專利名稱：：微波爐的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種微波爐。
背景技術：
：圖5是表示一般的微波爐結構的示意圖。如圖5所示，該微波爐具備放置被加熱物的腔體2；設置在所述腔體2外且產(chǎn)生高頻波的磁控管3；入口、出口分別與所述磁控管3、所述腔體2連接的波導管4；設置于波導管4內部且用于發(fā)射所述磁控管3產(chǎn)生的高頻波的磁控管發(fā)射天線5。以往，一般為了提高微波爐的加熱效率，例如在日本專利特開平5-121158號、特開平5-266976號、特開平10-106741號公報中是采用將高頻波直接照射到被加熱物上進行加熱的方式，或者，進一步地，如日本專利特開平5-121158號所述，為了提高加熱效率，設置能夠根據(jù)被加熱物進行阻抗匹配的匹配調整手段。然而，在上述以往的構造中，由于微波爐的磁控管產(chǎn)生的高頻波直接照射到被加熱物上，因此，對于爆玉米等低密度、輕負載的被加熱物很難進行有效的加熱，而且，存在加熱不均勻的問題。而且，若設置匹配調整手段等的調節(jié)手段，則不可避免地造成微波爐結構復雜、成本升高。
發(fā)明內容本發(fā)明鑒于上述問題，其目的在于提供一種加熱均勻、全面且加熱效率高的微波爐。本發(fā)明第1方面的微波爐，具備放置被加熱物的腔體；設置在所述腔體之外且產(chǎn)生高頻波的磁控管；入口、出口分別與所述磁控管、所述腔體連接且用于將高頻波傳遞到所述腔體的波導管；設置于波導管內部且用于發(fā)射所述磁控管產(chǎn)生的高頻波的磁控管發(fā)射天線，其特征在于，還具備直接照射抑制裝置，所述直接照射抑制裝置設置在所述波導管內的出口附近或者面對所述出口的所述腔體的內壁上。由于在所述波導管內的出口附近或者面對所述出口的所述腔體的內壁上設置了該直接照射抑制裝置，能夠使得從磁控管天線發(fā)射出來的高頻波發(fā)生散射，能夠抑制高頻波直接照射到被加熱物上，使得加熱均勻。同時，當高頻波經(jīng)過該直接照射抑制裝置發(fā)射進入到腔體時，若在被加熱物的密度小的情況下，該直接照射抑制裝置能夠防止高頻波反射回波導管，即可以提高加熱效率。因此，該直接照射抑制裝置能夠使得高頻波全面均勻覆蓋整個被加熱物并且提高加熱效率。再者，在上述微波爐中，進一步還具備凸塊，所述凸塊設置在波導管內，并且相對于所述磁控管發(fā)射天線與所述直接照射抑制裝置設置在同一側。這樣，利用該凸塊可以防止從磁控管天線發(fā)射出的高頻波反射回磁控管，可以進一步提高加熱效果，有效防止微波爐在進行一段時間加熱之后的功率回落的情況。再者，在上述微波爐中，所述直接照射抑制裝置為片狀體，進一步地為作圓角的矩形或梯形或不規(guī)則形狀的片狀體，最好為半圓形的片狀體。由于將所述直接照射抑制裝置作成上述形狀，而且，能夠有效增加波導管出口處的周長，使得磁控管發(fā)射天線發(fā)射出來的高頻波能夠充分地發(fā)射到腔體中。而且，在將直接照射抑制裝置作成半圓形的片狀體的情況下，在制造工藝上易于實現(xiàn)，不會增加生產(chǎn)成本。再者，在上述微波爐中，所述凸塊可以為與所述直接照射抑制裝置的形狀相對應的形狀，在所述直接照射抑制裝置為半圓形的片狀體時，所述凸塊最好為半球形凸起。而且，最好，將所述磁控管發(fā)射天線、所述直接照射抑制裝置以及所述凸塊的各自的中心線位于同一平面內。這樣，使得所述凸塊和所述直接照射抑制裝置在形狀上相對應或者處于同一個平面內，所述凸塊和所述直接照射抑制裝置能夠更好地結合起來，發(fā)揮抑制高頻波直接照射到被加熱物以及防止高頻波反射回波導管或磁控管的效果。再者，最好所述直接照射抑制裝置的中心線和凸塊的中心線之間的距離在15～23mm。這樣能夠進一步提高加熱效率。圖1(a)、圖1(b)是表示本發(fā)明實施例1的微波爐的結構示意圖。圖2是表示本發(fā)明實施例2的微波爐的結構示意圖。圖3是表示本發(fā)明實施例1、2的微波爐和以往的微波爐的輸出功率的曲線圖。圖4(a)、(b)、(c)是表示本發(fā)明實施例的變換例的微波爐主要結構部分的示意圖。圖5是表示以往的微波爐的結構示意圖。具體實施例方式下面參照附圖1～4對本發(fā)明各實施形態(tài)作詳細說明。實施形態(tài)1首先，參照圖1(a)、圖1(b)對于本發(fā)明實施例1的微波爐進行說明。圖1(a)是表示本發(fā)明實施例1的微波爐的結構的示意圖，圖1(b)是從圖1(a)中的腔體2中向內壁2’側方向觀察的示意圖。本發(fā)明實施例1的微波爐是在如圖5所示的以往的微波爐的結構上增加了直接照射抑制裝置6。因此，在該圖1中對于與以往微波爐相同的結構部分，賦予相同的符號。如圖1(a)所示，本發(fā)明實施例1的微波爐具備放置被加熱物的腔體2；設置在所述腔體2外且產(chǎn)生高頻波的磁控管3；入口(未圖示)、出口1分別與所述磁控管3、所述腔體2連接的波導管4；設置于波導管4的內部且用于發(fā)射所述磁控管3產(chǎn)生的高頻波的磁控管發(fā)射天線5；以及直接照射抑制裝置6，該直接照射抑制裝置6設置在所述波導管4內的出口1附近或者設置在面對所述出口1的所述腔體2的內壁2’上。在本實施例中，如圖1(b)所示，是將該直接照射抑制裝置6作成半圓形的片狀體。由此，能夠增加波導管4出口處的周長，使得磁控管發(fā)射天線5發(fā)射出來的高頻波能夠充分地發(fā)射到腔體2中。而且，由于設置了該直接照射抑制裝置6能夠使得從磁控管天線5發(fā)射出來的高頻波發(fā)生散射，以抑制高頻波直接照射到被加熱物上。同時，當高頻波經(jīng)過該直接照射抑制裝置6發(fā)射進入到腔體2時，若在被加熱物的密度小的情況下，該直接照射抑制裝置6還能夠防止高頻波反射回波導管4。因此，該直接照射抑制裝置6能夠使得高頻波全面地覆蓋整個被加熱物以進行均勻加熱并提高加熱效率。在本實施例中，該直接照射抑制裝置6是半圓形的片狀體。在制造工序中，可以通過落料成形以將直接照射抑制裝置6與腔體2形成為一個整體?？梢?，其制造工藝上簡單、易于實現(xiàn)，故不會增加微波爐的生產(chǎn)成本，更不需要如現(xiàn)有技術日本特開平5-121158那樣增設提高加熱效率的匹配調整手段。下面，對于本實施例1的微波爐和現(xiàn)有技術的微波爐利用高頻輸出法(IEC法)測試其輸出功率。在本試驗中，額定功率為P＝1100W、額定電壓為V＝120V～，額定頻率為F＝60Hz，加熱時間T＝4187×10/額定功率＝38.06S，安全標準為B-S125。其中，記號1#、2#、3#表示結構相同的微波爐，但它們之間存在因制造精度帶來的不可避免的偏差。表1表示對本實施例1的微波爐的試驗結果，表2表示對不具備直接照射抑制裝置6的現(xiàn)有技術的微波爐的試驗結果。表1表2<tablesid="table2"num="002"><tablewidth="667">電壓條件100％電壓(120V)機號1#2#3#1st2nd1st2nd1st2nd室溫(℃)20℃20℃20℃20℃20℃20℃輸入電流(A)15.815.815.915.915.915.9消耗功率(W)187518751875187518751875t1(℃)10.410.710.310.410.410.7t2(℃)20.220.420.020.120.120.5Δt(deg)9.89.79.79.79.79.8加熱時間(s)38.5438.2438.2038.2938.1038.19輸出功率(w)1064.681062.081063.201060.7010661074.43平均值(W)1063.381061.951070.22</table></tables>比較上述表1和表2的試驗結果，可以發(fā)現(xiàn)本實施例1的微波爐比現(xiàn)有技術的微波爐輸出功率可以提高40W～60W左右。進一步地，對本實施例1的微波爐和現(xiàn)有技術的微波爐進行爆玉米試驗。在該試驗中，被加熱物(負載)是玉米，重量為3.50盎司(相當于99克)，試驗條件按“爆玉米”鍵，按“開始”鍵，5次連續(xù)加熱。其中，記號1#、2#、3#表示結構相同的微波爐，但它們之間存在因制造精度帶來的不可避免的偏差。表3表示對本實施例1的微波爐的試驗結果，表4表示對不具備直接照射抑制裝置6的現(xiàn)有技術的微波爐的試驗結果。表3表4比較上述表3和表4的試驗結果，在上述試驗中，可以發(fā)現(xiàn)本實施例1的微波爐比現(xiàn)有技術的微波爐未爆開的玉米數(shù)量少很多。通過上述爆玉米試驗，能夠進一步證實本發(fā)明實施例1的微波爐具有能夠均勻、全面地對被加熱物進行加熱的效果，特別地，對于玉米這樣的低密度、輕負載的被加熱物，效果特別明顯。實施例2首先，參照圖2，圖3對于本發(fā)明實施例2的微波爐進行說明。圖2是表示本發(fā)明實施例2的微波爐的結構示意圖。圖3是表示本發(fā)明實施例1、2以及現(xiàn)有技術的微波爐的輸出功率的曲線圖示意圖。在圖3中，該曲線圖的坐標橫軸表示時間，坐標縱軸表示輸出功率，其中，在該曲線圖中，實線表示現(xiàn)有技術微波爐的輸出功率，點劃線表示本發(fā)明實施例1的微波爐的輸出功率，虛線表示本發(fā)明實施例2的微波爐的輸出功率。如圖3所示，本發(fā)明實施例1的微波爐在微波爐開始工作時的初期，功率相對于現(xiàn)有技術的微波爐確實獲得了大幅度提高，然而，在經(jīng)過一段時間加熱后功率還會略有所回落。因此，為了更進一步地提高加熱效果，改善一段時間后功率略有回落的問題。如圖2所示，本發(fā)明實施例2是在圖1(a)、圖1(b)所示的微波爐的結構上增加了凸塊7。這里，在圖2中，對于與實施例1的微波爐相同的結構部分，賦予相同的符號。在圖2所示，該凸塊7設置在波導管4內，并且，相對于所述磁控管發(fā)射天線5的位置與所述直接照射抑制裝置6位于同一側。利用該凸塊7可以使高頻波發(fā)生散射，最大量地發(fā)射回腔體內，使被加熱物受熱均勻，同時，能夠與直接照射抑制裝置6結合起來發(fā)揮更高的加熱效果。比較圖3所示的各曲線可以發(fā)現(xiàn)，以虛線所表示的本實施例2的微波爐的輸出功率不僅開始工作時的初期功率相對于現(xiàn)有技術的微波爐大幅度提高而且在經(jīng)過一段時間加熱后功率也不會回落。這里，最好，將凸塊7與直接照射抑制裝置6的平面相平行的截面的形狀作成與直接照射抑制裝置6的形狀相對應的形狀。由于在實施例1中的直接照射抑制裝置6的形狀為半圓形的片狀體，因此，在本實施例2中，是將凸塊7作成與其相應的半球形的凸起。下面，對于本實施例2的微波爐與上述實施例1相同地利用高頻輸出法(IEC法)測試其輸出功率。在本試驗中，采用用與上述實施例1相同的試驗條件，即額定功率為P＝1100W、額定電壓為V＝120V～，額定頻率為F＝60Hz，加熱時間T＝4187×10/額定功率38.06S，安全標準為B-S125。下文的表5表示對本實施例2的微波爐的試驗結果。表5比較表5和表1、表2的試驗結果，可以發(fā)現(xiàn)本實施例2的微波爐比現(xiàn)有技術的微波爐輸出功率可以提高50W～80W左右，比實施例1的微波爐又進一步可以提高10～20W左右。進一步地，對本實施例2的微波爐進行爆玉米試驗。在該試驗中，各試驗條件與上述實施例1中的相同，即，被加熱物(負載)是玉米，重量為3.50盎司(相當于99克)，試驗條件按“爆玉米”鍵，按“開始”鍵，5次連續(xù)加熱。下述表6表示對本實施例2的微波爐的爆玉米試驗的結果。表6比較上述表6和表3、表4的試驗結果，在上述試驗中，對于本實施例2的微波爐比現(xiàn)有技術的微波爐未爆開的玉米數(shù)量小很多，而且又進一步比實施例1的微波爐的未爆開的玉米數(shù)量略少。由于可見，在實施例1的微波爐的基礎上，進一步地在波導管4內設置增加凸塊7，能夠進一步提高微波爐的輸出功率并且進一步均勻、全面地對被加熱物進行加熱。其他變形例在上述實施例1、2的基礎上，對于本發(fā)明的微波爐還可以進一步作種種變形。例如，在實施例1、2中是將直接照射抑制裝置6作成半圓形的片狀體，除此之外，還可以作成矩形、正方形、梯形、不規(guī)則形狀等，即，可以將直接照射抑制裝置6作成矩形、梯形或不規(guī)則形狀作圓角后的形狀，例如，圖4(a)是表示將直接照射抑制裝置6作成矩形作圓角后的形狀的示意圖。在此情況下，也能夠如上述實施例1類似地具有下述作用，能夠增加波導管4出口處的周長，防止微波直接照射到被加熱物上以進行均勻加熱，同時，能夠防止微波從腔體2返回到波導管4并且提高加熱效率。將矩形、梯形或不規(guī)則形狀作圓角的原因在于，若直接照射抑制裝置6上存在尖角，則容易引起“打火現(xiàn)象”而影響加熱效果、同時會使磁控管3受損。再者，在上述實施例2中是將凸塊7作成與實施例1中的直接照射抑制裝置6相對應的半球形。同樣地，凸塊7也可以作成相應于直接照射抑制裝置6的其它形狀，而不僅限于半球形。再者，為了使得直接照射抑制裝置6、凸塊7能夠結合起來更有效地發(fā)揮“抑制高頻波直接照射到被加熱物以及防止高頻波反射回磁控管”的效果，可以如圖4(b)、圖4(c)所示使得直接照射抑制裝置6、凸塊7、磁控管發(fā)射天線5的各自的中心線在同一平面內。在此基礎上，本發(fā)明的發(fā)明人利用上述實施例1、2中“爆玉米試驗”，對直接照射抑制裝置6和凸塊7的中心線之間的的距離L進一步作了研究，其結果如表7所示。表7根據(jù)表7，同時參照上述表3、4、6，可以發(fā)現(xiàn)，直接照射抑制裝置6的中心線和凸塊7的中心線之間的距離L在15～23mm之間能夠取得良好的加熱效果。雖然已經(jīng)參照附圖描述了本發(fā)明的一些實施例，但是它們僅僅是說明性的。事實上，在不背離本發(fā)明的原理的條件下，還可以對其進行各種形式的修改。另外，本發(fā)明的范圍由所附權利要求書限定。權利要求1.一種微波爐，具備放置被加熱物的腔體(2)；設置在所述腔體(2)之外且產(chǎn)生高頻波的磁控管(3)；入口、出口(1)分別與所述磁控管(3)、所述腔體(2)連接且用于將高頻波傳遞到所述腔體(2)的波導管(4)；設置于波導管(4)的內部且用于發(fā)射所述磁控管(3)產(chǎn)生的高頻波的磁控管發(fā)射天線(5)，其特征在于，還具備直接照射抑制裝置(6)，所述直接照射抑制裝置(6)設置在所述波導管(4)內的出口(1)附近或者面對所述出口(1)的所述腔體(2)的內壁(2’)上。2.如權利要求1所述的微波爐，其特征在于，還具備凸塊(7)，所述凸塊(7)設置在波導管(4)內，并且相對于所述磁控管發(fā)射天線(5)與所述直接照射抑制裝置(6)設置在同一側。3.如權利要求1所述的微波爐，其特征在于，所述直接照射抑制裝置(6)為片狀體。4.如權利要求3所述的微波爐，其特征在于，所述凸塊(7)的形狀與所述直接照射抑制裝置(6)的形狀相對應。5.如權利要求3所述的微波爐，其特征在于，所述直接照射抑制裝置(6)為半圓形的片狀體。6.如權利要求3所述的微波爐，其特征在于，所述直接照射抑制裝置(6)為作圓角的矩形或梯形或不規(guī)則形狀的片狀體。7.如權利要求2或5所述的微波爐，其特征在于，所述凸塊(7)為半球形的凸起。8.如權利要求2所述的微波爐，其特征在于，所述磁控管發(fā)射天線(5)、所述直接照射抑制裝置(6)以及所述凸塊(7)的各自的中心線位于同一平面內。9.如權利要求8所述的微波爐，其特征在于，所述直接照射抑制裝置(6)的中心線和凸塊(7)的中心線之間距離為15～23mm。全文摘要本發(fā)明旨在提供一種加熱效率高且加熱均勻、全面的微波爐。本發(fā)明的微波爐具備放置被加熱物的腔體；設置在腔體之外且產(chǎn)生高頻波的磁控管；入口、出口分別與磁控管、腔體連接且用于將高頻波傳遞到腔體的波導管；設置于波導管內部且用于發(fā)射磁控管產(chǎn)生的高頻波的磁控管發(fā)射天線；以及直接照射抑制裝置，該直接照射抑制裝置設置在波導管內的出口附近或者面對所述出口的腔體的內壁上。由于設置了直接照射抑制裝置，能夠使得從磁控管天線發(fā)射出來的高頻波發(fā)生散射，以抑制高頻波直接照射到被加熱物上，而且還能夠防止高頻波反射回波導管。因此，本發(fā)明的微波爐能夠使得高頻波全面地覆蓋整個被加熱物以進行均勻加熱并提高加熱效率。文檔編號H05B6/80GK1731023SQ200410053530公開日2006年2月8日申請日期2004年8月6日優(yōu)先權日2004年8月6日發(fā)明者傅煒昶,馮光輝申請人:上海松下微波爐有限公司