專利名稱：以電流方式驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)，尤指一種以電流方式驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
請參閱第1圖，第1圖為現(xiàn)有以電壓方式驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中一像素10的示意圖。如第1圖所示，像素10包含有掃描線(scan line)SL、數(shù)據(jù)線(data line)DL、薄膜晶體管(thin-film transistor，TFT)M1、薄膜晶體管M2、電容儲存部件C以及有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emittingdiode)OLED，其中如第1圖所示，薄膜晶體管M1的柵極(gate)系連接至掃描線SL，漏極(drain)連接至數(shù)據(jù)線DL，源極(source)系連接至薄膜晶體管M2的柵極以及電容儲存部件C的一端。薄膜晶體管M2的漏極系連接至有機(jī)發(fā)光二極管OLED的一端，而其源極則連接至電容儲存部件C的另一端以及電壓源Vdd。此外，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的另一端系連接至另一電壓源Vss。
像素10的運(yùn)作模式如下所述首先，由外部的柵極驅(qū)動(dòng)電路(未顯示于第1圖)驅(qū)動(dòng)掃描線SL，并給予掃描線SL一預(yù)定電壓，該預(yù)定電壓系經(jīng)由掃描線SL傳輸至薄膜晶體管M1的柵極，在此，薄膜晶體管M1系作為一開關(guān)來使用，因此，薄膜晶體管M1便會被開啟。此外，數(shù)據(jù)線DL所攜帶的電壓信息也因此藉由晶體管M1傳遞至薄膜晶體管M2的柵極與電容儲存部件C的一端，在此請注意，數(shù)據(jù)線DL所攜帶的電壓信息系由外部的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路(未顯示)根據(jù)像素10所欲顯示的顯示數(shù)據(jù)(例如欲顯示的灰階值)來設(shè)定。
接著，由于上述電壓信息系用來控制薄膜晶體管M2的柵極電壓，因此薄膜晶體管M2便可根據(jù)上述電壓信息的大小來決定通過薄膜晶體管M2的電流I，另一方面，由于有機(jī)發(fā)光二極管OLED所發(fā)出的光亮度正比于其所流過的電流，因此有機(jī)發(fā)光二極管OLED會因?yàn)殡娏鱅的大小而發(fā)出相對應(yīng)的光，如此便完成像素10的驅(qū)動(dòng)。
如第1圖所示，電容儲存部件C是用來儲存先前提到的電壓信息，當(dāng)該電壓信息經(jīng)由薄膜晶體管M1傳遞過來的時(shí)候，該電壓信息除了作為薄膜晶體管M2的柵極電壓而導(dǎo)通薄膜晶體管M2以外，也同時(shí)會影響電容儲存部件C所儲存的電荷，如此，當(dāng)電容儲存部件C與薄膜晶體管M1連接的一端所保持的電位對應(yīng)上述電壓信息后，柵極驅(qū)動(dòng)電路與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路就可以停止驅(qū)動(dòng)像素10，而轉(zhuǎn)成由電容儲存部件C所儲存的電壓信息來持續(xù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管M2，并且因此電容儲存部件C可于一預(yù)定時(shí)間內(nèi)維持所需的電流I，并且由于利用電容儲存部件C來驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管M2，數(shù)據(jù)線DL的噪聲便不會對薄膜晶體管M2造成干擾，因此可以使有機(jī)發(fā)光二極管OLED所發(fā)出的光強(qiáng)度十分穩(wěn)定而不受干擾，這也代表了像素10的灰階值可以穩(wěn)定地輸出。
然而，由于薄膜晶體管M2在制程上的誤差，譬如摻雜(doping)的濃度誤差或是襯底(substrate)與柵極的距離誤差都可能會造成薄膜晶體管M2臨界電壓(threshold voltage)的誤差，亦或是薄膜晶體管M2中移動(dòng)率(mobility)的誤差，這樣的制程誤差便會直接影響到電流I的大小，因此即使是相同的電壓信息，驅(qū)動(dòng)不同像素的電流I并不相同，如此便造成了不同像素之間亮度的不均勻。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的主要目的之一在于提供一種以電流方式驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其像素結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中像素亮度不均勻的問題。
根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求，其系揭露一種顯示裝置。該顯示裝置包含有發(fā)光元件；第一掃描線，用于傳輸?shù)谝恍盘栆赃x取該發(fā)光元件；數(shù)據(jù)線，用來傳輸數(shù)據(jù)電流信號以驅(qū)動(dòng)該發(fā)光元件；第一晶體管，其柵極耦接至該第一掃描線，該第一晶體管系以該第一信號來選取該發(fā)光元件；以及電流鏡電路，電性連接于該發(fā)光元件，用來根據(jù)該數(shù)據(jù)電流信號以傳輸一驅(qū)動(dòng)電流信號來驅(qū)動(dòng)該發(fā)光元件，該電流鏡電路包含有第二晶體管，其柵極(gate)耦接至該數(shù)據(jù)線以及該第一晶體管的源極(source)與漏極(drain)中之一端，該第二晶體管系用于接收該數(shù)據(jù)電流信號；以及第三晶體管，其柵極系耦接至該第一晶體管的源極以及漏極中的另一端，該第三晶體管系用于傳輸該驅(qū)動(dòng)電流信號。
此外，本發(fā)明另揭露一種像素結(jié)構(gòu)，包含發(fā)光元件；第一掃描線，用于傳輸?shù)谝恍盘?；?shù)據(jù)線，用于傳輸數(shù)據(jù)電流信號；第一晶體管，具有柵極耦接至該第一掃描線；電流鏡電路，電性連接于該發(fā)光元件，該電流鏡電路包含有第二晶體管，具有柵極(gate)連接至該數(shù)據(jù)線以及該第一晶體管之源極(source)與漏極(drain)中的一端；第三晶體管，具有一柵極耦接至該第一晶體管之源極與漏極中的另一端；第二掃描線，用于傳輸?shù)诙盘?；以及第四晶體管，具有柵極耦接至該第二掃描線，且源極與漏極中的一端系電性連接至該第二晶體管的漏極，而源極與漏極中的另一端系電性連接至該第二晶體管柵極以及該數(shù)據(jù)線。
并且本發(fā)明另揭露一種像素結(jié)構(gòu)，具有發(fā)光二極管及電容儲存部件，包括電壓源；第一晶體管，具有柵極耦接至一掃描線；第二晶體管，具有柵極電性連接至數(shù)據(jù)線及耦接至該第一晶體管的源極與漏極中的一端；第三晶體管，具有柵極耦接至該第一晶體管的源極與漏極中的另一端，且該第三晶體管之源極與漏極中的一端耦接至該發(fā)光二極管，而該第三晶體管的源極與漏極中的另一端耦接至該電壓源；第四晶體管，具有柵極耦接至該掃描線，且該第四晶體管的源極與漏極中的一端耦接至該數(shù)據(jù)線；其中，該第四晶體管的源極與漏極中的另一端耦接至該第二晶體管的源極與漏極中的一端，且該第二晶體管的柵極系通過該第一晶體管耦接至該第三晶體管的柵極用于形成電流鏡電路。
本發(fā)明所揭露的像素利用電流驅(qū)動(dòng)的原理比起現(xiàn)有電壓驅(qū)動(dòng)面板的像素具有更佳的像素均勻度，并且可穩(wěn)定地保持欲顯示的灰階亮度。


第1圖為現(xiàn)有以電壓方式驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的像素的示意圖。
第2圖為本發(fā)明以電流方式驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的像素的第一實(shí)施例的示意圖。
第3圖為驅(qū)動(dòng)第2圖所示的像素的流程圖。
第4圖為第2圖所示的像素的第二實(shí)施例的示意圖。
第5圖為第2圖所示的像素的第三實(shí)施例的示意圖。
第6圖為第2圖所示的像素的第四實(shí)施例的示意圖。
第7圖為第2圖所示的像素的第五實(shí)施例的示意圖。
第8圖為第2圖所示的像素的第六實(shí)施例的示意圖。
第9圖為第2圖所示的像素的第七實(shí)施例的示意圖。
10、20像素具體實(shí)施方式
請參閱第2圖，第2圖為本發(fā)明以電流方式驅(qū)動(dòng)的發(fā)光二極管顯示裝置中一像素20的第一實(shí)施例的示意圖，其中，該發(fā)光二極管系以有機(jī)發(fā)光二極管為范例。如第2圖所示，像素20包含有掃描線SL，數(shù)據(jù)線DL，電容儲存部件C，多個(gè)薄膜晶體管T1、T2、T3、T4，以及有機(jī)發(fā)光二極管OLED。請注意，第1圖與第2圖中的同名部件(掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL、電容儲存部件C以及有機(jī)發(fā)光二極管OLED)系具有相同的功能與運(yùn)作，在此不另贅述。如第2圖所示，薄膜晶體管T2、T3主要系用來構(gòu)成一電流鏡電路(current mirror)，其可以將流過薄膜晶體管T2的電流以一電流鏡比率(mirror ratio)驅(qū)使一電流流過薄膜晶體管T3，而薄膜晶體管T1、T4則當(dāng)作兩開關(guān)來使用，簡單來說，當(dāng)薄膜晶體管T2、T3組成的電流鏡電路開始運(yùn)作時(shí)，其柵極需通過薄膜晶體管T1相互導(dǎo)通，并且薄膜晶體管T2需通過薄膜晶體管T4耦接至數(shù)據(jù)線DL。在本實(shí)施例中，薄膜晶體管T1的柵極耦接至掃描線SL，源極則耦接至薄膜晶體管T3的柵極以及電容儲存部件C的一端，漏極則耦接至薄膜晶體管T2的柵極以及數(shù)據(jù)線DL；薄膜晶體管T3的源極耦接至一電壓源Vdd，而漏極則耦接至有機(jī)發(fā)光二極管OLED的一端；薄膜晶體管T2的源極耦接至電壓源Vdd，以及漏極則耦接至薄膜晶體管T4的源極；薄膜晶體管T4的柵極耦接至掃描線SL，而漏極耦接至數(shù)據(jù)線DL。此外，電容儲存部件C的另一端系連接至電壓源Vdd，以及有機(jī)發(fā)光二極管OLED的另一端則連接至另一電壓源Vss。
請參閱第3圖，第3圖為驅(qū)動(dòng)第2圖所示的像素20的流程圖，系以電流方式驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管為范例，且發(fā)光二極管系為有機(jī)發(fā)光二極管。驅(qū)動(dòng)像素20的運(yùn)作包含有下列步驟步驟100開始；步驟102掃描線SL傳輸信號至薄膜晶體管T1、T4的柵極來導(dǎo)通薄膜晶體管T1、T4；
步驟104數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)電流信號Io藉由薄膜晶體管T4而于薄膜晶體管T2的柵極產(chǎn)生一電壓Vpixel；步驟106電流鏡電路根據(jù)數(shù)據(jù)電流信號Io產(chǎn)生一電流信號I；步驟108電容儲存部件C儲存電壓Vpixel；步驟110電流信號I驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)出相對應(yīng)光強(qiáng)度；步驟112掃描線SL停止傳輸該信號而不導(dǎo)通薄膜晶體管T1、T4；步驟114薄膜晶體管T3利用電容C所儲存的電壓Vpixel來產(chǎn)生電流信號I以維持有機(jī)發(fā)光二極管OLED的光強(qiáng)度；以及步驟116像素驅(qū)動(dòng)完成。
首先，在像素電流寫入階段(write stage)時(shí)，掃描線SL傳輸一信號至薄膜晶體管T1、T4的柵極來開啟薄膜晶體管T1、T4(步驟102)，于是薄膜晶體管T4可視為一通路，因此，數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)電流信號Io可流過薄膜晶體管T2，并且依據(jù)數(shù)據(jù)電流信號Io，薄膜晶體管T2的柵極會產(chǎn)生一相對應(yīng)的電壓Vpixel(步驟104)；又因?yàn)楸∧ぞw管T1也可視為一通路，因此電壓Vpixel會傳遞至電容儲存部件C與薄膜晶體管T3。
接著，由于電流鏡電路的特性，電流鏡電路會以一電流鏡比率復(fù)制數(shù)據(jù)電流信號Io產(chǎn)生一電流信號I(Io∶I的比值約等于(W/L)T2∶(W/L)T3，其中W/L系為通道寬度/長度比)(步驟106)。此外，電容儲存部件C之一端會保持先前所提及之電壓Vpixel以使其兩端的壓差為Vdd-Vpixel(步驟108)，同時(shí)，電流信號I會通過有機(jī)發(fā)光二極管OLED，使得有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)出相對應(yīng)的光強(qiáng)度(步驟110)，于此像素電流寫入階段便完成。
之后，開始啟動(dòng)一像素復(fù)制數(shù)據(jù)電流階段(reproducing stage)，此時(shí)，掃描線SL停止傳輸該信號以關(guān)閉薄膜晶體管T1、T4(步驟112)，因此薄膜晶體管T1、T4皆視為一斷路，由于電容儲存部件C會保持其兩端的壓差為Vdd-Vpixel，且電容儲存部件C的充放電路徑已經(jīng)隨著薄膜晶體管T1的關(guān)閉而消失，因此電容儲存部件C可維持薄膜晶體管T3的柵極電壓為Vpixel，所以薄膜晶體管T3便可維持電流信號I的強(qiáng)度，而有機(jī)發(fā)光二極管OLED也因此可以維持其光強(qiáng)度(步驟114)。最后，像素20的驅(qū)動(dòng)程序便可完成(步驟116)。
在此請注意，第2圖中，像素20系采用4個(gè)P型薄膜晶體管，但事實(shí)上，亦可以采用N型薄膜晶體管，亦合乎本發(fā)明之精神，請參閱第4圖、第5圖與第6圖，第4圖為第2圖所示的像素20的第二實(shí)施例的示意圖，相較于第2圖所示的第一實(shí)施例，于第4圖中的實(shí)施例中，像素20中作為開關(guān)的薄膜晶體管T1以及T4系為N型薄膜晶體管，由于作為開關(guān)的N型薄膜晶體管與P型薄膜晶體管的操作以及原理已為業(yè)界所熟知，故不另贅述于此。
第5圖為第2圖所示的像素20的第三實(shí)施例的示意圖，以及第6圖為第2圖所示的像素20的第四實(shí)施例的示意圖。于第5圖中，像素20中作為電流鏡電路的薄膜晶體管改為N型薄膜晶體管；其操作方法如下所述首先，在前述之像素電流寫入階段時(shí)，掃描線SL傳輸一信號至薄膜晶體管T1、T4的柵極來開啟薄膜晶體管T1、T4，于是薄膜晶體管T4可視為一通路，因此，數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)電流信號Io可流過薄膜晶體管T2，并且依據(jù)數(shù)據(jù)電流信號Io，薄膜晶體管T2的柵極會產(chǎn)生一相對應(yīng)的電壓Vpixel；又因?yàn)楸∧ぞw管T1也可視為一通路，因此電壓Vpixel會傳遞至電容儲存部件C與薄膜晶體管T3。
接著，由于電流鏡電路的特性，電流鏡電路會以一電流鏡比率復(fù)制數(shù)據(jù)電流信號Io產(chǎn)生一電流信號I(Io∶I的比值約等于(W/L)T2∶(W/L)T3，其中W/L系為通道寬度/長度比)。此外，電容儲存部件C的一端會保持先前所提及的電壓Vpixel以使其兩端的壓差為一固定值，同時(shí)，電流信號I會通過有機(jī)發(fā)光二極管OLED，使得有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)出相對應(yīng)的光強(qiáng)度，于此像素電流寫入階段便完成。
之后，開始啟動(dòng)前述的像素復(fù)制數(shù)據(jù)電流階段(reproducing stage)，此時(shí)，掃描線SL停止傳輸該信號以關(guān)閉薄膜晶體管T1、T4，因此薄膜晶體管T1、T4皆視為一斷路，由于電容儲存部件C會保持其兩端的壓差，且電容儲存部件C的充放電路徑已經(jīng)隨著薄膜晶體管T1的關(guān)閉而消失，因此電容儲存部件C可使得薄膜晶體管T3的柵極與源極的電壓差維持于該固定值，所以薄膜晶體管T3便可以藉由該固定值電壓，來維持電流信號I的強(qiáng)度，而有機(jī)發(fā)光二極管OLED也因此可以維持其光強(qiáng)度。至此像素20的驅(qū)動(dòng)程序便可完成。
請參閱第6圖中，于第6圖中，像素20中所有薄膜晶體管皆為N型薄膜晶體管。與第5圖所示的像素20比較，第6圖的像素20僅僅只有作為開關(guān)的薄膜晶體管T1、T4改為N型薄膜晶體管，由于作為開關(guān)的N型薄膜晶體管與P型薄膜晶體管的操作以及原理已為業(yè)界所熟知，而其余操作皆與第5圖所示的像素類似，熟知此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)可理解，故不另贅述于此。
此外，請參閱第7圖，第7圖為第2圖所示的像素20的第五實(shí)施例的示意圖。如第7圖所示，電容儲存部件C的耦接方式亦不限定于耦接于電壓源Vdd與薄膜晶體管T3的柵極之間，于本實(shí)施例中，電容儲存部件C耦接于薄膜晶體管T3的柵極與另一電壓源Vss之間，因此，電容儲存部件C會保持其兩端之間的電壓差為Vpixel-Vss，亦即，電容儲存部件C亦可達(dá)到維持薄膜晶體管T3的柵極電壓為Vpixel的目的。請參閱第8圖，第8圖為第2圖所示之像素20的第六實(shí)施例的示意圖。本實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的位置亦可耦接于電壓源Vdd與薄膜晶體管T3之間，由于電流信號I系經(jīng)由薄膜晶體管T3而由電壓源Vdd流至電壓源Vss，因此若有機(jī)發(fā)光二極管OLED位于電壓源Vdd、Vss的電流路徑上，則電流信號I均可達(dá)到驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED的目的。
請參閱第9圖，第9圖為第2圖所示的像素20的第七實(shí)施例的示意圖。依據(jù)第2圖的第一實(shí)施例所示，薄膜晶體管T1、T4是否導(dǎo)通系皆由同一掃描線SL所傳輸?shù)男盘査刂?，然而，在?shí)際運(yùn)用上，也可使用兩掃描線SL1、SL2來分別控制薄膜晶體管T1、T4，以降低薄膜晶體管T1、T4切換狀態(tài)的瞬間所造成的回授效應(yīng)(feed-through effect)對電容儲存部件C一端所維持之電壓電平Vpixel的影響，換句話說，在晶體管T4尚未導(dǎo)通前，掃描線SL1便可先傳遞信號以導(dǎo)通薄膜晶體管T1，以及在晶體管T1尚未處于非導(dǎo)通狀態(tài)前，掃描線SL2便可先傳遞信號以驅(qū)使薄膜晶體管T4成為非導(dǎo)通狀態(tài)。
在此請注意，本發(fā)明所揭露的像素20中的薄膜晶體管T2的柵極連接至數(shù)據(jù)線DL，如此，在像素電流寫入階段時(shí)，能迅速的改寫薄膜晶體管T2的柵極電壓，亦即，當(dāng)掃描線SL使薄膜晶體管T1、T4導(dǎo)通時(shí)，薄膜晶體管T2的柵極電壓能迅速的建立起流過T2的電流所需的對應(yīng)電壓Vpixel，因此本發(fā)明的像素20可具有較高的響應(yīng)速度(response speed)。
此外，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所公開的像素利用電流驅(qū)動(dòng)的原理比起現(xiàn)有電壓驅(qū)動(dòng)面板的像素具有更佳的像素均勻度，并且可穩(wěn)定地保持欲顯示的灰階亮度。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，包含發(fā)光元件；第一掃描線，用于傳輸?shù)谝恍盘?；?shù)據(jù)線，用于傳輸數(shù)據(jù)電流信號；第一晶體管，具有柵極耦接至該第一掃描線；電流鏡電路，電性連接于該發(fā)光元件，該電流鏡電路包含有第二晶體管，具有柵極連接至該數(shù)據(jù)線以及該第一晶體管的源極與漏極中的一端；以及第三晶體管，具有柵極耦接至該第一晶體管的源極與漏極中的另一端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包含第二掃描線，用于傳輸?shù)诙盘?；以及第四晶體管，具有柵極耦接至該第二掃描線，且源極與漏極中的一端是電性連接至該第二晶體管的漏極，而源極與漏極中的另一端是電性連接至該第二晶體管柵極以及該數(shù)據(jù)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包含第四晶體管，具有柵極耦接至該第一掃描線，且源極與漏極中的一端系電性連接至該第二晶體管的漏極，而源極與漏極中的另一端系電性連接至該第二晶體管柵極以及該數(shù)據(jù)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一晶體管與第四晶體管可為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二晶體管與該第三晶體管可為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光元件系為發(fā)光二極管。
7.一種像素結(jié)構(gòu)，具有發(fā)光二極管及電容儲存部件，包括電壓源；第一晶體管，具有柵極耦接至掃描線；第二晶體管，具有柵極電性連接至數(shù)據(jù)線及耦接至該第一晶體管的源極與漏極中的一端；第三晶體管，具有柵極耦接至該第一晶體管的源極與漏極中的另一端，且該第三晶體管的源極與漏極中的一端耦接至該發(fā)光二極管，而該第三晶體管的源極與漏極中的另一端耦接至該電壓源；第四晶體管，具有柵極耦接至該掃描線，且該第四晶體管的源極與漏極中的一端耦接至該數(shù)據(jù)線；其中，該第四晶體管的源極與漏極中的另一端耦接至該第二晶體管的源極與漏極中的一端，且該第二晶體管的柵極系通過該第一晶體管耦接至該第三晶體管的柵極用于形成電流鏡電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二晶體管的源極與漏極中的另一端耦接至該發(fā)光元件或該電壓源。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該掃描線系具有第一掃描線及第二掃描線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一晶體管的柵極系耦接至該第一掃描線。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第四晶體管的柵極系耦接至該第一掃描線或該第二掃描線。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該電容儲存部件系耦接于該電壓源與該第三晶體管的柵極間或耦接于該第三晶體管的柵極與該第二晶體管的源極與漏極中的一端之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一晶體管與該第四晶體管可為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二晶體管與該第三晶體管可為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
15.一種顯示裝置，包含有發(fā)光元件；第一掃描線，用于傳輸?shù)谝恍盘?；?shù)據(jù)線，用于傳輸數(shù)據(jù)電流信號；第一晶體管，具有柵極耦接至該第一掃描線；以及電流鏡電路，電性連接于該發(fā)光元件，該電流鏡電路包含有第二晶體管，具有柵極連接至該數(shù)據(jù)線以及該第一晶體管的源極與漏極中的一端；以及第三晶體管，具有柵極耦接至該第一晶體管的源極與漏極中的另一端。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，還包含第二掃描線，用于傳輸?shù)诙盘枺灰约暗谒木w管，具有柵極耦接至該第二掃描線，且源極與漏極中的一端系電性連接至該第二晶體管的漏極，而源極與漏極中的另一端系電性連接至該第二晶體管柵極以及該數(shù)據(jù)線。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，還包含第四晶體管，具有柵極耦接至該第一掃描線，且源極與漏極中的一端系電性連接至該第二晶體管的漏極，而源極與漏極中的另一端系電性連接至該第二晶體管柵極以及該數(shù)據(jù)線。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中該第一晶體管與第四晶體管可為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中該第二晶體管與該第三晶體管可為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中該發(fā)光元件系為發(fā)光二極管。
全文摘要
一種顯示裝置包含有發(fā)光元件；第一掃描線，用于傳輸?shù)谝恍盘栆赃x取該發(fā)光元件；數(shù)據(jù)線，用于傳輸數(shù)據(jù)電流信號驅(qū)動(dòng)該發(fā)光元件；第一晶體管，具有柵極耦接至該第一掃描線，并根據(jù)該第一信號來選取該發(fā)光元件；以及電流鏡電路，用于根據(jù)該數(shù)據(jù)電流信號以傳輸驅(qū)動(dòng)電流信號來驅(qū)動(dòng)該發(fā)光元件。該電流鏡電路包含有第二晶體管，具有柵極耦接至該數(shù)據(jù)線以及該第一晶體管的源極與漏極中的一端，用于接收該數(shù)據(jù)電流信號；以及第三晶體管，具有柵極耦接至該第一晶體管的源極以及漏極中的另一端，用于傳輸該驅(qū)動(dòng)電流信號。
文檔編號H05B33/02GK1609937SQ200410095060
公開日2005年4月27日 申請日期2004年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月23日
發(fā)明者孫文堂 申請人:友達(dá)光電股份有限公司