專利名稱：：為電子設(shè)備外殼提供電磁干擾屏蔽的三維結(jié)構(gòu)的制作方法為電子設(shè)備外殼提供電磁干擾屏蔽的三維結(jié)構(gòu)優(yōu)先權(quán)文件參考本申請(qǐng)要求2005年11月IO日提交的、標(biāo)題為"為電子設(shè)備外殼提供電磁干擾屏蔽的三維結(jié)構(gòu)(THREE-DIMENSIONALCONFIGURATIONSPROVIDINGELECTROMAGNETICINTERFERENCESHIELDINGFORELECTRONICSENCLOSURES)"的美國(guó)專利申請(qǐng)序列號(hào)No.11/270,827的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)是部分繼續(xù)申請(qǐng)，并要求2005年3月15日遞交的、由保羅.道格拉斯.考可蘭尼(PaulDouglasCochrane)發(fā)明的、標(biāo)題為"減少成本和襯墊及其它制作用于計(jì)算機(jī)外殼的電磁屏蔽解決方案(Reducedcostandgasketting"one-hit"andothermanufacturingEMI-shieldingsolutionsforcomputerenclosures)"的美國(guó)申請(qǐng)序列號(hào)No.l1/080,385的35USC§120規(guī)定的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)還要求2005年1月10日遞交的保羅.道格拉斯.考可蘭尼的標(biāo)題為"用于制作計(jì)算機(jī)機(jī)箱和其它電子元件殼體的無(wú)襯墊電磁屏蔽解決方案(Gasketless"one-hit"electromagneticinterference(EMC)shieldingsolutionsforthemanufactureofcomputerschassisandotherelectroniccomponentcontainers)"的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)序列號(hào)No.60/642,694的35USC§119(e)的優(yōu)先權(quán)。為了各個(gè)目的，所有以上參考的專利申請(qǐng)都通過(guò)引用被并入。
背景技術(shù)：
：下列
背景技術(shù)：
部分部分地抽取自澳爾.英.基思.阿姆斯特朗(EurIngKeithArmstrong)、徹麗.克拉夫(CherryClough)咨詢員、EMC-UK聯(lián)盟的"EMC第四部分屏蔽設(shè)計(jì)技術(shù)(DesignTechniquesforEMC-Part4Shielding)"。完全體積屏蔽通常稱為"法拉第電籠(FaradayCage)，，，盡管這可以給出布滿洞的圓筒(像法拉第先生的原版一樣)是可接受的這么一種印象，然而通常不是這樣。對(duì)于屏蔽來(lái)說(shuō)存在成本等級(jí)，這使得在設(shè)計(jì)過(guò)程中盡早考慮屏蔽在商業(yè)上非常重要。屏蔽可以圍繞以下元器件安裝各個(gè)IC-成本例如25P;PCB電路的隔離區(qū)域-成本例如￡1;整個(gè)PCB-成本例如iE10;子組件和模塊-成本例如￡15;整個(gè)產(chǎn)品-成本例如￡100;組件(例如工業(yè)控制和儀表操縱臺(tái))-成本例如￡1，000;房間-成本例如￡10,000;而建筑物-成本例如￡100,000。屏蔽總是會(huì)增加成本和重量，因此總是希望最好使用在這一系列中描述的其它技術(shù)來(lái)改善EMC，并降低對(duì)屏蔽的需要。甚至當(dāng)希望避免完全屏蔽時(shí)，最好考慮到墨菲法則(MurphyLaw)并根據(jù)真正的概念設(shè)計(jì)，以便如果需要可以在以后添加屏蔽。還可通過(guò)使所有導(dǎo)體和組件都非常接近固體金屬片來(lái)達(dá)到屏蔽度。因此，完全由低外形表面貼器件組裝成的接地平面PCB，因其在EMC方面的優(yōu)勢(shì)而被推薦使用。首先通過(guò)使電子設(shè)備組件的內(nèi)部電子單元和電纜一直保持接近接地金屬表面，其次通過(guò)將它們的接地端直連到金屬表面，而不是(或者以及)利用基于綠/黃導(dǎo)線的安全星形接地系統(tǒng)，可以在電子設(shè)備組件中獲得有效的屏蔽度。該技術(shù)采用鍍鋅座架板或機(jī)箱，并有助于避免對(duì)高價(jià)外殼SE的需要。已經(jīng)針對(duì)屏蔽罩如何工作撰寫了許多教科書，因此這里不再重復(fù)它們。不過(guò)，若干概括的概念是有幫助的。屏蔽罩在輻射的電磁波的傳播、反射和Z或吸收的路徑上設(shè)置了阻抗不連續(xù)點(diǎn)。這在概念上非常類似于濾波器的工作方式一一它們?cè)诙嘤嗟膫鲗?dǎo)信號(hào)路徑上設(shè)置阻抗不連續(xù)點(diǎn)。阻抗比越大，SE越大。在0.5毫米或更大的厚度條件下，大部分正常制造的金屬都提供1兆赫茲以上的良好SE和100兆赫茲以上的優(yōu)良SE。這種金屬屏蔽罩的問(wèn)題大部分是由薄材料、頻率低于1兆赫茲和孔引起。通常最好使被屏蔽的電路與其屏蔽罩的壁之間的距離大一些。被屏蔽的體積越大，屏蔽罩外側(cè)的發(fā)射場(chǎng)和器件所形成的場(chǎng)就將變得越"稀薄，，。當(dāng)外殼具有彼此平行的壁時(shí)，就可能以諧振頻率建立駐波，因此可能引起SE問(wèn)題。不規(guī)則形狀的外殼或具有曲面或非平行壁的外殼有助于避免諧振。當(dāng)相對(duì)的屏蔽壁平行時(shí)，希望避免發(fā)生由于寬度、高度或長(zhǎng)度引起的同一頻率的諧振。因此，為了避免立方體的外殼，可以使用矩形截面的，而不是方形截面的，并且優(yōu)選避免彼此成簡(jiǎn)單倍數(shù)的尺寸。例如，如果長(zhǎng)度是寬度的1.5倍，那么寬度的第二諧振將與長(zhǎng)度的第三諧振共同發(fā)生。優(yōu)選使用無(wú)理數(shù)比例的尺寸，例如由變波納契級(jí)數(shù)提供的那些尺寸。場(chǎng)源自兩方面電(E)和磁(M)。電f茲場(chǎng)由給定比例的E場(chǎng)和M場(chǎng)組成(假定空氣中波阻抗E/M為377)。電場(chǎng)很容易由薄的金屬箔阻擋，因?yàn)殡妶?chǎng)屏蔽機(jī)制是在傳導(dǎo)邊界處進(jìn)行電荷的重新分配；因此，幾乎具有高導(dǎo)電率(低電阻)的任何東西都表現(xiàn)出合適的低阻抗。盡管在高頻率下電荷重新分配的高速率會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生大量位移電流，但是即便薄鋁也能輕松應(yīng)對(duì)這一情況。不過(guò)，磁場(chǎng)可能更難阻擋。它們需要在屏蔽材料內(nèi)部產(chǎn)生渦電流來(lái)創(chuàng)建與入射磁場(chǎng)相反的磁場(chǎng)。薄鋁不是很適合這一目的，并且給定SE所需的電流滲透深度取決于磁場(chǎng)的頻率。SE也取決于用于屏蔽的金屬的特性，這稱為"集膚效應(yīng)"。稱為"集膚效應(yīng)"的屏蔽材料的集膚深度使得由回跳磁場(chǎng)引起的電流大約降低9分貝。因此，厚度為3個(gè)集膚深度的材料在相反側(cè)具有降低了大約27分貝的電流，并具有M場(chǎng)的大約27分貝的SE。集膚效應(yīng)通常在低頻尤其重要，在這樣的頻率下所形成的場(chǎng)更有可能磁性優(yōu)良且具有比377Q更低的波阻抗。大部分教科書都給出了集膚深度的公式；不過(guò)，該公式需要知道屏蔽材料的電導(dǎo)率和相對(duì)磁導(dǎo)率。銅和鋁的電導(dǎo)率超過(guò)鋼的5倍，因此非常善于阻擋電場(chǎng)，但是它們的相對(duì)磁導(dǎo)率為i(等于空氣的)。典型的軟鋼在低頻下具有大約為300的相對(duì)磁導(dǎo)率，當(dāng)頻率增至超過(guò)100千赫茲時(shí)，下降為1。軟鋼的較高磁導(dǎo)率使它的集膚深度減小，使得用于屏蔽低頻時(shí)比鋁有更好的合理厚度。不同等級(jí)的鋼(特別是不銹鋼)具有不同的電導(dǎo)率和磁導(dǎo)率，結(jié)果它們的集膚深度也有顯著不同。用于屏蔽的好材料應(yīng)具有高的電導(dǎo)率和高的磁導(dǎo)率以及足夠的厚度，以在所關(guān)心的最低頻率下獲得需要的集膚深度量。具有純鋅(例如10微米或更多)的1毫米厚的軟鋼板適于許多應(yīng)用場(chǎng)合。用普通結(jié)構(gòu)的金屬制品很容易獲得頻率超過(guò)30兆赫茲時(shí)的100分貝或更多的SE結(jié)果。不過(guò)，這采用完全封閉的沒(méi)有接頭或縫隙的屏蔽體積，于是使得產(chǎn)品組裝相當(dāng)困難，除非你準(zhǔn)備好對(duì)它進(jìn)行完全焊縫，并且也沒(méi)有外部電纜、天線或傳感器(而不是異常產(chǎn)品)。實(shí)踐中，無(wú)論是否做出屏蔽來(lái)降低發(fā)射或改善抗擾性，大部分屏蔽性能都由其中的孔來(lái)限制。考慮孔作為其它最佳屏蔽中的洞暗示了孔用作半波諧振的"狹縫天線"。這使得我們能對(duì)給定SE做出關(guān)于最大孔尺寸的預(yù)測(cè)對(duì)于單個(gè)孔，SE=201og(Q/2d),其中n是所關(guān)心頻率下的波長(zhǎng)，d是孔的最大尺寸。事實(shí)上，這一假定不可能總是正確，但是它是一個(gè)成為良好框架的筒易設(shè)計(jì)工具。有可能根據(jù)具體產(chǎn)品上使用的技術(shù)和構(gòu)建方法以及實(shí)際經(jīng)驗(yàn)來(lái)改進(jìn)該公式。狹縫天線的諧振頻率由其最長(zhǎng)尺寸一一對(duì)角線來(lái)管理。這使得孔多寬或多窄甚或是否存在穿過(guò)孔的視線的差異很小。均勻的孔以及漆或氧化膜的厚度，通過(guò)重疊金屬板形成，剛好在它們的諧振頻率下輻射(泄漏)，如同它們寬得足夠一個(gè)手指穿過(guò)。最重要的EMC問(wèn)題之一是使產(chǎn)品的內(nèi)部頻率保持在內(nèi)部，因此它們不會(huì)污染外部的射頻頻"i普。狹縫天線的半波諧振(以上述的經(jīng)驗(yàn)法則SE^201og(2d)表示)利用關(guān)系式r^/;i(其中y是光速3.108米/秒，f是以赫茲表示的頻率，而義是以米表示的波長(zhǎng))。我們發(fā)現(xiàn)沿著19英寸的支架單元的前面板的前邊緣延伸的窄的430毫米長(zhǎng)的間隙將在350兆赫茲左右處是半波諧振。在這一頻率下，我們示例的19，，前面板不再提供更多的屏蔽，并且將它完全移除也可能沒(méi)有什么差別。對(duì)于1千兆赫茲下的20分貝的SE，需要不大于約16毫米的孔。對(duì)于40分貝來(lái)說(shuō)，可能僅僅是1.6毫米，需要襯墊來(lái)密封孔和/或需要使用后面描述的切割技術(shù)之下的波導(dǎo)。實(shí)踐中，實(shí)際SE取決于外殼本身的壁之間的內(nèi)部諧振、組件和導(dǎo)體與孔的接近程度(使諸如帶狀電纜之類的攜帶數(shù)字總線的噪聲電纜遠(yuǎn)離屏蔽孔和接頭)，以及用于組裝外殼等的部件的固連阻抗。任何地方可能，都期望將所有必要或不可避免的孔裂成多個(gè)更小的孔。不可避免的長(zhǎng)孔(蓋子、門等)可能需要導(dǎo)電的襯墊或彈簧夾(或保持屏蔽連續(xù)性的其它手段)。彼此靠近的多個(gè)小的相同孔的SE(粗略地)正比于其數(shù)量(SE=201ogn,其中n是孔數(shù))，因此兩個(gè)孔將惡化6分貝，四個(gè)將惡化12分貝，八個(gè)將惡化18分貝等等。但是當(dāng)在所關(guān)心頻率下的波長(zhǎng)開(kāi)始與小孔陣列的整個(gè)尺寸相當(dāng)時(shí)，或者當(dāng)孔彼此不靠近(與波長(zhǎng)相比)時(shí)，由于階段消除效應(yīng)這一每雙數(shù)大概6分貝規(guī)則被打破。被設(shè)置為彼此相距大于半波長(zhǎng)的孔通常不會(huì)使分別取得的SE惡化，但是100兆赫茲下的半波長(zhǎng)為1.5米。在如此低的頻率下，就那些小于此的典型產(chǎn)品而言，孔數(shù)的增加往往使外殼的SE惡化?？撞粌H用作狹縫天線。在屏蔽中流動(dòng)且被迫繞孔轉(zhuǎn)向路徑的電流，使其發(fā)射磁場(chǎng)。跨過(guò)孔的電壓差使孔發(fā)射電場(chǎng)。作者已經(jīng)看到通過(guò)微控制器從小的安裝于PCB上的屏蔽罩中的直徑不大于4毫米的洞(意欲用于嵌入塑料的安裝柱)以130兆赫茲發(fā)射的顯著水平。發(fā)現(xiàn)任何具有孔的復(fù)雜外殼的SE的唯一實(shí)際明智的方式是利用三維場(chǎng)解算器對(duì)結(jié)構(gòu)以及任何PCB和導(dǎo)體(特別是那些可能靠近任何孔的)進(jìn)行建模?？梢詫?shí)現(xiàn)這一功能的軟件包現(xiàn)在都具有友好的用戶界面，并可以運(yùn)行在桌上型PC。或者，用戶也能找到具有必要的軟件和驅(qū)動(dòng)它的技能大學(xué)或設(shè)計(jì)咨詢公司。由于SE隨著裝配方法和質(zhì)量、材料以及內(nèi)部PCB和電纜而大不相同，但是最好一直保持20分貝的SE"安全邊界，，。如果最終的設(shè)計(jì)驗(yàn)證/質(zhì)量測(cè)試存在問(wèn)題，那么至少包括允許利用至少20分貝來(lái)改進(jìn)SE的設(shè)計(jì)特征也是有利的。50赫茲的頻率是有問(wèn)題的，并且希望具有任何合理厚度的普通金屬的這一頻率下的SE。諸如導(dǎo)磁金屬和射電金屬之類的特殊材料具有很高的相對(duì)磁導(dǎo)率，通常在10,000范圍內(nèi)。它們的集膚深度相應(yīng)地很小，但是它們只有達(dá)到幾十千赫茲才有效。注意不要敲擊由這些材料制成的東西是非常有利的，因?yàn)檫@將破壞它們的磁導(dǎo)率，因此它們不得不被扔掉或者在氳氣氛圍下重新退火。這些奇異的材料用于相當(dāng)相似的通道，以將磁場(chǎng)轉(zhuǎn)向遠(yuǎn)離受保護(hù)的區(qū)域。這與普通屏蔽罩所使用的概念不同。具有大于1的相對(duì)磁導(dǎo)率的所有金屬屏蔽材料都能在強(qiáng)磁場(chǎng)中飽和，因此作為屏蔽罩不能很好地工作，并且通常被加熱。降低交流聲場(chǎng)的電源變壓器的鋼或?qū)Т沤饘倨帘魏心茱柡?，且不能獲得所期望的效果。通常，使箱更大是有必要的，因此不需要體驗(yàn)這種強(qiáng)度的局部場(chǎng)。另一用于低頻屏蔽的屏蔽技術(shù)是主動(dòng)消除，并且至少兩家公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)了這種技術(shù)，具體用于在被高電平的電源頻率磁場(chǎng)污染的環(huán)境中穩(wěn)定CRTVDU的圖像。圖1D示出如果我們延長(zhǎng)通過(guò)孔泄漏的波在不受約束之前必須在周遭金屬壁之間行進(jìn)的距離，那么即使孔大到一個(gè)拳頭都可以通過(guò)，我們也能獲得可觀的SE。這個(gè)非常有效的技術(shù)成為"切割下的波導(dǎo)"。蜂窩金屬結(jié)構(gòu)實(shí)際上是并排堆疊的多個(gè)切割下的波導(dǎo)，經(jīng)常用作屏蔽室的通風(fēng)窗，類似于高SE外殼。像任何孔一樣，當(dāng)其內(nèi)對(duì)角(g)是半波長(zhǎng)時(shí)，波導(dǎo)使得所有入射磁場(chǎng)通過(guò)。因此，我們波導(dǎo)的切割頻率由以下公式給出fcut。ff=150,000/g(當(dāng)g以毫米為單位時(shí)，答案是以兆赫茲為單位)。在這一切割頻率下，波導(dǎo)不會(huì)像普通孔那樣泄漏(如圖1A所示)，并且能提供更多的屏蔽對(duì)于f<0.5fcut。ff，SE近似等于27d/g，其中d是在波自由之前行進(jìn)通過(guò)波導(dǎo)的距離。圖1A示出由6個(gè)不同尺寸的切割下的波導(dǎo)所獲得的SE示例。更小的直徑(g)造成更高的切割頻率，50毫米(2英寸)的直徑獲得1千兆赫茲的全衰減。增加的深度(d)造成的增加的SE,實(shí)際上獲得非常大的值。切割下的波導(dǎo)不必要由管子制成，而是可以利用簡(jiǎn)單的片狀金屬制品來(lái)實(shí)現(xiàn)，其中金屬制品折疊適當(dāng)?shù)纳疃?d)從而不會(huì)將產(chǎn)品的尺寸增加過(guò)多。作為一種技術(shù)，不是僅受到想象力的限制，而是必須在項(xiàng)目早期就考慮，因?yàn)閷?duì)不使用導(dǎo)體的失敗產(chǎn)品進(jìn)行改進(jìn)通常很難，其中導(dǎo)體不會(huì)穿過(guò)切割下的波導(dǎo)，因?yàn)檫@是對(duì)它們效果的折衷。切割下的波導(dǎo)非常適用于塑料軸(例如，控制旋鈕)，以便它們不會(huì)危及它們退出外殼的SE。替代方案是使用具有環(huán)形導(dǎo)電襯墊的金屬軸，并忍受最終的摩擦和磨損。切割下的波導(dǎo)可以避免對(duì)襯墊的連續(xù)剝除和/或?qū)Χ喾N固定件的需要，并因此節(jié)省材料成本和裝配時(shí)間。襯墊用于避免接頭、接縫、門和可移除面板處的孔泄漏。對(duì)于簡(jiǎn)易匹配的裝配，襯墊設(shè)計(jì)不太難，但是門、開(kāi)口、蓋子和其它可移除面板給襯墊造成了許多問(wèn)題，因?yàn)樗鼈儽仨殱M足多個(gè)矛盾的機(jī)械的和電的需求，更不用提化學(xué)需求(以避免腐蝕)。屏蔽襯墊有時(shí)也需要環(huán)境密封，添加中間物。圖1B示出用于工業(yè)拒子的門的典型襯墊設(shè)計(jì)，它利用導(dǎo)電橡膠或硅樹(shù)脂化合物，以提供環(huán)境密封和EMC屏蔽。彈簧夾通常也用于這類應(yīng)用。需要注意的是，用于將門或面板安全接地的綠/黃線不會(huì)對(duì)幾百千赫茲的EMC有利。如果使用短寬的接地帶而不使用長(zhǎng)線，這可能延長(zhǎng)幾個(gè)兆赫茲。有來(lái)自多家制造商的海量種類襯墊可供選用，其中某些制造商還提供個(gè)性化定制服務(wù)。這一觀察結(jié)果揭示了沒(méi)有一個(gè)襯墊適合大范圍的應(yīng)用。設(shè)計(jì)或選擇村墊時(shí)的考慮包括(l)機(jī)械靈活性；(2)壓縮形變；(3)大范圍頻率的阻抗；(4)腐蝕抵抗(關(guān)于配合材料的低流電的EMF，適用于所預(yù)期的環(huán)境)；(5)抵擋正常使用所預(yù)期的嚴(yán)苛的能力；(6)安裝表面的形狀和制備；(7)組裝和拆裝容易；以及(8)環(huán)境密封以及煙和火的需要。屏蔽襯墊有4種主要類型導(dǎo)電聚合物、導(dǎo)電包裝的聚合物、金屬網(wǎng)和彈簧夾。(1)導(dǎo)電聚合物(其中具有金屬粒子的絕緣聚合物，兼作為環(huán)境密封，并且具有低壓縮形變，但是需要顯著的接觸壓，這使得它們很難不用杠桿輔助就用在人工打開(kāi)的門中。(2)導(dǎo)電包裝的聚合物(具有導(dǎo)電外涂層的聚合物泡沐或管非常軟且韌，具有低的壓縮形變。一些僅需要低水平的接觸壓。不過(guò)，它們不能使環(huán)境密封最好，并且它們的導(dǎo)電層可能更容易磨損。(3)金屬網(wǎng)(任意的或編織的)通常非常硬，但是卻更好地匹配金屬外殼的阻抗，因此較之以上類型具有更好的SE。它們具有較差的環(huán)境密封性能，但是目前一些被提供來(lái)粘合環(huán)境密封，使得兩種類型的襯墊可以用在一種操作中。(4)彈簧夾("手指存儲(chǔ)")通常由鈹銅合金或不銹鋼制成，且可以很靈活。它們最大的用處在于對(duì)必須容易人工提取(打開(kāi))、容易插入(關(guān)閉)并且具有高等級(jí)用處的模塊(和門)。它們的消磁接觸動(dòng)作有助于獲得良好的結(jié)合，并且它們與金屬外殼的阻抗匹配很好，但是當(dāng)它們不用于高壓力時(shí)，需要維護(hù)(可能每隔幾年就用凡士林污漬)。彈簧夾也更容易受到偶然損壞，例如巻在外套袖子中并彎曲或者折斷。彈簧夾以及它們之間的間隙的尺寸引起感應(yīng)，因此對(duì)于高頻或關(guān)鍵使用來(lái)說(shuō)，可能需要雙排，例如可以從大多數(shù)EMC實(shí)驗(yàn)室的門中看出。需對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行合適的機(jī)械預(yù)處理，才能夠簡(jiǎn)單有效地安裝襯墊。簡(jiǎn)單地吸附在表面上并擠在匹配部件之間的襯墊，可能不會(huì)最佳地工作——它們的組裝螺釘擰得越緊，從而努力壓迫襯墊使之具有良好的密封，那么固定件之間的間隙可能彎得越多，越打開(kāi)泄漏間隙。如圖1B所示，這是因?yàn)槠ヅ洳考膭偠炔蛔?，如果沒(méi)有襯墊可擠入的槽的話就難以使匹配部件足夠硬。槽也有助于正確定位，并且在組裝過(guò)程中保持襯墊。襯墊接觸區(qū)不必涂敷(除非它具有導(dǎo)電涂料)，并且所用材料、它們的制備和電鍍必須仔細(xì)考慮電蝕點(diǎn)。所有襯墊細(xì)節(jié)和測(cè)量結(jié)果必須反映在加工圖上，并且必須評(píng)估對(duì)它們所提出的改變對(duì)屏蔽和EMC的影響。當(dāng)涂敷工作轉(zhuǎn)移給不同的供應(yīng)商時(shí)，使襯墊無(wú)用是很普通的，因?yàn)檠谀Ｐ畔⒉粫?huì)被設(shè)置在圖上。由于對(duì)沒(méi)有被掩住的襯墊安裝區(qū)域的超范圍噴涂的變化度，在涂敷過(guò)程中所使用的改變也可能具有有害效應(yīng)(當(dāng)不同的涂敷工人來(lái)進(jìn)行涂數(shù)時(shí))。圖1C示出在屏蔽外殼的壁中的大孔，利用內(nèi)部的"臟箱，，來(lái)控制通過(guò)孔的場(chǎng)泄漏。臟箱與外殼內(nèi)部之間的接頭必須與屏蔽罩中的任何其它接頭一樣處理?；谝韵聝身?xiàng)主要技術(shù)可以獲得多種屏蔽的窗口塑料片上的薄金屬膜和嵌入的金屬網(wǎng)。(1)塑料片上的薄金屬膜，通常是氧化銦錫(ITO)。在膜厚度為8微米及其8微米以上時(shí)，光惡化開(kāi)始變得不可接受，并且對(duì)于電池供電的產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，增加的背光光源可能過(guò)于難以負(fù)擔(dān)。這些膜的厚度可能不足以提供100兆赫茲以下的良好SE。(2)嵌入的金屬網(wǎng)通常由變黑的銅線的細(xì)篩制成。對(duì)于與金屬膜相同的光惡化來(lái)說(shuō)，這些提供更高的SE，但是如果網(wǎng)眼尺寸不合適，那么它們可能受到顯示像素的莫爾干涉。一種聘門是對(duì)角定位網(wǎng)眼。蜂窩金屬顯示屏也可獲得非常高的屏蔽性能。它們是大量切割下的波導(dǎo)，并排層疊，并且大部分用在安全或軍事應(yīng)用中。波導(dǎo)極窄的視角意味著操作員的頭避免任何其他人偷看他們的顯示屏。金屬網(wǎng)眼的尺寸必須小到不會(huì)將外殼的SE降低得過(guò)多。彼此靠近的大量小的相同孔的SE(大致)與它們的數(shù)量n成比例(SE=201ogn)，因此兩個(gè)孔將使SE惡化6分貝，4個(gè)將使SE惡化12分貝，8個(gè)將使SE惡化18分貝，依次類推。對(duì)于典型通風(fēng)格窗的大量小孔來(lái)說(shuō)，網(wǎng)眼尺寸顯著小于對(duì)于同一SE來(lái)說(shuō)所需要的一個(gè)孔。就通風(fēng)孔的尺寸超過(guò)四分之一波長(zhǎng)的較高頻率而言，這一粗略的"每倍數(shù)6分貝"的公式可能會(huì)過(guò)于工程化，但是對(duì)于這種情況，沒(méi)有簡(jiǎn)單的規(guī)則或經(jīng)驗(yàn)公式。切割下的波導(dǎo)允許具有較大值的SE的高空氣流率。蜂窩金屬通風(fēng)屏蔽罩(由許多長(zhǎng)而窄的并排結(jié)合的六角形管組成)已經(jīng)為此目的使用了許多年?？梢韵嘈?，高屏蔽19，，拒子架的至少一個(gè)制造商要求為使用普通金屬制品技術(shù)的上下通風(fēng)孔使用切割下的波導(dǎo)屏蔽。為通風(fēng)孔設(shè)計(jì)的屏蔽可能非常復(fù)雜，由于需要清洗空氣帶來(lái)的沉積在屏蔽罩上的灰塵。仔細(xì)的空氣濾波器設(shè)計(jì)可以使得通風(fēng)屏蔽罩被焊接或以其它方式永久地固定在位置上。為了良好的感覺(jué)和外觀，通常使用塑料外殼，但是塑料外殼很難屏蔽。用諸如粘結(jié)劑(導(dǎo)電涂料)中的金屬粒子之類的導(dǎo)電材料或使用實(shí)際的金屬(電鍍)涂敷塑料外殼的內(nèi)部，在技術(shù)上是嚴(yán)苛的，并且如果有工作的希望，那么在模具的設(shè)計(jì)過(guò)程中需要注意細(xì)節(jié)。在發(fā)現(xiàn)有必要進(jìn)行屏蔽時(shí)，通常會(huì)注意到塑料外殼的設(shè)計(jì)不允許通過(guò)涂敷其內(nèi)表面來(lái)獲得所需的SE。弱點(diǎn)通常在于塑料部件之間的接縫；它們通常不能確保密封匹配，并且通常不容易被密封。經(jīng)常需要昂貴的新模具，同時(shí)市場(chǎng)引入和新產(chǎn)品的收益產(chǎn)生開(kāi)始將延遲。對(duì)于新產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，無(wú)論何時(shí)需要塑料殼體，從設(shè)計(jì)之初就考慮獲得必要的SE在經(jīng)濟(jì)上是致命的。在塑料上涂敷或電鍍決不能非常厚，因此所獲得的集膚深度的數(shù)量可能非常小。一些利用鎳和其它金屬的溫和涂層已經(jīng)發(fā)展成為采用鎳的相當(dāng)高的磁導(dǎo)率，以降低集膚深度并獲得更好的SE。涂敷和電鍍的其它實(shí)際問(wèn)題包括使它們?cè)谒谕沫h(huán)境中在產(chǎn)品的整個(gè)使用過(guò)程中粘在塑料襯底上。沒(méi)有材料和工藝的專業(yè)知識(shí)，是不太容易這么做的。產(chǎn)品內(nèi)部脫落的導(dǎo)電涂料或電鍍層將對(duì)EMC造成很多危害一一可能使導(dǎo)體短路，造成操作不可靠并存在火災(zāi)和觸電的風(fēng)險(xiǎn)。涂敷和電鍍塑料必須由在這一專業(yè)領(lǐng)域有長(zhǎng)期經(jīng)驗(yàn)的專家來(lái)完成。涂敷或電鍍塑料的特殊問(wèn)題是電壓隔離。對(duì)于第二類產(chǎn)品(雙重絕緣)來(lái)說(shuō)，將導(dǎo)電層添加到塑料殼體內(nèi)部可以降低漏電和間隙距離，并緩和用電安全。并且，對(duì)于任何塑料殼體的產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，向殼體的內(nèi)表面添加導(dǎo)電層可以促進(jìn)通過(guò)接縫和接頭進(jìn)行個(gè)人靜電放電(ESD)，可能用對(duì)ESD的易感性問(wèn)題替換了輻射千擾問(wèn)題。出于商業(yè)原因，如果存在最終可能需要屏蔽的任何可能性，那么從最初設(shè)計(jì)過(guò)程開(kāi)始就仔細(xì)設(shè)計(jì)塑料殼體非常重要。一些公司通過(guò)在印刷電路板上或組件周圍使用薄的且沒(méi)有吸引力的低成本金屬屏蔽罩，來(lái)精明地(預(yù)期雙關(guān)語(yǔ))進(jìn)行包裝，從而使得對(duì)于他們的漂亮塑料殼體來(lái)說(shuō)沒(méi)有必要承擔(dān)雙重的屏蔽任務(wù)。這可以節(jié)省大量成本并省去大量麻煩，但是必須從項(xiàng)目之初就進(jìn)行考慮，否則沒(méi)有多余的空間(或者錯(cuò)誤類型的空間)來(lái)裝配這類內(nèi)部的金屬制品。大批量導(dǎo)電的塑料或樹(shù)脂通常在提供機(jī)械強(qiáng)度的絕緣粘結(jié)劑中使用分散的導(dǎo)電粒子或線。有時(shí)這會(huì)形成基本塑料或樹(shù)脂的"集膚，，，使得不插入螺旋線圈或類似工具很難獲得良好的RF結(jié)合。這些絕緣集膚使得很難避免接頭處產(chǎn)生的孔，也使得很難提供與連接器、密封管和濾波器的主體的結(jié)合?；旌蠈?dǎo)電粒子和聚合物的一致性的問(wèn)題使得在一些區(qū)域外殼很差，并在其它區(qū)域缺少屏蔽?；谔蓟w維(本身是導(dǎo)電的)的材料和自身導(dǎo)電的聚合物，開(kāi)始很容易獲得，但是它們不具有金屬的高導(dǎo)電性，因此對(duì)于給定的厚度不能給出好的SE。所有穿過(guò)屏蔽外殼的屏蔽電纜的絲網(wǎng)和連接器(或密封管)以及它們的360。粘結(jié)，是與外殼金屬制品本身一樣重要的任何"法拉第圓筒"的一部分。用于非屏蔽的外部電纜的濾波的整個(gè)組件和安裝對(duì)于取得好的SE來(lái)說(shuō)也是非常重要的。參見(jiàn)用于工業(yè)柜子屏蔽(和濾波)中的最好實(shí)踐的IEC1000-5-6(95/210789DCfromBSI)草案。參見(jiàn)用于電纜(和接地)中的最好實(shí)踐的BSIEC61000-5-2:1998。返回到我們的以盡可能低裝配水平應(yīng)用屏蔽從而節(jié)省成本的原始方案，我們應(yīng)該考慮以PCB水平屏蔽的問(wèn)題。理想的PCB級(jí)屏蔽總地來(lái)說(shuō)是用屏蔽的連接器和安裝在其壁上的傳統(tǒng)濾波器來(lái)封閉金屬盒，事實(shí)上，這僅是如上所述的產(chǎn)品級(jí)屏蔽外殼的微型版本。結(jié)果通常稱為可提供極高SE的模塊，通常用于RF和微波領(lǐng)域。。較低成本的PCB屏蔽是有可能的，盡管它們的SE通常沒(méi)有設(shè)計(jì)好的模塊那么好。它總是取決于用于提供屏蔽罩一側(cè)的PCB中的接地層，使得簡(jiǎn)單的五個(gè)側(cè)面的箱可以像任何其它組件一樣裝配在PCB上。將這五個(gè)側(cè)面的箱以多個(gè)周圍環(huán)境中的點(diǎn)焊接在接地層上，創(chuàng)建圍繞電路的所期望區(qū)域的"法拉第圓筒，，。各種標(biāo)準(zhǔn)的五個(gè)側(cè)面的安裝PCB屏蔽的箱通常很容易獲得，并且專攻于這種精密金屬制品的公司通常采用用戶定制的設(shè)計(jì)。箱利用搭鎖的蓋子，以便當(dāng)蓋子打開(kāi)時(shí)，可以容易地進(jìn)行調(diào)整、訪問(wèn)測(cè)試點(diǎn)或替換芯片。這種可移動(dòng)的蓋子通常與環(huán)境周圍的彈簧夾配合，以當(dāng)它們關(guān)閉在適當(dāng)位置上時(shí)可以取得良好的SE。這種屏蔽方法的弱點(diǎn)是明顯不同的孔的變化，孔如下由焊接的接地層之間的間隙造成的孔；接地層中的任何孔(例如通路和通孔周圍的余隙)；以及五個(gè)側(cè)面的箱中的任何其它孔(例如通風(fēng)、連接到可調(diào)整組件、顯示器等的通路)。將五個(gè)側(cè)面的箱的邊緣密封焊接到組件側(cè)接地層，可以用耗時(shí)的人工操作為代價(jià)消除一組孔。為了最低成本，我們希望將我們所有的信號(hào)和能量都提供給作為軌道的PCB的屏蔽區(qū)域，避免導(dǎo)線和電纜。這意味著我們需要使用等效于安裝隔板的屏蔽連接器和安裝隔板的濾波器的PCB。等效于屏蔽電纜的PCB軌道是在兩個(gè)接地層之間行進(jìn)的軌道，通常稱為"帶狀線"。有時(shí)，保護(hù)軌道運(yùn)行在同一銅層的這一"屏蔽軌道"的兩側(cè)上。這些保護(hù)軌道具有非常多的通孔，將它們連接到上下接地層。這里，每英寸通孔的數(shù)量是限制因素，這是因?yàn)樗鼈冎g的間隙用作屏蔽孔(保護(hù)軌道本身具有太多的自感應(yīng)，從而以高頻提供良好的SE)。當(dāng)圖1A-1E用于確定通過(guò)間隔時(shí)，由于PCB材料的介電常數(shù)大致是空氣的四倍，所以它們的頻率軸應(yīng)該除以2(PCB介電常數(shù)的平方根)。一些設(shè)計(jì)者不會(huì)為保護(hù)軌道費(fèi)心，而是僅僅使用通孔來(lái)"連同"正被討論的軌道。為了避免諧振，隨機(jī)改變所期望空間周圍的通孔行的間隔是個(gè)好主意。在帶狀線進(jìn)入由屏蔽罐封閉的電路區(qū)域處，它們的上下接地層(以及任何保護(hù)軌道)在靠近帶狀線的兩側(cè)被連接在屏蔽罐的焊接接頭。只具有單個(gè)接地層而另一側(cè)暴露于空氣中的軌道，就是所謂的"微波傳送帶，，結(jié)構(gòu)。當(dāng)微波傳送帶進(jìn)入被屏蔽的PCB箱中時(shí)，它將由于箱的壁而變得阻抗不連續(xù)。如果微波傳送帶中信號(hào)的最高頻率組分的波長(zhǎng)比箱壁的厚度(或箱安裝蓋板的寬度)大100倍，那么不連續(xù)性可能太短而無(wú)法記錄。但是如果不是這種情況，那么可能發(fā)生性能的某些惡化，因此這種信號(hào)最好利用帶狀線來(lái)發(fā)送。所有被屏蔽的軌道由于經(jīng)過(guò)被屏蔽的PCB區(qū)域，所以必須被濾波。通過(guò)有可能利用PCB屏蔽而不是這種濾波來(lái)獲得顯著改進(jìn)，但是這很難預(yù)測(cè)。因此，濾波應(yīng)該總是被列入計(jì)劃的(至少對(duì)于原型來(lái)說(shuō)，并且只有在EMC測(cè)試成功后才從PCB布圖中移除)。最好的濾波器是穿通型，但是為了節(jié)省成本避免布線型是有利的。有引線的PCB安裝型是可獲得的，并且能以通常的方式焊接到PCB上。然后，有引線的PCB座在其于后續(xù)階段進(jìn)行安裝時(shí)，用手焊接到屏蔽盒的壁。通過(guò)將濾波器的中心觸點(diǎn)焊接到潛在的接地層，可以更快地進(jìn)行組裝，這使得屏蔽箱和同一接地層之間的焊接接頭在其兩側(cè)非常接近。后一構(gòu)造也適合表面安裝的穿通濾波器，這能進(jìn)一步降低組裝成本。但是，穿通濾波器，即使是表面安裝型的，也仍然比簡(jiǎn)單的鐵氧體磁珠或電容器昂貴得多。為了在開(kāi)發(fā)EMC測(cè)試中找到成本最合算的濾波器，同時(shí)也最小化延遲和避免PCB布圖反復(fù)，可以采用以下任何濾波器結(jié)構(gòu)來(lái)容易地創(chuàng)建多目的焊接點(diǎn)圖案(1)零歐姆鏈接(沒(méi)有濾波器，當(dāng)EMC測(cè)試新的設(shè)計(jì)時(shí)，通常用作起始點(diǎn))；(2)與信號(hào)串聯(lián)的電阻器或鐵氧體磁珠；(3)連接至接地層的電容器；(4)普通模式的扼流器；(5)電阻器/鐵氧體/電容器組合(三通管、LC等，更詳細(xì)的參見(jiàn)這一系列的部分3);(6)穿通電容器(即中心管腳接地，不是真正的穿通)；以及(7)穿通濾波器(三通管、LC等，中心管腳接地，不是真正的穿通)。多目的焊接點(diǎn)也意味著本發(fā)明不限于專有的濾波器，而是能以最低的成本被創(chuàng)建，以最好滿足電路(和作為整體的產(chǎn)品的)需求。在尋找EMI/EMC解決方案中，現(xiàn)有的技術(shù)是笨拙和麻煩的。例如，現(xiàn)有技術(shù)使用匙狀物(它們是一些在伸出部分具有凹痕的小凸起)，這樣一來(lái)它們就聚在一起并朝著相反方向。一個(gè)轉(zhuǎn)變成另一個(gè)，這樣它們就相配并必須做物理接觸。這些結(jié)構(gòu)彎曲，并且當(dāng)它們中的一個(gè)在平面內(nèi)彎曲并且它們不再接觸時(shí)，它們將失去它們的導(dǎo)電性。于是，現(xiàn)有技術(shù)將開(kāi)始泄漏EMI。它們的耐受性差，并且非常昂貴。此外，被設(shè)計(jì)為解決這些問(wèn)題的現(xiàn)有制造技術(shù)需要形成外殼，以便它必須具有榫槽接合或其它禁止的方案。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明消除了對(duì)機(jī)電封裝中最昂貴、可靠性最差的一方面(即EMI襯墊)的需求。本發(fā)明提供的解決方案將消除大量應(yīng)用中、"匙"狀物和PC機(jī)箱中其它類似麻煩結(jié)構(gòu)中對(duì)襯墊的需求。本發(fā)明提供一種硬驅(qū)動(dòng)覆蓋系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和制造方法，其中，包括電磁干擾屏蔽(EMI屏蔽)的聚合物被配置，以便可以減少或完全消除屏蔽襯墊。對(duì)由Premie^制成的磁盤驅(qū)動(dòng)器固定器的一側(cè)或多側(cè)或者另一EMI屏蔽聚合物材料按照?qǐng)D案進(jìn)行切割，提供了充分的EMI屏蔽，具有不需要屏蔽襯墊的效果。在本發(fā)明的可替換結(jié)構(gòu)中，計(jì)算機(jī)箱有了廉價(jià)的屏蔽解決方案。圖1A-1E示出各種現(xiàn)有的電磁干擾屏蔽原理；圖2示出本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)的外殼的樣本模式，其中本發(fā)明具體實(shí)施二維EMI屏蔽解決方案中的"有效長(zhǎng)度"的原理；圖3示出在本發(fā)明的另一實(shí)施例中的計(jì)算機(jī)外殼的一側(cè)，或者"四次切割"中的三次切割或TORTUREDPATH解決方案；圖4A示出俯視的計(jì)算機(jī)外殼的二維具體實(shí)現(xiàn)；圖4B是計(jì)算機(jī)外殼中的2-DEMI屏蔽原理的封閉圖4C是二維EMI屏蔽外殼的側(cè)視圖4D是二維EMI屏蔽外殼的正視圖5A示出實(shí)現(xiàn)三維形狀的本發(fā)明的第一實(shí)施例；圖5B示出從不同角度看的本發(fā)明的第一實(shí)施例；圖6示出正枧本發(fā)明第一實(shí)施例中的五面式箱的體的平面；圖7示出沖壓到本發(fā)明第一實(shí)施例的蓋板上的體的平面；圖8A示出"凹"局部球體的樣本細(xì)節(jié)；圖8B示出"凸"局部球體的封閉視圖9A示出本發(fā)明外殼的示例三維形狀中的EMI屏蔽原理；圖9B示出組裝的外殼中的EMI屏蔽原理；圖IO示出提供EMI屏蔽的本發(fā)明的進(jìn)一步操作；圖IIA示出在箱組件中本發(fā)明的三維實(shí)施例的內(nèi)部；圖IIB示出蓋組件中的本發(fā)明的俯視圖IIC示出第一實(shí)施例中的箱組件的側(cè)視圖12示出利用單排立方體狀體的本發(fā)明的可替換實(shí)施例；圖13示出另一可替換實(shí)施例中的雙排立方體狀體；以及圖14示出使用二維和三維屏蔽結(jié)構(gòu)的混合結(jié)構(gòu)。具體實(shí)施例方式利用如圖5A和圖5B所示的本發(fā)明的"貝殼"或"扇貝，，實(shí)施例，可以形成或另外配置三維型，使得它們通常沿邊緣的內(nèi)部周界延伸，并且兩部分FSE和FL集合在一起，并滿足"正弦曲線"。實(shí)施本發(fā)明三維實(shí)現(xiàn)所必要的是"切割"或沖壓金屬的邊緣，并做相同切割，而且它們與以"30間隙"或其它類似的東西集合在一起。本發(fā)明的基本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)尤其包括這一事實(shí)不需要任何觸點(diǎn)因此不會(huì)隨時(shí)間劣化(參見(jiàn)圖9B)。FSE和FL部分不必要進(jìn)行物理接觸。進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)包括不考慮公差，也不存在變形。再次參見(jiàn)圖5A，以側(cè)角視圖示出用于電子設(shè)備外殼的三維EMI屏蔽解決方案的第一實(shí)施例。第一實(shí)施例具有利用兩部分式外殼的制造容易的優(yōu)點(diǎn)，該外殼包括具有用于容納電子設(shè)備的內(nèi)部空間IN的五面式外殼FSE和蓋板FL,—旦完成，蓋板FL就會(huì)安裝到五面式外殼上。再次參見(jiàn)圖5A-5B，圖5B示出三維解決方案的部分二的實(shí)施例中的三維箱的俯視圖(本發(fā)明的部分三的實(shí)施例將在以下進(jìn)行簡(jiǎn)要論述)。在這一特定的實(shí)施例中，箱或蓋板被一起模壓或鑄造，因此示出"三維彎曲路徑"或TORTURECHAMBER?？偟膩?lái)說(shuō)，電磁干擾不會(huì)進(jìn)入電子設(shè)備外殼或也不會(huì)從中漏出。在圖5A和圖5B所示的優(yōu)選實(shí)施例中，存在具有半圓柱型形狀的(周期性的)四分之一球體IP，盡管如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的那樣，許多其它類型的體也足夠提供必要的屏蔽，并且一些將在下文進(jìn)行筒要論述。在圖示中，"蓋子，，或蓋板FL中的凹狀三維體FP在蓋子與箱的界面OE處沿著蓋子的周邊與凸?fàn)钔黄餓P緊密配合，蓋子與箱的界面OE通常就是蓋子和箱(未示出)之間的結(jié)合處的接縫所形成的XY平面，被標(biāo)記為平面XY(#A)。盡管在箱FSE和蓋子/蓋板FL之間可以有適當(dāng)空間，但是也在內(nèi)部提供有屏蔽，用于允許通常為了屏蔽所需的頻率。如圖5A和圖5B所示，三維EMI屏蔽解決方案包括三維體的內(nèi)部型IP,其中，這些三維體可以是沖壓成形的、切割成形的、模壓成形的、擠壓成形的或以其它方式被配置成的圍繞OE的頂側(cè)或開(kāi)口側(cè)的周邊的五面式外殼FSE。圖5A和圖5B將內(nèi)部型IP示出為半球體以及"凸出，，或突起到內(nèi)部空間IN,不過(guò)，在其它實(shí)施例中，所述體可以是不必要背離本發(fā)明精神的翻轉(zhuǎn)的或"凹狀的"。圖5A和圖5B示出蓋板FL也包括彼此"配套"的型，以便箱和蓋板可以無(wú)縫配合，以及提供充分的EMI屏蔽。以上述經(jīng)驗(yàn)方法表示的狹縫天線的半波諧振是利用關(guān)系式SE二201og(A/2d)的圖1D中實(shí)線(以及圖1E的經(jīng)驗(yàn)方法)的基礎(chǔ)。因此，與多孔型有關(guān)的惡化由下列關(guān)系式給出SE降低=101og(N),其中N-型中的弁孔。利用關(guān)系式#="其中c是光速3xl(T8米/秒，頻率以赫茲為單位，而A是以米為單位的波長(zhǎng)，其中f-波的頻率，義=波長(zhǎng)，c-光速。屏蔽即使用導(dǎo)電材料通過(guò)反射或吸收來(lái)減少EMI。將電子產(chǎn)品與EMI成功屏蔽是具有以下三個(gè)基本因素的復(fù)雜問(wèn)題干擾源、干擾接受器以及連接源與接受器的路徑。如果缺少這三個(gè)因素的任何一個(gè)'都沒(méi)有干擾問(wèn)題。千擾能采用許多形式，例如電視上的失真、計(jì)算機(jī)的中斷/損失數(shù)據(jù)，或無(wú)線電廣播中的"裂紋，，。同一設(shè)備在一種情況下可能是干擾源，在另一種情況下可能是接受器。當(dāng)前，F(xiàn)CC調(diào)整30兆赫茲與2千兆赫茲之間的EMI發(fā)射，但是不指明對(duì)外部干擾的抗擾。隨著設(shè)備頻率增加(IO千兆赫茲的應(yīng)用正在變得普通)，它們的波長(zhǎng)成比例地降低，這意味著EMI可以從非常小的通路發(fā)出/進(jìn)入非常小的通路(例如，在l千兆赫茲的頻率下，通路必須小于1/2英寸)。因此向更高頻率的趨勢(shì)有助于驅(qū)動(dòng)對(duì)更多EMI屏蔽的需要。作為參考點(diǎn)，計(jì)算機(jī)處理器用超過(guò)250兆赫茲的頻率進(jìn)行操作，并且一些更新的便攜式電話工作在900兆赫茲。傳統(tǒng)上，金屬(本身導(dǎo)電)已經(jīng)是EMI屏蔽的選擇材料。由于塑料的許多好處，近年來(lái)，用塑料樹(shù)脂(具有導(dǎo)電涂層或纖維)代替金屬已經(jīng)具有巨大的趨勢(shì)。即使塑料本身對(duì)電磁輻射透明，但是涂層和纖維的改進(jìn)已經(jīng)允許設(shè)計(jì)工程師考慮塑料的優(yōu)點(diǎn)。作為具體的例子，考慮FCC調(diào)整以屏蔽高達(dá)2千兆赫茲的頻率，在企業(yè)網(wǎng)絡(luò)的許多控制器中的典型最大時(shí)鐘速度是400兆赫茲。如果你認(rèn)為2千兆赫茲值作為所關(guān)心的最大頻率，那么在400兆赫茲，用戶將屏蔽高達(dá)并包括400兆赫茲信號(hào)的第五諧波，即400兆赫茲x5-2千兆赫茲(屏蔽400兆赫茲的最大時(shí)鐘速度的第五諧波)。為了確定2千兆赫茲處的波長(zhǎng)，利用等式c,以上/A=c，A=c/f,/1=(3x108)/(2x109/1=0.15米(在2千兆赫茲處)。術(shù)語(yǔ)A&B是所關(guān)心的關(guān)于對(duì)最長(zhǎng)可能狹縫長(zhǎng)度的確定義/2=0.075米或者是75毫米。推薦將孔保持在大約義/20至A/50的范圍內(nèi)，因此對(duì)于2千兆赫茲來(lái)說(shuō)，孔應(yīng)該保持在以下范圍內(nèi)在2千兆赫茲下，最大值義/20=0.075米或者是75毫米；在2千兆赫茲下，最小值2/50=0.003米或者是3.0毫米。從上述等式可以看到，對(duì)于最大長(zhǎng)度"X"的1個(gè)洞的屏蔽效果在3毫米處，SE=201og(;i/2d)(沒(méi)有最小值，越小越好，這一等式用作封裝的實(shí)際值)一一〉在7.5毫米處SE-201og(0.15/(2x0.003))=201og(25)=28分貝'——>SE=201og(0.15/(2x0.0075))=201og(10)=20分貝。因此，在標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用中，有多個(gè)洞，例如優(yōu)選的0.060，，厚的鋼板SE降低=101og(N),具有包括IOO個(gè)洞的洞型且SE降低-101og(N)=101og(100)=20。在7.5毫米洞的情況下，結(jié)果是屏蔽將到零，而在3毫米洞的情況下，結(jié)果是屏蔽降低到8分貝。這即是EMI限制性質(zhì)出現(xiàn)的地方，并且不讓電磁干擾出去與獲得冷卻空氣之間的相互影響變得更加顯著。本發(fā)明采用的原理之一由圖1A示出。推薦最多的封裝應(yīng)用提供在外殼水平上提供15分貝的屏蔽。從上述信息可以很明顯地看到，沒(méi)有技術(shù)上的改進(jìn)很難實(shí)現(xiàn)。應(yīng)該注意上述的惡化甚至不會(huì)考慮實(shí)際使用村墊的密封處的損失。這僅是用于空氣流動(dòng)的炮眼。用于EMI屏蔽的二維解決方案示出為用于外殼，該外殼通常具有用于計(jì)算機(jī)和其它需要EMI/EMC屏蔽的電子設(shè)備組件的箱和其它類型的拒子的形狀。參見(jiàn)圖1A,示出外殼的主要壁，其是由導(dǎo)電材料制成的被屏蔽外殼的壁，孔的尺寸越大，電磁場(chǎng)的泄漏量越大。在商品名"TORTUREDPATH"已知的本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)策略性地切割、成形、模壓、擠壓、沖壓并且形成在基本的任何應(yīng)用中采用電磁傳導(dǎo)材料的任何制造方法來(lái)降低孔的尺寸。本發(fā)明提供了比實(shí)施當(dāng)前技術(shù)的方式更便宜的EMI屏蔽解決方案。這能以用金屬片或平坦擠壓切割或沖壓的材料實(shí)現(xiàn)兩個(gè)維數(shù)(由于只沿兩維任何都不會(huì)發(fā)生，所以兩維考慮)的本發(fā)明的各種實(shí)施例來(lái)完成。材料可以用薄的金屬片再次鑄造一一假定被鑄造、切割或擠壓的結(jié)構(gòu)相對(duì)整個(gè)維數(shù)來(lái)說(shuō)很薄，考慮到所謂的兩維考慮具有有限的厚度。隨著制造過(guò)程轉(zhuǎn)向模壓工藝或鑄造工藝，將創(chuàng)建甚至更多的三維型，或形成超出2D平面的金屬，并使用干燥技術(shù)來(lái)創(chuàng)建重疊和進(jìn)一步的"彎曲路徑"。因此，本發(fā)明這一特定實(shí)施例的目的是創(chuàng)建小孔。具體而言，這一實(shí)施例的目的是創(chuàng)建不僅小而且迫使電磁噪聲改變方向的孔，或者穿過(guò)小孔并使路徑對(duì)于EMI來(lái)說(shuō)很難找到出口(因此，"彎曲路徑")。當(dāng)然，這也反過(guò)來(lái)影響了外殼內(nèi)的電子設(shè)備對(duì)來(lái)自外界的電磁干擾的磁化系數(shù)。EMI即電磁干擾指的是何物向外射出并可能怎樣干擾其它設(shè)備。不過(guò)，出于公開(kāi)的目的，術(shù)語(yǔ)"EMI"包括屏蔽用戶外部且輻射電磁場(chǎng)的任何設(shè)備，其中電磁場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行干擾，并且這也是用戶受到EMI的地方。波導(dǎo)在以上圖1A-1E中進(jìn)行了討論，其中溝道的深度或孔的深度使得對(duì)于給定的孔尺寸來(lái)說(shuō)，電磁波出來(lái)非常困難。TORTUREDPATH發(fā)明以模壓或鑄造方式實(shí)現(xiàn)，以創(chuàng)建不允許EMI溢出或進(jìn)入外殼的三維通路，這可以包括波導(dǎo)效應(yīng)。但是，對(duì)于EMI來(lái)說(shuō)，優(yōu)選和概念上最有效的彎曲路徑是正弦鋸齒方波，如圖2所示，而且可以是任何種類的不規(guī)則型，如圖3所示，無(wú)論型在形狀上是周期的、周期變化的或經(jīng)常變化的。不過(guò)，本發(fā)明需要型不允許最大孔尺寸足夠電磁波橫穿材料，無(wú)論是向內(nèi)還是向外。本發(fā)明的之一規(guī)則示出在圖2中，作為"有效長(zhǎng)度問(wèn)題，，?，F(xiàn)有扶術(shù)圖示圖1B示出了像具有襯墊的槽一樣使用的蓋板。槽位于箱或外殼的底中，然后被充以襯墊一一在這種情況下環(huán)形襯墊是很普通的手段。然后，使用蓋子，迫使襯墊變形，然后它將部分地適應(yīng)溝道，從而形成密封。如杲考慮這一"彎曲路徑，，概念，如以下討論的示出三維示例的本發(fā)明所示，可以部分地或全部地通過(guò)模壓、鑄造或機(jī)械加工成形來(lái)避免襯墊，在所形成的形狀中，頂端匹配底端。不過(guò)，匹配程序通常包括不只一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)中所示的筒單波導(dǎo)效應(yīng)。本發(fā)明使用所謂的"彎曲路徑"特征，一致地或單獨(dú)地創(chuàng)建通過(guò)改進(jìn)金屬配合在一起的結(jié)構(gòu)來(lái)降低孔尺寸的形狀，特別是那些提供所期望EMI/EMC屏蔽的結(jié)構(gòu)。在優(yōu)選實(shí)施例中，如下面論述的圖5A-14所示，特定的結(jié)構(gòu)使用正弦三維扇貝，該正弦三維扇貝先沿兩維成形然后再成形為正交面。該正交面具有廣泛的體，這種體迫使EMI旋轉(zhuǎn)穿過(guò)因成形而變窄的孔。因此，由于圍繞基座的材料，(必須是電磁傳導(dǎo)材料，因?yàn)槿珀讲皇沁@種材料的話EMI/EMC屏蔽不起效果)。將傳導(dǎo)材料用于這一結(jié)構(gòu)意味著波試圖穿過(guò)孔，該孔對(duì)于波來(lái)說(shuō)太小了而不能發(fā)出或接收給定頻率的波。改變切割的形狀，有可能再次這樣做，與波導(dǎo)、作為榫槽的密封或沖壓一致，以便你可以具有互鎖或具有接縫的金屬。但是并非僅具有接縫互鎖，這一"彎曲路徑"型被創(chuàng)建，并且使它們彼此配合，同時(shí)凸?fàn)顦?gòu)件與凹狀構(gòu)件以一間隙為相對(duì)鏡像。這不需要本發(fā)明具有精密公差，因?yàn)殚g隙可以較之可允許的孔尺寸相對(duì)較小，但是較之可允許的公差相對(duì)較大。由于本發(fā)明的這一特征,組裝上可能有100%可靠性。此外，利用本發(fā)明的特定實(shí)施例，性能上的100%可靠性是有可能的，因?yàn)榻橘|(zhì)不易隨時(shí)間壓縮或惡化。此外，沒(méi)有任何材料用作可能被撕掉或修剪的襯墊，也不存在可能塑性變形的襯墊。例如，鈹銅可能塑性變形。此外，任何金屬襯墊、指狀物襯墊或指狀物支架可能由于不適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)或不適當(dāng)?shù)奶幚戆l(fā)生變形，無(wú)論是運(yùn)輸過(guò)程中或處于其它狀況。相反，通過(guò)創(chuàng)建切割或通過(guò)控制EMI作為控制孔尺寸的方式的二維或三維切割，就不會(huì)發(fā)生變形。進(jìn)一步地，在本發(fā)明中，不需要物理接觸，因此沒(méi)有公差問(wèn)題、變形問(wèn)題，不會(huì)隨時(shí)間惡化，也沒(méi)有環(huán)境影響。不會(huì)使添加的結(jié)構(gòu)松散。因?yàn)闆](méi)有添加的部件、沒(méi)有扣件和焊縫，所以本發(fā)明提供成本極有效的EMI屏蔽方案?？梢匀魏蔚胤绞褂萌我怆婂兊牟牧希湓诮饘倨?、沖壓和成形以及/或若干鉚釘?shù)那闆r下形成，并且金屬片、沖壓和成形以及/或若干鉚釘不依賴于不會(huì)隨時(shí)間惡化以及不會(huì)產(chǎn)生環(huán)境影響的觸點(diǎn)。圖1C中的現(xiàn)有技術(shù)面板機(jī)箱，示出為通過(guò)箱或通過(guò)正面可以適于本發(fā)明的特定實(shí)施例。利用彎曲路徑的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，一般可以例如有效地創(chuàng)建有面板上安裝的測(cè)量?jī)x表，如圖所示。在與機(jī)箱配對(duì)的蓋板的后側(cè)，通過(guò)在蓋板后面的板上添加TORTUREPATH形狀，可以使本發(fā)明適于實(shí)施本發(fā)明。在金屬片的情況下，另一塊金屬片可以用在正面是90度矩形形狀的沖刷蓋板的后面，這也使得型在美學(xué)上合適或令人滿意。此后、切割材料、正弦、鋸齒、方波將再次適合匹配具有適當(dāng)公差形狀的孔，該公差為符合該型的間隙中的近千分之二十到三十英寸。然后，型的反面將圍繞并且僅重疊在同一平面內(nèi)的另一個(gè)的頂部。存在僅是選擇什么型的間隙，自始自終降低圍繞邊界的有效長(zhǎng)度，并包含EMI，以及提供足夠的屏蔽?，F(xiàn)在參見(jiàn)圖1E,示出頻率和間隙尺寸之間的關(guān)系圖。隨著電磁噪聲的頻率的增加，為了具有適當(dāng)?shù)钠帘?可允許的孔尺寸減小。明顯地，隨著頻率增加，有必要使間隙越來(lái)越小。按照這種方式，如果使用彎曲路徑，例如正弦曲線，那么波長(zhǎng)可以縮短，振幅可以降低，以創(chuàng)建對(duì)于給定頻率合適的間隙。它能做的很好，因?yàn)樗挥谕ǔＳ糜谄帘螒?yīng)用的范圍的可允許的半波長(zhǎng)之下。例如，距離在50至給定頻率下超過(guò)20個(gè)波長(zhǎng)的;i的范圍內(nèi)，在那一范圍內(nèi)用20-50除。作為一個(gè)示例，F(xiàn)CC調(diào)整高達(dá)2千兆赫茲，并且在那一范圍內(nèi)，它的義等于3微米，距離等于0.15米或者說(shuō)是150微米。用50除，是3微米，而用20除是7.5微米。即使在你彎曲金屬片或其它異常形狀的情況下，仍很容易地用30,000th間隙管理所有彎曲的公差，這給組裝基本100%的可靠性，但只是30,000th的寬度。此外，如果這種情況與四分之三微米相比，使得存在三倍或四倍該尺寸，那么它仍然以四倍的那個(gè)尺寸保持在3微米的范圍內(nèi)。這種間隙不允許可見(jiàn)波的相鄰峰或谷，因此有效波長(zhǎng)可能基本是橫貫的距離，橫貫的距離不是完全從波峰到波峰，但是中途從波峰到中間再到波谷，在波中從波峰到波谷的某種向下轉(zhuǎn)變，并且仍然保持在3微米的需求之內(nèi)。非常短的波長(zhǎng)或非常小的孔尺寸以這種方式被允許，但是不需要除了沖壓和形式之外的任何東西。在模壓的情況下，有可能更緊密。在金屬片中，可能比30,000更窄。這是非常大量的，并且使組裝非常完美。有可能將其降低到千分之10或15,而且這沒(méi)有問(wèn)題。如果所有的切割都被保持以致它們不可見(jiàn)，那么它保持真，并且如果它不確定是不精確匹配的凸?fàn)詈桶紶畈考?，只要它們保持在那個(gè)間隙內(nèi)，那么它可以稍微不規(guī)則。例如，波峰可以稍微靠近波谷，但是它不會(huì)引起干擾，而且它甚至可能引起提高導(dǎo)電性的中間觸點(diǎn)。圖1E涉及屏蔽效果和頻率之間的關(guān)系。如果你看到IO微米的間隙，例如，它示出在1千兆赫茲下具有10微米間隙的大約20分貝屏蔽是有可能的。對(duì)于大多數(shù)電磁封裝來(lái)說(shuō)，在金屬片外殼的情況下，金屬片外殼很難屏蔽外殼超過(guò)20分貝。在一個(gè)示例中，IO微米的縫將提供1千兆赫茲下的20分貝屏蔽。在這種情況下，符號(hào)波很容易將間隙限制在半個(gè)該尺寸的任何地方。在一半那個(gè)尺寸的情況下，在i千兆赫茲，基于該圖表，它有可能高達(dá)35分貝，這明顯超過(guò)任何正常機(jī)箱的屏蔽。當(dāng)然，現(xiàn)在這基于一個(gè)孔。因此，可能有必要用IO倍增益來(lái)降低它，其中N是所有孔的數(shù)量。但是它采用100孔一一10倍增益一一來(lái)使屏蔽中降低20分貝。因此對(duì)于5微米縫來(lái)說(shuō)，我們很容易提供，1千兆赫茲可能大約是30分貝屏蔽。因此，即使有100，也仍然具有10分貝的屏蔽；有許多存在的外殼，它們不會(huì)超過(guò)10分貝的屏蔽。當(dāng)然，在用戶的臺(tái)式PC中，通常更期望的不在于機(jī)箱。因此，本發(fā)明也提出一種解決方案，沒(méi)有襯墊、沒(méi)有螺釘、沒(méi)有扣件，并且只有若干鉚釘，并且隨時(shí)間流逝性能基本不惡化，而且也沒(méi)有壓縮形變，只有一個(gè)間隙?，F(xiàn)在參見(jiàn)圖2，如"有效長(zhǎng)度"所示，本發(fā)明的二維應(yīng)用中的EMI屏蔽原理的第一模型，示出了LSTD是狹縫的老的標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度。如果它是直的狹縫，那么如圖所示，狹縫將與EMI屏蔽路徑的長(zhǎng)度相比，EMI屏蔽路徑是電磁干擾能看穿正弦曲線的最長(zhǎng)直線距離。長(zhǎng)度標(biāo)準(zhǔn)和強(qiáng)度狹縫可能以8到10倍EMI屏蔽路徑的長(zhǎng)度的順序排列。圖3A示出不同類型型的幾個(gè)示例。你能看到三角形鋸齒型切割結(jié)構(gòu)。而且，不要允許波能由波峰看到，因此它將尋找它能找到的最直的線。因此，它只是彎曲的，遠(yuǎn)在在于它不能看到角落。然后，你能看到方波，此后，你能看到很奇怪的彎曲的回形針形狀的波、切割痕。你也可以使用任何你能想象到的切割。你試圖做的就是降低可以由電磁干擾用作天線的任何狹縫的有效長(zhǎng)度。因此，這可以圍繞IO(聽(tīng)起來(lái)像)設(shè)備使用。這可以用在金屬片中。這可以用在任何形狀的擠壓切割痕、模壓的、鑄造的切割痕中，無(wú)論它是否圍繞模型的后蓋板將某種標(biāo)準(zhǔn)組件用于機(jī)箱，無(wú)論它是否以任何制造方法圍繞輸入/輸出設(shè)備、任何需要包含EMI的電磁傳導(dǎo)材料。彎曲的路徑EMI通過(guò)策略性的切割形狀或模壓或擠壓型來(lái)降低有效長(zhǎng)度，并且通過(guò)提取和重疊彎曲路徑進(jìn)入三維。但是在集合波導(dǎo)效果的同時(shí)，彎曲的路徑也是這一概念的本質(zhì)，并且它能容易地被引入，以忍受不增加成本或提高制造復(fù)雜度的互補(bǔ)成形技術(shù)或模壓技術(shù)。圖3A示出本發(fā)明的二維EMI屏蔽實(shí)施例。圖示中示出各種型的三個(gè)切割痕，并且4個(gè)用作第一類型的可替換實(shí)施例中。不過(guò)，切割痕可以都是一種類型的切割痕，^換照適當(dāng)?shù)男停缯也?、方波和某種所謂的布朗運(yùn)動(dòng)型切割痕。二維EMI屏蔽方案以可替換的實(shí)施例提供一種潛在的完整的EMI屏蔽方案，只要4條線被放置成避免正弦波傳播WP的任何蛇形運(yùn)動(dòng)。圖3A示出不同類型型的若干示例。三角形鋸齒型切割結(jié)構(gòu)示出為TST。而且不能看見(jiàn)波峰，因此它能尋找它所能找到的最直的線。因此，它僅僅在它不能看到的角落周圍彎曲。然后看見(jiàn)方波SW，此后也示出非常奇怪的歪曲的回形針形狀的波MWC切割痕。應(yīng)該理解的是，其它類型的切割痕也可以使用。目的是試圖降低可以由電磁干擾用作天線的任何狹縫的有效長(zhǎng)度。因此，這些切割痕可以圍繞I/O設(shè)備使用。這可以用在金屬片中以及用在任何形狀的擠壓的、模壓的、鑄造的切割痕中。本發(fā)明可以使用，以便它將標(biāo)準(zhǔn)組件用于機(jī)箱，或圍繞模型的后蓋板。它可以圍繞輸入/輸出設(shè)備使用，以任何制造方法或任何需要包括EMI的電磁傳導(dǎo)材料。TORTUREDPATH方案通過(guò)策略性的切割、形狀或模壓或擠壓形狀來(lái)降低有效長(zhǎng)度，此外，通過(guò)提取和重疊彎曲路徑進(jìn)入三維。甚至與波導(dǎo)效應(yīng)一起，TORTUREDPATH是這一概念的本質(zhì)，并且它能容易地用不需要增加額外成本的互補(bǔ)成形技術(shù)或模壓技術(shù)來(lái)在本發(fā)明中實(shí)現(xiàn)。示出這一原理如何有效以及制造應(yīng)用如何多樣，圖3B示出可替換切割計(jì)算機(jī)外殼側(cè)面可以沿著外殼ENC的接縫具有任何數(shù)量的非周期型NPP，以創(chuàng)建改進(jìn)的EMI屏蔽。實(shí)現(xiàn)"有效長(zhǎng)度"原理以制作二維EMI屏蔽方案，是模壓，然后是后續(xù)的成形或模壓，其使凸?fàn)詈桶紶顖D像這兩個(gè)狹縫一起。這可替換地用小的寬度和大的寬度來(lái)實(shí)現(xiàn)，因此，更小的凸?fàn)顦?gòu)件來(lái)回安裝在更大的凹狀構(gòu)件內(nèi)部)，不管它們是鋸齒波、方波、正弦波或這些或其它型中的斷續(xù)型。如圖所示，有可能以實(shí)質(zhì)上沒(méi)有成本地合算地且有效地降低那個(gè)有效長(zhǎng)度。圖4A-4D示出二維EMI屏蔽方案的實(shí)施例，如美國(guó)專利公開(kāi)No.2005-205209(美國(guó)申請(qǐng)序列號(hào)No.11/012,896)和美國(guó)申請(qǐng)序列號(hào)No.ll/080，385所引述的，出于所有的目的，這兩個(gè)申請(qǐng)通過(guò)引用被合并于此。圖4A是第一示例或?qū)嵤├捻斀且晥D，三側(cè)面和一個(gè)三側(cè)面扣件向下搭在另一個(gè)上的三側(cè)面柱，并且它從上直接向下。然后，EMI/EMC只在前后偏斜，以克服符號(hào)波之間的干擾。因此，有可能使兩個(gè)U部分在一起，使TORTUREDPATHTm接縫沿著6個(gè)不同的邊緣行進(jìn)，以使兩個(gè)三側(cè)面箱或部分在一起。圖4A和圖4B示出本發(fā)明的二維"通用""一次擊中"方案的實(shí)施例，用于PC外殼和其它"箱"，它們?yōu)楫?dāng)前方法提供了制造工藝中許多優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的其它實(shí)施例可以包括產(chǎn)品用途、組裝和其它制造考慮，例如使用"三和三"結(jié)構(gòu)(未示出)。本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的模型#3的4側(cè)組件可以用在"4xixi"或"4x2，，中。4側(cè)組件通過(guò)在每一個(gè)邊緣用正弦型制造，但是也可以包含圖3討論的其它方案。在二維EMI屏蔽實(shí)施例中，蓋板都從上向下，直到側(cè)面和背面。因此，當(dāng)打開(kāi)蓋子時(shí)，就可以完全暴露沒(méi)有任何干擾的箱內(nèi)部，從上向下的視圖沒(méi)有被任何材料覆蓋。因此，完全可以達(dá)到箱。此外，作為頂部作為整個(gè)前面一部分的四側(cè)和兩側(cè)，也可以這樣做。除了三部分組裝，在兩部分組裝中，也可以這樣做。在"5xl型"實(shí)施例的情況下，這一結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單。這一實(shí)施例也可以在兩部分組裝以及也是兩部分組裝的3x3通道箱中實(shí)施。在本發(fā)明的二維EMI屏蔽計(jì)算機(jī)外殼應(yīng)用的大部分實(shí)施例，本發(fā)明需要金屬片(特定實(shí)施例)中的簡(jiǎn)單沖壓或切割，以及成形制造。本發(fā)明較之"匙狀物，，不貴，并且不需要物理接觸，因此提供更大的可靠性。再次參見(jiàn)圖4A,示出了計(jì)算機(jī)外殼結(jié)構(gòu)的優(yōu)選實(shí)施例的模型。一個(gè)RUn.5英寸寬的機(jī)箱，大約11.5英寸深，這代表了用于標(biāo)準(zhǔn)19.英寸架座、可允許的17.5英寸寬和一個(gè)RU高度的典型種類的結(jié)構(gòu)。TORTUREDPATH接縫沿側(cè)面行進(jìn)。這是一個(gè)正面等距視圖，觀看前景中前面的右手角落。接縫將沿著兩個(gè)側(cè)面的頂部、后面的頂部、靠近角落的兩個(gè)后豎直角落向下行進(jìn)，但是在后側(cè)。所有4個(gè)側(cè)面都圍繞面板，但是根本沒(méi)有一個(gè)示出前部分。因此，從美學(xué)上講，沒(méi)有孔位于前面，盡管這些可能只在某點(diǎn)上提高美感，并且只有一些東西可以討論。這類孔可以人機(jī)工程學(xué)地、美學(xué)上地使用，或者它們可以用于切割公司的標(biāo)志，如果做的合適的話。它們可以用于實(shí)現(xiàn)TORTUREDPATHTM形狀，以有助于控制EMI的方式使空氣流入。因此'在圖4A和圖4B示出的特定外殼，存在4側(cè)基底，在平坦型結(jié)構(gòu)中，它可以是4側(cè)面的箱。它將使TORTUREDPATHTM形狀圍繞所有4側(cè)的周邊。在后面與可以被裝上蓋板的兩側(cè)部分之間，可以折起并將側(cè)面裝入后面板。緊固在每個(gè)中只需要一個(gè)鉚釘，并且可選擇地在后面角落的每個(gè)中需要一個(gè)鉚釘。于是，過(guò)程將是沖壓、成形，并且兩個(gè)鉚釘用于總的組裝，沒(méi)有襯墊、沒(méi)有焊縫、沒(méi)有螺釘，所有這些都能在預(yù)電鍍材料中完成。圖4A也示出具有可以拿下來(lái)的單獨(dú)蓋子的優(yōu)選實(shí)施例，該實(shí)施例利用TORTUREDPATH組裝轉(zhuǎn)換后面與兩側(cè)。這些特定的結(jié)構(gòu)使得很容易添加接頭，以將頂部固定到基底，或者可以使用錐形擴(kuò)孔螺釘，避免從電磁角度的"間斷"問(wèn)題，這也能增加本發(fā)明的電磁優(yōu)點(diǎn)。這與具有直狹縫的標(biāo)準(zhǔn)外殼情況相反，在狹縫里，有必要以與最大可允許孔相同的距離具有螺釘。利用本發(fā)明的該結(jié)構(gòu)，距離可以增加TORTUREDPATHEMI/EMC屏蔽方案，并且也可以用于結(jié)構(gòu)完整性，和/或僅用于外殼，以維持外殼。在圖4A和圖4B所示的結(jié)構(gòu)中，前端或前面板轉(zhuǎn)變所有4個(gè)側(cè)面，并且可以被敲打和控制它。按照這種方式，有可能實(shí)際上將蓋子放下，放到結(jié)構(gòu)中，它實(shí)際上以某種榫槽鉤被鉤住旋轉(zhuǎn)。有可能將它降低，并系留所有與前面板的嚴(yán)格組裝?；旧希酉聛?lái)可以是沖壓、成形、摩擦匹配，并且接下來(lái)僅是蓋子就位。側(cè)面和基底可以由頭錐體系留。按照這種方式，整個(gè)組裝都在一起。雖然這種過(guò)程不能提供所有產(chǎn)品用途都需要的所有結(jié)構(gòu)的完整性，但是在許多情況下，它確實(shí)是合適的。有許多能完成它的結(jié)構(gòu)。EMI可以被包括，并且基本元件緊固件以非常低的成本消除焊縫和調(diào)全，并額外地提供增強(qiáng)熱。因此，由于現(xiàn)在具有打開(kāi)更多孔的能力，所以可以另外降低成本，并增強(qiáng)熱，而且環(huán)境友好，沒(méi)有任何添加。這100%可組裝且100%可靠，同時(shí)不會(huì)隨時(shí)間惡化。有簡(jiǎn)單的系留。這可以是四分之一期限，但是在這種情況下，簡(jiǎn)單的系留一一可以用于蓋板后面的光電磁螺母的裝有彈簧的螺釘，繞側(cè)壁樞轉(zhuǎn)。這些之一在機(jī)箱的前面和兩端，在機(jī)箱的一側(cè)上分開(kāi)修剪，并且正鎖定在另一個(gè)上。美學(xué)上，需要在前面沿著接縫TPS的型切割痕。從以上可以看到，當(dāng)它沿著前側(cè)邊緣的上下行進(jìn)時(shí)，示出側(cè)視圖。這一圖示證明具有用于安裝箱的系留緊固件的旋轉(zhuǎn)緊固件。它可以是正四分之一圈鎖，其中葉片在蓋板的后面。在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，簡(jiǎn)單的螺釘或可能最適合閉鎖裝置的任何方式都可以使用。外殼系統(tǒng)能從非常簡(jiǎn)單的成本最劃算的組裝手段延伸，同時(shí)提供高可靠性，并且實(shí)質(zhì)上不用組裝或焊接就能最小化組裝成本。這可以用任何制造方法以任何材料來(lái)完成一一任何電磁傳導(dǎo)材料和任何制造方法。在鑄造、模壓等中，僅通過(guò)簡(jiǎn)單地模壓或鑄造就有可能實(shí)現(xiàn)三維彎曲路徑。在擠壓中，TORTUREDPATH被切割成擠壓和用于空氣流動(dòng)和EMI容納器的形狀。圖4C是用于計(jì)算機(jī)外殼的二維EMI屏蔽方案的側(cè)視圖。而且，從頂部開(kāi)始，只有一條線穿過(guò)所示出的頂部正面，其恰與底部上的相同。有一條線在側(cè)面，也在前面，上下行進(jìn)1-U維，既在前面也在后面，這是能從側(cè)面看到的所有。沿著側(cè)面的頂邊緣，并且在頂邊緣的側(cè)面，兩個(gè)接縫可見(jiàn)，靠近兩邊緣的后面的角落。在圖4B中還示出后角落的等大視圖，并且TORTUREDPATH邊緣沿著頂部和側(cè)面，并向下到可見(jiàn)機(jī)箱的基底的后角落，然后蓋子的兩邊緣降至那個(gè)角落。如果仔細(xì)地檢查了這個(gè)角落。在前右角落的閉合處有形成的突起，這些突起在一個(gè)面上變腰并上升且在另一面后圍繞。在這種情況下，有一個(gè)從位于側(cè)壁的蓋子形成。側(cè)壁在前側(cè)面的后面，前側(cè)面位于蓋子的后面，形成了"三方匯聚，，或鎖定角落。這三件在一起，但是它們堆在一起且一個(gè)位于另一個(gè)的下面，因此它們不使用任何緊固件地互鎖在一起，這進(jìn)一步降低了制造成本。在每種情況下，利用圍繞這些接頭(或者它是否圍繞用于安裝螺釘?shù)纳w板)的狹縫長(zhǎng)度，長(zhǎng)度被保持在對(duì)2千兆赫茲EMI屏蔽或選擇控制的無(wú)論什么頻率的可允許長(zhǎng)度。頂部上的洞恰好能提供額外的靈活性，用于本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例，并允許鉚釘用于連接蓋子和基底。在沒(méi)有可移除蓋子的結(jié)構(gòu)中，可以使用錐形擴(kuò)孔螺釘。在這種情況下，移除并拿掉蓋子、拿開(kāi)前面、拿掉蓋子并且能達(dá)到箱的內(nèi)部。如這一規(guī)則所示，本發(fā)明的有特定吸引PATHTm方案，都可以以如下方式實(shí)現(xiàn)維持最小孔長(zhǎng)度并據(jù)此控制必要的EMI。圖示分別示出n.5英寸(在優(yōu)選實(shí)施例中，只有維數(shù)取決于產(chǎn)品使用)l-RU箱的同一前角落，并且它示出切口接頭UTB和LTB怎樣彼此鎖縫和互鎖并怎樣制作以將整個(gè)組件裝配在一起，無(wú)論是哪一種榫槽型的東西。由于最小化扣件的優(yōu)秀組裝有助于對(duì)準(zhǔn)機(jī)箱，并使電觸點(diǎn)在一起，盡管不取決于用于EMI的它。而且，此處它使用系留扣件，既在螺絲狀的或固定螺釘，而且也存在光電磁螺母PN，這安裝于支撐蓋板MP的后面。這示出一旦沖壓并成形，特征就是非常簡(jiǎn)單的并且以非常低的成本被提供。這是相當(dāng)有效的方式用于制造、組裝和維持EMI,其是低成本、高性能和優(yōu)秀的解決方案。圖4A-4D示出提供在本發(fā)明的計(jì)算機(jī)外殼應(yīng)用中的方案能以所有主要制造方法容易地實(shí)現(xiàn)，包括沖壓、激光切割、鑄造、擠壓、模壓等、在每個(gè)制造方法中，幾乎每個(gè)的(以上詳述的)所有好處都可以應(yīng)用。進(jìn)一步，因?yàn)樵谄ヅ浣M件之間存在"間隙"，制造過(guò)程中的公差盡可能的"自由"。自由的公差進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)可靠性，并確保了遠(yuǎn)離制造線的部分的最高可能的產(chǎn)量，以便一般而言，沒(méi)有匹配問(wèn)題。進(jìn)一步，"一次擊中"二維方案能提高封裝靈活性和熱性能。例如，本創(chuàng)造性的方案不僅可以用于機(jī)箱制造，也用于模塊、FRU、連接器和其它需要EMC保護(hù)/屏蔽的1/0部件。本創(chuàng)造性的方案切割形狀，以提供用于空氣流動(dòng)的大開(kāi)口區(qū)域，該方案不會(huì)不利地影響EMI性能，并能得到制造成本低同時(shí)熱性能高的結(jié)論。從改進(jìn)的EMI屏蔽(泄漏和保護(hù))角度來(lái)看，如果孔以最大效率來(lái)切割，那么沒(méi)有天線的EMI需要輻射，熱量散開(kāi)(希望不會(huì)以的EMI性能為代價(jià))。可以將這一概念延伸至工業(yè)設(shè)計(jì)，然后開(kāi)始采用這些切割痕'并使它們成為工業(yè)設(shè)計(jì)的一部分。與提高熱量相似，降低相對(duì)于襯墊、螺釘、焊接等的成本是100%可靠的。絕對(duì)不會(huì)隨時(shí)間惡化可靠性。當(dāng)這兩件事情放到一起時(shí)，存在氣隙。沒(méi)有壓縮形變的襯墊。鈹銅沒(méi)有變形或彎曲。分離的纖維襯墊沒(méi)有與泡沫分離。它們被修剪，它們分離，并且它們利用粘合劑或類似東西粘結(jié)在一起。當(dāng)它們被修剪時(shí)，它們可能失敗。隨著時(shí)間設(shè)置壓縮，因此，它們將隨著時(shí)間損失性能。鈹銅在歐洲不合法。它彎曲且匙狀物彎曲，而且它們依賴于物理接觸。然而，這不依賴于物理接觸。在整個(gè)產(chǎn)品的使用壽命中，它都100%可靠。此外，如果間隙尺寸設(shè)置得好，即間隙尺寸是幾何公差的總數(shù)的兩倍，那么將順次配合在一起，提供不會(huì)失敗組裝，實(shí)質(zhì)上沒(méi)有組裝缺陷。這被設(shè)計(jì)成零組裝缺陷?？偸强山M裝的，且是100%可靠性。兩倍幾何尺寸是幾何公差的正常總數(shù)。如果有兩倍的間隙，那么對(duì)于任何組裝誤差來(lái)說(shuō)，都有100%的安全余量。在該實(shí)施例中，在組裝中無(wú)限安全且無(wú)限可靠。沒(méi)有組裝誤差。本發(fā)明的二維實(shí)施例提供了組裝中沒(méi)有浪費(fèi)或失敗的方案。面板不會(huì)在用戶面前粘結(jié)或爆裂?？梢耘懦龣z查行為，并因此導(dǎo)致降低成本。由于對(duì)環(huán)境零影響，所以環(huán)境友好?？梢允褂盟蓄A(yù)電鍍材料，這是非常重要的?？梢允褂眉兊念A(yù)電鍍，而不再關(guān)心后電鍍的。所有與成本相關(guān)的滯留問(wèn)題和環(huán)境問(wèn)題都被消除。對(duì)于所有的電鍍，必須采取所有的金屬片。有必要運(yùn)輸一部分進(jìn)行電鍍，獲得所有電鍍和封裝好的，因此不會(huì)擦傷。不過(guò)，在這種情況下，這可以用100%預(yù)電鍍材料來(lái)完成。這是唯一運(yùn)輸并組裝的過(guò)程。本發(fā)明的二維實(shí)施例使裝配工藝制造簡(jiǎn)單且成本降低，因?yàn)闆](méi)有必要的焊接或任何后續(xù)的操作。當(dāng)焊接是過(guò)程的一部分時(shí)，也必須是后電鍍的，因?yàn)椴豢赡芎附宇A(yù)電鍍的。將破壞電鍍。否則，如果有焊接，然后是后電鍍，那么整個(gè)事情必須詳細(xì)規(guī)劃。問(wèn)題是，如果有后電鍍的規(guī)劃、如果有任何褶邊，那么結(jié)果是滯留，有了滯留，就存在氧化源。因此，如果電鍍材料被滯留，那么它就將位于間隙中，或者它根本不會(huì)進(jìn)入。它或者滯留，或者不會(huì)滲透，并且如果有足夠的安全氧化，那么就有腐蝕。在該實(shí)施例中，所有這些都被消除?，F(xiàn)在參見(jiàn)圖5A-13,示出"3-D箱"或三維EMI屏蔽方案實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的三維實(shí)現(xiàn)的優(yōu)選實(shí)施例如上所述。圖6和圖7分別示出在優(yōu)選實(shí)施例中創(chuàng)造性外殼的五面式箱和蓋子的不同視圖?，F(xiàn)在參見(jiàn)圖6，有助于考慮在蓋子和箱中的由三維型形成的一些其它平面。例如，有其它的"XY，，平面，其由箱FSE中的凸?fàn)畈糠智蝮w的標(biāo)以"平面XY(tf2)，，的底部形成，凸?fàn)畈糠智蝮w的頂部標(biāo)以"平面XY(弁3)"。出于考慮電子設(shè)備外殼所需要的EMI屏蔽的目的'鑒于每個(gè)接縫，也可以考慮其它平面，例如形成在箱FSE和蓋板/蓋子FL的交叉處的YZ和XZ平面。從箱FSE和蓋子FL的各個(gè)接合處的接縫形成的YZ平面，分別包括平面YZ(弁A)和YZ(#A)，。也存在從三維型IP的內(nèi)部(最接近外殼的中部)形成的平面，這可以是凸?fàn)頧Z#3的內(nèi)平面和最接近內(nèi)壁的部分，即XZ弁2。XZ和YZ平面在結(jié)構(gòu)和功能上相似，因?yàn)樗鼈兌际怯赏鈿さ膶挾群烷L(zhǎng)度形成。出于圖示目的，描述平面，而且平面不視為限制本發(fā)明的范圍或各種實(shí)施例的可能應(yīng)用。表6:由五面式外殼中的三維型形成的平面<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>參見(jiàn)圖7，示出由"凹狀'，扇貝或部分球體形成的平面。出于提供電磁千擾屏蔽的目的，圖7示出蓋子和三個(gè)相關(guān)平面以及由凹狀扇貝或四分之一球體形成的"子平面"的正視圖?？傊?，在五面式外殼中，這些平面與具有凸?fàn)钊S型的相對(duì)部分有小的間隙。不過(guò)，在特定的實(shí)施例中，XY弁A平面應(yīng)該與XY#S平面非常一致。在可替換實(shí)施例中(下面在圖IO中論述)，可以調(diào)整間隙，以提供熱或制造優(yōu)點(diǎn)，但是可能危及一些EMI屏蔽。可替換實(shí)施例的終端用戶對(duì)于不同的電子設(shè)備外殼來(lái)說(shuō)，可以針對(duì)"間隙，，具有特定的折衷。表7:由蓋子中的三維型形成的平面<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>參見(jiàn)圖8A,示出蓋板中的"凹狀"三維結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)。圖8B示出五面式箱中"凸?fàn)?三維結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)。如上文所述，凸起的空間型和凹進(jìn)的空間型之間的"間隙"或"匹配"，會(huì)根據(jù)最終用戶的需要在本發(fā)明特定實(shí)施例之間有所不同。參見(jiàn)圖9A和圖9B，示出當(dāng)"彎曲的室，，用于提供對(duì)外殼內(nèi)外進(jìn)行電磁干擾屏蔽的操作。這些有趣的模壓或鑄造型通常不允許波傳播，連續(xù)反射并最終被吸收，由于它試圖穿過(guò)接口或接縫的平面(參見(jiàn)以上的平面#八)。因?yàn)檫@些中的每個(gè)之間的間隙都不足以形成箱外部上的天線，或者通過(guò)該間隙，電磁干擾基本上完全被吸收。在這一特定圖示中，如圖9B所示，蓋子具有蓋板，因此有來(lái)自蓋板的波導(dǎo)效應(yīng)?？傊蟹浅６痰目啄軌蚪o"彎曲的室，，孔本身提供波導(dǎo)效應(yīng)。通過(guò)縮短孔尺寸并創(chuàng)建彎曲的室，波導(dǎo)和波導(dǎo)蓋板一起工作。如圖所示，EMI從蓋子周圍沒(méi)有襯墊、沒(méi)有緊固件的機(jī)箱中發(fā)射實(shí)質(zhì)上是沒(méi)有可能的。蓋子僅被釘(或其它固定手段)在若千適當(dāng)?shù)奈恢?，無(wú)論需要什么或可替換地，在其它位置鎖住。優(yōu)選實(shí)施例非常簡(jiǎn)單，實(shí)質(zhì)上沒(méi)有緊固件和優(yōu)良的EMI保護(hù)容器。圖IO也示出由本發(fā)明的特定實(shí)施例提供的EMI保護(hù)的功能圖。電磁干擾EMIPROP從電子設(shè)備(未示出)沿所有方向傳播。箱和蓋子GAP之間的間隙是寬度g，并可以隨各個(gè)實(shí)施例而有所不同?？蛇x擇地，間隙調(diào)整結(jié)構(gòu)GTA可以用于通過(guò)增加間隙g來(lái)改善通風(fēng)。于是，特定的實(shí)施例可以不同，足夠用于不同的終端使用?？梢?jiàn)，由實(shí)際接縫XY弁1形成的平面是"上，，平面，其中凹狀/凸?fàn)罱涌诘慕Y(jié)構(gòu)成形位于XY#S+(這在XY弁2(4)和XY辨3)之間起伏)。在其它實(shí)施例(未示出)中，由接縫形成的平面可以穿過(guò)由凹狀/凸?fàn)罱涌谛纬善矫?，這取決于終端用戶的復(fù)雜度和需要。圖11A-11C分別是基本實(shí)施例中的五面式外殼FSE和從角、頂部和側(cè)面角度的內(nèi)部型IP的詳細(xì)^L圖。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以使用其它三維型，例如圖12所示的單排立方體結(jié)構(gòu)，或圖13所示的雙排立方體結(jié)構(gòu)，不限制本發(fā)明的范圍或可能的實(shí)施例。特定的三維型提供EMI屏蔽優(yōu)點(diǎn)，這必須與由其它型提供的制造優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行衡量。于是，圖5-7所示的1/4球體將提供一種類型的優(yōu)點(diǎn)，而例如圖12和圖13所示的三維立方體型將提供簡(jiǎn)化制造的優(yōu)點(diǎn)。圖14示出本發(fā)明的"混合，，實(shí)施例，合并了二維和三維特征，以便組合或單獨(dú)地提供用于電子設(shè)備外殼的電磁干擾屏蔽。權(quán)利要求1、一種用于需要電磁干擾屏蔽(EMI)的計(jì)算機(jī)或其它電子設(shè)備的外殼，其中所述外殼由導(dǎo)電材料制成并具有六個(gè)采用導(dǎo)電材料的面，其中所述面中至少有兩個(gè)面成形為或切割成形為具有體積波衰減部分，所述體積波衰減部分覆蓋所在面的至少一部分寬度以阻擾EMI波傳播，從而由所述波衰減部分提供充分的屏蔽。2、如權(quán)利要求1所述的外殼，其中所述體積波衰減部分沿遠(yuǎn)離所述外殼的內(nèi)部空間的方向凸起。3、如權(quán)利要求l所述的外殼，其中所述體積波衰減部分沿朝向所述外殼的內(nèi)部空間的方向凹進(jìn)。4、如權(quán)利要求l所述的外殼，其中所述體積波衰減部分是沖壓成形的、模壓成形的、成形的、擠壓成形的或鑄造成形的。5、如權(quán)利要求1所述的外殼，其中所述體積波衰減部分沿著所述外殼的上表面的邊緣延伸。6、如權(quán)利要求1所述的外殼，其中所述體積波衰減部分包括多個(gè)凸起部,_所述多個(gè)凸起部以適當(dāng)距離隔開(kāi)以減弱需屏蔽的頻率范圍。7、如權(quán)利要求6所述的外殼，其中所述凸起部包括球體的局部。8、如權(quán)利要求6所述的外殼，其中所述凸起部包括圓柱體的局部。9、如權(quán)利要求6所述的外殼，其中所述凸起部包括箱體或立方體的局部。10、一種為包括多片式外殼的電子設(shè)備提供改進(jìn)的電磁干擾(EMI)屏蔽的方法，該多片式外殼由導(dǎo)電材料制成且具有至少一條接縫，該方法包括步驟制造沿所述多片式外殼的多個(gè)片中的一個(gè)片的至少部分周界延伸的一連串三維EMI屏蔽體；并且裝配所述外殼使該串三維EMI屏蔽體穿過(guò)由所述至少一條接縫形成的平面。11、如權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述三維體呈局部球狀。12、一種用于電子設(shè)備的多片式外殼，包括具有內(nèi)部空間的五面式外殼，所述外殼包括一敞開(kāi)的面并沿所述敞開(kāi)面的頂部周界配置有第1電磁干擾(EMI)屏蔽型，其中所述第1EMI屏蔽型包括一連串沿所述周界延伸的三維體；和配置成與所述外殼配合的蓋板，形成六面式外殼，所述蓋板包括第2電磁干擾(EMI)屏蔽型，所述第2EMI屏蔽型包括一連串圍繞所述蓋板的底面的周界的三維體。13、如權(quán)利要求12所述的外殼，進(jìn)一步包括連接片，這些連接片通過(guò)所述蓋板的頂部配合到所述五面式外殼的所述周界內(nèi)。14、如權(quán)利要求12所述的外殼，其中所述第1三維EMI屏蔽型和第2三維EMI屏蔽型配置成互補(bǔ)的，以便當(dāng)所述蓋板放置到所述五面式外殼上時(shí)二者配合在一起。15、如權(quán)利要求12所述的外殼，其中所述第1三維EMI屏蔽型和第2三維EMI屏蔽型呈立方體狀。16、如權(quán)利要求15所述的外殼，其中所述第1型包括兩排圍繞所述五面式外殼的周界的所述三維立方體狀體。17、如權(quán)利要求12所述的外殼，其中所述第1三維型和第2三維型呈^求狀。18、如權(quán)利要求n所述的外殼，其中所述第i型包括兩排圍繞所述五面式外殼的周界的所述三維球狀體。19、如權(quán)利要求12所述的外殼，其中所述第1三維型和第2三維型呈局部圓柱狀。20、一種提供充分EMI/EMC屏蔽的計(jì)算機(jī)外殼，其中至少有多個(gè)面是這樣配置的通過(guò)先沿兩維成形成而后再形成正交面，來(lái)形成正弦三維體，使所述正交面具有廣泛的體，這種體迫^f吏所述EMI旋轉(zhuǎn)穿過(guò)因成形而變窄的孔，其中所述圍繞才/U箱的材料由電磁傳導(dǎo)材料制成。全文摘要本發(fā)明提供一種電子設(shè)備外殼的結(jié)構(gòu)，包括計(jì)算機(jī)機(jī)箱，其中可以呈現(xiàn)部分或四分之一球體或立方體或其它周期性“型”的三維體，可以沖壓、模壓、切割或擠壓成蓋子和五面式“箱”，以提供改進(jìn)的EMI屏蔽，從而減小或消除對(duì)襯墊的需要。文檔編號(hào)H05K9/00GK101185383SQ200680007823公開(kāi)日2008年5月21日申請(qǐng)日期2006年1月10日優(yōu)先權(quán)日2005年1月10日發(fā)明者保羅·道格拉斯·科克拉內(nèi)申請(qǐng)人:彎曲的路徑Emi解決方案有限責(zé)任公司