專利名稱：具有靜電防護(hù)功能的主動(dòng)陣列裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種主動(dòng)陣列裝置，特別是有關(guān)一種具有靜電防護(hù)功能的主動(dòng)陣 列裝置。背聚技術(shù)一般而言，存在于環(huán)境中的靜電電壓可能高達(dá)數(shù)千伏特，此高達(dá)數(shù)千伏特的 靜電電壓會(huì)產(chǎn)升極大的靜電電流，若是此極大的靜電電流流入了電路之內(nèi)，例如 流入一主動(dòng)陣列裝置內(nèi)，將會(huì)造成主動(dòng)陣列裝置內(nèi)電子元件的損害。為了避免主 動(dòng)陣列裝置被靜電電流損傷，在主動(dòng)陣列裝置內(nèi)通常設(shè)置了靜電防護(hù)電路，此靜 電防護(hù)電路提供了靜電放電路徑，避免靜電電流流入主動(dòng)陣列裝置內(nèi)部而損傷主 動(dòng)陣列裝置的電子元件。傳統(tǒng)的主動(dòng)陣列裝置通常在基板之上設(shè)置了靜電放電環(huán)(Electrostatic discharge Ring; ESD Ring)以及靜電防護(hù)裝置。當(dāng)掃描線或數(shù)據(jù)線上出現(xiàn)靜電時(shí)， 此靜電會(huì)通過(guò)靜電防護(hù)裝置排放至靜電放電環(huán)上，因此靜電不會(huì)累積在掃描線或 數(shù)據(jù)線之上，進(jìn)而延著掃描線進(jìn)入像素單元內(nèi)，破壞像素單元內(nèi)的電子元件。然而在這樣的主動(dòng)陣列裝置當(dāng)中，由于靜電放電環(huán)是耦合至印刷電路板，因 此印刷電路板上的靜電可以進(jìn)入基板，破壞基板上的電子元件。因此需要一種新的主動(dòng)陣列裝置，防止靜電由可撓性印刷電路板進(jìn)入基板， 避免基板上的電子元件遭到破壞。發(fā)明內(nèi)容因此本發(fā)明的一目的是提供一種主動(dòng)陣列裝置，此主動(dòng)陣列裝置能夠避 免靜電破壞其內(nèi)部的電子元件。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，主動(dòng)陣列裝置包括一基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素單元、 一靜電放電環(huán)、 一電路板以及一靜電防護(hù)電路，其 中掃描線、數(shù)據(jù)線、像素單元以及靜電放電環(huán)是配置于該基板之上，數(shù)據(jù)線 是縱橫交錯(cuò)于掃描線，像素單元?jiǎng)t耦合于掃描線以及數(shù)據(jù)線。靜電防護(hù)電路 耦合于靜電放電環(huán)以及電路板之間，用以防止一靜電由電路板進(jìn)入基板。本發(fā)明的另一目的是提供一種主動(dòng)陣列裝置，能夠防止靜電進(jìn)入基板而 破壞基板上的電子元件。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，主動(dòng)陣列裝置包括一基板、多條掃描線、多 條數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素單元、 一靜電放電環(huán)、 一電路板、 一第一靜電防護(hù)電路 以及多個(gè)第二靜電防護(hù)電路，其中掃描線、數(shù)據(jù)線、靜電放電環(huán)、像素單元 以及第二靜電防護(hù)電路是配置于基板之上，數(shù)據(jù)線是縱橫交錯(cuò)于掃描線，像 素單元?jiǎng)t耦合于掃描線以及數(shù)據(jù)線。第二靜電防護(hù)電路耦合于靜電放電環(huán)與 數(shù)據(jù)線之間，第一靜電防護(hù)電路則耦合于靜電放電環(huán)以及電路板之間，用以 防止靜電由電路板進(jìn)入基板。第二靜電防護(hù)電路包括至少一第一二極管以及至少一第二二極管，其中， 第一二極管的正極耦合靜電放電環(huán)，第一二極管的負(fù)極耦合數(shù)據(jù)線，第二二極管的正極耦合數(shù)據(jù)線，第二二極管的負(fù)極耦合靜電放電環(huán)。綜上所述，主動(dòng)陣列裝置中的靜電防護(hù)電路，能夠防止靜電由電路板進(jìn) 入基板，避免基板上的電子元件遭到靜電的破壞。


為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，現(xiàn)將結(jié)合附圖對(duì) 本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明如下-圖1是顯示依照本發(fā)明一實(shí)施例的主動(dòng)陣列裝置。圖2A是顯示依照本發(fā)明一實(shí)施例的第一靜電防護(hù)電路。 圖2B是顯示依照本發(fā)明一實(shí)施例的第一靜電防護(hù)電路。 圖2C是顯示依照本發(fā)明一實(shí)施例的第一靜電防護(hù)電路。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖l，其示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的主動(dòng)陣列裝置，包括基板100、掃描線101、數(shù)據(jù)線105、多個(gè)像素單元111、第二靜電防護(hù)電路107、第三 靜電防護(hù)電路103、靜電放電環(huán)109、可撓性印刷電路板(FPC)113以及第一靜 電防護(hù)電路117。掃描線101、數(shù)據(jù)線105、多個(gè)像素單元111、第二靜電防護(hù)電路107、 第三靜電防護(hù)電路103以及靜電放電環(huán)109配置于基板IOO之上，像素單元111 耦合于掃描線101以及數(shù)據(jù)線105。掃描線101以及數(shù)據(jù)線105分別通過(guò)第三 靜電防護(hù)電路103以及第二靜電防護(hù)電路107耦合至靜電放電環(huán)109，第一靜 電防護(hù)電路117耦合于可撓性印刷電路板113與靜電放電環(huán)109之間。第二靜電防護(hù)電路107包括二極管119以及二極管121，其中，二極管119 的正極耦合數(shù)據(jù)線105，負(fù)極耦合靜電放電環(huán)109， 二極管121的正極耦合靜 電放電環(huán)109，負(fù)極耦合數(shù)據(jù)線105。第三靜電防護(hù)電路103包括二極管123 以及二極管125，其中，二極管123的正極耦合掃描線101，負(fù)極耦合靜電放 電環(huán)109， 二極管125的正極耦合靜電放電環(huán)109，負(fù)極耦合掃描線IOI。若數(shù)據(jù)線105上出現(xiàn)帶正極性的靜電時(shí)，二極管119導(dǎo)通，使得此正極 性的靜電可以排放至靜電放電環(huán)109之上。當(dāng)數(shù)據(jù)線105上出現(xiàn)帶負(fù)極性的 靜電時(shí)，此負(fù)極性的靜電將通過(guò)導(dǎo)通的二極管121排放至靜電放電環(huán)109之 上。同理，掃描線101上的靜電，也可通過(guò)二極管123以及125排放至靜電 放電環(huán)109之上。另一方面，若是可撓性印刷電路板113上存在靜電時(shí)，第一靜電防護(hù)電 路117會(huì)阻隔此靜電，使此靜電無(wú)法由可撓性印刷電路板113進(jìn)入基板100， 或是消耗此靜電的能量，使靜電無(wú)法破壞基板100上的電子元件。請(qǐng)參閱圖2A，其是依照本發(fā)明一實(shí)施例的第一靜電防護(hù)電路的內(nèi)部電路。 第一靜電防護(hù)電路117可為一晶體管201，其中，晶體管201的第一源漏極201a 耦合靜電放電環(huán)109，晶體管201的第二源漏極201b耦合可撓性印刷電路板 113，晶體管201的柵極是浮接。當(dāng)可撓性印刷電路板113上存在靜電時(shí)，由于晶體管201的柵極是浮接， 晶體管201未導(dǎo)通，因此晶體管201可以阻隔可撓性印刷電路板113上的靜 電進(jìn)入靜電放電環(huán)109，從而避免基板100上的電子元件遭到靜電的破壞。請(qǐng)參閱圖2B，其是顯示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的第一靜電防護(hù)電路的內(nèi)部電路。第一靜電防護(hù)電路117包括二極管203以及二極管205，其中二極管 203的正極耦合可撓性印刷電路板113，負(fù)極則耦合靜電放電環(huán)109。 二極管 205的正極耦合靜電放電環(huán)109，負(fù)極則耦合可撓性印刷電路板113。當(dāng)可撓性印刷電路板113上帶正極性的靜電經(jīng)由二極管203進(jìn)入靜電放 電環(huán)109，或是帶負(fù)極性的靜電經(jīng)由二極管205進(jìn)入靜電放電環(huán)109時(shí)，此靜 電會(huì)被二極管203以及205消耗，因此可以避免基板100上的電子元件遭到 靜電破壞。請(qǐng)參閱圖2C，其是顯示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的第一靜電防護(hù)電路的內(nèi) 部電路，包括二極管207、 209、 211以及213，其連接方式是與圖2B中的二 極管203、 205的連接方式相同，但額外增加了兩個(gè)二極管來(lái)消耗靜電的能量。雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明， 任何在本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中，具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和 范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種等同的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的 本申請(qǐng)權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種主動(dòng)陣列裝置，包含一基板；多條掃描線，配置于該基板之上；多條數(shù)據(jù)線，配置于基板之上，縱橫交錯(cuò)于這些掃描線；多個(gè)像素單元，耦合于這些數(shù)據(jù)線以及這些掃描線；一靜電放電環(huán)，配置于該基板之上；一電路板；以及一靜電防護(hù)電路，耦合于該靜電放電環(huán)與該電路板之間，用以防止一靜電由該電路板進(jìn)入該基板。
2. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)陣列裝置，其特征在于該靜電防護(hù)電路為一晶 體管，該晶體管的第一源漏極耦合該靜電放電環(huán)，該晶體管的第二源漏極耦 合該電路板，該晶體管的柵極則浮接。
3. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)陣列裝置，其特征在于該靜電防護(hù)電路包含 至少一第一二極管，其正極耦合該靜電放電環(huán)，其負(fù)極耦合該電路板；以及至少一第二二極管，其正極耦合該電路板，其負(fù)極耦合該靜電放電環(huán)。
4. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)陣列裝置，其特征在于該電路板為一可撓性印 刷電路板。
5. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)陣列裝置，其特征在于該靜電放電環(huán)耦合一電 壓源。
6. —種主動(dòng)陣列裝置，包含 一基板；多條掃描線，配置于該基板之上；多條數(shù)據(jù)線，配置于該基板之上，縱橫交錯(cuò)于這些掃描線；多個(gè)像素單元，耦合于這些數(shù)據(jù)線以及這些掃描線；一靜電放電環(huán)，配置于該基板之上； 一電路板；一第一靜電防護(hù)電路，耦合于該靜電放電環(huán)以及該電路板之間，用以防 止一靜電由該電路板進(jìn)入該基板；以及多個(gè)第二靜電防護(hù)電路，耦合于該靜電放電環(huán)與這些數(shù)據(jù)線之間，這些 第二靜電防護(hù)電路包含至少一第一二極管，該第一二極管的正極耦合該靜電放電環(huán)，該第一二 極管的負(fù)極耦合該數(shù)據(jù)線；以及至少一第二二極管，該第二二極管的正極耦 合該數(shù)據(jù)線，該第二二極管的負(fù)極耦合該靜電放電環(huán)。
7. 如權(quán)利要求6所述的主動(dòng)陣列裝置，其特征在于還包含多個(gè)第三靜電防 護(hù)電路，耦合于該靜電放電環(huán)與這些掃描線之間，這些第三靜電防護(hù)電路包 含至少一第三二極管，該第三二極管的正極耦合該靜電放電環(huán)，該第三二 極管的負(fù)極耦合這些掃描線；以及至少一第四二極管，該第四二極管的正極耦合這些掃描線，該第四二極 管的負(fù)極耦合該靜電放電環(huán)。
8. 如權(quán)利要求6所述的主動(dòng)陣列裝置，其特征在于該第一靜電防護(hù)電路為 一晶體管，該晶體管的第一源、漏極耦合該靜電放電環(huán)，該晶體管的第二源 漏極耦合該電路板，該晶體管的柵極是浮接。
9. 如權(quán)利要求6所述的主動(dòng)陣列裝置，其特征在于該第一靜電防護(hù)電路包含至少一第五二極管，該第五二極管的正極耦合該靜電放電環(huán)，該第五二 極管的負(fù)極耦合該電路板；以及至少一第六二極管，該第六二極管的正極耦合該電路板，該第六二極管 的負(fù)極耦合該靜電放電環(huán)。
全文摘要
一種主動(dòng)陣列裝置，包括基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素單元、靜電放電環(huán)、電路板以及靜電防護(hù)電路，其中掃描線、數(shù)據(jù)線、像素單元以及靜電放電環(huán)是配置于基板之上，數(shù)據(jù)線是縱橫交錯(cuò)于掃描線。靜電防護(hù)電路耦合于靜電放電環(huán)以及電路板之間，用以防止靜電由電路板進(jìn)入基板。
文檔編號(hào)H05F3/04GK101227788SQ20071000448
公開日2008年7月23日 申請(qǐng)日期2007年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月18日
發(fā)明者劉全豐, 吳淇銘 申請(qǐng)人:元太科技工業(yè)股份有限公司