專利名稱：：用熱轉移形成具有圖案的金屬層的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明一般涉及在接收基質上形成導體的圖案，特別是涉及通過對金屬納米粒子退火并將其從供體基質轉移到接收基質上而在接收基質上形成導體。
背景技術：
：通常需要印刷大面積的具有至少一側尺寸為1-1000微米的導體的電路。實現(xiàn)這種類型的電路印刷的一種方法是采用真空沉積。然而，該方法的操作成本高且僅適合成批處理。另一構造電路的方法是使用金屬納米粒子進行噴墨印刷圖案來形成導體。該方法在S.Molesa等的"High-qualityinkjet-printedmultilevelinterconnectsandinductivecomponentsonplasticforultra-low-costRFIDapplications."UniversityofCalifornia,Berkeley中進行了討論。與這種技術相關聯(lián)的一些問題是，該項技術依賴于基質，很難獲得小于100微米的側向尺寸，且粒子必須經整體加熱而退火，而這可導致基質變形。噴墨沉積的另一問題是其通常需要多通道來沉積適當量的金屬，而這減少了產量。在以下兩份參考文章中示出了對解決整體加熱問題的嘗試，包括使用高能量的激光來退火納米粒子。N.R.Bien等；"Microstucturingbyprintingandlasercuringofnanoparticlesolutions"AppliedPhysicsLetters,82巻，20期，2003年5月19日，3529-3531頁；和J.Chung等；"Conductormicros加cturesbylasercuringofprintedgoldnanoparticleink"AppliedPhysicsLetters,84巻，5期，2004年2月2日，801-803頁.作為示例的金納米粒子在可見光譜中具有低吸收，導致低的加熱效率。由于寫速度低，這種低的加熱效率在商業(yè)應用中存在問題。Yang等的共同未決美國專利申請10/881,301公開了在基質上形成電導體圖案的方法，該方法是在基質上由溶液涂布混合有光吸收染料的金屬納米粒子，然后選擇性地用激光對金屬納米粒子進行退火而形成導電材料。美國專利6,770,549公開了通過觸點粘結轉移而將形成有圖案的薄膜金屬層從供體基質轉移到接收基質的方法。在該方法中，預圖案化的金屬層通過昂貴的方法，例如真空沉積和采用遮光板或照相平版印刷術方法的濺射而在供體基質上形成。從供體基質到接收基質的激光誘導的材料的熱轉移已在許多現(xiàn)有技術中公開，包括美國專利4,948,778;5,171,650;5,244,770;5,256,506;5,691,098,5,800,960;5,981,136;6,097,416;6,099,994;6,190,826;6,582,877和6,866,979,以及美國專利申請2004/0029039,2004/0028942和2003/018638。然而，它們均未示出如在本發(fā)明中公開的能夠同時實施激光誘導的熱轉移和對被轉移材料進行退火的方法或工藝。
發(fā)明內容簡言之，根據(jù)本發(fā)明的一方面，在接收基質上形成電導體圖案的方法包括形成導電材料的金屬納米粒子。形成供體基質。在供體基質的第一側上沉積光吸收材料層。將金屬納米粒子沉積在光吸收材料之上。金屬納米粒子層與接收基質接觸放置。圖案被寫入到由供體基質和接收基質形成的夾層上，使納米粒子層的金屬納米粒子退火并轉移到接收基質，從而在接收基質上形成電導體的圖案。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，供體元件包括供體基質、紅外線(IR)吸收層、納米粒子層；其中，納米粒子層的一部分受到激光輻射并受熱，而從供體基質分離并轉移到接收基質上，而納米粒子層的未受激光輻射的部分保持對供體基質的附著。在下面給出的優(yōu)選實施方案的詳細描述中，本發(fā)明及其目的和優(yōu)點將更為清晰。圖1示出了用于對納米粒子層進行退火并從供體基質轉移到接收基質的裝置的示意圖。圖2示出了本發(fā)明的供體基質的橫截面圖。圖3示出了本發(fā)明的供體元件的橫截面圖。圖4a和4b示出了本發(fā)明的部分納米粒子層發(fā)生了退火并轉移到接收基質上的供體元件的橫截面圖。圖5示出了用于本發(fā)明的替代打印頭的橫截面圖。圖6示出了用于本發(fā)明的替代打印頭的橫截面圖。圖7示出了用于本發(fā)明的替代打印頭的橫截面圖。具體實施例方式金屬納米粒子最為顯著的特征之一是尺寸依賴性的表面熔點下降。(Ph.Buffat等；"Sizeeffectonthemeltingtemperatureofgoldparticles"PhysicalReviewA,13巻，6期，1976年6月，2287-2297頁；A.N.Goldstein等"MeltinginSemiconductorNanocrystals"Science,256巻，1002年6月5日，1425-1427頁；和K.K.Nanda等；"Liquid-dropmodelforthesize-dependentmeltingoflow-dimensionalsystems"PhysicalReview,A66(2002),013208-1至013208-8頁.)該性能可使得金屬納米粒子熔化或燒結成具有良好導電性的多晶膜。(D.Huang;"Plastic-CompatibleLowResistancePrintableGoldNanoparticleConductorsforFlexibleElectronic"JournaloftheElectrochemicalSociety,150巻，7期，2003年7月，摘要)收基質上形成電導體圖案的方法。通常在供體基質的第一側上沉積脫模材料層。金屬納米粒子被沉積在脫模材料之上。金屬納米粒子層與接收基質接觸放置。圖案被寫入到由供體基質和接收基質形成的夾層上，使納米粒子層的金屬納米粒子退火并轉移到接收基質，從而在接收基質上形成電導體的圖案。在優(yōu)選的實施方案中，可溶液加工的金屬納米簇與光吸收染料在溶劑中配制。將該材料涂布在IR吸收層之上形成薄膜。金屬納米粒子層與接收基質接觸放置，激光被用于在由供體基質和接收基質形成的夾層上進行寫入，使納米粒子層的金屬納米粒子退火并轉移到接收基質上形成需要的圖案。本發(fā)明將特別地涉及形成本發(fā)明裝置的部分，或更直接與本發(fā)明裝置協(xié)作的元件。應當理解的是，未具體示出或描述的元件可采取本領域技術人員熟知的各種形式。極管激光器，這是由于它在小尺寸f低花費、穩(wěn)定性、；可靠'"、耐久性和易調制方面具有顯著的優(yōu)勢。在實際中，在可以使用任何激光來加熱涂布的元件之前，元件必須含有紅外吸收材料，例如金屬、顏料如炭黑、或在美國專利4,973,572中描述的花青類紅外吸收染料、或在以下美國專利中描述的其它材料4,948,777;4,950,640;4,950,639;4,948,776;4,942,141;4,952,552;5,036,040;和4,912,083,這些專利中的公開內容引入本文作為參考。然后，激光輻射經IR吸收劑吸收并通過被稱之為內轉化的分子過程而轉化為熱。因此，構造有用的吸收劑將不僅僅取決于吸收劑的顏色、可轉移性和強度，而且還取決于吸收劑對輻射的吸收和將其轉化為熱的能力。紅外吸收材料或染料可含在金屬納米粒子涂層自身之內，或含在與其相結合的分離的層之內，即位于吸收層之上或之下。應用于本發(fā)明中的元件活性層可通過任何溶劑相容的印刷4支術，例如噴墨、照相凹版法、料斗涂布(hoppercoating)或其它本領域已知的方法來涂布或印制到支持物上。金屬納米簇可以是銀、金、或金屬合金、其它可形成穩(wěn)定納米簇的貴金屬混合物。納米簇的尺寸通常在l-10nm的范圍內。現(xiàn)參見圖1,這里示出了激光印刷裝置10,其根據(jù)本發(fā)明使基質18以成像方式暴露于激光輻射。印刷裝置10的激光器14可以是二極管激光器或其它任何高功率的激光器，由其產生激光束26。在本發(fā)明中，可以同時使用一個以上的激光器或激光束。如在共同轉讓的美國專利6,252,621(其公開內容在此引入作為參考)中所教導的，激光束的形狀可以是橢圓形的，從而允許在使用低成本多模式激光器時進行細線的寫入。為了掃描激光束以提供在激光束26和基質18之間的相對運動，包括可移動鏡子的檢流計22通過f-e透鏡24掃描光束，在X方向形成線條。本領域技術人員將能夠理解也可通過其它種類的可移動鏡子，例如帶有鏡面的旋轉多邊形，或通過其它裝置，例如旋轉衍射光柵等來實現(xiàn)激光束掃描。存在多種激光熱敏打印機可被用于將圖像寫入到納米粒子涂層中。掃描儀中的偏導裝置可以是與在美國專利6,031,561中使用的類似的旋轉多邊形偏導裝置40。通常，當多邊形在每分鐘旋轉幾千次且打印速率相對于先前的檢流計掃描儀快得多的情況下，只用到單一激光源(未示出)。多邊形掃描儀通常采用圖5中的f-e透鏡24,其將掃描的激光束聚焦在接收器表面上。激光源再次用由適當?shù)臄?shù)字電子學數(shù)據(jù)通路提供的圖像數(shù)據(jù)進行調制(或者連續(xù)的激光束可由分離的調制器，即聲光調制器進行調制)。激光點由多邊形偏導裝置在快速掃描方向進行掃描，而接收表面由圖5中的線性平移器46在慢速掃描方向進行掃描。激光束必須具有足夠的功率來將納米粒子涂層加熱到足以導致納米粒子發(fā)生退火的溫度。掃描點的尺寸在很大程度上決定了打印行的分辨率?？捎糜谶M行激光圖案形成過程的其它打印機使用了如在圖6中和在美國專利6,169,565中所示的多通道打印頭60,但可適當折疊成相當緊湊的多通道打印頭。打印頭以恒定速率(除了在轉向時)在快速方向前后掃描，接收器在打印頭每次掃描后前進256打印點陣列的寬度?？商娲?，打印頭也可在安裝到如圖7中所示在美國專利4,900,130中討論過的旋轉鼓70上的接收片上打印。美國專利4,900,130中的打印頭是用附著在纖維72末端的激光器14制成的，其在接收器中成像為打印點陣列。這是適合完成任務的另一種打印頭。在圖1所示的實施方案中，基質18在與行正交的Y方向通過平移臺32遷移，使得全部區(qū)域均得到掃描。掃描中，光束在任何點上的強度都由激光功率控制線路30使用計算機28給出的指示來控制?？商娲兀す馐膹姸瓤梢杂煞蛛x的調制器，例如激光光學領域技術人員熟知的聲光調制器(未示出)來控制。在可替代的實施方案中，基質可保持靜止，而使激光裝置發(fā)生運動，或者將其光束進行光學改向。重要的特征是在激光束和顯示基質之間存在相對運動以進行全區(qū)域掃描。圖2描述了用于本發(fā)明的供體基質的一種實施方案。供體基質45包括供體支持物50和吸收層80。供體基質45也可任選地包括抗反射層65和/或脫#莫層80。任何材料均可用作供體支持物50，條件是其能夠經受住激光的熱。這樣的材料包括聚酯，例如聚萘二甲酸乙二酯；聚對苯二曱酸乙二酯；聚酰胺、聚碳酸酯；纖維素酯，例如醋酸纖維素；含氟聚合物，例如聚偏氟乙烯或四氟乙烯-六氟丙烯共聚物；聚醚，例如聚甲醛；聚乙醛；聚烯烴，例如聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯或甲基戊烯聚合物；以及聚酰亞胺，例如聚酰亞胺-酰胺和聚醚-酰亞胺。金屬基質和無機材料，例如玻璃、鍺化硅和金屬氧化物，例如氧化鋁和氧化硅也適用于本發(fā)明。供體支持物50也可含有兩層或多層這些材料。供體支持物50通常的厚度為約5-約5000|im。然后，用能夠在預定光語部分吸收激光以產生熱的吸收層80對供體支持物50進行涂布。吸收層80可以是金屬，例如Ag，Au,Be,Co,Cr,Cu,Fe,Ir,Mo,Nb,Ni,Pt，Rh,Ta,Pd,V,Zr或W,或它們的混合物。這組金屬中優(yōu)選的金屬為Ni,Mo,Zr,Be,Cr,V,Mo,Pt或W或它們的混合物。吸收層80可以是有機材料或染料，包括在美國專利4,541,830;4，698,651;4,695,287;4,701,439;4,757,046;4,743,582;4,769，360;4,753,922和6,703,111中公開的任何染料。上述染料可單獨或與其它染料組合使用?？狗瓷鋵?5是供體基質45的任選層，包括具有折射率的實部大于3.0的材料。這包括諸如硅、鍺以及它們的組合的材料?？狗瓷鋵?5和吸收層80的特別有用的組合包括硅與鉻以及鍺與鎳。抗反射層65的使利6,790,594中所進行了描述，該專利的公開內容在此引入作為參考。在本發(fā)明的一個實施方案中，在吸收層之上或之下涂布了脫模層75，以助于金屬納米粒子層的剝離。在優(yōu)選的實施方案中，脫模層包括產生氣體的聚合物，其能夠在受到激光和紅外吸收材料的加熱后形成氣體，如在美國專利6,165,671中所公開的，該脫模層用具有Et值在約0.3-1.0之間的極性溶劑涂布。在另一優(yōu)選的實施方案中，產生氣體的聚合物是氰基丙烯酸酯。在另一優(yōu)選的實施方案中，脫模層包含具有玻璃化轉變溫度低于150°C,更優(yōu)選為低于IO(TC的聚合物。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的供體元件100的橫截面圖。在吸收層80之上合成并涂布的具有直徑小于lOOnm，優(yōu)選小于50nm的金屬納米粒子的金屬納米粒子層90是由含有金屬納米粒子濃度為l%-80%,優(yōu)選為10%-40%的溶液制得的?？蓪舛葹?.1%-20%,優(yōu)選為1%-5%的光吸收染料加入到金屬納米粒子的溶液中，以促進金屬納米粒子的轉化性能。Au納米粒子的合成由以下方法進行。將14g的四辛基溴化銨溶解在400ml的甲苯中，并將3.0g的四氯金酸(HAuCU)溶解在100ml的水中。將四氯金酸/水的混合物倒入含有四辛基溴化銨/曱苯的燒瓶中。加蓋并搖動燒瓶幾秒鐘。將混合物倒入分離漏斗中，使水/甲苯層得以分離，然后收集頂層(曱苯)溶液。取出紅棕色的有機相，并將其放回到圓底燒瓶中。將在25ml甲苯中的4.7g己硫醇的溶液加入到燒瓶中，攪拌IO分鐘直到溶液變?yōu)闊o色。在175ml水中溶解3.8g硼氫化鈉。在劇烈攪拌的同時，用滴液漏斗將NaBH4溶液在兩分鐘內加入到有機相中。攪拌3.5小時，用分液漏斗從有機相中收集材料。通過旋轉蒸發(fā)(保持溫度低于50。C)除去溶劑。向含產物的圓底燒瓶中加入100ml乙醇，并聲波處理混合物2分鐘。用細燒結的玻璃過濾器過濾該材料，并用100ml乙醇洗滌沉淀。產物(金納米粒子)在無熱真空爐中干燥1小時，稱量為0.8-1.0g。由TEM檢驗的納米粒子尺寸為2-4nm,且DSC顯示出熔融或燒結溫度為190-200°C。涂布溶液用以下配方進行配制溶液1:將10%的Au納米粒子和1%的IR顏料1溶解在40/60的乙醇/甲苯混合溶劑中。溶液2:將20%的Au納米粒子和2%的IR顏料1溶解在40/60的乙醇/曱苯混合溶劑中。通過用涂鏟或涂棍進行手工涂布或通過漏斗進行機器涂布，將溶液涂布在4密耳的PET基質上。涂層的濕沉積量經計算為5|Lim-25|Lim。涂層的最終干燥厚度經測量為0.15]um-2jLim。圖4a和4b示出了根據(jù)本發(fā)明的有部分納米粒子層發(fā)生了退火并轉移到接收基質上的供體元件的橫截面圖?？狗瓷鋵?5和脫模層75被淀積在供體基質50的第一側上。紅外(IR)吸收層80涂布在脫模層75的上部，以吸收激光并將其轉化為熱。金屬納米粒子層90在溶液中制備并均勻淀積在IR吸收層80上。然后，將供體元件100放置到使金屬納米粒子層90與接收基質110相接觸的位置。激光束26經活化使激光照射供體元件100。激光被能量吸收層80的選定部分吸收并將其加熱，進而將納米粒子層90的選定部分加熱到足以使納米粒子發(fā)生退火而形成金屬導電膜120的水平。然后，將供體元件IOO和接收基質IIO分離，其中，納米粒子層90的部分^皮激光輻射和加熱，從供體元件100分離并轉移到接收基質110上，在接收基質IIO上形成電導體的圖案，而納米粒子層中未被激光輻射的部分保持對供體元件100的附著。接收基質110可以是有機固體、無機固體或有機和無機固體的組合，它們提供用于接收來自供體元件100的金屬導電膜的表面，且可以是剛性的或柔性的。典型的基質材料包括玻璃、塑料、金屬、陶瓷、半導體、金屬氧化物、半導體氧化物、半導體氮化物或它們的組合。接收基質IIO可以是材料的均勻混合物、材料的復合物或多層材料。接收基質UO可以是OLED基質，即通常被用于制備OLED器件的基質，例如有源矩陣低溫多晶硅TFT基質。接收基質110可以是透光性的或不透明的。接收基質110可在轉移步驟前由其它涂層涂布。通過以下實施例，本發(fā)明及其優(yōu)點可得到更好的理解。實施例1:供體元件通過以下方式構造40nm的石圭抗反射層和40nm的4各吸收層順序一皮真空淀積到51微米的聚酰亞胺供體基質上。將20%的尺寸為2-4nm的金納米粒子和1-2%的IR吸收染料分散在40/60的乙醇/曱苯混合溶劑中，并涂布在鉻層上，濕沉積量為1cc/sqft。然后，樣品在室溫下干燥10分鐘，得到最終厚度為約300-500nm。接收基質用于本發(fā)明的接收基質是4密耳的PET膜，且在表面的接收一側具有0.3|nm的凝膠涂層。經退火和轉移的金屬納米粒子層金屬納米粒子層與接收基質的凝膠層接觸放置，并通過真空而壓制。在需要退火和轉移的區(qū)域，使用含有830nm和最大功率為600mW的激光二極管的激光印字機來退火涂布的納米粒子，并通過對供體支持物的第二側按預定的圖像進行掃描來寫入圖案。設定掃描速度，使得涂布的基質上的激光暴露在約1.3J/CII^的能量水平。慢慢將供體元件和接收基質分開，使得一部分納米粒子層受到激光輻射并受熱而從供體基質轉移到接收基質上，而納米粒子層的未受激光輻射的一部分保持對供體基質的附著。實施例2:如實施例1構造出符合本發(fā)明要求的供體元件和接收基質，但與之不同的是將20%的尺寸為50-70nm的銀納米粒子(出自CIMANanotechofSt.Paul,MN)分散在含有2%的IR吸收染料的乙二醇丁基醚乙酸酯溶液中。實施例3:如實施例1構造出符合本發(fā)明要求的供體元件和接收基質，但與之不同的是將20%的尺寸為50-70nm的銀納米粒子(出自CIMANanotechofSt.Paul,MN)分散在含有2%的IR吸收染料的水和乙醇的混合溶劑中。表1中示出了經激光退火和轉移而在PET凝膠涂布上形成圖案的Au和Ag導體的結果。表1<table>complextableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表l表明，在激光轉移和退火后，在凝膠涂布PET上的轉移的金屬層的電阻率降低到傳導性很高的狀態(tài)。由于未經燒結，未受激光輻射的納米粒子層仍在供體基質上保持非傳導性。部件清單10激光印刷裝置14激光器18基質22檢流計24f-e透鏡26激光束28喊30激光功率控制線路32平移臺40多邊形45供體基質46線性平移器50供體支持物60多通道打印頭65抗反射層70旋轉鼓72纖維75脫模層80吸收層90納米粒子層100供體元件110接收基質120金屬導體膜權利要求1.在接收基質上形成電導體圖案的方法，包括形成導電材料的金屬納米粒子；形成供體基質；在所述供體基質的第一側上沉積光吸收材料層；在所述光吸收材料上沉積所述金屬納米粒子；將所述金屬納米粒子層與所述接收基質接觸放置；以及用激光器在由所述供體基質和所述接收基質形成的夾層上寫入圖案，使所述納米粒子層的金屬納米粒子退火并轉移到所述接收基質，從而在所述接收基質上形成所述電導體的圖案。2.權利要求l的方法，包括另外的步驟將所述金屬納米粒子與光吸收部分混合。3.權利要求l的方法，包括另外的步驟在沉積所述光吸收材料層之前，在所述供體基質上形成抗反射層。4.權利要求1的方法，包括另外的步驟在所述供體基質的第二側上形成抗反射層。5.權利要求l的方法，包括另外的步驟在所述接收基質上形成粘合劑層。6.權利要求1的方法，其中所述激光器寫入到所述供體基質的第二側上。7.權利要求l的方法，其中所述激光器寫入到所述接收基質上。8.權利要求l的方法，其中所述基質是柔性的。9.權利要求l的方法，其中所述納米粒子選自金、銀、鈀和鈉。10.權利要求l的方法，其中所述金屬納米粒子具有有機殼。11.權利要求1的方法，其中所述納米粒子的側向尺寸小于100nm。12.權利要求l的方法，其中所述納米粒子的側向尺寸小于50nm。13.權利要求l的方法，其中所述光吸收材料是紅外線吸收材料。14.權利要求l的方法，其中所述激光由紅外線激光器產生。15.權利要求1的方法，其中所述激光由包含多個激光器的打印頭產生。16.權利要求l的方法，其中所述激光由多通道激光打印頭產生。17.權利要求l的方法，其中所述激光由多邊形激光掃描儀產生。18.權利要求l的方法，其中所述激光在從所述供體向所述接收體轉移的過程中對所述納米粒子進行退火。19.在接收基質上形成電導體圖案的方法，包括形成導電材料的金屬納米粒子；形成供體基質；在所述供體基質的第一側上沉積脫模材料層；在脫模材料上沉積光吸收材料層；在所述光吸收材料上沉積所述金屬納米粒子；將所述金屬納米粒子層與所述接收基質接觸放置；以及用激光器在由所述供體基質和所述接收基質形成的夾層上寫入圖案，使所述納米粒子層的金屬納米粒子退火并轉移到所述接收基質，從而在所述接收基質上形成電導體的圖案。20.權利要求19的方法，包括另外的步驟將所述金屬納米粒子與光吸收部分混合。21.權利要求19的方法，包括另外的步驟在沉積所述光吸收材料層之前，在所述供體基質上形成抗反射層。22.權利要求19的方法，包括另外的步驟在所述供體基質的第二側上形成抗反射層。23.權利要求19的方法，包括另外的步驟在所述接收基質上形成粘合劑層。24.權利要求19的方法，其中所述激光器寫入到所述供體基質的第二側上。25.權利要求19的方法，其中所述激光器寫入到所述接收基質上。26.權利要求19的方法，其中所述基質是柔性的。27.權利要求19的方法，其中所述納米粒子選自金、銀、鈀和鉑。28.權利要求19的方法，其中所述金屬納米粒子具有有機殼。29.權利要求19的方法，其中所述納米粒子的側向尺寸小于100nm。30.權利要求19的方法，其中所述納米粒子的側向尺寸小于50nm。31.權利要求19的方法，其中所述光吸收材料是紅外線吸收材料。32.權利要求19的方法，其中所述激光由紅外線激光器產生。33.權利要求19的方法，其中所述激光由包含多個激光器的打印頭產生。34.權利要求19的方法，其中所述激光由多通道激光打印頭產生。35.權利要求19的方法，其中所述激光由多邊形激光掃描儀產生。36.權利要求19的方法，其中所述激光在從所述供體向所述接收體轉移的過程中對所述納米粒子進行退火。37.權利要求19的方法，其中所述脫模材料層包含產生氣體的聚合物，其能夠在受到激光和激光吸收材料的加熱后形成氣體。38.權利要求37的方法，其中所述產生氣體的聚合物是氰基丙烯酸酯。39.權利要求19的方法，其中所述脫模材料層包含具有玻璃化轉變溫度低于150。C的聚合物。40.權利要求19的方法，其中所述脫模材料層包含具有玻璃化轉變溫度低于IO(TC的聚合物。41.在接收基質上形成電導體圖案的裝置，包括用于將金屬納米粒子與光吸收部分混合的混合器；用于將所述混合物涂布到供體基質上的涂布器；以及用于從所述涂布的供體基質向接收基質轉移所述圖案的激光器。42.在接收基質上形成電導體圖案的方法，包括形成導電材料的金屬納米粒子；將所述金屬納米粒子與光吸收部分混合；形成供體基質；在所述供體基質的第一側上沉積所述金屬納米粒子層和所述光吸收部分；將所述金屬納米粒子和所述光吸收部分層與所述接收基質接觸放置；以及用激光器在由所述供體基質和所述接收基質形成的夾層上寫入圖案，使所述納米粒子層的金屬納米粒子退火并轉移到所述接收基質，從而在所述接收基質上形成電導體的圖案。43.權利要求42的方法，包括另外的步驟在沉積所述納米粒子和所述光吸收部分層之前，在所述供體基質上形成脫模層。全文摘要在接收基質(110)上通過激光燒蝕轉移法形成電導體圖案的方法包括形成導電材料的金屬納米粒子。形成供體基質(45)。在供體基質的第一側上沉積脫模材料層(75)。金屬納米粒子被沉積在脫模材料之上。金屬納米粒子層與接收基質接觸放置。圖案被寫入到由供體基質和接收基質形成的夾層上，使納米粒子層(90)的金屬納米粒子退火并轉移到接收基質，從而在接收基質上形成電導體的圖案。文檔編號H05K3/00GK101199245SQ200680016938公開日2008年6月11日申請日期2006年5月2日優(yōu)先權日2005年5月17日發(fā)明者K·阮,Z·楊申請人:伊斯曼柯達公司