專利名稱：二硅化鉬系陶瓷發(fā)熱體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及二硅化鉬系陶瓷發(fā)熱體。
背景技術(shù)：
二硅化鉬系陶瓷發(fā)熱體(以下稱為“MoSi2系發(fā)熱體”)，由于形成二氧化硅(SiO2)氧化保護(hù)膜而在高溫下表現(xiàn)出優(yōu)良的耐氧化性能，因而被用來作為在氧化性氣氛中使用的高溫加熱爐用發(fā)熱體。一般的MoSi2系發(fā)熱體是通過在MoSi2粉末中加入含有膨潤土的粘土礦物來制造，在發(fā)熱體中含有大約10～20體積％的二氧化硅系氧化物相。粘土礦物起到成形助劑、燒結(jié)助劑、二氧化硅保護(hù)膜生成促進(jìn)劑以及電阻調(diào)整劑等作用。
MoSi2系發(fā)熱體的制造工序大致為，在原料粉末中添加規(guī)定量的粘合劑和水進(jìn)行混煉，將制成的粘土進(jìn)行擠壓成型，制成規(guī)定線徑、長度的坯體，將該坯體在規(guī)定的條件下進(jìn)行干燥、燒結(jié)，從而得到發(fā)熱體坯料。如果粘合劑使用了大量的有機系材料的話，一般要在燒結(jié)前于氫氣氣氛中等進(jìn)行脫脂。由于發(fā)熱體坯料在高溫下具有優(yōu)良的可塑性，隨后在高溫下進(jìn)行直線度的校正。
具體而言，對發(fā)熱體坯料施加電流而使其自身發(fā)熱，在此狀態(tài)下對發(fā)熱體坯料的兩端施加規(guī)定的張力負(fù)荷來進(jìn)行發(fā)熱體的直線度的校正。由于該操作是在大氣中進(jìn)行，在發(fā)熱體坯料具有可塑性的溫度區(qū)間，二硅化鉬系陶瓷中的硅(Si)發(fā)生選擇性氧化，或者通過通常添加劑中所含有的玻璃成分，在發(fā)熱體表面上形成玻璃質(zhì)的致密氧化膜。如果發(fā)熱體表面形成氧化膜，則發(fā)熱體坯料的強度特性、耐氧化特性顯著改善。這樣，一般都在MoSi2系發(fā)熱體表面預(yù)先形成氧化膜。另外，通過進(jìn)行上述處理，也對發(fā)熱體坯料進(jìn)行了燒結(jié)(通電燒結(jié))。
通過對這樣得到的線材進(jìn)行彎曲加工和接合，形成了目標(biāo)形狀的發(fā)熱體。有代表性的U字形MoSi2系發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)是，端子部的直徑約為發(fā)熱部直徑的2倍，降低了端子部的電阻，在通電加熱時僅有發(fā)熱部達(dá)到高溫。至于發(fā)熱部和端子部的接合方法，一般是對二者進(jìn)行加壓的同時，通過電阻對接而加熱進(jìn)行固相擴散接合的方法。
MoSi2系材料，在400～600℃溫度下，會發(fā)生由于基體氧化而粉化的稱為“粉糊(ぺスト)”的特有現(xiàn)象，所以，MoSi2系發(fā)熱體不適合在低溫下使用。對于高溫加熱爐中使用的發(fā)熱體，暴露于低溫環(huán)境中的端子部也易于發(fā)生粉糊的現(xiàn)象，引起導(dǎo)通不良、破斷等問題。
在非專利文獻(xiàn)1中曾報告說，隨著在MoSi2系陶瓷的缺陷部或者晶界處生成MoO3而產(chǎn)生的體積膨脹和高蒸汽壓是導(dǎo)致粉糊現(xiàn)象的原因。因此認(rèn)為，對于防止粉糊，制作充分致密的材料，消除裂紋、孔洞等缺陷將會是有效的。
另外，在專利文獻(xiàn)1中，認(rèn)為由于在晶界上形成的MoO3而引起的晶界剝離(分離)是產(chǎn)生粉糊的主要原因，因此在進(jìn)行MoSi2系陶瓷的材料設(shè)計時要盡可能減少MoSi2晶粒的晶界。即，在添加含有膨潤土的粘土礦物時要使得發(fā)熱體中的二氧化硅系氧化物的含量高于以往。通過形成在MoSi2晶粒的晶界處存在二氧化硅系氧化物相的組織，可以抑制粉糊現(xiàn)象的發(fā)生。另外，在易于產(chǎn)生粉糊現(xiàn)象的端子部，通過使用具有這樣組織的材料，可以提高發(fā)熱體的耐久性。
但是，上述專利文獻(xiàn)1中公開的發(fā)熱體，雖然在小于等于1200℃的低溫加熱爐中可以發(fā)揮充分的耐熱性，但用于在高溫范圍使用的加熱爐時耐熱性方面存在問題。即，在發(fā)熱部，由于二氧化硅系氧化物的含量高而使熔點下降，暴露于高溫中時產(chǎn)生變形、氣泡等，無法發(fā)揮作為發(fā)熱體的功能。
專利文獻(xiàn)1特開平11-317282號公報非專利文獻(xiàn)1黑川，第22回コロ一ジヨン·セミナ一，腐食防食協(xié)會，1995，63-81頁發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是，提供一種具有優(yōu)異耐熱性和耐粉糊性的、在超過1200℃的高溫區(qū)域仍可長時間穩(wěn)定使用的MoSi2系發(fā)熱體。
為了解決上述問題，本發(fā)明的MoSi2系發(fā)熱體的特征是，由二氧化硅系氧化物的含量為5～25體積％的發(fā)熱部和30～60體積％的端子部構(gòu)成。其中，優(yōu)選的是，發(fā)熱部和端子部的電阻率差小于等于20％。
而且，本發(fā)明中，在二氧化硅系氧化物含量為大于等于5體積、小于15體積％的發(fā)熱部和30～60體積％的端子部之間，還可以設(shè)置二氧化硅系氧化物含量大于等于15體積％、小于30體積％的中間部。其中優(yōu)選的是，發(fā)熱部和中間部、端子部和中間部的電阻率差小于等于20％。
本發(fā)明的MoSi2系發(fā)熱體，由于發(fā)熱部的二氧化硅系氧化物的含量為5～25體積％，端子部的二氧化硅系氧化物的含量為30～60體積％，因而具有良好的耐熱性和耐粉糊性。其中，通過將發(fā)熱部和端子部的電阻率差控制在小于等于20％，可以減小接合時由于通電而引起的兩者的發(fā)熱溫度差，因而可以提高接合強度，提高可靠性。從而可以制造線徑與一般市售品具有互換性并且耐熱性和耐粉糊性優(yōu)良的MoSi2系發(fā)熱體。
另外，在本發(fā)明的MoSi2系發(fā)熱體中，在二氧化硅系氧化物含量為大于等于5體積％、小于15體積％的發(fā)熱部和30～60體積％的端子部之間，介入二氧化硅系氧化物含量為大于等于15體積％、小于30體積％的中間部，同樣也可以獲得優(yōu)良的耐熱性和耐粉糊性。其中，通過將各部件之間的電阻率差規(guī)定為小于等于20％，可以提高接合強度，提高發(fā)熱體的可靠性。


圖1是本發(fā)明的第一實施方式所涉及的MoSi2系發(fā)熱體的示意圖。
圖2是本發(fā)明的第二實施方式所涉及的MoSi2系發(fā)熱體的示意圖。
圖3是表示通電試驗時循環(huán)曲線示意圖。
圖4時表示電阻對接接合法的示意圖。
其中，1、2為MoSi2系發(fā)熱體，10為發(fā)熱部，20為端子部，22為接合端面，30為中間部。
具體實施例方式
圖1表示本發(fā)明的第一實施方式所涉及的MoSi2系發(fā)熱體。第一實施方式所涉及的MoSi2系發(fā)熱體1，由二氧化硅系氧化物含量為5～25體積％的發(fā)熱部10和30～60體積％的端子部20構(gòu)成，通過對二者進(jìn)行加壓的同時采用電阻對接法來加熱而進(jìn)行的固相擴散接合來制成。其中，優(yōu)選的是，發(fā)熱部10的二氧化硅系氧化物的含量為5～15體積％。端子部20的一個端面22和U字形的發(fā)熱部10的端面相接合。發(fā)熱部10和端子部20的表面被氧化物膜覆蓋著，端子部20的一部分上的氧化物膜被除去，在其上面形成Al噴鍍膜24作為電極。
發(fā)熱部10和端子部20的二氧化硅系氧化物的含量，由粘土礦物的添加量來控制。將MoSi2粉末和粘土礦物混合后，通過擠壓成形形成具有特定直徑的棒狀，對干燥后得到的生坯進(jìn)行燒結(jié)，制作成發(fā)熱體坯料。其中，二氧化硅系氧化物的含量，是通過使用1μm的氧化鋁將發(fā)熱體的斷面拋光研磨后，由光學(xué)顯微鏡照片(×1000)進(jìn)行圖像分析求出來的。具體而言，將發(fā)熱體拋光面的光學(xué)顯微鏡照片放入Luzex Fリアルタイム圖像處理分析裝置(株式會社ニレコ制造)中進(jìn)行圖像處理，以求出的二氧化硅系氧化物的面積率作為二氧化硅系氧化物的含量。而且，面積率取5個視場的平均值。
作為接合的方法，通常進(jìn)行如圖4所示的電阻對接接合。在發(fā)熱部110和端子部120上分別安裝電極130、132，在發(fā)熱部110的端面112和端子部120的端面122相互接觸的狀態(tài)，對電極130和132之間施加交流電流，使得端面112、122在加壓下加熱而接合。其中，可以調(diào)節(jié)從發(fā)熱部和端子部的接合端面112、122到電極130、132的距離A、B。即，如果增大發(fā)熱部110側(cè)的距離A，則端子部120側(cè)的距離B或者端子梯度部的長度C就變短。由于發(fā)熱部110和端子部120的二氧化硅系氧化物的含量不同，二者的電阻率也不同，通電時在兩部件之間產(chǎn)生溫度差，采用上述的方法可以將發(fā)熱部110和端子部120的發(fā)熱量調(diào)整到相同的程度。結(jié)果使得兩部件之間溫度差減小，可以進(jìn)行充分的固相擴散，從而得到接合強度優(yōu)良的發(fā)熱體。
此外，由于粘土礦物的添加量不同，通過改變二氧化硅系氧化物含量不同的發(fā)熱部10和端子部20的燒結(jié)溫度，可以降低二者之間的電阻率差。其中，如果二者之間的電阻率差小于等于20％，在接合時進(jìn)行充分的固相擴散，可以得到可靠性優(yōu)良的發(fā)熱體。而且，在使用二氧化硅系氧化物含量為傾斜分布的部件的場合，只要至少在接合部附近的兩種部件間的電阻率差小于等于20％即可。如果端子部在更高溫度下燒成，則MoSi2晶體和二氧化硅系氧化物的粒子發(fā)生粒子長大。為此，只要在比燒結(jié)發(fā)熱部10時更高的溫度下燒結(jié)希望降低電阻率的端子部20，選定的燒結(jié)條件使得發(fā)熱部10和端子部20的電阻率差小于等于20％即可。此時的燒結(jié)優(yōu)選在氬氣等惰性氣體或者氫氣的氣氛中進(jìn)行。這里所說的發(fā)熱部和端子部的電阻率差，是指端子部的室溫電阻率和發(fā)熱部的室溫電阻率之差與發(fā)熱部的室溫電阻率的比值。
如果用上述方法調(diào)整電阻率，就不需要調(diào)整端子部和發(fā)熱部的接合端面與電極間的距離。由此可以防止因發(fā)熱部一側(cè)的距離A增長而易于產(chǎn)生的接合部以外的變形，以及當(dāng)端子部一側(cè)的距離B或者端子梯度部的長度C變短時，由于電極132的氧化而引起火花等嚴(yán)重問題，其中電極132的氧化是由于接合時所產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)到電極132而產(chǎn)生的。另外，由于沒有必要通過改變端子部的線徑來調(diào)整電阻率，與一般市售品具有互換性，并且可以提供接合強度高的發(fā)熱體。
將發(fā)熱部10和端子部20在相同條件下燒成，然后，將端子部20在大氣中再度進(jìn)行加熱處理，可以使MoSi2晶體和二氧化硅系氧化物的粒子變得粗大。這種情況下，只要選擇熱處理條件，使得與發(fā)熱部的電阻率差控制在一定范圍內(nèi)即可。而且，在氧化性氣氛中進(jìn)行熱處理的情況下，在端子部上形成數(shù)十μm的二氧化硅保護(hù)膜，因而可以進(jìn)一步提高端子部的耐粉糊性。
這樣，通過控制二氧化硅系氧化物含量不同的發(fā)熱部10和端子部20的燒成或者氧化處理條件，使得二者的電阻率差小于等于20％，可以實現(xiàn)可靠性更高的電阻對接接合。此時的加熱方式，除了上述的對被接合體施加電流而加熱的通電方式(參照圖4)之外，也可以利用MoSi2系材料的金屬導(dǎo)電性，采用高頻感應(yīng)方式。高頻感應(yīng)方式，是在發(fā)熱部和端子部上加壓的狀態(tài)下，在其周圍纏繞感應(yīng)線圈，對感應(yīng)線圈施加高頻交流電，在發(fā)熱體中感應(yīng)出渦電流，利用渦電流和發(fā)熱體的電阻產(chǎn)生焦耳熱，使接合部10和端子部20接合。
圖2表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的MoSi2系發(fā)熱體。第2實施方式所涉及的MoSi2系發(fā)熱體2，在二氧化硅系氧化物含量大于等于5體積％、小于15體積％的發(fā)熱部10和30～60體積％的端子部20之間，具有二氧化硅系氧化物含量大于等于15體積％、小于30體積％的中間部30。在本實施方式中，中間部30與發(fā)熱部10具有相同的直徑，中間部30的一個端面與發(fā)熱部10相接合，另一端面與端子部20相接合。另外，本結(jié)構(gòu)中，發(fā)熱部10、端子部20以及中間部30的二氧化硅系氧化物含量通過粘土礦物的添加量來控制。
這樣構(gòu)成的發(fā)熱體，是一面對各部件之間進(jìn)行加壓、一面通過電阻對接法加熱而進(jìn)行固相擴散接合而形成的。這樣的構(gòu)成，與上述同樣，除了通電方式之外也可以采用高頻感應(yīng)方式加熱被接合體。其中，通過改變二氧化硅系氧化物含量不同的發(fā)熱部10、端子部20和中間部30的燒成溫度，可以降低相接合的部件之間的電阻率差。即，在比中間部30和發(fā)熱部10更高的溫度下燒成端子部20，使MoSi2晶體及二氧化硅系氧化物的晶粒長大，降低電阻率，中間部30在端子部20和發(fā)熱部10之間的溫度下燒成，優(yōu)選在最低溫度下進(jìn)行燒成，使發(fā)熱部10不發(fā)生晶粒長大。通過這樣的調(diào)整，將相接合的部件之間的電阻率差控制在小于等于20％，可以得到進(jìn)行了充分固相擴散的、可靠性優(yōu)良的發(fā)熱體。而且，在使用二氧化硅含量有傾斜的部件時，只要是至少在接合部附近的兩種部件之間的電阻率差小于等于20％即可。這里所說的發(fā)熱部和中間部的電阻率差，是指中間部的室溫電阻率與發(fā)熱部的室溫電阻率之差相對于發(fā)熱部的室溫電阻率的比值，所說的端子部和中間部的電阻率差，是指端子部的室溫電阻率與中間部的室溫電阻率之差相對于中間部的室溫電阻率的比值。
以上，對由MoSi2相和二氧化硅系氧化物相組成的2相系材料進(jìn)行了說明，但也可以適用于使用MoSi2中的一部分Mo被W置換的、由(Mo1-x，Wx)Si2(x＝0.1～0.45)表示的化合物的發(fā)熱體，以及，使用在MoSi2中或者在(Mo1-x，Wx)Si2(x＝0.1～0.45)中添加了選自MoB、Mo2B、MoB2、Mo2B5、WB、W2B、W2B5、SiC、HfB2、ZrB2、TiB、TiB2、HfC、ZrC、TiC中的一種或兩種或兩種以上的化合物的MoSi2系發(fā)熱體。
實施例以下說明具體實施例。
實施例1及比較例1、2調(diào)整MoSi2粉末和膨潤土的配合比例，制作二氧化硅系氧化物含量為10體積％的發(fā)熱部和35體積％的端子部(實施例1)。其中，發(fā)熱部的線徑為Φ6mm，端子部的線徑為Φ12mm，將發(fā)熱部和端子部在Ar氣氛中、于1400℃燒成2小時。將發(fā)熱部彎曲加工形成U字型形狀(端子部長400mm、發(fā)熱部長670mm、根部寬度為60mm)，然后，與端子部進(jìn)行電阻對接接合，制作如圖1所示的發(fā)熱體。在接合前，用NC加工機將端子部加工成錐形，使得端子部的與發(fā)熱部相接合的面的直徑為Φ6mm。將得到的發(fā)熱體安裝到電爐中，以5℃/min升溫速度升溫至目標(biāo)溫度(爐內(nèi)溫度)，在該溫度下保溫10小時后，確認(rèn)是否有變形、發(fā)泡等(耐熱試驗)。其中，作為目標(biāo)溫度，在1400℃、1450℃、1500℃、1550℃、1600℃、1650℃、1700℃等7個溫度來進(jìn)行評價。另外，將除去表面的二氧化硅保護(hù)膜的端子材料在電爐中、500℃下加熱100小時，確認(rèn)加熱后是否有粉糊(低溫氧化試驗)。
制作發(fā)熱部和端子部的二氧化硅系氧化物含量為10體積％的試樣(比較例1)和35體積％的試樣(比較例2)，與實施例1同樣進(jìn)行耐熱試驗和低溫氧化試驗，結(jié)果示于表1中。
在比較例1中，在1700℃下保溫10小時后沒有發(fā)現(xiàn)變形、發(fā)泡，表現(xiàn)出良好的耐熱性，但在低溫氧化試驗中發(fā)現(xiàn)粉糊。另一方面，在比較例2中，低溫氧化試驗后沒有發(fā)現(xiàn)粉糊，但在1450℃保溫10小時后，發(fā)熱體上產(chǎn)生氣泡，出現(xiàn)變形。與此相對，在實施例1中，在1700℃保溫10小時后沒有發(fā)現(xiàn)變形、氣泡，表現(xiàn)出優(yōu)良的耐熱性，在低溫氧化試驗中也沒有發(fā)現(xiàn)粉糊。
表1

實施例2、3、4與實施例1同樣，調(diào)整MoSi2粉末和膨潤土的配合比例，制作二氧化硅系氧化物含量為10體積％的發(fā)熱部和35體積％的端子部。其中，發(fā)熱部的線徑為Φ6mm，端子部的線徑為Φ12mm，將發(fā)熱部在Ar氣氛中、1400℃下燒成2小時。另外，改變燒成溫度為1450℃、1460℃、1480℃來制作3種樣品作為端子部(實施例2、3、4)。各端子部的室溫下的電阻率及端子部和發(fā)熱部的電阻率差(端子部的室溫電阻率與發(fā)熱部的室溫電阻率之差相對于發(fā)熱部的室溫電阻率的比值)如表2所示。而且，發(fā)熱部的室溫電阻率為0.29μΩ·m。對發(fā)熱部進(jìn)行與實施例1同樣的彎曲處理，形成U字型后，與燒成溫度不同的各端子部進(jìn)行電阻對接接合，制作如圖1所示的發(fā)熱體。另外，在相同的條件下，制作線徑均為Φ6mm的發(fā)熱部和端子部，對所制作的發(fā)熱體以負(fù)荷點間間距20mm、支撐點間間距40mm進(jìn)行固定，根據(jù)自動記錄曲線圖測定以0.5mm/min的設(shè)定速度下施加負(fù)荷時接合部發(fā)生斷裂時的負(fù)荷(接合強度)。各實施例各自分別測定10根樣品，求出的接合強度的平均值，結(jié)果如表2所示。
由表2可知，提高燒成溫度使得晶粒長大的試樣，室溫電阻率降低，接近于二氧化硅系氧化物含有量低的發(fā)熱部的室溫電阻率值。另外還確認(rèn)，通過將發(fā)熱部和端子部的電阻率相靠近，提高了接合強度。特別是，端子部和發(fā)熱部的室溫電阻率差小于等于20％的實施例3和4，得到超過200MPa的高的接合強度。
表2

實施例5與實施例1同樣，調(diào)整MoSi2粉末和膨潤土的配合比例，制作二氧化硅系氧化物含量為10體積％的發(fā)熱部和35體積％的端子部。其中，將發(fā)熱部和端子部在Ar氣氛中、1400℃下燒成2小時后，進(jìn)一步將端子部在大氣中、1500℃下熱處理5小時。所得的端子部的室溫電阻率為0.30μΩ·m。端子部與發(fā)熱部的室溫電阻率差為3.4％。將發(fā)熱部與實施例1同樣進(jìn)行彎曲，形成U字型后，與端子部電阻對接而相接合，制作如圖1所示的發(fā)熱體。
將該U字型發(fā)熱體安裝到加熱試驗爐中，如圖3所示，反復(fù)進(jìn)行升溫3小時→保持爐內(nèi)溫度1600℃5小時→降溫3小時的操作，進(jìn)行通電加熱試驗。對實施例2～4的U字型發(fā)熱體也進(jìn)行同樣的通電加熱試樣。分別記錄各發(fā)熱體發(fā)生脫落或者斷線的循環(huán)數(shù)，如表3所示。
實施例2中，在50次循環(huán)后發(fā)熱體的接合部發(fā)生脫落。另外，實施例2～5中，超過100次循環(huán)后仍未發(fā)現(xiàn)接合部的脫落和斷線，因而確認(rèn)，通過燒成條件來調(diào)整端子部的電阻率值，提高了發(fā)熱體的可靠性。
表3

實施例6調(diào)整MoSi2粉末和膨潤土的配合比例，制作二氧化硅系氧化物含量為10體積％的發(fā)熱部、15體積％的中間部和35體積％的端子部。在Ar氣氛中、1400℃下燒成2小時后的各部件的室溫電阻率如表4所示。其中，制作的發(fā)熱部和中間部的線徑為Φ6mm，端子部的線徑為Φ12mm，為了使端子部與中間部相接合，將端子部加工成錐狀，其前端的接合面為Φ6mm。另外，中間部的長度為10mm。將發(fā)熱部彎曲加工，形成U字形(端子部長度400mm、發(fā)熱部長度670mm、根部寬度為60mm)，然后通過電阻對接而與中間部相接合，進(jìn)而，將中間部與端子部通過電阻對接而相接合，制作如圖2所示的發(fā)熱體。將所得的U字形發(fā)熱體安裝到加熱試驗爐中，在大氣中進(jìn)行每個循環(huán)為升溫3小時→保持爐內(nèi)溫度1600℃5小時→降溫3小時(參見附圖3)的通電試驗100次循環(huán)。
通電試驗的結(jié)果是，經(jīng)過100次循環(huán)后，仍能保持發(fā)熱體的形態(tài)，樣品中沒有在接合部脫落或斷線的。由上述結(jié)果可知，通過在發(fā)熱部和端子部之間設(shè)置二氧化硅系氧化物含量在兩種部件之間的值的中間部，緩和了部件間的電阻率的梯度，提高了發(fā)熱體的可靠性。
表4

以上詳述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本發(fā)明并不限定于所述的特定實施方式，在權(quán)利要求中所記載的本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種變形和變更。
權(quán)利要求
1.二硅化鉬系陶瓷發(fā)熱體，該陶瓷發(fā)熱體由發(fā)熱部和端子部構(gòu)成，其特征在于，所述發(fā)熱部的二氧化硅系氧化物的含量為5～25體積％，所述端子部的二氧化硅系氧化物的含量為30～60體積％。
2.二硅化鉬系陶瓷發(fā)熱體，該陶瓷發(fā)熱體由發(fā)熱部、端子部以及在所述發(fā)熱部和端子部之間設(shè)置的中間部構(gòu)成，其特征在于，所述發(fā)熱部的二氧化硅系氧化物含量大于等于5體積％、小于15體積％，所述中間部的二氧化硅系氧化物的含量為大于等于15體積％、小于30體積％，所述端子部的二氧化硅系氧化物的含量為30～60體積％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二硅化鉬系陶瓷發(fā)熱體，其特征在于，所述發(fā)熱部和所述端子部的電阻率差小于等于20％
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二硅化鉬系陶瓷發(fā)熱體，其特征在于，所述發(fā)熱部和所述中間部的電阻率差小于等于20％，并且，所述端子部和所述中間部的電阻率差小于等于20％。
全文摘要
本發(fā)明提供了耐熱性和耐粉糊性優(yōu)良、接合強度高、耐久性優(yōu)異的二硅化鉬系陶瓷發(fā)熱體。所述二硅化鉬系陶瓷發(fā)熱體由二氧化硅系氧化物的含量為5～25體積％的發(fā)熱部和30～60體積％的端子部相接合而構(gòu)成。另外，也可以在二氧化硅系氧化物含量為大于等于5體積％、小于15體積％的發(fā)熱部和30～60體積％的端子部之間，設(shè)置二氧化硅系氧化物含量為大于等于15體積％、小于30體積％的中間部。
文檔編號H05B3/14GK1964583SQ200610153889
公開日2007年5月16日 申請日期2006年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月7日
發(fā)明者藏前雅規(guī) 申請人:株式會社理研