專利名稱：表面光源器件和具有該表面光源器件的背光單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種表面光源器件和具有所述表面光源器件的背光單元。本發(fā)明尤其涉及一種具有能夠產(chǎn)生大量次級(jí)電子的電極的表面光源器件以及具有所述表面光源器件的背光單元。
背景技術(shù)：
通常，使用液晶顯示器(LCD)器件的液晶具有電和光特性。在LCD器件中，液晶的排列響應(yīng)于施加到其上的電場(chǎng)方向而變化，并且其光透射比(transmittance)也會(huì)根據(jù)其排列的變化而改變。
LCD器件使用液晶的電和光特性來(lái)顯示圖像。LCD器件有利地比陰極射線管(CRT)類型的顯示器件更小并且更輕。由此，LCD器件在各種電子裝置中被廣泛使用，例如便攜式計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、液晶電視接收裝置、航天設(shè)備等。
為了顯示圖像，LCD器件需要用于控制液晶的液晶控制部件和用于為光控制部件提供光的光提供部件。
所述液晶控制部件包括設(shè)置在第一基底上的像素電極、設(shè)置在對(duì)應(yīng)于第一基底的第二基底上的公共電極、以及插入到像素電極和公共電極之間的液晶。所述液晶控制部件包括多個(gè)與分辨率相對(duì)應(yīng)的像素電極，并且公共電極被設(shè)置于與像素電極相對(duì)應(yīng)的位置。多個(gè)薄膜晶體管(TFT)被電氣連接到像素電極，以為像素電極分別提供電平彼此不同的像素電壓。基準(zhǔn)電壓被施加到上述公共電極。像素電極和公共電極可以包括透明導(dǎo)電材料。
光提供部件為液晶控制部件的液晶提供光。所述光順序地穿過(guò)像素電極、液晶和公共電極。穿過(guò)液晶的圖像的顯示質(zhì)量受由光提供部件產(chǎn)生的光的亮度(luminance)和亮度的均勻性(uniformity)的影響。LCD器件的顯示質(zhì)量隨著光的亮度和亮度的均勻性成比例的增加。
傳統(tǒng)的LCD器件的光提供部件包括具有條形形狀的冷陰極熒光燈(CCFL)或具有點(diǎn)形形狀的發(fā)光二極管(LED)。CCFL具有有利的特性，例如高的亮度、長(zhǎng)的使用壽命、以及與白熾燈相比小的發(fā)熱量等。而LED則具有例如高亮度等的多種特性。然而，CCFL和LED具有不均勻的亮度。
因此，具有例如CCFL或LED光源的光提供部件包括光學(xué)部件，例如導(dǎo)光板(LGP)、漫射元件和棱鏡片等，以用來(lái)增強(qiáng)產(chǎn)生于光提供部件的光的亮度的均勻性。因此，存在這樣的問(wèn)題，即具有CCFL或LED的LCD器件的尺寸(例如體積)及其重量正比于上述光學(xué)部件的尺寸而增加。
近年來(lái)，人們開(kāi)發(fā)了一種具有扁平(flat)形狀的表面光源以解決上述問(wèn)題。


圖1是描述傳統(tǒng)表面光源器件的立體圖，圖2是沿著圖1中的“II-II”線獲取的剖視圖。
參照?qǐng)D1和圖2，傳統(tǒng)的表面光源包括光源本體10和外部電極30。光源本體10包括第一基底11和置于第一基底11上方的第二基底12。第二基底12具有一體形成在第二基底12上的多個(gè)分隔壁部分13。分隔壁部分13與第一基底11相接觸以形成多個(gè)向其中注入放電氣體的放電空間20。相鄰的兩個(gè)分隔壁部分13具有約3毫米到約5毫米的寬度，以通過(guò)分隔壁部分13抑制放電空間之間電流漂移效應(yīng)的產(chǎn)生。另外，穿過(guò)分隔壁部分13形成有氣體通道40，放電氣體通過(guò)氣體通道40流動(dòng)。一對(duì)外部電極30環(huán)繞第一基底11和第二基底12的外表面。
然而，在傳統(tǒng)的表面光源器件中，由于在被外部電極30環(huán)繞的非發(fā)光區(qū)域中產(chǎn)生相對(duì)較高的電壓降落效應(yīng)，因此放電空間中的離子被加速，使得能耗相對(duì)較高。另外，傳統(tǒng)的表面光源器件具有差的亮度特性。因此，在傳統(tǒng)的表面光源中，初始的放電電壓相當(dāng)高并且非發(fā)光區(qū)域中的功耗過(guò)大。結(jié)果，將能量轉(zhuǎn)換為非發(fā)光區(qū)域中的光的轉(zhuǎn)換效率被大大降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種能夠在放電空間中產(chǎn)生次級(jí)電子以提高等離子體產(chǎn)生效率的表面光源器件。
本發(fā)明還提供了一種具有將上述表面光源器件作為光源的背光單元。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的表面光源器件可包括具有向其中注入放電氣體的多個(gè)放電空間的光源本體。所述光源本體外表面上設(shè)置有用以為所述放電氣體施加放電電壓從而產(chǎn)生等離子體的外部電極。所述光源本體內(nèi)設(shè)置有用以為所述等離子體提供次級(jí)電子的多孔內(nèi)部電極(porous internal electrode)。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，所述光源本體可包括第一基底，位于所述第一基底上方的第二基底，插入于所述第一和第二基底的邊緣部件之間用以限定出與外部隔離的內(nèi)部空間的密封部件，以及用以將所述內(nèi)部空間分割為多個(gè)所述放電空間的分隔壁。
根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方案，所述光源本體可包括第一基底，以及具有與第二基底一體形成的分隔壁部分的第二基底。所述分隔壁部分與所述第一基底相接觸以形成放電空間。所述分隔壁部分可具有約3毫米到約5毫米的寬度以抑制電流漂移效應(yīng)。
根據(jù)有一個(gè)實(shí)施方案，所述多孔內(nèi)部電極可包括多孔部件，以及形成在所述多孔部件外表面的傳導(dǎo)層。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面的背光單元可包括表面光源器件、用于接納所述表面光源器件的殼、插入到所述光源器件和所述殼之間的光學(xué)部件，以及用于將放電電壓施加到所述表面光源器件的所述電極的變換器。所述表面光源器件可包括具有向其中注入放電氣體的多個(gè)放電空間的光源本體，設(shè)置在所述光源本體外表面上為所述放電氣體提供電壓以產(chǎn)生等離子體的外部電極，和布置在所述光源本體內(nèi)用以為所述等離子體提供次級(jí)電子的多孔內(nèi)部電極。
根據(jù)本發(fā)明，多孔內(nèi)部電極所提供的次級(jí)電子使得電場(chǎng)強(qiáng)度增加，由此可以降低初始放電電壓。另外，次級(jí)電子的存在可降低用于適當(dāng)保持等離子體所需的陰極降落電壓，從而，可以減少非發(fā)光區(qū)域的電壓消耗。
附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明通過(guò)參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方案進(jìn)行詳細(xì)的描述后，本發(fā)明的上述和其它特征以及有益效果會(huì)更加清楚，其中圖1是描述傳統(tǒng)表面光源器件的立體圖；圖2是沿著圖1中的II-II’線獲取的剖視圖；圖3是描述根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)示例性實(shí)施方案的表面光源器件的立體圖；圖4是沿著圖3中的IV-IV’線獲取的剖視圖；圖5是描述圖4中的多孔內(nèi)部電極的放大剖視圖；圖6是描述根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)示例性實(shí)施方案的表面光源器件的立體圖；圖7是沿著圖6中的VII-VII’線獲取的剖視圖；圖8是描述根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)示例性實(shí)施方案的表面光源器件的立體圖；圖9是沿著圖8中的IX-IX’線獲取的剖視圖；圖10是描述根據(jù)本發(fā)明第四個(gè)實(shí)施方案的背光單元的分解立體圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中將參照顯示本發(fā)明實(shí)施方案的相應(yīng)附圖更充分地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以用各種不同形式來(lái)體現(xiàn)，并且不應(yīng)該受這里提出的實(shí)施方案的限制。更正確地講，提供這些實(shí)施方案的目的是為了使本文公開(kāi)的內(nèi)容是充分和完全的，并且向本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員完全地傳遞本發(fā)明的保護(hù)范圍。在附圖中，層和區(qū)域的大小和相對(duì)大小出于清楚的目的可能被夸大。
應(yīng)該理解，在元件或?qū)颖恢笧椤拔挥谥?on)”、“被連接到(connectedto)”或“被耦合到(coupled to)”另一元件或?qū)訒r(shí)，它的意思是該元件或?qū)悠淠軌蛑苯游挥?、被連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在介于其間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被指為“直接位于之上(directly on)”、“被直接連接到(directly connected to)”或“被直接耦合到(directly coupled to)”另一元件或?qū)訒r(shí)，則不存在介于其間的元件或?qū)?。所有相同的?biāo)號(hào)表示同一元件。如在這里所使用的那樣，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列出的術(shù)語(yǔ)的任意和所有組合。
應(yīng)該理解，盡管在這里可以使用術(shù)語(yǔ)第一、第二等描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部件，但是上述元件、組件、區(qū)域、層和/或部件不應(yīng)該由這些術(shù)語(yǔ)來(lái)限制。上述術(shù)語(yǔ)僅僅是被用來(lái)使一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部件區(qū)別于另一個(gè)區(qū)域、層或部件。這樣，在下面將討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部件能夠被術(shù)語(yǔ)定義為第二元件、組件、區(qū)域、層或部件而不會(huì)背離本發(fā)明的教導(dǎo)。
與空間相關(guān)的術(shù)語(yǔ)，例如“在...之下(beneath)”、“在...下面(below)”、“下部的(lower)”、“在...的上方(above)”、“上部的(upper)”或類似術(shù)語(yǔ)在這里為了描述的流暢可以被用來(lái)描述圖中的一個(gè)元件或器件相對(duì)于另一元件或零件(features)的關(guān)系。應(yīng)該理解的，是與空間相關(guān)的術(shù)語(yǔ)的意圖除了在圖中描述的方向以外還涵蓋了在使用或操作中的器件的不同方向。例如，如果在圖中的器件被反轉(zhuǎn)，被描述為“在其它元件或器件下面”或“在其它元件或器件之下”的元件或器件將會(huì)被定向?yàn)槲挥谏鲜銎渌蚱骷戏?。這樣，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下面”能夠包含上面和下面兩個(gè)方向。另外，該器件可以被定向?yàn)槠渌较?如旋轉(zhuǎn)90度或其它的角度)并且與在這里使用的與空間相關(guān)的描述用語(yǔ)也應(yīng)具有相應(yīng)地解釋。
在這里使用的術(shù)語(yǔ)僅僅是為了描述具體實(shí)施方案的目的，并不是被確定來(lái)限制本發(fā)明。如在這里所使用的一樣，單數(shù)形式“一(a)”、“一(an)”和“這(the)”被確定為還包括復(fù)數(shù)形式，除非該內(nèi)容被做了明確的相反指示。還應(yīng)該認(rèn)識(shí)到術(shù)語(yǔ)“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”在本說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)明確說(shuō)明了既定器件(stated features)、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是并不排除一個(gè)或多個(gè)其它器件、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合的存在或添加。
在此參照剖面圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施方案，所述剖面圖示例性地示出了本發(fā)明的理想化實(shí)施方案(以及中間結(jié)構(gòu))。因而，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差(tolerance)所產(chǎn)生的示意圖的形狀的變化。這樣，本發(fā)明的實(shí)施方案不應(yīng)被限制于在此描述的區(qū)域的具體形狀，而應(yīng)包括由例如制造導(dǎo)致的形狀上的偏差。舉例來(lái)說(shuō)，被描述為矩形的注入?yún)^(qū)域在其邊緣將典型地具有圓形的或者彎曲的特征和/或注入濃度的梯度，而不只是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣地，由注入形成的掩埋區(qū)域可能在掩埋區(qū)域和通過(guò)其進(jìn)行注入的表面之間的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生某些注入。因此，在圖中所描述的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，并且其形狀并非被確定來(lái)描述器件的區(qū)域的實(shí)際形狀而且并非被確定來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
除非有相反的限定，在這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有和本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所通常理解相同的意思。還應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，諸如在公共使用的字典中定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)該被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)領(lǐng)域的上下文中具有的意思一致，并且不能以理想化或完全正式的意義解釋，除非在這里有明確的定義。
實(shí)施方案1圖3是描述根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)示例性實(shí)施方案的表面光源器件的立體圖。圖4是沿著圖3中的IV-IV’線獲取的剖視圖。圖5是描述圖4中的多孔內(nèi)部電極的放大剖視圖。
參照?qǐng)D3和圖4，本實(shí)施方案的表面光源器件100包括光源本體110、外部電極120和多孔內(nèi)部電極150，光源本體110具有向其中注入放電氣體的內(nèi)部空間，外部電極120用于為放電氣體提供放電電壓以形成等離子體，多孔內(nèi)部電極用于為等離子體提供次級(jí)電子。放電氣體的示例包括汞氣、氬氣、氖氣和氙氣等。這些氣體在此可以單獨(dú)使用或者結(jié)合使用。
本實(shí)施方案的表面光源器件100是分隔壁-分離(partition wall-separated)類型。因此，光源本體110包括第一基底111、置于第一基底上方的第二基底112、插入在第一基底111和第二基底112的邊緣之間以限定向其中注入放電氣體的內(nèi)部空間的密封部件140、布置在內(nèi)部空間中用以將內(nèi)部空間分隔為多個(gè)放電空間S的多個(gè)分隔壁130，多孔內(nèi)部電極150用于為等離子體提供次級(jí)電子。
多個(gè)分隔壁130沿著第一方向基本彼此平行地排列。根據(jù)本實(shí)施方案，為了使相鄰的兩個(gè)放電空間S彼此相連，穿過(guò)每個(gè)分隔壁130形成有氣體通道(未示出)，或者以蛇形形狀排列分隔壁130。
第一基底111和第二基底112包括能夠透過(guò)可見(jiàn)光并且阻擋紫外線的玻璃材料。第二基底112包括將放電空間S中產(chǎn)生的光射出的出光面(lightexiting face)。在第一基底111上可形成第一鈍化層(未示出)以及在第二基底112下方可形成第二鈍化層(未示出)。
另外，可以在第一基底111的表面上形成反射層(未示出)。反射層可以包括氧化鈦(TiO3)膜、氧化鋁(AL2O3)膜等等。可以通過(guò)化學(xué)氣相淀積(CVD)工藝、濺射工藝等來(lái)形成反射層(例如TiO3膜或AL2O3膜)。反射層將射向第一基底111的可見(jiàn)光反射至第二基底112，以增強(qiáng)表面光源器件100的亮度。
可以在反射層上形成用以將放電空間S中紫外線轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光的第一熒光層(未示出)。此外，可以在第二基底112下方形成第二熒光層(未示出)。
連接至電源的一對(duì)外部電極120分別在第一基底111和第二基底112的外表面形成。外部電極120以基本上垂直于所述第一方向的第二方向排列。因此，外部電極120基本上垂直于分隔壁130?？捎糜谛纬赏獠侩姌O120的金屬的示例可以包括銅(Cu)、鎳(Ni)、鎢(W)等等。
多孔外部電極150布置在光源本體110中。多孔電極150是未連接至電源的浮動(dòng)電極。特別地，多孔內(nèi)部電極150被設(shè)置在放電空間S的與外部電極120的位置相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)邊緣部分。多孔內(nèi)部電極150將次級(jí)電子提供給通過(guò)對(duì)外部電極120施加放電電壓而產(chǎn)生的等離子體。特別地，由放電氣體激發(fā)出的離子在放電空間S中與多孔內(nèi)部電極150碰撞。因此，多孔內(nèi)部電極150不斷地發(fā)射次級(jí)電子，以穩(wěn)定地保持等離子的數(shù)量。
因此，多孔內(nèi)部電極150所提供的次級(jí)電子使得電場(chǎng)強(qiáng)度增加，由此可以降低初始放電電壓。另外，所需的用于適當(dāng)保持等離子體的陰極降落電壓可以由于次級(jí)電子的存在而被降低，因此，可以減少非發(fā)光區(qū)域的電壓消耗。此外，由于從非發(fā)光區(qū)域提供至發(fā)光區(qū)域的次級(jí)電子使得發(fā)光區(qū)域的能耗增加，因此可以提高將能量轉(zhuǎn)換為光的轉(zhuǎn)換效率。
參照?qǐng)D5，多孔內(nèi)部電極150包括多孔部件151，以及形成在多孔部件151外表面上的傳導(dǎo)層152。
多孔部件151具有多個(gè)孔隙(void)。當(dāng)孔隙的直徑不超過(guò)約30微米時(shí)，傳導(dǎo)層152不容易覆蓋在孔隙的內(nèi)面上。相反，當(dāng)孔隙的直徑不小于300微米時(shí)，多孔內(nèi)部電極150的面積被減小，從而不會(huì)產(chǎn)生所需的發(fā)射次級(jí)電子的效應(yīng)。因此，多孔部件151的孔隙的直徑約為30微米到約300微米。在本實(shí)施方案中，多孔部件151的一個(gè)示例包括陶瓷材料。
同時(shí)，傳導(dǎo)層152的示例包括銅(Cu)、鎳(Ni)、鎢(W)等。在本實(shí)施方案中，傳導(dǎo)層152的材料基本上與外部電極120的材料相同。
實(shí)施方案2圖6是描述根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)示例性實(shí)施方案的表面光源器件的立體圖。圖7是沿著圖6中的VII-VII’線獲取的剖視圖。
參照?qǐng)D6和圖7，根據(jù)第二個(gè)示例性實(shí)施方案的表面光源器件200包括光源本體210、外部電極220和多孔內(nèi)部電極250，光源本體210具有向其中注入放電氣體的內(nèi)部空間，外部電極220用于為放電氣體提供放電電壓以使得放電氣體產(chǎn)生等離子體，多孔內(nèi)部電極250用于為等離子體提供次級(jí)電子。
本實(shí)施方案的表面光源器件200是分隔壁-整合(integrated)類型。因此，光源本體210包括第一基底211、置于第一基底上方的第二基底212。第二基底212與分隔壁部分213一體形成。分隔壁部分213與第一基底211相接觸以形成向其中注入放電氣體的多個(gè)放電空間S。兩個(gè)最外側(cè)的分隔壁部分通過(guò)熔塊(frit)260與第一基底211相連接。分隔壁部分213沿著第一方向基本上彼此平行地排列。特別地，分隔壁部分213可以具有約1毫米到2毫米的寬度。為了連通相鄰的兩個(gè)放電空間S，可以穿過(guò)每個(gè)分隔壁部分213形成至少一個(gè)連接孔，或者至少兩個(gè)分隔壁部分213以蛇形形狀排列。
外部電極220在第一基底211和第二基底212的外表面形成。多孔內(nèi)部電極250分別被設(shè)置在每個(gè)放電空間S的與外部電極220相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)邊緣部分。多孔內(nèi)部電極250包括多孔部件251，以及形成在多孔部件251外表面的傳導(dǎo)層252。多孔部件251具有多個(gè)孔隙。
實(shí)施方案3圖8是描述根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)示例性實(shí)施方案的表面光源器件的立體圖。圖9是沿著圖8中的IX-IX’線獲取的剖視圖。
參照?qǐng)D8和圖9，根據(jù)第三個(gè)示例性實(shí)施方案的表面光源器件300是分隔壁-整合類型。因此，光源本體310包括第一基底311、置于第一基底311上方并且具有多個(gè)分隔壁部分的第二基底312，多個(gè)分隔壁部分與第二基底312一體形成。最外側(cè)的分隔壁部分313通過(guò)熔塊260與第一基底311相連接。特別地，分隔壁部分313可以具有約3毫米到約5毫米的寬度，優(yōu)選地約4毫米，從而能夠通過(guò)分隔壁部分313抑制相鄰的兩個(gè)放電空間S之間的電流漂移效應(yīng)。
為了連通相鄰的兩個(gè)放電空間S，穿過(guò)分隔壁部分313形成至少一個(gè)連接通道370。在本實(shí)施方案中，每個(gè)分隔壁部分313具有相對(duì)于第一方向以銳角傾斜的連接通道370?？蛇x地，連接通道370可以沿著基本上垂直于所述第一方向的第二方向形成。
例如，與電源電連接的一對(duì)外部電極320形成在第一基底311和第二基底312的兩個(gè)面上。多孔內(nèi)部電極350設(shè)置在光源本體310內(nèi)。特別地，多孔內(nèi)部電極350設(shè)置在每個(gè)放電空間S與外部電極320相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)邊緣部分。
實(shí)施方案4圖10是描述根據(jù)本發(fā)明第四個(gè)實(shí)施方案的背光單元的分解立體圖。
參照?qǐng)D10，根據(jù)本實(shí)施方案的背光單元1000包括根據(jù)第三個(gè)示例性實(shí)施方案的表面光源器件300、上殼1100和下殼1200、光學(xué)部件900和變換器(inverter)1300。
表面光源器件300參照?qǐng)D8被詳細(xì)地描述過(guò)。這樣，表面光源器件300的所有進(jìn)一步的描述被省略。也可以在背光單元1000中采用根據(jù)實(shí)施方案1和2所述的其它表面光源器件。
下殼1200包括用于接納表面光源器件300的底面1210，以及從底面1210的邊緣延伸出來(lái)的側(cè)面1220。這樣，在底殼1200中形成有用于接納表面光源器件300的接納空間。
變換器1300被設(shè)置在底殼1200的下面。變換器1300產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)表面光源器件300的放電電壓。從變換器1300產(chǎn)生的放電電壓通過(guò)第一電纜1352和第二電纜1354被施加到表面光源器件300的外部電極320。
光學(xué)部件900包括用于均勻地漫射從表面光源器件300發(fā)出的光的漫射片(未示出)和用于給上述漫射片漫射的光提供順向性(straightforwardness)的棱鏡片(未示出)。
上殼1100與底殼1200組合起來(lái)以支撐表面光源器件300和光學(xué)片900。上殼1100防止表面光源器件300與底殼1200分離。
另外，用于顯示圖像的LCD板(未示出)可以被設(shè)置到上殼1100的上方。
根據(jù)本發(fā)明，多孔內(nèi)部電極所提供的次級(jí)電子使得電場(chǎng)強(qiáng)度增加，由此可以降低初始放電電壓。
另外，所需的用于適當(dāng)保持等離子體的陰極降落電壓可以由于次級(jí)電子的存在而被降低，因此，可以減少非發(fā)光區(qū)域的電壓消耗。
此外，由于從非發(fā)光區(qū)域提供至發(fā)光區(qū)域次級(jí)電子使得發(fā)光區(qū)域的能耗增加，因此可以提高將能量轉(zhuǎn)換為光的轉(zhuǎn)換效率。
在描述了本發(fā)明的示例性的實(shí)施方案和它的有益效果之后，應(yīng)該注意到，在不背離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此可以進(jìn)行各種變化、代替和改變。
權(quán)利要求
1.一種表面光源器件，包括光源本體，其具有向其中注入放電氣體的多個(gè)放電空間；外部電極，其設(shè)置在所述光源本體的外表面，并將放電電壓施加到所述放電氣體，從而在所述光源本體中產(chǎn)生等離子體；以及多孔內(nèi)部電極，其布置在所述光源本體內(nèi)，用以為所述等離子體提供次級(jí)電子。
2.如權(quán)利要求1所述的表面光源器件，其中，所述光源本體包括第一基底；第二基底，其位于所述第一基底上方；密封部件，其插入于所述第一和第二基底的邊緣部件之間，以限定出與外部隔離的內(nèi)部空間；以及分隔壁，其布置在所述內(nèi)部空間內(nèi)，用以將所述內(nèi)部空間分割為所述放電空間。
3.如權(quán)利要求1所述的表面光源器件，其中，所述光源本體包括第一基底；以及第二基底，其與分隔壁部分一體形成，所述分隔壁部分與所述第一基底相接觸以形成所述放電空間。
4.如權(quán)利要求3所述的表面光源器件，其中，所述分隔壁部分具有約3毫米到約5毫米的寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的表面光源器件，其中，所述外部電極形成在所述第一和第二基底的兩個(gè)邊緣部分的外表面上，所述多孔內(nèi)部電極布置在所述放電空間分別與所述外部電極的位置相對(duì)應(yīng)的部分中。
6.如權(quán)利要求1所述的表面光源器件，其中，所述多孔內(nèi)部電極包括多孔部件；以及傳導(dǎo)層，其形成在所述多孔部件的外表面。
7.如權(quán)利要求6所述的表面光源器件，其中，所述多孔部件具有直徑為約30微米到約300微米的多個(gè)孔隙。
8.如權(quán)利要求6所述的表面光源器件，其中，所述多孔部件包括陶瓷材料。
9.如權(quán)利要求6所述的表面光源器件，其中，所述傳導(dǎo)材料包括銅、鎳或者鎢。
10.一種背光單元，包括具有向其中注入放電氣體的多個(gè)放電空間的光源本體；設(shè)置在所述光源本體外表面上用以為所述放電氣體施加放電電壓，從而在所述光源本體中產(chǎn)生等離子體的外部電極；以及布置在所述光源本體內(nèi)用以為所述等離子體提供次級(jí)電子的多孔內(nèi)部電極；用于接納所述表面光源器件的殼；插入到所述光源器件和所述殼之間的光學(xué)部件；以及用于將放電電壓施加到所述表面光源器件的所述電極的變換器。
11.如權(quán)利要求10所述的背光單元，其中，所述多孔內(nèi)部電極包括多孔部件；以及傳導(dǎo)層，其形成在所述多孔部件的外表面。
全文摘要
一種表面光源器件，包括具有向其中注入放電氣體的多個(gè)放電空間的光源本體，設(shè)置在所述光源本體外表面上、用以為所述放電氣體提供放電電壓從而在所述光源本體中產(chǎn)生等離子體的外部電極，以及布置在所述光源本體內(nèi)、用以為所述等離子體提供次級(jí)電子從而適當(dāng)保持所述等離子體的多孔內(nèi)部電極。所述多孔內(nèi)部電極包括多孔部件和形成在所述多孔部件外表面的傳導(dǎo)層。所述多孔內(nèi)部電極不斷地發(fā)射次級(jí)電子，以穩(wěn)定地保持等離子的數(shù)量。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1746749SQ20051009339
公開(kāi)日2006年3月15日 申請(qǐng)日期2005年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月7日
發(fā)明者李起淵, 趙碩顯, 高在賢 申請(qǐng)人:三星康寧株式會(huì)社