專(zhuān)利名稱(chēng)：帶電路的懸浮支架基板制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶電路的懸浮支架基板制造方法，更詳細(xì)涉及硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中使用的帶電路的懸浮支架基板制造方法。
背景技術(shù)：
硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中使用的帶電路的懸浮支架基板是在支持磁頭的懸浮支架基板上，將磁頭與利用該磁頭讀寫(xiě)的讀寫(xiě)信號(hào)傳送的、和讀寫(xiě)基板連接用的布線電路圖形一體形成的布線電路基板，由于阻礙磁頭與磁盤(pán)相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)的氣流，并與磁盤(pán)之間保持微小的間隙，安裝的磁頭能夠得到很好的浮起姿勢(shì)，因此正廣泛普及應(yīng)用。
如圖5所示，這樣的帶電路的懸浮支架基板例如通常利用下述的方法制造。
即，首先在不銹鋼箔21的表面以規(guī)定的圖形形成由聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣層22(參照?qǐng)D5(a))。接著，在包含絕緣層22的不銹鋼箔21的整個(gè)面上利用濺射法依次形成鉻薄膜23及銅薄膜24(參照?qǐng)D5(b))。然后，在銅薄膜24上利用電鍍銅以布線電路圖形形成導(dǎo)體層25之后(參照?qǐng)D5(c))，利用腐蝕法除去銅薄膜24及鉻薄膜23(參照?qǐng)D5(d))。
然后，利用非電解鍍鎳，在導(dǎo)體層25的表面形成硬質(zhì)鎳薄膜26，覆蓋保護(hù)導(dǎo)體層25的表面(參照?qǐng)D5(e))。另外，由于鍍層電位的關(guān)系，不可避免地在不銹鋼箔21的表面也形成硬質(zhì)鎳薄膜26。
然后，將導(dǎo)體層25除了剩下端子部(未圖示)以外用聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的覆蓋層27覆蓋保護(hù)之后(參照?qǐng)D5(f))，剝離該端子部(未圖示)及不銹鋼箔25的表面的硬質(zhì)鎳薄膜26(參照?qǐng)D5(g))。然后，對(duì)端子部(未圖示)依次進(jìn)行電鍍鎳及電鍍金，形成端子(未圖示)(例如參照特開(kāi)平10-265572號(hào)公報(bào))。
另外，近年來(lái)，在這樣的帶電路的懸浮支架基板制造中，為了力圖使布線電路圖形實(shí)現(xiàn)微細(xì)間隙，采用添加法。
在添加法中，是在銅薄膜24上以與布線電路圖形的反轉(zhuǎn)圖形形成抗鍍劑后，在從抗鍍劑露出的銅薄膜24的表面，利用電鍍銅以布線電路圖形形成導(dǎo)體層25之后，除去抗鍍劑，然后利用腐蝕法除去銅薄膜24及鉻薄膜23，接著利用非電解鍍鎳，在導(dǎo)體層25的表面形成硬質(zhì)鎳薄膜26，未覆蓋保持導(dǎo)體層25的表面。
但是，在上述方法中，利用非電解鍍鎳，由于不僅在導(dǎo)體層25的表面，而且在不銹鋼箔21的表面也不可避免地形成硬質(zhì)鎳薄膜26，因此不銹鋼箔21的表面受到化學(xué)銹鎳的活化處理中所用的氯化鈀催化劑溶液的腐蝕，或者在其表面有鈀析出。
若不銹鋼箔21的表面被腐蝕，則外觀不良。另外，在若在不銹鋼箔21的表面有鈀析出，則在這之后對(duì)端子部進(jìn)行電鍍金的工序中，由于局部電池效應(yīng)，在不銹鋼箔21的表面有金粒子析出，導(dǎo)致產(chǎn)品不良。
另外，在上述方法中，不銹鋼箔21與導(dǎo)體層25利用絕緣層22進(jìn)行電氣絕緣，在它們各自表面露出的狀態(tài)下，由于進(jìn)行非電解鍍鎳，因此鍍層電位不穩(wěn)定，硬質(zhì)鎳薄膜26的厚度不均勻，甚至產(chǎn)生部分沒(méi)有被鍍的部分。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠防止因金屬支持層而引起的外觀不良及產(chǎn)品不良、進(jìn)而能夠確實(shí)形成均勻厚度非電解鍍鎳層的帶電路的懸浮支架基板制造方法。
本發(fā)明的帶電路的懸浮支架基板制造方法，具有在金屬支持層上形成絕緣層、使得所述金屬支持層的表面有部分露出的工序；在從所述絕緣層露出的所述金屬支持層上及所述絕緣層上、以布線電路圖形的反轉(zhuǎn)圖形形成抗鍍劑的工序；以及在沒(méi)有形成所述抗鍍劑的所述絕緣層上以布線電路圖形形成導(dǎo)體層后、形成覆蓋所述導(dǎo)體層的非電解鍍鎳層并接著除去所述抗鍍劑的工序。
根據(jù)這樣的方法，在金屬支持層的表面形成抗鍍劑的狀態(tài)下，僅在導(dǎo)體層形成非電解鍍鎳層，然后除去抗鍍劑。因此，在非電解鍍鎳層形成時(shí)，由于用抗鍍劑覆蓋金屬支持層，因此能夠防止因非電解鍍鎳而使該金屬支持層的表面產(chǎn)生腐蝕、或在其表面有鈀析出。其結(jié)果，能夠防止因金屬支持層而引起的外觀不良或產(chǎn)品不良。另外，根據(jù)該方法，能夠利用添加法，簡(jiǎn)單而且確實(shí)形成導(dǎo)體層作為微細(xì)間距的布線電路圖形。
本發(fā)明還在于，具有在金屬支持層上形成絕緣層、使得所述金屬支持層的表面有部分露出的工序；在從所述絕緣層露出的所述金屬支持層的表面及所述絕緣層的表面形成金屬薄膜層的工序；在所述金屬薄膜層的表面以布線電路圖形的反轉(zhuǎn)圖形形成抗鍍劑的工序；在從所述抗鍍劑露出的所述金屬薄膜層的表面以布線電路圖形形成導(dǎo)體層后、形成覆蓋所述導(dǎo)體層的非電解鍍鎳層并接著除去所述抗鍍劑的工序；以及除去所述金屬薄膜層的工序。
根據(jù)這樣的方法，在金屬支持層的表面形成抗鍍劑的狀態(tài)下，僅在導(dǎo)體層形成非電解鍍鎳層，然后除去抗鍍劑。因此，在非電解鍍鎳層形成時(shí)，由于用抗鍍劑覆蓋金屬支持層，因此能夠防止因非電解鍍鎳而使該金屬支持層的表面產(chǎn)品腐蝕，或在其表面有鈀析出。其結(jié)果，能夠防止因金屬支持層而引起的外觀不良或產(chǎn)品不良。另外，根據(jù)該方法，由于是在金屬薄膜層與導(dǎo)體層電氣導(dǎo)通的狀態(tài)下進(jìn)行非電解鍍鎳，因此能夠使鍍膜電位穩(wěn)定，能夠僅在導(dǎo)體層確實(shí)形成均勻厚度的非電解鍍鎳層。再有，根據(jù)該方法，能夠利用添加法，簡(jiǎn)單而且確實(shí)形成導(dǎo)體層作為微細(xì)間距的布線電路圖形。


圖1所示為利用本發(fā)明的帶電路的懸浮支架基板制造方法制造的帶電路的懸浮支架基板一實(shí)施形態(tài)的立體圖。
圖2所示為圖1所示的帶電路的懸浮支架基板制造方法一實(shí)施形態(tài)的工序圖，(a)所示為準(zhǔn)備支持基板的工序，(b)所示為在支持基板的整個(gè)表面形成感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的母體的薄膜的工序，(c)所示為隔著光掩膜使薄膜曝光的工序，(d)所示為將薄膜進(jìn)行顯影的工序，(e)所示為使薄膜固化、以規(guī)定圖形形成襯底絕緣層的工序，(f)所示為在從襯底絕緣層露出的支持基板的表面及襯底絕緣層的整個(gè)表面形成鉻薄膜的工序，(g)所示為在鉻薄膜的整個(gè)表面形成銅薄膜的工序。
圖3所示為接著圖2的帶電路的懸浮支架基板制造方法一實(shí)施形態(tài)的工序圖，(h)所示為銅薄膜的表面以布線電路圖形的反轉(zhuǎn)圖形形成抗鍍劑的工序，
(i)所示為在從抗鍍劑露出的銅薄膜的表面形成導(dǎo)體層的工序，(j)所示為在從抗鍍劑露出的導(dǎo)體層的表面形成非電解鍍鎳層，(k)所示為除去抗鍍劑的工序。
圖4所示為接著圖3的帶電路的懸浮支架基板制造方法一實(shí)施形態(tài)的工序圖，(l)所示為除去形成導(dǎo)體層部分以外的銅薄膜的工序，(m)所示為除去形成導(dǎo)體層部分以外的鉻薄膜的工序，(n)以規(guī)定圖形形成覆蓋導(dǎo)體層用的覆蓋絕緣層的工序。
圖5所示為以往的帶電路的懸浮支架基板制造方法一實(shí)施形態(tài)的工序圖，(a)所示為在不銹鋼箔的表面以規(guī)定圖形形成絕緣層的工序，(b)所示為在包含絕緣層的不銹鋼箔的整個(gè)表面用濺射法依次形成鉻薄膜及銅薄膜的工序，(c)所示為銅薄膜上利用電鍍銅以布線電路圖形形成導(dǎo)體層的工序，(d)所示為利用腐蝕法除去銅薄膜及鉻薄膜的工序，(e)所示為利用非電解鍍鎳在導(dǎo)體層的表面及不銹鋼箔的表面形成硬質(zhì)鎳薄膜的工序，(f)所示為覆蓋層覆蓋保護(hù)導(dǎo)體層的工序，(g)所示為剝離不銹鋼箔表面的硬質(zhì)鎳薄膜的工序。
具體實(shí)施例方式
圖1所示為利用本發(fā)明的帶電路的懸浮支架基板制造方法制造的帶電路的懸浮支架基板一實(shí)施形態(tài)的立體圖。
在圖1中，該帶電路的懸浮支架基板1裝有硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的磁頭(未圖示)，使該磁頭阻礙磁頭與磁盤(pán)相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)的氣流，與磁盤(pán)之間保持微小的間隙，并加以支持，與連接磁頭和讀寫(xiě)基板用的布線電路圖形一體形成。
該帶電路的懸浮支架基板1是在沿長(zhǎng)度方向延伸的作為金屬支持層的支持基板2上，形成作為絕緣層的襯底絕緣層3，再在該襯底絕緣層3上，形成導(dǎo)體層4作為布線電路圖形。另外，該布線電路圖形包含互相隔著規(guī)定間隔呈平行狀配置的多條布線4a、4b、4c及4d。
在支持基板2的前端部，通過(guò)切入該支持基板2形成安裝磁頭用的方向支架5。另外，在該支持基板2的前端部，形成連接磁頭與各布線4a、4b、4c及4d用的磁頭側(cè)連接端6。
另外，在支持基板2的后端部，形成連接讀寫(xiě)基板與各布線4a、4b、4c及4d用的外部側(cè)連接端7。
另外，在圖1中雖未圖示，但實(shí)際上在導(dǎo)體層4上用覆蓋絕緣層15覆蓋(參照?qǐng)D4(n))。
下面參照?qǐng)D2～圖4說(shuō)明本發(fā)明的帶電路的懸浮支架基板制造方法一實(shí)施形態(tài)，作為圖1所示的帶電路的懸浮支架基板1的制造方法例子。另外，在圖2～圖4中中所示的是將帶電路的懸浮支架基板1在長(zhǎng)度方向中間沿與該帶電路的懸浮支架基板1的長(zhǎng)度方向垂直的寬度方向切斷的斷面。
在該方法中，首先如圖2(a)所示，準(zhǔn)備支持基板2。作為支持基板2，最好采用金屬箔或金屬薄板，作為金屬，最好采用例如不銹鋼、42號(hào)合金、鋁、銅-鈹、磷青銅等。其厚度比較好的采用10～60μm，最好采用15～30μm，其寬度比較好的采用50～500mm，最好采用125～300mm。
然后，在該方法中，是在支持基板2上以支持基板2的表面有部分露出的規(guī)定圖形，形成襯底絕緣層3。
作為形成襯底絕緣層3用的絕緣體，若是能夠作為帶電路的懸浮支架基板的絕緣體，則無(wú)特別限制，都可以使用。作為這樣的絕緣體，例如可以舉出有聚酰亞胺系樹(shù)脂、聚酰胺亞胺系樹(shù)脂、丙稀系樹(shù)脂、聚醚腈系樹(shù)脂、聚醚砜系樹(shù)脂聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯系樹(shù)脂、聚苯二甲酸乙二醇酯系樹(shù)脂、聚氯乙稀系樹(shù)脂等合成樹(shù)脂。在它們之中，比較好的是使用感光性合成樹(shù)脂，最好是使用感光性聚酰亞胺樹(shù)脂。
然后，在例如使用感光性聚酰亞胺樹(shù)脂在支持基板2上以規(guī)定圖形形成襯底絕緣層3時(shí)，首先如圖2(b)所示，將感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的母體(聚酰胺酸樹(shù)脂)的溶液涂布在該支持基板2的整個(gè)表面之后，例如以60～150℃、最好以80～120℃進(jìn)行加熱，通過(guò)這樣形成感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的母體的薄膜8。
然后，如圖2(c)所示，使該薄膜8隔著光掩膜9進(jìn)行曝光，根據(jù)需要將曝光部分加熱至規(guī)定溫度后，通過(guò)顯影，則如圖(d)所示，使薄膜8形成使支持基板2的表面一部分(例如支持基板2的表面的寬度方向兩端部)露出那樣的規(guī)定圖形。另外，關(guān)于隔著光掩膜9照射的照射光線，其曝光波長(zhǎng)比較好的是300～450nm，最好是350～420nm，其曝光累計(jì)光量最好是100～2000mJ/cm2。
另外，對(duì)于被照射的薄膜8的曝光部分，例如通過(guò)加熱130℃以上、不到150℃，則在接下來(lái)的顯影處理中進(jìn)行溶化(正型)，或者例如通過(guò)加熱至150℃以上、200℃以下，則在接下來(lái)的顯影處理中不進(jìn)行溶化(負(fù)型)。
另外，顯影可以采用例如堿性顯影液等公知的顯影液，利用浸漬法或噴霧法等公知的方法進(jìn)行處理。另外，在本方法中，最好以負(fù)型得到圖形，在圖2中所示為以負(fù)型形成圖形的形態(tài)。
然后，如圖2(e)所示，將這樣由形成規(guī)定圖形的感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的母體構(gòu)成的薄膜8例如通過(guò)最終加熱至250℃以上，使其固化(亞胺化)，從而以支持基板2的表面的一部分(例如支持基板2的表面的寬度方向兩端部)露出的規(guī)定圖形形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的襯底絕緣層3。
另外，在不使用感光性合成樹(shù)脂時(shí)，例如在支持基板2上以規(guī)定圖形涂布合成樹(shù)脂，或者根據(jù)需要通過(guò)粘接劑層粘貼預(yù)先形成規(guī)定圖形的干膜。
另外，這樣形成的襯底絕緣層3的厚度例如是2～30μm，最好是5～25μm。
然后，在該方法中，如圖2(f)及(g)所示，在從襯底絕緣層3露出的支持基板2的表面及襯底絕緣層3的整個(gè)表面依次形成作為金屬薄膜層的鉻薄膜10及銅薄膜11。
鉻薄膜10及銅薄膜11的形成最好采用真空蒸鍍法，特別是最好采用濺射蒸鍍法。更具體來(lái)說(shuō)，例如在從襯底絕緣層3露出的支持基板2的表面及襯底絕緣層3的整個(gè)表面如圖2(f)所示，利用濺射蒸鍍法形成鉻薄膜10后，然后在該鉻薄膜10的整個(gè)表面如圖2(g)所示，利用濺射蒸鍍法形成銅薄膜11。
另外，最好鉻薄膜10的厚度為100～600，銅薄膜11的厚度為500～2000。
然后，在該方法中，如圖3(h)所示，在銅薄膜11的表面以布線電路圖形的反轉(zhuǎn)圖形形成抗鍍劑12。更具體來(lái)說(shuō)，形成抗鍍劑12，使得在襯底絕緣層3上與多個(gè)布線4a、4b、4c及4d相對(duì)應(yīng)的部分形成銅薄膜11露出的溝槽狀開(kāi)口部，另外在支持基板2上從襯底絕緣層3露出的部分銅薄膜11的表面形成。
抗鍍劑12例如采用干膜抗蝕劑等，利用公知的方法以上述的布線電路圖形的反轉(zhuǎn)圖形形成。抗鍍劑12的厚度為后述的導(dǎo)體層4及非電解鍍鎳層14的厚度之和以上。
然后，在該方法中，如圖3(I)所示，在從抗鍍劑12的開(kāi)口部露出的銅薄膜11的表面形成導(dǎo)體層4。作為形成導(dǎo)體層4用的導(dǎo)體，若是能夠用作為帶電路懸浮支架基板的導(dǎo)體，則無(wú)特別限制，都可以使用。作為這樣的導(dǎo)體，例如可以用銅、鎳、金、焊錫或它們的合金等，最好使用銅。
導(dǎo)體層4的形成無(wú)特別限制，例如可以使用電鍍，最好使用電鍍銅。在電鍍中，將銅薄膜11作為種層，使導(dǎo)體層4生長(zhǎng)。導(dǎo)體層4的生長(zhǎng)如圖3(I)所示，導(dǎo)體層4的表面生長(zhǎng)至比抗鍍劑12的表面要低的位置為止，使得抗鍍劑12的開(kāi)口部沒(méi)有用導(dǎo)體層4完全填滿，也就是說(shuō)使得能夠在下一工序中在抗鍍劑12的開(kāi)口部形成非電解鍍鎳層14。
若這樣利用添加法，在從抗鍍劑12的開(kāi)口部露出的銅薄膜11的表面形成導(dǎo)體層4，則能夠簡(jiǎn)單而且確實(shí)形成導(dǎo)體層4，作為微細(xì)間距的布線電路圖形該布線電路圖形例如圖1所示，形成作為互相隔著規(guī)定間隔平行配置的多條布線4a、4b、4c及4d圖形。另外，導(dǎo)體層4的厚度例如是2～50μm，最好是5～30μm，各布線4a、4b、4c及4d的寬度例如是5～500μm，最好是10～200μm，各布線4a、4b、4c與4d之間的間隔例如是5～500μm，最好是10～200μm。
接著，在該方法中，如圖3(j)所示，在保留抗鍍劑12的狀態(tài)不變的情況下，利用非電解鍍鎳形成非電解鍍鎳層14，使得覆蓋從抗鍍劑12的開(kāi)口部露出的導(dǎo)體層4的表面。
非電解鍍鎳層14的形成是例如用氯化鈀催化劑溶液將導(dǎo)體層4的表面進(jìn)行活化處理后，浸漬在非電解鍍鎳液中，進(jìn)行非電解鍍鎳。通過(guò)這樣，在導(dǎo)體層4的表面(上表面)形成非電解鍍鎳層14。該非電解鍍鎳層14形成作為硬質(zhì)鎳薄膜，其厚度只要是達(dá)到導(dǎo)體層4的表面不露出的程度即可，例如是0.05～0.2μm。
然后，如圖3(k)所示，除去抗鍍劑12。抗鍍劑12的除去是利用例如化學(xué)腐蝕(濕法腐蝕)等公知的腐蝕法或進(jìn)行剝離。
然后，如圖4(l)所示，除去形成導(dǎo)體層4的部分以外的銅薄膜11。銅薄膜11的除去是例如采用硝酸過(guò)氧化氫混合液等作為腐蝕液，進(jìn)行化學(xué)腐蝕(濕法腐蝕)。
然后，在該方法中，如圖4(m)所示，除去形成導(dǎo)體層4的部分以外的鉻薄膜10。鉻薄膜10的除去是例如采用赤鹽溶液、過(guò)錳酸鉀溶液、偏硅酸鈉溶液等作為腐蝕液，進(jìn)行化學(xué)腐蝕(濕法腐蝕)。
然后，在該方法中，如圖4(n)所示，以規(guī)定圖形形成覆蓋導(dǎo)體層4用的覆蓋絕緣層15。作為形成覆蓋絕緣層15用的絕緣體，可以采用與襯底絕緣層3相同的絕緣體，最好采用感光性聚酰亞胺樹(shù)脂。
另外，在用感光性聚酰亞胺樹(shù)脂形成覆蓋絕緣層15時(shí)，首先與襯底絕緣層3相同，在襯底絕緣層3及非電解鍍鎳層14上涂布感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的母體(聚酰胺酸樹(shù)脂)溶液后，利用加熱形成感光性聚酰亞胺樹(shù)脂的母體薄膜。接著，使該薄膜隔著光掩膜曝光，根據(jù)需要將曝光部分加熱至規(guī)定溫度后，進(jìn)行顯影，通過(guò)這樣將薄膜形成為規(guī)定圖形。然后，將薄膜例如最終加熱至250℃以上，通過(guò)這樣使其固化(亞胺化)。從而，在包含用非電解鍍鎳層14覆蓋上表面的導(dǎo)體層4的襯底絕緣層3上形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的覆蓋絕緣層15。另外，覆蓋絕緣層15的厚度例如是1～30μm，最好是2～20μm。
另外，在該覆蓋絕緣層15的形成中，覆蓋絕緣層15雖未圖示，但它是以形成磁頭側(cè)連接端6及外部側(cè)連接端7用的端子部分及電鍍用的引線部分露出的規(guī)定圖形形成的，在各端子部分，首先剝離非電解鍍鎳層14后，在露出的導(dǎo)體層4的表面利用電鍍依次形成鍍鎳層及鍍金層，通過(guò)這樣形成磁頭側(cè)連接端6及外部側(cè)連接端7。
鍍鎳層及鍍金層的形成是例如在露出的導(dǎo)體層4的表面，利用電鍍鎳形成鍍鎳層，再在該鍍鎳層上，利用電鍍金形成鍍金層。另外，鍍鎳層及鍍金層的厚度最好都是0.2～5μm左右。
然后，利用化學(xué)腐蝕等除去未圖示的引線部分，將支持基板2利用化學(xué)腐蝕等公知的方法切入成方向支架5等的規(guī)定形狀，并進(jìn)行清洗及干燥，通過(guò)這樣得到圖1所示的帶電路的懸浮支架基板1。
根據(jù)這樣的方法，是在金屬基板2的表面形成抗鍍劑12的狀態(tài)下，僅在從抗鍍劑12的開(kāi)口部露出的導(dǎo)體層4的表面形成非電解鍍鎳層14，然后除去抗鍍劑12。這樣，在非電解鍍鎳層14形成時(shí)，由于支持基板2用抗鍍劑12覆蓋，因此能夠防止因非電解鍍鎳而使該支持基板2的表面產(chǎn)生腐蝕、或在其表面有鈀析出。其結(jié)果，能夠防止因支持基板2而引起的外觀不良或產(chǎn)品不良。另外，在該方法中，由于在各薄膜10及銅薄膜11與導(dǎo)體層4處于電氣導(dǎo)通的狀態(tài)下進(jìn)行非電解鍍鎳，因此能夠使鍍膜電位穩(wěn)定，能夠僅在導(dǎo)體層4的表面確實(shí)形成均勻厚度的非電解鍍鎳層14。
另外，關(guān)于上述帶電路的懸浮支架基板1的制造方法，能夠利用工業(yè)上的例如輥對(duì)輥法等公知的方法進(jìn)行制造。
實(shí)施例以下所示為實(shí)施例，是更具體說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于任何實(shí)施例。
準(zhǔn)備厚度25μm的不銹鋼(SUS304)箔(參照?qǐng)D2(a))。
另外，按照以下那樣調(diào)制感光性聚酰亞胺樹(shù)脂母體的溶液。使p-苯二胺0.702kg(6.5摩爾)、3，4，3’，4’-聯(lián)苯四羧酸二酐(二酞酸二酐)1.624kg(5.5摩爾)、2，2-雙(3，4-二羧苯基)六氟代丙烷(6FDA)0.444kg(1.0摩爾)(酸酐合計(jì)量為6.5kg)溶解于二甲基乙酰胺19.72kg，在室溫下攪拌72小時(shí)。
然后，將該溶液加熱至75℃，在粘度到達(dá)5000厘泊(5Pa·s)時(shí)結(jié)束加熱，并放置直到達(dá)到室溫為止。然后，對(duì)得到的溶液加入硝苯吡啶0.9633kg(2.78摩爾)、4-O-硝基苯-3，5-雙乙酰-1，4-二氫吡啶0.6422kg(2.04摩爾)及咪唑0.161kg(2.36摩爾)，得到感光性聚酰亞胺樹(shù)脂母體的溶液。
將這樣得到的感光性聚酰亞胺樹(shù)脂母體的溶液涂布在上述的不銹鋼箔上，以120℃加熱干燥2分鐘，形成感光性聚酰亞胺樹(shù)脂母體的薄膜(參照?qǐng)D2(b))。然后，使該薄膜隔著光掩膜進(jìn)行紫外線曝光(曝光量700mJ/cm2(參照?qǐng)D2(c))，在將曝光部分以160℃加熱3分鐘以后，用堿性顯影液進(jìn)行顯影處理，通過(guò)這樣將該薄膜以負(fù)型圖像形成不銹鋼箔表面的寬度方向兩端部露出的規(guī)定圖形(參照?qǐng)D2(d))。
接著，將該感光性聚酰亞胺樹(shù)脂母體的薄膜在0.01Torr(1.33Pa)的真空下以400℃加熱，使其固化(亞胺化)，通過(guò)這樣以不銹鋼箔表面的寬度方向兩端部露出的規(guī)定圖形形成厚度6μm的由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的襯底絕緣層(參照?qǐng)D2(e))。
接著，在從襯底絕緣層露出的不銹鋼箔的表面及襯底絕緣層的整個(gè)表面利用濺射蒸鍍法依次形成厚度500的鉻薄膜及厚度1000的銅薄膜(參照?qǐng)D2(f)、(g))。
然后，在銅薄膜的表面利用干膜抗蝕劑形成與布線電路圖形反轉(zhuǎn)的圖形的抗鍍劑(參照?qǐng)D3(h))，接著在從抗鍍劑露出的銅薄膜的表面，利用電鍍銅形成導(dǎo)體層作為布線電路圖形(參照?qǐng)D3(I))。另外，該導(dǎo)體層的厚度是10μm。然后，在保留抗鍍劑的狀態(tài)不變的情況下，在從抗鍍劑露出的導(dǎo)體層的表面利用非電解鍍鎳，形成厚度0.5μm的非電解鍍鎳層(參照?qǐng)D3(j))。
然后，在利用化學(xué)腐蝕除去抗鍍劑(參照?qǐng)D3(k))以后，用硝酸-過(guò)氧化氫混合溶液通過(guò)化學(xué)腐蝕(濕法腐蝕)除去形成導(dǎo)體層的部分以外的銅薄膜(參照?qǐng)D4(l))，再用赤鹽-氫氧化鉀混合溶液通過(guò)化學(xué)腐蝕(濕法腐蝕)除去形成導(dǎo)體層的部分以外的鉻薄膜(參照?qǐng)D4(m))。
然后，在襯底絕緣層及非電解鍍鎳層上涂布與襯底絕緣層形成時(shí)相同的感光性聚酰亞胺樹(shù)脂母體的溶液之后，與襯底絕緣層的形成相同，通過(guò)加熱形成感光性聚酰亞胺樹(shù)脂母體的薄膜，接著通過(guò)對(duì)薄膜進(jìn)行曝光及顯影，將該薄膜形成為覆蓋導(dǎo)體層的規(guī)定圖形。
接著，將該感光性聚酰亞胺樹(shù)脂母體的薄膜與襯底絕緣層的形成相同進(jìn)行加熱，使其固化(亞胺化)，通過(guò)這樣形成由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的覆蓋絕緣層(參照?qǐng)D4(n))，得到帶電路的懸浮支架基板。
觀察得到的帶電路的懸浮支架基板的不銹鋼箔，確認(rèn)沒(méi)有腐蝕及鈀的析出。
另外，上述說(shuō)明是提供作為本發(fā)明例示的實(shí)施形態(tài)的，但這所示不過(guò)僅僅是例子，不能限定進(jìn)行解釋。由該技術(shù)領(lǐng)域的業(yè)內(nèi)人士明白的本發(fā)明的變形例包含在后述的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種帶電路的懸浮支架基板制造方法，其特征在于，包括在金屬支持層上形成絕緣層、使得所述金屬支持層的表面有部分露出的工序；在從所述絕緣層露出的所述金屬支持層上及所述絕緣層上、以布線電路圖形的反轉(zhuǎn)圖形形成抗鍍劑的工序；以及在沒(méi)有形成所述抗鍍劑的所述絕緣層上以布線電路圖形形成導(dǎo)體層后、形成覆蓋所述導(dǎo)體層的非電解鍍鎳層并接著除去所述抗鍍劑的工序。
2.一種帶電路的懸浮支架基板制造方法，其特征在于，包括在金屬支持層上形成絕緣層、使得所述金屬支持層的表面有部分露出的工序；在從所述絕緣層露出的所述金屬支持層的表面及所述絕緣層的表面形成金屬薄膜層的工序；在所述金屬薄膜層的表面、以布線電路圖形的反轉(zhuǎn)圖形形成抗鍍劑的工序；在從所述抗鍍劑露出的所述金屬薄膜層的表面以布線電路圖形形成導(dǎo)體層后、形成覆蓋所述導(dǎo)體層的非電解鍍鎳層并接著除去所述抗鍍劑的工序；以及除去所述金屬薄膜層的工序。
全文摘要
為了提供能夠防止因金屬支持層二引起的外觀不良及產(chǎn)品不良、并進(jìn)一步能夠確實(shí)形成均勻厚度的非電解鍍鎳層的帶電路的懸浮支架基板制造方法，首先在支持基板上形成襯底絕緣層后，在從襯底絕緣層露出的支持基板的表面及襯底絕緣層的整個(gè)表面依次形成鉻薄膜及銅薄膜。然后，在銅薄膜的表面以布線電路圖形的反轉(zhuǎn)圖形形成抗鍍劑，在從該抗鍍劑露出的銅薄膜的表面利用電鍍形成導(dǎo)體層。然后，在導(dǎo)體層上形成非電解鍍鎳層后，除去抗鍍劑。然后，依次除去銅薄膜及鉻薄膜，形成覆蓋絕緣層。
文檔編號(hào)H05K3/10GK1658739SQ20051000949
公開(kāi)日2005年8月24日 申請(qǐng)日期2005年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月20日
發(fā)明者船田靖人, 金川仁紀(jì) 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社