專利名稱：顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示板，尤其涉及一種用于有機發(fā)光二極管顯示器的顯示板。
背景技術(shù)：
通常，有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器是自發(fā)光顯示設(shè)備，通過激發(fā)有機發(fā)光材料發(fā)光來顯示圖像。OLED顯示器的發(fā)光元件包括陽極(空穴注入電極)、陰極(電子注入電極)和插入它們之間的有機發(fā)光層。當(dāng)空穴和電子注入發(fā)光層時，它們當(dāng)從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時復(fù)合并發(fā)光。為了增強發(fā)光，有機發(fā)光層還可以包括電子傳輸層(ETL)和空穴傳輸層(HTL)以及電子注入層(EIL)和空穴注入層(HIL)中的一個或多個。
OLED顯示器包括多個像素，且每個像素包括陽極、陰極和發(fā)光層。像素可以排列成矩陣，并且可以按照無源矩陣(或簡單矩陣)尋址或有源矩陣尋址方式來驅(qū)動它們。
無源矩陣OLED顯示器包括多根陽極線、與陽極線交叉的多根陰極線、以及多個像素，每個像素包括發(fā)光層。選擇陽極線和陰極線來使位于所選信號線交叉點上的像素發(fā)光。
有源矩陣(AM)OLED顯示器包括多個像素，每個像素可以包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管和存儲電容器以及陽極、陰極和發(fā)光層。AM OLED顯示器還包括多根傳輸柵極信號的柵極線和多根傳輸數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線。開關(guān)晶體管連接到柵極線和數(shù)據(jù)線，它響應(yīng)于來自柵極線的柵極信號來傳輸來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓。驅(qū)動晶體管從開關(guān)晶體管接收數(shù)據(jù)電壓，并且驅(qū)動具有與數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)大小的電流。來自驅(qū)動晶體管的電流進(jìn)入發(fā)光層引起發(fā)光，發(fā)光強度取決于電流。存儲電容器連接在數(shù)據(jù)電壓和電源電壓之間以保持它們的電壓差。通過控制數(shù)據(jù)電壓來調(diào)節(jié)由驅(qū)動晶體管驅(qū)動的電流，實現(xiàn)AMOLED顯示器的灰度定標(biāo)。OLED顯示器通過提供紅、綠和藍(lán)色發(fā)光層來顯示色彩。
另外，根據(jù)發(fā)光方向，OLED顯示器可以是頂部發(fā)射和底部發(fā)射顯示器。頂部發(fā)射OLED顯示器包括透明陰極和不透明陽極，透明陰極通常用銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)制成。相反，底部發(fā)射OLED顯示器包括不透明陰極和透明陽極。陽極和陰極的相對位置可以按照需要進(jìn)行改變。
通過另一導(dǎo)體給陰極提供公共電壓，且陰極和導(dǎo)體之間的接觸電阻可能很高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種OLED裝置，其中在公共電極和公共電壓線之間可以具有減小的接觸電阻。
將在下面的描述中闡述本發(fā)明的附加特征，根據(jù)描述一部分將是顯而易見的，或者可以通過實踐本發(fā)明來獲悉。
本發(fā)明公開了一種用于有機發(fā)光顯示器的顯示板，包括多個陽極電極和一陰極電極，給所述陰極電極提供預(yù)定電壓，所述陰極電極包括面向所述陽極電極的第一部分和接收所述預(yù)定電壓的第二部分，所述第二部分具有與所述第一部分不同的橫截面。多個發(fā)光元件排列在所述陽極電極和所述陰極電極之間，而且導(dǎo)線傳輸所述預(yù)定電壓并接觸所述陰極電極第二部分。
本發(fā)明還公開了一種用于有機發(fā)光顯示器的顯示板，包括多個陽極電極，分別排列在所述陽極電極上的多個發(fā)光元件，金屬層，所述金屬層包括排列在所述發(fā)光元件上的第一部分和與所述發(fā)光元件隔開的第二部分，以及連接到所述金屬層第二部分的導(dǎo)線。所述導(dǎo)線布置在位于排列所述發(fā)光元件的層之下的層上。
應(yīng)該理解，前面的概述和下面的詳述都是示例性和解釋性的，并且旨在為要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步解釋。


包括附圖來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，附圖合并在本說明書中并構(gòu)成本說明書一部分，附解了本發(fā)明的實施例并且連同本說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。
圖1是依據(jù)本發(fā)明實施例的OLED顯示器的方框圖。
圖2是依據(jù)本發(fā)明實施例的OLED顯示器的像素的等效電路圖。
圖3是依據(jù)本發(fā)明實施例的OLED顯示器的顯示板的示意平面圖。
圖4是顯示板沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。
圖5是圖3顯示板上的像素和信號線的布局圖。
圖6和圖7是像素和信號線分別沿著圖5的線VI-VI’和VII-VII’的剖面圖。
圖8是依據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光元件的示意圖。
圖9，11，13，15，17，19，21，23和25是在依據(jù)本發(fā)明實施例的顯示板制造方法的中間步驟中，圖3，4，5，6和7中所示顯示板的布局圖。
圖10A和圖10B是顯示板分別沿著圖9的線XA-XA’和XB-XB’的剖面圖，而圖10C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。
圖12A和圖12B是顯示板分別沿著圖11的線XIIA-XIIA’和XIIB-XIIB’的剖面圖，而圖12C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。
圖14A和圖14B是顯示板分別沿著圖13的線XIVA-XIVA’和XIVB-XIVB’的剖面圖，而圖14C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。
圖16A和圖16B是顯示板分別沿著圖15的線XVIA-XVIA’和XVIB-XVIB’的剖面圖，而圖16C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。
圖18A和圖18B是顯示板分別沿著圖17的線XVIIIA-XVIIIA’和XVIIIB-XVIIIB’的剖面圖，而圖18C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。
圖20A和圖20B是顯示板分別沿著圖19的線XXA-XXA’和XXB-XXB’的剖面圖，而圖20C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。
圖22A和圖22B是顯示板分別沿著圖21的線XXIIA-XXIIA’和XXIIB-XXIIB’的剖面圖，而圖22C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。
圖24A和圖24B是顯示板分別沿著圖23的線XXIVA-XXIVA’和XXIVB-XXIVB’的剖面圖，而圖24C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。
圖26A和圖26B是顯示板分別沿著圖25的線XXVIA-XXVIA’和XXVIB-XXVIB’的剖面圖，而圖26C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。
圖27A和圖27B是顯示板分別沿著圖25的線XXVIA-XXVIA’和XXVIB-XXVIB’的剖面圖，并且圖解了圖26A和圖26B中所示步驟之后的步驟，而圖27C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將在下文中參考附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的典型實施例。然而，本發(fā)明可以實施成許多不同形式，并且不應(yīng)該解釋為限定于本文中所述的實施例。
在這些圖中，為了清楚而放大層、膜、板、區(qū)等的厚度。相同數(shù)字始終指的是相同元件。應(yīng)該理解，當(dāng)元件例如層、膜、區(qū)或襯底稱為“在”另一元件“上”時，它可以直接在另一元件上或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件稱為“直接在”另一元件“上”時，就不存在中間元件。
現(xiàn)在，將參考附圖描述依據(jù)本發(fā)明實施例用于OLED顯示器的顯示板及其制造方法。
圖1是依據(jù)本發(fā)明實施例的OLED顯示器的方框圖，且圖2是依據(jù)本發(fā)明實施例的OLED顯示器的像素的等效電路圖。
參考圖1，依據(jù)本發(fā)明實施例的OLED顯示器包括顯示板300和連接到顯示板300的兩個驅(qū)動器，這兩個驅(qū)動器包括掃描驅(qū)動器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動器500。
顯示板300包括多根信號線，多個像素PX連接到多根信號線并且基本上排列成矩陣。
信號線包括用于傳輸掃描信號的多根掃描線G1-Gn和用于傳輸數(shù)據(jù)信號的多根數(shù)據(jù)線D1-Dm。掃描線G1-Gn基本上行向延伸并且彼此基本上平行，而數(shù)據(jù)線D1-Dm基本上列向延伸并且彼此基本上平行。
參考圖2，例如，每個像素PX可以連接到掃描線Gi和數(shù)據(jù)線Dj，并且可以包括有機發(fā)光元件LD、驅(qū)動晶體管Qd、電容器Cst和開關(guān)晶體管Qs。
驅(qū)動晶體管Qd具有連接到開關(guān)晶體管Qs的控制端、連接到驅(qū)動電壓Vp的輸入端、以及連接到發(fā)光元件LD的輸出端。
發(fā)光元件LD具有連接到驅(qū)動晶體管Qd輸出端的陽極和連接到公共電壓Vcom的陰極。公共電壓Vcom可以小于驅(qū)動電壓Vp，例如，它可以是接地電壓。發(fā)光元件LD以取決于驅(qū)動晶體管Qd的輸出電流的強度發(fā)光，且驅(qū)動晶體管Qd的輸出電流取決于驅(qū)動晶體管Qd的控制端和輸入端之間的電壓。
開關(guān)晶體管Qs具有連接到掃描線Gi的控制端、連接到數(shù)據(jù)線Dj的輸入端、以及連接到驅(qū)動晶體管Qd控制端的輸出端。開關(guān)晶體管Qs響應(yīng)于來自掃描線Gi的掃描信號將數(shù)據(jù)信號從數(shù)據(jù)線Dj傳輸?shù)津?qū)動晶體管Qd。
如圖2中所示，開關(guān)晶體管Qs是N溝道場效應(yīng)晶體管(FET)，而驅(qū)動晶體管Qd是P溝道FET。然而，它們的類型可以交換或者都可以是N溝道FET或P溝道FET。在這種情況下，可以更改晶體管Qs和Qd以及發(fā)光元件LD之間的連接。
晶體管Qs和Qd可以包括多晶硅(polysilicon)或非晶硅(a-Si)。
電容器Cst連接在驅(qū)動晶體管Qd的控制端和輸入端之間。電容器Cst充電并且維持電壓，所述電壓相應(yīng)于施加到驅(qū)動晶體管Qd控制端的數(shù)據(jù)信號。
再參考圖1，掃描驅(qū)動器400連接到顯示板300的掃描線G1-Gn，并且合成用于接通開關(guān)晶體管Qs的接通電壓Von和用于切斷開關(guān)晶體管Qs的切斷電壓Voff，以便生成掃描信號來施加到掃描線G1-Gn。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器500連接到顯示板300的數(shù)據(jù)線D1-Dm，并且將數(shù)據(jù)信號施加到數(shù)據(jù)線D1-Dm。
掃描驅(qū)動器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動器500可以實施成安裝在顯示板300上或帶狀載體封裝(TCP)內(nèi)的撓性印刷電路(FPC)上的集成電路(IC)芯片，所述帶狀載體封裝附配在顯示板300上。作為選擇，掃描驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器可以集成在顯示板300內(nèi)。
現(xiàn)在，將參考圖3-8以及圖1和圖2來詳細(xì)描述依據(jù)本發(fā)明實施例用于OLED顯示器的顯示板結(jié)構(gòu)。
圖3是依據(jù)本發(fā)明實施例的用于OLED顯示器的顯示板的示意平面圖，圖4是顯示板沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖，圖5是圖3中所示顯示板上的像素和信號線的布局圖，圖6和圖7是像素和信號線分別沿著圖5的線VI-VI’和VII-VII’的剖面圖，而圖8是依據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光元件的示意圖。
參考圖3，依據(jù)本發(fā)明實施例的顯示板300包括顯示區(qū)DA(用虛線矩形封閉)和排列在顯示區(qū)DA外部的外圍區(qū)PA。顯示區(qū)DA包括多個像素PX。
用作有機發(fā)光元件LD陰極的公共電極270也提供在顯示板300上。公共電極270覆蓋顯示區(qū)DA，并且包括排列在外圍區(qū)PA內(nèi)用于接收公共電壓Vcom的接觸部分B，。公共電極270的接觸部分B連接到公共電壓線278，公共電壓線278包括用于從外部器件接收公共電壓Vcom的公共電壓焊點279。
包括掃描線G1-Gn和數(shù)據(jù)線D1-Dm的多根信號線也提供在顯示板300上。信號線包括排列在顯示區(qū)DA內(nèi)的部分以及排列在外圍區(qū)內(nèi)的端部，以接收包括掃描信號和數(shù)據(jù)信號的信號。
掃描驅(qū)動器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動器500可以排列在顯示板300的外部、排列在外圍區(qū)PA上、或者連同像素和信號線一起集成在顯示板300的外圍區(qū)PA內(nèi)。
接著，參考圖3、圖4、圖5、圖6和圖7，將描述顯示板的詳細(xì)層狀結(jié)構(gòu)。
可以由氧化硅或氮化硅制成的阻擋層111形成在絕緣襯底110上，絕緣襯底110可以由透明玻璃制成。阻擋層111可以具有雙層結(jié)構(gòu)。
可以由多晶硅或a-Si制成的多個半導(dǎo)體島151a和151b形成在阻擋膜111上。每個半導(dǎo)體島151a和151b可以包括多個非本征區(qū)和至少一個本征區(qū)，該非本征區(qū)包含N型或P型導(dǎo)電雜質(zhì)，而該本征區(qū)幾乎不包含導(dǎo)電雜質(zhì)。
關(guān)于開關(guān)薄膜晶體管(TFT)Qs的半導(dǎo)體島151a，非本征區(qū)包括第一源區(qū)153a、中間區(qū)1535和第一漏區(qū)155a，它們摻雜N型雜質(zhì)并且彼此分開，而且本征區(qū)包括一對(第一)溝道區(qū)154a1和154a2，它們布置在非本征區(qū)153a、1535和155a之間。
關(guān)于用于驅(qū)動TFT Qd的半導(dǎo)體島151b，非本征區(qū)包括第二源區(qū)153b和第二漏區(qū)155b，它們摻雜P型雜質(zhì)并且彼此分開，而本征區(qū)包括布置在第二源區(qū)153b和第二漏區(qū)155b之間的溝道區(qū)154b。第二源區(qū)153b延伸來形成存儲電極區(qū)157。
非本征區(qū)還可以包括布置在溝道區(qū)154a1、154a2和154b以及源區(qū)153a、153b和漏區(qū)155a、155b之間的輕度摻雜區(qū)(未圖示)。輕度摻雜區(qū)可以用基本上不包含雜質(zhì)的偏移區(qū)來取代。
作為選擇，根據(jù)驅(qū)動條件，第一半導(dǎo)體島151a的非本征區(qū)153a和155a可以摻雜P型雜質(zhì)，而第二半導(dǎo)體島151b的非本征區(qū)153b和155b可以摻雜N型雜質(zhì)。導(dǎo)電雜質(zhì)可以包括P型雜質(zhì)例如硼(B)和鎵(Ga)以及N型雜質(zhì)例如磷(P)和砷(As)。
半導(dǎo)體島151a和151b可以由a-Si制成。在這種情況下，沒有雜質(zhì)區(qū)，并且歐姆接觸可以形成在半導(dǎo)體島151a和151b上來提高半導(dǎo)體島151a、151b和其他金屬層之間的接觸特性。
可以由氧化硅或氮化硅制成的柵極絕緣層140形成在半導(dǎo)體島151a和151b以及阻擋膜111上。
包括多根柵極線121以及多個第二柵極124b的多個柵極導(dǎo)體形成在柵極絕緣層140上，該柵極線121包括多對第一柵極124a。
傳輸柵極信號的柵極線121基本上橫向延伸。每對第一柵極124a從柵極線121向上伸出，并且它們與第一半導(dǎo)體島151a交叉以便它們與一對第一溝道區(qū)154a1和154a2相重疊。每根柵極線121可以包括具有大面積的擴(kuò)展端部，用于與另一層或外部驅(qū)動電路連接。柵極線121可以直接連接到柵極驅(qū)動電路來產(chǎn)生柵極信號，該柵極驅(qū)動電路可以集成在襯底110上。
第二柵極124b與柵極線121分開，并且它們與第二半導(dǎo)體島151b交叉以便它們與第二溝道區(qū)154b相重疊。第二柵極124b延伸來形成與第二半導(dǎo)體島151b的存儲電極區(qū)157重疊的存儲電極127，從而形成存儲電容器Cst。
柵極導(dǎo)體121和124b可以由低電阻率材料制成，例如，包括含鋁金屬如鋁和鋁合金(例如鋁-釹)、含銀金屬如銀和銀合金、以及含銅金屬如銅和銅合金。柵極導(dǎo)體121和124b可以具有包括具有不同物理特性的兩層膜的多層結(jié)構(gòu)。在這種情況下，兩層膜之一可以由低電阻率金屬制成，包括含鋁金屬、含銀金屬和含銅金屬，用于減少柵極導(dǎo)體121和124b內(nèi)的信號延遲或電壓降。另一層膜可以由材料例如鉻、鉬及鉬合金、鉭或鈦制成，它們具有良好的物理、化學(xué)以及與其他材料例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的電接觸特性。層狀結(jié)構(gòu)的實例包括下鉻膜和上鋁-釹合金膜以及下鋁膜和上鉬膜。
另外，柵極導(dǎo)體121和124b的側(cè)面可以相對襯底110表面傾斜成約30-80度角。
層間絕緣層160形成在柵極導(dǎo)體121和124b上。層間絕緣層160可以用具有良好平面特性的光敏有機材料、低介電絕緣材料例如由等離子體增強型化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F、或者無機材料例如氮化硅和氧化硅制成。
層間絕緣層160具有暴露第二柵極124b的多個接觸孔164。另外，層間絕緣層160和柵極絕緣層140具有多個接觸孔163a，163b，165a和165b，分別暴露源區(qū)153a和153b以及漏區(qū)155a和155b。
包括多根數(shù)據(jù)線171、多根驅(qū)動電壓線172、多個第一漏極175a和第二漏極175b、以及公共電壓線278的多個數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在層間絕緣膜160上。
傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線171基本上縱向延伸并且與柵極線121交叉。每根數(shù)據(jù)線171包括多個第一源極173a，它們通過接觸孔163a連接到第一源區(qū)153a。每根數(shù)據(jù)線171可以包括具有大面積的擴(kuò)展端部，用于與另一層或外部驅(qū)動電路連接。數(shù)據(jù)線171可以直接連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路來產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可以集成在襯底110上。
為驅(qū)動TFT Qd傳輸驅(qū)動電壓的驅(qū)動電壓線172基本上縱向延伸并且與柵極線121交叉。每根驅(qū)動電壓線172包括多個第二源極173b，它們通過接觸孔163b連接到第二源區(qū)153b。驅(qū)動電壓線172可以彼此連接。
第一漏極175a與數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172分開，并且通過接觸孔165a連接到第一漏區(qū)155a以及通過接觸孔164連接到第二柵極124b。
第二漏極175b與數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172分開，并且通過接觸孔165b連接到第二漏區(qū)155b。
如圖3中所示，公共電壓線278包括布置在襯底110上緣附近的公共電壓焊點279。公共電壓線278可以由與柵極線121相同的層形成。
數(shù)據(jù)導(dǎo)體171，172，175a，175b和278可以由難熔金屬制成，包括鉻、鉬、鈦、鉭或其合金。它們可以具有包括低電阻率膜和良好接觸膜的多層結(jié)構(gòu)。多層結(jié)構(gòu)的實例包括下鉻膜和上鋁(合金)膜的雙層結(jié)構(gòu)、下鉬(合金)膜和上鋁(合金)膜的雙層結(jié)構(gòu)、以及下鉬膜、中鋁膜和上鉬膜的三層結(jié)構(gòu)。
類似于柵極導(dǎo)體121和124b，數(shù)據(jù)導(dǎo)體171，172，175a，175b和278相對襯底具有約30-80度角的傾斜邊外形。
鈍化層180形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171，172，175a，175b和278上。鈍化層180可以用具有良好平面特性的光敏有機材料、低介電絕緣材料例如由PECVD形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F、或者無機材料例如氮化硅和氧化硅制成。
鈍化層180具有分別暴露第二漏極175b和公共電壓線278的多個接觸孔185和188。鈍化層180還可以包括暴露數(shù)據(jù)線171端部的多個接觸孔(未圖示)，并且鈍化層180和層間絕緣層160可以具有暴露柵極線121端部的多個接觸孔(未圖示)。當(dāng)公共電壓線278排列在層間絕緣層160之下時，接觸孔188可以穿透層間絕緣層160。
多個像素電極190和接觸輔助88可以形成在鈍化層180上。
像素電極190可以用作如圖2中所示的發(fā)光元件LD的陽極，并且它們可以通過接觸孔185連接到第二漏極175b。像素電極190和接觸輔助88可以由透明導(dǎo)體制成，例如ITO或IZO。然而，像素電極190可以由不透明反射導(dǎo)體制成，例如鋁、銀、鈣、鋇和鎂。
接觸輔助88通過接觸孔188連接到公共電壓線278來覆蓋公共電壓線278的暴露部分?？梢允÷越佑|輔助88，或者可以形成一個以上接觸輔助。
多個接觸輔助或連接件(未圖示)也可以形成在鈍化層180上，以便它們連接到柵極線121、數(shù)據(jù)線171或公共電壓焊點279的暴露端部。
分離OLED顯示器像素的隔板360形成在鈍化層180和像素電極190上。隔板360圍繞像素電極190來限定要填充有機發(fā)光材料的開口365。隔板360具有暴露接觸輔助88的多個接觸孔368，并且它可以由有機或無機絕緣材料制成。
多個發(fā)光元件370形成在像素電極190上，并且布置在由隔板360限定的開口365內(nèi)。發(fā)光元件370可以由發(fā)射基色光例如紅、綠和藍(lán)光的有機材料制成。周期性地排列紅、綠和藍(lán)發(fā)光元件370。
包括下電極271和上電極272的公共電極270形成在發(fā)光元件370和隔板360上。為公共電極270提供公共電壓Vcom。
下電極271可以由絕緣體例如LiF或者堿或堿土金屬例如鋇、鈣或鋰制成，而上電極272可以由低電阻率金屬例如鋁、銀或它們的合金制成?？梢越佑|發(fā)光元件370的下電極271可以具有低逸出功，使得下電極271有利于電子注入發(fā)光元件370。上電極272可以由耐氧化的低電阻率材料制成，使得上電極272保護(hù)下電極271和減少公共電壓Vcom的畸變。
如圖3和圖4所示，上電極272包括通過接觸孔368接觸接觸輔助88的接觸部分B，而下電極271不接觸接觸輔助88。這個結(jié)構(gòu)減少了公共電極270和接觸輔助88或公共電壓線278之間的接觸電阻。詳細(xì)地，通過少量的熱量，例如接觸部分B上產(chǎn)生的熱量，可以容易地熔化具有低逸出功的金屬，例如鋇或鈣，從而增加接觸電阻。另外，絕緣體例如LiF也增加接觸電阻。由于上述結(jié)構(gòu)，上電極272接觸接觸輔助88，但下電極271不接觸。因此，可以降低公共電極270和公共電壓線278之間的接觸電阻。
在上述OLED顯示器中，開關(guān)TFT Qs包括第一半導(dǎo)體島151a、連接到柵極線121的第一柵極124a、連接到數(shù)據(jù)線171的第一源極173a、以及第一漏極175a。另外，驅(qū)動TFT包括第二半導(dǎo)體島151b、連接到第一漏極175a的第二柵極124b、連接到驅(qū)動電壓線172的第二源極173b、以及連接到像素電極190的第二漏極175b。而且，連接到第二源區(qū)153b的存儲電極區(qū)157和連接到第二柵極124b的存儲電極127形成存儲電容器Cst。圖5-7中所示的示范性TFT Qs和Qd稱為“頂部柵極TFT”，因為柵極124a和124b布置在半導(dǎo)體151a和151b上。
有機發(fā)光元件370可以具有如圖8中所示的多層結(jié)構(gòu)。有機發(fā)光元件370至少包括發(fā)射層EML，并且它還可以包括輔助層來提高發(fā)射層EML的發(fā)光效率。輔助層可以包括用于提高電子和空穴平衡的電子傳輸層ETL和空穴傳輸層HTL，以及用于提高電子和空穴注入的電子注入層EIL和空穴注入層HIL。公共電極270的下電極271可以用作電子注入層EIL。
現(xiàn)在，將在下文中參考圖9-27C以及圖3-8來描述圖3-8中所示顯示板的制造方法。
圖9，圖11，圖13，圖15，圖17，圖19，圖21，圖23和圖25是在依據(jù)本發(fā)明實施例的顯示板制造方法的中間步驟中，圖3-8的顯示板的布局圖。圖10A和圖10B是顯示板分別沿著圖9的線XA-XA’和XB-XB’的剖面圖，而圖10C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。圖12A和圖12B是顯示板分別沿著圖11的線XIIA-XIIA’和XIIB-XIIB’的剖面圖，而圖12C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。圖14A和圖14B是顯示板分別沿著圖13的線XIVA-XIVA’和XIVB-XIVB’的剖面圖，而圖14C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。圖16A和圖16B是顯示板分別沿著圖15的線XVIA-XVIA’和XVIB-XVIB’的剖面圖，而圖16C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。圖18A和圖18B是顯示板分別沿著圖17的線XVIIIA-XVIIIA’和XVIIIB-XVIIIB’的剖面圖，而圖18C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。圖20A和圖20B是顯示板分別沿著圖19的線XXA-XXA’和XXB-XXB’的剖面圖，而圖20C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。圖22A和圖22B是顯示板分別沿著圖21的線XXIIA-XXIIA’和XXIIB-XXIIB’的剖面圖，而圖22C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。圖24A和圖24B是顯示板分別沿著圖23的線XXIVA-XXIVA’和XXIVB-XXIVB’的剖面圖，而圖24C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。圖26A和圖26B是顯示板分別沿著圖25的線XXVIA-XXVIA’和XXVIB-XXVIB’的剖面圖，而圖26C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。圖27A和圖27B是顯示板分別沿著圖25的線XXVIA-XXVIA’和XXVIB-XXVIB’的剖面圖，并且圖解了圖26A和圖26B中所示步驟之后的步驟，而圖27C是顯示板在本步驟中沿著圖3的線IV-IV’的剖面圖。
參考圖9-10C，阻擋層111形成在絕緣襯底110上，由a-Si制成的半導(dǎo)體層可以通過LPCVD(低壓化學(xué)氣相沉積)、PECVD(等離子體增強型化學(xué)氣相沉積)或濺射沉積在阻擋層111上。
接著，半導(dǎo)體層可以結(jié)晶成多晶硅，并且進(jìn)行光刻來形成多對第一半導(dǎo)體島151a和第二半導(dǎo)體島151b。作為選擇，可以留下半導(dǎo)體層作為a-Si層。
參考圖11-12C，按照順序?qū)艠O絕緣層140和柵極金屬層沉積在包括第一半導(dǎo)體島151a和第二半導(dǎo)體島151b的襯底上，并且第一光致抗蝕劑PR1形成在其上。通過使用第一光致抗蝕劑PR1作為蝕刻掩模來蝕刻柵極金屬層，以形成包括存儲電極127的多個柵極124b以及多個柵極金屬件120a。將P型雜質(zhì)引入第二半導(dǎo)體島151b未被柵極124b和柵極金屬件120a以及第一光致抗蝕劑PR1覆蓋的部分，以形成多個P型非本征區(qū)153b和155b。此時，用第一光致抗蝕劑PR1和柵極金屬件120a覆蓋第一半導(dǎo)體島151a，并且保護(hù)其免遭雜質(zhì)注入。
參考圖13-14C，除去第一光致抗蝕劑PR1，并且形成第二光致抗蝕劑PR2。使用第二光致抗蝕劑PR2作為蝕刻掩模來蝕刻柵極金屬件120a，以形成包括柵極124a的多根柵極線121。將N型雜質(zhì)注入第一半導(dǎo)體島151a未被柵極線121和柵極124b以及第二光致抗蝕劑PR2覆蓋的部分，以形成多個N型非本征區(qū)153a和155a。此時，用第二光致抗蝕劑PR2覆蓋第二半導(dǎo)體島151b，并且保護(hù)其免遭雜質(zhì)注入。
參考圖15-16C，沉積層間絕緣膜160，并且光刻層間絕緣膜160和柵極絕緣層140，來形成分別暴露非本征區(qū)153a，153b，155a和155b的多個接觸孔163a，163b，165a和165b，以及暴露柵極124b的多個接觸孔164。
參考圖17-18C，在層間絕緣層160上形成多個數(shù)據(jù)導(dǎo)體，所述多個數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括包含第一源極173a的多根數(shù)據(jù)線171、包含第二源極173b的多根驅(qū)動電壓線172、多個第一漏極175a和第二漏極175b、以及公共電壓線278。
參考圖19-20C，沉積鈍化層180并且對其進(jìn)行光刻，來形成分別暴露第二漏極175b和公共電壓線278的多個接觸孔185和188。
參考圖21-22C，在鈍化層180上形成多個像素電極190和一個接觸輔助88。當(dāng)像素電極190由反射不透明材料制成時，它們可以與數(shù)據(jù)線171一起由數(shù)據(jù)金屬層制成。
參考圖23-24C，沉積絕緣層并且對其進(jìn)行構(gòu)圖來形成隔板360，所述隔板360在像素電極190上具有多個開口365并且在接觸輔助88上具有至少一個接觸孔368。
參考圖25-26C，通過掩蔽之后的沉積或噴墨印刷來在開口365內(nèi)形成多個有機發(fā)光元件370，所述有機發(fā)光元件370至少包括發(fā)光層，并且還可以包括多層。
參考圖27A-27C，通過使用蔭罩等來形成下電極271，以便使下電極271不排列在接觸孔368上。
如圖3、圖4、圖6和圖7中所示，在下電極271上形成上電極272，上電極272具有排列在接觸孔368上的接觸部分B。盡管未圖示，然后，例如通過密封膜或金屬蓋可以密封OLED設(shè)備。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見，可以在本發(fā)明中進(jìn)行各種修改和變化而不脫離本發(fā)明的本質(zhì)或范圍。因此，本發(fā)明旨在覆蓋本發(fā)明的修改和變化，只要它們在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于有機發(fā)光顯示器的顯示板，所述顯示板包括多個陽極電極；一陰極電極，給所述陰極電極提供預(yù)定電壓，所述陰極電極包括面向所述陽極電極的第一部分和接收所述預(yù)定電壓的第二部分，所述第二部分具有與所述第一部分不同的橫截面；布置在所述陽極電極和所述陰極電極之間的多個發(fā)光元件；以及傳輸所述預(yù)定電壓并接觸所述陰極電極第二部分的導(dǎo)線。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示板，其中所述第一部分包括多層部分。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示板，其中所述多層部分包括接觸所述發(fā)光元件的第一層以及第二層，所述第一層布置在所述陽極電極和所述第二層之間。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示板，其中所述第一層與所述導(dǎo)線隔開。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示板，其中所述第二部分包括所述第二層。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示板，其中所述第一層具有比所述第二層更低的功函數(shù)。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示板，其中所述第一層包括堿金屬或堿土金屬。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示板，其中所述第一層包括鋇、鈣或鋰。
9.如權(quán)利要求5所述的顯示板，其中所述第一層包括LiF。
10.如權(quán)利要求5所述的顯示板，其中所述第二層具有比所述第一層更低的電阻率。
11.如權(quán)利要求5所述的顯示板，其中所述第一層比所述第二層更可氧化。
12.如權(quán)利要求1所述的顯示板，其中所述導(dǎo)線具有多層結(jié)構(gòu)。
13.一種用于有機發(fā)光顯示器的顯示板，所述顯示板包括多個陽極電極；分別布置在所述陽極電極上的多個發(fā)光元件；金屬層，所述金屬層包括排布在所述發(fā)光元件上的第一部分和與所述發(fā)光元件隔開的第二部分；以及連接到所述金屬層第二部分的導(dǎo)線，其中所述導(dǎo)線布置在位于排布所述發(fā)光元件的層之下的層上。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示板，還包括排布在所述導(dǎo)線之上和所述發(fā)光元件之下的絕緣層。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示板，其中所述絕緣層排布在所述陽極電極之下，并且具有至少部分暴露所述導(dǎo)線的接觸孔。
16.如權(quán)利要求15所述的顯示板，還包括排布在所述導(dǎo)線和所述金屬層之間的接觸輔助。
17.如權(quán)利要求16所述的顯示板，其中所述陽極電極包括透明材料。
18.如權(quán)利要求17所述的顯示板，其中所述接觸輔助排布在與所述陽極電極相同的層上。
19.如權(quán)利要求13所述的顯示板，還包括掃描線；數(shù)據(jù)線；連接到所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的開關(guān)晶體管；連接到所述開關(guān)晶體管和陽極電極的驅(qū)動晶體管；以及連接在所述驅(qū)動晶體管端子之間的電容器。
20.如權(quán)利要求19所述的顯示板，其中所述導(dǎo)線包括與所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線之一相同的層。
全文摘要
一種用于有機發(fā)光顯示器的顯示板，包括多個陽極電極和一陰極電極，給所述陰極電極提供預(yù)定電壓，所述陰極電極包括面向所述陽極電極的第一部分和接收所述預(yù)定電壓的第二部分，所述第二部分具有與所述第一部分不同的橫截面。多個發(fā)光元件排列在所述陽極電極和所述陰極電極之間，且導(dǎo)線傳輸所述預(yù)定電壓并接觸所述陰極電極第二部分。
文檔編號H05B33/20GK1735302SQ20051009810
公開日2006年2月15日 申請日期2005年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月2日
發(fā)明者鄭真九, 李東遠(yuǎn), 崔凡洛 申請人:三星電子株式會社