專利名稱：用薄膜型圖案制造有機電致發(fā)光裝置用的封裝部件的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種制造用于封裝有機電致發(fā)光(EL)裝置的封裝部件(encapsulation member)的方法，更具體地說，本發(fā)明涉及一種使用薄膜型圖案制造用于有機電致發(fā)光裝置中的封裝部件的方法。
背景技術：
一種典型的有機EL裝置包括順序堆疊在基片上的發(fā)光層、空穴注入層、電子注入層等。這種有機EL裝置利用被注入發(fā)光層中的電子和空穴彼此結合時出現(xiàn)的發(fā)光。
構成發(fā)光層的發(fā)光有機固體怕潮、氧等。直接形成在發(fā)光層上或形成在發(fā)光層與/或電子注入層上的空穴注入層上的電極特性趨向于由于氧化而降質。因此，當傳統(tǒng)的有機EL裝置被置于空氣中時，其發(fā)光特性極劇下降。因此，為使傳統(tǒng)有機EL裝置可用于觀看環(huán)境中，有機EL裝置需要被封裝以防止潮氣、氧氣等引入發(fā)光層，以延長有機EL裝置的壽命。
通常使用的傳統(tǒng)封裝結構的實例包括例如直接覆蓋在有機EL裝置上的一層樹脂和其中封裝空間填充蒸氣或液體的封裝結構。在后面的封裝結構中，封裝部件由不銹鋼形成。然而，當不銹鋼被用于形成封裝部件時，金屬片會變形，或金屬片可能會由于其尺寸的增加而扭曲。加之，封裝部件需要被附于玻璃基片，導致生產(chǎn)率的下降。此外，不銹鋼無雙側發(fā)射屬性。
為解決這些問題，開發(fā)了一種由玻璃制成的封裝部件。一種制造由玻璃制成的封裝部件的普通方法的實例包括使用噴砂處理的方法和使用氟酸的濕蝕刻方法?？傊?，這些方法的每一種通常包括如下操作。
參照圖1，首先，在操作1-1中，準備基片100。然后，在操作1-2中，在基片100上形成掩膜110以在基片100上形成圖案。其后，在操作1-3中，產(chǎn)生的基片100執(zhí)行濕蝕刻或機械處理，例如噴沙。因此，在操作1-4中，形成了槽120。在操作1-5中，掩膜110被去除，從而完成封裝部件的形成。
操作1-2包括多個子操作。此外，當槽120由機械處理形成時的封裝部件的制造不同于當槽120由濕蝕刻形成時的。
現(xiàn)在將參照圖2A描述使用機械處理的制造封裝部件過程。參照圖2A，首先，在操作2a-1中，準備基片100。然后，在操作2a-2中，基片的上表面涂上一層光致抗蝕劑(PR)。在操作2a-3中，掩膜被疊在覆蓋在基片上的PR。如由操作2a-2′所指示，掩膜可提前制成。此后，在操作2a-4中，UV光被照射到其上堆疊掩膜的PR上。在操作2a-5中，接受UV光照的掩膜被去除。然后，在操作2a-6中，執(zhí)行顯影和脫膜以形成圖案。隨后，在操作2a-7中，執(zhí)行機械處理；而在操作2a-8中，完成封裝部件的制造。
現(xiàn)在將參照圖2B描述使用濕蝕刻的制造封裝部件的過程。參照圖2B，首先，在操作2b-1中，準備基片100。然后，在操作2b-2中，絲網(wǎng)框被堆疊在基片上。如由操作2a-2′所指示，絲網(wǎng)框必須被提前制成。然后，在操作2b-3中，基片上的絲網(wǎng)框被涂上一層作為掩膜材料的環(huán)氧。然后，在操作2b-4中，絲網(wǎng)框被去除。此時，涂在絲網(wǎng)框架上的環(huán)氧與絲網(wǎng)框一起被去除。然后，在操作2b-5中，留在基片上的環(huán)氧變硬以抑制溫蝕刻。隨后，在操作2b-6中，執(zhí)行濕蝕刻；而在操作2b-7中，完成封裝部件的制造。
如上所述，制造封裝部件的傳統(tǒng)方法包括8步操作(即操作2a-1到2a-8)或7步操作(即操作2b-1到2b-7)，這非常復雜。此外，當開始制造時，操作2a-2′和2b-2′中分別使用的掩膜和絲網(wǎng)框必須根據(jù)封裝部件的設計制造。此外，當掩膜或絲網(wǎng)框經(jīng)過重復制造封裝部件而磨損或風化時，則必須制造新掩膜或絲網(wǎng)框并用新的更換磨損或風化的掩膜或絲網(wǎng)框。
圖案形成過程，即操作2a-2到2a-6或操作2b-2到2b-5，形成了制成封裝部件的整體過程(即，操作2a-1到2a-8或操作2b-1到2b-7)的大多數(shù)過程。因此，圖案形成過程產(chǎn)生制造用于有機EL裝置的封裝部件的大多數(shù)成本。此外，光致蝕刻劑涂層裝置、分層裝置、曝光機、掩膜制造裝置、顯影器等需要用于圖案形成過程，而由于圖案形成過程典型地形成約60％的封裝部件制造過程，圖案形成過程的成本較高。
為形成可以承受封裝部件形成條件的圖案，圖案需要具有至少某一預定厚度。然而，對于機械處理，不可能形成具有精度到10μm或更小的期望厚度的圖案。對于濕蝕刻，不可能形成具有精度到100μm或更小的期望厚度的圖案。
因此，需要簡化制造用于有機EL裝置的封裝部件的過程。特別地，圖案形成過程需要被簡化，以便封裝部件的制成成本可以被減小而能夠提高取得具有期望厚度的圖案的能力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種制造用于有機電致發(fā)光(EL)裝置的封裝部件的簡便方法。
本發(fā)明還提供了一種制造用于有機EL裝置的封裝部件的方法，通過它形成圖案的精度可以是±2μm或更小。
本發(fā)明還提供了一種制造用于有機EL裝置的封裝部件的方法，其中圖案形成過程被簡化以減小制造成本。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種制造用于有機電致發(fā)光(EL)裝置的封裝部件的方法，所述方法包括在基片上形成預定圖案；和使用圖案，利用從機械處理、濕蝕刻和機械處理與濕蝕刻組合組成的組中選擇的一種方法在基片上形成槽。圖案通過將薄膜附于基片的上表面并使用其中存儲有程序(program)的激光或刀片裝置切割薄膜的預定部形成。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種制造用于EL裝置的封裝部件的方法，所述方法包括在基片上形成預定圖案；和使用圖案，利用由機械處理、濕蝕刻和機械處理與濕蝕刻組合組成的組選擇的一種方法在基片上形成槽。圖案通過使用其中存儲有程序的激光或刀片裝置切割薄膜的預定部并將切割薄膜附于基片的上表面形成。


參照附圖，通過對優(yōu)選實施例的詳細描述，本發(fā)明上述目的、其它特性和優(yōu)點將會更加清楚。其中附圖有圖1是表示傳統(tǒng)的制造用于有機EL裝置的封裝部件的橫斷面視圖；圖2A是表示使用機械處理的傳統(tǒng)的制造用于有機EL裝置的封裝部件的流程圖；圖2B是表示使用濕蝕刻的傳統(tǒng)的制造用于有機EL裝置的封裝部件的流程圖；圖3A是表示根據(jù)本發(fā)明一個實施例的、制造用于有機EL裝置的封裝部件的過程的流程圖；圖3B是表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的、制造用于有機EL裝置的封裝部件的過程的流程圖；圖4A到4C顯示了在圖3A和3B中所示的封裝部件制造過程中執(zhí)行的薄膜切割。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，其中顯示了本發(fā)明的典型實施例。然而，本發(fā)明可以采用多種不同的形式實施，而不應被認為僅局限于這里列出的實施例；更確切地，這些實施例被設置以便本公開將會徹底和完全，而將本發(fā)明的概念全部傳授給本領域的技術人員。附圖中，附圖中的相似標號代表相似元件，而多種元件和區(qū)域被示意地顯示。相應地，本發(fā)明并不只限于圖中所示的相對尺寸和間隔。
圖3A是表示根據(jù)本發(fā)明一個實施例的、制造用于有機EL裝置的封裝部件的過程的流程圖。參照圖3A，首先，在操作3a-1中，準備用作封裝部件的基片。在操作3a-2中，薄膜被附于基片。然后，在操作3a-3中，通過使用由程序驅動的切割裝置切割薄膜，形成圖案。如由操作3a-2’所指示，程序必須被預先存貯在切割裝置中。此后，在操作3a-4中，不需要的區(qū)域(更確切地說，將形成槽的區(qū)域)脫離切割薄膜。接下來，在操作3a-5中，產(chǎn)生的基片進行濕蝕刻或機械處理；而在操作3a-6中，完成封裝部件的制造。
圖3B是表示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的、制造用于有機EL裝置的封裝部件的過程的流程圖。參照圖3B，首先，在操作3b-1中，準備用件封裝部件的基片。在操作3b-2中，在薄膜被附于基片前，通過根據(jù)程序驅動切割裝置而利用切割裝置切割薄膜，薄膜形成了圖案。如由操作3a-2’所指示，程序必須被預先存貯在切割裝置中。此后，在操作3b-3中，薄膜被附于基片。接下來，在操作3b-4中，產(chǎn)生的基片進行濕蝕刻或機械處理；而在操作3b-5中，完成封裝部件的制造。
在圖3A和3B中所示實施例中，切割裝置可包括激光器或刀片。用于將薄膜附于基片的溫度和壓力可被調(diào)節(jié)，以便在激光或刀片切割期間，薄膜不會從基片分離，并且在切割后執(zhí)行剝離期間，也能夠容易地從基片剝離。
薄膜應是在激光處理期間幾乎不收縮的薄膜。例如，可以使用基于聚合物的(polymer-based)薄膜。更具體地說，可以使用聚丙烯均聚物(OPP)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)(PET)、聚乙烯(PE)，聚丙烯(PP)等，但本發(fā)明并不局限于這些實例。
薄膜和基片之間的粘合劑可以是丙烯(acryl)、橡膠、硅等。
在圖3A和3B中所示實施例中的編程切割使用包括激光器或刀片的切割裝置執(zhí)行。與諸如曝光或絲網(wǎng)印刷的傳統(tǒng)技術相比，激光器或刀片切割提供了卓越的精確性。換言之，激光器或刀片切割能夠達到±2μm的精度。YAG激光、脈沖激光(pulse lazer)、CO2激光等可被用作激光切割的光源。
用于蝕刻封裝部件使用的玻璃基片的掩膜的典型圖案具有矩形或圓形開口。在這種情況中，形狀精度和線的直線度很重要。當激光或刀片切割的起點和終點相交時，會出現(xiàn)直線直線度的下降。此外，由于形成了寬度為幾μm的直線，也會出現(xiàn)有關該過程的問題，但它們不容易解決。
因此，根據(jù)圖4A到4C所示方法中一種，執(zhí)行圖3A和3B中所示實施例中的薄膜切割。換言之，根據(jù)圖4A到4C所示方法中一種的切割薄膜的程序被寫入和存貯在切割裝置中。
參照圖4A到4C，薄膜切割開始于在薄膜中形成的開口10，20或30內(nèi)的點(起點)10c，20c或30c，向開口10，20或30的外壁行進，并沿開口10，20或30的外壁順時針或逆時針(參見箭頭所指方向)行進。圖4A到圖4C中所示薄膜切割的終點與其起點重合，即起點10c，20c和30c。起點與終點重合有利于切割下一薄膜，以便減小薄膜切割的時間。在圖4A到圖4C中，為使起點與終點重合，激光開始進入開口10，20和30處的點10d，20d和30d位于不同于由從起點10c，20c，和30c向開口10，20和30的外壁切割產(chǎn)生的直線10l，20l和30l與開口10，20，和30的外壁相交處的點10a，20a和30a(此處激光的方向突然改變)的位置。這是因為當向開口內(nèi)的一個點的激光切割和沿開口外壁前進的激光切割在同一點開始(即當激光的方向在一個點處改變)時，薄膜被燒焦而因此在燒過薄膜處的粘性較低。
在圖4A中，切割開始于矩形開口10內(nèi)的點10c，向矩形開口10上的點(即，角)10a繼續(xù)，并沿矩形開口10的外壁順時針繼續(xù)。然而，在矩形開口10的起點10c處開始的切割可繼續(xù)到矩形開口10的外壁的邊緣10b(而不是繼續(xù)到角10a)，并沿矩形開口10的外壁行進。沿矩形開口10的外壁的順時針切割經(jīng)角10a繼續(xù)到點10d，而在點10d處，切割方向改變向著開口10內(nèi)的起點10c。切割在起點10c處結束。采用這種方式，為使切割的起點與其終點重合，激光開始進入開口10處的點10d位于不同于由從起點10c向開口10外壁切割產(chǎn)生的直線10l與開口10的外壁相交處的點10a的位置。因此，不出現(xiàn)薄膜燒焦。在開口10內(nèi)劃的直線可以是曲線。
在圖4B中，切割開始于圓形開口20內(nèi)的點20c，向圓形開口20的外壁上的點20a繼續(xù)，并沿圓形開口20的外壁順時針繼續(xù)。沿圓形開口20的外壁的順時針切割經(jīng)點20a直到點20d，而在點20d處，切割方向改變向著開口20的起點20c。切割在起點20c處結束。采用這種方式，為使切割的起點與其終點重合，激光開始進入開口20處的點20d位于不同于由從起點20c向開口20外壁切割產(chǎn)生的直線20l與開口20的外壁相交處的點20a的位置。因此，不出現(xiàn)薄膜燒焦。
在圖4C中，切割開始于三角形開口30內(nèi)的點30c，向三角形開口30的角30a繼續(xù)，并沿三角形開口30的外壁順時針繼續(xù)。然而，在三角形開口30的起點30c處開始的切割可繼續(xù)到三角形開口30的外壁的邊緣30b(而不是角30a)，并沿三角形開口30的外壁繼續(xù)。沿三角形開口30的外壁的順時針切割經(jīng)角30a直到點30d，而在點30d處，切割方向改變向著開口30的起點20c。切割在起點30c處結束。采用這種方式，為使切割的起點與其終點重合，激光開始進入開口30處的點30d位于不同于由從起點30c向開口30外壁切割產(chǎn)生的直線30l與開口30的外壁相交處的點30a的位置。因此，不出現(xiàn)薄膜燒焦。
切割在開口內(nèi)的一個點開始并沿開口的外壁繼續(xù)期間，形狀精度和直線的直線度不會改變，從而可以防止由于切割形狀而導致過程失敗。此外，由于薄膜平穩(wěn)的去除，生產(chǎn)率提高了，而可以防止制造過程期間由于交點處的問題而生產(chǎn)出有缺陷的封裝部件。
這種用于驅動使用激光或刀片的切割裝置的程序可以使用CAD/CAM編寫。只要有機EL裝置中使用的封裝部件的設計不改變，就可以一直使用所編寫的程序。更具體地說，在傳統(tǒng)技術中，由于掩膜或相類似物在機械處理或濕蝕刻期間被磨損/侵蝕，雖然封裝部件的設計未改變，但有機EL裝置中使用的掩膜或相類似物需要頻繁更換。另一方面，在本發(fā)明中，不會出現(xiàn)由于這種磨損/侵蝕而更換掩膜或相類似物，所以只要有機EL裝置中使用的封裝部件的設計不改變，一次輸入切割程序就可以一直使用。
如上所述，本發(fā)明僅需要激光或刀片切割裝置或切割程序，而不是傳統(tǒng)技術中使用的光刻設備、疊層設備、曝光機、掩膜制造設備和顯影器。這樣，本發(fā)明具有經(jīng)濟的優(yōu)點。換言之，傳統(tǒng)技術中圖案形成過程的成本幾乎占用于制造封裝部件的總成本的60％，而根據(jù)本發(fā)明的圖案形成過程的成本僅占制造封裝部件的總成本的5-10％。
因此，本發(fā)明可以簡化制造用于有機EL裝置的封裝部件的復雜的傳統(tǒng)方法。
此外，期望的圖案可以形成±2μm或更小的精度。
此外，包含在封裝部件制造中的圖案形成過程可以得到簡化以減小制造成本。
此外，當薄膜切割從開口內(nèi)的一個點開始并沿開口的外壁繼續(xù)時，形狀精度和直線的直線度不會改變，從而可以防止由于切割形狀而導致的過程失敗。
雖然參照特定實施例已示出并描述了本發(fā)明，本領域所屬技術人員會知道在不背離權利要求確定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本發(fā)明可進行多種形式和細節(jié)的變動。
權利要求
1.一種制造用于有機電致發(fā)光(EL)裝置的封裝部件的方法，所述方法包括在基片上形成預定圖案；和使用圖案，利用由機械處理、濕蝕刻和機械處理與濕蝕刻的組合組成的組選擇的一種方法在基片上形成槽，其中，圖案通過將薄膜附于基片的上表面并使用其中存儲有程序的激光或刀片裝置切割薄膜的預定部分形成。
2.一種制造用于有機電致發(fā)光(EL)裝置的封裝部件的方法，所述方法包括在基片上形成預定圖案；和使用圖案，利用由機械處理、濕蝕刻和機械處理與濕蝕刻的組合組成的組選擇的一種方法在基片上形成槽，其中，圖案通過使用其中存儲有程序的激光或刀片裝置切割薄膜的預定部分并將切割的薄膜附于基片的上表面形成。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其中薄膜由聚丙烯均聚物(OPP)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯(PE)和聚丙烯(PP)組成的組中選擇的聚合物形成。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其中激光裝置中的激光的光源從由YAG激光、脈沖激光和CO2激光組成的組中選擇。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其中薄膜切割開始于將在薄膜中形成的開口中的點，即起點，向開口的外壁繼續(xù)進行，并沿開口外壁順時針或逆時針繼續(xù)進行。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中薄膜切割的終點與薄膜切割的起點重合。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中為使切割的起點與終點重合，激光開始進入開口處的點位于不同于由從起點向開口外壁切割產(chǎn)生的直線或線與開口的外壁相交處的點的位置。
全文摘要
一種制造用于有機電致發(fā)光(EL)裝置的封裝部件的方法。所述方法包括在基片上形成預定圖案；和使用圖案，通過執(zhí)行機械處理、濕蝕刻或機械處理與濕蝕刻的組合在基片上形成槽。圖案通過將薄膜附于基片的上表面并使用其中存儲有程序的激光或刀片裝置切割薄膜的預定部形成。
文檔編號H05B33/04GK1735297SQ20051008598
公開日2006年2月15日 申請日期2005年7月20日 優(yōu)先權日2004年7月21日
發(fā)明者樸壽珍, 趙石奉, 陸賢美 申請人:KoMiCo株式會社