合層220包括一第三金屬層222及一第二介電層 224，第二疊合層230包括一第四金屬層232及一第三介電層234，且第二介電 層224與第三介電層234是分別朝向第一圖案化線路層214與第二圖案化線路 層216，換句話來講，第二介電層224是介于第三金屬層222與第一圖案化線路 層214之間，而第三介電層234是介于第四金屬層232與第二圖案化線路層216 之間。
接著，請(qǐng)參考圖2G，壓合第一疊合層220、核心層210與第二疊合層230, 以使得第一圖案化線路層214與第二圖案化線路層216分別嵌入第二介電層 224與第三介電層234，并使第三金屬層222與第四金屬層232分別配置于第二 介電層224與第三介電層234上。
再來，請(qǐng)參考圖2H，在第一疊合層220、核心層210與第二疊合層230之間 形成至少一導(dǎo)電通孔H4，換句話來講，導(dǎo)電通孔H4貫穿第一疊合層220、核心 層210與第二疊合層230。導(dǎo)電通孔H4的形成方式是例如先以機(jī)械鉆孔或雷射 成孔的的方式形成一貫通孔，再在此貫通孔側(cè)壁周圍或內(nèi)部鍍上銅金屬以形 成導(dǎo)電通孔H4。再者，請(qǐng)參考圖2H與圖21，通過例如微影與蝕刻制程來圖案化第三金屬 層222與第四金屬層232，以分別形成一第一表層線路222'與一第二表層線路 232'，而第一表層線路222，與第二表層線路232'是通過導(dǎo)電通孔H4而電性導(dǎo)
通o
之后，請(qǐng)參考圖2J，在第二介電層224與第三介電層234上分別形成一第 一焊罩層240與一第二焊罩層250，其中第一焊罩層240暴露出至少部分第一表 層線路222'，而第二焊罩層250暴露出至少部分第二表層線路232'。在此必須 說明的是，第一焊罩層240與第二焊罩層250分別用以保護(hù)第一表層線路222' 與第二表層線路232'，而第一焊罩層240所暴露出的部分第一表層線路222'與 第二焊罩層250所暴露出的部分第二表層線路232'例如可以作為電性接墊 (electrical pad),其用以作為電性連接外部電子裝置或元件的接點(diǎn)。 接著，在第一焊罩層240所暴露的至少部分第一表層線路222，上形成一第 一抗氧化層260，并且在第二焊罩層250所暴露的至少部分第二表層線路232' 上形成一第二抗氧化層270。第一抗氧化層260與第二抗氧化層270的材質(zhì)可為 不易氧化的導(dǎo)電材料，例如是鎳或金，其可以采用電鍍的方式形成，以避免 所暴露出的部分第一表層線路222'與第二表層線路232'因接觸空氣與水氣而 氧化。
在本發(fā)明另一實(shí)施例中，上述以圖2J所繪示的形成焊罩層與抗氧化層的 步驟可作步驟順序的改變。請(qǐng)參考圖2I與圖4，其中圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例 的形成悍罩層與抗氧化層的制作流程剖面示意圖。在形成圖2I所示的第一表 層線路222'與第二表層線路232'之后，可包括以下步驟。首先，例如以微影與 蝕刻的制程在第一表層線路222'與第二表層線路232'上分別形成圖案化的一 第一抗氧化層260'與圖案化的一第二抗氧化層270'。
接著，在第二介電層224與第三介電層234上分別形成一第一焊罩層240' 與一第二焊罩層250'，其中第一焊罩層240'覆蓋第一表層線路222'，并暴露出 第一抗氧化層260'，而第二焊罩層250'覆蓋第二表層線路232'，并暴露出第二 抗氧化層270'。在本實(shí)施例中，第一焊罩層240'與第二焊罩層250'的功能如同 上述第一焊罩層240與第二焊罩層250 (請(qǐng)參考圖2J)，而第一抗氧化層260，與第二抗氧化層270'的材質(zhì)、形成方式與功能則如同上述第一抗氧化層260與第 二抗氧化層270 (請(qǐng)參考圖2J)，所以在此就不再詳細(xì)敘述。
綜上所述，本發(fā)明的內(nèi)埋元件的基板制程，至少具有下列優(yōu)點(diǎn)
(一) 由于在本發(fā)明的內(nèi)埋元件的基板制程中，內(nèi)埋元件的電極電性連 接至內(nèi)層的第一圖案化線路層或第二圖案化線路層，因此可以提升第一圖案 化線路層、第二圖案化線路層、第一表層線路與第二表層線路的布線密度， 以及改善內(nèi)埋元件與第一圖案化線路層或第二圖案化線路層的電性連接的可 靠度；
(二) 由于內(nèi)埋元件不需透過現(xiàn)有的導(dǎo)電通孔而直接與內(nèi)層的第一圖案 化線路層或第二圖案化線路層電性連接，因此可有效地減少整個(gè)基板的厚度, 使得應(yīng)用此基板的電子產(chǎn)品可符合輕薄短小的產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求；
(三) 由于在本發(fā)明的內(nèi)埋元件的基板制程中，內(nèi)埋元件的電極電性連 接至內(nèi)層的第一圖案化線路層或第二圖案化線路層，因此可以降低內(nèi)埋元件 的電極與第一圖案化線路層或第二圖案化線路層之間傳輸電性信號(hào)的串音效 應(yīng)(cross國(guó)talk effect),進(jìn)而提升其電性表現(xiàn)(electrical performance);
(四) 由于在本發(fā)明的內(nèi)埋元件的基板制程中，內(nèi)埋元件的電極不以形 成導(dǎo)電孔道的方式而電性連接至內(nèi)層的第一圖案化線路層或第二圖案化線路 層，因此本發(fā)明的內(nèi)埋元件的基板制程的制造成本較低。
權(quán)利要求
1. 一種內(nèi)埋元件的基板制程，包括下列步驟步驟(a)是提供一核心層，所述核心層具有一第一介電層、一第一圖案化線路層及一第二圖案化線路層，所述第一圖案化線路層與所述第二圖案化線路層分別位于所述第一介電層的一上表面與一下表面；步驟(b)是在所述核心層中形成一貫孔；其特征在于所述基板制程還包括有下列步驟(c)至(f)，其中步驟(c)是將所述核心層配置在一支撐板上，且將一內(nèi)埋元件置放在所述貫孔中，其中所述內(nèi)埋元件具有至少一電極；步驟(d)是進(jìn)行一灌膠制程，使所述內(nèi)埋元件固定在所述貫孔中；步驟(e)是移除所述支撐板；以及步驟(f)是電性連接所述內(nèi)埋元件的所述電極與所述第二圖案化線路層。
2. 如權(quán)利要求l所述的內(nèi)埋元件的基板制程，其特征在于提供所述核 心層的所述步驟(a)包括利用微影及蝕刻制程分別圖案化位于所述第一介 電層的所述上表面及所述下表面的一第一金屬層與一第二金屬層，以在所述 第一介電層的所述上表面及所述下表面上形成所述第一圖案化線路層與所述 第二圖案化線路層。
3. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋元件的基板制程，其特征在于所述灌膠制程 是將一黏著劑填充于所述內(nèi)埋元件與所述貫孔之間的間隙中。
4. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋元件的基板制程，其特征在于在電性連接所 述內(nèi)埋元件的所述電極與所述第二圖案化線路層的所述步驟(f)中包括有如 下步驟在所述第二圖案化線路層上配置一屏蔽，所述屏蔽是暴露出所述電極與 部分第二圖案化線路層；在所述第一介電層的所述下表面形成一金屬層，其中部分金屬層是電性 連接所述電極與所述第二圖案化線路層；以及移除所述屏蔽。
5. 如權(quán)利要求4所述的內(nèi)埋元件的基板制程，其特征在于形成所述金屬層的方法包括電鍍、無電鍍、物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法。
6. 如權(quán)利要求4所述的內(nèi)埋元件的基板制程，其特征在于形成所述金屬 層的方法是在所述第一介電層的所述下表面涂布一層導(dǎo)電膠。
7. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋元件的基板制程，其特征在于在電性連接所 述內(nèi)埋元件的所述電極與所述第二圖案化線路層時(shí)，同時(shí)電性連接所述內(nèi)埋 元件的所述電極與所述第一圖案化線路層。
8. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋元件的基板制程，其特征在于:在電性連接所 述內(nèi)埋元件的所述電極與所述第二圖案化線路層的所述步驟(f)之后，更包 括有如下步驟將一第一疊合層與一第二疊合層分別配置在所述第一圖案化線路層與所 述第二圖案化線路層上，其中，所述第一疊合層包括一第三金屬層及一第二 介電層，所述第二疊合層包括一第四金屬層及一第三介電層，且所述第二介 電層與所述第三介電層是分別朝向所述第一圖案化線路層與所述第二圖案化 線路層；壓合所述第一疊合層、所述核心層與所述第二疊合層；在所述第一疊合層、所述核心層與所述第二疊合層之間形成至少一導(dǎo)電通孔；以及圖案化所述第三金屬層與所述第四金屬層，以分別形成一第一表層線路 與一第二表層線路，并通過所述導(dǎo)電通孔導(dǎo)通所述第一表層線路與所述第二 表層線路。
9. 如權(quán)利要求8所述的內(nèi)埋元件的基板制程，其特征在于在形成所述第 一表層線路與所述第二表層線路之后，更包括有如下步驟在所述第二介電層與所述第三介電層上分別形成一第一焊罩層與一第二 焊罩層，其中所述第一焊罩層暴露出至少部分第一表層線路，而所述第二焊罩層暴露出至少部分第二表層線路；以及在所述第一焊罩層所暴露的至少部分第一表層線路上形成一第一抗氧化 層，并且在所述第二焊罩層所暴露的至少部分第二表層線路上形成一第二抗 氧化層。
10. 如權(quán)利要求9所述的內(nèi)埋元件的基板制程，其特征在于形成所述第一抗氧化層與所述第二抗氧化層的方法包括分別在所述第一焊罩層所暴露的 至少部分第一表層線路上及所述第二焊罩層所暴露的至少部分第二表層線路 上電鍍一鎳/金層。
11.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)埋元件的基板制程，其特征在于在形成所述 第一表層線路與所述第二表層線路之后，更包括有如下步驟在所述第一表層線路與所述第二表層線路上分別形成圖案化的一第一抗 氧化層與圖案化的一第二抗氧化層；以及在所述第二介電層與所述第三介電層上分別形成一第一焊罩層與一第二 焊罩層，其中所述第一焊罩層覆蓋所述第一表層線路，并暴露出所述第一抗 氧化層，而所述第二焊罩層覆蓋所述第二表層線路，并暴露出所述第二抗氧 化層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種內(nèi)埋元件的基板制程，其包括下列步驟首先，提供一核心層，核心層具有一第一介電層、一第一圖案化線路層，以及一第二圖案化線路層，第一圖案化線路層與第二圖案化線路層分別位于第一介電層的一上表面與一下表面；然后，在核心層中形成一貫孔；接著，將核心層配置于一支撐板上，且將一內(nèi)埋元件放置于貫孔中，其中內(nèi)埋元件具有至少一電極；再接著，進(jìn)行一灌膠制程，使內(nèi)埋元件固定于貫孔中；接下來，移除支撐板；最后，電性連接內(nèi)埋元件的電極與第二圖案化線路層。
文檔編號(hào)H05K3/46GK101287340SQ200710100549
公開日2008年10月15日 申請(qǐng)日期2007年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月10日
發(fā)明者王建皓 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司