專利名稱：在無線頻率集成電路中提供護罩用以降低噪聲耦合的一種裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于半導(dǎo)體集成電路的領(lǐng)域，且特別是關(guān)于一種以護罩層來降低此類電路中的噪聲耦合的方法。
背景技術(shù)：
無線頻率(RF)組件經(jīng)常會搭配集成電路(ICs)一起應(yīng)用于無線通訊系統(tǒng)的領(lǐng)域中，包括全球行動通訊系統(tǒng)(GSM)；數(shù)字強化無線通訊(DECT)；全球電信移動系統(tǒng)(UMTS)；以及藍芽。每一系統(tǒng)所操作的頻率范圍不同，但都會產(chǎn)生高頻信號。
在不同的組件里，RF電路不但常以電感來濾波、放大以及消除直流/交流信號的耦合效應(yīng)，且亦用于阻抗匹配及無線頻率中的諧振電路結(jié)構(gòu)。就100Hz以下的頻率而言，一般使用芯片外的分離電感組件，因為將具有集成電路所需高感抗值的電感整合成為集成電路，有其難度。然而，隨著IC組件速度的增加及多層連接技術(shù)的進步，在集成電路(ICs)中結(jié)合其它被動組件，如電阻及電感于其中的做法是越來越普遍。
在無線頻率集成電路中(RF ICs)，串音(如RF被動組件及下方內(nèi)聯(lián)機的交互干擾)會隨著信號頻率的增加而增加。為了減少此串音現(xiàn)象，可用一護罩結(jié)構(gòu)來隔離各種的RF電路，并避免RF被動組件、下方內(nèi)聯(lián)機以及主動組件間的噪聲耦合效應(yīng)。目前一般是使用單一不中斷的連續(xù)金屬層來做為RFIC芯片中，隔絕金屬內(nèi)聯(lián)機電路與RF被動組件的護罩層。然而，此種單一不中斷的連續(xù)金屬層通常違反了IC設(shè)計規(guī)則，且很浪費IC的表面積。此外，在半導(dǎo)體底材上制作此種RF電路時，以化學(xué)機械研磨(CMP)金屬板所形成的大表面區(qū)域，將造成一種盤凹效應(yīng)，使得金屬表面呈凹盤形狀，而不是平坦的形狀。
據(jù)此，需要將RFICs的護罩做改良，并提供一種形成此種改良護罩的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供在無線頻率集成電路中提供護罩用以降低噪聲耦合的一種裝置及方法。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供具有一底材的半導(dǎo)體組件。在一實施例中，此組件包含在接近半導(dǎo)體底材處形成的主動電路層、一被動RF層以及置于主動電路層與被動RF層之間的第一護罩層，且第一護罩層具有一個第一開口。
在另一實施例中，此半導(dǎo)體組件更包含置于主動電路層與組件層之間的第二護罩層。
在另一實施例中，此半導(dǎo)體組件更包含連接于第一及第二護罩層的一防護環(huán)。
在另一實施例中，上述防護環(huán)接地。
在另一實施例中，至少第一及第二護罩層的其中之一連接于一固定電位。
在又一實施例中，第二護罩層包含至少一個第二開口。
在又一實施例中，此第二開口與第一開口彼此錯開。
在另外的實施例中，說明了于一形成于底材上的集成電路中提供護罩的一種方法。此方法包含在一底材上提供第一結(jié)構(gòu)層，其中第一結(jié)構(gòu)層包含于第一結(jié)構(gòu)層上形成一包含有金屬繞線或者是無線頻率(RF)被動組件的第一護罩層的步驟。圖刻此第一護罩層，以在第一護罩層中形成至少一開口，并且在第一護罩層上形成第二結(jié)構(gòu)層。其中如果第一結(jié)構(gòu)層包含金屬繞線，第二結(jié)構(gòu)層則包含RF被動組件，如果第一結(jié)構(gòu)層包含RF被動組件，第二結(jié)構(gòu)層則包含金屬繞線。
在另外的實施例中，此種方法更包含形成一接近第一護罩層的第二護罩層，且圖刻此第二護罩層，以于第二護罩層中形成至少一開口。
同樣在另一實施例中，圖刻此第二護罩層，并包含第二開口與第一開口彼此錯開。
為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
附圖的簡要說明下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式
詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。
附圖中，


圖1a繪示一實施例中，具有一護罩層的無線頻率集成電路(RFIC)的橫剖面圖。
圖1b繪示一實施例中，可用于圖1aRFIC中的護罩層。
圖1c繪示另一實施例中，可用于圖1aRFIC中的護罩層。
圖2繪示另一實施例中，一RFIC具有多護罩層的橫剖面圖。
圖3a繪示一實施例中，可用于圖2中RFIC的多護罩層。
圖3b繪示另一實施例中，可用于圖2中RFIC的多護罩層。
圖4繪示另一實施例中，一具有多護罩層及一防護環(huán)的RFIC的橫剖面圖。
圖5繪示圖4中RFIC的俯視圖。
圖6繪示各式實施例中，各護罩層所提供的護罩效率的曲線圖。
圖7繪示一實施例中，具有至少一RF護罩層的半導(dǎo)體組件的制造方法流程圖。
圖8繪示另一實施例中，具有至少一RF護罩層的半導(dǎo)體組件的制造方法流程圖。
具體實施例方式
本發(fā)明是有關(guān)于半導(dǎo)體集成電路的領(lǐng)域，且特別是有關(guān)于一種以護罩層，來降低此電路中的噪聲耦合的方法。需要了解的是，本發(fā)明涵蓋許多不同的實施例或范例，以體現(xiàn)本發(fā)明的多項特點。但為了簡化文字起見，僅使用特定的一些組件與安排方式來舉例說明。這些范例僅供舉例說明之用，而非用以限制本發(fā)明的權(quán)利要求范圍。此外，本發(fā)明在各個范例中可能會有一些重復(fù)出現(xiàn)的參考號及/或文字。此類重復(fù)僅為使文字簡單易明，而非表示在各種實施例及/或結(jié)構(gòu)間必然有某種關(guān)系。
參照圖1a，以一個實施例來例示一種避免使用單一不中斷連續(xù)金屬層的無線頻率集成電路(RFIC)，因為如果使用不中斷的金屬層，不但空間上的利用率變差，亦造成如前述的一種盤凹效應(yīng)。此RFIC 100包含了半導(dǎo)體底材102、主動電路組件的傳導(dǎo)繞線104、RF被動組件106以及置于主動電路組件的傳導(dǎo)繞線104與RF被動組件106之間的RF護罩結(jié)構(gòu)108。
此半導(dǎo)體底材102可以是元素半導(dǎo)體，像是硅晶體、多晶硅、非晶硅、鍺以及鉆石，或是化合物半導(dǎo)體，像是SiC、GaAs、AlP、AlAs、AlSb、GaP、GaSb、InP、InAs以及InSb，或是合金半導(dǎo)體，像是SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs或GaInP。另外，此半導(dǎo)體底材102亦可以是一種絕緣體上覆半導(dǎo)體，像是絕緣層上覆硅(SOI)或薄膜晶體管(TFT)。在一范例中，此半導(dǎo)體底材102可以包含一摻雜磊晶層或一埋入層。在另一范例中，可以使用化合物半導(dǎo)體底材，且更包含一多重硅結(jié)構(gòu)。在另一范例中，此半導(dǎo)體底材102為一硅底材，且更包含一多層的化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。此半導(dǎo)體底材包含有摻雜區(qū)域、圖案區(qū)域、組件以及電路，像是雙載子晶體管、金氧半場效晶體管(MOSFETs)以及雙極互補式金氧半晶體管(Bipolar andCOMS transistors)。
主動電路組件的傳導(dǎo)繞線104包含有內(nèi)聯(lián)機，連接到下方半導(dǎo)體底材中的主動組件。此內(nèi)聯(lián)機可用傳導(dǎo)性材料，像是銅、銅合金、鋁、鋁合金(Al-Cu-Si)、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢、硅化金屬、摻雜多晶硅以及奈米碳管來制成的。
RF被動組件106可包含電容性組件、電感性組件及電阻性組件。電容性組件包含有兩極，且有一絕緣層介于電容性組件的兩極之間。電容的電極所使用的材料有多種搭配方式，例如多晶硅-硅、多晶硅-硅化物、多晶硅-多晶硅、多晶硅-金屬、或金屬-金屬等。電容絕緣層基于設(shè)計的考慮，可用高k值及/或低k值材料來制成，可使用四乙基正硅酸鹽(TEOS)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(Si3N4)、氧化鉭(TiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)或鈦酸鋇鍶(BST)來制成的。電感性及電阻性組件，能以傳導(dǎo)性材料包含銅、銅合金、鋁、鋁合金(Al-Cu-Si)、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢、硅化金屬、摻雜多晶硅以及奈米碳管來制成的。
參考圖1b及圖1c，在主動電路組件的傳導(dǎo)繞線104與RF被動組件106之間，設(shè)置有一個RF護罩結(jié)構(gòu)108，以減少這兩層之間的耦合效應(yīng)。在此范例中，RF護罩結(jié)構(gòu)包含以金屬或合金，如銅、銅合金、鋁、鋁合金(Al-Cu-Si)、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢、氮化鎢或摻雜多晶硅所制成的單一護罩層110。如圖1b及圖1c中的圖解，此護罩層包括有多個開口112。開口112可為任意外形(如圓形、方形、矩形等等)，并可排列成任意樣式(如溝槽線輪廓、點狀虛線輪廓等等)，不過在本例中，所示開口112為多個細長通孔，并橫貫護罩層110(如圖1c的圖解)。開口112可用來提供垂直內(nèi)聯(lián)機所需的區(qū)域，以將護罩層110上方與下方的各式電路組件相連。
請參照圖2，在另一實施例中，圖1a的RF護罩結(jié)構(gòu)108，說明了其亦具有第二護罩層114。在此范例中，每一護罩層110、114都分別包含有多個開口112、116。開口112、116可為任意外形且能被排列成任意樣式，本例中開口112、116為多個細長通孔，且分別貫穿對應(yīng)的護罩層110、114。然而，因為開口112、116可能會減少護罩層110及114所提供的護罩效果，所以各護罩層的開口最好彼此錯開，以使護罩層整體在俯視時呈格狀或?qū)嵭男螤睢?br> 請參照圖3a及圖3b，上文解說圖2時所提及的錯開排列，有各種可能的實現(xiàn)方法。舉例來說，可以設(shè)計成，使各護罩層中的開口112、116方向不同而錯開(如圖3a的圖解)，或者在護罩層開口排列方向相同時(如圖3b的圖解)，使護罩層110、114彼此錯開。當(dāng)然，要設(shè)計成使得各護罩層的開口并不與另一護罩層錯開，或僅有單一開口錯開，也是可能的。
請參照圖4及圖5，在另一實施例中，圖2中的RF護罩結(jié)構(gòu)108，具有一防護環(huán)118及一接地結(jié)構(gòu)120。此防護環(huán)118連接了第二護罩層114及第一護罩層110。在此范例中，此防護環(huán)以數(shù)個細長條結(jié)構(gòu)來設(shè)計，直立于第一及第二護罩層110、114之間，且每一垂直細長片皆連接兩個護罩層。假如還有更多護罩層的話(未繪示)，可設(shè)計成使此垂直細長條形成的防護環(huán)延伸通過每一護罩層且與其它護罩層接觸，或設(shè)計成使護罩層兩兩之間各有一單獨的防護環(huán)。需注意的是，防護環(huán)118并不一定要使用垂直細長條結(jié)構(gòu)，也不限定于本范例所說明的方式。RF護罩結(jié)構(gòu)108可借由接地結(jié)構(gòu)120來接地。
請參照圖6，圖表121說明在一傳導(dǎo)繞線層與一或多個RF被動組件(如圖1a的傳導(dǎo)繞線104與RF被動組件106)之間的耦合效應(yīng)。在本例中，將RF被動組件106的特性描繪成四種情況，每一種情況各以曲線122、124、126以及128來描繪。曲線122描繪不使用護罩層的情況；曲線124描繪此護罩使用不具任何開口的單一金屬板；曲線126描繪此護罩使用一具有一溝槽開口的單一金屬層；曲線128描繪此護罩使用兩個金屬層，此兩金屬層的溝槽開口彼此錯開。為說明起見，以耦合力(用相對單位表示)-頻率圖來表示耦合效應(yīng)強弱。耦合力由0到-1代表著由強到弱。由圖標(biāo)可知，當(dāng)使用護罩結(jié)構(gòu)時，能減小或消除耦合力。如圖6所繪示，此結(jié)果說明了使用具有一溝槽開口(曲線126)的單一金屬層，能使護罩的效能提升；使用不具任何開口(曲線124)的單一金屬板，將能使效能再提高；而使用兩層互相錯開的溝槽開口(曲線128)，效能將更加提升。應(yīng)了解的是，各種材料、結(jié)構(gòu)、厚度、開口數(shù)目、錯開方向等等的變動，將能改變圖6中所示的結(jié)果。
請參照圖7，在另一實施例當(dāng)中，示范說明了一種制作RF護罩結(jié)構(gòu)(例如上述圖1a中所提及的RF護罩結(jié)構(gòu)108)的方法130。此方法130由步驟132開始，首先在半導(dǎo)體底材上形成第一結(jié)構(gòu)層。此第一結(jié)構(gòu)層可為一傳導(dǎo)層，像是傳導(dǎo)繞線104(圖1a)或其它組件層，像是RF被動組件106(圖1a)。
在步驟134中，在第一結(jié)構(gòu)層上形成由傳導(dǎo)性材料制成的護罩層。傳導(dǎo)性材料實質(zhì)上可包含金屬或合金，可用鋁、鋁合金(Al-Cu-Si)、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、摻雜多晶硅或其它適合的傳導(dǎo)性材料來形成的。再者，此傳導(dǎo)性材料可沉積為多層結(jié)構(gòu)。舉例來說，可使用鈦與氮化鈦來構(gòu)成鋁合金(Al-Cu-Si)層的阻障層。沉積的方法可以是物理氣相沉積(PVD)制程，包括蒸鍍及濺鍍；可以是鍍金制程，包括無電電鍍或電鍍；可以是化學(xué)氣相沉積(CVD)制程，包括常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)制程、低壓CVD(LPCVD)制程、電漿增強CVD(PECVD)或高密度電漿CVD(HDP CVD)制程。舉例來說，可使用濺鍍制程來沉積鋁合金(Al-Cu-Si)薄膜，做為護罩層之用。
在步驟136中，此護罩層可被圖刻，以在護罩層中產(chǎn)生一預(yù)定排列的開口。本例中是使用傳統(tǒng)的微影制程，但應(yīng)該了解的是，使用其它制程來產(chǎn)生相同或近似的結(jié)果，也是可能的。為易于明了起見簡述微影制程如下。制程流程包括以旋涂方式于護罩層上形成一光阻層，烘烤光阻層，并透過一光罩來曝光此光阻層，接著顯影此光阻層，并進行已顯影光阻層的后烘烤制程。此制程流程將光罩上的護罩層的開口圖案轉(zhuǎn)移到光阻上。接著可移除此護罩層的曝露部分，至此，圖案已由光阻轉(zhuǎn)移到護罩層。此移除制程可包括干式蝕刻、濕式蝕刻、反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)或其它適當(dāng)?shù)闹瞥?。此光阻接著能借由濕式剝離或電漿灰化來剝?nèi)ァ?br> 在步驟138中，可將第二結(jié)構(gòu)層形成于經(jīng)圖刻后的護罩層上。此第二結(jié)構(gòu)層可為一傳導(dǎo)層，像傳導(dǎo)繞線104(圖1a)或其它組件層，像是RF被動組件106(圖1a)。在此范例中，第一結(jié)構(gòu)層為一傳導(dǎo)繞線層，且第二結(jié)構(gòu)層為一RF被動組件層。本方法130把護罩層置于第一及第二結(jié)構(gòu)層之間，以減低噪聲耦合效應(yīng)。
請參照圖8，在另一實施例當(dāng)中，示范說明了一種制作RF護罩結(jié)構(gòu)(例如上述圖4中所提及的RF護罩結(jié)構(gòu)108)的方法140。此方法140由步驟142開始，首先在半導(dǎo)體底材上形成第一結(jié)構(gòu)層。此第一結(jié)構(gòu)層可為一傳導(dǎo)層，像是傳導(dǎo)繞線104(圖1a)或其它組件層，像是RF被動組件106(圖1a)。
在步驟144中，可形成并圖刻第一及第二護罩層以形成一種多層的護罩層。盡管可依照圖7中所說明的方法130來沉積及圖刻此護罩層，但在本范例中以鑲嵌法或雙重鑲嵌法制程來進行。介電材料可借由旋涂式制程、熱或RTP氧化法、APCVD、LP CVD、PECDV或HDP CVD方法沉積于第一結(jié)構(gòu)層上。介電材料可包含氧化硅、碳化硅、摻氟硅玻璃(FSG)、氫硅酸鹽(HSQ)、有機聚合物或黑晶鉆(Black Diamond)。
接著，可將光阻層涂在介電層上，并依照預(yù)定的開口排列方式將其圖刻。舉例來說，制程流程可以如下使用多個步驟，像旋涂、軟烤、曝光、顯影及硬烤，來轉(zhuǎn)移光罩上的圖案，而圖刻光阻層。接著可移除此介電層的曝露部分，并形成一溝渠結(jié)構(gòu)。在此制程中，借由干式蝕刻、濕式蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻來轉(zhuǎn)移光阻上的圖案到介電層。此光阻接著可借由一濕式剝離或電漿灰化制程來將其剝?nèi)ァ?br> 接著可用傳統(tǒng)的沉積制程在溝渠結(jié)構(gòu)上形成一傳導(dǎo)材料層，此傳導(dǎo)材料實質(zhì)上可包含如銅、銅合金、鋁、鋁合金(Al-Cu-Si)、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢、硅化金屬、摻雜多晶硅或類似的適當(dāng)材料。如同前述所說明的，此傳導(dǎo)材料的結(jié)構(gòu)可包含許多層，例如使用鈦及氮化鈦阻障層與銅層的組合?？墒褂酶魇?，包含PVD、CVD或電鍍法的沉積制程。在此范例中，利用濺鍍來沉積含有鈦及氮化鈦的阻障層及銅種晶層，接著可用電鍍沉積法來沉積銅層。如此，在溝渠里面及介電層上方會形成銅，并借由回蝕或CMP來移除介電層上過剩的傳導(dǎo)材料，可重復(fù)此制程來形成的護罩層。
這讓人了解到亦可借由近似的方法來沉積其它傳導(dǎo)層。如先前所述及，不同傳導(dǎo)層中開口的排列方式可以彼此錯開，使在以垂直角度來看時，可呈現(xiàn)一實心的護罩。舉例來說，可以使用相同的光罩但予以移位，以造成錯開，或可利用不同的光罩來圖刻不同的傳導(dǎo)層。
在步驟146中，形成一防護環(huán)且連接第一及第二護罩層。為易于明了起見，說明如下可用制造金屬通孔或金屬接觸的現(xiàn)有方法來制造此防護環(huán)，步驟如介電層沉積、通孔圖刻、以一傳導(dǎo)材料像是銅、銅合金、鋁、鋁合金(Al-Cu-Si)、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢、硅化金屬、摻雜多晶硅或奈米碳管來充填此圖案。在一些實施例中，防護環(huán)與第一或第二護罩層之一可以并在同一制程中制成。舉例來說，在沉積一介電層后，可圖刻并蝕刻成一或多個通孔，以一傳導(dǎo)性材料來充填介電層上的通孔，接著可圖案化此護罩層以建立開口排列。因此，雖然步驟146中所說明的防護環(huán)的形成，于步驟144中，形成第一及第二護罩層之后執(zhí)行，此步驟146同樣也能在步驟144之前或同時來執(zhí)行。
在步驟148中，可將此第一及第二護罩層連接到共同的電位(如接地)。此步驟同樣能在形成第一及第二及/或防護環(huán)的期間發(fā)生。
在步驟150中，可于此護罩層上形成第二結(jié)構(gòu)層。此第二結(jié)構(gòu)層可為一傳導(dǎo)層，像RF被動組件層106(圖1a)。在此范例中，第一結(jié)構(gòu)層為一傳導(dǎo)繞線層而第二結(jié)構(gòu)層為一RF被動組件層，當(dāng)然這順序是可以顛倒的。此方法140將此些具有錯開開口的護罩層置于第一及第二結(jié)構(gòu)層之間，以降低噪聲耦合。
以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.具有一底材的一半導(dǎo)體組件，其特征在于，該組件至少包含一主動電路層，位于接近該半導(dǎo)體底材之處；一組件層，其中至少形成有一RF被動組件；以及一第一護罩層，置于該主動電路層及該組件層之間，其中該第一護罩層中包含至少一第一開口。
2.如權(quán)利要求1所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，更包含一第二護罩層，置于該主動電路層及該組件層之間。
3.如權(quán)利要求2所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，更包含連接該第一及該第二護罩層兩者的防護環(huán)。
4.如權(quán)利要求3所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，該防護環(huán)包含一通孔長條。
5.如權(quán)利要求4所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，該第一護罩層、該第二護罩層以及該防護環(huán)的至少其中之一，由一高傳導(dǎo)性材料所制成，該高傳導(dǎo)性材料為銅、鋁、多晶硅、鎢、硅化金屬或其組合。
6.如權(quán)利要求2所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，該第一及第二護罩層的至少其中之一，為接地或連接于一固定電位。
7.如權(quán)利要求2所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，該第二護罩層中包含至少一第二開口。
8.如權(quán)利要求7所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，該第二開口與第一開口彼此錯開。
9.如權(quán)利要求7所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，該第一開口的方向不同于該第二開口的方向。
10.如權(quán)利要求1所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，至少一該RF被動組件包含一電容、一電阻、一電感或該些組件的組合。
11.如權(quán)利要求1所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，該底材為金氧半場效晶體管、雙載子晶體管、電容、電阻、電感、或其組合。
12.如權(quán)利要求1所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，該主動電路層包含一內(nèi)聯(lián)機結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求1所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，該內(nèi)聯(lián)機結(jié)構(gòu)由一材料制成，該材料為銅、鋁、多晶硅、鎢、硅化金屬或其組合。
14.一無線頻率集成電路(RFIC)的一護罩結(jié)構(gòu)，其中該RFIC包含具有至少一RF被動組件的一第一結(jié)構(gòu)層，且包含具有主動組件繞線的一第二結(jié)構(gòu)層，其特征在于，該護罩結(jié)構(gòu)包含一第一傳導(dǎo)護罩層，置于該第一及該第二結(jié)構(gòu)層之間，其中該第一傳導(dǎo)層中具有至少一開口；一第二傳導(dǎo)護罩層，置于該第一及該第二結(jié)構(gòu)層之間，且接近于該第一傳導(dǎo)層，其中該第二傳導(dǎo)護罩層中具有一第二開口；以及一防護環(huán)，連接該第一及該第二傳導(dǎo)護罩層，其中該第一及該第二傳導(dǎo)護罩層連接于一共同電位。
15.如權(quán)利要求14所述的護罩結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一開口系與該第二開口彼此錯開。
16.一種提供護罩于一底材上所形成的一集成電路中的方法，其特征在于，至少包含在該底材上形成一第一結(jié)構(gòu)層，其中該第一結(jié)構(gòu)層包含金屬繞線或是無線頻率(RF)被動組件；圖案化該第一護罩層，以在該第一護罩層中形成至少一開口；以及在該第一護罩層上形成一第二結(jié)構(gòu)層，其中如果該第一結(jié)構(gòu)層包含金屬繞線，該第二結(jié)構(gòu)層則包含RF被動組件，如果該第一結(jié)構(gòu)層包含RF被動組件，該二結(jié)構(gòu)層則包含金屬繞線。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，更包含形成接近于該第一護罩層的一第二護罩層；以及圖案化該第二護罩層，以在該第二護罩層中形成至少一開口。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，圖案化該第二護罩層包含使該第一開口與該第二開口彼此錯開。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，該方法更包含連接第一及第二護罩層的至少其中之一到一共同電位。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，該方法更包含形成一防護環(huán)以連接該第一及第二護罩層。
21.一半導(dǎo)體組件，具有一底材，其特征在于，該組件至少包含一主動電路的金屬繞線層，位于接近該底材之處；一無線頻率(RF)層，且于該無線頻率(RF)層中至少形成一RF組件；以及一第一金屬護罩層，置于該繞線層及該RF層之間，其中該第一金屬護罩層中具有一第一開口。
22.如權(quán)利要求21所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，更包含置于該金屬繞線層及該RF層間的一第二護罩層。
23.如權(quán)利要求21所述的該半導(dǎo)體組件，其特征在于，更包含連接該第一及該第二金屬護罩層的一防護環(huán)。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種半導(dǎo)體無線頻率(RF)組件，此組件具有一個護罩結(jié)構(gòu)，用以降低RF被動組件及主動組件的傳導(dǎo)繞線之間的耦合效應(yīng)。在一范例中，此組件于RF被動組件及傳導(dǎo)繞線間設(shè)有至少一個護罩層。此護罩層包含至少一個開口。在另一范例中，可使用第二個護罩層。此第二護罩層也同樣可以含有一個開口，且第一及第二護罩層中的開口彼此錯開。第一及第二護罩層可透過一防護環(huán)來彼此連接，且亦能連接到一共同電位。
文檔編號H05K9/00GK1661800SQ200410088048
公開日2005年8月31日 申請日期2004年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月15日
發(fā)明者連萬益, 張家龍, 郭治群, 陳冠中 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司