專利名稱：：金屬圖形形成方法、金屬圖形、印刷引線板及tft引線板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種形成金屬圖形的方法和由此獲得的金屬圖形。尤其，本發(fā)明涉及一種形成用作印刷引線板和TFT(薄膜晶體管)引線板導(dǎo)電層的金屬圖形的方法以及由此獲得的金屬圖形。
背景技術(shù)：
：在本領(lǐng)域中，主要的常規(guī)金屬圖形形成方法是相減法、半加性方法和全加性方法。相減法包括如下步驟在基板上形成的金屬層上方形成對(duì)照射到的激活光敏感的光致抗蝕劑層，將光致抗蝕劑層曝光以形成影像，通過顯影形成抗蝕劑圖形，通過蝕刻金屬形成金屬圖形，最終去除抗蝕劑。該方法使用的金屬基板的基板界面通常被粗糙化，以提高粘合效果，改善基板和金屬層之間的粘附。結(jié)果，所形成的金屬圖形的基板界面變粗糙，通常會(huì)導(dǎo)致當(dāng)產(chǎn)品用于電氣布線時(shí)高頻特性變劣的問題。此外，由于在形成金屬基板之前需要進(jìn)行基板表面粗糙化，這也帶來了需要用強(qiáng)酸如鉻酸等處理基板等復(fù)雜步驟的問題。例如，為了克服這些問題，在日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(JP-A)No.58-196238和2000年出版的《先進(jìn)材料(AdvancedMaterials"第20巻，第14811494頁中提出了一種通過對(duì)基板表面接枝處理以提供一定粘附等級(jí)并由此簡(jiǎn)化基板處理步驟的方法和通過于其上接枝可聚合組合物基團(tuán)改變基板表面、由此使基板不均勻性最小化并由此簡(jiǎn)化基板處理步驟的方法。然而，昂貴的裝置如Y射線產(chǎn)生裝置和電子束產(chǎn)生裝置是必須的。而且，可預(yù)計(jì)導(dǎo)致接枝聚合的聚合初始基團(tuán)不被引入到基板中，從而導(dǎo)致形成了少量的接枝聚合物。因此，即使通過該方法制備的金屬基板通過相減法被圖形化，但是該產(chǎn)品仍含有如下的相減方法所固有的問題。為了通過相減方法形成具有較薄線寬的金屬圖形，抗蝕劑圖形的線寬在蝕刻之后變薄的所謂過蝕刻方法是有效的。然而，當(dāng)精細(xì)的金屬圖形通過過蝕刻方法直接形成時(shí)，根據(jù)形成有利的精細(xì)金屬圖形的實(shí)際觀點(diǎn)，難以形成具有30pm或更小線寬的金屬圖形，這是由于所形成引線的缺陷如滲出、減薄、斷開連接等。此外，還會(huì)帶來與成本和環(huán)境相關(guān)的問題，這是因?yàn)闉榱顺ピ趫D形化區(qū)域之外的區(qū)域中存在的金屬膜，還需要相當(dāng)成本來處理由蝕刻處理導(dǎo)致的金屬廢水。為了克服這些問題，提出了新的金屬圖形形成方法，即半加性方法。半加性方法是包括以下步驟的方法。即，在基板上通過電鍍等形成包含Cr等的薄金屬下層，和由此在金屬下層上形成抗蝕劑圖形。布線圖形通過在除了抗蝕劑圖形化區(qū)域之外的金屬下層區(qū)域上由電鍍形成包含Cu等的金屬層以及隨后的去除抗蝕劑圖形步驟來產(chǎn)生。隨后通過蝕刻金屬下層同時(shí)掩模布線圖形，在除了抗蝕劑圖形區(qū)域之外的區(qū)域上形成金屬圖形。由于其是較少蝕刻工藝，因此該方法可以較容易地形成具有30nm或更小線寬的薄線圖形；并且，由于金屬僅沉積在所需區(qū)域上，因此其在成本方面也有利。然而，金屬需要粗糙化基板表面，用于改善基板和金屬圖形之間的粘附性。其結(jié)果是，所形成的金屬圖形的基板表面變粗糙，導(dǎo)致當(dāng)將其用于電布線時(shí)高頻特性變劣的問題?？商鎿Q地，也提出了所謂全加性方法的金屬圖形形成方法。全加性方法是這樣一種方法，通過在除了抗蝕劑圖形之外的區(qū)域上由電鍍沉積金屬，之后去除抗蝕劑圖形，在基板上形成抗蝕劑圖形。由于其是蝕刻較少工藝，因此全加性方法更容易形成具有30pm或更小線寬的薄線圖形。其也以與半加性方法相似的方式使得基板界面粗糙，導(dǎo)致當(dāng)其用于電布線時(shí)高頻特性變劣的問題。如上所述，可形成薄線圖形、具有較小基板界面不規(guī)則度、并產(chǎn)生較少量的蝕刻廢水的金屬圖形形成方法有待提出，且需要一種新的金屬圖形形成方法。上述的金屬圖形用作布線(導(dǎo)電膜)，用于半導(dǎo)體裝置的印刷電路板。近些年，對(duì)于電子裝置，非常需要以高處理速度處理批量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。用于處理圖像或控制處理的半導(dǎo)體器件中的內(nèi)部時(shí)鐘頻率或外部時(shí)鐘頻率一年年增加，且連接管腳的數(shù)目也在增加。為了實(shí)施高速傳輸，重要的是降低延遲和信號(hào)振幅。為了降低信號(hào)的傳播延遲，有效的是降低介電常數(shù)。為了降低介電損失，有效的是分別降低介電常數(shù)和介電損耗角正切。然而，由于介電損失中的介電常數(shù)是介電常數(shù)的根源，因此，現(xiàn)實(shí)中，介電損耗角正切與此非常相關(guān)。由于這個(gè)原因，根據(jù)材料特性的觀點(diǎn)，有用的是采取具有低介電損耗角正切特性的絕緣材料用于實(shí)施高速數(shù)據(jù)處理。而且，導(dǎo)電材料的表面平滑處理有助于形成具有高密度的材料。在常規(guī)方法構(gòu)建的印刷電路板中，粗糙化處理已經(jīng)用于獲得剝離強(qiáng)度。然而，現(xiàn)狀是，幾微米的不規(guī)則形狀也會(huì)影響精細(xì)的布線。因此，根據(jù)形成用于半導(dǎo)體裝置的印刷電路板的觀點(diǎn)，將在光滑絕緣基板上形成具有高粘附性的非常精細(xì)金屬圖形?，F(xiàn)已公開了一種在基板上形成導(dǎo)電金屬圖形而沒有不規(guī)則形狀的方法，包括通過使用光敏硅樹脂進(jìn)行圖形化、賦予催化劑和通過電鍍形成金屬圖形(例如，見日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(JP-A)No.2000-349417)。然而，硅樹脂不能提供與通常使用的絕緣樹脂如用于印刷引線板如聚酰亞胺樹脂和環(huán)氧樹脂之間足夠的粘附性，需要能提供較高粘附性的方法。鑒于上述情況，本申請(qǐng)人提出了一種形成金屬圖形的方法，其包括在直接鍵合到基板的由接枝聚合物形成的精細(xì)圖形上沉積金屬顆粒(例如，見JP-ANo.2003-114525)。根據(jù)該方法，能根據(jù)曝光精確度形成所需精細(xì)圖形。然而，對(duì)于通過沉積金屬精細(xì)顆粒形成的金屬圖形，其導(dǎo)電性存在限制。為了應(yīng)用到印刷引線材料等，需要在當(dāng)前環(huán)境下進(jìn)一步提高導(dǎo)電性，例如，通過增加金屬層厚度和同時(shí)保持線寬方向上金屬圖形的精確度的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容考慮到使用常規(guī)技術(shù)所存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種形成金屬圖形的方法，其能夠產(chǎn)生金屬精細(xì)圖形而不需蝕刻工藝，并且能形成具有與基板良好粘附、足夠?qū)щ娦院驮谂c基板界面上具有小不規(guī)則性的金屬圖形。本發(fā)明還提供了一種具有良好導(dǎo)電性、良好高頻特性和與基板良好粘附性的金屬圖形，以及使用該金屬圖形作為導(dǎo)電層的印刷引線板和TFT引線電路。本發(fā)明人最初發(fā)現(xiàn)與基板具有良好粘附性的金屬精細(xì)圖形能通過在具有無電鍍催化劑或其前體的聚合物以一定圖形直接鍵合到基板的區(qū)域上進(jìn)行無電鍍來形成。根據(jù)本發(fā)明，雖然保持了所需線寬，但是金屬膜在厚度方向上選擇性生長(zhǎng)，以實(shí)現(xiàn)精確度的進(jìn)一步提高，同時(shí)保持一定導(dǎo)電性，并能形成導(dǎo)電金屬圖形。即，本發(fā)明提供了一種金屬圖形形成方法，包括(a)以形成于基板上的圖形形成聚合物層，該聚合物層含有具有與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團(tuán)并能夠直接化學(xué)鍵合到基板的聚合物；(b)將無電鍍催化劑或其前體施加到聚合物層上；和(c)通過使用無電鍍?nèi)芤簩?duì)具有聚合物層的基板進(jìn)行無電鍍，以圖形形式形成金屬膜，其中在形成金屬膜之前或期間(c),使用包括表面電荷改進(jìn)劑或者lxlO'"至lxl0"mmo1/1電鍍催化抑制劑的溶液來處理具有施加有無電鍍催化劑或其前體的聚合物層的基板。在本發(fā)明方法的一方面中，其中利用了表面電荷改進(jìn)劑，形成金屬膜的工藝(c)可包括通過使用含有表面電荷改進(jìn)劑的無電鍍?nèi)芤哼M(jìn)行的無電鍍(c-l)?？商鎿Q地，在該方面中，形成金屬膜的工藝(c)包括用含有表面電荷改進(jìn)劑的槽處理具有聚合物層的基板(C-2);和對(duì)具有聚合物層的基板進(jìn)行無電鍍以便形成圖形形式的金屬膜(c-3)。表面電荷改進(jìn)劑可以是有機(jī)化合物，在其分子中具有(i)對(duì)基板具有親和力的基團(tuán)和(ii)離子離去基團(tuán)。在本發(fā)明方法的另一方面中，其中利用了電鍍催化抑制劑，形成金屬膜的工藝(c)可包括通過使用含有l(wèi)xl(T1Q至lxl0"mmo1/1電鍍催化抑制劑的無電鍍?nèi)芤哼M(jìn)行的無電鍍(c-r)?？商鎿Q地，該方面中，形成金屬膜的工藝(c)包括對(duì)具有聚合物層的基板進(jìn)行無電鍍(c-2')同時(shí)將電鍍催化抑制劑添加到無電鍍?nèi)芤褐幸允篃o電鍍?nèi)芤褐须婂兇呋种苿┑臐舛缺３衷趌xl(T1Q至lxl0'4mmol/l的范圍內(nèi)，以便以圖形形式形成金屬膜。電鍍催化抑制劑可以是無機(jī)陰離子，其選自由碘陰離子、溴陰離子、和硫陰離子構(gòu)成的組。電鍍催化抑制劑可以是有機(jī)化合物，在其分子中具有與電鍍金屬有親和力的基團(tuán)。有機(jī)化合物在其分子中可進(jìn)一步具有離子離去基團(tuán)。在本發(fā)明方法的兩個(gè)方面中，在無電鍍中使用的無電鍍?nèi)芤嚎蛇x自由無電鍍銅溶液、無電鍍銀溶液和無電鍍金溶液構(gòu)成的組。而且，本發(fā)明的兩種情況下，本發(fā)明的方法進(jìn)一步包括在無電鍍之后實(shí)施電鍍。而且，在本發(fā)明方法的兩個(gè)方面中，基板可具有500nm或更小的表面不均勻度；在基板和金屬膜之間的粘附度是0.2kN/m或更大；以及滿足以下條件(1)至(3)中的至少一個(gè)(1)金屬膜厚度為3pm或更大；和滿足關(guān)系(q-p)<r,其中p表示圖形形式的圖形線寬，q表示通過無電鍍形成的金屬膜的線寬，和r表示通過無電鍍形成的金屬膜的厚度；(2)聚合物層具有其中散布精細(xì)顆粒的區(qū)域，該精細(xì)顆粒包括無電鍍催化劑顆粒和通過無電鍍沉積的金屬顆粒中的至少一種，體積含量是25%或更多，該區(qū)域自聚合物層和金屬膜界面在向著基板的方向上延伸0.05nm或更多；和金屬膜與金屬膜線寬的比率為l或更多；(3)金屬膜厚度是4jim或更多；聚合物層具有其中散布精細(xì)顆粒的區(qū)域，該精細(xì)顆粒包括無電鍍催化劑顆粒和通過無電鍍沉積的金屬顆粒中的至少一種，體積含量為25%或更多，該區(qū)域從聚合物層與金屬膜的界面在向著基板的方向上延伸0.05pm或更多；和金屬膜厚度與金屬膜線寬的比率是l或更大。而且，在本發(fā)明方法兩個(gè)方面中，基板可具有100nm或更少的表面不均勻度。而且，本發(fā)明提供了一種通過上述金屬圖形形成方法形成的金屬圖形。而且，本發(fā)明提供了一種印刷引線板和TFT引線板，其每一個(gè)都具有金屬圖形作為其導(dǎo)電層。關(guān)于本發(fā)明，"基板"指的是具有聚合物直接位于其上并化學(xué)鍵合至其的表面材料。在直接提供聚合物以位于形成于樹脂膜上的圖形中的情況下，基板指的是樹脂膜本身。在提供聚合物以以圖形形式位于形成于基礎(chǔ)材料如樹脂膜表面上的中間層如聚合初始層表面上的情況下，基板指的是中間層承載膜基礎(chǔ)材料。在本發(fā)明金屬圖形形成方法的第一方面中，允許表面電荷改進(jìn)劑在進(jìn)行無電鍍工藝中的一定周期中共同存在，以使表面電荷改進(jìn)劑在基板表面上吸收，從而抑制電鍍金屬離子的沉積。由此，電鍍?cè)谄渖洗嬖诟呙芏入婂兇呋瘎┑慕又D形表面區(qū)域上選擇性進(jìn)行。所形成的金屬膜不在圖形寬度方向上生長(zhǎng)，并由此具有足夠厚度。結(jié)果，獲得根據(jù)非常精細(xì)的接枝圖形而非常精細(xì)并且具有高導(dǎo)電性的金屬圖形。本發(fā)明金屬圖形形成方法的第一方面優(yōu)點(diǎn)在于具有任何所需厚度的金屬圖形都可通過在無電鍍之后進(jìn)一步進(jìn)行電鍍來形成。金屬膜的粘附通過在無電鍍或電鍍之后進(jìn)行干法蝕刻來進(jìn)一步增加。在本發(fā)明金屬圖形形成方法的第二方面中，在進(jìn)行無電鍍的工藝中，將具體量電鍍催化抑制劑添加到電鍍槽中，以使一定量電鍍催化抑制劑被鍵合到無電鍍槽中的電鍍金屬離子，并且電鍍金屬離子對(duì)基板或者電鍍催化劑的吸附被抑制到一定程度。由此，無電鍍?cè)诰哂衅渖洗嬖诟呙芏入婂兇呋瘎┑木唧w表面區(qū)域的接枝圖形表面區(qū)域上選擇性進(jìn)行。由此，無電鍍的發(fā)展在接枝圖形于每單位面積與電鍍催化抑制劑的接觸更頻繁地發(fā)生的一側(cè)上被有效地抑制，或者在于不具有確實(shí)接收電鍍金屬離子功能的基板表面上被有效地抑制。由此，所形成的金屬膜不在圖形寬度方向上生長(zhǎng)，并由此具有足夠厚度，并獲得了根據(jù)非常精細(xì)的接枝圖形而非常精細(xì)的并且具有高導(dǎo)電性的金屬圖形。本發(fā)明金屬圖形形成方法的第二方面優(yōu)點(diǎn)在于具有所需厚度的金屬圖形能通過在無電鍍之后進(jìn)一步進(jìn)行電鍍來形成。金屬膜的粘附能通過在無電鍍或電鍍之后進(jìn)行干法蝕刻來進(jìn)一步增加。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，使用具有500nm或更小表面均勻度的基板。當(dāng)滿足基板條件時(shí)，能具有500nm或更小表面均勻度的聚合物層，同時(shí)以圖形形式形成聚合物層。添加無電鍍催化劑或其前體至圖形和在共同存在表面電荷改進(jìn)劑或電鍍催化抑制劑情況下的無電鍍導(dǎo)致了電鍍催化劑和電鍍金屬被含在圖形中(復(fù)合狀態(tài))切進(jìn)一步地金屬電鍍層在厚度方向上選擇性地形成于圖形上方的狀態(tài)，以便提供足夠厚度和優(yōu)良的導(dǎo)電性。由此形成的金屬圖形和基板之伺界面、即金屬和聚合物層(有機(jī)成分)之間界面的不均勻性變得稍大于聚合物圖形表面，這是由于電鍍催化劑和電鍍金屬滲入到了聚合物圖形中，但是程度很小以至對(duì)產(chǎn)品高頻特性沒有明顯影響。因此，這些金屬圖形在用于電引線時(shí)具有提高的高頻特性。高頻特性涉及到在高頻電傳輸期間的傳輸損失尤其涉及到導(dǎo)體損失。如上所述，對(duì)插入到金屬膜(金屬圖形)和基板之間的聚合物層(有機(jī)成分)的詳細(xì)學(xué)習(xí)中，在基板和金屬膜之間的聚合物層具有其中分散精細(xì)顆粒的區(qū)域，該精細(xì)顆粒包括無電鍍催化劑顆粒和通過無電鍍沉積的金屬顆粒中的至少一種，體積含量25%或更多，且該區(qū)域自聚合物層和金屬膜界面在向著基板的方向上延伸0.05nm或更多。認(rèn)為存在其中含有金屬等的精細(xì)顆粒能形成用于增強(qiáng)金屬膜粘附性的狀態(tài)。使用具有100nm或更少表面均勻度的基板是優(yōu)選的，由于較小的基板表面均勻度會(huì)導(dǎo)致金屬圖形的基板界面較小的不均勻度，其反過來會(huì)導(dǎo)致所獲得金屬圖形高頻特性的改善。本發(fā)明的方法提供精確度高于通過使用抗蝕劑圖形的常規(guī)蝕刻的圖形形成方法獲得的那些金屬圖形，逸是由于其包括將無電鍍催化劑或其前體選擇性地施加到不與無電鍍或其前體反應(yīng)的區(qū)域，該無電鍍和其前體通過如上面所述的實(shí)施例(1)或(2)以及隨后在共同存在表面電荷改進(jìn)劑或者電鍍催化抑制劑的情況下進(jìn)行無電鍍的方法形成。本發(fā)明的方法優(yōu)點(diǎn)還在于不排放蝕刻廢水。在本發(fā)明中，金屬圖形的基板表面通過對(duì)基板進(jìn)行表面接枝處理以便最小化基板界面的不規(guī)則性來形成。而且，基板界面處于通過組合金屬膜的金屬成分和直接鍵合到基板的接枝聚合物而形成的混合狀態(tài)。因此，認(rèn)為由此形成的金屬膜和基板之間的粘附性高。本發(fā)明中，為由與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)的傳統(tǒng)公知的壓型方法限定的參數(shù)的Rz、即"特定表面上最高至第五高峰值Z數(shù)據(jù)的平均值和最低至第五深底部Z數(shù)據(jù)的平均值之間的差值"用作表面不均勻度的粗糙的標(biāo)志。當(dāng)通過根據(jù)本發(fā)明方法獲得的金屬圖形用作常規(guī)材料時(shí)，引線區(qū)域中的金屬和有機(jī)材料之間的界面的不規(guī)則性越小，高頻電傳輸中的電損耗(傳輸損耗)就越小。因此，具有通過使用金屬圖形作為其導(dǎo)電層(引線)獲得的本發(fā)明金屬圖形的印刷引線板和TFT引線板具有平坦度、與基板的粘附度、精細(xì)度、導(dǎo)電性和高頻特性方面都優(yōu)良的引線。圖l是在實(shí)施例13中獲得的金屬圖形的SEM截面照片和圖2是通過圖像處理圖1中的截面SEM照片獲得的圖像，并且形成其中白色表示精細(xì)顆粒部分和黑色表示聚合物部分的兩種顏色梯度。具體實(shí)施方式以下，將詳細(xì)描述本發(fā)明。首先，將描述形成本發(fā)明所述金屬圖形的方法。形成金屬圖形的方法根據(jù)本發(fā)明的金屬圖形形成方法是一種形成金屬圖形的方法，其包括(a)在基板上以圖形形式形成聚合物層，該聚合物層包含具有與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團(tuán)并且能直接化學(xué)鍵合到基板上的聚合物；(b)將無電鍍催化劑或其前體施加到聚合物層上；和(c)通過使用無電鍍?nèi)芤簩?duì)具有聚合物層的基板進(jìn)行無電鍍以圖形形式形成金屬膜，其中，在(C)形成金屬膜之前或期間，使用表面電荷改進(jìn)劑或者lxlO"Q至lxlO"mmo1/1的電鍍催化抑制劑處理具有施加有無電鍍催化劑或其前體的聚合物層的基板。即，根據(jù)本發(fā)明的金屬圖形形成方法包括在基板上形成與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的區(qū)域以及不與其反應(yīng)的區(qū)域，將無電鍍催化劑或其前體添加到反應(yīng)區(qū)域，且之后對(duì)基板進(jìn)行無電鍍。本發(fā)明中，具有與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的聚合物的區(qū)域(即聚合物層)將稱作"接枝圖形"。以下，將以該順序描述工藝(a)至(c)。(a)在基板上形成接枝圖形以下方法(1)和(2)中的任一種都用作這樣一種工藝，其用于(a)在基板上以圖形方式形成包含具有與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團(tuán)的聚合物、并且能夠直接化學(xué)鍵合到基板上的聚合物層。(1)一種方法，包括直接和化學(xué)鍵合聚合物化合物到基板的整個(gè)表面，其中聚合物化合物具有通過加熱、酸或輻射改變?yōu)榱硪环N官能團(tuán)的官能團(tuán)，該另一種官能團(tuán)能與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)，或者具有通過熱、酸或輻射損失與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的功能的官能團(tuán)(以下，這種官能團(tuán)如所需地稱作"極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)")，且之后基于圖像施加熱或輻射以形成能夠與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的圖形化區(qū)域。(2)—種方法，包括使得基板表面與具有可聚合基團(tuán)和能夠與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團(tuán)的化合物接觸；和基于圖像施加輻射以形成能夠與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的圖形化區(qū)域。表面接枝聚合物借助于所謂的表面接枝聚合物制備方法(1)中的聚合物層。接枝聚合物是一種通過將活性種類添加到聚合物化合物鏈并使其與另一種單體聚合以開始聚合來制備接枝聚合物的方法，并且尤其，當(dāng)提供活性種類的聚合物化合物存在于固態(tài)表面時(shí)，將其稱作表面接枝聚合。用于實(shí)現(xiàn)改實(shí)施例的表面接枝聚合的方法包括在文獻(xiàn)中描述的任一種工藝方法。其實(shí)施例包括在《聚合物的新試驗(yàn)方法(NewExperimentalMethodsofPolymer)》第lO巻(Soc.PolymerScienceJapanEd.1994，KyoritsuShuppanCo.，Ltd,第135頁)和日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_jp-ANo.63-92658、10-296895和11-119413中描述的光接枝聚合方法和等離子體照射接枝聚合方法。此外，其實(shí)施例還包括在《AborptionTechnology》(NTS.，AkiraTakeuchiEd.，1999年2月，第203和695頁)等中描述的使用Y射線或電子束的輻射接枝聚合方法。光接枝聚合方法的具體實(shí)施例包括在JP-ANo.63-82658,10-296895和11-119413中描述的方法。除了上述那些方法之外，形成聚合物化合物鏈的終端直接化學(xué)鍵合至其的表面介質(zhì)層的方法包括將反應(yīng)官能基團(tuán)如trialkoxysilyl基團(tuán)、異氰酸鹽基團(tuán)、氨基、羥基或者羧基引入到聚合物化合物鏈的終端、并且引起其官能團(tuán)和基板表面上存在的官能團(tuán)之間耦合反應(yīng)的方法。根據(jù)該實(shí)施例的基板表面是將在表面上具有極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)的聚合物化合物終端直接或者經(jīng)由主鏈聚合物化學(xué)鍵合至其的表面，和原材料具有現(xiàn)在這樣的這種表面特性，或者分離地形成在原材料上的中間層具有這種特性。這種基板優(yōu)選具有500nm或更少的表面不均勻度。具有極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)的聚合物化合物鏈的終端經(jīng)由主鏈聚合物化學(xué)鍵合至其的表面的形成方法包括將在耦合反應(yīng)中能夠與基板表面上的官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)加入到主鏈聚合物的側(cè)鏈上、由此制備包含具有極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)的聚合物化合物鏈作為接枝鏈的聚合物化合物、和允許聚合物和下部層表面上官能團(tuán)之間的耦合反應(yīng)的方法。以下，將描述在該實(shí)施例中使用的極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)。根據(jù)該實(shí)施例的極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)包括通過熱或酸改變其極性的基團(tuán)類型(A)和通過輻射(光)改變其極性的基團(tuán)類型(B)。在本發(fā)明中，如果基團(tuán)是以下描述的無電鍍催化劑或其前體能被鍵合的官能團(tuán)，則不特別限制"與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團(tuán)"，但是其通常是親水性基團(tuán)。通過熱或酸改變其極性的官能團(tuán)(A)首先，將描述通過熱或酸改變其極性的官能團(tuán)(A)。通過熱或酸改變其極性的官能團(tuán)類型(A)(A)被分類成兩種基團(tuán)，通過熱或酸從疏水性向親水性改變極性的官能團(tuán)和通過熱或酸從親水性向疏水性改變極性的官能團(tuán)。通過熱或酸從疏水性向親水性改變其極性的官能團(tuán)(A-l)通過熱或酸從疏水性向親水性改變其極性的官能團(tuán)(A-l)包括在文獻(xiàn)中公開的任一已知官能團(tuán)。以下，將描述通過熱或酸從疏水性向親水性改變極性的官能團(tuán)(A-l)和具有官能團(tuán)的化合物的實(shí)施例。官能團(tuán)的實(shí)施例包括JP-ANo.10-282672中描述的烷基硫酸酯、二砜和磺胺；歐洲專利No.0652483和W.O.No.92/9934中描述的烷基烷氧基；H.Ito等人的《Macromolecules》第21巻第1477頁中描述的t-丁基；通過文獻(xiàn)中描述的可酸分解的基團(tuán)如甲硅烷基酯、乙烯基酯等保護(hù)的羧酸酯；等等。該實(shí)施例還包括在MasahiroTsunooka在《Surface》第133巻(1995)第374頁中描述的亞氨基磺酸鹽基團(tuán)；日本的MasahiroKadooka在《Polymerpreprints》第46巻(1997)第2045頁中描述的p-酮磺化酯；在TuguoYamaoka的JP-ANo.63-257750中描述的硝基芐基磺酸鹽，但是本發(fā)明不限于這些官能團(tuán)。在JP-ANo.2001-117223中描述的官能團(tuán)也合適。在JP-ANo.2001-117223中描述的官能團(tuán)中，更優(yōu)選通過通式(1)表示的二次烷基硫酸酯基團(tuán)、三次羧基酸酯基團(tuán)和通過通式(2)表示的烷氧基烷基酯基團(tuán)，且在其中，通過通式(1)表示的二次垸基硫酸酯基團(tuán)特別優(yōu)選，盡管本發(fā)明不限于此。以下列出了特定優(yōu)選官能團(tuán)的具體實(shí)施例<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>如通過熱或酸從親水性向疏水性改變其極性的官能團(tuán)(A-2)本發(fā)明中，通過熱或酸從親水性向疏水性改變其極性的官能團(tuán)(A-2)包括任一種已知的官能團(tuán)。以下，將描述通過熱或酸從親水性向疏水性改變其極性的官能團(tuán)(A-2)和具有該官能團(tuán)的化合物的實(shí)施例。官能團(tuán)的實(shí)施例包括在JP-ANo.10-296895和美國(guó)專利No.6，190，830中描述的含有絡(luò)合陽離子的鹽類基團(tuán)的聚合物，且尤其是含有銨鹽基團(tuán)的聚合物。其具體實(shí)施例包括(甲基)丙烯酰氧烷基三甲基銨等。在JP-ANo.2001-117223中描述的官能團(tuán)也合適。在上述專利公開中描述的官能團(tuán)當(dāng)中，特別優(yōu)選由通式(3)表示的羧基酸基團(tuán)和羧酸酯基鹽類基團(tuán)，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。以下，列出了特別優(yōu)選官能團(tuán)的具體實(shí)施例。i9><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>根據(jù)本發(fā)明所述的具有極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)的接枝聚合物可以是由具有上述官能團(tuán)的單個(gè)單體構(gòu)成的均聚物或者是兩種或多種這種單體的共聚物。此外，其他單體可以以不削弱本發(fā)明有利效果的數(shù)量添加到共聚物中。以下示出通過熱或酸從疏水性到親水性改變其極性的官能團(tuán)(A-l)的單體的具體實(shí)施例。SO3CKCH3CH3以下示出具有通過熱或酸從親水性到疏水性改變其極性的官能團(tuán)(A-2)的單體的具體實(shí)施例。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>光熱轉(zhuǎn)換材料如果施加到在基板上形成的聚合物層，用于通過上述表面接枝聚合實(shí)現(xiàn)極性轉(zhuǎn)換的能量是光能量例如IR激光，則優(yōu)選將用于實(shí)現(xiàn)光能轉(zhuǎn)換成熱能的光熱轉(zhuǎn)換材料添加到聚合物層、基板和中間層中的任一個(gè)中。可替換地，可將其添加到在聚合初始層和原材料之間分離形成的光熱轉(zhuǎn)換材料層中?？蓪⑷我环N化合物用作光熱轉(zhuǎn)換材料，只要其是吸收光如紫外線、可見光、紅外線或白光、并且將其轉(zhuǎn)換成熱的材料即可，且其實(shí)施例包括碳黑、碳精、染料、色素、酞花青、酞花青色素、金屬精細(xì)顆粒如鐵粉末、石墨粉末氧化鐵粉末、氧化鉛、氧化銀、氧化鉻、硫化鐵和硫化鉻等。特別優(yōu)選的是染料、酞花青和金屬精細(xì)顆粒，其在用于施加能量的紅外激光能量曝光波長(zhǎng)區(qū)域(760至1200nm)中具有最大吸收波長(zhǎng)。染料的實(shí)施例包括市場(chǎng)上可獲得的染料和文獻(xiàn)(例如，由SocietyofSyntheticOrganicChemistry編輯的于1970年在日本出版的《DyeHandbook》)中描述的公眾公知的染料。更具體地，染料的實(shí)施例包括染料如偶氮基染料、金屬復(fù)合鹽偶氮基染料、吡唑啉酮偶氮基染料、蒽醌染料、酞花青染料、陽碳染料、醌亞胺染料、次甲基染料、花青染料或者金屬硫醇鹽復(fù)合物。染料優(yōu)選實(shí)施例例如包括JP-A58-125246、59-202829、60-78787中描述的花青染料；日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(JP-A)No.58-273696、58-181690、58-194595等公開中描述的次甲基染料、在JP-ANo.58-112793、58-224793、59-48187、59-73996、60-52940No.60-63744等中描述的萘醌染料在JP-ANo.58-112792等中描述的squarylium染料；和GB專利No.434,875等中描述的花青染料。也優(yōu)選使用美國(guó)專利No.5，156,938中描述的近紅外吸收感光劑，而且，紅外吸收感光劑的優(yōu)選實(shí)施例包括在美國(guó)專利No.3，8S1，924中描述的芳基苯并(硫)吡喃洋鹽、日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(JP-A)No.57-142645(美國(guó)專禾UNo.4,327,169)中描述的三次甲基硫吡喃洋鹽、JP-ANo,58-181051、58-220143、59-41363、59-84248、59-84249、59146063和59-146061中描述的吡喃洋化合物、JP-ANo.59-216146中描述的花青染料、在美國(guó)專利No.4,283,475中描述的五甲炔花青硫吡喃洋鹽、JP-BNo.5-13514和5-19702中描述的吡喃洋化合物等。作為染料的另一優(yōu)選實(shí)施例，也提到了在美國(guó)專利No.4，756，993的說明書中描述的由分子式(I)或(II)表示的近紅外吸收染料。其特別優(yōu)選的實(shí)施例包括染料、花青染料、squarylium染料、吡喃洋染料和硫醇鎳復(fù)合物。可使用色素的實(shí)施例包括市場(chǎng)上可獲得的色素和在以下文獻(xiàn)中描述的色素《ColorIndex(C.I.)手冊(cè)》，"LatestPigmentsHandbook",1997年出版，由SocietyofPigmentTechnology出版，日本；《LatestAppliedTechnologyofPigment》，1986年出版，由CMC公開；和/或《PrintingInkTechnology》，1984年出版，由CMC公開。這種類型色素的實(shí)施例包括黑色素、黃色素、橘色素棕色素、紅色素、紫色素、藍(lán)色素、綠色素、熒光色素、金屬粉末色素和聚合物鍵合染料?？墒褂蒙氐木唧w實(shí)施例包括不溶的偶氮基色素、偶氮基色淀色素、濃縮偶氮基色素、螯合偶氮基色素、酞花青組合物色素、蒽醌化合物色素、二萘嵌苯化合物色素、perinone化合物色素、硫靛藍(lán)化合物色素、喹吖酮化合物色素、二惡嗪化合物色素、isoindolinone化合物色素、quinophthalone化合物色素、染色色淀色素、無機(jī)色素、碳黑等。在上述色素當(dāng)中，優(yōu)選使用炭黑。當(dāng)將光熱轉(zhuǎn)換材料用在本發(fā)明中時(shí)，考慮到光熱轉(zhuǎn)換材料包含層的感光性和強(qiáng)度，光熱轉(zhuǎn)換材料量相對(duì)于包括光熱轉(zhuǎn)換材料的層的總固體含量的比率優(yōu)選是0.01至50質(zhì)量％，和更加優(yōu)選為0.1至10質(zhì)量％。當(dāng)將染料用作光熱轉(zhuǎn)換材料時(shí)，染料量相對(duì)于包括染料的層的總固體兩的比率是0.5至10質(zhì)量％。當(dāng)將色素用作光熱轉(zhuǎn)換材料時(shí)，色素量相對(duì)于包括色素的層的總固體含量的優(yōu)選比率是3.1至10質(zhì)量％。酸產(chǎn)生材料為了當(dāng)接枝圖形形成于使用具有極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)的聚合物的圖形形成材料表面上時(shí)施加用于極性轉(zhuǎn)換的酸，優(yōu)選將酸產(chǎn)生材料添加到圖形形成材料的任一種構(gòu)造中。將酸產(chǎn)生材料添加至其的構(gòu)造實(shí)施例包括圖形形成層、中間層和原材料。酸產(chǎn)生材料是通過熱或光產(chǎn)生酸的化合物，其實(shí)施例通常包括光陽離子聚合的光引發(fā)劑、光原子團(tuán)聚合的光引發(fā)劑、染料光脫色劑、光變色劑、光學(xué)產(chǎn)生在如微抗蝕劑的應(yīng)用中使用的酸的常規(guī)公知化合物、及其混合物等等。適合于選自這些材料的材料能用于本發(fā)明。其具體實(shí)施例包括T.S.Bal等人的S.I.Schulesinger,《Photogr.Sci.Eng.》，18,387(1974)中描述的二氨鹽，聚合物，21，423(1980)等；JP-ANo.3-140140等中描述的胺鹽；美國(guó)專利Mo4，069,055等中描述的磷鹽；JP-ANo.2-150848和2296514等中描述碘鹽；J.V.Crivello等人的《PolymerJ.》17，73(1985)、美國(guó)專利No3，902，114、歐洲專利No.233,567、297,443和297,442、美國(guó)專利No.4，933,377、4，491，377、4，491，628、5,041,358、4，760，013、4，734，444和2，8827、德國(guó)專利No.2，904，626、3，604，580和3,604,581等中描述的巰鹽。J.V.Crivello等人的《Macromolecules》，10(6)，1307(1977)等中描述的硒鹽；C.S.When等人的Teh，，Proc，Conf，Rad，CuringASIA第478頁、Tokyo10月(1988)等中描述的包括砷鹽的鎗鹽；JP-ANo.63-298339等中描述的有機(jī)鹵素化合物；JP-ANo.2-161445等中描述的有機(jī)金屬/有機(jī)鹵化物；S.Hayase等人在《J.PolymerSci.》，25,753(1987)、JP-ANo.60-198538和53-133022等中描述的具有o-硝基芐基保護(hù)基團(tuán)；在JP-ANo.64-18143、2-245756和3-140109等中描述的由亞氨基磺酸鹽等表示的光分解產(chǎn)生硫酸的化合物；和在JP-ANo.6-166544等中描述的二磺基化合物。根據(jù)含有酸產(chǎn)生材料的層的敏感性和強(qiáng)度的觀點(diǎn)，相對(duì)于包含酸產(chǎn)生材料的層中的總固體物質(zhì)，這些酸產(chǎn)生材料的量在O.Ol至50質(zhì)量％的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.1至30質(zhì)量％的范圍內(nèi)。通過光改變其極性的官能團(tuán)(B)在改變其極性的官能團(tuán)的很多實(shí)施例當(dāng)中，存在通過具有700nm或更少波長(zhǎng)的光的輻射改變極性的一些基團(tuán)。通過光改變其極性的這種官能團(tuán)(B)(極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)對(duì)700nm或更少波長(zhǎng)光敏感的極性轉(zhuǎn)換基團(tuán))特征在于，通過引起分解、環(huán)形開口或者不通過熱或較長(zhǎng)波長(zhǎng)光如紅外射線的輻射而是通過一定波長(zhǎng)光的照射進(jìn)行二聚反應(yīng)來改變具有高敏感性的極性。以下，將描述通過700nm或更小波長(zhǎng)光的照射改變極性的官能團(tuán)。通過光改變其極性的官能團(tuán)(B)也被分成兩組，從疏水性到親水性改變其極性的官能團(tuán)(B-l)和從親水性到疏水性改變其極性的官能團(tuán)(B-2)。從疏水性到親水性改變其極性的官能團(tuán)(B-l)從疏水性到親水性改變其極性的官能團(tuán)(B-l)的實(shí)施例包括在JP-ANo,2003-222972中描述的通過通式(1)至(4)和(7)至(9)表示的官能團(tuán)。從親水性到疏水性改變其極性的官能團(tuán)(B-2)從親水性到疏水性改變其極性的官能團(tuán)(B-2)的實(shí)施例包括bispyridinioethylene基團(tuán)。基板用在實(shí)施例(1)中的基板具有表面接枝層和基板表面，具有極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)的上述聚合物化合物終端直接或者通過主鏈聚合物化合物化學(xué)鍵合到該表面接枝層，聚合物化合物的終端直接或者通過主鏈聚合物化合物化學(xué)鍵合至該基板表面。如上所述，原材料表面具有這種特性，或者可替換地，具有這種特性的中間層形成于原材料表面上?；灞砻婊灞砻婵梢允菬o機(jī)或有機(jī)層，只要該表面具有適合于通過接枝合成形成如上所述的表面接枝層的特性即可。在該實(shí)施例中，基板表面的極性無關(guān)緊要，并且可以是親水性或是疏水性的，這是由于親水性和疏水性狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換通過具有聚合物化合物的薄圖形形成層來管理。在中間層中，尤其是當(dāng)本實(shí)施例的薄聚合物層通過光接枝聚合方法、等離子體照射接枝聚合方法、或者輻射接枝聚合方法制備時(shí)，該部門優(yōu)選是具有有機(jī)表面的層，并且尤其優(yōu)選是具有有機(jī)聚合物層的層。有機(jī)聚合物的實(shí)施例包括合成樹脂如環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、尿垸樹脂、酚醛樹脂、苯乙烯樹脂、乙烯基樹脂、聚酯樹脂、聚酰胺樹脂、三聚氰胺樹脂或形成樹脂；和天然樹脂如凝膠、酪蛋白、纖維素、或淀粉。由于在光接枝聚合方法、等離子體照射接枝聚合方法、輻射接枝聚合等方法中，接枝聚合以從有機(jī)聚合物提取氫開始，因此根據(jù)產(chǎn)量的觀點(diǎn)，特別優(yōu)選使用對(duì)氫提取非常容易損壞的聚合物如丙烯酸樹脂、尿烷樹脂、苯乙烯樹脂、乙烯基樹脂、聚酯樹脂、聚酰胺樹脂或環(huán)氧樹脂。中間層可以是進(jìn)一步起到以下描述的原材料作用的層或者是根據(jù)需要在原材料上形成的層。在該實(shí)施例中，為了當(dāng)基板由樹脂膜等形成時(shí)，使得基板表面不均勻度為500nm或更小，優(yōu)選調(diào)整原材料(即為基板)的表面不均勻度為500nm或更小。為了當(dāng)基板通過提供中間層至源材料表面形成時(shí)使得基板表面不均勻度為500nm或更小，優(yōu)選調(diào)整中間層表面為500nm或更小。為了使得基板表面不均勻度為500nm或更小，優(yōu)先選擇在表面平滑度方面優(yōu)良的樹脂原材料，和當(dāng)形成中間層時(shí)形成厚度均勻度優(yōu)良的中間層。具有聚合初始特性的層在實(shí)施例(1)中，根據(jù)有效產(chǎn)生活性位置和改善圖形形成敏感度的目的，優(yōu)選形成能夠顯示出聚合初始特性的層作為中間層，或通過添加作為通過施加能量能顯示出聚合初始特性的化合物的可聚合化合物或聚合引發(fā)劑至原材料表面形成基板表面。顯示出聚合初始特性的層(以下，適當(dāng)?shù)胤Q作"可聚合層")能通過將必要的成分溶解到能溶解這些成分的溶劑中、在原材料表面上通過涂敷等形成層、和通過加熱或光照射硬化該層來形成。用在可聚合層中的可聚合化合物不特別限制，只要其牢固地粘附到基板并結(jié)合到在終端和/或其側(cè)鏈上具有可聚合基團(tuán)的親水性化合物、并且通過施加能量如活性光照射包含在上部層中即可，且在很多這種成分當(dāng)中，在其分子中具有可聚合基團(tuán)的疏水性聚合物是優(yōu)選的。疏水性聚合物的具體實(shí)施例包括二烯均聚物如聚丁二烯、聚異戊二烯或聚戊二烯，和含有烯丙基單體基團(tuán)的均聚物如聚丙基(甲基)丙烯酸酯或者2-烯丙基乙氧基甲基丙烯酸鹽；苯乙烯、(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯腈等中的兩種或多種組分的共聚物，以及含有二烯系單體如丁二烯、異戊間二烯或戊二烯或含有烯丙基的單體的構(gòu)成單元；在其分子中具有碳碳雙鍵的線性聚合物或三種成分的聚合物如不飽合聚酯、不飽合聚環(huán)氧化合物、不飽合聚酰胺、不飽合聚丙烯或高密度聚乙烯；等等。在說明書中，表示"丙烯和2甲基丙烯?；?基團(tuán)二者或其中之一的基團(tuán)被稱作"(甲基)丙烯"基團(tuán)。關(guān)于可聚合層中固體物質(zhì)，可聚合化合物量?jī)?yōu)選在O到100質(zhì)量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在10到80質(zhì)量％范圍內(nèi)。(b)聚合引發(fā)劑實(shí)施例(1)中的可聚合層優(yōu)選含有通過施加能量具有聚合初始特性的聚合引發(fā)劑。用在本發(fā)明終端聚合引發(fā)劑能從常規(guī)公知的通過根據(jù)目的施加一定能量如活性光照射、加熱、照射電子束等顯示出聚合初始特性的熱聚合引發(fā)劑、光聚合引發(fā)劑等中適當(dāng)?shù)剡x擇。在這些聚合引發(fā)劑當(dāng)中，由于光聚合在反應(yīng)速度(聚合速度)方面比熱聚合的高，因此考慮到產(chǎn)量，使用光聚合引發(fā)劑是優(yōu)選的?？捎迷谠搶?shí)施例中的光聚合引發(fā)劑不特別限制，只要其能夠通過照射活性光激活并且能聚合包含在可聚合層中的可聚合化合物和在終端或者其側(cè)鏈上具有可聚合基團(tuán)的親水性化合物、并且包含在上部層中即可，其實(shí)施例包括原子團(tuán)聚合引發(fā)劑、陰離子聚合引發(fā)劑、陽離子聚合引發(fā)劑等。光聚合引發(fā)劑的具體實(shí)施例包括苯乙酮如p-三元醇丁基三氯苯乙酮，2，2'二密乙酰、或2羥基2甲基l-酮；酮如苯酰酮、4，4'二次二甲基胺苯酰酮、2氯噻噸銅、2甲基噻噸酮、2乙垸基噻噸酮或2異丙基噻噸酮；苯偶姻酯如苯偶姻、苯偶姻甲基酯、苯偶姻異丙基酯或者苯偶姻異丁基酯；苯甲基酮縮酮如苯甲基二甲基酮縮酮或羥基環(huán)已基苯基酮；等等。關(guān)于聚合層中固體物質(zhì)，聚合引發(fā)劑的量?jī)?yōu)選0.1到70質(zhì)量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在1到40質(zhì)量％的范圍內(nèi)。用于施加(涂敷)可聚合化合物和聚合引發(fā)劑的溶劑不特別限制，只要其溶解這些成分即可。根據(jù)便于干燥和可操作的觀點(diǎn)，溶劑優(yōu)選不具有過高的沸點(diǎn)，并且尤其，優(yōu)選沸點(diǎn)在約40到15(TC范圍內(nèi)的溶劑。其具體實(shí)施例包括丙酮、甲基乙垸基酮、環(huán)已垸、乙烷醋酸鹽、四氫呋喃、甲苯、乙烯乙二醇單甲基醚、乙烯乙二醇單乙烷醚、乙烯二乙醇二甲基醚、丙烯乙二醇單甲基醚、丙烯乙二醇單乙垸醚、乙酰丙酮、環(huán)已酮、甲醇、乙醇、1甲氧基2丙醇、3甲氧基丙醇、二乙烯乙二醇單甲基醚、二乙烯乙二醇單乙垸醚、二乙烯乙二醇二甲基醚、二乙烯乙二醇二乙醚、丙烯乙二醇氮甲基醚醋酸鹽、丙烯乙二醇單乙醚醋酸鹽、3甲氧基丙基醋酸鹽等。這些溶劑可單獨(dú)或組合使用。相對(duì)于涂敷溶液的總質(zhì)量，在涂敷溶液中適當(dāng)量的固體物質(zhì)在2到50質(zhì)量％的范圍內(nèi)。當(dāng)可聚合層形成于原材料上以形成基板時(shí)，考慮到顯示出足夠聚合初始特性并防止層剝離以便保持層特性，可聚合層涂敷量的量作為干燥質(zhì)量?jī)?yōu)選在0.1至20g/m2的范圍內(nèi)，且作為干燥質(zhì)量更優(yōu)選在1至15g/m2的范圍內(nèi)。如上所述，在基板表面上通過使用涂敷等施加用于可聚合層的組合物形成可聚合層，和去除容易以便將可聚合層形成為膜形式。優(yōu)選采用加熱和/或光照射用于硬化該層。尤其，優(yōu)選通過加熱和隨后通過光照射預(yù)硬化該層來干燥該層，這允許硬化可聚合化合物至一定程度，用于有效防止如完成親水性化合物接枝之后整個(gè)可聚合層剝離的問題。使用光照射用于硬化的原因與光聚合引發(fā)劑部分中描述的相似。溫度條件和加熱周期適當(dāng)?shù)剡x擇以使其足以去除涂敷的溶劑，和溫度優(yōu)選為IOO'C或更低，和干燥時(shí)間優(yōu)選為30分鐘或更少。更優(yōu)選地，根據(jù)產(chǎn)量的觀點(diǎn)，選擇加熱條件以使其干燥溫度在40至80'C的范圍內(nèi)，其干燥時(shí)間在IO分鐘或更短的范圍內(nèi)。以下描述的用在圖形形成中的光源也可用于在加熱如所需地升高之后進(jìn)行的光照射?？紤]到防止對(duì)隨后形成接枝圖形和通過施加能量在可聚合層上活性位置和接枝鏈之間形成鍵合的抑制，優(yōu)選進(jìn)行光照射至能進(jìn)行可聚合層中存在的可聚合化合物的原子團(tuán)聚合的程度，這不是完全聚合而是部分聚合。光照射的時(shí)間長(zhǎng)度可根據(jù)所使用的光源強(qiáng)度而變化，并且通常優(yōu)選為30分鐘或更少。用于預(yù)硬化的大致標(biāo)準(zhǔn)是其中在用溶劑沖洗之后剩余層的量為10%或更少和在預(yù)硬化之后剩余引發(fā)劑量為1%或更少的條件。原材料，本發(fā)明中使用的"基板"意味著聚合物能夠直接鍵合到其表面上的材料。當(dāng)中間層如聚合初始層被形成于材料如樹脂膜的表面上且聚合物被以圖形形式提供時(shí)，在此將材料如樹脂膜稱作"原材料"。用在本發(fā)明金屬圖形中并且構(gòu)成提供有具有上述特性表面的基板的原材料優(yōu)選為板狀材料，其具有表面不均勻度為500nm或更少的光滑表面和高的空間穩(wěn)定性。其實(shí)施例包括紙、疊層有塑料如聚乙烯、聚丙稀、聚苯乙烯等的紙、金屬板(如鋁、鋅、銅等)；塑料膜(如纖維素雙醋酸鹽、纖維素三醋酸酯、纖維素丙酸鹽、纖維素丁酸鹽、纖維素醋酸鹽、纖維素硝酸鹽、聚乙烯對(duì)鈦酸鹽、聚乙烯、聚苯乙烯、均丙烯、聚碳酸、聚乙烯基乙縮醛、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂等)；疊層或氣相沉積其上是上述金屬的塑料膜的紙；等等。聚酯或聚酰亞胺膜優(yōu)選作為基板，用在本發(fā)明的該實(shí)施例中。而且，當(dāng)印刷引線板通過使用本發(fā)明的金屬圖形作為導(dǎo)電層形成時(shí)，優(yōu)選使用絕緣樹脂作為基板。絕緣樹脂的實(shí)施例包括由化合物如聚苯醚、非飽和聚苯醚、氰酸鹽酯化合物或環(huán)氧樹脂化合物形成的樹脂。優(yōu)選使用由含有這些樹脂中至少一種的熱固性樹脂組合物形成的基板。當(dāng)這些樹脂中的至少兩種組合用于形成樹脂組合物時(shí)，樹脂組合的優(yōu)選實(shí)施例包括氰酸鹽酯化和物和聚苯醚和非飽和聚苯醚中的一種的組合物；環(huán)氧樹脂化合物和聚苯醚與非飽和聚苯醚中的一種的組合物；和氰酸鹽酯化合物、環(huán)氧樹脂化合物和聚苯醚與非飽和聚苯醚中的一種的組合物。當(dāng)多層印刷引線板通過使用熱固性樹脂化合物形成時(shí)，優(yōu)選使用不含有無機(jī)填料的熱固性樹脂化合物，該無機(jī)填料選自由硅石、云母、氫氧化鋁和氫氧化鎂構(gòu)成的組。此外，優(yōu)選使用進(jìn)一步含有溴化合物或磷化合物的熱固性樹脂化合物。用于形成印刷引線板的基板的絕緣樹脂的優(yōu)選實(shí)施例包括1，2-2(烯基苯撐)乙垸樹脂和由聚苯醚樹脂與1，2-2(烯基苯撐)乙垸樹脂形成的非飽和樹脂。該樹脂的進(jìn)一步細(xì)節(jié)將在由SatoruAmaba等人編輯的《JournalofAppliedPolymerScience》、第92巻第1252至1258(2004)頁中進(jìn)行了描述。其它絕緣層的優(yōu)選實(shí)施例包括液晶聚合物，其在市場(chǎng)上可獲得為"VECSTER"(商標(biāo)名，由Kuraray有限責(zé)任公司制造)和氟樹脂如聚三氟氯乙烯。在這些樹脂(聚合物材料)當(dāng)中，聚三氟氯乙烯(PTFE)是在高頻特性方面非常卓越的材料。然而，PTFE是一種具有低應(yīng)力(Tg)的熱塑性樹脂，并且對(duì)于熱具有差的空間穩(wěn)定性。PTFE在機(jī)械強(qiáng)度上比熱固性樹脂材料差。而且，PTFE具有可形成性可可操作性差的問題。熱塑性樹脂如聚苯撐醚(PPE)能通過與熱固性樹脂等熔合起來使用,。熔合物的實(shí)施例包括PPE和環(huán)氧樹脂的熔合樹脂；PPE和triallylisocyanate的熔合樹脂；和具有引入到其中的可聚合官能團(tuán)的PPE樹脂和其他熱固性樹脂的熔合樹脂。未改進(jìn)的環(huán)氧樹脂顯示出不足的介電特性。然而，通過引入大的構(gòu)架等預(yù)期環(huán)氧樹脂特性的改進(jìn)。以這種方式，其中很大程度上使用其各自特性的樹脂、和結(jié)構(gòu)引入、不飽和等用于補(bǔ)償其缺陷的樹脂是優(yōu)選的。例如，盡管在熱固性樹脂當(dāng)中，氰酸鹽酯是具有最卓越介電特性的材料，但是其幾乎不單獨(dú)使用，而是用作環(huán)氧樹脂、順丁烯二酰亞胺或熱塑性樹脂的非飽和樹脂。對(duì)于進(jìn)一步的細(xì)節(jié)，見《Electronictechnology》No.9第35頁(2002)，能參考其公開以如上所述地選擇絕緣樹脂。如上所述，當(dāng)金屬圖形用作印刷引線板的布線(導(dǎo)電層)時(shí)，根據(jù)告訴處理批量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的觀點(diǎn)，為了降低延遲并抑制信號(hào)，降低介電常數(shù)和介電損耗正切中每一個(gè)是有效的。使用低介電損耗正切材料就如《ElectronicsPackagingInstitutionalJournal》第7巻No.5第397頁(2004)中描述那樣。根據(jù)告訴的數(shù)據(jù)處理觀點(diǎn)，使用具有低介電損耗正切特性的絕緣材料特別優(yōu)選。更加具體地，優(yōu)選基板由介電常數(shù)、即相對(duì)介電常數(shù)在1GHz下為3.0或更小的絕緣樹脂形成，更優(yōu)選基板由介電常數(shù)在1GHz下為0.01或更小的絕緣樹脂形成。絕緣樹脂的介電常數(shù)和節(jié)點(diǎn)損耗正切通過常規(guī)方法確定，該方法例如是在2004年第18屆JIEPAnnual會(huì)議摘要第189頁中描述的方法，其中使用了利用測(cè)量裝置和系統(tǒng)er和tanS用于由Keycon有線公司制造的超薄片的空腔振蕩器擾動(dòng)方法。由此，這對(duì)于在介電常數(shù)和介電損耗正切的光中選擇絕緣樹脂是有用的。具有3.5或更少介電常數(shù)和0.01或更少介電損耗正切的絕緣樹脂的實(shí)施例包括液晶樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚異密數(shù)值和氰酸鹽酯樹脂、二(二苯撐)乙烷樹脂等，并且進(jìn)一步包括其改良樹脂。形成圖形(圖像)在實(shí)施例(1)中，通過照射輻射線如光來形成圖形。當(dāng)在存在光熱轉(zhuǎn)換材料的情況下進(jìn)行光照射時(shí)，圖形可通過經(jīng)由具有紅外射線區(qū)域等的波長(zhǎng)的激光束的掃描曝光進(jìn)行加熱來形成。用于形成圖形的方法實(shí)施例包括這樣的方法，其包括通過加熱或輻射線照射的寫入包括對(duì)光的曝光。其具體實(shí)施例包括使用紅外激光、紫外燈、可見光等的光照射，電子束照射如y射線照射、通過熱頭的熱寫入等。用于其的光源實(shí)施例包括水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學(xué)燈、碳弧燈等。輻射的實(shí)施例包括電子束、X-射線、離子束、遠(yuǎn)紅外線等。此外，可使用g-射線、i-射線、深UV射線和高密度能量束(激光束)。通常使用的實(shí)施例的具體實(shí)施例包括通過熱記錄頭等直接寫入；通過紅外激光的掃描曝光；通過氤放電燈等的高亮度快閃曝光；紅外線燈曝光等等?？商鎿Q地，在聚合物層通過使用對(duì)波長(zhǎng)700nm或更小的波長(zhǎng)下的光敏干的極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)獲得的情況下，任一種光照射方法都能使用，只要其在圖形形成層中引起極性轉(zhuǎn)換即可，即，其可以通過分解、打開或取代極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)來改變極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)的親水性/疏水性。例如，可通過紫外燈或可見光等獲得光照射。這些光源的實(shí)施例包括水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學(xué)燈、碳弧燈等。優(yōu)選使用引入極性轉(zhuǎn)換的方法，用于通過激光曝光基于計(jì)算機(jī)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)直接圖形化。激光的實(shí)施例包括氣體激光如碳酸氣體激光、Ar激光、He/Cd激光或Kr激光；固體狀態(tài)激光如液體(染料)激光、紅寶石激光或者Nd/YAG激光；半導(dǎo)體激光如GaAs/GaAlAs或InGaAs激光；準(zhǔn)分子激光如KrF激光、XeCl激光、XeF激光或者Ar2激光；等等。實(shí)施例(2)在實(shí)施例(2)中，接枝圖形通過使得具有可聚合基團(tuán)和與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團(tuán)的化合物與基板接觸并之后以圖形方式照射輻射射線來形成。在以下的描述中，"與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團(tuán)"可稱作"相互反應(yīng)的基團(tuán)"，和具有可聚合基團(tuán)和相互反應(yīng)基團(tuán)的化合物被稱作"含有可聚合組合物的相互反應(yīng)基團(tuán)"。通過表面接枝形成接枝圖形在實(shí)施例(2)中，通過使得含有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物與基板接觸并以圖形形式施加能量，可以在含有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物的可聚合物基團(tuán)和基板之間形成化學(xué)鍵，和形成與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的在耐久性方面優(yōu)良的堅(jiān)硬區(qū)(以下，需要的話可簡(jiǎn)單地將其稱作"相互反應(yīng)區(qū)")。這種類型鍵合的形成稱作"表面接枝"。根據(jù)實(shí)施例(2)的表面接枝幾乎與上面實(shí)施例(1)中描述的表面接枝聚合相似。雖然將被接枝的聚合物化合物具有實(shí)施例(1)中的極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)，但是該實(shí)施例中含有具有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物的合成物直接欸與基板表面接觸，以使該合成物鍵合到在基板表面上產(chǎn)生的活性種類。合成物與活性種類的接觸可通過將基板浸入到含有具有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物的液體合成物中來實(shí)施?？商鎿Q地，考慮到便于處理和制造的有效性，優(yōu)選通過如下所述的涂敷方法提供含有合成物的層至基板表面，該合成物含有具有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物作為主要成分。與實(shí)施例(2)相關(guān)的表面接枝能以與在實(shí)施例(1)中說明的表面接枝相同的方式形成。含有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物在該實(shí)施例中使用的含有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物是這樣一種聚合物，其中可加聚烯未飽和基團(tuán)(可聚合基團(tuán))如乙烯基基團(tuán)、烯丙基基團(tuán)或(甲基)丙烯基團(tuán)作為可聚合基團(tuán)被引入到具有以下描述的相互反應(yīng)基團(tuán)的單體或者通過使用選自這種單體的至少一個(gè)基團(tuán)的均聚物或共聚物。聚合物在終端或其側(cè)鏈的至少一個(gè)上具有可聚化基團(tuán)，和更優(yōu)選聚合物在終端和其側(cè)鏈上具有可聚合基團(tuán)。含有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚化合物能如下合成。合成含有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物的實(shí)施例包括合成方法的實(shí)施例包括i)其中具有相互反應(yīng)基團(tuán)的單體和具有可聚合基團(tuán)的單體被共聚的方法，ii)其中具有相互反應(yīng)基團(tuán)的單體和具有雙鍵前體的單體共聚并之后用原材料等處理以引入雙鍵的方法，和iii)其中具有相互反應(yīng)基團(tuán)的單體和具有可聚合基團(tuán)的單體相互反應(yīng)以由此引入雙鍵(可聚合基團(tuán))的方法。在這些方法當(dāng)中，在合成能力方面優(yōu)選使用其中具有相互反應(yīng)基團(tuán)的單體和具有雙鍵前體的單體共聚并之后用云材料處理以引入雙鍵的方法ii)和其中具有相互反應(yīng)基團(tuán)的單體和具有可聚合基團(tuán)的單體相互反應(yīng)以由此引入可聚合基團(tuán)的方法iii)。用于合成包括相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物的單體的具體實(shí)施例包括(間)丙烯酸、堿性金屬鹽和其銨鹽、甲叉丁二酸、堿性金屬鹽和其銨鹽、2-羥乙基(間)丙烯酸酯、(間)丙烯酰胺、N-單羥甲基(間)丙烯酰胺、N-二羥甲基(間)丙烯酰胺、芳基胺或其鹵化氫酸鹽、3-乙烯基丙酸、堿性金屬鹽和其銨鹽、乙烯基硫酸、堿性金屬鹽及其銨鹽、2-硫乙基(間)丙烯酸酯、polyoxyethyleneglycolmono(meta)acrylate、2-丙烯酰胺-2-甲基丙烷硫酸、acidphosphooxypolyoxyethyleneglycolmono(meta)acrylate、和N-乙烯基吡咯垸酮(具有以下結(jié)構(gòu))。總之，具有如羧基基團(tuán)、硫酸基團(tuán)、磷酸基團(tuán)、銨基團(tuán)、氫氧基團(tuán)、酰胺集團(tuán)、磷化氫基團(tuán)、吡啶基團(tuán)或醚基團(tuán)的官能團(tuán)的單體(或者當(dāng)由此形成鹽結(jié)構(gòu)時(shí)為其鹽)被稱作實(shí)施例含有能夠與相互反應(yīng)基團(tuán)共聚的烯丙基基團(tuán)的單體實(shí)施例包括烯丙基(間)丙烯酸酯、2-烯丙基乙氧基甲基丙烯酸酯等。具有雙鍵前體的單體實(shí)施例包括2-(3-chloro-1-oxopropoxy)ethylmethacrylate和2-(3-bromo-1-oxopropoxy)ethylmethacrylate。具有可聚合基團(tuán)的單體實(shí)施例，其用于利用與具有相互反應(yīng)基團(tuán)的聚合物中的官能團(tuán)如.羧基或氨基或其鹽、羥基基團(tuán)、環(huán)氧樹脂基團(tuán)等的反應(yīng)引入非飽和基團(tuán)，其包括(間)丙烯酸、縮水甘油基(間)丙烯酸酯、烯丙基縮水甘油酯、2-isocyanatether(meta)acrylate等。含有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物的實(shí)施例進(jìn)一步包括微單體。產(chǎn)生用在該實(shí)施例中的微單體的方法例如包括由IndustrialPublishing&Consulting，Inc1989年9月20日公開的在《ChemistryandIndustryofMacromonomers》(Ed.YuyaYamashita)第二部分的"SynthesisiofMacromonomers，，中描述的從含有羧基團(tuán)如丙烯酸或甲基丙烯酸派生出的微單體；從單體如2-丙烯酰胺-2-methylpropanesulfonicacid、磺化乙烯基苯乙烯酸或其鹽派生出的硫酸基微單體；從氮體如(甲基)丙烯酰胺、N-乙烯乙酰胺、N-乙烯基甲酰胺、N-乙烯羧酸酰胺派生出的酰胺基大單體、從含有羥基的單體如羥乙基甲基丙烯酸酯、羥乙基丙烯酸酯或者丙三醇單甲基丙烯酸酯派生出的大單體；從含有烷氧基或乙撐氧基的單體如甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基聚乙烯乙二醇丙烯酸酯或聚乙烯乙二醇丙烯酸酯派生出的大單體；等等。此外，具有聚乙烯乙二醇鏈或聚丙烯乙二醇鏈的大單體也可有效地用作在該實(shí)施例中使用的大單體。這些微單體的分子量?jī)?yōu)選在250至100000的范圍內(nèi)且特別優(yōu)選在400至ij30000的范圍內(nèi)。用于含有具有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物的合成物的溶劑不特別限制，只要其能溶解其主要成分即可，即，微單體、單體等。該溶劑的優(yōu)選實(shí)施例包括水基溶劑如水、水溶性溶劑、其混合物或者進(jìn)一步含有表面活性劑的那些。"水溶性溶劑"是能夠與水以任意比率混合的溶劑，和其實(shí)施例包括酒精性溶劑如甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、丙三醇等；酸如醋酸；酮溶劑如丙酮；銨溶劑如甲酰胺；等等?？筛鶕?jù)需要被添加到溶劑中的表面活性劑不特別限制，只要其可溶于溶劑即可，其實(shí)施例包括陰離子表面活性劑如鈉n-十二烷基苯磺酸鈉鹽；陽離子表面活性劑如n-dodecyltrimethylammoniumchloride;非離子式的表面活性劑如聚氧化乙烯壬基酚酯(市場(chǎng)上的產(chǎn)品實(shí)施例包括EMYLGEN910(商品名，由花王公司制造))、聚氧化乙烯山梨聚糖單月桂酸(其市場(chǎng)上的產(chǎn)品實(shí)施例包括"TWEEN20");和聚氧化乙烯月桂酰；等等。當(dāng)合成物是液態(tài)時(shí)，合成物以任意方式直接與基板接觸?；趯拥墓腆w含量，通過涂敷含有相互反應(yīng)基團(tuán)的合成物形成的層的涂敷量?jī)?yōu)選在0.1至10g/m2的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.5至5g/m2的范圍內(nèi)，以獲得均勻涂敷膜，并足以與電鍍催化劑或其前體進(jìn)行相互反應(yīng)。基板用在實(shí)施例(2)中的基板是具有含有相互反應(yīng)基團(tuán)的上述可聚合化合物的終端或側(cè)鏈直接或通過主鏈聚合化合物化學(xué)鍵合至其的表面的基板。原材料可具有其原有特性，可替換地，具有該特性的中間層可形成于源材料上以形成基板。而且，具有初始聚合特性的另外層可以以與實(shí)施例(1)相似的方式形成。在實(shí)施例(2)中，使用具有不均勻度為500nm或更少的基板也是優(yōu)選的。形成圖形(圖像)在實(shí)施例(2)的圖形形成中使用的賦予能量的方法不特別限制，和可使用任一種方法，只要其能夠在基板表面上產(chǎn)生活性位置，并將足以將含有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物的聚合基團(tuán)結(jié)合到基板表面上即可。優(yōu)先根據(jù)成本和簡(jiǎn)化器件的觀點(diǎn)選擇照射活性光的方法。如果采取活性光照射，則可使用基于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的掃描曝光或者通過使用光刻膜的圖形曝光。在上面實(shí)施例1中描述的各種寫入方法中的任一種也可優(yōu)選用作該實(shí)施例中圖形寫入的方法。通過如上所述的能量施加，具有遷移率較高的接枝鏈的接枝圖形可通過具有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物和在基板表面上產(chǎn)生的活性位置的聚合來形成。在優(yōu)選實(shí)施例中，使用在終端或側(cè)鏈上具有可聚合基團(tuán)的含有相互反應(yīng)基團(tuán)的可聚合化合物能附加地將接枝鏈結(jié)合到在鍵合到基板上的接枝鏈側(cè)鏈上的可聚合基團(tuán)，提供分枝接枝鏈結(jié)構(gòu)，并因此導(dǎo)致所形成接枝的密度和遷移率的急劇改善，并導(dǎo)致與無電鍍催化劑或其前體更高的相互反應(yīng)。(b)將無電鍍催化劑或其前體施加到接枝圖形無電鍍催化劑在本工藝中使用的無電鍍催化劑主要是零價(jià)金屬，其實(shí)施例包括Pb、Ag、Cu、Ni、Al、Fe、Co等。本發(fā)明中，在便于管理和催化能力優(yōu)良，優(yōu)選Pb和Ag。用于固定零價(jià)金屬至接枝圖形(相互反應(yīng)區(qū)域)上的方法通常使用其中調(diào)整電荷的金屬膠體。金屬膠體能通過降低溶液中的金屬離子來制造，該溶液中存在帶電荷的表面活性劑或帶電荷的保護(hù)劑。金屬膠體的電荷能通過所使用的表面活性及或保護(hù)劑來調(diào)整。當(dāng)使得其中電荷由此被調(diào)整的金屬膠體與接枝圖形上的相互反應(yīng)基團(tuán)相反應(yīng)，金屬膠體能被選擇性地吸收到接枝圖形上。無電鍍催化劑的前體作為在該工藝中使用的無電鍍催化劑的前體，可不限制地使用任何物質(zhì)，只要通過化學(xué)反應(yīng)該物質(zhì)能用作無電鍍催化劑即可，主要使用在無電鍍催化劑中使用的零價(jià)金屬離子。為無電鍍催化劑前體的金屬離子通過還原反應(yīng)導(dǎo)致用作無電鍍催化劑的零價(jià)金屬。該金屬離子能通過另一種還原反應(yīng)被改變?yōu)榱銉r(jià)金屬，或者由于無電鍍催化劑前體由此通過在無電鍍槽中的還原劑改變?yōu)榻饘?，其被蘸到無電鍍槽中。為無電鍍催化劑前體的金屬離子事實(shí)上被施加到金屬鹽狀態(tài)的接枝圖形。作為所使用的金屬鹽，可采用任何物質(zhì)而不作限制，只要該物質(zhì)能被溶解到適當(dāng)?shù)娜軇┲?，或者被分解到金屬離子和原材料(陰離子)中。金屬鹽具體實(shí)施例包括M(N03)n、MCln、Mn/2(S04)、M3/n(P04)(其中M表示n價(jià)金屬原子)等。適當(dāng)使用的金屬離子的實(shí)施例包括通過分解金屬鹽形成的金屬離子。金屬離子的具體實(shí)施例包括銀離子、銅離子、鋁離子、鎳離子、鈷離子、鐵離子、鈀離子等。在催化能力方面優(yōu)先使用銀離子和鈀離子。用于施加金屬膠體作為無電鍍催化劑或者施加金屬鹽作為無電鍍前體到接枝圖形上的方法實(shí)施例包括這樣一種方法，其包括將金屬膠體分散到適當(dāng)分散介質(zhì)中，或金屬鹽被溶解到適當(dāng)溶劑中，以制備包括分解金屬離子的溶液，和在其上存在接枝圖形的原材料表面上擴(kuò)散該溶液，也是這樣一種方法，其包括蘸取在溶液中具有接枝圖形的原材料。當(dāng)使得包括金屬離子的溶液與原材料接觸時(shí)，金屬離子能通過利用內(nèi)部離子相互反應(yīng)或偶極離子相互反應(yīng)在圖形區(qū)域上被吸收到相互反應(yīng)基團(tuán)。為了足以進(jìn)行吸收和浸漬，金屬離子的濃度或使其接觸的溶液中的金屬鹽濃度優(yōu)選在1至50質(zhì)量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在1至30質(zhì)量％的范圍內(nèi)。接觸所需的時(shí)間長(zhǎng)度優(yōu)選接近一分鐘至24小時(shí)，和更優(yōu)選地接近五分鐘至一小時(shí)。(c)通過無電鍍形成金屬膜在本發(fā)明所提供的方法中，通過在由工藝(c)獲得的基板上的無電鍍形成圖形化金屬膜。該工藝中，在存在表面電荷改進(jìn)劑(第一方面)的情況下進(jìn)行或者在含有指定量電鍍催化抑制劑無電鍍槽中(第二方面)進(jìn)行無電鍍，以形成具有足夠厚度的高精細(xì)圖形金屬膜。關(guān)于無電鍍處理，例如，J.W.M.Jacobs和J.M.G.Rikken,《J.Electrochem.Soc.》，135,2822(1988)和A.M.T.vanderPutten，G.de.Bakker等人的《J.Electrochem.Soc.》，140，2229(1993)公開了用于形成薄各向異性電鍍膜的技術(shù)，其包括僅在所需方向上電鍍膜。這些文獻(xiàn)建議可以在無電鍍中控制金屬膜形狀。然而，與本發(fā)明相比，這些文獻(xiàn)沒有公開也沒有建議其可應(yīng)用性，以形成精細(xì)圖形或引線等，或者公開或建議其使用性。包括JP-ANo.2003-49280的大量公開文獻(xiàn)公開了具有類比于本發(fā)明中使用的表面電荷改進(jìn)劑的結(jié)構(gòu)的表面活性劑被添加到無電鍍?nèi)芤褐校员惴€(wěn)定電鍍槽。然而，本發(fā)明人首先發(fā)現(xiàn)各向異性生長(zhǎng)能用于形成圖形化金屬膜，與本發(fā)明中相同，和僅當(dāng)各向異性生長(zhǎng)技術(shù)用在與以下技術(shù)組合時(shí)能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果，該技術(shù)包括以圖形化形式提供具有能夠與無電鍍催化劑或其前體相互反應(yīng)并且直接或化學(xué)地鍵合到基板的官能團(tuán)的聚合物。還公知的是，電鍍槽能通過將電鍍催化抑制劑添加到無電鍍?nèi)芤簛矸€(wěn)定，與本發(fā)明相似，例如在JP-ANo.09-287078中描述的那樣。然而，本發(fā)明人首先發(fā)現(xiàn)電鍍催化抑制劑能用于形成圖形化金屬膜，如在此所公開的，和僅當(dāng)電鍍催化抑制劑用在與以下技術(shù)的組合中時(shí)能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果，該技術(shù)以圖形化形式提供了具有能夠與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)并且直接和化學(xué)地鍵合到基板的官能團(tuán)的聚合物。允許表面電荷改進(jìn)劑在無電鍍工藝中的任意步驟中起作用。表面電荷改進(jìn)劑可被添加到無電鍍槽的溶液中，用于無電鍍處理，或者基板表面在無電鍍工藝之前通過表面電荷改進(jìn)劑來制備。具體地，前一種方式對(duì)應(yīng)于使用無電鍍?nèi)芤阂詧D形方式通過對(duì)具有聚合物層的基板進(jìn)行無電鍍形成金屬膜的工藝(c-i),后一方式對(duì)應(yīng)于用含有表面電荷改進(jìn)劑的草處理具有聚合物層的基板的工藝(c-2)和對(duì)具有聚合物層的基板進(jìn)行無電鍍以便以圖形方式形成金屬膜的工藝(c-3)。表面電荷改進(jìn)劑優(yōu)選在其分子中具有以下基團(tuán)的有機(jī)化合物(i)對(duì)基板具有親合力的基團(tuán)，和(ii)離子離去基團(tuán)。如果在存在該表面改進(jìn)劑的情況下進(jìn)行無電鍍，則具有高密度和足夠厚度并且與通過上述工藝獲得的接枝圖形相符和的金屬膜被形成于圖形上。結(jié)果，所形成的金屬圖形具有高導(dǎo)電性和高粘附性。在無電鍍工藝中，任一種方法都可用于將電鍍催化抑制劑添加到電鍍槽中。在開始電鍍之前或者在開始電鍍之后，可將具體量催化抑制劑添加到無電鍍?nèi)芤?。可替換地，電鍍催化抑制劑可以以一定時(shí)間間隔添加，以使無電鍍槽的溶液中電鍍催化抑制劑濃度保持在具體范圍內(nèi)，或者如所需地添加以使其濃度保持在具體范圍內(nèi)，同時(shí)測(cè)量該濃度。通常，工藝(c-r)可包括使用含有1x10"g至lxi(T4nmol/l電鍍催化抑制劑的無電鍍?nèi)芤簩?duì)聚合層承載基板進(jìn)行無電鍍，以形成圖形化金屬膜，且工藝(c-2')包括對(duì)聚合物層承載基板進(jìn)行無電鍍以形成圖形化金屬膜，同時(shí)將電鍍催化抑制劑添加到無電鍍?nèi)芤?，以使電鍍催化抑制劑的濃度保持在lxl(T1Q至lxl(T4nmol/l的范圍內(nèi)。以下，將詳細(xì)描述每個(gè)工藝。使用含有(c-l)表面電荷改進(jìn)劑或(c-2)lxl(T"至"l(T4nmol/l電鍍催化抑制劑的無電鍍?nèi)芤阂詧D形形式通過對(duì)具有聚合物層的基板進(jìn)行無電鍍形成金屬膜無電鍍無電鍍是在化學(xué)反應(yīng)中通過使用將被沉積的含有金屬離子的溶液來沉積金屬的工藝，和金屬沉積導(dǎo)致導(dǎo)電性的增加。例如通過去除在具有圖形形式無電鍍催化劑的經(jīng)由用水沖洗和將其浸入到含有表面電荷改進(jìn)劑或電鍍催化抑制劑的無電鍍槽中在工藝(b)中獲得的基板上的多余金屬和金屬鹽來進(jìn)行該工藝中的無電鍍。本領(lǐng)域中一般公知的任一種無電鍍槽可用作除了表面改進(jìn)劑和電鍍催化抑制劑之外的無電鍍槽部件。用于通過使用位于被吸收或被浸入的接枝圖形上的無電鍍催化劑前體形成金屬膜的無電鍍?nèi)芤?槽)也能采用任一種本領(lǐng)域中通常公知的無電鍍槽。一般，無電鍍槽具有含有(1)電鍍金屬離子、(2)還原劑和(3)用于穩(wěn)定作為主要成分的金屬離子的添加劑(穩(wěn)定劑)的合成物。該實(shí)施例中，無電鍍槽進(jìn)一步含有(4)上述的表面電荷改進(jìn)劑或電鍍催化抑制劑。除了這些之外，電鍍槽可進(jìn)一步含有任一常規(guī)公知的添加劑如電鍍?nèi)芤旱鹊姆€(wěn)定劑。用在無電鍍槽中的金屬包括銅、錫、鉛、鎳、金、鈀和銠，且這些當(dāng)中，根據(jù)導(dǎo)電性的觀點(diǎn)特別優(yōu)選銅和金。用于無電鍍槽的可用在無電鍍?nèi)芤褐械慕饘倩衔锏膶?shí)施例包括硫酸鹽、鈉鹽、碳酸鹽、氧化物、氫氧化物等。在無電鍍?nèi)芤褐泻械慕饘倩衔锪吭?.1至5g/L的范圍內(nèi)，考慮到金屬量，其優(yōu)選在接近0.8至1.2g/L的范圍內(nèi)。當(dāng)金屬化合物的量低于0.1g/L，由于形成金屬膜變得不足且由此在以下的工藝中沉積電鍍變得不足，因此對(duì)于本發(fā)明這并不優(yōu)選。另一方面，當(dāng)金屬化合物的量超出5g/L時(shí)，由于不存在通過升高濃度獲得的附加效果，因此對(duì)于本發(fā)明這并不優(yōu)選。根據(jù)經(jīng)濟(jì)觀點(diǎn)，增加與濃度成比例的所需量復(fù)合劑是不利的，除了這些之外，對(duì)于溶液廢水處理的可應(yīng)用性差。最佳還原劑和添加劑可根據(jù)金屬選擇。例如，銅無電鍍槽含有Cu(S04)2作為銅鹽、HCOH作為還原劑和添加劑如EDTA(對(duì)于銅離子為穩(wěn)定劑)、Rochelle鹽(螯合劑)等。用于無電鍍CoNiP的電鍍?nèi)芤汉辛蛩徕捄土蛩徭囎鳛榻饘冫}、次磷酸鈉作為還原劑、和丙二酸鈉、蘋果酸鈉、琥珀酸鈉作為復(fù)合劑。而且，鈀無電鍍槽含有(Pd(NH3)4)Cl2作為金屬離子、NH3和H2NNH2作為還原劑和EDTA作為穩(wěn)定劑。這些電鍍?nèi)芤哼€含有除了上述成分之外的成分。具有還原特性并被添加到無電鍍?nèi)芤褐械奶堑木唧w實(shí)施例包括葡萄糖、右旋糖、山梨糖醇、纖維素、蔗糖、甘露醇和葡糖內(nèi)酯。糖含量可從約3到約50g/L，優(yōu)選從約10到約20g/L。小于約3g/L的糖含量不優(yōu)選，這是由于通過這種含量，形成無電鍍膜是不足的，從而使得下一工藝中電鍍的沉積性能差。多于50g/L的糖含量不優(yōu)選，這是由于通過這種含量，無電鍍?nèi)芤旱姆€(wěn)定性能降低，且能容易形成具有差外形的無電鍍膜。將添加到無電鍍?nèi)芤褐械膹?fù)合劑的實(shí)施例包括乙內(nèi)酰脲類、有機(jī)羧酸類、和有機(jī)氨基羧酸類。乙內(nèi)酰脲類的具體實(shí)施例包括乙內(nèi)酰脲、1甲基乙內(nèi)酰脲、1，3二甲基乙內(nèi)酰脲、5,5二甲基乙內(nèi)酰脲和尿囊素。有機(jī)羧酸類的具體實(shí)施例包括檸檬酸、酒石酸、琥珀酸和丙二酸、有機(jī)氨基羧酸類的具體實(shí)施例包括乙烯二氨基四醋酸、1，3-丙烷二氨基四醋酸、NTA、乙烯二氨基二琥珀酸、亞氨基二醋酸及其任一種鹽。單獨(dú)或者其兩種或多種組合使用絡(luò)合劑?；旌系綗o電鍍?nèi)芤褐械膹?fù)合劑量在約2至約50g/L的范圍內(nèi)，優(yōu)選在約10至約40g/L的范圍內(nèi)。少于2g/L的所混合復(fù)合劑的量不是優(yōu)選的，由于這種量能提供不足的負(fù)荷能量以及由此不足的銅溶度。多于50g/L的所混合復(fù)合劑的量不是優(yōu)選的，這是由于這種量盡管能提高銅溶度，但是在經(jīng)濟(jì)上是不利的，且會(huì)使廢水處理復(fù)雜化。還原劑實(shí)施例包括有機(jī)乙醛如福爾馬林或者乙醛酸、糖、還原酚如對(duì)苯二酚、次磷酸、氫硼化物和二胺硼烷。考慮到電鍍速度，福爾馬林和氫硼化物是優(yōu)選的，這是由于其高還原能力。當(dāng)具有相對(duì)低還原能力的糖用作還原劑時(shí)，具有相對(duì)低復(fù)合能力的乙內(nèi)酰脲可用作復(fù)合劑。對(duì)于無電鍍?nèi)芤罕仨氝M(jìn)一步含有堿性金屬氫氧化物?？紤]到容易獲得和成本，堿性金屬氫氧化物優(yōu)選是氫氧化鈉、氫氧化鉀或氫氧化鋰。堿性金屬氫氧化物可單獨(dú)使用或者可根據(jù)需要多種組合使用。將混合到溶液中的堿性金屬氨氧化物的量在約10至約80g/L的范圍內(nèi)，優(yōu)選在約30至約50g/L的范圍內(nèi)。低于10g/L的堿性金屬氫氧化物量不是優(yōu)選的，這是由于具有這種量，電鍍金屬膜的形成是不足的，從而使得在低電流密度范圍內(nèi)下一步驟中的電鍍沉積性能差。高于802g/L的堿性金屬氫氧化物量不是優(yōu)選的，這是由于具有這種量，銅溶度會(huì)隨著濃度增加而降低，這會(huì)導(dǎo)致電鍍?nèi)芤悍€(wěn)定性差。當(dāng)制備無電鍍?nèi)芤簳r(shí)，上述各成分的組合和混合比率優(yōu)選在上述范圍內(nèi)適當(dāng)調(diào)整，以使電鍍槽的pH在10.0至14.0的范圍內(nèi)，優(yōu)選在11.5至13.5的范圍內(nèi)。如果必要的話，無電鍍?nèi)芤嚎蛇M(jìn)一步含有穩(wěn)定劑如亞鐵氰化鉀、氰鹽、吡啶化合物、單寧酸或若丹寧。僅添加少量(幾ml/1)的這些化合物中的任一種能保持良好穩(wěn)定性。在具有無電鍍?nèi)芤旱奶幚砉に囍校芤簻囟忍幱诩s20至約7(TC的范圍內(nèi)，優(yōu)選在約35至約50'C的范圍內(nèi)，和該材料可被進(jìn)入到電鍍?nèi)芤褐羞_(dá)約30秒至約120分鐘，優(yōu)選達(dá)約10至約60分鐘。低于20'C的電鍍?nèi)芤簻囟炔皇莾?yōu)選的，這是由于在這種溫度下，無電鍍膜形成是不足的。高于70'C的電鍍?nèi)芤簻囟炔皇莾?yōu)選的，這是由于電鍍?nèi)芤旱姆€(wěn)定性在這種溫度下會(huì)降低。電鍍?nèi)芤褐行∮?0秒的浸入時(shí)間不是優(yōu)選的，這是由于在這種時(shí)間下，形成無電鍍膜是不足的。多于120分鐘的浸入時(shí)間不是優(yōu)選的，這是由于在這種時(shí)間下，不能發(fā)現(xiàn)超出最佳范圍的效果且會(huì)降低產(chǎn)量。表面電荷改進(jìn)劑在本發(fā)明中使用的表面電荷改進(jìn)劑可以是任一種化合物，只要其能夠被吸收到源材料表面并能夠抑制金屬離子至原材料中的吸收即可。優(yōu)選使用具有(i)對(duì)基板有親和力的基團(tuán)和其分子中具有離子離去基團(tuán)(分解基團(tuán))的有機(jī)化合物。在此，(i)與基板具有親合力的基團(tuán)包括疏水性或親水性官能團(tuán)。其優(yōu)選實(shí)施例包括具有四個(gè)或更多碳原子的垸基、具有6個(gè)或更多碳原子的芳基和具有3個(gè)或更多個(gè)碳原子的氟化垸基。(ii)離子離去基團(tuán)的優(yōu)選實(shí)施例包括羥基、氨基、胺基和增效劑基團(tuán)。在其分子中具有這些官能團(tuán)的有機(jī)化合物優(yōu)選是作為表面電荷改進(jìn)劑的化合物。例如，當(dāng)使用具有胺基的有機(jī)化合物時(shí)，選擇性地將其吸收到基板表面上，以使該表面帶正電荷。這種情況下，基板的表面電勢(shì)優(yōu)選在+0.1111￥至+500mV的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在一l.OmV至十100mV的范圍內(nèi)。具有這種帶正電荷表面的區(qū)域能防止電鍍槽中金屬離子(如Cu2+)的沉積，并由此金屬離子僅選擇性地沉積在具有貼附到圖形化接枝聚合物的電鍍催化劑(或者前體)的區(qū)域上?？紤]到能形成精細(xì)圖形，該工藝優(yōu)選在薄金屬膜無需無電鍍槽通過使用表面電荷改進(jìn)形成于接枝圖形上之后進(jìn)行，用于防止不希望的表面電荷改進(jìn)劑吸收到一部分親水性基團(tuán)如羥基中，其不反應(yīng)且留在接枝鏈中。用在本發(fā)明中的表面電荷改進(jìn)劑優(yōu)選是低分子或高分子的有機(jī)胺化合物。低分子有機(jī)胺化合物的優(yōu)選實(shí)施例包括由以下分子式(C-1)表示的化合物。分子式(C-l)一在分子式(C-1)中，1^至114每一個(gè)都單獨(dú)表示單價(jià)有機(jī)基團(tuán)，并優(yōu)選表示垸基，其可具有取代基或具有取代基的芳基。其實(shí)施例包括具有1至20碳原子的烷基如甲基、乙烷基或丁基，和芳基如烷基如苯基、萘基或具有苯基作為取代基的苯甲基。X-表示計(jì)數(shù)陰離子，和其具體實(shí)施例包括CH3S04'、C2H5S04、Cl、Br、H2P04、CH3COO、CH3S03，N03。微分子有機(jī)胺化合物的優(yōu)選實(shí)施例包括通過共聚具有四個(gè)銨鹽基團(tuán)的單體、具有乙二醇鏈的單體和具有包括四個(gè)或更多個(gè)碳原子的碳?xì)浠衔锏膯误w而制造的共聚物；和通過共聚具有氨基的單體、具有乙二醇鏈的單體和具有含有四個(gè)或更多碳原子的碳?xì)浠衔锊⒄紦?jù)獲得共聚物四分之一的單體制造的共聚物。具有四中銨基團(tuán)的任何可聚化單體根據(jù)本發(fā)明都可用作具有四個(gè)銨鹽基團(tuán)的單體，用于形成共聚物(為分子有機(jī)胺化合物)。其實(shí)施例包括(甲基)丙烯酸酯、丙烯酰胺、烯丙醚、乙烯醚、乙烯酯和苯乙烯和被替代的苯乙烯(其取代基與以下分子式(C-2)中R4的那些相似)。尤其，優(yōu)選(甲基)丙烯酸酯或具有四個(gè)銨鹽基團(tuán)的丙烯酰胺，具有四個(gè)銨鹽基團(tuán)的(甲基)丙烯酸酯的實(shí)施例包括由以下的分子式(C-2)表示的化合物。單體的實(shí)施例還包括甜菜堿型化合物如使用溴乙烯或氯代醋酸鈉通過占據(jù)二甲基胺乙酸乙烯酸酯四分之一來制造的單體。分子式(C-2)在分子式(C-2)中，R1表示氫原子或-CH3;112和W中的每一個(gè)都單獨(dú)表示氫原子、具有l(wèi)至4個(gè)碳原子的垸基或者具有l(wèi)至4個(gè)碳原子的羥垸基；W表示l至20個(gè)碳原子的烷基、具有1至10個(gè)碳原子的羥烷基或者具有1至10個(gè)碳原子的芳烷基；A表示具有l(wèi)至IO個(gè)碳原子的烷撐或氧烷撐基團(tuán)或者具有l(wèi)至IO個(gè)碳原子的聚氧烷撐基團(tuán)；和X'表示計(jì)數(shù)陰離子。在此，由X'表示的技術(shù)陰離子具有與分子式(C-l)中相同的含義，且其優(yōu)選實(shí)施例也是相同的。在其分子中具有乙二醇鏈的任何可共聚化合物都可用作具有具有乙二醇鏈的單體，用于根據(jù)本發(fā)明形成有機(jī)胺化合物。其實(shí)施例包括(甲基)丙烯酸酯、丙烯酰胺、烯丙醚、乙烯醚、乙烯酯和苯乙烯和被替代的苯乙烯(其取代基與分子式(C-2)中W的那些相似)，其每一個(gè)在其分子中都具有乙二醇鏈。尤其，優(yōu)選實(shí)施例包括(甲基)丙烯酸酯，其具有乙二醇鏈。具有乙二醇鏈的(甲基)丙烯酸酯的實(shí)施例包括由分子式(C-3)表示的(聚)乙二醇單(甲基)丙烯酸酯。分子式(C-3)CH2=C(R5)COO(C2H40)nR6在分子式(C-3)中，n表示從l至50的整數(shù)，優(yōu)選為4至20;RS表示氫原子或-CH3:和R6表示氫原子、-0113或-€:2115。含有二乙醇單鏈的單體的實(shí)施例包括市場(chǎng)上可獲得的產(chǎn)品如通過NipponOil&Fats有限公司制造的AE-350(商標(biāo)名n:6至8)。具有在其分子中含有四個(gè)或更多碳原子的烴結(jié)構(gòu)的任一種可共聚單體都可用于具有含有四個(gè)或更多個(gè)碳原子的烴的單體，用于形成有機(jī)胺化合物。其實(shí)施例包括(甲基)丙烯酸酯、丙烯酰胺、烯丙醚、乙烯醚、乙烯酯和苯乙烯和被替代的苯乙烯(其取代基與分子式(C-2)中W的那些相似)，其每一個(gè)都具有烴。尤其，優(yōu)選的實(shí)施例包括具有烴的(甲基)丙烯酸酯。烴可具有任一種結(jié)構(gòu)，如飽和的、不飽和的線性的、分枝的或者環(huán)形的結(jié)構(gòu)。烴優(yōu)選是具有4個(gè)或更多個(gè)碳原子、優(yōu)選具有4至30個(gè)碳原子、更優(yōu)選具有6至22個(gè)碳原子的線性烴。本發(fā)明中，具有含有4或更多個(gè)碳原子的烴的單體的優(yōu)選實(shí)施例包括由(甲基)丙烯酸和具有4個(gè)或更多個(gè)碳原子、有具有4至30個(gè)碳原子和更優(yōu)選具有6至22個(gè)碳原子的線性脂肪醇形成的烷基醚?？墒褂镁哂邪被娜魏慰晒簿蹎误w，只要其具有氨基并且能被共聚即可。其實(shí)施例包括(甲基)丙烯酸酯、丙烯酰胺、烯丙醚、乙烯醚、乙烯酯和苯乙烯和被替代的苯乙烯(其取代基與分子式(C-2)中W的那些相似)，其每一個(gè)都具有氨基。其特別優(yōu)選的實(shí)施例包括(甲基)丙烯酸酯和丙烯酰胺，其每一個(gè)都具有氨基。其實(shí)施例進(jìn)一步包括具有環(huán)形結(jié)構(gòu)的化合物，其具體實(shí)施例包括丙烯嗎啉。具有氨基的單體的具體實(shí)施例包括二甲基胺乙酸(甲基)丙烯酸酯、二甲基胺丙基丙烯酸酯、二甲基丙烯酰胺、丙烯嗎啉、異丙基丙烯酰胺和二乙基丙烯酰胺。根據(jù)本發(fā)明，在制備有機(jī)胺化合物中使用的單體、即具有四個(gè)銨鹽基團(tuán)的單體、具有乙二醇鏈的單體、具有含有四個(gè)或更多個(gè)碳原子的烴的單體和具有氨基的單體可單獨(dú)使用或者可兩個(gè)或多個(gè)組合使用，用于形成共聚物。用在本發(fā)明中的被添加到無電鍍?nèi)芤褐械谋砻骐姾筛倪M(jìn)劑量?jī)?yōu)選被調(diào)整，以使無電鍍槽中的表面電荷改進(jìn)劑的濃度被設(shè)置在lxl0"至lxl0"mo1/1的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地設(shè)置在5x10"至2xl(T2mol/l的范圍內(nèi)。在溶液中表面電荷改進(jìn)劑的濃度應(yīng)被以如下方式調(diào)整，這是由于如果該濃度過低，則將不能足以獲得控制電鍍膜生長(zhǎng)的功能，從而使得厚度方向上金屬膜生長(zhǎng)抑制效果傾向于被降低，并且由于如果該濃度過高的話，則會(huì)發(fā)生改進(jìn)劑向電鍍催化劑中的吸收，以使電鍍速度或者電鍍金屬的沉積傾向于降低，并由此兩種情況都是不優(yōu)選的。本發(fā)明中，可進(jìn)行通常公知的無電鍍工藝同時(shí)其進(jìn)一步包括將表面電荷改進(jìn)劑添加到電鍍槽中。雖然獲得的金屬膜的厚度能通過電鍍槽中金屬鹽或金屬離子的濃度、進(jìn)入到電鍍槽中的時(shí)間長(zhǎng)度、電鍍槽的溫度等來控制，但是，考慮到導(dǎo)電性，其優(yōu)選為0.5pm或更多，更優(yōu)選是3nm或更多。進(jìn)入到電鍍槽中的浸入時(shí)間長(zhǎng)度優(yōu)選在約1分鐘至約3小時(shí)的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在約l分鐘至約l小時(shí)的范圍內(nèi)。在常規(guī)方法中，在電鍍槽中超出的浸入時(shí)間或者電鍍槽金屬離子濃度的增加附加地促進(jìn)了在圖形寬度的所需方向上金屬膜的生長(zhǎng)，以使其難以形成所需的非常精細(xì)的金屬圖形。相比較，根據(jù)本發(fā)明的方法，金屬膜在厚度方向上選擇性地生長(zhǎng)，以獲得具有足夠厚度的金屬膜，而不限制相關(guān)的工藝，并且能非常容易地形成具有足夠厚度的非常精細(xì)的金屬圖形。電鍍催化抑制劑在根據(jù)本發(fā)明的無電鍍中使用的電鍍催化抑制劑的實(shí)施例包括金屬離子、無機(jī)陰離子、在其分子中具有與電鍍金屬#親和力的基團(tuán)的有機(jī)化合物和在其分子中具有對(duì)于電鍍金屬有親合力的基團(tuán)和離子離去基團(tuán)的有機(jī)化合物。在本發(fā)明中使用的用作電鍍催化抑制劑的金屬離子的實(shí)施例包括從Pb、Sn、As、Sb、Bi、Cr、Mo、Cd、In、Ti、W、Nb和Ti中任一種離子中選擇的金屬離子。優(yōu)選金屬離子根據(jù)在無電鍍中使用的金屬種類適當(dāng)選擇。當(dāng)將銅、銀或金用作電鍍金屬時(shí)，優(yōu)選使用Pb、Sn、Sb或Bi的金屬離子。用作電鍍催化抑制劑的無機(jī)陰離子的實(shí)施例包括碘陰離子、溴陰離子和硫陰離子，和特別優(yōu)選碘陰離子。在其分子中具有與電鍍金屬具有親和力的基團(tuán)的有機(jī)化合物的實(shí)施例包括具有與電鍍金屬有親和力的官能團(tuán)和選自烷基、芳基和環(huán)基的取代物的有機(jī)化合物，如以下所列出的。與電鍍金屬具有親合力的基團(tuán)的實(shí)施例包括羧基、羰基、氨基、硫基和三羰基。官能團(tuán)的優(yōu)選實(shí)施例取決于電鍍金屬的種類。當(dāng)電鍍金屬是良好導(dǎo)體如銅、銀或金時(shí)，優(yōu)選硫基或三羰基。具有硫基或三羰基、用作電鍍催化抑制劑的含有硫的有機(jī)化合物實(shí)施例包括硫醇化合物、由于互變現(xiàn)象可轉(zhuǎn)換成硫醇化合物的化合物、二硫化物、硫代酰胺和硫脲類。硫醇化合物的實(shí)施例包括硫氰尿酸、2-巰基噻唑啉、2-巰基吡啶、2-巰基苯并噻唑和2-巰基四唑?？赏ㄟ^互變現(xiàn)象轉(zhuǎn)換成硫醇化合物的哈包括2-硫代巴比妥酸、2-咪唑烯硫酮、1-苯基-2-四下咔唑-5-硫酮和2-硫脲嘧啶。二硫化物的實(shí)施例包括二苯并噻唑基二硫化物和四甲基二烴氨基硫羰二硫化物。硫代酰胺的實(shí)施例包括N-三元醇-丁基-2-苯并噻唑基亞磺酰胺。硫脲類的實(shí)施例包括硫脲、甲基硫脲和辛基硫脲。在其分子中具有與電鍍金屬有親和力的用作電鍍催化抑制劑的有機(jī)化合物在其分子中進(jìn)一步具有原子取代物。在此，原子取代物包括羧基、氨基、胺基、增效劑基團(tuán)等。具有與電鍍金屬有親合力的基團(tuán)和在其分子中具有離子離去基團(tuán)的有機(jī)化合物的實(shí)施例包括2-(3-羧基-苯基)-5-巰基四唑、2-(3-增效劑-苯基)-5-巰基四唑、thiosalycilicacid、2-(3-(2-氨乙酸)-苯基)-5-巰基四唑、鈉-2-巰基苯并噻唑-5-磺酸鹽和鈉2-(2-巰基苯并噻唑基)乙垸磺酸鹽。調(diào)整添加到無電鍍?nèi)芤褐杏糜诒景l(fā)明中的電鍍催化抑制劑的量，以使無電鍍?nèi)芤褐须婂兇呋种苿┑臐舛缺辉O(shè)置在lxl(T10至lxl(T5mol/l的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在lxlO-7至5xl(T6mol/l的范圍內(nèi)。在溶液中電鍍催化抑制劑的濃度應(yīng)當(dāng)如上所述地調(diào)整，這是由于如果該濃度過低的話，控制電鍍膜生長(zhǎng)的功能就不足，從而在寬度方向上金屬膜生長(zhǎng)的抑制效果傾向于降低，并且由于如果該濃度過高的話，則無電鍍本身將被限制，以使電鍍速度或電鍍金屬的沉積速度將傾向于降低，并由此，不優(yōu)選這兩種情況。以其溶液的形式將電鍍催化抑制劑添加到無電鍍?nèi)芤褐?。電鍍催化抑制劑可被初步地添加到無電鍍?nèi)芤褐?，以提供具體濃度，或者當(dāng)在開始無電鍍之后經(jīng)過一定周期時(shí)一次性添加。作為公知的是，當(dāng)不添加電鍍催化抑制劑時(shí)，在電鍍初始階段電鍍速度(或者電鍍金屬的沉積速度)通常都低，和之后隨著電鍍進(jìn)行而增加。由此，包括以不添加有效濃度催化抑制劑的電鍍開始并之后當(dāng)開始無電錯(cuò)之后過去一定周期時(shí)添加用作催化抑制劑的化合物以提供在上述范圍中的濃度的后一工藝優(yōu)選是包括將電鍍催化抑制劑添加到無電鍍槽中以形成具有上述范圍內(nèi)的濃度的無電鍍?nèi)芤旱墓に嚹Ｊ?。本發(fā)明中，除了其進(jìn)一步包括添加電鍍催化抑制劑至電鍍槽之外，進(jìn)行通常公知的無電鍍。雖然獲得金屬膜的厚度能通過電鍍槽中金屬鹽或金屬離子的濃度、在電鍍槽中的浸入時(shí)間或者電鍍槽的溫度來控制，但是，考慮到導(dǎo)電性，優(yōu)選0.5pm或更多，優(yōu)選3nm或更多。在含有電鍍催化抑制劑的電鍍槽中浸入的時(shí)間長(zhǎng)度優(yōu)選在約1分鐘至約3小時(shí)的范圍內(nèi)，更加優(yōu)選在約1分鐘至約1小時(shí)的范圍內(nèi)。在常規(guī)方法中，電鍍槽中延長(zhǎng)的浸入時(shí)間長(zhǎng)度或者電鍍槽金屬離子濃度的增加會(huì)進(jìn)一步促進(jìn)圖形寬度不希望方向上金屬膜的生長(zhǎng)，以使其難以形成所需的非常精細(xì)的金屬圖形。然而，根據(jù)本發(fā)明的方法，金屬膜在厚度方向上選擇性地生長(zhǎng)，以獲得具有足夠厚度的金屬膜，而不限制相關(guān)工藝，并且能容易地形成具有足夠厚度的非常精細(xì)的金屬圖形。在這種金屬膜的優(yōu)選模式中，滿足關(guān)系(q-p)<r,其中p表示圖形形式的圖形層線寬，q表示通過無電鍍形成的金屬膜的線寬，和r表示通過無電鍍形成的金屬膜的厚度。由尤其在厚度方向上的金屬膜生長(zhǎng)和在寬度方向上受抑制的金屬膜生長(zhǎng)導(dǎo)致的這種圖形化金屬膜能優(yōu)選用于引線電路等，如下所述。以下給出詳細(xì)描述，用于說明包括通過使用表面電荷改進(jìn)劑處理基板隨后無電鍍本發(fā)明第一方面中使用的基板的工藝。工藝(C-2):用含有表面電荷改進(jìn)劑的槽處理聚合物層承載基板在該實(shí)施例中，在含有表面電荷改進(jìn)劑的溶液中，在沉積無電鍍催化劑或其前體于聚合物層(b)之上后浸入具有沉積在圖形化接枝聚合物層上的無電鍍催化劑(或前體)的材料，其形成于獲得的基板表面上，以使表面電荷改進(jìn)劑選擇性地吸收到不具有聚合物層的基板的一部分表面上。用于該實(shí)施例中的表面電荷改進(jìn)劑與工藝(C-l)中使用的相似。具體地，表面改進(jìn)劑溶解在蒸鎦過的水溶性有機(jī)溶劑如乙醇中，以便形成表面電荷改進(jìn)溶液。這種情況下，優(yōu)選調(diào)整添加到槽中的表面電荷改進(jìn)劑溶液的量，以使槽中表面電荷改進(jìn)劑濃度被設(shè)置在lxl(T6至lxlO"mo1/1，更優(yōu)選為5xl(T4至2xl(T2mol/l。該處理中，槽溶液的溫度優(yōu)選在約5至約60'C的范圍內(nèi)，和浸入時(shí)間優(yōu)選在20秒至IO分鐘的范圍內(nèi)。在浸入之后，進(jìn)行用水沖洗或者任意其他工藝以去除多余量的表面電荷改進(jìn)溶液。處理(c-3):對(duì)表面電荷改進(jìn)處理基板進(jìn)行無電鍍用具有表面電荷改進(jìn)劑的槽處理聚合物層承載基板的工藝(c-2)之后是無電鍍。該工藝與工藝(c-l)相似，并使用相似的處理?xiàng)l件如浸入時(shí)間的時(shí)間長(zhǎng)度，除了在此使用的電鍍槽不含有表面電荷改進(jìn)劑。而且，以下給出詳細(xì)描述，用于說明包括進(jìn)行無電鍍同時(shí)將電鍍催化抑制劑添加到能用在本發(fā)明第二方面中的無電鍍?nèi)芤褐械墓に?。工?c-3'):對(duì)聚合物層承載基板進(jìn)行含有1"0'1()至lxl0"mo1/1電鍍催化抑制劑的無電鍍?cè)搶?shí)施例中，沉積無電鍍催化劑或其前體于聚合物層(b)上之后是這樣一個(gè)工藝，其不將電鍍催化抑制劑添加到電鍍?nèi)芤褐?，同時(shí)對(duì)具有無電鍍催化劑(或前體)沉積在形成于獲得的基板表面上的圖形化接枝聚合物層上的材料進(jìn)行無電鍍；和進(jìn)行無電鍍，同時(shí)保持在電鍍槽中的電鍍催化抑制劑的濃度在lxl(T1()至Ixl0'4mol/1的范圍內(nèi)。該工藝與工藝(c-l)相似，并使用相似的處理?xiàng)l件如浸入時(shí)間的時(shí)間長(zhǎng)度，除了要控制電鍍槽中電鍍催化抑制劑的濃度。與工藝(c-l)相似的是，無電鍍?nèi)芤褐须婂兇呋种苿┑臐舛葢?yīng)當(dāng)在lxl(T1Q至lxl(T5mol/l的范圍內(nèi)，和更加優(yōu)選在lxl(T7至5xl(T6mol/l。添加電鍍催化抑制劑能通過將催化抑制劑溶液添加到無電鍍?nèi)芤褐衼磉M(jìn)行。催化抑制劑溶液可在無電鍍開始之后過去一定周期時(shí)一次添加，或者以預(yù)定量的矩形時(shí)間間隔添加，或者使用泵等持續(xù)和逐漸添加。考慮到增加濃度控制的精確性，無電鍍工藝優(yōu)選包括設(shè)置能夠?qū)崟r(shí)地監(jiān)控電鍍?nèi)芤褐须婂兇呋种苿舛鹊臋z測(cè)器、并將來自檢測(cè)器的信號(hào)發(fā)送到催化抑制劑供給泵、以控制電鍍?nèi)芤褐写呋种苿舛戎了璧燃?jí)、同時(shí)進(jìn)行無電鍍。該實(shí)施例中，該方法優(yōu)選包括在開始無電鍍時(shí)保持電鍍催化抑制劑濃度低于預(yù)定范圍，或者在無電鍍開始時(shí)不添加電鍍催化抑制劑并之后在開始電鍍之后添加電鍍催化抑制劑以將濃度控制在上述范圍內(nèi)。在通過工藝(c-l)形成金屬圖形之后，工藝(c-2)和(c-3)的組合、工藝(c-r)或工藝(c-2')形成金屬圖形之后，根據(jù)增加粘附性的觀點(diǎn)，優(yōu)選對(duì)所獲得的金屬圖形進(jìn)行干燥工藝。干燥工藝使用任一種手段如自然干燥、熱干燥、降壓干燥和空氣干燥。這些當(dāng)中，考慮到防止由于干燥工藝導(dǎo)致的聚合物層變劣，干燥工藝優(yōu)選在常溫下或附近進(jìn)行。更具體地，優(yōu)選使用具有聚合物層的材料和保存在常溫氣氛下的金屬膜的自然干燥、在常溫降壓下的干燥和常溫下的空氣干燥。為了在不加熱的情況下盡可能地去除包含在聚合物層中的水，進(jìn)行這些工藝達(dá)一個(gè)或更多個(gè)小時(shí)，優(yōu)選24小時(shí)或更多。干燥條件能考慮所需的粘附性適當(dāng)?shù)剡x擇。具體地，例如，干燥方法包括這樣以下方法，用于在約25'C的溫度下保存具有聚合物層和金屬膜的材料達(dá)約l至3天、約l至3個(gè)星期或者約l至3個(gè)月的方法，和用于將其保存在降壓下達(dá)約l至3天或約l至3個(gè)星期的方法。盡管其中干燥處理能改善粘附性的動(dòng)作不足夠清楚，但是，假設(shè)充分的干燥能防止會(huì)使粘附性變差的水聚集到導(dǎo)電圖形材料中，并且能減少由于水導(dǎo)致的粘附性隨著時(shí)間的變劣。由此獲得的金屬圖形的金屬膜部分截面的SEM觀測(cè)顯示出存在輕擴(kuò)散于表面接枝層中的無電鍍催化劑和電鍍金屬的大量精細(xì)顆粒和沉積于其上的相對(duì)較大顆粒的附加層。由于界面是接枝聚合物和精細(xì)顆粒的混合狀態(tài)，因此即使當(dāng)優(yōu)選實(shí)施例的基板(有機(jī)成分)和無機(jī)物質(zhì)(無電鍍催化劑和電鍍金屬)之間的界面表面處的不均勻度為500nm或更少，粘附性也較好。以下將詳細(xì)描述精細(xì)顆粒如無電鍍催化劑和通過無電鍍沉積在表面接枝聚合物層中沉積的金屬的狀態(tài)。構(gòu)成無電鍍催化劑和/或通過無電鍍沉積的金屬的顆粒以高密度從聚合物層和金屬膜之間的界面向著基板被分散在聚合物層中(接枝聚合物層)。根據(jù)金屬膜施加粘附效果的觀點(diǎn)，優(yōu)選25體積％或更多、更優(yōu)選為30體積％、再優(yōu)選為40體積％或更多、優(yōu)選為50體積％或更多精細(xì)顆粒存在與界面附近。精細(xì)顆粒以高密度存在于聚合物層中的區(qū)域在優(yōu)選0.05pm或更多、更優(yōu)選0.1nm或更多、再優(yōu)選0.2pm或更多、最優(yōu)選0.3nm或更多的范圍內(nèi)從聚合物層和金屬膜的界面在向著基板的方向上延伸。電鍍根據(jù)本發(fā)明的金屬圖形形成方法可具有用于在上述工藝之后通過使用金屬膜作為電極的電鍍的附加工藝。其可以基于在與基板的粘附性優(yōu)良的金屬圖形容易地制備具有所需厚度的新的附加金屬膜。增加該工藝擴(kuò)展了圖形化金屬膜的厚度至所需值，由此其利于將根據(jù)本發(fā)明的金屬圖形施加到包括引線圖形化的各種應(yīng)用。常規(guī)的公知方法可用作本發(fā)明中的電鍍工藝。用在該工藝中電鍍中的金屬包括銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫、鋅等，且優(yōu)選銅、金和銀，且根據(jù)導(dǎo)電性的觀點(diǎn)更優(yōu)選銅。在電鍍之后獲得的金屬膜厚度根據(jù)應(yīng)用而變化，并且能夠通過調(diào)整電鍍?nèi)芤褐泻械慕饘贊舛?、浸入時(shí)間長(zhǎng)度、電流密度等來控制。根據(jù)導(dǎo)電性的觀點(diǎn)，用于電引線等的一般金屬膜的厚度優(yōu)選為0.5jim或更多，且更優(yōu)選為3pm或更多。金屬圖形根據(jù)本發(fā)明的金屬圖形特征在于具有局部形成于基板上的金屬膜，其中基板具有500nm或更少、優(yōu)選為100nm或更少的表面不均勻度，和在基板和金屬膜之間的粘附性為0.2kN/m或更多。即，該金屬圖形特征在于具有光滑基板表面和在基板和金屬膜之間具有優(yōu)良粘附性。更具體地，根據(jù)本發(fā)明的金屬圖形是局部提供有金屬膜的金屬圖形，該金屬膜通過在具有表面的基板上提供圖形形式的具有與能化學(xué)鍵合到基板的無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團(tuán)的聚合物、將無電鍍催化劑或其前體施加到圖形上和之后無電鍍獲得的圖形而形成，其中基板具有500nm或各個(gè)內(nèi)銷的不均勻度，優(yōu)選為100nm或更小，和在基板和金屬之間的粘附性為0.2kN/m或更多。這種金屬圖形可與金屬圖形形成工藝相似地制備，除了其還包括從對(duì)于金屬圖形形成方法所描述的基板當(dāng)中選擇具有表面不均勻度為500nm或更少的基板作為基板。表面不均勻度是通過在垂直于基板表面的方向上切割基板或由此形成的金屬圖形并通過SEM觀測(cè)其截面確定的值。更具體地，關(guān)于如根據(jù)常規(guī)公知方法確定的表面不均勻度(Rz)，在最高峰值的Z數(shù)據(jù)的平均值和特定表面上最深至第五深底部的平均值之間的差值應(yīng)當(dāng)為500nm或更小。在基板和金屬膜之間的粘附值通過手段來確定，使用環(huán)氧樹脂基粘附劑(商標(biāo)名ARALDITE,由Ciba-GeigyCorp.制造)將銅板(厚度O.lmm)粘附到金屬圖形表面(寬度5mm),在140'C下測(cè)試樣品達(dá)4小時(shí)，且之后根據(jù)用于引線圖形板銅疊層板的常規(guī)公知的測(cè)試方法(IEC60429-1(1982))進(jìn)行90度剝離測(cè)試，或者直接去除金屬圖形的外圍部分并之后進(jìn)行根據(jù)用于銅疊層板的常規(guī)公知測(cè)試方法進(jìn)行90度剝離測(cè)試。通過普通的金屬圖形，可以通過使得基板和金屬之間的界面不均勻度為500nm或更少來獲得在高頻特性方面優(yōu)良的金屬圖形。然而，常規(guī)金屬圖形的基板表面不均勻度的降低通常伴隨著基板和金屬膜之間粘附性的降低。因此，常規(guī)金屬圖形的界面不均勻度通常為1000nm或更多。相反，由于基板界面處于通過組合金屬膜的金屬成分和直接鍵合到基板的接枝聚合物的.組合形成的混合狀態(tài)，因此根據(jù)本發(fā)明的金屬圖形在電鍍金屬層和聚合物層(有機(jī)層)的電鍍催化劑(無機(jī)成分)之間的界面中具有小的不均勻度，并且通常具有卓越的粘附性。根據(jù)本發(fā)明的金屬圖形特征在于選擇具有500nm或更小表面不均勻度的基板。表面不均勻度優(yōu)選為300nm或更小，再優(yōu)選為100nm或更小，且尤其優(yōu)選為50nm或更小。表面不均勻度的下限不特別限制；然而，根據(jù)便于制造和其他方面的實(shí)際問題，認(rèn)為其為約5nm。如果根據(jù)本發(fā)明的金屬圖形用于金屬引線，則較小表面不均勻度優(yōu)選引起用于引線的金屬和有機(jī)材料之間的界面不均勻度的降低，且由此導(dǎo)致在高頻電傳輸期間較小的電功耗。如果表示為通過上述常規(guī)公知方法之后的方法測(cè)量的10個(gè)點(diǎn)平均的不均勻度(Rz)，則優(yōu)選在500nm或更少、優(yōu)選為300nm或更少、再優(yōu)選在100nm或更少、和特別優(yōu)選在50nm或更少的范圍內(nèi)選擇基板表面不均勻度。固有地具有平滑表面的基板如樹脂基板可用作基板，和即使使用了表面不均勻度較高的基板，也可以通過提供中間層控制表面不均勻度在優(yōu)選范圍內(nèi)。而且，根據(jù)本發(fā)明的金屬圖形特征在于具在基板和金屬膜之間的粘附性為0.2kN/m或更多、優(yōu)選為0.3kN/m或更多。對(duì)于粘附性的值沒有特別的最大限制；然而，其一般同意的范圍為約0.2至2.0kN/m。在常規(guī)金屬圖形中，在基板和金屬膜之間的粘附性通常在約0.2至3.0kN/m的范圍內(nèi)?？紤]到上述事實(shí)，可以理解，根據(jù)本發(fā)明的金屬圖形具有實(shí)際上足夠的粘附性。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的金屬圖形將界面中基板表面的不均勻度降低到最大程度，同時(shí)保持了基板和金屬膜之間的粘附性。獲得的非常精細(xì)的具有足夠厚度的金屬圖形是通過簡(jiǎn)化成本工藝制造的產(chǎn)品，且其提供了其上形成有金屬和基板之間改善了的粘附性的金屬電路的基板。由此，該基板提供了有效導(dǎo)電的引線基板，其可用于各種類型的印刷引線板、TFT引線電路、撓性開關(guān)、電池電極、太陽能電池、傳感器、集成電路和電動(dòng)機(jī)外外殼。印刷引線板本發(fā)明的印刷引線板能通過根據(jù)本發(fā)明在基板上形成金屬圖形的導(dǎo)電層(引線)來制造。關(guān)于基板不特別限制，且其實(shí)施例包括公知的疊層如玻璃布和環(huán)氧樹脂的疊層、紙和苯酚樹脂的疊層、紙和環(huán)氧樹脂的疊層、玻璃布、玻璃紙和環(huán)氧樹脂的疊層。其實(shí)施例進(jìn)一步包括雙馬來酰亞胺-三嗪樹脂浸漬基板(BT基板)和使用聚酰亞胺膜作為原材料的聚酰亞胺膜基板。為了形成電路層，根據(jù)本發(fā)明在基板上形成有接枝聚合物的導(dǎo)電層(金屬圖形)可用在與所需的任何公知方法的組合中。制造引線板的公知方法的實(shí)施例包括相減法和相加法，相減法包括使用銅-覆層疊層(銅箔和絕緣基板的疊層)和通過蝕刻去除銅箔的不必要部分，相加法包括在絕緣基板的必要部分上通過無電鍍形成電路。在其兩個(gè)表面上都具有銅箔的銅覆層疊層的兩側(cè)也可用于在絕緣基板的兩側(cè)上形成電路層。當(dāng)引線板(多層印刷引線板)通過建造形成于絕緣材料層上的電路基板時(shí)，絕緣材料層被疊置于電路基板上。如果需要的話，則用在接枝聚合物層的形成中的底層可形成于絕緣材料層上。如果必要的話，則電路層的表面可以被表面處理，以便具有適合于粘附的狀態(tài)。用于表面處理的技術(shù)的實(shí)施例包括、但不限于公知的方法如包括在電路層表面上通過次氯酸鈉的水性堿溶液形成氧化銅的針狀晶體和通過將針狀晶體浸入到二甲基胺硼垸的水溶液中來減少所形成的氧化銅針狀晶體。電路基板和絕緣材料層的疊層可通過包括設(shè)置與絕緣材料層或在絕緣材料層上形成的另一電路基板相對(duì)的電路基板和進(jìn)行加熱和/或加壓以將其疊層的方法形成。該疊層工藝可使用液壓加壓或任何其他技術(shù)如真空加壓或真空疊置。尤其，真空加壓和真空疊層優(yōu)選使用，這是由于在疊層期間其能防止在疊層中混入空氣并且能提供將內(nèi)部電路嵌入到所疊置的層中的高性能。絕緣材料層可通過以下任一種方法形成，其實(shí)施例包括這樣的方法，該方法包括將絕緣樹脂組合物的清漆涂敷到支撐體上，干燥清漆以形成被支撐的絕緣膜，和將其疊置到電路板上以形成絕緣材料層。當(dāng)將清漆涂敷到電路板上時(shí)，可使用任一種一般涂敷方法，如橫桿涂敷、旋涂和絲網(wǎng)印刷。當(dāng)將清漆涂敷到支撐體上時(shí)，可根據(jù)絕緣材料層的厚度適當(dāng)?shù)厥褂枚禾?hào)涂料器、橫桿涂料器、接觸涂料器、圓輥涂料器等。在所有情況下，可使用涂敷等之后的任何涂敷厚度、任何干燥條件，同時(shí)通過干燥優(yōu)選揮發(fā)掉80重量％或更多的清漆溶劑。將清漆涂敷至其的支撐體的實(shí)施例包括塑料膜如PET膜和金屬箔。在固化清漆之后可分離并去除支撐體。這種情況下，釋放塑料膜等優(yōu)選用作支撐體。用作基板的金屬箔如銅箔可連續(xù)地用于第二電路層而不需剝離。所支撐絕緣膜的絕緣樹脂組合物層與電路板的電路層相對(duì)，并且使用疊置方法或施壓裝置疊置有電路板。如果需要的話，則優(yōu)選通過熱固化絕緣樹脂組合物層。第二導(dǎo)電圖形(第二電路)形成于絕緣材料層上，以制造多層引線板。該工藝優(yōu)選使用形成有根據(jù)本發(fā)明的接枝聚合物的導(dǎo)電層。在這種情況下，用于在絕緣材料層中形成孔的工藝可在形成接枝圖形之前進(jìn)行。任一種方法如激光方法或噴砂方法都可用于形成通孔。可通過使得導(dǎo)電材料粘附至其或者通過無電鍍同時(shí)將導(dǎo)電材料層形成于圖形上并且形成于通孔中，一些情況下，通孔的內(nèi)表面優(yōu)選在這種進(jìn)行電鍍以賦予導(dǎo)電性的工藝之前根據(jù)需要被稍微粗化。用于粗化的溶液實(shí)施例包括氧化的粗化溶液如鉻/硫酸粗化溶液、堿性高錳酸鹽粗化溶液、鈉的氟/鉻/硫酸粗化溶液或者氟硼酸粗化溶液。例如，表面粗化處理包括將基板浸入二亞乙基乙二醇單丁基酯和NaOH的水性溶液中達(dá)1分鐘，將其加熱到70'C并用作膨脹溶液；將基板浸入KMnO和NaOH的水性溶液中達(dá)2分鐘，將其加熱到80'C并用作粗化溶液；和隨后在室溫下將基板浸入到中性溶液如二氯亞錫(SnCl2)的水性次氯酸鹽溶液中達(dá)5分鐘以中和。粗化工藝之后是沉積電鍍催化劑(鈀)，其能通過將基板浸入到鈀氯基電鍍催化溶液中來進(jìn)行。之后將基板浸入到無電鍍?nèi)芤褐?，以將厚度?.3至1.5pm的無電鍍層(導(dǎo)體層)沉積在接枝圖形(和如果在該工藝之前形成通孔的話也在通孔內(nèi)部表面)上。如果需要的話，進(jìn)行進(jìn)一步的電鍍，以獲得所需厚度。任一種常規(guī)公知的無電鍍?nèi)芤憾伎捎迷跓o電鍍中，而不特別限制。任何一種公知的常規(guī)公罪技術(shù)也都可用在電鍍中而不特別限制。在這些電鍍工藝中，銅電鍍是優(yōu)選使用的。制造工藝提供了第二導(dǎo)電圖形，和根據(jù)本發(fā)明的金屬圖形形成方法，能形成具有足夠厚度的非常精細(xì)的金屬電路圖形。由此，可通過本發(fā)明形成具有高質(zhì)量并形狀不會(huì)變差的電路。隨后，可制造具有三層或更多層的多層引線板。在這種情況下，另一種第二絕緣材料層可形成于第二導(dǎo)電圖形上，且可重復(fù)相同工藝以提供具有三層引線層的多層引線板，且之后如果需要的話，以相同方式形成具有更多引線層的引線板。使用通過本發(fā)明的金屬圖形形成方法形成的導(dǎo)電層制造印刷引線板的方法特征在于當(dāng)形成電路時(shí)容易保證絕緣特性。在常規(guī)的半加性方法中，對(duì)絕緣基板的整個(gè)表面進(jìn)行銅的無電鍍或者銅的無電鍍催化劑的沉積，以使金屬能容易地保持并引起獲得的引線板上引線之間絕緣的降低。相反，根據(jù)本發(fā)明的形成方法，銅的無電鍍或者銅的無電鍍催化劑的沉積不施加(粘附)到絕緣基板的整個(gè)表面上，而僅施加(粘附)到引線所必需的圖形上，以使其中銅的無電鍍或催化劑保留在除了圖形之外的部分上且將成為絕緣部分的上述問題不會(huì)發(fā)生。由此，制造根據(jù)本發(fā)明的引線板的方法能形成與基板具有良好粘著、足夠?qū)щ娦院土己媒^緣特性的高密度電路(引線)。薄膜晶體管本發(fā)明中的薄膜晶體管(TFT)通過以下工藝形成，該工藝包括通過本發(fā)明的圖形形成方法形成導(dǎo)電層(用作柵極)和之后在柵極上形成柵絕緣膜、半導(dǎo)體膜和源漏極。TFT中金屬層(導(dǎo)電層)的柵電極由金屬膜構(gòu)成，其通過電鍍方法在形成于玻璃基板上的圖形化的接枝聚合物上形成。導(dǎo)電層優(yōu)選由銅金屬形成，且其片電阻優(yōu)選為約O.lD/平方。柵絕緣SiNx膜通過CVD形成于柵電極上。用作溝道層的a-Si膜、用作接觸層的n+型a-Si膜、Al源極、漏極、像素ITO電極和絕緣保護(hù)SiNx膜進(jìn)一步形成于其上。具有通過本發(fā)明的方法形成的柵極的TFT器件可具有反向的交錯(cuò)結(jié)構(gòu)(底部柵極結(jié)構(gòu))，或者根據(jù)本發(fā)明的柵極可用于形成具有交錯(cuò)結(jié)構(gòu)(頂部柵極結(jié)構(gòu))的TFT。根據(jù)本發(fā)明以所需圖形形成的該導(dǎo)電層不僅可用于形成TFT，而且可用于形成任何其他非線性器件如雙端二極管。通過如上所述的本發(fā)明的金屬圖形形成方法獲得的柵極或金屬引線可被用于平板顯示器如液晶顯示器(LCD)、場(chǎng)發(fā)射顯示器(FED)、電泳顯示器(EPD)、等離子體顯示器(PDP)、電鉻顯示器(ECD)或者電致發(fā)光顯示器(ELD)，以便于容易地形成與基板具有良好粘附性和所需精確度的電極或引線，和對(duì)于所有情況，本發(fā)明都使用導(dǎo)電層有效地工作，以實(shí)現(xiàn)降低TFT尺寸或者提高TFT性能或者降低液晶顯示器引線電阻的目的。在需要形成用于形成電極或引線的濕膜處理代替干膜處理時(shí)、和需要放大顯示面積時(shí)，本發(fā)明所述的TFT引線電路是非常有用的。結(jié)合了本發(fā)明所述的TFT引線電路的有源矩陣型顯示器不只可用于平板顯示器，還能用于平板型圖像傳感器，并優(yōu)選用于各種類型的液晶顯示器。實(shí)施例以下，將參考實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。與利用表面電荷改進(jìn)劑相關(guān)的實(shí)施例和比較例為為基板作準(zhǔn)備的實(shí)施例1-1至1-4。具有以下通式的下述合成物通過使用桿No.18的涂敷橫桿被涂敷到用作原材料的聚亞酰胺膜的表面上(KAPTON,由DuPont-Toray制造)，并且在80'C下干燥2分鐘以便提供具有6nm厚度的中間層。由此獲得具有中間層的原材料之后，通過使用400W的高壓水銀燈(商標(biāo)名UVL-400P，由RikoKagakuSangyo制造)光照射達(dá)10分鐘預(yù)固化，以便制備在實(shí)施例1-1中使用的基板A。如通過根據(jù)上述常規(guī)公知方法在40nmx40nm范圍內(nèi)測(cè)量表面和通過使用NANOPICS1000(商標(biāo)名，通過SeikoInstrumentsInc.制造)所確定的原材料、聚酰亞胺膜的Rz為15nm。當(dāng)具有中間層形成于聚酰亞胺膜上的基板A的表面也以相同方式被測(cè)量時(shí)，Rz為10nm，表示在實(shí)施例中使用的基板A的表面不均勻度在本發(fā)明的優(yōu)選范圍內(nèi)。中間層涂敷溶液烯丙基甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸酯的共聚物(共聚體積摩爾比率80/20，分均分子重量s100000)2g乙烯基氧化物改進(jìn)的雙酚A二丙烯酸酯4g1-羥基環(huán)已基苯基酮1.6gl-甲氧基-2-丙醇16g制備圖形形成材料預(yù)固化基板A被浸入到含有丙烯酸(IO質(zhì)量)和高碘酸鈉(NaI04，0.01質(zhì)量)的水溶液中，并通過使用上述的400W的高壓水銀燈將其暴露到氬氣氛下的光達(dá)30分鐘。在光照射之后，用離子交換水完全沖洗所獲得的膜，以提供具有包含可光學(xué)變劣官能團(tuán)的聚合物的圖形形成層的圖形形成材料A。接枝圖形的形成所獲得的圖形形成材料是通過以20mJ/cm2的能量發(fā)射具有400nm波長(zhǎng)的藍(lán)束激光(束直徑lpm)成影像曝光，以便提供接枝圖形材料l-A。如以與聚酰亞胺膜原材料相似的方式在基板A上具有接枝層的接枝圖形材料l-A的圖形化區(qū)域的Rz是15nm，表示實(shí)施例1-1的接枝圖形材料卜A的表面不均勻度在本發(fā)明的優(yōu)選范圍內(nèi)。金屬圖形的形成將接枝圖形材料l-A被浸入到1質(zhì)量％硝酸鈀(由WakoPureChemicalIndustries制造)7K溶液中達(dá)1小時(shí)，和之后用蒸餾水清洗。隨后，對(duì)接枝圖像材料l-A進(jìn)行具有以下通式的無電鍍達(dá)20分鐘，以便提供金屬圖形Al-l至Al-4。無電鍍槽的成分OPC銅HTl(由OkunoChemicalIndustriesCO.，Ltd.制造)6mLOPC銅HT2(由OkunoChemicalIndustriesCO.，Ltd.制造)1.2mLOPC銅HT3(由OkunoChemicalIndustriesCO.，Ltd.制造)10mL表面電荷改變劑(表l中示出的化合物)量表l中描述<table>tableseeoriginaldocumentpage56</column></row><table>表1比較例1-1金屬圖形Al-5以與實(shí)施例1-1相同的方式制備，除了表面電荷改進(jìn)劑不被添加到在實(shí)施例1-1至1-4中使用的無電鍍槽中。實(shí)施例1-5至1-8用#6的橫桿將丙烯酸施加到以與實(shí)施例1-1相似的方式制備的基板A的表面上，和被涂表面疊層有具有25pm厚度的PET膜。而且，在具有5nm線長(zhǎng)和25jim間隙寬度的圖形和lOnm線長(zhǎng)和20pm間隙寬度的圖形的絡(luò)沉積掩模圖形被設(shè)置于其上之后，基板A根據(jù)上述情況暴露于UV光(400W高壓水銀燈UVL-400P，由PikoKagakuSangyoCo.,制造，照射周期30秒)。在光照射之后，去除掩模和疊置膜，和用水沖洗基板以便提供具有以圖形形式接枝的聚丙烯酸的接枝圖形材料l-B。如與聚酰亞胺膜原材料相似的方式確定的接枝圖形材料1-B的圖形化區(qū)域的Rz是14nm。形成金屬圖形接枝圖形材料l-B被浸入到0.1質(zhì)量％硝酸鈀(由WakoPureChemicalIndustries制造)水溶液中達(dá)1小時(shí)，和之后用蒸餾水清洗。隨后，進(jìn)一步將接枝圖像材料l-B浸入到0.2MNaBH4的水溶液中達(dá)20分鐘，以使施加至其的鈀被浸入到具有實(shí)施例1-1至1-4中使用的相同合成物的無電鍍槽中，以便提供金屬圖形Bl-l至Bl-4。比較例2金屬圖形Bl-5以實(shí)施例1-5相同的方式制備，除了表面電荷改進(jìn)劑被添加到用于實(shí)施例l-5至l-8的無電鍍槽中。實(shí)施例1-9至1-12制備接枝圖形用#18的橫桿將具有以下合成物的涂敷溶液施加到以與實(shí)施例l-l相似的方式制備的基板A的表面上。由此獲得的膜的厚度是0.8jim。涂敷溶液的合成物親水性聚合物(以下示出其制備方法)0.25g水5g乙腈3g用于親水性聚合物的制備方法18g聚丙烯酸(平均分子量25000)溶解于300GDMAc中；0.41g對(duì)苯二酚、19.4g2-異丁烯酰基乙氧基異氰酸鹽和0.25g二丁精二月桂酸被添加至其；和使得該混合物在65'C下反應(yīng)達(dá)4小時(shí)。由此獲得的聚合物具有7.02meq/g的酸性值。之后，羧基與1N氫氧化鈉的水溶液中和。這被添加到乙烯基醋酸纖維，和聚合物在完全沖洗之后沉淀，且獲得了親水性聚合物。而且，在具有5pm線長(zhǎng)和25nm間隙寬度的圖形和lOjim線長(zhǎng)和20nm間隙寬度的圖形的鉻沉積掩模圖形被設(shè)置于其上之后，通過使用400W高壓水銀燈對(duì)由此獲得的膜進(jìn)行圖形曝光達(dá)l分鐘。之后用水沖洗所獲得的膜以便提供接枝圖形材料l-C,其中曝光的部分變成親水性的。如與聚酰亞胺基膜原材料相似的方式確定的接枝圖形材料l-C的圖形化區(qū)域的Rz是15nm。形成金屬圖形被浸入在將所獲得的接枝圖形材料1-C被浸入到0.1質(zhì)量X硝酸銀(由WakoPureChemicalIndustries制造)水溶液中達(dá)1小時(shí)，和之后用蒸餾水清洗。隨后，在與實(shí)施例1-1至1-4中相同的無電鍍槽中對(duì)其進(jìn)行無電鍍達(dá)20分鐘，以便提供金屬圖形Cl-l至Cl-4。比較例1-3以與實(shí)施例1-9相同的方式制備金屬圖形Cl-5,除了表面電荷改進(jìn)劑不被添加到在實(shí)施例1-9至1-12中使用的無電鍍槽中。實(shí)施例1-13至1-16在具有以下合成物的電鍍槽中進(jìn)一步對(duì)在實(shí)施例l-9至1-12中制備的金屬圖形進(jìn)行電鍍達(dá)15分鐘，以便提供金屬圖形D1-1至Dl-4。電鍍槽的成分硫酸銅38g硫酸95g鹽酸lmL光亮劑(商標(biāo)名COPPERGLEAMPCM，由MeltexInc.制造)3mL水500g實(shí)施例1-17至1-20制備圖形形成材料以與實(shí)施例1-1中相似的方式制備的基板A被浸入到t-丁基丙烯酸鹽溶液(30質(zhì)量％,溶劑，丙烯乙二醇單甲基酯(MFG))中，并且在氬氣氛下通過使用400W高壓水銀燈將其暴露到光達(dá)30分鐘。在光照射之后，所獲得的膜被用丙烯乙二醇單甲基酯(MFG)完全沖洗，以便提供聚-t-丁基丙烯酸鹽-接枝圖形-形成材料l-E。接枝圖形材料的制備具有以下合成物的溶液被涂敷到金屬(精細(xì)顆粒)膜圖形形成材料1-E上。所獲得的聚-t-丁基丙烯酸鹽膜是0.5pm。triphenylsulfoniumtriflate0.05g甲基乙基酮(MEK)lg而且，具有5pm線長(zhǎng)和25nm間隙寬度的圖形和10nm線長(zhǎng)和20nm間隙寬度的圖形的鉻沉積掩模圖形被設(shè)置于其上之后，通過使用400W高壓水銀燈對(duì)由此獲得的膜進(jìn)行圖形曝光達(dá)1分鐘，并之后在90'C下對(duì)其加熱達(dá)2分鐘。之后通過甲基乙基酮(MEK)沖洗所獲得的膜，以便提供接枝圖形材料l-E，其中在曝光區(qū)域中功能團(tuán)被轉(zhuǎn)換成吸收性基團(tuán)。如以與聚酰亞胺膜原材料相同的方式確定的接枝圖形材料1E的圖形化區(qū)域的Rz是15nm。金屬圖形的制備由此獲得的接枝圖形材料l-E被浸入到通過以下方法制備的含有承載正電荷Ag精細(xì)顆粒的分散液中達(dá)l小時(shí)且之后用蒸餾水沖洗。隨后，在與實(shí)施例l-l或l-4相同的無電鍍槽中對(duì)其制備方法3g的2(1，l-三甲基銨癸?；@乙酸)二硫化物被添加到50ml含有高氯酸銀(5ml)的乙醇溶液中，和30ml的氫硼化鈉溶液(0.4M)被進(jìn)一步逐滴地添加至其，同時(shí)有力地?cái)嚢柙撊芤阂员闶沟秒x子被降低，從而提供涂敷有四元氨基的銀精細(xì)顆粒的分散液。比較例1-4以與實(shí)施例1-17相同的方式制備金屬圖形E1-5,除了表面電荷改進(jìn)劑不被添加到在實(shí)施例l-U7至1-20中使用的無電鍍槽中。實(shí)施例1-21至1-24對(duì)與在實(shí)施例l-17至1-20中形成的相似的金屬圖形的每一個(gè)都進(jìn)行無電鍍Ni，并之后對(duì)其進(jìn)行薄的浸入鍍金，以便提供金屬圖形Fl-l至Fl-4。無電鍍鎳在85'C下在機(jī)械攪動(dòng)的情況下將金屬圖形浸入到無電鍍Ni-P電鍍?nèi)芤褐?商標(biāo)名ICPNICORONUSD,通過OKUNOCHEMICALINDUSTRIESCO.，LTD.制造)達(dá)10分鐘，以通過電鍍沉積0.4nm的Ni-P膜(P含量6.8X)。薄浸入金電鍍還使用浸入金電鍍?nèi)芤?商標(biāo)名OKUNOCHEMICALINDUSTRIESCO.,LTD.制造)，其中，在90'C下浸入金屬圖形達(dá)IO分鐘而不攪動(dòng)，以沉積約0.05pm的金?？蛇M(jìn)一步使用無氰基的自動(dòng)催化型無電鍍金溶液(商標(biāo)名509RS，通過KANTOCHEMICALCO.，INC制造)，其中在60°C和7.2pH下在平緩攪動(dòng)情況下進(jìn)行浸入以沉積0.5pm金并且獲得金屬圖形。評(píng)估金屬圖形的薄線寬的測(cè)量在實(shí)施例1-1至1-24和比較例1-1至1-4中獲得的每個(gè)金屬圖形的薄線寬度通過使用光學(xué)顯微鏡測(cè)量(商標(biāo)名OPTIPHOTO-2,通過NikonCorp.制造)。測(cè)量的結(jié)果總結(jié)在以下表2中。確定金屬膜的厚度在實(shí)施例1-1至1-24和比較例1-1至1-4中獲得的每一個(gè)金屬圖形都在垂直于基板表面的方向上通過使用切片機(jī)切割，所形成金屬膜的厚度通過觀測(cè)由SEM獲得的截面確定。測(cè)量結(jié)果是每個(gè)樣品三個(gè)點(diǎn)處厚度的平均值。測(cè)量結(jié)果被總結(jié)在以下表2中。評(píng)估電鍍層/電鍍催化劑層和接枝聚合物層之間的界面不均勻度在實(shí)施例1-1至1-24和比較例1-1至1-4中獲得的每個(gè)金屬圖形都在與基板垂直的方向上通過使用切片機(jī)切割，在電鍍層和電鍍催化劑層(無機(jī)成分)與接枝聚合物層(有機(jī)成分)之間的表面不均勻度通過觀測(cè)通過SEM獲得的截面確定。根據(jù)從最峰值到第五峰值的峰值平均值和從最小值至第五小值的小值平均值之間的每個(gè)樣品lpm的差值獲得表面不均勻度。測(cè)量結(jié)果總結(jié)在以下的表2中。評(píng)估粘著性銅板(厚度O.lmm)通過環(huán)氧樹脂基粘附劑(商標(biāo)名ARALDITE，通過Ciba-GeigyCorp.制造)被粘附到通過實(shí)施例1_1至1-24和比較例1-1至l-4中獲得的每個(gè)金屬圖形表面上。并在140'C下被干燥達(dá)4小時(shí)。之后，根據(jù)90度下用于印刷引線板的銅覆疊層的常規(guī)公知的測(cè)試方法進(jìn)行90度粘附測(cè)試。測(cè)量結(jié)果總結(jié)在以下的表2中。金暴露部分具有5nm具有基板界粘附性屬厚度10fim厚面的不(kN/<table>tableseeoriginaldocumentpage62</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage63</column></row><table>表2實(shí)施例1-25接枝圖形的制備用#6的橫桿丙烯酸被涂敷到以與實(shí)施例l-l相似的方式制備的基板A的表面上，和涂覆表面疊置有具有25pm后的PET膜。而且，在具有5jim線長(zhǎng)和25nm間隙寬度的圖形和lOjim線長(zhǎng)和20pm間隙寬度的圖形的鉻沉積掩模圖形被設(shè)置于其上之后，基板A根據(jù)上述情況暴露于UV光(400W高壓水銀燈，商標(biāo)名UVL-400P，由PikoKagakuSangyoCo.，制造，照射周期30秒)。在光照射之后，去除掩模和疊置膜，和用水沖洗基板以便提供具有以圖形形式接枝的聚丙烯酸的接枝圖形材料l-G。由此獲得的接枝圖形被浸入到含有1%染料的水溶液中，并通過光學(xué)顯微鏡觀測(cè)(測(cè)量)。發(fā)現(xiàn)了通過具有10pm線寬和10nm間隔的圖形再制造的接枝圖形。金屬圖形的形成薄銅電鍍作為主要電鍍接枝圖形材料l-G被浸入到含有0.1質(zhì)量％的硝酸鈀(由WakoPureChemicalIndustries制造)水溶液中達(dá)l小時(shí)，和之后用蒸餾水清洗。進(jìn)一步將接枝圖像材料1-G浸入到0.2MNaBH4的水溶液中達(dá)20分鐘，以使施加至其的鈀被降低到零價(jià)。因此，將圖形材料浸入到具有與實(shí)施例1-1至1-4中使用的相同的合成物的無電鍍槽中達(dá)20分鐘，以便提供金屬圖形Gl-l。通過SEM觀測(cè)(測(cè)量)到接枝圖形具有l(wèi)lfim線長(zhǎng)lOnm間隔和lnm厚度。將表面電勢(shì)施加到除了銅圖形之外的部分具有四元胺基的聚合物P1的合成10份重量的月桂酰丙烯酸酯、10份重量的聚乙烯乙二醇丙烯酸酯(商標(biāo)名AE-350，由NipponOil&FatsCo.，Ltd.制造，乙烯乙二醇鏈長(zhǎng)6至8)，40份重量的二甲基氨絡(luò)乙基丙烯酸酯和150份重量的四氫呋喃被添加到裝配有回流冷凝器、溫度計(jì)和攪拌器的容器中。原子團(tuán)聚合引發(fā)劑(商標(biāo)名V-65,由WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)被添加至其，和在四氧呋喃的回流下進(jìn)行聚合反應(yīng)達(dá)10小時(shí)。因此，量與二甲基氨絡(luò)乙基丙烯酸酯相同的二甲基硫酸鹽添加到反應(yīng)系統(tǒng)中，并進(jìn)一步回流達(dá)1小時(shí)，用于進(jìn)行季銨化反應(yīng)。在完成該反應(yīng)之后，用己烷沖洗反應(yīng)溶液，并對(duì)其進(jìn)行再沉淀以提供化合物Pl。注意，也可通過用二甲基硫酸鹽作為開始材料使用由季胺化二甲基氨絡(luò)乙基丙烯酸酯制造的單體來提供相同的化合物Pl。獲得的化合物Pl溶解在乙醇和水的混合溶劑中(重量比為20:100),以通過5質(zhì)量％的化合物Pl的溶液，將其指定為溶液A2。如上所述的薄銅圖形被浸入到該溶液中達(dá)5分鐘，并之后干燥。作為使用zeta電壓計(jì)(通過OtsukaElectronicsCo.,Ltd制造)的測(cè)量結(jié)果，銅圖形部分的表面電勢(shì)是+0.0mV,而除了銅圖形之外的部分的表面電勢(shì)是十3OmV。形成厚的銅圖形作為第二次電鍍基板通過與薄電鍍相同的方法被無電鍍達(dá)30分鐘，以獲得10fim厚的圖形，其具有13的線寬和7pm的間隔，并由此發(fā)現(xiàn)，電鍍?cè)诤穸确较蛏线x擇性進(jìn)行。比較例1-5除了不進(jìn)行銨處理之外以與實(shí)施例1-25中相同的方式進(jìn)行無電鍍達(dá)35分鐘。形成lOnm厚的圖形；然而，電鍍也繼續(xù)進(jìn)展到間隔部分以完全退化圖形。觀測(cè)具有金屬圖形的聚合物中分散的精細(xì)顆粒的狀態(tài)具有自在實(shí)施例1-3中獲得的金屬圖形C的金屬膜的區(qū)域通過裝配有切片機(jī)(由Leica制造)的金剛石切割器(商標(biāo)名SUMIKNIFE,由SumitonoElectricHardmetalCorp.制造)來切害ij,以制備電鍍的清潔截面。用SEM觀測(cè)由此獲得的樣品的結(jié)果是，精細(xì)顆粒的分散狀態(tài)能夠在與金屬膜相鄰的聚合物中發(fā)現(xiàn)。圖1是在實(shí)施例3中獲得的金屬圖形C的截面的SEM照片。圖1中，10表示電鍍層(催化劑)和接枝聚合物層界面的不均勻部分，n表示電鍍層，12表示無電鍍層，和13表示有機(jī)/無機(jī)混合層。根據(jù)圖l的照片可確定，看起來由借助于無電鍍沉積的至少一種類型的金屬構(gòu)成的無電鍍催化劑和精細(xì)顆粒高密度地存在于與金屬膜界面附近處的聚合物層中。在聚合物層的較深底部部分(基板附近)處觀測(cè)非常少量的精細(xì)顆粒。之后用軟件PHOTOSHOP(通過AdobeSystemsIncorporated制造)對(duì)SEM照片進(jìn)行圖像處理。在圖像處理中，顯示出自在6nm寬范圍內(nèi)的聚合物層(圖1中的有機(jī)/無機(jī)混合層)和金屬膜(無電鍍層)之間的界面深度為O.lnm、0.2nm或0.3pm的區(qū)域的一部分圖像被切割，并將其轉(zhuǎn)換成黑和白(圖像處理)，其中精細(xì)顆粒部分的圖像被轉(zhuǎn)換成白，而聚合物部分被轉(zhuǎn)換成黑(黑和白轉(zhuǎn)換條件邊界閾值為100)。獲得的圖像在圖2中示出。在圖像直方圖中，可計(jì)算在圖2中每一深度處的白部分比例，并將其限定為在存在于電鍍層下部下方的接枝聚合物層中的精細(xì)顆粒的含量。結(jié)果，在深度為0.3nm、0.2nm和O.lnm的區(qū)域中精細(xì)顆粒的含量分別被計(jì)算為53體積％,60體積％和60體積％，且可以確定，精細(xì)顆粒以高密度存在于與金屬膜界面的附近。實(shí)施例和比較例的電鍍催化抑制劑的相關(guān)利用比較例2-1金屬圖形的形成將將誒至圖形材料l-A浸入到0.1質(zhì)量％硝酸鈀(由WakoPureChemicalIndustries制造)水溶液中達(dá)l小時(shí)，和之后用蒸餾水清洗。隨后，對(duì)接枝圖形材料l-A具有以下通式的無電鍍達(dá)20分鐘，以便提供金屬圖形A2-l。無電鍍槽的成分OPC銅HTl(由OkunoChemicalIndustriesCO.，Ltd.制造)6mLOPC銅HT2(由OkunoChemicalIndustriesCO.，Ltd.制造)1.2mLOPC銅HT3(由OkunoChemicalIndustriesCO.，Ltd.制造)10mL水83mL實(shí)施例2-1至2-4在與比較例2-1中相同的方式制備金屬圖形A2-2至A2-4,除了如以下表3中列出的電鍍催化抑制劑被進(jìn)一步添加以便成為如表3中示出的各自濃度。<table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>0.01或更小的絕緣樹脂形成。絕緣樹脂的介電常數(shù)和節(jié)點(diǎn)損耗正切通過常規(guī)方法確定，該方法例如是在2004年第18屆JIEPAnnual會(huì)議摘要第189頁中描述的方法，其中使用了利用測(cè)量裝置和系統(tǒng)er和tanS用于由Keycon有線公司制造的超薄片的空腔振蕩器擾動(dòng)方法。由此，這對(duì)于在介電常數(shù)和介電損耗正切的光中選擇絕緣樹脂是有用的。具有3.5或更少介電常數(shù)和0.01或更少介電損耗正切的絕緣樹脂的實(shí)施例包括液晶樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚異密數(shù)值和氰酸鹽酯樹脂、二(二苯撐)乙烷樹脂等，并且進(jìn)一步包括其改良樹脂。形成圖形(圖像)在實(shí)施例(1)中，通過照射輻射線如光來形成圖形。當(dāng)在存在光熱轉(zhuǎn)換材料的情況下進(jìn)行光照射時(shí)，圖形可通過經(jīng)由具有紅外射線區(qū)域等的波長(zhǎng)的激光束的掃描曝光進(jìn)行加熱來形成。用于形成圖形的方法實(shí)施例包括這樣的方法，其包括通過加熱或輻射線照射的寫入包括對(duì)光的曝光。其具體實(shí)施例包括使用紅外激光、紫外燈、可見光等的光照射，電子束照射如y射線照射、通過熱頭的熱寫入等。用于其的光源實(shí)施例包括水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學(xué)燈、碳弧燈等。輻射的實(shí)施例包括電子束、X-射線、離子束、遠(yuǎn)紅外線等。此外，可使用g-射線、i-射線、深UV射線和高密度能量束(激光束)。通常使用的實(shí)施例的具體實(shí)施例包括通過熱記錄頭等直接寫入；通過紅外激光的掃描曝光；通過氤放電燈等的高亮度快閃曝光；紅外線燈曝光等等?？商鎿Q地，在聚合物層通過使用對(duì)波長(zhǎng)700nm或更小的波長(zhǎng)下的光敏干的極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)獲得的情況下，任一種光照射方法都能使用，只要其在圖形形成層中引起極性轉(zhuǎn)換即可，即，其可以通過分解、打開或取代極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)來改變極性轉(zhuǎn)換基團(tuán)的親水性/疏水性。例如，可通過紫外燈或可見光等獲得光照射。這些光源的實(shí)施例包括水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學(xué)燈、碳弧燈等。優(yōu)選使用引入極性轉(zhuǎn)換的方法，用于通過激光曝光基于計(jì)算將圖形材料浸入到具有與比較例2-l中使用的相同的合成物的無電鍍槽中達(dá)20分鐘，以便提供金屬圖形B2-l。實(shí)施例2-5至2-8金屬圖形B2-2至B2-5以與比較例2-6中相同的方式制備，除了，除了在實(shí)施例2-1至2-4中使用的且在表3中列出的被進(jìn)一步添加至其以便分別具有與表3中示出的相同的濃度。比較例2-7將與實(shí)施例1_9至1-12中使用的含有親水性聚合物的涂覆溶液相似的涂覆溶液涂覆到基板A上，該基板A以與實(shí)施例2-1中相似的方式制備。之后對(duì)基板進(jìn)行圖形曝光，并以與實(shí)施例1-9至1-12中相同的方式?jīng)_洗，以便提供接枝圖形材料2-C，其中暴露部分成為親水性的。如以與聚酰亞胺膜相似的方式確定的接枝圖形材料2-C的圖形化區(qū)域的Rz為15nm。形成金屬圖形所獲得的接枝圖形材料2-C被浸入到0.1質(zhì)量％硝酸銀(由WakoPureChemicalIndustries制造)水溶液中達(dá)l小時(shí)，和之后用蒸餾水清洗。隨后，在與比較例2-l中使用的無電鍍槽相同的無電鍍槽中對(duì)其進(jìn)行無電鍍達(dá)20分鐘，以便提供金屬圖形C2-2至C2-5。比較例2-8進(jìn)一步對(duì)以與比較例2-7中相同的方式形成的金屬圖形進(jìn)行電鍍達(dá)15分鐘，以便提供金屬圖形D2-l。其中使用的電鍍槽具有與實(shí)施例1-13至1-16中使用的相同的合成物。實(shí)施例2-13至2-16進(jìn)一步對(duì)與實(shí)施例2-9至2-12中相同方式形成的金屬圖形進(jìn)行電鍍達(dá)15分鐘，以便提供金屬圖形D2-2至D2-5。比較例2-9制備圖形形成材料以與實(shí)施例2-1中相似的方式制備的基板A被浸入到t-丁基丙烯酸鹽溶液(30質(zhì)量％，溶劑，丙烯乙二醇單甲基酯(MFG))中，并且在氬氣氛下通過使用400W高壓水銀燈將其暴露到光達(dá)30分鐘。在光照射之后，所獲得的膜被用丙烯乙二醇單甲基酯(MFG)完全沖洗，以便提供聚-t-丁基丙烯酸鹽-接枝圖形-形成材料2-E。接枝圖形材料的制備具有以下合成物的溶液被涂覆到金屬(精細(xì)顆粒)膜圖形形成材料1-E上。所獲得的聚-t-丁基丙烯酸鹽膜是0.5pm。triphenylsulfoniumtriflate0.05g甲基乙基酮(MEK)lg而且，具有5jim線長(zhǎng)和25jim間隙寬度的圖形和10jim線長(zhǎng)和20pm間隙寬度的圖形的鉻沉積掩模圖形被設(shè)置于其上之后，通過使用400W高壓水銀燈對(duì)由此獲得的膜進(jìn)行圖形曝光達(dá)l分鐘，并之后在90'C下對(duì)其加熱達(dá)2分鐘。之后通過甲基乙基酮(MEK)沖洗所獲得的膜，以便提供接枝圖形材料2-E,其中在曝光區(qū)域中功能團(tuán)被轉(zhuǎn)換成吸收性基團(tuán)。如以與聚酰亞胺膜原材料相同的方式確定的接枝圖形材料2E的圖形化區(qū)域的Rz是15nm。金屬圖形的制備由此獲得的接枝圖形材料2-E被浸入到通過以下方法制備的含有承載正電荷Ag精細(xì)顆粒的分散液中達(dá)l小時(shí)且之后用蒸餾水沖洗。隨后，在與比較例2-l相同的無電鍍槽中進(jìn)行無電鍍達(dá)20分鐘，以便提供金屬圖形E2-l。承載正電荷Ag精細(xì)顆粒的制備方法3g的2(1，l-三甲基銨癸?；@乙酸)二硫化物被添加到50ml含有高氯酸銀(5ml)的乙醇溶液中，和30ml的氫硼化鈉溶液(0.4M)被進(jìn)一步逐滴地添加至其，同時(shí)有力地?cái)嚢柙撊芤阂员闶沟秒x子被降低，從而提供涂覆有四元氨基的銀精細(xì)顆粒的分散液。比較例2-17至2-20以與比較例2-9相同的方式制備金屬圖形E2-2至E2-5,除了在實(shí)施例2-1至2-4中使用的并在表3中列出的電鍍催化抑制劑被進(jìn)一步添加至其以便分別具有圖表3中所示的相似的濃度。比較例2-10對(duì)與在常規(guī)實(shí)施例2-9中形成的相似的金屬圖形進(jìn)一步進(jìn)行無電鍍Ni，并之后對(duì)其進(jìn)行薄浸入金電鍍，以便提供金屬圖形F2-l。無電鍍Ni和薄浸入金電鍍?cè)谂c實(shí)施例1-21至1-24中使用的相同條件下進(jìn)行。實(shí)施例2-21至2-24對(duì)與在實(shí)施例2-10中形成的相似的金屬圖形的每一個(gè)進(jìn)行無電鍍Ni,并之后以與比較例2-10中相同的方式對(duì)其進(jìn)行薄浸入金電鍍，以便提供金屬圖形F2-2至F2-5。評(píng)估在實(shí)施例2-1至2-24和比較例2-1至2-10中獲得的金屬圖形中的每一個(gè)的薄線寬以與對(duì)于實(shí)施例1-1至l-24相同的方式測(cè)量。測(cè)量結(jié)果總結(jié)在以下的表5和6中。<table>tableseeoriginaldocumentpage70</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage71</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage72</column></row><table>例2<table>tableseeoriginaldocumentpage73</column></row><table>表6表3、5的結(jié)果顯示了在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中獲得的所有金屬圖形分別具有寬度至多為10fim的精細(xì)線，這難以通過常規(guī)技術(shù)獲得。該結(jié)果還證實(shí)能通過接枝圖形形成方法和曝光條件控制該精細(xì)線寬。還發(fā)現(xiàn)，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中獲得的所有金屬圖形都分別具有足以提供導(dǎo)電性的銅厚度。關(guān)于暴露圖形的線寬可觀測(cè)到不怎么增加的精細(xì)線線寬，和獲得了具有容易再造的暴露圖形精細(xì)線寬的金屬圖形。還發(fā)現(xiàn)，能獲得具有其金屬膜厚度與其金屬膜線寬的比率為l或更多的金屬圖形，而這種金屬圖形可通過常規(guī)方法容易地獲得。還已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，如果添加了電鍍催化抑制劑，則在電鍍?nèi)芤褐蟹浅８叩拇呋种苿舛?與比較例2-2至2-5中相同)導(dǎo)致了對(duì)電鍍的足夠抑制和電鍍速度的明顯降低，由此不能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明有利效果。在實(shí)施例1-9至l-12和2-13至2-16中已經(jīng)證實(shí)，具有所需厚度的圖形化金屬膜可通過進(jìn)一步進(jìn)行電鍍來獲得。還發(fā)現(xiàn)，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例中獲得的所有金屬圖形每一個(gè)都具有不規(guī)則度為100pm或更少的膜界面和此的好表面光滑度，并且在基板和金屬膜之間還具有良好粘附性。而且，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例中獲得的所有金屬膜和導(dǎo)電膜都形成于具有不均勻度(Rz)為500nm或更少的基板表面，且接枝層或接枝圖形被形成于基板上。結(jié)果，接枝層或接枝圖形表面的不均勻度Rz為500nm或更少；通過電鍍形成為圖形的所有金屬膜或金屬圖形在電鍍層(金屬膜)和電鍍催化劑層與接枝聚合物層(有機(jī)材料成分)之間.的界面具有優(yōu)選在500nm或更少范圍內(nèi)的不均勻度。這一點(diǎn)上，電鍍金屬或電鍍催化劑可通過不只進(jìn)入到接枝聚合物層的表面中、還進(jìn)入到接枝聚合物層的內(nèi)部來混合。由于該混合，在電鍍層(金屬膜)和電鍍催化層(無機(jī)材料成分)與接枝聚合物層(有機(jī)材料成分)之間的界面具有優(yōu)良的表面光滑度，并且還在基板和金屬膜之間還具有優(yōu)良的粘附性。通過參考其整體內(nèi)容，日本專利申請(qǐng)No.2005-323221和2005-40610的公開內(nèi)容并入本文。在此，本說明書中提到的所有的文獻(xiàn)、專利申請(qǐng)和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)都不同程度地并入本文，就象每一個(gè)單獨(dú)文獻(xiàn)、專利申請(qǐng)或技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)具體地并單獨(dú)地被指定為通過參考而并入一樣。權(quán)利要求1.一種金屬圖形形成方法，其特征在于包括(a)以圖形形式在基板上形成含有聚合物的聚合物層，該聚合物具有與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)并能夠直接化學(xué)鍵合到基板上的官能團(tuán)；(b)將無電鍍催化劑或其前體施加到聚合物層上；和(c)通過使用無電鍍?nèi)芤簩?duì)具有聚合物層的基板進(jìn)行無電鍍形成圖形形式的金屬膜，其中，在(c)形成金屬膜之前或期間，使用包括表面電荷改進(jìn)劑或者1×10-10至1×10-4mmol/l的電鍍催化抑制劑的溶液處理具有聚合物層被施加有無電鍍催化劑或其前體的基板。2.如權(quán)利要求1所述的金屬圖形形成方法，其特征在于無電鍍?nèi)芤喊ū砻骐姾筛倪M(jìn)劑。3.如權(quán)利要求l所述的金屬圖形形成方法，其特征在于(c)形成金屬膜的步驟包括(c-2)用含有表面電荷改進(jìn)劑的槽處理具有聚合物層的基板；和(c-3)對(duì)具有聚合物層的基板進(jìn)行無電鍍，以便形成圖形形式的金屬膜。4.如權(quán)利要求2或3所述的金屬圖形形成方法，其特征在于表面電荷改進(jìn)劑是有機(jī)化合物，在其分子中具有(i)與基板具有親合力的基團(tuán)和(ii)離子離去基團(tuán)。5.如權(quán)利要求l所述的金屬圖形形成方法，其特征在于無電鍍?nèi)芤喊?10—1()至lxl0"mmo1/1的電鍍催化抑制劑。6.如權(quán)利要求l所述的金屬圖形形成方法，其特征在于(c)形成金屬膜包括(c-2')對(duì)具有聚合物層的基板進(jìn)行無電鍍，同時(shí)將電鍍催化抑制劑添加到無電鍍?nèi)芤褐校篃o電鍍?nèi)芤褐须婂兇呋种苿┑臐舛缺３衷?"0—1()至1x10—4mm0l/1的范圍內(nèi)，以便形成圖形形式的金屬膜。7.如權(quán)利要求5或6所述的金屬圖形形成方法，其特征在于電鍍催化抑制劑是一種金屬離子，該金屬選自由Pb、Sn、As、Sb、Bi、Cr、Mo、Cd、In、Ti、W、Nb和Ti構(gòu)成的組。8.如權(quán)利要求5或6所述的金屬圖形形成方法，其特征在于電鍍催化抑制劑是無機(jī)陰離子，其選自由碘陰離子、溴陰離子和硫陰離子構(gòu)成的組。9.如權(quán)利要求5或6所述的金屬圖形形成方法，其特征在于電鍍催化抑制劑是有機(jī)化合物，在其分子中具有和電鍍金屬有親和力的基團(tuán)。10.如權(quán)利要求9所述的金屬圖形形成方法，其特征在于電鍍催化抑制劑進(jìn)一步在其分子中具有離子離去基團(tuán)。11.如權(quán)利要求l至IO中任意一項(xiàng)所述的金屬圖形形成方法，其特征在于在無電鍍中的無電鍍?nèi)芤哼x自由無電鍍銅溶液、無電鍍銀溶液和無電鍍金溶液構(gòu)成的組。12.如權(quán)利要求1至11中任意一項(xiàng)所述的金屬圖形形成方法，其特征在于進(jìn)一步包括在無電鍍之后進(jìn)行電鍍的步驟。13.如權(quán)利要求l至12中任意一項(xiàng)所述的金屬圖形形成方法，其特征在于基板具有表面不均勻度為500nm或更少的基板；在基板和金屬膜之間的粘附性為0.2kN/m或更多；和至少滿足以下條件(1)至(3)中的一個(gè)(1)金屬膜的厚度為3jim或更多；(q-p)<r,其中p表示圖形形式的圖形線寬，q表示通過無電鍍形成的金屬膜的線寬，和r表示通過無電鍍形成的金屬膜的厚度；(2)聚合物層具有其中散布精細(xì)顆粒的區(qū)域，該精細(xì)顆粒包括無電鍍催化劑顆粒和通過無電鍍沉積的金屬顆粒中的至少一種，體積含量是25%或更多，該區(qū)域自聚合物層和金屬膜界面在向著基板的方向上延伸0.05jim或更多；和金屬膜與金屬膜線寬的比率為l或更多；(3)金屬膜厚度是4nm或更多；聚合物層具有其中散布精細(xì)顆粒的區(qū)域，該精細(xì)顆粒包括無電鍍催化劑顆粒和通過無電鍍沉積的金屬顆粒中的至少一種，體積含量為25%或更多，該區(qū)域從聚合物層與金屬膜的界面在向著基板的方向上延伸0.05jim或更多；和金屬膜厚度與金屬膜線寬的比率是l或更大。14.如權(quán)利要求13所述的金屬圖形形成方法，其特征在于基板具有10nm或更少的表面不均勻度。全文摘要本發(fā)明提供了一種金屬圖形形成方法，包括(a)以圖形形式在基板上形成含有聚合物的聚合物層，該聚合物具有與無電鍍催化劑或其前體反應(yīng)的官能團(tuán)；(b)將無電鍍催化劑或其前體施加到聚合物層上；和(c)通過使用無電鍍?nèi)芤簩?duì)具有聚合物層的基板進(jìn)行無電鍍形成圖形形式的金屬膜，其中，在(c)形成金屬膜之前或期間，使用包括表面電荷改進(jìn)劑或者1×10^-10至1×10^-4mmol/l的電鍍催化抑制劑的溶液處理基板。本發(fā)明還提供了一種由此獲得的金屬圖形。而且，本發(fā)明提供了一種印刷引線板和TFT引線板，其每一個(gè)都使用金屬圖形作為導(dǎo)電層。文檔編號(hào)H05K3/18GK101120621SQ200680004329公開日2008年2月6日申請(qǐng)日期2006年2月8日優(yōu)先權(quán)日2005年2月8日發(fā)明者加納丈嘉,川村浩一,松本和彥申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社