專利名稱：用于制造半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用以噴墨法為代表的點滴滴注方法制造半導(dǎo)體器件的方法，尤其涉及形成構(gòu)成半導(dǎo)體器件的絕緣膜的技術(shù)。
(2)背景技術(shù)近年來，使用薄膜晶體管的半導(dǎo)體器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用于諸如電視機之類的大尺寸液晶顯示器件以及諸如手機之類的便攜式終端，同時也進行了積極地開發(fā)。
點滴滴注法具有各種優(yōu)點，諸如不需要掩膜、基板的尺寸容易增加、材料的高使用率、有可能減少設(shè)備投資量以及使制造設(shè)備的尺寸最小。因此，點滴滴注方法可應(yīng)用于彩色濾色膜或等離子體顯示器的引線、電極等的制造。
在制造半導(dǎo)體器件的傳統(tǒng)方法中，要使用很復(fù)雜的步驟來形成電路等的圖形。例如，在下文簡單描述了制造半導(dǎo)體器件的步驟，其中下層的引線和上層的引線用它們之間的絕緣膜彼此互相連接。
最初，在絕緣表面上形成要作為引線基底的導(dǎo)電膜，通過使用旋涂在絕緣膜的整個表面上形成光刻膠。隨后，在導(dǎo)電膜上指定用于引線的區(qū)域，并通過曝光和顯影形成光刻膠圖形，以通過刻蝕導(dǎo)電膜形成所需引線。然后，采用CVD、濺射、旋涂等方法在引線上形成絕緣膜，并在絕緣膜上形成光刻膠。然后，選擇性地刻蝕絕緣膜以形成開口，通過把在其上面進行曝光和顯影處理的光刻膠用作如上的掩膜，以使下層中的引線暴露。然后，形成導(dǎo)電膜以填充開口，并且在導(dǎo)電膜上形成光刻膠。其后，通過把在其上面已進行過曝光和顯影處理的光刻膠用作掩膜，刻蝕該導(dǎo)電膜以形成與下層中的引線相連接的上層的導(dǎo)電膜。
(3)發(fā)明內(nèi)容在上述制造步驟中，通過濺射、CVD、旋涂等形成絕緣膜。通過濺射或CVD形成的絕緣膜的表面形狀取決于形成膜之前的表面形狀。因此，當在形成膜之前，在表面形狀中存在臺階時，就會在形成絕緣膜之后，存在著由于臺階等產(chǎn)生斷開的問題。此外，濺射和CVD為使用真空裝置的氣相處理。因此，當在絕緣膜形成在具有一米或一米以上的大尺寸基板的一面上時，裝置的尺寸不可避免地要增加，從而導(dǎo)致成本的增加。
另一方面，當通過旋涂形成絕緣膜時，絕緣膜的形狀不取決于膜形成之前的表面形狀。但是，當基板的尺寸增加時，在基板的端部的膜厚度與中心部分相比較，變得較厚，從而，不能保持絕緣膜膜厚的均勻性。此外，在旋涂中，通過離心加速，液體樹脂分散在基板上，多余的樹脂從基板的邊緣滴落，從而在基板的表面上形成較薄的樹脂膜。因此，材料的可用性較差，多余樹脂變成為廢物。
考慮到上述實際條件，本發(fā)明的目的是提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，在該半導(dǎo)體器件中，不會產(chǎn)生由膜形成之前的表面形狀導(dǎo)致的臺階所引起的斷開。此外，在大尺寸基板上形成絕緣膜的情況下，本發(fā)明的目的是提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，在該半導(dǎo)體器件中，不需要增加裝置的尺寸且可控制成本的增加。此外，本發(fā)明的目的是提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，在該半導(dǎo)體器件中，能夠?qū)崿F(xiàn)材料可用性的改善和廢物數(shù)量的減少。
為解決上述傳統(tǒng)技術(shù)的問題，本發(fā)明實施下面的步驟。
本發(fā)明的一個特征是，通過滴注包括絕緣體的合成物形成第一絕緣膜，在第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，通過在第二絕緣膜上進行曝光和顯影形成掩膜圖形，使用第二絕緣膜作為掩膜，通過刻蝕第一絕緣膜形成開口。這里，盡管通過諸如旋涂之類的已知方法可形成第二絕緣膜，但采用點滴滴注方法，用最少的材料可形成絕緣膜。注意，在本發(fā)明中點滴滴注方法意指通過選擇性地在任意點上滴注一滴(也稱為點)包括導(dǎo)電膜、絕緣膜等的材料的合成物來成形的方法，根據(jù)該方法也可稱之為噴墨法。
本發(fā)明的一個特征是，在上述結(jié)構(gòu)中，在形成第一絕緣膜之后，通過再次選擇性地滴注包括絕緣體的合成物，在任意點上形成作為掩膜的絕緣膜。通過選擇性地形成掩膜，曝光和顯影步驟變得不必要。用作掩膜的材料不限于絕緣膜。因此，當相對于正在刻蝕的第一絕緣膜能夠獲得刻蝕率的選擇比率時，通過滴注包括導(dǎo)電材料等的合成物可形成用作掩膜的導(dǎo)電膜，以取代第二絕緣膜。
本發(fā)明是一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，在該半導(dǎo)體器件中，通過滴注合成物形成絕緣膜。作為其特征，一個特征是在絕緣膜上形成掩膜之后，通過進行刻蝕制造設(shè)有開口的絕緣膜，另外，把惰性氣體添加到絕緣膜。具體地說，惰性元素是從氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)和氙(Xe)中選擇的一種或多種，一個特征是，形成絕緣膜，以使得惰性氣體包括在從1×1019原子/cm3到5×1021原子/cm3的濃度，優(yōu)選從2×1019原子/cm3到2×1021原子/cm3。
本發(fā)明的一個特征是，在上述結(jié)構(gòu)中，形成具有楔形形狀的開口，具體地說，開口可形成為具有從30°或大于30°并小于75°的楔形。通過形成楔形的開口，使得將惰性氣體添加到開口的側(cè)面變得容易。
本發(fā)明的一個特征是，通過將包括導(dǎo)電材料的合成物滴注到所形成的開口的側(cè)面，形成阻擋層。這里，用作阻擋層的膜不限于導(dǎo)電膜，絕緣膜可用作阻擋層。例如，當阻擋層形成在與引線有可能發(fā)生短路的區(qū)域中時，較佳的是，由樹脂材料構(gòu)成阻擋層。
本發(fā)明的絕緣膜的一個特征是，絕緣膜由有機材料或硅和氧的鍵在其中構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的材料制成。這里，有機材料意指丙烯酸、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯、聚酰胺等。此外，由硅和氧的鍵構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的材料通常是指由包括硅氧烷等的聚合物的聚合作用所形成的化合物材料。具體地說，包括硅和氧的鍵在其中構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)并且至少氫作為取代基所包含的材料，或具有作為取代基的氟、烷基、或芬芳烴中的至少一種的材料。
本發(fā)明的一個特征是，在通過滴注合成物形成絕緣膜之后，進行平整化處理。作為平整化處理的方法，可以使用已知的方法。具體地說，諸如回流平整化、CMP平整化、偏壓濺射平整化、深腐蝕平整化，或它們的組合之類的平整化方法都可用來進行平整化處理。
本發(fā)明的一個特征是，在上述結(jié)構(gòu)中，通過將包括導(dǎo)電材料的合成物滴注到在絕緣膜中所設(shè)置的開口，形成填充開口的導(dǎo)電膜，所述絕緣膜通過滴注合成物而形成。所述導(dǎo)電膜由包括銀、金、銅或氧化銦錫的材料制成，這也是本發(fā)明的一個特征。
在本發(fā)明中，通過滴注合成物來形成絕緣膜。因此，有可能在滴注中以任意間距將所需量的材料施加給任意點。因此，所制造的絕緣膜的形狀不取決于在膜形成之前的形狀，并且能夠防止由于在引線層中的臺階所引起的斷開。此外，由于只需要施加所需量的材料，能夠提高材料的可用性和減少廢物量。在將絕緣膜形成在大尺寸基板上的情況下，由于不需要擴大的裝置，所以能夠控制成本的增加。
(4)


圖1A到1E為說明制造絕緣膜的方法(實施例方式1)的示意圖。
圖2A到2D為說明制造絕緣膜的方法(實施例方式1)的示意圖。
圖3A和3B為說明制造絕緣膜的方法(實施例方式2)的示意圖。
圖4A和4B為說明制造絕緣膜的方法(實施例方式3)的示意圖。
圖5A和5B為說明制造絕緣膜的方法(實施例方式4)的示意圖。
圖6A到6C為說明平整化絕緣膜的方法(實施例方式5)的示意。；圖7A到7D為說明制造半導(dǎo)體器件的方法(實施例1)的示意圖。
圖8A到8C為說明制造半導(dǎo)體器件的方法(實施例1)的示意圖。
圖9A到9E為說明制造半導(dǎo)體器件的方法(實施例1)的示意圖。
圖10A到10D為說明制造根據(jù)本發(fā)明的多層引線的方法(實施例4)的示意圖。
圖11A到11D為說明制造半導(dǎo)體器件的方法(實施例2)的示意圖。
圖12A和12B為說明制造半導(dǎo)體器件的方法(實施例3)的示意圖。
圖13是顯示屏的示意圖，該顯示屏為應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一種形式(實施例5)。
圖14A到14C為示出應(yīng)用本發(fā)明的電子設(shè)備的示意圖(實施例6)。
(5)具體實施方式
實施例方式1參照圖1A到1E描述本發(fā)明的實施例方式。
首先，制備第一基板100。能夠承受該制造步驟的處理溫度的玻璃基板、石英基板、半導(dǎo)體基板、金屬基板、不銹鋼基板或塑料基板都可用于基板100。此時，可以已經(jīng)在基板100上形成了由絕緣體或半導(dǎo)體層所制成的基膜、或?qū)щ娔?。然后，通過把由絕緣體制成的合成物滴注在基板100上來形成絕緣膜101。
將在溶劑中溶解或分散絕緣體的合成物用作從管嘴109滴注的合成物。作為絕緣體，可以使用環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、酚醛清漆樹脂、三聚氰胺樹脂或聚氨酯樹脂之類的樹脂。在使用這些樹脂時，通過使用溶劑溶解或分散樹脂材料可調(diào)節(jié)粘度。作為疏液性的材料，可以使用包括氟原子的樹脂、只用烴等配置的樹脂。更詳細地說，包括分子中包含氟原子的單體的樹脂，或包括只用碳原子或氫原子配置的單體的樹脂可以作為例子。此外，可以使用諸如丙烯酸、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene)、聚對亞苯基二甲基(parylene)、火舌(flare)或具有滲透性的聚酰亞胺之類的有機材料、諸如由包括硅氧烷等的聚合物的聚合作用所制成的化合物材料、諸如包含水溶性均聚物和水溶性共聚物的合成物等。由于有機材料具有高平面性，因而其適合使用。因此，在隨后形成導(dǎo)電材料時，不會使膜厚在臺階部分變得極薄，或斷開。但是，在使用有機材料時，在由有機材料制成的絕緣膜之下或之上，可以由包含硅的無機材料來形成薄膜以防止脫氣。具體地說，可使用等離子體CVD或濺射形成氧化氮化硅(silicon nitride oxide)膜或氮化硅膜。
包括硅氧烷的聚合物可作為硅和氧的鍵在其中構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的材料的典型例子，并且至少氫作為取代基被包含，或具有氟、烷基、或芬芳烴中的至少一種的材料作為取代基。因此，可以使用在上述條件范圍內(nèi)的各種材料。包括硅氧烷的聚合物具有更好的平面性，乃至透明度和熱穩(wěn)定性。因此，在形成由包括硅氧烷的聚合物制成的絕緣體之后，可以在大約從300℃到600℃或更低的溫度下進行熱處理。通過熱處理，例如，可在同一時間進行氫化和烘焙處理。此外，通過調(diào)節(jié)溶劑的種類或濃度，可控制包括硅氧烷的聚合物的粘度。因此，通過根據(jù)使用目的適當?shù)厥褂?，能夠?qū)ü柩跬榈木酆衔飸?yīng)用到不同用途。
作為溶劑，可使用諸如醋酸丁酯和乙酸乙酯之類的酯，諸如異丙醇和乙醇之類的醇、諸如丁酮和丙酮的有機溶劑等。合成物的粘度優(yōu)選50cp或更小以便防止干燥或順暢地從出口滴注合成物。合成物的表面張力優(yōu)選40Mn/m或更小。依照要使用的溶劑或應(yīng)用，可以根據(jù)需要調(diào)節(jié)合成物的粘度等。例如，ITO、有機銦或有機錫溶解或分散在溶劑中的合成物粘度從5mPa·S到50mPa·S。銀溶解或分散在溶劑中的合成物粘度從5mPa·S到20mPa·S。ITO、金溶解或分散在溶劑中的合成物粘度從10mPa·S到20mPa·S。
如上所述，用點滴滴注方法，通過選擇性地在基板100上滴注合成物可形成第一絕緣膜101(圖1A)。由于點滴底滴注方法能夠在基板上所需部分選擇性地形成絕緣膜(例如，除了基板端部之外的整個表面)，因此能夠提高材料的使用效率。
然后，通過滴注合成物，在第一絕緣膜101上形成由絕緣體(第二絕緣膜)制成的光刻膠(圖1B)。這里，滴注并形成與紫外線起反應(yīng)的光刻膠作為第二絕緣膜。包含光敏劑的合成物可用作光刻膠，例如，使用作為典型正光刻膠的酚醛清漆樹脂、二苯甲硅烷二醇(diphenyl silane diol)和酸產(chǎn)生劑等在溶劑中溶解或分散的合成物。已知的溶劑都可用作該溶劑。此外，可通過旋涂的方法形成光刻膠102。但是，由于使用點滴滴注方法，所以光刻膠不必形成在基板不需要的邊沿部分中，光刻膠可以只形成在所需的區(qū)域。
然后，通過執(zhí)行曝光和顯影步驟(圖1C)，光刻膠102可形成所需的形狀(圖1D)。盡管使用正型光刻膠執(zhí)行曝光和顯影步驟，也可使用負型光刻膠來執(zhí)行該步驟。
然后，通過將已處理的光刻膠作為掩膜，刻蝕沒有被掩膜所覆蓋的絕緣膜101以形成開口103和104(圖1E)。
可使用采用諸如硫酸、硝酸、磷酸、氫氟酸之類的化學(xué)制品進行的濕法刻蝕，或通常使用RIE(反應(yīng)離子刻蝕)的干法刻蝕用于刻蝕處理，依照使用的目的可對其進行適當?shù)倪x擇。依照要處理的目的，可適當?shù)剡x擇刻蝕氣體，諸如CF4、NF3或SF6的氟基氣體或諸如Cl2或BCl3的氯基氣體都可用于刻蝕。
具體地說，當?shù)谝唤^緣膜由包括硅氧烷的聚合物形成時，可將惰性氣體添加到要使用的刻蝕氣體。作為要添加的惰性元素，可使用從He、Ne、Ar、Kr或Xe中選擇的一種或多種。在該實施例模式中，通過使用CF4、O2、He和Ar進行刻蝕。此外，通過以大約10％到20％的比率增加刻蝕時間可進行過刻蝕，以便在基板100上不留下任何殘留物的情況下進行刻蝕。通過進行一次或多次刻蝕可形成楔形。
使用剝離溶液可去除用作掩膜的第二絕緣膜102。可使用通過絕緣膜與等離子體氣體發(fā)生反應(yīng)而被去除及蒸發(fā)的等離子體灰化器、通過將O3(臭氧)分解和轉(zhuǎn)化成作為反應(yīng)氣體的氧基使其與光刻膠進行反應(yīng)來蒸發(fā)絕緣膜的臭氧灰化器、以及安裝了最適合溶解絕緣膜的化學(xué)罐的濕式工作站(wet station)等。在使用等離子體灰化器或臭氧灰化器時，諸如包含在實際絕緣膜中的重金屬之類的雜質(zhì)被去除。因此，優(yōu)選使用濕式工作站來清潔。用這種方式，通過在干燥灰化步驟之后依次進行濕法處理，能夠徹底去除光刻膠的殘留物。
如上所述，通過滴注合成物來形成絕緣膜，不用擴大的裝置就能夠形成絕緣膜。因此，可以使材料的消耗量最小。此外，通過用點滴滴注法而不是旋涂法來形成作為掩膜的光刻膠，能夠提高材料的使用效率。
(實施例方式2)圖2A到2D用于描述本發(fā)明的實施例方式2。在實施例方式2中，描述了在選擇性地滴注用作掩膜的絕緣體以形成掩膜時制造絕緣膜的方法。
首先，將合成物滴注在基板100上以和實施例方式1一樣形成第一絕緣膜101(圖2A)。
然后，將不同于第一絕緣膜的合成物選擇性地滴注在第一絕緣膜101上以形成掩膜(第二絕緣膜)202，該掩膜由諸如光刻膠或聚酰亞胺之類制成(圖2B)。相對于第一絕緣膜101能夠獲得刻蝕的選擇比率的掩膜可用作掩膜202。
然后，通過使用第二絕緣膜202作為掩膜，在沒有用掩膜覆蓋的一部分第一絕緣膜101上進行刻蝕處理，以形成開口203和204。能夠如實施例方式1一樣進行該刻蝕處理。此外，可使用點滴滴注方法用于形成開口。在這種情況下，可通過從管嘴109滴注濕的刻蝕溶液來形成開口。然而，可適當?shù)靥峁┎捎弥T如水之類的溶劑的清潔步驟來控制開口的縱橫比。自然，通過將點滴滴注方法也應(yīng)用于清潔步驟，通過把從管嘴滴注的點滴轉(zhuǎn)變成水，或通過改變其中填充溶液的頭部，使得有可能采用同一裝置進行連續(xù)處理，這樣可試圖縮短處理時間。
然后，采用剝離液去除用作掩膜的第二絕緣膜202。通過上述步驟，在絕緣膜101上形成開口203和204(圖2C)。
接下來，在開口203和204滴注包括導(dǎo)電材料的合成物以形成導(dǎo)電膜205和206(圖2D)。
作為形成導(dǎo)電膜的合成物，可使用導(dǎo)電材料在其中被溶解或分散在溶劑中的合成物。導(dǎo)電材料對應(yīng)于諸如Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W和Al的金屬、Cd和Zn的硫化物、Fe、Ti、Si、Ge、Zr和Ba的氧化物、或鹵化銀的顆粒或分散劑納米顆粒?；蛘?，導(dǎo)電材料對應(yīng)于用作透明導(dǎo)電膜的氧化銦錫(下文稱作“ITO”)、包含ITO和氧化硅的ITSO、有機銦、有機錫、氧化鋅(ZnO)、氮化鈦(TiN)等。但是，考慮到具體的阻值，優(yōu)選使用金、銀和銅的任何材料在其中溶解或分散在溶劑中的合成物作為從管嘴滴注的合成物。更好的是，可提供為低阻值的銀或銅。但是，在使用銀或銅時，可提供阻擋層作為用于雜質(zhì)的措施。
盡管由所滴注的導(dǎo)電材料制成的合成物取決于裝在頭部的每一管嘴的直徑和圖形所需的形狀，但導(dǎo)電材料的顆粒直徑最好是盡可能地小，以防止堵塞管嘴和用于制造精確的圖形。較佳地，顆粒直徑為0.1μm或更小。合成物由諸如電解法、霧化法、或濕減少法之類的已知方法制成，從而顆粒尺寸通常大約為從0.5μm到10μm。在用氣相蒸發(fā)方法制造合成物時，用分散劑保護的每個納米分子是微小的，且尺寸大約為7nm。此外，在用涂層覆蓋納米顆粒的每一表面時，在室溫下溶劑中的納米顆粒彼此不粘合并均勻地分散在溶劑中，從而呈現(xiàn)出類似于水狀流體的行為。因而，優(yōu)選使用這種涂層。
如上所述，通過選擇性地在任意位置滴注合成物以形成作為掩膜的絕緣膜，可省略曝光和顯影步驟。此外，通過選擇性地滴注合成物來形成導(dǎo)電材料，在形成引線時也可省略曝光和顯影步驟。因此，可以用較低的成本和較高的成品率在超過1米的大尺寸基板的一面上形成引線層。
(實施例方式3)在實施例方式3中，參照圖3A和圖3B，來描述作為本發(fā)明的另一個特征的，將惰性元素添加到采用點滴滴注方法所制造的絕緣膜中的情況。
在添加具有比較大的原子半徑的惰性元素時，會對絕緣膜產(chǎn)生變形，因此，通過修改和致密表面可阻止諸如水汽和氧之類的雜質(zhì)成分進入。此外，通過加入雜質(zhì)成分，在后面進行的使用液體的步驟(下文也稱為濕式步驟)時，可防止溶液成份進入到絕緣膜甚至發(fā)生反應(yīng)。此外，也可防止來自絕緣膜的內(nèi)部的水汽或氣體的釋放。尤其是，可防止由于隨著時間變化所引起的水汽和氣體的釋放。因而根據(jù)上述效果能夠增強可靠性。
參照圖3A和3B描述把惰性元素添加到絕緣膜中的方法。如參照圖1A到1E或圖2A到2D示出的方法，執(zhí)行通過使用點滴滴注方法在基板300上形成絕緣膜上301、以及在絕緣膜301中形成開口303和304的步驟。此外，開口303和304也可形成為楔形，通過控制刻蝕條件在該楔形中直徑向下變得更小(圖3A)。
然后，把惰性元素305添加到絕緣膜301，絕緣膜301形成為楔形以在絕緣膜的表面上形成致密部分310。諸如離子摻雜法、離子注入法或等離子體處理法之類的公知方法都能用作添加惰性元素的方法。作為要添加的惰性元素，可使用從氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)和氙(Xe)中選擇的一種或多種。較佳的是，可使用具有原子半徑比較大和價格便宜的氬(Ar)。此外，可使用即使在加入惰性元素時絕緣膜的滲透性也不降低的材料。通過添加原子半徑比較大的惰性元素會產(chǎn)生變形，通過修改和致密表面(包括側(cè)面)可防止諸如水汽和氧的進入。由于在斜角不夠時，惰性元素不足以摻雜到開口的側(cè)面(side surface)或邊緣部分的側(cè)面，所以可從傾斜方向進行進一步的摻雜，或可以增加通過等離子體處理把惰性元素添加到開口的側(cè)面或邊緣部分的側(cè)面的處理。
可形成包括濃度為從1×1019原子/cm3到5×1021原子/cm3，優(yōu)選從2×1019原子/cm3到2×1021原子/cm3的惰性元素的絕緣膜。以后，若需要，可在該絕緣膜上形成導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體或絕緣膜。
根據(jù)本實施例方式，通過加入雜質(zhì)成分，并通過修改絕緣膜的表面，在后面進行的使用液體的步驟(也稱為濕式步驟)時，可防止溶液成份進入絕緣膜或發(fā)生反應(yīng)。此外，在后面進行的熱處理步驟時，也可防止來自絕緣膜的的水汽或氣體的釋放。另外，可防止由于隨著時間變化所引起的從絕緣膜釋放水汽和氣體。這能夠增強半導(dǎo)體器件的可靠性。
(實施例方式4)在該實施例方式中，參照圖4A和4B以及圖5A和圖5B，描述使用點滴滴注方法形成阻擋層的情況。
圖4A和4B示出了在絕緣膜中形成的開口中形成阻擋層的情況，而圖5A和5B示出了在絕緣膜和在導(dǎo)電膜的表面上形成阻擋層的情況。
首先，如上述實施例方式所示出的那樣，用點滴滴注方法在基板450上形成絕緣膜451，通過刻蝕在絕緣膜中設(shè)置開口453和454(圖4A)。這里，開口453和454可形成為具有如圖2A到2D的楔形形狀。
通過選擇性地滴注合成物到開口453和454以及絕緣膜的邊緣部分，形成阻擋層460(圖4B)。通過形成阻擋層460，試圖保護和穩(wěn)定開口453和454中絕緣膜451以及絕緣膜451的邊緣部分的表面。換言之，該阻擋層起到保護內(nèi)部不受腐蝕性氣體、水汽、金屬離子等污染的作用。此外，能夠防止后來要形成的覆蓋開口453和454的引線不會由于形成導(dǎo)電膜的阻擋層的步驟而導(dǎo)致斷開。
圖5A和圖5B示出了在開口中形成導(dǎo)電膜505之后，在導(dǎo)電膜505上形成阻擋層的情況。
首先，如上述實施例方式所述，在絕緣膜上形成開口。然后，通過將合成物滴注到開口中填充導(dǎo)電材料以形成導(dǎo)電膜505和506。然后，用點滴滴注方法，在導(dǎo)電膜505和506和絕緣膜501的邊緣部分上形成阻擋層520。
作為阻擋層中所包括的合成物，優(yōu)選具有阻止水汽或氧的進入的特性、且具有50cp或小于50cp的粘度以使用點滴滴注方法能夠形成阻擋層520的合成物。作為具有這些特性的合成物，已知的導(dǎo)電材料，或者諸如環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、酚醛清漆樹脂、三聚氰胺樹脂或聚氨酯樹脂之類的樹脂材料優(yōu)選作為例子。當使用這些樹脂材料時，通過使用溶劑溶解或分散這些樹脂材料可調(diào)節(jié)它們的粘度。此外，作為阻擋層優(yōu)選疏水性的樹脂，例如，優(yōu)選包括氟原子或只由烴配置的樹脂。更詳細地說，包括分子中包含氟原子的單體的樹脂，或包括只用碳原子或氫原子配置的單體的樹脂可以作為例子。
此外，當阻擋層由導(dǎo)電材料形成時，阻擋層的形成必須不會導(dǎo)致與引線短路。因此，在有可能與引線發(fā)生短路的區(qū)域，優(yōu)選由樹脂材料形成阻擋層。
在形成阻擋層時，有可能隨開口側(cè)面的角度而產(chǎn)生臺階從而引起斷開。因此，必須將開口的側(cè)面形成為具有平緩的傾斜表面。具體地說，可將側(cè)面形成為大于30°到小于75°的楔形。此外，為了防止由于臺階所引起的斷開，可在滴注一滴或多滴之后進行烘焙合成物的處理，以及進行固化合成物的處理。換言之，可重復(fù)滴注和烘焙。
在圖4A和4B以及圖5A和5B中，如實施例方式3所示，優(yōu)選在形成阻擋層之前通過添加雜質(zhì)元素來修改絕緣膜的表面。
如上所述，添加了雜質(zhì)的絕緣膜，或上面層疊了阻擋層的絕緣膜都可用作中間層絕緣膜，或包括開口的絕緣膜。因而，能夠防止由于諸如水汽或氧的進入而引起的元件劣化。注意，本實施例方式可與其它實施例方式自由組合。
(實施例方式5)圖6A到6C被用于說明實施例方式5。圖6A到6C示出了在通過滴注合成物形成的絕緣膜上進行平整化處理的情形。
通常，在采用濺射或CVD方法在基板上形成膜時，膜的表面條件取決于在形成膜之前基板的表面條件。因此，在形成膜之前若基板上存在著臺階時，在形成膜之后在表面上也會產(chǎn)生臺階。
另一方面，在點滴滴注方法中，在滴注合成物的過程中能夠控制滴注率的值。因此，如果根據(jù)點預(yù)先確定滴注率，即使在形成膜之前存在臺階時，也能夠修改臺階。但是，可以想到的是，由于溶劑的種類、粘度或一次滴注率可在表面上產(chǎn)生不平整。當不平整在表面增加時，在層疊引線的情況下，取決于臺階部分的差的臺階覆蓋性，可產(chǎn)生由于引線層的斷開引起開口缺陷、或在引線層之間產(chǎn)生由于不良絕緣所引起的短路缺陷。此外，在光刻步驟中，由于光刻膠的膜厚在臺階部分波動以及在曝光過程中透鏡的焦距局部不準確，使得產(chǎn)生細微的圖形變得較為困難。因此，在不能夠忽略滴注的合成物的不平整時，優(yōu)選在用點滴滴注方法形成絕緣膜之后進行平整化處理。用圖6A到6C來具體描述平整化處理。
首選，通過在基板600上滴注絕緣體形成絕緣膜601(圖6A)。然后，在絕緣膜601上進行平整化處理。作為平整化處理，可進行回流平整化、CMP平整化、偏壓濺射平整化、深腐蝕平整化，或它們的組合。注意，在此示出了用CMP進行的平整化。
在CMP中，在安裝在用于支撐的頭部(載體)602上的晶圓605、安裝在掩膜模具板606上的掩膜布(墊)603和供給到那的研磨液(漿)之間，進行機械拋光和化學(xué)作用相平衡的基板表面的拋光(圖6B)。它使得絕緣膜表面上的不平整被平整化(圖6C)。
如上所述，在通過滴注合成物形成絕緣膜之后，通過進行諸如CMP的平整化處理，能夠?qū)崿F(xiàn)絕緣膜表面的平整化。
如在該實施例方式中所示，通過在用點滴滴注方法形成的絕緣膜上進行平整化處理，使得表面上的不平整被平整化。因此，它在多層中層疊形成引線時是極其有效的。此外，通過進行平整化可防止由于臺階或電極等的短路所引起的斷開，可實現(xiàn)成品率的提高。
注意，該實施例方式能夠自由地組合上述實施例方式。
實施例1使用附圖來描述制造半導(dǎo)體器件的方法，在該半導(dǎo)體器件中，本發(fā)明可應(yīng)用于制造絕緣膜。
在實施例1中，說明了使用非晶半導(dǎo)體(非晶硅、a-Si)制造薄膜晶體管的方法。首選，用圖7A到7D和圖8A到8C來描述使用非晶半導(dǎo)體(非晶硅、a-Si)制造上柵極型(順向疊加型)薄膜晶體管的方法。
首先，通過排出合成物，在基板800上形成導(dǎo)電膜801和802。然后，形成n型非晶半導(dǎo)體803、非晶半導(dǎo)體804以覆蓋導(dǎo)電膜801和802，且在其上面層疊絕緣膜805。因此可用等離子體CVD或濺射來形成絕緣膜805，在這里用點滴滴注方法來制造它。此外，此時可控制滴注率以在絕緣膜805上形成凹陷(圖7A)。
然后，用點滴滴注方法，在絕緣膜805上形成柵極電極806。此時，在絕緣膜805上形成凹陷，因此，通過將凹陷利用為堤(bank)，可更加精確地施加合成物。因此，可在任意點上精確地形成導(dǎo)電材料。
然后，通過滴注合成物用諸如光刻膠或聚酰亞胺之類的絕緣體形成掩膜807(圖7B)。然后，通過同時對n型非晶半導(dǎo)體803、非晶半導(dǎo)體804和絕緣膜805進行圖形化，形成n型非晶半導(dǎo)體808、非晶半導(dǎo)體809和絕緣膜810。
然后，通過排出合成物，形成絕緣膜811，通過排出不同于用于絕緣膜811的合成物，在811上進一步形成由諸如聚酰亞胺之類的絕緣體構(gòu)成的掩膜812(圖7C)。這里，包括硅氧烷系統(tǒng)材料、含有1×1020/cm3的Si-CH3鍵或Si-C鍵、或含有1×1020/cm3或更多的C、并且在100平方微米中沒有3μm或大于3μm的裂紋的合成物，被用作絕緣膜811。
刻蝕沒有用掩膜覆蓋的部分以形成開口813和814，并去除掩膜812(圖7D)。這里，可使用采用諸如硫酸、硝酸、磷酸、氫氟酸之類的刻蝕劑進行的濕法刻蝕，或通常使用RIE(反應(yīng)離子刻蝕)的干法刻蝕用于刻蝕處理，依照使用的目的可對其進行適當?shù)倪x擇?？筛鶕?jù)要處理的物體，適當?shù)剡x擇刻蝕氣體，諸如CF4、NF3或SF6的氟基氣體或諸如Cl2或BCl3的氯基氣體都可用于刻蝕。
然后，通過將雜質(zhì)元素添加到絕緣膜811的表面(在圖8A中標號851到853)，可進行表面修改。作為添加雜質(zhì)元素的方法，諸如離子摻雜、離子注入、離子處理之類的方法可作為例子，可使用從從氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)和氙(Xe)中選擇的一種或多種作為要添加的雜質(zhì)元素。
通過滴注包括導(dǎo)電材料的合成物以填充開口813和814，可形成導(dǎo)電膜815和816。通過滴注包括導(dǎo)電材料的合成物形成導(dǎo)電膜817并與導(dǎo)電膜816相接觸(圖8B)。這里，導(dǎo)電膜817起到像素電極的作用。
然后，形成取向膜821。通過加熱密封劑使之固化，在其上面形成彩色濾色膜822、對置電極823和取向膜824的基板825與基板800相連接。其后，通過注入液晶826，就完成了使用液晶和具有顯示功能的半導(dǎo)體器件。偏振板827和828與基板800和825相連接(圖8C)。
隨后，用圖9A到9E來描述制造半導(dǎo)體器件的方法，在半導(dǎo)體器件中，形成了使用非晶半導(dǎo)體的溝道保護類型薄膜晶體管，本發(fā)明可應(yīng)用于制造連接到薄膜晶體管的引線。
首先，通過在基板900上滴注合成物形成柵極電極901。通過選擇性地滴注包括導(dǎo)電材料的合成物，可在基板900上形成柵極電極901。這里，作為基板900，可應(yīng)用由諸如玻璃、石英、塑料或鋁之類的絕緣體構(gòu)成的基板、以及在諸如不銹鋼的金屬基板、半導(dǎo)體基板等的上面形成諸如氧化硅或氮化硅的絕緣膜的基板。此外，理想的是，在諸如塑料或鋁的基板的表面上形成諸如氧化硅、氮化硅或氧化氮化硅的絕緣膜，以阻止雜質(zhì)等從基板側(cè)分散。
然后，在柵極電極901上形成絕緣膜902。盡管用諸如等離子體CVD或濺射之類的薄膜形成方法可形成絕緣膜902，但在該實施例中，它是用點滴滴注方法形成的。作為用點滴滴注方法來形成，與用CVD或濺射形成絕緣膜時的情況相比較，能夠形成具有更好的平整性的絕緣膜而不會產(chǎn)生大量的臺階。
然后，在絕緣膜902上形成非晶半導(dǎo)體并在其整個表面上形成絕緣膜以覆蓋非晶半導(dǎo)體。然后，通過使用掩膜只對該絕緣膜進行圖形化，形成作為刻蝕制止者的絕緣膜904。然后，在整個表面上形成n型非晶半導(dǎo)體以覆蓋絕緣膜904。其后，通過使用掩膜同時對非晶半導(dǎo)體和n型非晶半導(dǎo)體進行圖形化，形成非晶半導(dǎo)體膜905和n型半導(dǎo)體膜906和907。然后，形成與n型半導(dǎo)體906和907相連接的導(dǎo)電膜908和909(圖9A)。
隨后，通過滴注合成物形成絕緣膜910，以在絕緣膜910上的任一點形成由諸如聚酰亞胺之類的絕緣體構(gòu)成的掩膜911(圖9B)。盡管絕緣膜在這里用作掩膜911，掩膜可由導(dǎo)電材料構(gòu)成，只要它能夠獲得相對于絕緣膜910的可選擇刻蝕比率。其后，形成開口912，以使得通過刻蝕沒有被掩膜所覆蓋的部分來暴露部分導(dǎo)電膜909。
然后，通過滴注包括導(dǎo)電材料的合成物形成導(dǎo)電膜913以填充開口912(圖9D)。然后，通過滴注包括導(dǎo)電材料合成物形成導(dǎo)電膜914和915，以使之與導(dǎo)電膜913相接觸。導(dǎo)電膜914和915由具有透光特性的導(dǎo)電材料構(gòu)成。具體地說，導(dǎo)電膜由氧化銦錫(ITO)和包括ITO和氧化硅的ITSO構(gòu)成。然后，形成電致發(fā)光層916和導(dǎo)電膜917以與導(dǎo)電膜915相接觸。導(dǎo)電膜917起到陰極的作用，而導(dǎo)電膜915起到陽極的作用。隨后，形成屏蔽920以覆蓋整個表面。通過上述步驟，就完成了所謂的下發(fā)射半導(dǎo)體器件，在該器件中光從光發(fā)射元件發(fā)射到基板900側(cè)(圖9E)。此外，該結(jié)構(gòu)對應(yīng)于具有作為溝道部分的非晶半導(dǎo)體的晶體管為n型晶體管時的情況。
諸如丙烯酸或聚酰亞胺的有機材料，或諸如氧化硅、氧化氮化硅的無機材料，或硅氧烷系統(tǒng)可用作起到堤作用的絕緣層918，也可使用光敏材料或非光敏材料。較佳的是，絕緣層918可形成為曲率半徑連續(xù)不同的形狀，以使得后來形成的電致發(fā)光層916不會由于臺階而斷開。根據(jù)發(fā)光元件有三種發(fā)光類型光發(fā)射到基板側(cè)的上發(fā)射，光發(fā)射到它的相對側(cè)的下發(fā)射，以及通過形成由透明材料構(gòu)成的一對電極或通過形成在厚度方向能夠透射光的電極、光發(fā)射到基板側(cè)和它的相對側(cè)的雙發(fā)射。此外，沒有層的界面的任何單層類型、層疊類型或混和類型可用作電致發(fā)光層916。此外，任何單重態(tài)材料、三重態(tài)材料或這些材料組合的材料可用作電致發(fā)光層916。此外，可使用包括低分子材料、高分子材料和中等分子材料的任何有機材料，以具有更好的電子注入特性的氧化鉬等為代表的無機材料，或有機材料和無機材料的合成材料。結(jié)構(gòu)用注入氣相淀積之類的已知方法可形成電致發(fā)光層916，考慮到花費時間或制造成本，也可使用點滴滴注方法來形成它。因此，在利用點滴滴注方法制造絕緣層或薄膜的本發(fā)明中，能夠進一步降低花費時間和制造成本。
因此，半導(dǎo)體器件包括圖像顯示器件、發(fā)光器件、諸如發(fā)光系統(tǒng)的光源。此外，半導(dǎo)體器件包括圍住像素部分和在基板與覆蓋材料之間的驅(qū)動電路的屏幕、FPC在其中連接到屏幕的模塊、在FPC的點設(shè)有驅(qū)動IC的模塊、用COG技術(shù)等在屏幕上安裝驅(qū)動IC的模塊、用于監(jiān)視的顯示器等。
此外，在上述晶體管中，示出了非晶半導(dǎo)體在其中用作溝道部分的晶體管。然而，本發(fā)明不限于此，可以使用晶粒分散在非晶半導(dǎo)體中的半非晶半導(dǎo)體(下文稱為SAS)。使用SAS的晶體管具有從2cm2/V.sec到10cm2/V.sec的遷移率，它是使用非晶半導(dǎo)體的晶體管的電場效應(yīng)遷移率的2到20倍。使用SAS的晶體管具有非晶結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)(包括單晶體和多晶體)的中間結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體是具有穩(wěn)定的第三狀態(tài)和具有短距離級和晶格變形的結(jié)晶材料的半導(dǎo)體，由于自由能量，所述第三狀態(tài)是穩(wěn)定的。通過使其晶粒直徑從0.5nm到20nm，半導(dǎo)體可分散在非單晶體半導(dǎo)體中。此外，半導(dǎo)體包括至少為1原子％或更多的氫或鹵素以便終止未結(jié)合的鍵(懸空鍵)。此外，通過添加諸如氦、氬、氪或氖之類的稀有氣體元素以增強穩(wěn)定性，來進一步促進晶格變形，可獲得更好的SAS。例如，在專利公告3065528中公開了有關(guān)這種SAS的描述。該實施例能夠自由組合上述的實施例方式。
實施例2通過使用附圖，來描述將制造本發(fā)明絕緣層的方法應(yīng)用到其的半導(dǎo)體。
首先，如圖11A所示，在基板400上形成包括諸如氧化硅膜、氮化硅膜、或氧化氮化硅膜之類的絕緣膜的基層絕緣膜401。作為基板400的材料，可使用玻璃基板、石英基板、半導(dǎo)體基板、金屬基板、不銹鋼基板或塑料基板?；鶎咏^緣膜401可具有絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)或兩層或多層絕緣膜所層疊的結(jié)構(gòu)。然后，在基層絕緣膜上形成非晶半導(dǎo)體膜。該非晶半導(dǎo)體膜可通過使用已知的方法(濺射、LPCVD、等離子體CVD等)來形成。然后，用已知的結(jié)晶方法，諸如結(jié)構(gòu)結(jié)晶方法、使用RTA或退火爐的熱結(jié)晶方法、使用促進結(jié)晶的金屬元素的熱結(jié)晶方法等，使非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶。通過對以這種方式所獲得的結(jié)晶半導(dǎo)體膜進行圖形化使其具有所需的形狀，形成半導(dǎo)體膜404。
形成覆蓋半導(dǎo)體膜404的柵極絕緣膜402。通過等離子體CVD或濺射形成作為柵極絕緣膜402的諸如氧化硅膜的絕緣膜。也可用降低滴注方法形成柵極絕緣膜402。當用點滴滴注方法形成制造它時，通過控制滴注率就可改變臺階。
通過選擇性地滴注包括導(dǎo)電材料的合成物，在柵極絕緣膜402上形成柵極電極403。在這種情況下，用于點滴滴注方法的管嘴的直徑被設(shè)置在從0.1μm到50μm(優(yōu)選從0.6μm到26μm)，并且將從管嘴滴注的合成物的滴注率設(shè)置在從0.00001pl到50pl(優(yōu)選從0.0001pl到10pl)。滴注率正比于管嘴直徑的尺寸而增加。使待處理的物體和管嘴出口之間的距離盡可能地近，以在所需點滴下合成物，優(yōu)選設(shè)置在大約從0.1nm到2nm。
然后，通過使用柵極電極403作為掩膜把雜質(zhì)摻入到半導(dǎo)體404，形成源極區(qū)域405和漏極區(qū)域406。
然后，通過使用點滴滴注方法，形成絕緣膜410。絕緣膜410由包括諸如氧化氮化硅膜之類的硅的材料、諸如具有透光特性的丙烯酸或聚酰亞胺的有機材料、由包括硅氧烷的聚合物的聚合作用形成的化合物材料等構(gòu)成。絕緣膜410由使用這些材料的單層或兩層或多層來形成。包括硅氧烷的聚合物被作為用硅和氧的鍵在其中構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的材料的典型例子，并且至少氫作為取代基被包含，或具有氟、烷基、或芬芳烴中的至少一種的材料作為取代基。因此，可以使用在上述條件范圍內(nèi)的各種材料。有機材料和其中骨架結(jié)構(gòu)由硅和氧的鍵所構(gòu)成的材料具有更好的平面性。因此，這些材料是較佳的，因為膜厚在臺階部分不是極薄，或者甚至在后來形成導(dǎo)電材料的時候也不產(chǎn)生斷開。此外，骨架結(jié)構(gòu)由硅和氧的鍵構(gòu)成的材料也具有透明性和熱穩(wěn)定性，因此，在形成膜之后，可進行大約從300℃的熱處理。通過熱處理，例如，可在同一時間進行氫化和烘焙處理。
然后，可選擇性地成為掩膜的光刻膠409形成在絕緣膜410上(圖11A)。作為光刻膠409，可使用相對于絕緣膜410能夠獲得可選擇的比率的光刻膠。
然后，通過刻蝕沒有被掩膜所覆蓋的部分，形成與下層側(cè)接觸的開口411和412。
在這個實施例中，結(jié)構(gòu)通過兩步驟刻蝕來刻蝕絕緣膜410和柵極絕緣膜402時的情況作為例子被示出，該實施例不限于此。在這里，示出了把包括硅氧烷的聚合物用于絕緣膜410以及把包含大量氧的膜用于柵極絕緣膜402時的情況。
在這個實施例中，在相對于柵極絕緣膜402能夠獲得可選擇比率的條件下，對柵極絕緣膜410進行刻蝕(濕法刻蝕或干法刻蝕)。將惰性氣體添加到要在刻蝕柵極絕緣膜410的過程中使用的刻蝕氣體。作為要添加的惰性元素，可使用選自He、Ne、Ar、Kr和Xe中的一種或多種。在本發(fā)明中，用總流量的26％或更大且50％或更小，把選自惰性元素中具有較大的原子半徑的Ar、Kr和Xe中的一種或多種添加到刻蝕氣體。首先，優(yōu)選使用氬，因為它原子半徑比較大且價格便宜。在本實施例中，使用了CF4、O2、He和Ar。當進行干法刻蝕時，刻蝕條件為CF4的流量設(shè)置在380sccm；O2，290sccm；He，500sccm；Ar，500sccm；RF功率，3000W；以及壓力，為25Pa。作為該實施例的刻蝕裝置的腔室，可使用大約為0.335m3容積的裝置。根據(jù)上述條件，可減少刻蝕的殘留物。
為了在絕緣膜410上不留下任何殘留物來進行刻蝕，可用大約為從10％到20％的比率來增加刻蝕時間。通過進行一次或多次刻蝕，可形成楔形。這里，為了形成楔形，通過使用CF4、O2和He，將CF4的流量設(shè)置在550sccm；O2的流量，450sccm；He的流量，450sccm；RF功率，3000W；以及壓力，設(shè)為25Pa，可進一步進行干法刻蝕。
通過刻蝕柵極絕緣膜402，形成到達源極區(qū)域和漏極區(qū)域的開口?？稍傩纬梢糜诳涛g的掩膜，或可使用以前形成的光刻膠掩膜。在這個實施例中，同使用光刻膠409和絕緣膜410作為掩膜，通過刻蝕柵極絕緣膜402，來形成到達雜質(zhì)區(qū)域的開口411和412。可使用CHF3、Ar、He等作為刻蝕氣體。在這個實施例中，把惰性氣體添加到要使用的刻蝕氣體。作為要添加的元素，可使用選自He、Ne、Ar、Kr和Xe中的一種或多種。在本實施例中，作為惰性氣體，添加從具有較大的原子半徑的Ar、Kr和Xe中選擇的一種或多種，以使得為總流量的60％或更大且85％或更小，優(yōu)選總流量的65％或更大且85％或更小。首選，優(yōu)選使用氬，因為它原子半徑比較大且價格便宜。在本實施例中，用其中使用CHF3和Ar的惰性氣體進行絕緣膜412的刻蝕處理。較佳的是，通過以大約10％到20％的比率增加刻蝕時間進行過刻蝕，以便在半導(dǎo)體層上不留下殘留物的情況下進行刻蝕。
然后，去除光刻膠409。由于光刻膠409是有機物質(zhì)，通過氧化可有效地去除光刻膠409(換言之，有機物質(zhì)被轉(zhuǎn)換成CO2和H2O)?？墒褂猛ㄟ^絕緣膜與等離子體氣體發(fā)生反應(yīng)而被去除及蒸發(fā)的等離子體灰化器、通過將O3(臭氧)分解和轉(zhuǎn)化成作為反應(yīng)氣體的氧基使其與光刻膠進行反應(yīng)來蒸發(fā)絕緣膜的臭氧灰化器等。作為灰化器，優(yōu)選使用具有高氧化率和低損壞的灰化器。此外，可使用用于去除光刻膠的濕法?？墒褂迷谄渖厦姘惭b了溶解絕緣膜的化學(xué)罐的濕式工作站等。在使用等離子體灰化器或臭氧灰化器時，諸如包含在實際絕緣膜中的重金屬之類的雜質(zhì)也被去除。因此，優(yōu)選使用濕式工作站來清潔。
接下來，進行惰性元素的摻雜處理以在絕緣膜的表面上形成高致密部分408(圖11B)。通過離子摻雜或離子注入可進行摻雜處理。通常，使用氬(Ar)作為惰性元素。通過添加原子半徑比較大的惰性元素會產(chǎn)生變形，以使得表面(包括側(cè)面)改進或使其具有更高致密性用于防止諸如水汽或氧的進入。包含在高致密部分的惰性元素，其濃度范圍為從1×1019/cm3到5×1021/cm3，通常從2×1019/cm3到2×1021/cm3。此外，將開口形成為楔形，以使惰性元素摻雜到開口411和412的表面(包括側(cè)面)。理想的是，設(shè)置楔形角θ大于30°并小于75°。
然后，通過滴注合成物用導(dǎo)電材料填充開口411和412以形成導(dǎo)電膜413和414。隨后，通過使用點滴滴注方法，形成起到第一電極(像素電極)作用的導(dǎo)電膜415(圖11C)。當陽極作為第一電極而形成時，優(yōu)選使用比較高的功函數(shù)的材料。
然后，形成覆蓋第一電極端部的絕緣體(也稱為堤，隔斷墻，屏障等)416，形成電致發(fā)光層以與導(dǎo)電膜415相接觸。然后，層疊導(dǎo)電膜418以使與電致發(fā)光層相接觸。于是，完成了包括導(dǎo)電膜415、電致發(fā)光層417和導(dǎo)電膜418的發(fā)光元件。最后，起到保護膜作用的絕緣層419形成在整個表面上。
隨后，通過絲網(wǎng)印刷方法或滴涂器方法形成密封劑421，用密封劑將基板420連接到基板400。通過上述步驟，就完成了在圖11D中所示的包括發(fā)光元件的半導(dǎo)體器件。
模擬視頻信號或數(shù)字視頻信號可用于上述包括發(fā)光元件的上述半導(dǎo)體器件。但是，當使用數(shù)字視頻信號時，根據(jù)視頻信號所使用的電壓或電流，可有不同的驅(qū)動系統(tǒng)。換言之，當從發(fā)光元件發(fā)光時，在輸入到像素的視頻信號方面，有兩種驅(qū)動系統(tǒng)，具有恒電壓的系統(tǒng)和具有恒電流的系統(tǒng)。此外，存在兩種使用具有恒電壓的視頻信號的系統(tǒng)施加到發(fā)光元件的電壓是常數(shù)的驅(qū)動系統(tǒng)，和施加到發(fā)光元件的電流是常數(shù)的驅(qū)動系統(tǒng)。此外，存在兩種使用具有恒電流的視頻信號的系統(tǒng)施加到發(fā)光元件的電壓是常數(shù)的驅(qū)動系統(tǒng)，和施加到發(fā)光元件的電流是常數(shù)的驅(qū)動系統(tǒng)。施加到發(fā)光元件的電壓是常數(shù)的驅(qū)動系統(tǒng)是恒電壓驅(qū)動，施加到發(fā)光元件的電流是常數(shù)的驅(qū)動系統(tǒng)是恒電流驅(qū)動。在恒電流驅(qū)動中，恒電流流動與發(fā)光元件的電阻變化無關(guān)?；蛘呤鞘褂秒妷阂曨l信號的驅(qū)動系統(tǒng)或是使用電流視頻信號的驅(qū)動系統(tǒng)可用于由本發(fā)明完成的半導(dǎo)體器件，也可使用恒電壓驅(qū)動或恒電流驅(qū)動。本實施例可與上述實施例方式和實施例自由組合。
實施例方式3在這個實施例中，在圖12A和12B中示出了端部用金屬層覆蓋的例子。由于不是周圍的部分與實施例2中示出的圖11D相同，細節(jié)描述在此省略。注意，在圖12A和12B中，用與圖11A到11D中相同的符號指示相同的部分。
在這個實施例中，如圖12A和12B所示，通過滴注合成物在中間絕緣層410的端部上形成阻擋層430。在這里，可使用具有阻止水汽或氧進入的特性、以及具有50cp或更小的粘度以使得用點滴滴注方法能夠形成阻擋層430的合成物。作為具有這些特性的合成物，例如，可使用已知導(dǎo)電材料，或使用諸如環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、酚醛清漆樹脂、三聚氰胺樹脂或聚氨酯樹脂之類的樹脂。當使用這些材料時，通過使用溶劑溶解或分散樹脂材料可調(diào)節(jié)粘度。此外，優(yōu)選疏液性的樹脂，例如，可以給出包括氟原子的樹脂或只用烴配置的樹脂。更詳細地說，包括分子中包含氟原子的單體的樹脂，或包括只用碳原子或氫原子配置的單體的樹脂可以作為例子。
當由導(dǎo)電材料形成阻擋層430時，阻擋層的形成必須不會與引線發(fā)生短路。因此，在與引線有可能發(fā)生短路的區(qū)域，優(yōu)選由樹脂材料形成阻擋層430。在圖12B中示出了周圍的放大橫截面圖。在絕緣膜410中，具有臺階的端部用阻擋層430覆蓋。這里，有可能隨形成阻擋層430時端部的角度而產(chǎn)生臺階從而引起斷開。因此，必須將端部形成為具有平緩的傾斜表面。具體地說，可將側(cè)面形成為從30°到75°的楔形。此外，為了防止由于臺階引起的斷開，可在滴注一滴或多滴之后進行烘焙合成物的處理，以及進行固化合成物的處理。
如上所述，通過在絕緣膜上形成阻擋層，可防止水汽、氧等進入與發(fā)光元件直接接觸的絕緣膜，從而能夠防止發(fā)光元件的劣化。因此，不會產(chǎn)生暗點或收縮，這使得能夠提供產(chǎn)品可靠性被提高的半導(dǎo)體器件。注意，該實施例可與實施例方式和其它實施例自由組合。
實施例方式4在這個實施例中，在使用多晶半導(dǎo)體(多晶硅，P-Si)的上柵極型薄膜晶體管的制造步驟中，參照圖10A到10D，描述了用于制造半導(dǎo)體器件的方法，在該半導(dǎo)體器件中，本發(fā)明被應(yīng)用于制造置于導(dǎo)電材料之間的絕緣層的方法，所述導(dǎo)電材料與包括在薄膜晶體管中的雜質(zhì)區(qū)域相接觸。
首先，在基板150上形成半導(dǎo)體，在半導(dǎo)體上形成絕緣膜151之后，用點滴滴注方法在絕緣膜151上形成導(dǎo)電膜164到166。此外，如有必要，通過形成作為基板150上基膜的絕緣膜，能夠防止雜質(zhì)進入基板150。然后，通過使用作為掩膜的導(dǎo)電膜164到166，將雜質(zhì)加入到半導(dǎo)體，以形成在其中添加了雜質(zhì)的雜質(zhì)區(qū)域155到160，以及溝道形成區(qū)域152到154(圖10A)。
然后，在用點滴滴注方法形成絕緣膜177后，進一步形成由不同于絕緣膜177的絕緣膜所形成的掩膜，以通過刻蝕沒有被掩膜覆蓋的部分絕緣膜177來制造開口171到176(圖10B)。然后，形成導(dǎo)電膜181到186，以通過選擇性地滴注包括導(dǎo)電材料的合成物填充開口171到176。通過上述步驟，能夠制造如圖10C中示出的半導(dǎo)體器件。注意，通過使用在上述實施例方式和實施例中示出的材料，可制造絕緣膜177和導(dǎo)電膜181到186。
通過重復(fù)上述步驟，將從第二層到第五層層疊諸層，完成如圖10D中所示的具有多層引線的半導(dǎo)體器件。
在需要合并許多諸如CPU(中央處理單元)、圖像處理電路、存儲器之類的功能電路時，具有如圖10D中所示層疊多個引線的多層引線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件是非常有效的。此外，通過應(yīng)用多層引線結(jié)構(gòu)，不需要在同一層中引導(dǎo)引線作為柵極電極、源極引線或形成在第一層中的半導(dǎo)體元件的漏極引線，從而在半導(dǎo)體器件的小型化和減小重量方面及其有效。
此外，層疊的層越多，則越多的制造工藝就得到簡化，因此，與傳統(tǒng)的制造方法相比較，通過用點滴滴注方法形成引線層，低成本的制造成為可能。
注意，本實施例可與上述實施例方式和實施例自由組合。
實施例5圖13被用來描述將第一實施例和第二實施例中的液晶顯示屏或EL顯示屏模塊化的情形。
在實施例1或?qū)嵤├?(圖8A到8C，圖9A到9E或圖11A到11D)中示出的屏幕裝有電路系統(tǒng)，諸如驅(qū)動LSI、用于驅(qū)動和控制液晶和EL的控制器和輝度驅(qū)動電壓產(chǎn)生電路。在電路中，信號處理系統(tǒng)和控制系統(tǒng)置于印刷電路板(PCB)上，而驅(qū)動IC組安裝在像素部分的外圍。作為安裝方法，可使用安裝TCP(芯片帶載封裝)型驅(qū)動器的TAB(帶狀元件自動綁定)方法，或者把驅(qū)動器IC的裸芯片直接安裝在屏幕上COG(玻璃上芯片)方法。
圖13示出了用TAB方法來安裝的情形。如實施例1或?qū)嵤├?所示，像素部分131可以是液晶部分作為顯示介質(zhì)的像素部分，或是EL元件用作顯示介質(zhì)的像素部分。作為驅(qū)動器IC132a、132b到132n、133a、133b、133c到133m和133n，除了通過使用單晶半導(dǎo)體形成集成電路外，也可使用其中使用了多晶半導(dǎo)體的TFT中的相似類型。此外，在電路中，可將信號處理系統(tǒng)和控制系統(tǒng)設(shè)置在印刷電路板135上。
可以用COG方法安裝上述屏幕，把驅(qū)動器IC直接安裝在屏幕上，且能夠減少來自外部的連接端。在這種情況下，外圍驅(qū)動電路形成在要被集成的基板上，作為配置這些的元件，可使用具有作為溝道部分的P-Si型半導(dǎo)體的晶體管。當像素部分和驅(qū)動電路部分采用P-Si型半導(dǎo)體集成時，這是有效的。
此外，可使用半非晶半導(dǎo)體(下文中稱為SAS)用作溝道部分的晶體管。其中SAS起到溝道部分作用的晶體管比其中非晶半導(dǎo)體(a-Si)起到溝道部分作用的晶體管具有更高的遷移率。并具有配置驅(qū)動電路的足夠特性。
注意，該實施例可與上述實施例方式和實施例自由組合。
實施例6通過使用圖5中描述的模塊，能夠完成各種電子設(shè)備。參照圖14A到14C描述其特定的實施例。
圖14A示出了包括外殼2001、支撐座2002、顯示部分2003、揚聲器部分2004、視頻輸入端2005等的顯示設(shè)備。在該顯示設(shè)備中，使用實施例5中示出的液晶或EL元件的顯示模塊2006包括在外殼2001中。此外，通過把具有由實施例中示出的制造方法用到顯示部分2003來制造該顯示設(shè)備。通過使用本發(fā)明的制造方法，由于簡化了制造工藝，本發(fā)明能夠應(yīng)用于具有大尺寸的電子設(shè)備而不用使用大型裝置。因此，能夠以低成本制造具有大尺寸的顯示設(shè)備。在實施例1或?qū)嵤├?中示出的發(fā)光器件等包括在該顯示設(shè)備中。具體地說，用于顯示信息的顯示器件，諸如用于個人電腦、TV廣播接收站、廣告顯示的顯示器件可包括在該顯示設(shè)備中。
圖14B示出了包括外殼2201、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接端口2205、指示鼠標2206等的計算機。本發(fā)明可應(yīng)用于制造顯示部分2203。本發(fā)明也可應(yīng)用于諸如主體內(nèi)的CPU和存儲器之類的半導(dǎo)體器件。通過形成實施例4(圖10A到10D)所示的多層結(jié)構(gòu)，就可以實現(xiàn)計算機的最小化并使之變輕。
圖14C示出了在便攜式終端中的手機，它包括外殼2301、顯示部分2302等。諸如上述的手機和其它PDA以及數(shù)字相機之類的電子設(shè)備都是便攜式終端。因此，它們具有小圖像顯示。因而，通過使用作為溝道的多晶半導(dǎo)體、實施例4中示出的多層引線、或作為圖5所示的顯示部分的諸如同一基板，上的CPU的功能電路，就可形成使用薄膜晶體管的驅(qū)動電路，較佳的是嘗試手機的最小化和減輕重量。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體器件具有廣泛的應(yīng)用范圍，并能應(yīng)用于所有領(lǐng)域的電子設(shè)備。注意，通過實施由實施例方式1到5和實施例1到5，能夠完成在實施例6中的電子設(shè)備。
盡管參照附圖利用例子已經(jīng)充分描述了本發(fā)明，應(yīng)當理解的是，對那些本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，各種修改和變化將是明顯的。因此，除非這樣的修改和變化偏離了下面限定的本發(fā)明的范圍，否則它們將被解釋為包括在此。
本申請基于2003年10月28日向日本專利局提出的序列號為2003-367051的日本專利申請，其內(nèi)容通過引用包括在此。
權(quán)利要求
1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟通過滴注包括絕緣體的合成物形成第一絕緣膜；在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜；通過在所述第二絕緣膜上進行曝光和顯影形成掩膜圖形；以及通過使用所述第二絕緣膜作為掩膜，通過刻蝕所述第一絕緣膜形成開口。
2.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟通過滴注包括絕緣體的合成物形成第一絕緣膜；通過在所述第一絕緣膜上選擇性地滴注合成物，形成第二絕緣膜；以及通過使用所述第二絕緣膜作為掩膜，通過刻蝕所述第一絕緣膜形成開口。
3.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟通過在薄膜晶體管上滴注合成物形成第一絕緣膜，所述合成物包括絕緣體；在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜；通過在所述第二絕緣膜上進行曝光和顯影形成掩膜圖形；以及通過使用所述第二絕緣膜作為掩膜，通過刻蝕所述第一絕緣膜形成開口。通過使用所述第二絕緣膜作為掩膜，通過刻蝕所述第一絕緣膜，形成至少一個開口，其中所述開口到達所述薄膜晶體管的源極和漏極區(qū)域中的一個；在所述第一絕緣膜上形成導(dǎo)電層，其中所述導(dǎo)電層通過所述開口與源極和漏極區(qū)域中的一個相連接。
4.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟通過在薄膜晶體管上滴注合成物形成第一絕緣膜，所述合成物包括絕緣體；在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜；通過在所述第二絕緣膜上進行曝光和顯影形成掩膜圖形；以及通過使用所述第二絕緣膜作為掩膜，通過刻蝕所述第一絕緣膜形成開口。通過使用所述第二絕緣膜作為掩膜，通過刻蝕所述第一絕緣膜，形成至少一個開口，其中所述開口到達所述薄膜晶體管的源極電極和漏極電極中的一個；在所述第一絕緣膜上形成導(dǎo)電層，其中所述導(dǎo)電層通過所述開口與源極電極和漏極電極中的一個相連接。
5.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟通過在薄膜晶體管上滴注合成物形成第一絕緣膜，所述合成物包括絕緣體；在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜；通過在所述第二絕緣膜上進行曝光和顯影形成掩膜圖形；以及通過使用所述第二絕緣膜作為掩膜，通過刻蝕所述第一絕緣膜形成開口。通過使用所述第二絕緣膜作為掩膜，通過刻蝕所述第一絕緣膜，形成至少一個開口，其中所述開口到達所述薄膜晶體管的源極和漏極區(qū)域中的一個；在所述第一絕緣膜上形成導(dǎo)電層，其中所述導(dǎo)電層通過所述開口與源極和漏極區(qū)域中的一個相連接。形成與所述導(dǎo)電層電氣連接的像素電極。
6.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟通過在薄膜晶體管上滴注合成物形成第一絕緣膜，所述合成物包括絕緣體；在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜；通過在所述第二絕緣膜上進行曝光和顯影形成掩膜圖形；以及通過使用所述第二絕緣膜作為掩膜，通過刻蝕所述第一絕緣膜形成開口。通過使用所述第二絕緣膜作為掩膜，通過刻蝕所述第一絕緣膜，形成至少一個開口，其中所述開口到達所述薄膜晶體管的源極電極和漏極電極中的一個；在所述第一絕緣膜上形成導(dǎo)電層，其中所述導(dǎo)電層通過所述開口與源極電極和漏極電極中的一個相連接。形成與所述導(dǎo)電層電氣連接的像素電極。
7.如權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過滴注形成所述導(dǎo)電層。
8.如權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過滴注形成所述導(dǎo)電層。
9.如權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過滴注形成所述導(dǎo)電層。
10.如權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過滴注形成所述導(dǎo)電層。
11.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在所述第一絕緣膜中形成的開口具有楔形，且惰性元素被添加到所述第一絕緣膜。
12.如權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在所述第一絕緣膜中形成的開口具有楔形，且惰性元素被添加到所述第一絕緣膜。
13.如權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在所述第一絕緣膜中形成的開口具有楔形，且惰性元素被添加到所述第一絕緣膜。
14.如權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在所述第一絕緣膜中形成的開口具有楔形，且惰性元素被添加到所述第一絕緣膜。
15.如權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在所述第一絕緣膜中形成的開口具有楔形，且惰性元素被添加到所述第一絕緣膜。
16.如權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在所述第一絕緣膜中形成的開口具有楔形，且惰性元素被添加到所述第一絕緣膜。
17.如權(quán)利要求11所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述惰性元素是從氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)和氙(Xe)中選擇的一種或多種。
18.如權(quán)利要求12所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述惰性元素是從氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)和氙(Xe)中選擇的一種或多種。
19.如權(quán)利要求13所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述惰性元素是從氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)和氙(Xe)中選擇的一種或多種。
20.如權(quán)利要求14所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述惰性元素是從氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)和氙(Xe)中選擇的一種或多種。
21.如權(quán)利要求15所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述惰性元素是從氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)和氙(Xe)中選擇的一種或多種。
22.如權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述惰性元素是從氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)和氙(Xe)中選擇的一種或多種。
23.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過選擇性地滴注合成物到開口的側(cè)面，形成阻擋層。
24.如權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過選擇性地滴注合成物到開口的側(cè)面，形成阻擋層。
25.如權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過選擇性地滴注合成物到開口的側(cè)面，形成阻擋層。
26.如權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過選擇性地滴注合成物到開口的側(cè)面，形成阻擋層。
27.如權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過選擇性地滴注合成物到開口的側(cè)面，形成阻擋層。
28.如權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過選擇性地滴注合成物到開口的側(cè)面，形成阻擋層。
29.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過在開口上滴注合成物，形成導(dǎo)電膜，并且通過在所述導(dǎo)電膜上選擇性地滴注合成物，形成阻擋層。
30.如權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過在開口上滴注合成物，形成導(dǎo)電膜，并且通過在所述導(dǎo)電膜上選擇性地滴注合成物，形成阻擋層。
31.如權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過在開口上滴注合成物，形成導(dǎo)電膜，并且通過在所述導(dǎo)電膜上選擇性地滴注合成物，形成阻擋層。
32.如權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過在開口上滴注合成物，形成導(dǎo)電膜，并且通過在所述導(dǎo)電膜上選擇性地滴注合成物，形成阻擋層。
33.如權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過在開口上滴注合成物，形成導(dǎo)電膜，并且通過在所述導(dǎo)電膜上選擇性地滴注合成物，形成阻擋層。
34.如權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過在開口上滴注合成物，形成導(dǎo)電膜，并且通過在所述導(dǎo)電膜上選擇性地滴注合成物，形成阻擋層。
35.如權(quán)利要求23所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述阻擋層包括包含分子中含有氟原子的單體的樹脂、或包括只包含碳原子或氫原子的單體的樹脂。
36.如權(quán)利要求24所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述阻擋層包括包含分子中含有氟原子的單體的樹脂、或包括只包含碳原子或氫原子的單體的樹脂。
37.如權(quán)利要求25所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述阻擋層包括包含分子中含有氟原子的單體的樹脂、或包括只包含碳原子或氫原子的單體的樹脂。
38.如權(quán)利要求26所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述阻擋層包括包含分子中含有氟原子的單體的樹脂、或包括只包含碳原子或氫原子的單體的樹脂。
39.如權(quán)利要求27所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述阻擋層包括包含分子中含有氟原子的單體的樹脂、或包括只包含碳原子或氫原子的單體的樹脂。
40.如權(quán)利要求28所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述阻擋層包括包含分子中含有氟原子的單體的樹脂、或包括只包含碳原子或氫原子的單體的樹脂。
41.如權(quán)利要求29所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述阻擋層包括包含分子中含有氟原子的單體的樹脂、或包括只包含碳原子或氫原子的單體的樹脂。
42.如權(quán)利要求30所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述阻擋層包括包含分子中含有氟原子的單體的樹脂、或包括只包含碳原子或氫原子的單體的樹脂。
43.如權(quán)利要求31所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述阻擋層包括包含分子中含有氟原子的單體的樹脂、或包括只包含碳原子或氫原子的單體的樹脂。
44.如權(quán)利要求32所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述阻擋層包括包含分子中含有氟原子的單體的樹脂、或包括只包含碳原子或氫原子的單體的樹脂。
45.如權(quán)利要求33所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述阻擋層包括包含分子中含有氟原子的單體的樹脂、或包括只包含碳原子或氫原子的單體的樹脂。
46.如權(quán)利要求34所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述阻擋層包括包含分子中含有氟原子的單體的樹脂、或包括只包含碳原子或氫原子的單體的樹脂。
47.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜由從聚酰亞胺、丙烯酸、苯并環(huán)丁烯和聚酰胺選擇的一種或多種構(gòu)成。
48.如權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜由從聚酰亞胺、丙烯酸、苯并環(huán)丁烯和聚酰胺選擇的一種或多種構(gòu)成。
49.如權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜由從聚酰亞胺、丙烯酸、苯并環(huán)丁烯和聚酰胺選擇的一種或多種構(gòu)成。
50.如權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜由從聚酰亞胺、丙烯酸、苯并環(huán)丁烯和聚酰胺選擇的一種或多種構(gòu)成。
51.如權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜由從聚酰亞胺、丙烯酸、苯并環(huán)丁烯和聚酰胺選擇的一種或多種構(gòu)成。
52.如權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜由從聚酰亞胺、丙烯酸、苯并環(huán)丁烯和聚酰胺選擇的一種或多種構(gòu)成。
53.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜包括硅和氧的鍵在其中構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的材料。
54.如權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜包括硅和氧的鍵在其中構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的材料。
55.如權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜包括硅和氧的鍵在其中構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的材料。
56.如權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜包括硅和氧的鍵在其中構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的材料。
57.如權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜包括硅和氧的鍵在其中構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的材料。
58.如權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜包括硅和氧的鍵在其中構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的材料。
59.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，第一絕緣膜被形成為使得惰性氣體包括在從1×1019原子/cm3到5×1021原子/cm3的濃度。
60.如權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，第一絕緣膜被形成為使得惰性氣體包括在從1×1019原子/cm3到5×1021原子/cm3的濃度。
61.如權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，第一絕緣膜被形成為使得惰性氣體包括在從1×1019原子/cm3到5×1021原子/cm3的濃度。
62.如權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，第一絕緣膜被形成為使得惰性氣體包括在從1×1019原子/cm3到5×1021原子/cm3的濃度。
63.如權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，第一絕緣膜被形成為使得惰性氣體包括在從1×1019原子/cm3到5×1021原子/cm3的濃度。
64.如權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，第一絕緣膜被形成為使得惰性氣體包括在從1×1019原子/cm3到5×1021原子/cm3的濃度。
65.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在通過滴注包含絕緣體的合成物形成所述第一絕緣膜之后，進行平整化處理。
66.如權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在通過滴注包含絕緣體的合成物形成所述第一絕緣膜之后，進行平整化處理。
67.如權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在通過滴注包含絕緣體的合成物形成所述第一絕緣膜之后，進行平整化處理。
68.如權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在通過滴注包含絕緣體的合成物形成所述第一絕緣膜之后，進行平整化處理。
69.如權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在通過滴注包含絕緣體的合成物形成所述第一絕緣膜之后，進行平整化處理。
70.如權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在通過滴注包含絕緣體的合成物形成所述第一絕緣膜之后，進行平整化處理。
71.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過把包含導(dǎo)電材料的合成物滴注到所述第一絕緣膜的開口，形成填充開口的導(dǎo)電膜。
72.如權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過把包含導(dǎo)電材料的合成物滴注到所述第一絕緣膜的開口，形成填充開口的導(dǎo)電膜。
73.如權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過把包含導(dǎo)電材料的合成物滴注到所述第一絕緣膜的開口，形成填充開口的導(dǎo)電膜。
74.如權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過把包含導(dǎo)電材料的合成物滴注到所述第一絕緣膜的開口，形成填充開口的導(dǎo)電膜。
75.如權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過把包含導(dǎo)電材料的合成物滴注到所述第一絕緣膜的開口，形成填充開口的導(dǎo)電膜。
76.如權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，通過把包含導(dǎo)電材料的合成物滴注到所述第一絕緣膜的開口，形成填充開口的導(dǎo)電膜。
77.如權(quán)利要求71所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膜包括包含銀、金、銅或氧化銦錫的材料。
78.如權(quán)利要求72所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膜包括包含銀、金、銅或氧化銦錫的材料。
79.如權(quán)利要求73所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膜包括包含銀、金、銅或氧化銦錫的材料。
80.如權(quán)利要求74所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膜包括包含銀、金、銅或氧化銦錫的材料。
81.如權(quán)利要求75所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膜包括包含銀、金、銅或氧化銦錫的材料。
82.如權(quán)利要求76所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膜包括包含銀、金、銅或氧化銦錫的材料。
83.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在所述第一絕緣膜中形成具有楔形的開口。
84.如權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在所述第一絕緣膜中形成具有楔形的開口。
85.如權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在所述第一絕緣膜中形成具有楔形的開口。
86.如權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在所述第一絕緣膜中形成具有楔形的開口。
87.如權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在所述第一絕緣膜中形成具有楔形的開口。
88.如權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，在所述第一絕緣膜中形成具有楔形的開口。
89.如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，把惰性元素加入所述第一絕緣膜。
90.如權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，把惰性元素加入所述第一絕緣膜。
91.如權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，把惰性元素加入所述第一絕緣膜。
92.如權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，把惰性元素加入所述第一絕緣膜。
93.如權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，把惰性元素加入所述第一絕緣膜。
94.如權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，把惰性元素加入所述第一絕緣膜。
95.制造包括合并如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備的一種方法，其中所述半導(dǎo)體器件包括顯示裝置、計算機、手機、PDA、照相機等。
96.制造包括合并如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備的一種方法，其中所述半導(dǎo)體器件包括顯示裝置、計算機、手機、PDA、照相機等。
97.制造包括合并如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備的一種方法，其中所述半導(dǎo)體器件包括顯示裝置、計算機、手機、PDA、照相機等。
98.制造包括合并如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備的一種方法，其中所述半導(dǎo)體器件包括顯示裝置、計算機、手機、PDA、照相機等。
99.制造包括合并如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備的一種方法，其中所述半導(dǎo)體器件包括顯示裝置、計算機、手機、PDA、照相機等。
100.制造包括合并如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備的一種方法，其中所述半導(dǎo)體器件包括顯示裝置、計算機、手機、PDA、照相機等。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，在方法中，能夠防止由膜形成之前的表面形狀產(chǎn)生的臺階所引起的斷開，控制在大尺寸基板上形成絕緣膜的成本的增加，提高材料的使用效率，和減少廢物量。在本發(fā)明中，通過滴注包括絕緣體的合成物形成第一絕緣膜，在第一絕緣膜上選擇性地形成第二絕緣膜，通過使用第二絕緣膜作為掩膜，來刻蝕第一絕緣膜以形成開口。其后，通過在開口上滴注合成物形成導(dǎo)電膜，且將其中具有絕緣膜的下層引線和上層引線互相連接。
文檔編號H05B33/14GK1871690SQ20048003154
公開日2006年11月29日 申請日期2004年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月28日
發(fā)明者山崎舜平 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所