專利名稱：加熱裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及加熱裝置，更詳細地說涉及在半導(dǎo)體器件的制造工序中用于對作為基板使用的晶片或其他板狀的被加熱材料進行加熱的加熱裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造過程中，為了使用半導(dǎo)體制造裝置向晶片上形成氧化膜等而實施加熱處理。在該半導(dǎo)體制造裝置的用于加熱晶片的加熱裝置中，有在具有加熱面的圓盤狀的陶瓷基體中埋設(shè)了線狀電阻發(fā)熱體的陶瓷加熱器。該陶瓷加熱器不僅用于半導(dǎo)體制造過程的成膜裝置，還適合用于對板狀的被加熱材料的表面進行干蝕刻的表面處理裝置等。
陶瓷加熱器具備陶瓷基體和為了支撐該陶瓷基體而接合的中空棒部件。該中空棒部件為中空圓筒形狀，一個端面通過固相接合或液相接合粘合在與陶瓷基體的加熱面相反一側(cè)的面(接合面)上。
關(guān)于這種陶瓷基體和中空棒部件的安裝構(gòu)造，有在陶瓷基體的接合面和中空棒部件的外周面之間設(shè)置月牙部(ア一ル)的陶瓷加熱器(例如，專利文獻1特開2004-247745號公報)。
原來的陶瓷加熱器其陶瓷基體的接合面和中空棒部件的外周面通過形成于兩者接合部上的圓弧部的曲面而圓滑地連接。在這種陶瓷加熱器中，該陶瓷基體和中空棒部件的接合界面在與該圓弧部的曲面的面內(nèi)相接的情況下，該加熱裝置在長期使用后，該接合界面從與該圓弧部相接的部分發(fā)生裂紋，該裂紋沿接合界面?zhèn)鞑ィ瑫鹛沾苫w和中空棒部件的接合剝離。

發(fā)明內(nèi)容
在此，本發(fā)明的目的在于提供有效地防止在陶瓷基體和中空棒部件的接合界面上發(fā)生裂紋，由此可進一步提高可靠性的加熱裝置及其有利的制造方法。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的加熱裝置的特征在于，具備板狀的加熱基體；以及一端面接合在該加熱基體的一個面上的中空棒部件，上述加熱基體在與上述中空棒部件的接合部附近具有與該中空棒部件的外周面成同一面的側(cè)面部；以及與該側(cè)面部連接的凹曲面部，該加熱基體和上述中棒部件的接合界面的端部位于該加熱基體的側(cè)面部和中空棒部件的外周面之間。
該凹曲面部的曲率半徑R最好是1-10mm。而且，通過上述凹曲面部在含有中空棒部件的中心軸線的截面成為橢圓弧形狀，可進一步提高可靠性。凹曲面部最好是Ra可在0.8μm以下。
另外，本發(fā)明的加熱裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序?qū)⒅锌瞻舨考囊欢嗣娼雍显诩訜峄w的一個面上的工序；以及，對在該加熱基體和中空棒部件的接合部附近的加熱基體側(cè)形成的凹曲面部進行研磨加工的工序，上述研磨加工在研磨砥石的粒度為325號以上、進給速度為0.2mm/min以下的條件下進行。
根據(jù)本發(fā)明的加熱裝置，可抑制以加熱基體和中空棒部件的接合界面為起點產(chǎn)生裂紋，從而可提高加熱裝置的可靠性。


圖1是本發(fā)明的加熱裝置的一個實施例的模式縱剖面圖。
圖2是本發(fā)明的加熱裝置的一個實施例的模式縱剖面圖。
圖3是比較例的加熱裝置的模式縱剖面圖。
圖4是比較例的加熱裝置的模式縱剖面圖。
圖中11-陶瓷基體(加熱基體)，11d-凹曲面部，11e-側(cè)面部，12-電阻發(fā)熱體，13-軸(中空棒部件)。
具體實施例方式
下面使用附圖對本發(fā)明的加熱裝置的實施例進行說明。
圖1是本發(fā)明的加熱裝置的一個實施例的模式縱剖面圖。該圖所示的加熱裝置，作為加熱基體，具備圓盤狀的陶瓷基體11。在該陶瓷基體11的內(nèi)部埋設(shè)有電阻發(fā)熱體12。通過向該電阻發(fā)熱體12供給電力，電阻發(fā)熱體12發(fā)熱，陶瓷基體11被加熱。通過該陶瓷基體11的加熱，放置在該陶瓷基體11上的被加熱材料(例如半導(dǎo)體晶片)將被加熱。該圓盤狀的陶瓷基體11的一個面裝載被加熱材料，成為用于加熱的加熱面11a，與加熱面11a相反一側(cè)的面成為接合作為支撐陶瓷基體11的中空棒部件的的軸13的接合面11b。該接合面11b的中央部附近的板厚比周邊部附近更厚，軸13被接合在該中央部表面11c。
軸13為中空的大致圓筒形狀，在該軸13的內(nèi)部空間配設(shè)有引線或供電棒，以用于向陶瓷基體11的電阻發(fā)熱體12供給電力。另外，在陶瓷基體11具有靜電吸盤和高頻電極時，與埋設(shè)在陶瓷基體11內(nèi)的電極連接的引線配設(shè)在該軸13的內(nèi)部空間。
軸13在與陶瓷基體11接合的一側(cè)端部形成凸緣部13a，該凸緣部13a的外周面13b在圖示的縱剖面上成直線狀。在使凸緣部13a的端面13c與陶瓷基體11的中央部表面11c對接的狀態(tài)下，通過固相接合或液相接合，軸13被接合在陶瓷基體11上。
并且，在與軸13的接合部附近，陶瓷基體11具有與接合面11b的平面圓滑連接的凹曲面部11d。另外，陶瓷基體11具有側(cè)面部11e，該側(cè)面部11e與被接合的軸13凸緣部13a的外周面13b成同一面，且與該外周面13b以及上述凹曲面部11d沒有階梯差地直線狀連接。因此，陶瓷基體11與軸13的接合界面的外周側(cè)端部位于該陶瓷基體11的側(cè)面部11e和軸13的凸緣部13a的外周面13b之間。即不會像原來陶瓷基體那樣，接合界面的端面與凹曲面部(月牙部)的內(nèi)面相接。
在原來的加熱裝置中，關(guān)于陶瓷基體和軸的接合界面的端部與凹曲面部(月牙部)的內(nèi)面相接的加熱裝置，從該接合界面的端部發(fā)生裂紋的原因，認為是使用加熱器時的熱應(yīng)力所致。詳細地說，雖然利用電阻發(fā)熱體的發(fā)熱而在陶瓷基體的加熱面?zhèn)染鶆虻丶訜?，但是與軸連接的部分，因向軸的傳熱而比其他部分溫度低。因此，在陶瓷基體上，因該溫度梯度在半徑方向產(chǎn)生熱應(yīng)力，由于該熱應(yīng)力在接合界面的外周側(cè)端部集中，所以產(chǎn)生裂紋。接合界面的強度一般低于其他體積部分，所以一旦產(chǎn)生裂紋，裂紋沿該接合界面?zhèn)鞑?，最終陶瓷基體和軸的接合產(chǎn)生剝落。另外，由于接合界面容易受使用時環(huán)境氣體引起的腐蝕或氧化的影響，強度逐漸降低，這一點也導(dǎo)致接合的剝落。由于軸的內(nèi)側(cè)空間配設(shè)通電棒或?qū)Ь€，為了保護該通電棒或?qū)Ь€使其免受腐蝕性氣體影響，要求抑制接合的剝落，提高可靠性。
在原來的陶瓷基體上形成凹曲面部(月牙部)雖然是為了緩和該應(yīng)力集中，但是在月牙部的面內(nèi)形成接合界面的場合仍然存在產(chǎn)生裂紋的情況。
對此，在圖1所示的實施例的加熱裝置中，凹曲面部11d僅形成于陶瓷基體側(cè)。并且，陶瓷基體11不僅具有該凹曲面部11d，而且還具有與軸13的凸緣部13a的外周面13b成同一平面的側(cè)面部11e。因此，接合界面的端部位于相互圓滑地連接的陶瓷基體11的側(cè)面部11e和軸13的外周面13b之間。并且，接合界面與陶瓷基體11的側(cè)面部11e和軸13的外周面13b垂直相交。因此，接合界面的端部對接合熱應(yīng)力的耐力增大，有效地抑制了應(yīng)力集中，從而抑制了裂紋的產(chǎn)生。因此，能夠提高可靠性。
凹曲面部11d的曲率半徑最好在1-10mm的范圍。在曲率半徑小到0.5mm左右的極端的情況下，設(shè)置凹曲面部11d的效果變小，集中于該端部的應(yīng)力值變高，存在發(fā)生裂紋的危險。另外，雖然凹曲面部11d的曲率半徑越大，越可減小施加在接合界面的外周側(cè)端部的應(yīng)力值，但是為了確保大的曲率半徑，需要加大陶瓷基體11的加工前的初期厚度。加大陶瓷基體11的厚度，有可能導(dǎo)致陶瓷基體11本身的強度降低。這是由于陶瓷結(jié)構(gòu)體其體積越大、含有內(nèi)部缺陷的概率就越高。因此，從減少內(nèi)部缺陷的觀點出發(fā)，加大厚度是有限的。而且，由于只加大中心附近的熱容量，在升溫時中心溫度上升緩慢，易于在中心附近產(chǎn)生拉伸應(yīng)力而破損。另外，由于凹曲面部11d的形成通過利用研磨加工去除陶瓷基體11的中央部附近以外的部分來進行，所以曲率半徑大，由此陶瓷基體11研磨加工前的初期厚度越大，加工費就越大，從而導(dǎo)致成本上升。因此，凹曲面部11d的曲率半徑最好在10mm以下。更好的范圍是1-4mm。
陶瓷基體11的中央部附近的厚度，理想的是2-50mm的范圍，更好是5-30mm的范圍。上面所述的凹曲面部11d的曲率半徑為比該陶瓷基體11的厚度小的值，可根據(jù)該陶瓷基體11的厚度確定最佳值。
凹曲面部11d的表面粗糙度，最好是中心線平均粗糙度Ra為0.8μm以下。根據(jù)發(fā)明者們的研究已清楚，即使在同一曲率半徑的情況下，凹曲面部11d的表面粗糙度越大，越容易產(chǎn)生裂紋。這是認為表面粗糙度越大，表面的凹凸越容易成為破壞起點。通過使凹曲面部11d的表面粗糙度在中心線平均粗糙度Ra為0.8μm以下，能有效地抑制裂紋的產(chǎn)生，進一步提高可靠性。這種中心線平均粗糙度Ra的調(diào)整，通過按以下條件進行可順利實現(xiàn)，即，在制作陶瓷基體11的過程中對凹曲面部進行研磨加工時，使研磨砥石的粒度為325號以上、進給速度為0.2mm/min。
使陶瓷基體11的凹曲面部11d從接合界面離開的側(cè)面部11e的直線的長度最好是0.5-2.0mm的范圍。要想使側(cè)面部11e更長就需要加大陶瓷基體加工前的厚度，加工費增大。另外，如果側(cè)面部11e太短，則接合界面與凹曲面部11d接近，不能充分得到本發(fā)明的效果。
其次，使用圖2說明本發(fā)明加熱裝置的別的實施例。
圖2(a)是本發(fā)明的加熱裝置的別的實施例的模式縱剖視圖。同圖(b)是同圖(a)的A區(qū)域的放大圖。另外，在圖2中，對于與圖1中同一部件給與同一符號，以下省略重復(fù)敘述。
圖2所示的實施例的加熱裝置具備陶瓷基體21和軸13。該陶瓷基體21具有加熱面21a和接合面21b，在該接合面21b的中央附近的板厚比周邊部附近要厚，軸13接合在該中央部表面21c。
并且，在與軸13的接合部附近，陶瓷基體21在具有與接合面21b的平面圓滑地連接的凹曲面部21d的同時，具有與該凹曲面部21d及軸23的凸緣部13a的外周面13b無階梯差地直線連接的側(cè)面部21e。
在含有軸13的中心軸線的剖面中，該凹曲面部21d具有橢圓弧形狀，而且，該橢圓的長軸與陶瓷基體21的接合面21b平行，短軸與陶瓷基體21的接合面21b垂直。在具有這種橢圓弧狀的截面形狀這方面，圖2所示的實施例與圖1所示的實施例不同。
在圖2所示的實施例中，凹曲面部21d通過在含有軸13的中心軸線的截面中具有橢圓弧形狀，與圖1所示的實施例相比較，不加大陶瓷基體的厚度(同圖(b)所示的t0)，也能有效地得到與增大曲率半徑同樣的效果。另外，由于凹曲面部21d與側(cè)面部21e連續(xù)的區(qū)域的曲率為特別平緩的曲率圓弧，所以，與圖1所示的實施例相比，可以進一步緩和熱應(yīng)力。
最好是凹曲面部21d的圓弧的短軸半徑A為1-10mm、長軸半徑B以對短軸半徑A之比B/A為1.2-10的范圍。更好是短軸半徑A為1-4mm、長軸半徑B以對短軸半徑A之比B/A為1.5-5的范圍。
如果短軸半徑A不滿1mm，則形成凹曲面部21d的效果不足。另外，短軸半徑A超過10mm時，需要加大陶瓷基體21的厚度t0，陶瓷基體11的體積增加，其強度有可能下降。另外，由于凹曲面部21d的形成通過利用研磨加工去除陶瓷基體21的中央部附近以外的部分來進行，所以短軸半徑大，由此陶瓷基體21研磨加工前的初期厚度越大，加工費就越大，從而導(dǎo)致成本上升。因此，短軸半徑最好在10mm以下。更好的范圍是1-4mm。
如果長軸半徑B對短軸半徑A之比B/A小于1.5，則凹曲面部21d的截面形狀接近于圓，對該實施例的特征效果不足。另外，如果長軸半徑B對短軸半徑A之比B/A超過10，則陶瓷基體21的中心部附近熱容量過大，存在熱均勻性惡化或升溫時間長的可能。
即使在圖2所示的實施例中，陶瓷基體21的中心附近的厚度(圖2(b)所示的t0)希望在2-50mm的范圍，5-30mm的范圍更好。并且，通過凹曲面部21d的曲率半徑為小于該陶瓷基體21的厚度的值，可根據(jù)該陶瓷基體21的厚度來確定最佳值。
凹曲面部21d的表面粗糙度最好是中心線平均粗糙度Ra為0.8μm以下。凹曲面部21d的表面粗糙度通過使中心線平均粗糙度Ra為0.8μm以下，可有效地抑制裂紋地發(fā)生，并進一步提高可靠性。這種中心線平均粗糙度Ra的調(diào)整，通過按以下條件進行可順利實現(xiàn)，即，在制造陶瓷基體21的過程中對凹曲面部進行研磨加工時，使研磨砥石的粒度為325號以上、進給速度為0.2mm/min以下。
使凹曲面部21d從接合界面離開的側(cè)面部21e的直線的長度與圖1所示的實施例同樣，最好是0.5-2.0mm的范圍。要想使側(cè)面部21e更長就需要加大陶瓷基體加工前的厚度，加工費增大。另外，如果側(cè)面部11e太短，則接合界面與凹曲面部21d接近，不能充分得到本發(fā)明的效果。
其次，使用圖3以及圖4來敘述比較例的加熱裝置。
圖3是比較例的加熱裝置的模式縱剖面圖。該圖的加熱裝置具備陶瓷基體31；以及與該陶瓷基體31的加熱面31a相反側(cè)的接合面31b接合的軸23。另外，在該比較例中，在陶瓷基體31和軸23的接合部附近，在軸23的凸緣部23a上具有外周面23b；以及與該外周面23b圓滑地連接的凹曲面部23d。這樣，由于陶瓷基體31和軸23的接合界面不與凹曲面部23d的內(nèi)面相接，所以能抑制從該接合界面的外周側(cè)端部產(chǎn)生裂紋。然而，制作成為圖3所示的形狀的陶瓷基體的軸23，用已知的制造方法是困難的，認為圖1或圖2所示的實施例有利于實際制造。
圖4是別的比較例的加熱裝置的模式縱剖面圖。該圖的加熱裝置具備陶瓷基體101；埋設(shè)在該陶瓷基體101中的電阻發(fā)熱體102；以及，與該陶瓷基體101的加熱面101a相反側(cè)的接合面101b接合的軸103。該陶瓷基體101的接合面101b，其中央附近的厚度較厚，在該中央部表面101c上接合了軸103。在軸103的一個端部形成凸緣部103a，該凸緣部103a具有外周面103b和端面103c。
并且，在該陶瓷基體101和軸103的接合部附近形成有凹曲面部101d，在該凹曲面部101d的面內(nèi)接合了陶瓷基體101和軸103的接合界面。這一點與圖1以及圖2所示的實施例不同。在圖4所示的比較例中，存在從接合在該凹曲面部101d的面內(nèi)的接合界面的端部產(chǎn)生裂紋的危險。
以上使用附圖對本發(fā)明的加熱裝置的實施例進行了說明，但本發(fā)明的加熱裝置中，陶瓷基體11和陶瓷基體21的構(gòu)成并不限定于圖示的例子。另外，作為陶瓷基體2的材料，可優(yōu)選氮化鋁、碳化硅、氮化硅、氮化硼、莫來石、塞隆等氮化物陶瓷、氧化鋁-碳化硅復(fù)合材料等，但并不限定于這些，也可以是公知的陶瓷材料。為了對使用加熱裝置時環(huán)境氣體中所含的鹵系氣體等的腐蝕性氣體給與較高的耐腐蝕性，氮化鋁或氧化鋁特別好。另外，并不限定于陶瓷基體，即使在基體上使用耐熱金屬(耐熱不銹鋼或鎳鉻鐵耐熱耐蝕合金等的Ni基合金)的加熱裝置中也能夠應(yīng)用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)盡可能地緩和熱應(yīng)力的觀點，軸40最好是與陶瓷基體相同的材料。
本發(fā)明的加熱裝置，經(jīng)由以下各工序而制造，即陶瓷基體的制作工序；軸的制造工序；以及陶瓷基體和軸的接合工序。對于這些工序，可按照常規(guī)方法進行。
本發(fā)明的加熱裝置中有特征的陶瓷基體的凹曲面部的形成，在制作陶瓷基體時以及/或者接合陶瓷基體和軸的工序之后，能夠通過實施研磨加工來進行。在該研磨加工的精加工時，最好是按研磨砥石的粒度為325號以上、進給速度為0.2mm/min以下的條件進行。通過按該條件實施研磨加工，能夠更有效地抑制裂紋的發(fā)生。
詳細地說，在通常的研磨方法中，即使改變研磨砥石的粒度或進給速度，凹曲面部的表面粗糙度也限定于中心線平均粗糙度Ra為0.8μm左右，關(guān)于中心線平均粗糙度R，要成為小于0.8μm程度的值是困難的。然而，根據(jù)本發(fā)明的研究，通過使研磨砥石的粒度減小并使進給速度減小，即使凹曲面部的表面粗糙度的沒有體現(xiàn)出變化，也判斷接合強度進一步提高。認為這是由于通過使加工時的研磨砥石的粒度減小并使進給速度減小，凹曲面部的加工損傷即微裂減少。因此，在進行該研磨加工的精加工時，最好是按研磨砥石的粒度為325號以上、進給速度為0.2mm/min以下的條件進行。
下面說明實施例。
實施例1制造了將陶瓷基體和軸的接合部附近的凹曲面部的位置以及形狀進行各種變更的多個加熱裝置。以AIN粉末為原料、利用擠壓成形—燒結(jié)分別制作了陶瓷基體以及軸之后，通過固相接合將兩者接合從而制造出該加熱裝置。
陶瓷基體的外徑設(shè)定為348mm、外周部的厚度(圖2(b)的t1)設(shè)定為25mm，準備了將凹曲面部的曲率半徑以及陶瓷基體的中央部的厚度(圖2(b)的t0)進行了各種變更的加熱裝置。這些加熱裝置的軸為凸緣部的外徑為75mm、內(nèi)徑為52mm、凸緣部的厚度(外周部的軸線方向長度)為5mm。另外，在進行凹曲面部的加工時，設(shè)定砥石的番號為#200、砥石的轉(zhuǎn)數(shù)為6000(rpm)、砥石的進給速度為0.2mm/min，凹曲面部的表面粗糙度Ra為0.9μm。將這些加熱裝置的每一個設(shè)置在NF3氣體、400Torr的環(huán)境氣體腔室內(nèi)，并以700℃進行加熱，進行24小時的連續(xù)加熱后，暫時將溫度降低到200℃，再將溫度升高到700℃。在規(guī)定的期間進行了這種熱實驗之后，調(diào)查有無裂紋的發(fā)生。
將結(jié)果表示為表1。
表1

從表1可知，比較例1-5，接合部附近的凹曲面部由于連接并位于陶瓷基體和軸的接合界面，所以經(jīng)過一天之后就發(fā)生了裂紋。另外，即使在比較例1-5中曲率半徑較大的比較例5中，直到半年后也沒有發(fā)現(xiàn)異常，通過將曲率半徑加大到3mm程度，可有效地抑制裂紋。
另外，實施例1-5是根據(jù)本發(fā)明的使凹曲面部位于陶瓷基體側(cè)、而且與該凹曲面部連接的側(cè)面部以0.5～2mm的長度形成的例子。根據(jù)實施例1-5，在凹曲面部的曲率半徑在1-10mm的范圍的情況下，直到半年后也沒有發(fā)現(xiàn)異常，顯示出了優(yōu)良的可靠性。其中優(yōu)以凹曲面部的曲率半徑為1-4mm的范圍的情況下，經(jīng)過一年后也沒有發(fā)現(xiàn)異常，顯示出了特別優(yōu)良的可靠性。另外，在比較例6中，凹曲面部的曲率半徑小至0.5mm時，本發(fā)明的效果便喪失。另外，比較例7中，由于凹曲面部大到12mm，所以中心部的熱容量過大，在升溫中破損。
另外，實施例6以及實施例7是根據(jù)本發(fā)明的使凹曲面部位于陶瓷基體側(cè)、該凹曲面部具有橢圓截面形狀，而且與該凹曲面部連接的側(cè)面部以1-2mm的長度形成的例子。根據(jù)實施例6以及實施例7，在具有橢圓截面形狀的場合，經(jīng)過一年后也沒有發(fā)現(xiàn)異常，顯示出了特別優(yōu)良的可靠性。通過將該實施例6與具有與該實施例6的短軸半徑相同的曲率半徑的比較例6相對比、且將該實施例7與具有與該實施例7的短軸半徑相同的曲率半徑的比較例7相對比可知，通過使凹曲面部為橢圓截面形狀，即使陶瓷基體的中央部厚度相同也能夠提高可靠性。
實施例2調(diào)查了陶瓷基體的凹曲面部的表面粗糙度和接合強度的關(guān)系。所使用的加熱裝置是具有與實施例1所使用的加熱裝置相同的材料、規(guī)格的加熱裝置。
使用了凹曲面部的截面為圓弧形狀、曲率半徑為2mm、陶瓷基體的中央部附近的厚度為28mm、外周部附近的厚度為25mm的加熱裝置。
對凹曲面部的精研磨加工時研磨砥石的粒度大小、砥石的旋轉(zhuǎn)速度、砥石的進給速度進行各種變更，將進行加工的結(jié)果與接合界面的強度和接合界面的表面粗糙度一起表示為表2。另外，接合界面的強度通過切取實驗片、懸臂彎曲實驗來求出。
表2

根據(jù)表2可知，通過使砥石的大小(砥石番號)為325以上，進給速度為0.2mm/min以下，可顯著地提高強度。
在對凹曲面部進行加工時，使砥石的番號為#325、砥石的轉(zhuǎn)數(shù)為6000(rpm)、進給速度為0.2mm/min，制作與表1的實施例4相同形狀的加熱裝置，并以與實施例1所示的相同條件進行加熱腐蝕實驗。結(jié)果，即使在二兩后也沒有產(chǎn)生裂紋。由此可知，通過使砥石的大小(砥石番號)為325以上，進給速度為0.2mm/min以下，可進一步提高加熱裝置的可靠性。
權(quán)利要求
1.一種加熱裝置，其特征在于，具備板狀的加熱基體，以及一端面接合在該加熱基體的一個面上的中空棒部件，上述加熱基體在與上述中空棒部件的接合部附近具有與該中空棒部件的外周面成同一面的側(cè)面部，以及與該側(cè)面部連接的凹曲面部，該加熱基體和上述中棒部件的接合界面的端部位于該加熱基體的側(cè)面部和中空棒部件的外周面之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，上述凹曲面部的曲率半徑為1-10mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，上述凹曲面部在含有中空棒部件的中心軸線的截面中為橢圓弧形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，上述凹曲面部具有0.8μm以下的中心線平均粗糙度Ra。
5.一種加熱裝置的制造方法，具有以下工序?qū)⒅锌瞻舨考囊欢嗣娼雍显诩訜峄w的一個面上的工序；以及，對在該加熱基體和中空棒部件的接合部附近的加熱基體側(cè)形成的凹曲面部進行研磨加工的工序，其特征在于，上述研磨加工按以下條件進行研磨砥石的粒度為325號以上、進給速度為0.2mm/min以下。
全文摘要
本發(fā)明的加熱裝置具有加熱基體(11)以及與該加熱基體(11)接合的中空部件(13)，有效地防止在加熱基體(11)和中空部件棒材(13)的接合界面產(chǎn)生裂紋。加熱裝置具備板狀的加熱基體(11)和一端面接合在該加熱基體(11)的一個面上的中空部件(13)，加熱基體11具有在與中空部件(13)的接合部附近、與該中空部件(13)的外周面(13b)成同一面的側(cè)面部(11e)；以及與該側(cè)面部(11e)連接的凹曲面部(11d)，加熱基體(11)和中空部件(13)的接合界面的端部位于該加熱基體(11)的側(cè)面部(11e)和中空部件(13)的外周部(13b)之間。
文檔編號H05B3/20GK101043766SQ20071008912
公開日2007年9月26日 申請日期2007年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月20日
發(fā)明者后藤義信, 岡島久和 申請人:日本礙子株式會社