專利名稱：掩模保持結(jié)構(gòu)、成膜方法、電光學(xué)裝置的制造方法、以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及掩模保持結(jié)構(gòu)、成膜方法、電光學(xué)裝置的制造方法、以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為電光學(xué)裝置的一種的有機(jī)電致發(fā)光(EL)板，具有具備薄膜的疊層構(gòu)造的自發(fā)光型的顯示元件。有機(jī)EL板的制造過(guò)程，包含將形成顯示元件的構(gòu)成層的薄膜圖案(pattern)形成在基板上的成膜工序。
作為薄膜圖案的成膜方法，眾所周知的是使用金屬掩模的蒸鍍法(例如，參照特開2001-237073號(hào)公報(bào))。在使用金屬掩模的蒸鍍法中，較難的是制作對(duì)應(yīng)大型的被成膜基板的高精度的金屬掩模。另外，相比有機(jī)EL板用的玻璃基板金屬掩模的熱膨脹率非常高，因此容易發(fā)生圖案錯(cuò)位。
提出了使用熱膨脹率與玻璃相近的硅基板來(lái)制造掩模的方法。在該方法中，使用光刻技術(shù)以及干蝕刻技術(shù)等半導(dǎo)體制造技術(shù)，將對(duì)應(yīng)成膜圖案的開口圖案形成在硅基板上。
在使用硅基板的掩模制造技術(shù)中，形成有開口圖案的硅基板(硅基片)貼附于掩模的支撐框上。然而，對(duì)應(yīng)大型的被成膜基板的情況，可能會(huì)由于大尺寸化的支撐框的彎曲或撓曲，降低圖案精度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供對(duì)應(yīng)大型的被成膜基板的掩模的彎曲或撓曲較少的掩模保持結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的方式，可提供一種掩模保持結(jié)構(gòu)，其為保持具有基體基板和基片的掩模的掩模保持結(jié)構(gòu)，具有模座，其具有夾持被成膜基板并配置所述掩模的下面；磁鐵，其配置于所述模座；插頭(plug)，其配置于所述基體基板，并被所述磁鐵吸引。
在該掩模保持結(jié)構(gòu)中，通過(guò)磁鐵與插頭之間的磁吸引力，在模座的下面夾持被成膜基板并保持掩模。通過(guò)使用磁吸引力，可使例如掩模的中央部等，掩模的任意位置靠近模座?？煞乐箤?duì)應(yīng)大型的被成膜基板的掩模的歪曲或撓曲。
所述磁鐵與所述插頭之間的磁吸引力優(yōu)選在所述掩模的多個(gè)位置產(chǎn)生。
在該結(jié)構(gòu)中，相對(duì)于大型的被成膜基板，可確實(shí)地防止掩模的歪曲或撓曲。
所述插頭優(yōu)選具有與所述磁鐵相對(duì)的突起部。
在該結(jié)構(gòu)中，來(lái)自磁鐵的磁通量容易導(dǎo)向插頭，并提高磁鐵與插頭之間的磁吸引力。
在一實(shí)施方式中，所述插頭具有抵接面，其與所述基體基板的下面抵接；突起部，其從所述抵接面突出且插入所述基體基板。
在該實(shí)施方式中，磁吸引力經(jīng)由插頭的抵接面作用于基體基板。與此相伴，基體基板(掩模)被朝向模座的下面按壓。插頭的突起部具有使來(lái)自磁鐵的磁通量容易導(dǎo)向插頭的功能。插頭的抵接面具有將磁吸引力傳達(dá)到掩模的功能。
所述基體板具有配置所述插頭的所述突起部的多個(gè)孔。
在該結(jié)構(gòu)中，磁鐵與插頭之間的磁吸引力在掩模的多個(gè)位置產(chǎn)生。
所述磁鐵優(yōu)選具有在與所述插頭相對(duì)的方向上延伸的柱狀形狀。
在該結(jié)構(gòu)中，由柱狀的磁鐵形成容易導(dǎo)向插頭的突起部的磁通量，并提高磁鐵與插頭之間的磁吸引力。
所述插頭優(yōu)選具有與所述磁鐵相對(duì)且與所述磁鐵相比直徑小的突起部。
在該結(jié)構(gòu)中，來(lái)自磁鐵的磁通量可良好地導(dǎo)向插頭，并提高磁鐵與插頭之間的磁吸引力。
所述磁鐵可形成為作為稀土類磁鐵的結(jié)構(gòu)。
通過(guò)使用可形成強(qiáng)磁場(chǎng)的稀土類磁鐵(釤鈷磁鐵、釹磁鐵等)，可實(shí)現(xiàn)磁鐵以及插頭的小尺寸化。
所述插頭可形成為由軟磁性材料構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。
通過(guò)使用保磁力小的軟磁性材料(坡莫合金、硅鋼板等)，可防止具有磁性的異物附著于插頭。
根據(jù)本發(fā)明的另一方式，提供使用上述方式的掩模保持結(jié)構(gòu)，在被成膜基板上形成薄膜圖案的成膜方法。
在該成膜方法中，即使相對(duì)于大型的被成膜基板，也可高精度地形成薄膜圖案。
根據(jù)本發(fā)明的再一方式，提供使用上述方式的成膜方法形成薄膜圖案的電光學(xué)裝置的制造方法。
在該制造方法中，由于形成高精度的薄膜圖案，因此可制造高質(zhì)量的電光學(xué)裝置。
根據(jù)本發(fā)明的再一方式，提供具有由上述方式的制造方法制造的電光學(xué)裝置的電子設(shè)備。
在該電子設(shè)備中，由于具有高質(zhì)量的電光學(xué)裝置，因此可提高顯示質(zhì)量。


圖1是表示本發(fā)明的掩模保持結(jié)構(gòu)所使用的掩模的一例的立體圖。
圖2是表示本發(fā)明的掩模保持結(jié)構(gòu)的一例的局部截面圖。
圖3是表示本發(fā)明的掩模保持結(jié)構(gòu)的一例的局部立體截面圖。
圖4是用于比較說(shuō)明基于插頭的形狀的磁感應(yīng)線的變化的圖。
圖5是表示分析基于插頭的形狀的磁吸引力的結(jié)果的座標(biāo)圖。
圖6是用于說(shuō)明相對(duì)于模座固定掩模的方式的圖。
圖7是表示由圖1的掩模成膜的圖案的圖。
圖8A、8B、8C以及8D是表示插頭的變形例的圖。
圖9A、9B以及9C是表示本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法的一例的模式截面圖。
圖10是表示由上述的制造方法制造的有機(jī)EL裝置的大致構(gòu)成的模式截面圖。
圖11是表示本發(fā)明的電子設(shè)備的一例的立體圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是表示本發(fā)明的掩模保持結(jié)構(gòu)所使用的掩模的一例的立體圖，圖2是表示本發(fā)明的掩模保持結(jié)構(gòu)的一例的局部截面圖，圖3是表示本發(fā)明的掩模保持結(jié)構(gòu)的一例的局部立體截面圖。
首先，對(duì)本發(fā)明的掩模保持結(jié)構(gòu)所使用的蒸鍍用的掩模進(jìn)行說(shuō)明。
如圖1所示，掩模1具有基體基板2與板狀的基片3貼合的結(jié)構(gòu)，其中，基體基板2，其形成有開口部20；板狀的基片3，其形成有對(duì)應(yīng)成膜圖案的開口圖案30。
在本例中，基體基板2上并列地形成有多個(gè)開口部20，并在各個(gè)多個(gè)開口20上配設(shè)有基片3。圖1中，雖然1個(gè)開口部20配設(shè)有1個(gè)基片3，但也可為1個(gè)開口部20配設(shè)多個(gè)基片3的結(jié)構(gòu)。
更具體地說(shuō)，在基體基板2上，互相平行且以一定間隔地設(shè)有由長(zhǎng)方形的貫通孔構(gòu)成的多個(gè)開口部20。在各基片3上，設(shè)有具有其寬度方向上以一定間隔排列的多個(gè)切口的開口圖案30。以堵塞基體基板2的開口部20的方式，另外，以基體基板2的開口部20內(nèi)容納開口圖案30的方式，相對(duì)于基體基板2的開口部20，基片3被精密地確定位置。
在本例的掩模1中，由于是具有開口圖案30的基片3貼附于基體基板2上的結(jié)構(gòu)，因此即使基片3出現(xiàn)問題時(shí)，也可通過(guò)更換基片3等容易地修補(bǔ)。另外，在本例的掩模1中，由于具有相對(duì)于基體基板2配設(shè)多個(gè)基片3的結(jié)構(gòu)，因此基片3產(chǎn)生問題(破損、損傷等)時(shí)，將產(chǎn)生不理想的一部分基片3更換為新的基片即可。另外，在本例的掩模1中，相比基體基板2非常小的尺寸的基片3的制造很容易，因此優(yōu)選適用于大型的被成膜基板(例如20英寸大小以上的基板)。
作為基體基板2以及基片3的形成材料，優(yōu)選使用具有與被成膜基板(后述被蒸鍍基板5)同程度的熱膨脹率的材料。在本例中，被成膜基板由玻璃構(gòu)成，基體基板2由玻璃構(gòu)成，基片3由單結(jié)晶硅構(gòu)成。單結(jié)晶硅的熱膨脹率為30×10-7/℃。與此相對(duì)，コ一ニング社制造的硼硅酸耐熱玻璃(注冊(cè)商標(biāo))的熱膨脹率為30×10-7/℃基本相同。作為無(wú)堿玻璃的日本電氣玻璃社制備的OA-10的熱膨脹率為38×10-7/℃。另外，作為具有與玻璃同程度的熱膨脹率的材料，包括作為金屬材料的42合金(熱膨脹率50×10-7/℃)、因瓦合金(invar)材(熱膨脹率12×10-7/℃)等。由于基體基板2與基片3相互具有同程度的熱膨脹率，因此可防止基于熱膨脹率的差的基體基板2以及基片3的歪曲或撓曲的發(fā)生。由于基體基板2以及基片3與被成膜基板相互具有同程度的熱膨脹率，因此可防止基于熱膨脹率的差的成膜圖案的位置錯(cuò)位。
由硅構(gòu)成的基片3的開口圖案30，可使用各向異性蝕刻而形成。例如，由于基片3具有晶面(110)或晶面(100)，基片3中的開口圖案30的各切口的較長(zhǎng)方向的側(cè)壁面具有晶面(111)，因此可由結(jié)晶各向異性蝕刻容易地形成開口切口(slit)(開口圖案30)。
相對(duì)基體基板2的基片3的定位，例如，預(yù)先在各個(gè)基體基板2以及基片3上形成定位標(biāo)記，并基于該標(biāo)記的觀察結(jié)果而進(jìn)行。通過(guò)使用光刻技術(shù)或噴射(blast)技術(shù)，可在由玻璃構(gòu)成的基體基板2上形成定位標(biāo)記。通過(guò)使用光刻技術(shù)或結(jié)晶各向異性蝕刻，可在由硅構(gòu)成的基片3上形成定位標(biāo)記。
在相對(duì)于基體基板2的基片3的貼合中，例如，使用粘接劑。作為粘接劑，公知的各種物品均可適用。作為粘接劑，使用水溶性粘接劑(丙烯類粘接劑等)的情況，通過(guò)將產(chǎn)生問題的基片3的粘接劑溶于水，可容易地將該基片3從基體基板2上取下。作為粘接劑，使用一面上涂抹UV剝離粘接劑(例如含有丙烯酸尿烷脂類的低聚物粘接劑)，其背面上涂抹UV非剝離粘接劑(例如丙烯類共聚體劑)的粘接帶的情況，通過(guò)UV照射產(chǎn)生問題的基片3的粘接帶，可容易地將該基片3從基體基板2上取下。作為粘接劑，使用熱可塑性的粘接劑的情況，通過(guò)加熱(例如激光照射)產(chǎn)生問題的基片3的粘接劑，可容易地將該基片3從基體基板2上取下。
圖1中表示的符號(hào)21，是插入用于保持在作為掩模1的支撐基體的模座上而使用的插頭的插頭孔。在基體基板2的開口部20彼此之間的區(qū)域或開口部20的周邊區(qū)域(非開口部)，相互隔離而設(shè)有多個(gè)插頭孔21。
下面，對(duì)本發(fā)明的掩模保持結(jié)構(gòu)的一例進(jìn)行說(shuō)明。
如圖2以及圖3中所示，掩模1，在模座4的下面將被蒸鍍基板5夾于其間并被緊密保持。即，在模座4的下面使被蒸鍍面朝向下方而配置基板5。在被蒸鍍基板5的下面(被蒸鍍面)使基片3的配設(shè)面朝向上方配置掩模1。模座4上配設(shè)磁鐵7，由磁鐵7磁性吸引的插頭8配設(shè)于掩模1上。由磁鐵7與插頭8之間的磁吸引力，相對(duì)于模座4保持有被蒸鍍基板5以及掩模1。
具體為，掩模1，如所述，包括基體基板2，其具有開口部20；基片3，其具有由基體基板2的開口部20確定位置的開口圖案30。在基體基板2上，形成有插入插頭8的多個(gè)插頭孔21。
在模座4上，在與插頭孔21相對(duì)的位置，形成有用于配置磁鐵7的多個(gè)磁鐵孔41。另外，模座4的至少下面(被蒸鍍基板5的配置面)，具有高的面精度(例如，平坦度10μm～100μm)。
如圖3中所示，磁鐵7具有圓柱形狀。磁鐵7的一方的端面上接合有止動(dòng)體9。磁鐵7與止動(dòng)體9之間的接合例如使用粘接劑。止動(dòng)體9，具有圓柱部91，其與磁體7直徑相同；卡合部92，其直徑大于圓柱部91。止動(dòng)體9的圓柱部91的端面接合有磁鐵7。
在模座4上形成的磁鐵孔41中，從上側(cè)插入有磁鐵7以及止動(dòng)體9的圓柱部91。通過(guò)止動(dòng)體9的卡合部92的端面與模座4的上面抵接，從而相對(duì)于模座4磁鐵7定位。通過(guò)該定位，磁鐵7的下面相對(duì)于模座4的下面基本為同一面，或稍微配置于內(nèi)側(cè)。通過(guò)把持止動(dòng)體9的卡合部92的周面，可容易地進(jìn)行相對(duì)于模座4的磁鐵孔41的磁鐵7的插拔。
作為磁鐵7，公知的各種物品均可適用，優(yōu)選使用可形成強(qiáng)磁場(chǎng)的物品。作為可形成強(qiáng)磁場(chǎng)的磁鐵，例舉為釤鈷磁鐵、釹磁鐵等的稀土類磁鐵。釹磁鐵由于機(jī)械的強(qiáng)度較高，不易損壞，因此對(duì)抑制發(fā)塵很有效果。通過(guò)使用可形成強(qiáng)磁場(chǎng)的磁鐵，可實(shí)現(xiàn)磁鐵7以及插頭8的小尺寸化。
如圖3中所示，插頭8，具有基部82，其形成有抵接于基體基板2的下面的抵接面81；突起部83，其從基部82的抵接面81突出而形成，且插入基體基板2。插頭8的縱截面具有凸形狀。突起部83具有圓柱形狀。突起部83的直徑(例如直徑3mm)比磁鐵7的直徑(例如直徑10mm)小。
插頭8的基部82也具有圓柱形狀。基部82的直徑(例如直徑5～7mm)比突起部83的直徑大，且比磁鐵7的直徑小。插頭8的形狀，以磁鐵7的磁感應(yīng)線良好地導(dǎo)向插頭8的方式，進(jìn)而以插頭8的基部82不變?yōu)檎翦兊年幱暗姆绞酱_定。
在形成于基體基板2(掩模1)上的插頭孔21中，從下側(cè)插入插頭8的突起部83。通過(guò)磁鐵7的端面與插頭8的端面靠近而在磁鐵7的磁場(chǎng)內(nèi)配置插頭8，從而在磁鐵7與插頭8之間產(chǎn)生磁吸引力。該磁吸引力經(jīng)由插頭8的抵接面81而作用于基體基板2，從而基體基板2(掩模1)朝向模座4的下面被向上按壓。
作為插頭8的形成材料，只要是被磁鐵7磁性吸引的材質(zhì)即可，由鍍Cr、Ni等進(jìn)行防銹處理的碳素鋼等公知的各種物品均可適用。作為插頭8的形成材料，通過(guò)使用坡莫合金或硅鋼板等的保磁力小的軟磁性材料，可防止具有磁性的異物附著于插頭8。這在防止插頭8的污濁或異物的沖擊引起的掩模1的破損方面很有效果。另外，通過(guò)使用SUS410、SUS404C等的馬氏體系的材料，可有效地防止插頭8的腐蝕。
于是，在本例的掩模保持結(jié)構(gòu)中，插頭8配置于基體基板2上的多個(gè)位置，與此相應(yīng)地磁鐵7也配置于模座4上的多個(gè)位置。由此，磁鐵7與插頭8之間的磁吸引力在掩模1上的多個(gè)位置產(chǎn)生，從而在模座4的下面夾持被蒸鍍基板5并保持掩模1。
即，在本例的掩模保持結(jié)構(gòu)中，由于磁鐵7與插頭8之間的磁吸引力在掩模1上的多個(gè)位置產(chǎn)生，因此即使各個(gè)位置的磁吸引力比較小，也可使包含掩模1的中央部以及周邊部的掩模1的整體按壓于模座4并靠近模座4，其結(jié)果，可防止掩模1的彎曲或撓曲。在本例的掩模保持結(jié)構(gòu)中，可對(duì)應(yīng)被蒸鍍基板5的尺寸，設(shè)定(增減)磁鐵7與插頭8的配設(shè)位置的數(shù)目。本例的掩模保持結(jié)構(gòu)，優(yōu)選適用于大型的被蒸鍍基板5。
此外，在本例的掩模保持結(jié)構(gòu)中，由于被磁鐵7磁性吸引的插頭8的形狀，具有與磁鐵7相對(duì)的突起部83，因此可將來(lái)自磁鐵7的磁通量良好地導(dǎo)向插頭8，且可提高磁鐵7與插頭8之間的磁吸引力。
圖4是用于比較說(shuō)明基于插頭的形狀的磁感應(yīng)線的變化的圖。
如圖4中所示，在不具有突起部的圓柱狀的插頭中，流過(guò)插頭的磁通量較少，大部分的磁通量與插頭無(wú)關(guān)系地相對(duì)磁鐵畫圈(loop)。為了增加流過(guò)插頭的磁通量，需要增大插頭的整體。若增大插頭的整體，則與此相應(yīng)地需要增大插入插頭的掩模(基體基板)的插頭孔，這從掩模的圖案布局以及掩模強(qiáng)度的觀點(diǎn)出發(fā)為不利。
與此相比，在本例的具有突起部的插頭中，與隨著遠(yuǎn)離磁鐵磁通量間隔增大相同，隨著遠(yuǎn)離磁鐵直徑變大。來(lái)自磁鐵的磁通量容易導(dǎo)向插頭，且比較多的磁通量流過(guò)插頭。本例的插頭，與質(zhì)量相同的圓柱形的插頭相比，與磁鐵之間的磁吸引力大幅增大。
圖5是表示分析基于插頭的形狀的磁吸引力的結(jié)果的座標(biāo)圖。
在圖5中，(b)、(c)表示具有突起部的插頭，(a)表示圓柱形的插頭。與插頭(b)相比，插頭(c)雖然突起部的形狀相同，但基部要大。從圖5明顯可知，具有突起部的插頭(b)、(c)的磁吸引力，比圓柱形的插頭(a)大。對(duì)于上述各形狀的插頭，實(shí)測(cè)磁吸引力時(shí)，得到了與分析結(jié)果同樣的結(jié)果。
圖6是用于說(shuō)明相對(duì)于模座4固定掩模1的方式的圖。
如圖6中所示，首先，被蒸鍍基板5吸附保持于模座4上。該吸附保持，通過(guò)真空吸附或靜電吸附進(jìn)行。此時(shí)，形成于被蒸鍍基板5的定位標(biāo)記，以位于形成于模座4上的觀察孔42的中心的方式，相對(duì)于模座4定位被蒸鍍基板5。之后，磁鐵7從上側(cè)插入形成于模座4上的磁鐵孔41中。該磁鐵7的插入時(shí)，根據(jù)需要，把持與磁鐵7接合的止動(dòng)體9的周面。
然后，在用于暫時(shí)保持掩模1的掩模搭載板6上，搭載有掩模1。掩模搭載板6，通過(guò)真空或靜電吸附保持掩模1。在該掩模1的搭載之前，在形成于掩模搭載板6上的插頭槽孔61上配置插頭8。此時(shí)，插頭8使突起部向上且以突起部從掩模搭載板6的上面突出的狀態(tài)配置。掩模1的搭載時(shí)，以插頭8的突起部插入形成于基體基板2上的插頭孔21的方式，相對(duì)于掩模搭載板6定位掩模1。
然后，使模座4與掩模搭載板6相互漸漸地靠近。此時(shí)，一邊通過(guò)CCD照相機(jī)等的觀察系統(tǒng)45、46觀察形成于被蒸鍍基板5上的定位標(biāo)記和形成于掩模1(基體基板2)上的定位標(biāo)記，一邊以兩個(gè)定位標(biāo)記保持一致的方式，相對(duì)于被蒸鍍基板5定位掩模1。若被蒸鍍基板5與掩模1靠近或緊貼，則在磁鐵7與插頭8之間，磁吸引力產(chǎn)生作用。
相對(duì)于被蒸鍍基板5的掩模1的定位時(shí)，即使磁鐵7的中心與插頭8的中心稍微錯(cuò)位，由于與磁鐵7相比插頭8的突起部的直徑較小，因此在該位置磁鐵7與插頭8之間，磁吸引力產(chǎn)生作用。換而言之，由定位標(biāo)記而定位的狀態(tài)，可避免由于磁性的影響產(chǎn)生錯(cuò)位。
然后，被蒸鍍基板5與掩模1緊貼后，解除相對(duì)于掩模1的掩模搭載板6的吸附力，使掩模搭載板6從掩模1相對(duì)地分離。掩模1，通過(guò)磁鐵7與插頭8之間的磁吸引力，在模座4的下面將被蒸鍍基板5夾于其間并被保持。根據(jù)需要，解除相對(duì)于被蒸鍍基板5的模座4的吸附力。
然后，將模座4、被蒸鍍基板5、以及掩模1的一體物，搬入蒸鍍用的未圖示的腔室(chamber)內(nèi)。腔室內(nèi)的蒸鍍，在被蒸鍍基板5的下方配置蒸鍍?cè)?source)，并通過(guò)將來(lái)自該源的粒子朝向上方放出而進(jìn)行。來(lái)自源的粒子，通過(guò)掩模1的開口圖案入射到被蒸鍍基板5上。其結(jié)果，對(duì)應(yīng)掩模1的開口圖案的成膜圖案形成在被蒸鍍基板5上。
圖7表示由圖1的掩模1成膜的圖案。
如圖7中所示，若來(lái)自蒸鍍?cè)吹牧Ｗ油ㄟ^(guò)掩模1的開口圖案30，則在被蒸鍍基板5的一面形成與開口圖案30基本同一形狀的成膜圖案11。根據(jù)掩模1形成的成膜圖案11，包含多個(gè)線狀圖案在該線狀圖案的較短方向(Y方向)上以等間隔排列的多個(gè)列(線狀圖案列)。那些多個(gè)線狀圖案列，在線狀圖案的縱長(zhǎng)方向(X方向)上，以一定間隔相互地分離而配置。
在本例中，相對(duì)于一個(gè)被蒸鍍基板5使用相同的掩模1并至少進(jìn)行兩次蒸鍍。即，相對(duì)于被蒸鍍基板5，第一次的成膜圖案11的蒸鍍后，偏移相對(duì)于被蒸鍍基板5的掩模1的相對(duì)位置，并相對(duì)于該被蒸鍍基板5，進(jìn)行第二次的成膜圖案11的蒸鍍。此時(shí)，在第一次形成的成膜圖案11的多個(gè)線狀圖案列彼此之間的區(qū)域，形成第二次的成膜圖案11。由此，被蒸鍍基板5的整面形成有成膜圖案11。另外，如后述，在有機(jī)EL板的制造中，相對(duì)于各個(gè)R、G、B，進(jìn)行上述的兩次成膜。
在圖2中所示的本例的掩模保持結(jié)構(gòu)中，通過(guò)插頭8的最優(yōu)化、或使用可形成強(qiáng)磁場(chǎng)的磁鐵7，配設(shè)于掩模1的插頭8小型化。因此，掩模1的非開口部的區(qū)域可狹窄。即，在本例的掩模保持結(jié)構(gòu)中，盡管將用于利用磁吸引力的插頭8配設(shè)在掩模1上，但也可抑制或避免與之相伴的掩模1的開口率的減少。由此，在本例的掩模保持結(jié)構(gòu)中，可使用高效率的圖案布局。
另外，在本例的掩模保持結(jié)構(gòu)中，在被蒸鍍基板5側(cè)的模座4上配設(shè)磁鐵7，且掩模1上配設(shè)有插頭8，這是因?yàn)槿粼谘谀?上配設(shè)磁鐵，則由于被該磁鐵磁性吸引的物體，掩?？赡軙?huì)破損。
另外，相對(duì)于掩模1的基體基板2的基片3的更換方法，并不限定于上述的方法。例如，可通過(guò)折斷或切斷與基體基板2接合的基片3的邊部等使其分離從而取下，并使殘留的破片不干涉的形狀的新的基片與基體基板2接合。
另外，對(duì)將本發(fā)明的掩模保持結(jié)構(gòu)使用于蒸鍍法的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于此。本發(fā)明的掩模保持結(jié)構(gòu)，也可適用于濺射法或CVD法等其他的成膜方法。
另外，對(duì)于掩模1、磁鐵7、插頭8等的各構(gòu)成要素的形狀以及其數(shù)目可適當(dāng)變更，并不限定于上述的說(shuō)明。
圖8A～8D是表示插頭8的變形例的圖。
圖8A的插頭8，與圖3的例相比，基部82的直徑朝向軸方向外方變大。圖8A的基部82的形狀，例如，以來(lái)自磁鐵的磁通量更加容易導(dǎo)向基部82的內(nèi)部的方式確定。
圖8B的插頭8，基部82的平面形狀形成為長(zhǎng)圓(也可為橢圓或長(zhǎng)方形)?？赏ㄟ^(guò)至少在可能的方向上擴(kuò)大基部82，使來(lái)自磁鐵的磁通量較多地通過(guò)插頭8。
圖8C的插頭8，相對(duì)于一個(gè)基部82形成多個(gè)(本例中為三個(gè))突起部83，另外基部82的平面形狀形成為長(zhǎng)方形(也可為長(zhǎng)圓或橢圓)。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，來(lái)自磁鐵的許多磁通量流過(guò)插頭8，從而提高磁鐵與插頭8之間的磁吸引力。
圖8D的插頭8，突起部83的平面形狀形成為長(zhǎng)圓(或可為長(zhǎng)方形)。另外，基部82的平面形狀形成為長(zhǎng)方形(也可為長(zhǎng)圓或橢圓)。也可根據(jù)此結(jié)構(gòu)，來(lái)自磁鐵的許多磁通量流過(guò)插頭8，從而提高磁鐵與插頭8之間的磁吸引力。
下面，作為本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法的一例，對(duì)有機(jī)EL裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
圖9A～9C是表示本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法的一例的模式截面圖。
在本例中，使用掩模1在被蒸鍍基板5上成膜發(fā)光材料。發(fā)光材料例如為有機(jī)材料。作為低分子的有機(jī)材料包括8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物(Alq3)，作為高分子的有機(jī)材料包括聚對(duì)苯乙炔(PPV)。通過(guò)蒸鍍可成膜發(fā)光材料?；?作為用于形成多個(gè)有機(jī)EL裝置(有機(jī)EL元件)，為玻璃基板等透明基板。在基板5上，如圖9A中所示，形成有電極(例如由ITO等構(gòu)成的透明電極)501以及空穴輸送層502。也可形成有電子輸送層。
首先，如圖9A中所示，經(jīng)由掩模1在基板5上成膜紅色的發(fā)光材料，從而形成紅色發(fā)光層503。繼而，如圖9B中所示，偏移掩模1，并在基板5上成膜綠色的發(fā)光材料，從而形成綠色發(fā)光層504。再繼續(xù)，如圖9C中所示，再次偏移掩模1，并在基板5上成膜藍(lán)色的發(fā)光材料，從而形成藍(lán)色發(fā)光層505。
這里，在圖1中所示的掩模1中，在基體基板2上形成多個(gè)開口部20，并在各個(gè)開口部20上配設(shè)有基片3。通過(guò)使用這樣形成的掩模1，可高精度地制造對(duì)應(yīng)大畫面的有機(jī)EL裝置。
使用在基體基板2上粘接固定基片3的掩模1，進(jìn)行有機(jī)發(fā)光層503、504、505的蒸鍍的情況，在真空腔室內(nèi)，多次重復(fù)掩模1與基板5的接觸。另外，也存在由用O2等離子體等除去附著在基片3上的有機(jī)膜的作業(yè)等，物理地向基片3接觸物體。這種方法存在基片3破損、損傷的情況。一部分的基片3發(fā)生破損、損傷的情況，通過(guò)基片3的更換等進(jìn)行其補(bǔ)修。通過(guò)采用相對(duì)于基體基板2配設(shè)有多個(gè)基片3的掩模1，可將發(fā)生該問題(破損、損傷等)的一部分的基片3更換為新的基片，因此對(duì)降低制造成本有利。
圖10是表示由上述的制造方法制造的有機(jī)EL裝置的大致構(gòu)成的模式截面圖。有機(jī)EL裝置具有基板5、電極501、空穴輸送層502、紅色發(fā)光層503、綠色發(fā)光層504、藍(lán)色發(fā)光層505等。在發(fā)光層503、504、505上，形成有電極506。電極506例如為陰極電極。本例的有機(jī)EL裝置，優(yōu)選適用作為顯示裝置(顯示器)。通過(guò)使用發(fā)光層503、504、505的圖案偏移較少的有機(jī)EL裝置，可提供穩(wěn)定的鮮亮的大畫面的顯示裝置。
圖11是表示本發(fā)明的電子設(shè)備的一例的立體圖。
該圖中所示的手提電話1300，具有小尺寸的顯示部1301，其適用上述的有機(jī)EL裝置；多個(gè)操作按鈕1302；聽話口1303；傳話口1304。
本發(fā)明的電光學(xué)裝置，并不限定于上述手提電話，可適用于電子手冊(cè)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、液晶電視、取景器型或監(jiān)視器直視型的磁帶錄像機(jī)、車輛行駛用信息裝置、尋呼機(jī)、電子筆記本、計(jì)算器、文字處理機(jī)、工作站、電視電話、POS終端裝置、具有觸摸面板的設(shè)備等等各種電子設(shè)備。另外，作為本發(fā)明的電光學(xué)裝置，并不限于有機(jī)EL裝置，也可優(yōu)選適用于液晶裝置、等離子體顯示裝置(POP)、場(chǎng)致發(fā)射顯示(FED)等。
以上，說(shuō)明了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，可進(jìn)行結(jié)構(gòu)的添加、省略、置換、以及其他的變更。本發(fā)明并不限定于所述的說(shuō)明，僅受本發(fā)明的主旨所限。
權(quán)利要求
1.一種掩模保持結(jié)構(gòu)，其保持具有基體基板和基片的掩模，其中，具有模座，其具有夾著被成膜基板而配置所述掩模的下面；磁鐵，其配置于所述模座；插頭，其配置于所述基體基板，并被所述磁鐵吸引。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模保持結(jié)構(gòu)，其中，所述磁鐵與所述插頭之間的磁吸引力在所述掩模的多個(gè)位置產(chǎn)生。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模保持結(jié)構(gòu)，其中，所述插頭具有與所述磁鐵相對(duì)的突起部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模保持結(jié)構(gòu)，其中，所述插頭具有抵接面，其與所述基體基板的下面抵接；突起部，其從所述抵接面突出且插入所述基體基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的掩模保持結(jié)構(gòu)，其中，所述基體基板具有多個(gè)孔，該孔配置所述插頭的所述突起部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項(xiàng)所述的掩模保持結(jié)構(gòu)，其中，所述磁鐵具有在與所述插頭相對(duì)的方向上延伸的柱狀形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩模保持結(jié)構(gòu)，其中，所述插頭具有與所述磁鐵相對(duì)且與所述磁鐵相比直徑小的突起部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中的任一項(xiàng)所述的掩模保持結(jié)構(gòu)，其中，所述磁鐵是稀土類磁鐵。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中的任一項(xiàng)所述的掩模保持結(jié)構(gòu)，其中，所述插頭由軟磁性材料構(gòu)成。
10.一種成膜方法，其中，使用權(quán)利要求1～9中的任一項(xiàng)所述的掩模保持結(jié)構(gòu)，而在被成膜基板上形成薄膜圖案。
11.一種電光學(xué)裝置的制造方法，其中，使用權(quán)利要求10所述的成膜方法，而形成薄膜圖案。
12.一種電子設(shè)備，其中，具有由權(quán)利要求11所述的制造方法制造的電光學(xué)裝置。
全文摘要
掩模包括基體基板，其具有開口部；基片，其具有由基體基板的開口部確定位置的開口圖案，該掩模夾持被成膜基板并配置于模座的下面。磁鐵配設(shè)于所述模座上，被所述磁鐵磁吸引的插頭配設(shè)于所述基體基板上。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1867216SQ200610082679
公開日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2006年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月16日
發(fā)明者小枝周史, 四谷真一 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社