專利名稱：布線基板、半導(dǎo)體器件及其制造方法、電路板和電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及布線基板、半導(dǎo)體器件和它們的制造方法、電路板和電子儀器。
根據(jù)以往的方法，為了進(jìn)行蝕刻，光刻工序是必要的，因此，需要掩模。并且掩模的成本很高。另外，為了導(dǎo)電材料的填充或電鍍，需要形成較大的導(dǎo)通孔，所以成為布線結(jié)構(gòu)的高密度化的障礙。另外，當(dāng)對導(dǎo)通孔進(jìn)行電鍍，形成通孔時，在其內(nèi)側(cè)形成了空間，所以必須要設(shè)法除去水分。另外，當(dāng)疊層3層以上的基板后，采用機(jī)械方式形成導(dǎo)通孔時，在中間層的基板上無法形成導(dǎo)通孔。
(1)本發(fā)明的布線基板的制造方法包括形成第一導(dǎo)電層；形成絕緣層，使至少其一部分配置在第一導(dǎo)電層上；形成第二導(dǎo)電層，使至少其一部分配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上；
分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和第二導(dǎo)電層，噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明，使用液滴的噴出，形成第一、第二導(dǎo)電層和絕緣層，所以能以低成本實(shí)現(xiàn)布線結(jié)構(gòu)的高密度化，能提高可靠性和制造的自由度。
(2)在該布線基板的制造方法中，其一部分與所述第一導(dǎo)電層的一部分電導(dǎo)通形成所述第二導(dǎo)電層。
(3)在該布線基板的制造方法中，可以在所述第一導(dǎo)電層和所述第一導(dǎo)電層的相鄰區(qū)域中形成所述絕緣層。
(4)在該布線基板的制造方法中，可以用多層形成所述絕緣層；在形成所述導(dǎo)電層的區(qū)域相鄰的區(qū)域上形成所述絕緣層的下層；在所述第一導(dǎo)電層和所述所述絕緣層的下層上形成所述絕緣層的上層。
(5)在該布線基板的制造方法中，可以在形成了所述第一導(dǎo)電層后，形成所述絕緣層的下層。
(6)在該布線基板的制造方法中，可以在形成了所述絕緣層的下層后，形成所述第一導(dǎo)電層。
(7)在該布線基板的制造方法中，還包含在所述第一導(dǎo)電層上噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成一個或一個以上的柱；避開形成所述柱的區(qū)域，形成所述絕緣層。
(8)在該布線基板的制造方法中，形成所述絕緣層，使其上表面至少與1個所述柱的上表面的高度基本相同。
(9)在該布線基板的制造方法中，通過至少一個所述柱上，形成所述第二導(dǎo)電層。
(10)在該布線基板的制造方法中，可以避開至少一個所述柱，形成所述第二導(dǎo)電層。
(11)在該布線基板的制造方法中，還包括形成第二絕緣層，使至少其一部分配置在所述第二導(dǎo)電層上；形成第三導(dǎo)電層，使至少其一部分配置在所述第二導(dǎo)電層的上方的所述第二絕緣層上；
噴出包含導(dǎo)電性材料微顆粒的溶劑液滴，形成所述第三導(dǎo)電層，可以噴出絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第二絕緣層。
(12)在該布線基板的制造方法中，至少避開一個所述柱的區(qū)域，形成所述第二絕緣層；可以通過至少一個所述柱上，形成所述第三導(dǎo)電層。
(13)在該布線基板的制造方法中，用多道工序形成至少一個所述柱。
(14)在該布線基板的制造方法中，還包含形成一個或一個以上的電子元件；噴出包含材料微顆粒的溶劑液滴，形成構(gòu)成一個所述電子元件的多個元件。
(15)在該布線基板的制造方法中，各所述電子元件可以是電容器、電阻、二極管以及晶體管的任意一種。
(16)在該布線基板的制造方法中，在形成所述第一導(dǎo)電層的面上形成至少一個所述電子元件。
(17)在該布線基板的制造方法中，在所述絕緣層上形成至少一個所述電子元件。
(18)在該布線基板的制造方法中，在所述第二絕緣層上形成至少一個所述電子元件。
(19)在該布線基板的制造方法中，可以在基板上形成所述第一導(dǎo)電層。
(20)在該布線基板的制造方法中，所述基板具有凹部，可以通過所述凹部形成所述第一導(dǎo)電層。
(21)在該布線基板的制造方法中，可以由絕緣體形成所述基板的至少表面。
(22)在該布線基板的制造方法中，所述基板具有絕緣部、貫通所述絕緣部的導(dǎo)電部；在所述絕緣部和所述導(dǎo)電部，形成所述第一導(dǎo)電層，與所述導(dǎo)電部電導(dǎo)通。
(23)在該布線基板的制造方法中，還包含從所述第一導(dǎo)電層剝離絕緣層。
(24)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包括形成第一導(dǎo)電層；形成絕緣層，使至少其一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上；形成第二導(dǎo)電層，使至少其一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上方的所述絕緣層上；通過分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和第二導(dǎo)電層，噴出包含絕緣性微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層，制造布線基板；在所述布線基板上安裝半導(dǎo)體芯片。
根據(jù)本發(fā)明，使用液滴的噴出，形成第一、第二導(dǎo)電層和絕緣層，所以能以低成本實(shí)現(xiàn)布線結(jié)構(gòu)的高密度化，能提高可靠性和制造的自由度。
(25)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，在使所述第一導(dǎo)電層的一部分露出的狀態(tài)下，制造所述布線基板；可以把所述第一導(dǎo)電層的露出部分和所述半導(dǎo)體芯片電連接。
(26)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以電連接所述第一和第二導(dǎo)電層以外的導(dǎo)電層與所述半導(dǎo)體芯片。
(27)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以在基板上形成所述第一導(dǎo)電層。
(28)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述基板可以具有凹部，通過所述凹部，形成所述第一導(dǎo)電層，在所述凹部的區(qū)域內(nèi)安裝所述半導(dǎo)體芯片。
(29)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述基板具有絕緣部和貫通所述絕緣部的導(dǎo)電部；在所述絕緣部和所述導(dǎo)電部上，可以與所述導(dǎo)電部電導(dǎo)通形成所述第一導(dǎo)電層。
(30)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，還包含從所述第一導(dǎo)電層剝離所述基板。
(31)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包含使設(shè)置了電極的面朝上，把半導(dǎo)體芯片設(shè)置在基板上；
在所述基板和所述半導(dǎo)體芯片的上方形成第一導(dǎo)電層，使其與所述半導(dǎo)體芯片的所述電極導(dǎo)通；形成絕緣層，使至少它的一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上；形成第二導(dǎo)電層，使至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上；通過分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和第二導(dǎo)電層，噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明，使用液滴的噴出，形成第一、第二導(dǎo)電層和絕緣層，所以能以低成本實(shí)現(xiàn)布線結(jié)構(gòu)的高密度化，能提高可靠性和制造的自由度。
(32)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述基板具有凹部，可以在所述凹部的區(qū)域內(nèi)設(shè)置所述半導(dǎo)體芯片。
(33)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，還包含向設(shè)置了所述半導(dǎo)體芯片的所述凹部填充樹脂，形成樹脂層；可以通過所述樹脂層上，形成第一導(dǎo)電層。
(34)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包含使設(shè)置了電極的面朝上，把半導(dǎo)體芯片設(shè)置在基板上；把具有避開所述半導(dǎo)體芯片的形狀的所述第二基板安裝在所述第一基板上；在所述第二基板和所述半導(dǎo)體芯片的上方形成第一導(dǎo)電層，使其與所述半導(dǎo)體芯片的所述電極導(dǎo)通；形成絕緣層，使至少它的一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上；形成第二導(dǎo)電層，使至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上；分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和第二導(dǎo)電層，噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明，使用液滴的噴出，形成第一、第二導(dǎo)電層和絕緣層，所以能以低成本實(shí)現(xiàn)布線結(jié)構(gòu)的高密度化，能提高可靠性和制造的自由度。
(35)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述第二基板的熱膨脹系數(shù)比所述第一基板更接近所述半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)。
(36)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包含在形成了多個集成電路的半導(dǎo)體晶片上形成第一導(dǎo)電層，使其與電極導(dǎo)通；形成絕緣層，使至少它的一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上；形成第二導(dǎo)電層，使至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上；及切斷所述半導(dǎo)體晶片，通過分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和第二導(dǎo)電層，通過噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明，使用液滴的噴出，形成第一、第二導(dǎo)電層和絕緣層，所以能以低成本實(shí)現(xiàn)布線結(jié)構(gòu)的高密度化，能提高可靠性和制造的自由度。
(37)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以形成所述第二導(dǎo)電層，使它的一部分與所述第一導(dǎo)電層的一部分電導(dǎo)通。
(38)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以在所述第一導(dǎo)電層上和所述第一導(dǎo)電層的相鄰區(qū)域中形成所述絕緣層。
(39)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，以多層形成所述絕緣層；在形成所述第一導(dǎo)電層的區(qū)域的相鄰區(qū)域中形成所述絕緣層的下層；可以在所述第一導(dǎo)電層和所述絕緣層的下層上形成所述絕緣層的上層。
(40)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，在形成了所述第一導(dǎo)電層后，可以形成所述絕緣層的下層。
(41)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，在形成了所述絕緣層的下層后，可以形成所述第一導(dǎo)電層。
(42)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，還包含在所述第一導(dǎo)電層上噴出包含導(dǎo)電層材料的微顆粒的溶劑液滴，形成一個或一個以上的柱；可以避開形成所述柱的區(qū)域，形成所述絕緣層。
(43)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，形成所述絕緣層，使它的上表面至少與一個所述柱的上表面變?yōu)閹缀跸嗤母叨取?br> (44)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，通過至少一個所述柱上，形成所述第二導(dǎo)電層。
(45)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，避開至少一個所述柱，形成所述第二導(dǎo)電層。
(46)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，還包含形成第二絕緣層，使至少它的一部分配置在第二導(dǎo)電層上；形成第三導(dǎo)電層，使至少它的一部分配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所述第二絕緣層上；噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第三導(dǎo)電層，噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第二絕緣層。
(47)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，至少避開形成一個所述柱的區(qū)域，形成所述第二絕緣層；通過至少一個所述柱上，形成所述第三導(dǎo)電層。
(48)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，用多道工序形成至少一個所述柱。
(49)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，還包含形成一個或一個以上電子元件；噴出包含材料的微顆粒的溶劑液滴，形成構(gòu)成一個所述電子元件的多個元件。
(50)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，各所述電子元件可以是電容器、電阻、二極管、晶體管中的任意一種。
(51)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以在形成所述第一導(dǎo)電層的面上形成至少一個所述電子元件。
(52)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以在所述絕緣層上形成至少一個所述電子元件。
(53)在該半導(dǎo)體器件的制造方法中，可以在所述第二絕緣層上形成至少一個所述電子元件。
(54)本發(fā)明的布線基板由所述方法制造。
(55)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件由所述方法制造。
(56)本發(fā)明半導(dǎo)體器件包括具有凹部的基板；通過所述凹部而形成的第一導(dǎo)電層；至少一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上的絕緣層；至少一部分配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上的第二導(dǎo)電層；安裝在所述凹部的區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體芯片。
(57)在該半導(dǎo)體器件中，所述半導(dǎo)體芯片可以與所述第一導(dǎo)電層電連接。
(58)在該半導(dǎo)體器件中，所述半導(dǎo)體芯片可以與所述第一以及第二導(dǎo)電層以外的導(dǎo)電層電連接。
(59)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括具有凹部的基板；設(shè)置了電極的面向上，設(shè)置在所述基板的具有凹部的區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體芯片；形成在所述基板和所述半導(dǎo)體芯片的上方，并且與所述半導(dǎo)體芯片的所述電極導(dǎo)通的第一導(dǎo)電層；至少一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上而形成的絕緣層；至少一部分配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上而形成的第二導(dǎo)電層。
(60)在該半導(dǎo)體器件中，還具有在設(shè)置了所述半導(dǎo)體芯片的所述凹部形成的樹脂層；可以通過所述樹脂層形成所述第一導(dǎo)電層。
(61)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括第一基板；設(shè)置了電極的面朝上，設(shè)置在第一基板上的半導(dǎo)體芯片；具有避開所述半導(dǎo)體芯片的形狀，安裝在所述第一基板上的第二基板；通過所述半導(dǎo)體芯片的所述電極，在所述第二基板和所述半導(dǎo)體芯片的上方形成的第一導(dǎo)電層；至少一部分配置在所述第一導(dǎo)電層上而形成的絕緣層；至少一部分配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上而形成的第二導(dǎo)電層。
(62)在該半導(dǎo)體器件中，所述第二基板的熱膨脹系數(shù)比所述第一基板更接近所述半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)。
(63)本發(fā)明的電路板在安裝了所述半導(dǎo)體器件。
(64)本發(fā)明的電子儀器具有所述半導(dǎo)體器件。
圖2A、2B是說明應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例1的布線基板制造方法的圖。
圖3A、3B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例1的布線基板制造方法的圖。
圖4是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例1的布線基板制造方法的圖。
圖5是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例1的布線基板制造方法的圖。
圖6是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例1的布線基板制造方法的圖。
圖7是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例1的布線基板制造方法的圖。
圖8是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例1的布線基板制造方法的圖。
圖9A、9B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例1的布線基板制造方法的圖。


圖10A、10B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例1的布線基板制造方法的圖。
圖11是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件制造方法的圖。
圖12是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件制造方法的圖。
圖13是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例2的布線基板制造方法的圖。
圖14是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體器件制造方法的圖。
圖15A、15B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例2的布線基板制造方法的圖。
圖16A、16B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例2的布線基板制造方法的圖。
圖17A、17B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例2的布線基板制造方法的圖。
圖18A、18B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例2的布線基板制造方法的圖。
圖19是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例2的布線基板制造方法的圖。
圖20是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例2的布線基板制造方法的圖。
圖21A～21C是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例3的半導(dǎo)體器件制造方法的圖。
圖22A～22C是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例4的半導(dǎo)體器件制造方法的圖。
圖23是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例5的布線基板的圖。
圖24是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例5的半導(dǎo)體器件的圖。
圖25A、圖25B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例6的布線基板制造方法的圖。
圖26A～圖26C是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例7的半導(dǎo)體器件制造方法的圖。
圖27A、27B是說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例8的電子元件制造方法的圖。
圖28是表示安裝應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電路板的圖。
圖29是表示具有應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電子儀器的圖。
圖30是表示具有應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電子儀器的圖。
圖1～圖10B是說明本發(fā)明實(shí)施例1的布線基板制造方法的圖。在本實(shí)施例中，如圖1所示，使用基板10。基板10只要是能支撐被設(shè)置在其上的元件或形成在其上的元件的形狀，就不限于板狀(例如，矩形板)。基板10可以由電絕緣體(例如聚酰亞胺等的樹脂和玻璃)、導(dǎo)電體(例如，銅等金屬)或半導(dǎo)體任意一種形成。基板10可以是由金屬等散熱性材料構(gòu)成的散熱器(例如散熱板)。基板10的主體由導(dǎo)電體形成的情況下，也可以由絕緣膜12形成至少它的表面。例如設(shè)置聚酰亞胺等樹脂，在200～600℃左右的溫度，把它燒結(jié)1～5小時左右，形成絕緣膜12。
在基板10上可以形成凹部14。對于凹部14的開口形狀以及底面形狀未進(jìn)行特別限定，可以是矩形。凹部14的內(nèi)壁面可以對于基板10的上表面(凹部14的周圍的面)或凹部14的底面傾斜。即凹部14的內(nèi)壁面可以是錐面。凹部14的內(nèi)壁面和基板10的上表面(凹部14的周圍的面)的連接部16可以成為曲面(凸面)。凹部14的內(nèi)壁面和凹部14的底面的連接部18可以成為曲面(凹面)。通過使連接部16、18為這樣的形狀，通過其上的第一導(dǎo)電層20的斷線減少?？梢酝ㄟ^蝕刻、切削或沖壓中的任意一種方法，形成深度為0.5～數(shù)mm的凹部14。絕緣膜12在凹部14內(nèi)(具體而言，凹部14的內(nèi)壁面和底面)，可以形成在其整個面上，也可以只形成在其一部分區(qū)域(形成第一導(dǎo)電層20的區(qū)域)中。絕緣膜12在基板12的上表面(凹部14周圍的面)，可以形成在其整個面上，也可以只形成在它的一部分區(qū)域(形成第一導(dǎo)電層20的區(qū)域)中。
如圖2A和圖2B所示，形成第一導(dǎo)電層(例如，包含多條線的布線圖案)20。在基板10上形成第一導(dǎo)電層20。第一導(dǎo)電層20可以通過凹部14形成。噴出包含導(dǎo)電性材料(例如金、銀、銅等金屬)的微顆粒的溶劑液滴，形成第一導(dǎo)電層20?？梢允褂脟娔ɑ驀娕菽?BUBBLE JET)(注冊商標(biāo))法。作為包含金的微顆粒的溶劑，可以使用真空冶金株式會社的“完美金(perfect gold)”，作為包含銀的微顆粒的溶劑，可以使用同一公司的“完美銀(perfect silver)”。此外，微顆粒并未特別限定大小，是與溶劑能一起噴出的顆粒。把噴出的包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑在200～600℃左右的溫度，燒結(jié)1～5小時左右，形成第一導(dǎo)電層20。
另外，形成絕緣層26(參照圖3B)。噴出包含絕緣性材料(例如聚酰亞胺等的樹脂)的微顆粒的溶劑液滴，形成絕緣層26。例如，可以使用噴墨法或噴泡沫(注冊商標(biāo))法?？梢杂枚鄬?例如下層22和上層24)形成絕緣層26。這時，可以多次進(jìn)行包含絕緣性材料微顆粒的溶劑液滴的噴出?？梢园褔姵龅陌^緣性材料微顆粒的溶劑在200～600℃左右的溫度，燒結(jié)1～5小時左右，形成絕緣層26。燒結(jié)可以在形成下層22和上層24時分別進(jìn)行。
如圖2A和圖2B所示，下層22可以形成在形成第一導(dǎo)電層20的區(qū)域的相鄰區(qū)域中。在形成第一導(dǎo)電層20后，可以形成下層22。這時，可以避開第一導(dǎo)電層20的上表面，形成下層22。或者，避開形成第一導(dǎo)電層20的區(qū)域，形成下層22，在下層22避開的區(qū)域中形成第一導(dǎo)電層20?？梢孕纬上聦?2，使它的上表面與第一導(dǎo)電層20的上表面變?yōu)橄嗤母叨?，也可以使它的上表面與第一導(dǎo)電層20的上表面變?yōu)椴煌叨取?br> 如圖3A和圖3B所示，可以在第一導(dǎo)電層20和下層22的上表面上形成上層24?？梢栽谛纬傻谝粚?dǎo)電層20和下層22后，形成上層24?；蛘?，可以形成下層22，避開第一導(dǎo)電層20，在下層22上形成上層24的一部分，然后形成第一導(dǎo)電層20，然后，在第一導(dǎo)電層20上形成上層24的剩余部分。
這樣，形成絕緣層26，使至少它的一部分(例如上層24)配置在第一導(dǎo)電層20上。可以避開第一導(dǎo)電層20的一部分，形成絕緣層26。也可以在第一導(dǎo)電層20上以及第一導(dǎo)電層20的相鄰區(qū)域中形成絕緣層26。絕緣層26也可以覆蓋第一導(dǎo)電層20的面(例如，除去第一導(dǎo)電層20的與基板10的接觸面、在必要時形成柱30的部分的面、在必要時與半導(dǎo)體芯片80(參照圖11)的電連接部的面的面)?？梢员荛_設(shè)置半導(dǎo)體芯片的區(qū)域(例如凹部14內(nèi)的底面的至少一部分)，形成絕緣層26。
以上的說明是用多層(例如多次工藝)形成絕緣層26的實(shí)例，但是也可以用1層(1次工藝)形成絕緣層26。例如，首先形成第一導(dǎo)電層20，然后形成絕緣層26，使至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層20上。
如圖3A和圖3B所示，在第一導(dǎo)電層20上，可以形成一個或一個以上的柱30。柱30是電連接上下導(dǎo)電層的部分。如果其一部分被放置在第一導(dǎo)電層20上，則柱30可以比第一導(dǎo)電層20還大。通過噴出包含導(dǎo)電性材料微顆粒的溶劑液滴，形成柱30。避開形成柱30的區(qū)域，形成絕緣層26。形成絕緣層26(例如它的上層24)，使它的上表面至少與一個柱30的上表面變?yōu)橄嗤叨取?br> 在第一導(dǎo)電層20上形成了柱30后，可以形成絕緣層26，在形成了絕緣層26的至少一部分(它的一部分(例如下層22)或全體)后，在第一導(dǎo)電層20上形成柱30。
作為在第一導(dǎo)電層20上形成的柱30，例如有如下幾種。圖30A所示的柱30只由形成在第一導(dǎo)電層20上的柱31構(gòu)成。圖5所示的柱30可以由第一導(dǎo)電層20上的柱31(參照圖3A)、形成在其上的柱32(參照圖4)和形成在其上的柱33(參照圖5)、形成在其上的柱34(參照圖6)、形成在其上的柱35構(gòu)成。這樣，可以用1層形成柱30，也可以用多層形成。成為柱30的構(gòu)成要素柱31、32、33、34、35分別通過包含導(dǎo)電性材料微顆粒的溶劑液滴的噴出而形成。另外，可以按順序形成柱31、32、33、34、35。即至少可以由多個工序形成一個柱30。
如圖4所示，形成第二導(dǎo)電層(例如，包含多條線的布線圖案)40。形成第二導(dǎo)電層40，使至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層20上。第二導(dǎo)電層40的細(xì)節(jié)與第一導(dǎo)電層20的內(nèi)容對應(yīng)?？梢孕纬傻诙?dǎo)電層40，使它的一部分與第一導(dǎo)電層20的一部分電導(dǎo)通。例如，通過至少一個柱30(例如只由柱30)形成第二導(dǎo)電層40。這樣，通過柱30，第一導(dǎo)電層20的一部分和第二導(dǎo)電層40的一部分導(dǎo)通。關(guān)于第一、第二導(dǎo)電層20、40對其他部分，通過絕緣層26能實(shí)現(xiàn)電絕緣。此外，也可以避開至少一個柱31(具體而言，在其上形成了柱32的柱31(參照圖3A))，形成第二導(dǎo)電層40。
根據(jù)本實(shí)施例，使用液滴的噴出，形成第一、第二導(dǎo)電層20、40和絕緣層26，所以能以低成本實(shí)現(xiàn)布線結(jié)構(gòu)的高密度化，能提高可靠性和制造的自由度。
如圖5所示，也可以形成第二絕緣層46，使至少它的一部分配置在第二導(dǎo)電層40上?？梢员荛_第二導(dǎo)電層40的一部分，形成第二絕緣層46。第二絕緣層46的細(xì)節(jié)與絕緣層(第一絕緣層)26的內(nèi)容對應(yīng)。例如由圖4所示的下層42和圖5所示的上層44形成第二絕緣層46。關(guān)于下層42和上層44，與下層22以及上層24的內(nèi)容對應(yīng)。另外，可以避開設(shè)置半導(dǎo)體芯片80(參照圖11)的區(qū)域(例如凹部14內(nèi)的底面的至少一部分)，形成第二絕緣層46。
可以在圖3A所示的任意柱31上形成柱32。這時，至少避開一個形成柱32的區(qū)域，形成第二絕緣層46。如圖5所示，還可以在柱32上形成柱33。另外，可以在第二導(dǎo)電層40上形成柱50(參照圖9)。柱50由以下部分形成如圖5所示，第二導(dǎo)電層40上形成的柱51；如圖6～圖9所示，形成在其上的柱52～55。柱50的細(xì)節(jié)與柱30的內(nèi)容對應(yīng)。
如圖6所示，可以形成第三導(dǎo)電層60，使至少它的一部分配置在第二導(dǎo)電層40的上方的第二絕緣層46上。第三導(dǎo)電層60的細(xì)節(jié)與第一導(dǎo)電層20對應(yīng)?？梢孕纬傻谌龑?dǎo)電層60，使它的一部分與第一或第二導(dǎo)電層20、40的一部分電導(dǎo)通。例如，可以通過至少一個柱30(例如由柱31、32、33構(gòu)成的柱)上，形成第二導(dǎo)電層40。通過這樣，通過柱30，第一導(dǎo)電層20的一部分與第三導(dǎo)電層60的一部分電導(dǎo)通。同樣，也可以通過至少一個柱51上，形成第三導(dǎo)電層60(該例子未圖示)。通過這樣，通過柱51，第二導(dǎo)電層40的一部分與第三導(dǎo)電層60的一部分電導(dǎo)通。第一以及第二第二導(dǎo)電層20、40和第三導(dǎo)電層60關(guān)于其他部分，通過第二絕緣層46能謀求電絕緣。此外，可以避開至少一個柱34、52，形成第三導(dǎo)電層60。
根據(jù)必要，如圖7和圖8所示，重復(fù)以上的工序，疊層導(dǎo)電層和絕緣層。然后，如圖9A和圖9B所示，形成絕緣層72，使柱50、70的上表面露出。柱50設(shè)置在第二導(dǎo)電層40上，柱70設(shè)置在此外的導(dǎo)電層或柱上(省略了細(xì)節(jié))?？梢栽谛纬赏獠慷俗拥奈恢眯纬芍?0、70。柱50、70并不局限于圖9A所示的數(shù)量和排列，可以排列為矩陣狀(多行多列)或區(qū)域陣列狀。
如圖10A和圖10B所示，在柱50、70上可以形成比它們的上表面還大的連接盤74。連接盤74通過柱50、70電連接在任意的導(dǎo)電層(例如第一導(dǎo)電層20)上。至少一個連接盤74與電連接了半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)電層(例如第一導(dǎo)電層20)電連接。另外，可以形成絕緣層76，使連接盤74的至少一部分露出。對于連接盤74，可以應(yīng)用第一導(dǎo)電層20的內(nèi)容。對于絕緣層76，可以應(yīng)用絕緣層26的內(nèi)容。
這樣，能制造出布線基板。布線基板具有從上述說明導(dǎo)出的結(jié)構(gòu)。如圖10A和圖10B所示，可以露出第一導(dǎo)電層20的一部分。例如，在基板10的凹部14的區(qū)域內(nèi)，可以露出第一導(dǎo)電層20的一部分。該露出部分可以在與半導(dǎo)體芯片80的電連接中使用。
圖11和圖12是說明半導(dǎo)體器件的制造方法的圖。在本實(shí)施例中，在上述的布線基板上安裝半導(dǎo)體芯片80。半導(dǎo)體芯片80關(guān)于焊盤排列是外圍型，在周邊部排列著焊盤。可以電連接第一導(dǎo)電層20的露出部分和半導(dǎo)體芯片80。或者，電連接與第一導(dǎo)電層20不同的導(dǎo)電層(例如，第二導(dǎo)電層40或與第二導(dǎo)電層40不同的導(dǎo)電層)和半導(dǎo)體芯片80。半導(dǎo)體芯片80的安裝可以應(yīng)用圖11所示的面朝下接合，也可以應(yīng)用面朝上接合，通過引線實(shí)現(xiàn)電連接。在基板10的凹部14的區(qū)域內(nèi)可以安裝半導(dǎo)體芯片80。
如圖12所示，在安裝了半導(dǎo)體芯片80的凹部14中，可以填充環(huán)氧等的樹脂84。另外，在連接盤74上可以設(shè)置焊錫等焊料(軟焊料和硬焊料)82。焊料可以是焊錫球，也可以是焊錫膏。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件具有形成了凹部14的基板10。通過凹部14，形成第一導(dǎo)電層20。絕緣層26的至少一部分配置在第一導(dǎo)電層20上。第二導(dǎo)電層40的至少一部分配置在第一導(dǎo)電層20的上方的絕緣層26上。在凹部14的區(qū)域內(nèi)安裝著半導(dǎo)體芯片80。半導(dǎo)體芯片80可以與第一導(dǎo)電層20電連接?；蛘?，半導(dǎo)體芯片80可以與第一以及第二導(dǎo)電層20、40以外的導(dǎo)電層電連接。
根據(jù)本實(shí)施例，使用液滴的噴出，在第一以及第二導(dǎo)電層上形成絕緣層，所以能以低成本實(shí)現(xiàn)高密度話，能提高可靠性和制造的自由度。
(實(shí)施例2)圖13是說明本發(fā)明實(shí)施例2的布線基板的平面圖，圖14是說明使用了圖13所示的布線基板的半導(dǎo)體器件的剖視圖。在本實(shí)施例中，使用實(shí)施例1中說明的基板10。在基板10上形成凹部14，在其上形成絕緣膜12。
圖13所示的布線基板具有多個連接盤100。連接盤100形成在布線基板的最上層。連接盤100可以配置在布線基板的中央部(例如凹部14的區(qū)域內(nèi))。連接盤100配置為區(qū)域陣列狀(多行多列(例如3行以上，3列以上)。連接盤100是用于與半導(dǎo)體芯片102接合。布線基板除了與半導(dǎo)體芯片102接合的連接盤100，還可以具有用于設(shè)置外部端子的連接盤104。
如圖14所示，半導(dǎo)體器件具有半導(dǎo)體芯片102。半導(dǎo)體芯片102關(guān)于焊盤排列是區(qū)域陣列型。半導(dǎo)體芯片102可以面朝下接合到布線基板上。在半導(dǎo)體芯片102的焊盤上可以形成凸臺。半導(dǎo)體芯片102的焊盤與連接盤100電連接。
在基板10上形成凹部14，在凹部14的底面上方形成連接盤100。因此，形成了連接盤100的區(qū)域(例如布線基板的中央部)比其它的區(qū)域(例如布線基板的端部)低。安裝在布線基板上的半導(dǎo)體芯片102的上表面(與形成了焊盤的面相反一側(cè)的面)比布線基板14的外側(cè)區(qū)域的最上層(例如連接盤104)的表面還低?？梢杂蓸渲?06覆蓋半導(dǎo)體芯片102。例如，可以在與凹部14對應(yīng)而形成的凹陷中設(shè)置樹脂106。
在連接盤104上可以設(shè)置焊錫等的焊料108(軟焊料和硬焊料)。焊料可以是焊錫球，也可以是焊錫膏。至少一個連接盤104與至少一個連接盤100電連接。
圖15A～圖20是說明本發(fā)明實(shí)施例2的布線基板制造方法的圖。在本實(shí)施例中，如圖15A和圖15B所示，形成第一導(dǎo)電層120?？梢栽诮^緣層12上形成第一導(dǎo)電層120。第一導(dǎo)電層120作為在電連接中使用的導(dǎo)電層，可以是最下層的導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電層120可以由多條線構(gòu)成。線的一部分(例如頂端部)可以與形成任意連接盤100(參照圖13)的位置重復(fù)配置。具體而言，多個連接盤100中，成為位于內(nèi)側(cè)的連接盤112(參照圖13)和第一導(dǎo)電層120的一部分(例如線的一部分121)重復(fù)的位置。第一導(dǎo)電層120的內(nèi)容(材料和形成方法)與實(shí)施例1中說明的關(guān)于第一導(dǎo)電層20的內(nèi)容對應(yīng)。
如圖16A和圖16B所示，形成絕緣層126和柱131。絕緣層126和柱131的內(nèi)容(材料和形成方法)與實(shí)施例1中說明的關(guān)于絕緣層26和柱31的內(nèi)容對應(yīng)。在第一導(dǎo)電層120中，在其一部分(例如圖15A所示的線的一部分121)上形成柱141。柱141形成在與半導(dǎo)體芯片102的焊盤對應(yīng)的位置(形成連接盤100的位置)。柱141可以只形成在多個連接盤100中與位于內(nèi)側(cè)的連接盤112(參照圖13)對應(yīng)的位置。柱141的內(nèi)容(材料和形成方法)與關(guān)于柱131的內(nèi)容相同。
如圖17A和圖17B所示，形成第二導(dǎo)電層150。第二導(dǎo)電層150形成在絕緣層126上。第二導(dǎo)電層150的內(nèi)容(材料和形成方法)與實(shí)施例1中說明的關(guān)于第二導(dǎo)電層40的內(nèi)容對應(yīng)。構(gòu)成多個第二導(dǎo)電層150的多條線中，任意線的一部分(例如頂端部)151可以配置在與連接盤100對應(yīng)的位置。線的一部分151配置在比剛才形成的線的一部分121(參照圖15A)還靠位于外側(cè)的連接盤114的位置(參照圖13)。
另外，在柱131、141上再形成柱132、142。柱132、142的內(nèi)容(材料和形成方法)與關(guān)于柱131、141的內(nèi)容相同。此外，雖然在圖17A和圖17B中未表示，但是形成通過柱141和柱131的至少一方之上形成第二導(dǎo)電層150。
如圖18A和圖18B所示，形成第二絕緣層156。另外，在柱132上形成柱133。另外，可以在柱132上形成柱133。疊層的柱131、132、133當(dāng)在其上不再形成柱時，能成為一個柱130。可以在第二導(dǎo)電層150上形成柱160。在柱142上再形成柱143?？梢栽诘诙?dǎo)電層150(例如線的頂端部)上形成柱171。第二絕緣層156的內(nèi)容(材料和形成方法)與實(shí)施例1中說明的關(guān)于第二絕緣層46的內(nèi)容可以相同。柱133、160、143、171的內(nèi)容(材料和形成方法)與關(guān)于柱131的內(nèi)容可以相同。
如圖19所示，可以形成第三導(dǎo)電層180。第三導(dǎo)電層180形成在第二絕緣層156上。可以通過柱130上，形成第三導(dǎo)電層180。第三導(dǎo)電層180的內(nèi)容(材料和形成方法)與實(shí)施例1中說明的關(guān)于第二導(dǎo)電層40的內(nèi)容對應(yīng)。在柱143、171上再形成柱144、172。柱143、171的內(nèi)容(材料和形成方法)與關(guān)于柱141的內(nèi)容可以相同。
如圖20所示，可以形成第三絕緣層186。另外，可以在柱134上形成柱135。疊層的柱134～135當(dāng)在其上不再形成柱時，成為一各柱131～135。可以在第三導(dǎo)電層180上形成柱190。可以在柱144、172上再形成柱145、173。疊層的柱141～145(或者柱171～173)當(dāng)在其上不再形成柱時，能成為一個柱140(或者柱170)。第三絕緣層186的內(nèi)容(材料和形成方法)與實(shí)施例1中說明的關(guān)于第二絕緣層的內(nèi)容可以相同。柱135、190、145、173的內(nèi)容(材料和形成方法)與關(guān)于柱131的內(nèi)容相同。
如圖13所示，在柱130、190上可以形成連接盤104。柱140、170的表面可以是連接盤112、114，可以在柱14、170上形成導(dǎo)電層，形成連接盤。
在本實(shí)施例中，能應(yīng)用在其他實(shí)施中說明了的內(nèi)容。另外，能在其他實(shí)施中應(yīng)用本實(shí)施例的內(nèi)容。
(實(shí)施例3)圖21A～圖21C是說明本發(fā)明實(shí)施例3的半導(dǎo)體器件的制造方法的圖。在本實(shí)施例中，如圖21A所示，把設(shè)置了電極212的面朝上，在基板200上設(shè)置半導(dǎo)體芯片210。在基板200上可以形成絕緣膜204?；?00可以具有凹部202。凹部202的內(nèi)壁面可以垂直立起，也可以傾斜，可以成為曲面(凸面或凹面)。在凹部202的區(qū)域內(nèi)可以設(shè)置半導(dǎo)體芯片210?；?00和半導(dǎo)體芯片210可以由接合劑214接合。在設(shè)置了半導(dǎo)體芯片210的凹部202可以填充樹脂216。這樣，如圖21B所示，在設(shè)置了半導(dǎo)體芯片210的凹部202中能通過樹脂216形成樹脂層。
如圖21C，在基板200(例如，凹部202的周圍區(qū)域)和半導(dǎo)體芯片210的上方形成第一導(dǎo)電層220。例如，在電極212上形成凸臺218，通過其上形成第一導(dǎo)電層220。第一導(dǎo)電層220可以通過由樹脂216形成的樹脂層上形成。半導(dǎo)體芯片210和第一導(dǎo)電層220之間，可以存在絕緣體(膜或?qū)?。另外，形成絕緣體226，至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層220上。形成第二導(dǎo)電層230，使至少它的一部分配置在第一導(dǎo)電層220上方的絕緣層226上。第一和第二導(dǎo)電層220、230可以柱240電連接(接合)。
第一和第二導(dǎo)電層220、230以及絕緣層226的內(nèi)容與實(shí)施例1中說明的第一和第二導(dǎo)電層20、40以及絕緣層26的內(nèi)容對應(yīng)。凸臺218也由與第一導(dǎo)電層220相同的方法形成?？梢栽诘诙?dǎo)電層230上疊層絕緣層、導(dǎo)電層和柱。具體而言，如實(shí)施例1和2中所述。
這樣能制造半導(dǎo)體器件。其結(jié)構(gòu)具有能從上述的制造方法導(dǎo)出的內(nèi)容。在本實(shí)施例中，能實(shí)現(xiàn)實(shí)施例1中說明的效果。在本實(shí)施例中，能應(yīng)用在其他實(shí)施中說明了的內(nèi)容。另外，能在其他實(shí)施中應(yīng)用本實(shí)施例的內(nèi)容。
(實(shí)施例4)圖22A～圖22C是說明本發(fā)明實(shí)施例4的半導(dǎo)體器件的制造方法的圖。在本實(shí)施例中，如圖22A所示，把設(shè)置了電極302的面朝上，在第一基板310上設(shè)置半導(dǎo)體芯片300。第一基板310可以具有凸部312，這時，可以在凸部312上設(shè)置半導(dǎo)體芯片300。第一基板310和半導(dǎo)體芯片300可以由接合劑314接合。當(dāng)?shù)谝换?10是導(dǎo)體時，可以在其表面形成絕緣膜，可以通過接合劑314謀求與半導(dǎo)體芯片300的電絕緣。
另外，把具有避開半導(dǎo)體芯片300的形狀(例如具有孔322)的第二基板320安裝在第一基板310上。在孔322內(nèi)側(cè)可以配置第一基板310的凸部312。第一和第二基板310、320可以由接合劑314接合。第二基板(例如玻璃和陶瓷基板)320的熱膨脹系數(shù)可以比第一基板(例如金屬板)更接近半導(dǎo)體芯片300的熱膨脹系數(shù)。第一基板310可以是散熱板。
在孔322的內(nèi)側(cè)可以填充樹脂316。這樣，如圖22B所示，在孔322內(nèi)，可以通過樹脂316形成樹脂層。
如圖22C所示，在第二基板320和半導(dǎo)體芯片300的上方形成第一導(dǎo)電層220，使它與半導(dǎo)體芯片的電極302導(dǎo)通。此后的工序與實(shí)施例3中說明的內(nèi)容相同，所以省略了說明。這樣，就能制造半導(dǎo)體器件。其結(jié)構(gòu)具有能從上述的制造方法導(dǎo)出的內(nèi)容。在本實(shí)施例中，能實(shí)現(xiàn)實(shí)施例1中說明的效果。在本實(shí)施例中，能應(yīng)用在其他實(shí)施中說明了的內(nèi)容。另外，能在其他實(shí)施中應(yīng)用本實(shí)施例的內(nèi)容。
(實(shí)施例5)圖23是說明本發(fā)明實(shí)施例5的布線基板的圖。在本實(shí)施例中，基板400具有絕緣部(例如由陶瓷、環(huán)氧或聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成的部分)402、貫通絕緣部402的導(dǎo)電部(例如由金屬構(gòu)成的部分)404。導(dǎo)電部404的從絕緣部402的露出面可以是凸臺的形狀。
在絕緣部402和導(dǎo)電部404上形成第一導(dǎo)電層410，使其與導(dǎo)電部404電導(dǎo)通。例如在導(dǎo)電部404上形成柱412，通過其上形成第一導(dǎo)電層410。此后的工序與實(shí)施例1～4中說明的內(nèi)容對應(yīng)。即在第一導(dǎo)電層410上疊層絕緣層和導(dǎo)電層，形成高密度的布線結(jié)構(gòu)。
然后，如圖24所示，把半導(dǎo)體芯片420電連接在焊盤430上。這樣就能制造半導(dǎo)體器件。如果必要，可以在半導(dǎo)體芯片420上安裝散熱板440。另外，在導(dǎo)電部404上可以設(shè)置焊錫球等焊料450。在本實(shí)施例中，能實(shí)現(xiàn)實(shí)施例1中說明的效果。在本實(shí)施例中，能應(yīng)用在其他實(shí)施中說明了的內(nèi)容。另外，能在其他實(shí)施中應(yīng)用本實(shí)施例的內(nèi)容。
(實(shí)施例6)圖25A～25B是說明本發(fā)明實(shí)施例6的布線基板的圖。在本實(shí)施例中，如圖25A所示，在基板(金屬板、玻璃基板或抗蝕劑膜)500上形成第一導(dǎo)電層510，在其上疊層絕緣層和導(dǎo)電層，形成高密度的布線結(jié)構(gòu)。具體而言，如實(shí)施例1～5所述。
然后，如圖25B所示，從第一導(dǎo)電層510(具體而言，從包含第一導(dǎo)電層的疊層基板)剝離基板500。在該布線基板上設(shè)置半導(dǎo)體芯片，就能制造半導(dǎo)體器件。在本實(shí)施例中，能應(yīng)用在其他實(shí)施中說明了的內(nèi)容。另外，能在其他實(shí)施中應(yīng)用本實(shí)施例的內(nèi)容。
(實(shí)施例7)圖26A～26C是說明本發(fā)明實(shí)施例7的半導(dǎo)體器件制造方法的圖。在本實(shí)施例中，如圖26A所示，在形成了多個集成電路602的半導(dǎo)體芯片600上，與電極604導(dǎo)通形成第一導(dǎo)電層610，在其上疊層絕緣層和導(dǎo)電層，形成高密度的布線結(jié)構(gòu)。具體而言，如實(shí)施例1～5所述。
然后，如圖26B所示，切斷半導(dǎo)體片600。如圖26A所示，能制造半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件具有半導(dǎo)體芯片630、在其上疊層絕緣層和導(dǎo)電層而形成的高密度布線結(jié)構(gòu)、焊料620。在本實(shí)施例中，能實(shí)現(xiàn)實(shí)施例1中說明的效果。在本實(shí)施例中，能應(yīng)用在其他實(shí)施中說明了的內(nèi)容。另外，能在其他實(shí)施中應(yīng)用本實(shí)施例的內(nèi)容。
(實(shí)施例8)圖27A～圖27B是說明能在本發(fā)明實(shí)施例中應(yīng)用的電子元件的制造方法的圖。電子元件能形成在形成第一導(dǎo)電層的面、絕緣層或第二絕緣層的任意一個之上。
本實(shí)施例的電子元件的制造方法包含噴出包含材料微顆粒的溶劑液滴，分別形成構(gòu)成一個電子元件的多個元件。例如，如圖27A和圖27B所示，形成第一、第二和第三層701、702和703。第一、第二和第三層701、702和703可以疊層形成，也可以相鄰形成。
在形成電容器時，用導(dǎo)體形成第一和第三層701、703，用絕緣體形成第二層702。當(dāng)用金形成第一和第三層701、703時，能使用真空冶金株式會社的“完美金(perfect gold)”，當(dāng)用銀形成時，可以使用同一公司的“完美銀(perfect silver)”。作為用于形成第二層702的絕緣性材料，有SiO2和AL2O3、介質(zhì)SrTiO3、BaTiO3、Pb(Zr、Ti)O3等。作為溶劑，列舉出環(huán)己烷、卡必醇乙酸酯。作為濕潤劑或粘合劑，按照必要，可以加上丙三醇、二甘醇、乙二醇酯等。另外，作為包含絕緣性材料的流動體，可以使用聚硅氮烷或包含絕緣體材料的烴氧基金屬。這時，能通過加熱或化學(xué)反應(yīng)等，形成絕緣體材料。第二層702的寬度、長度和絕緣性材料的介電常數(shù)按照形成的電容器的電容決定。通過成為對置電極的第一和第三層701、703的面積和間隙以及第二層702的介電常數(shù)決定電容器的電容。當(dāng)?shù)谝?、第二或第三?01、702、703的厚度厚時，再向暫時凝固的層上噴出同一流體，使其凝固而進(jìn)行疊層。
第一、第二和第三層701、702和703的至少一個是電阻。作為電阻材料，列舉出導(dǎo)電性粉末和絕緣性粉末的混合、Ni-Cr、Cr-SiO2、Cr-MgF、Au-SiO2、AuGgF、PtTa2O5、AuTa2O5Ta2、Cr3Si、TaSi2，作為溶劑，列舉出PGMEA、環(huán)己烷、卡必醇乙酸酯。作為濕潤劑或粘合劑，按照必要，可以加上丙三醇、二甘醇、乙二醇酯等。另外，作為包含絕緣性材料的流動體，可以使用聚硅氮烷或包含絕緣體材料的烴氧基金屬。這時，能通過加熱或化學(xué)反應(yīng)等，形成絕緣體材料。按照想形成的電阻的電阻值，決定電阻材料。此外，按照想形成的電阻的電阻值，決定電阻膜的寬度、高度和長度。因?yàn)殡娮璧碾娮柚蹬c長度成比例，與截面積成反比。
或者，用電阻材料形成實(shí)施例1中說明的第一導(dǎo)電層20的一部分。另外，也能形成二極管和晶體管。這時，噴出包含導(dǎo)電性材料微顆粒的溶劑液滴，形成第一、第二和第三層701、702、703。
圖28中表示了安裝了上述的任意實(shí)施例中說明的半導(dǎo)體器件1的電路板1000。作為具有半導(dǎo)體器件的電子儀器，在圖29中表示了筆記本型個人電腦2000，在圖30中表示了移動電話3000。
本發(fā)明并不局限于上述的實(shí)施例，能有各種變形。例如，本發(fā)明包含與實(shí)施例中說明的結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上同一的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法以及結(jié)果同一的結(jié)構(gòu)、或者目的以及結(jié)果同一的結(jié)構(gòu))。另外，本發(fā)明包含置換了實(shí)施例中說明的結(jié)構(gòu)的非本質(zhì)的部分的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明包含能實(shí)現(xiàn)與實(shí)施例中說明的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生同一作用效果的結(jié)構(gòu)或?qū)崿F(xiàn)統(tǒng)一目的的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明包含在實(shí)施例中說明的結(jié)構(gòu)上附加了眾所周知的技術(shù)的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種布線基板的制造方法，其特征在于包括形成第一導(dǎo)電層；形成絕緣層，使至少其一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層上；形成第二導(dǎo)電層，使至少其一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層上方的所述絕緣層上；通過噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，來形成所述第一和第二導(dǎo)電層，通過噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，來形成所述絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板的制造方法，其特征在于形成所述第二導(dǎo)電層，使其一部分與所述第一導(dǎo)電層的一部分電導(dǎo)通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板的制造方法，其特征在于在所述第一導(dǎo)電層上和所述第一導(dǎo)電層的鄰接區(qū)域中形成所述絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的布線基板的制造方法，其特征在于由多層形成所述絕緣層；在形成所述第一導(dǎo)電層的區(qū)域的鄰接區(qū)域形成所述絕緣層的下層；在所述第一導(dǎo)電層和所述所述絕緣層的下層上形成所述絕緣層的上層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的布線基板的制造方法，其特征在于在形成了所述第一導(dǎo)電層后，形成所述絕緣層的下層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的布線基板的制造方法，其特征在于在形成了所述絕緣層的下層后，形成所述第一導(dǎo)電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任意一項(xiàng)所述的布線基板的制造方法，其特征在于還包含在所述第一導(dǎo)電層上噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成一個或一個以上的柱；避開形成所述柱的區(qū)域，形成所述絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的布線基板的制造方法，其特征在于形成所述絕緣層，使其上表面至少與1個所述柱的上表面的高度基本相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的布線基板的制造方法，其特征在于形成所述第二導(dǎo)電層，使其通過至少一個所述柱上。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的布線基板的制造方法，其特征在于避開至少一個所述柱，形成所述第二導(dǎo)電層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的布線基板的制造方法，其特征在于還包括形成第二絕緣層，使至少其一部被分配置在所述第二導(dǎo)電層上；形成第三導(dǎo)電層，使至少其一部分被配置在所述第二導(dǎo)電層的上方的所述第二絕緣層上；通過噴出包含導(dǎo)電性材料微顆粒的溶劑液滴，形成所述第三導(dǎo)電層，通過噴出絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第二絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的布線基板的制造方法，其特征在于至少避開一個所述柱的區(qū)域，形成所述第二絕緣層；形成所述第三導(dǎo)電層，使其通過至少一個所述柱上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的布線基板的制造方法，其特征在于用多個工序形成至少一個所述柱。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的布線基板的制造方法，其特征在于還包含形成一個或一個以上的電子元件；通過噴出包含材料微顆粒的溶劑液滴，分別形成構(gòu)成一個所述電子元件的多個元件。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的布線基板的制造方法，其特征在于各所述電子元件是電容器、電阻、二極管以及晶體管的任意一種。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的布線基板的制造方法，其特征在于在形成所述第一導(dǎo)電層的面上形成至少一個所述電子元件。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的布線基板的制造方法，其特征在于在所述絕緣層上形成至少一個所述電子元件。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的布線基板的制造方法，其特征在于在所述第二絕緣層上形成至少一個所述電子元件。
19.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任意一項(xiàng)所述的布線基板的制造方法，其特征在于在基板上形成所述第一導(dǎo)電層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的布線基板的制造方法，其特征在于所述基板具有凹部，通過所述凹部形成所述第一導(dǎo)電層。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的布線基板的制造方法，其特征在于由絕緣體形成所述基板的至少表面。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的布線基板的制造方法，其特征在于所述基板具有絕緣部、貫通所述絕緣部的導(dǎo)電部；在所述絕緣部和所述導(dǎo)電部，形成與所述導(dǎo)電部電導(dǎo)通的所述第一導(dǎo)電層。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的布線基板的制造方法，其特征在于還包含從所述第一導(dǎo)電層剝離下所述基板。
24.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于包括形成第一導(dǎo)電層；形成絕緣層，使至少其一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層上；形成第二導(dǎo)電層，使至少其一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層上方的所述絕緣層上；通過分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和第二導(dǎo)電層，噴出包含絕緣性微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層，制造布線基板；在所述布線基板上安裝半導(dǎo)體芯片。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于在使所述第一導(dǎo)電層的一部分露出的狀態(tài)下，制造所述布線基板；把所述第一導(dǎo)電層的露出部分和所述半導(dǎo)體芯片電連接。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于電連接所述第一和第二導(dǎo)電層以外的導(dǎo)電層與所述半導(dǎo)體芯片。
27.根據(jù)權(quán)利要求24～26中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于在基板上形成所述第一導(dǎo)電層。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述基板具有凹部，形成所述第一導(dǎo)電層使其通過所述凹部，在所述凹部的區(qū)域內(nèi)安裝所述半導(dǎo)體芯片。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述基板具有絕緣部和貫通所述絕緣部的導(dǎo)電部；在所述絕緣部和所述導(dǎo)電部上，形成與所述導(dǎo)電部電導(dǎo)通的所述第一導(dǎo)電層。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于還包含從所述第一導(dǎo)電層剝離下所述基板的工序。
31.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在基板上設(shè)置半導(dǎo)體芯片，使其設(shè)置有電極的面朝上；在所述基板和所述半導(dǎo)體芯片的上方形成第一導(dǎo)電層，使其與所述半導(dǎo)體芯片的所述電極導(dǎo)通；形成絕緣層，使至少其一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層上；形成第二導(dǎo)電層，使至少其一部分被配置在第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上；通過分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和第二導(dǎo)電層，通過噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述基板具有凹部，在所述凹部的區(qū)域內(nèi)設(shè)置所述半導(dǎo)體芯片。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于還包含通過向設(shè)置了所述半導(dǎo)體芯片的所述凹部填充樹脂，形成樹脂層；形成第一導(dǎo)電層，使其通過所述樹脂層上。
34.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在基板上設(shè)置半導(dǎo)體芯片，使其設(shè)置有電極的面朝上；把具有避開所述半導(dǎo)體芯片的形狀的所述第二基板安裝在所述第一基板上；在所述第二基板和所述半導(dǎo)體芯片的上方形成第一導(dǎo)電層，使其與所述半導(dǎo)體芯片的所述電極導(dǎo)通；形成絕緣層，使至少其一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層上；形成第二導(dǎo)電層，使至少其一部分被配置在第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上；通過分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和第二導(dǎo)電層，通過噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述第二基板的熱膨脹系數(shù)比所述第一基板更接近所述半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)。
36.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在形成了多個集成電路的半導(dǎo)體晶片上形成與其電極導(dǎo)通的第一導(dǎo)電層；形成絕緣層，使至少其一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層上；形成第二導(dǎo)電層，使至少其一部分被配置在第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上；及切斷所述半導(dǎo)體晶片，通過分別噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第一和第二導(dǎo)電層，通過噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述絕緣層。
37.根據(jù)權(quán)利要求31、34以及36中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于形成所述第二導(dǎo)電層，使其一部分與所述第一導(dǎo)電層的一部分電導(dǎo)通。
38.根據(jù)權(quán)利要求31、34以及36中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于在所述第一導(dǎo)電層上和所述第一導(dǎo)電層的鄰接區(qū)域中形成所述絕緣層。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于由多層形成所述絕緣層；在形成所述第一導(dǎo)電層的區(qū)域的相鄰區(qū)域中形成所述絕緣層的下層；在所述第一導(dǎo)電層和所述絕緣層的下層上形成所述絕緣層的上層。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于在形成了所述第一導(dǎo)電層后，形成所述絕緣層的下層。
41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于在形成了所述絕緣層的下層后，形成所述第一導(dǎo)電層。
42.根據(jù)權(quán)利要求31、34以及36中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于還包含通過在所述第一導(dǎo)電層上噴出包含導(dǎo)電層材料的微顆粒的溶劑液滴，形成一個或一個以上的柱；避開形成所述柱的區(qū)域，形成所述絕緣層。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于形成所述絕緣層，使其上表面至少與一個所述柱的上表面的高度基本相同。
44.根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于形成所述第二導(dǎo)電層，使其通過至少一個所述柱上。
45.根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于避開至少一個所述柱，形成所述第二導(dǎo)電層。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于還包含形成第二絕緣層，使至少其一部分被配置在第二導(dǎo)電層上；形成第三導(dǎo)電層，使至少其一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所述第二絕緣層上；通過噴出包含導(dǎo)電性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第三導(dǎo)電層，通過噴出包含絕緣性材料的微顆粒的溶劑液滴，形成所述第二絕緣層。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于至少避開形成一個所述柱的區(qū)域，形成所述第二絕緣層；形成所述第三導(dǎo)電層，使其通過至少一個所述柱上。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于用多道工序形成至少一個所述柱。
49.根據(jù)權(quán)利要求46所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于還包含形成一個或一個以上電子元件；通過噴出包含材料的微顆粒的溶劑液滴，形成構(gòu)成一個所述電子元件的多個元件。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于各所述電子元件是電容器、電阻、二極管、晶體管中的任意一種。
51.根據(jù)權(quán)利要求49所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于在形成所述第一導(dǎo)電層的面上形成至少一個所述電子元件。
52.根據(jù)權(quán)利要求49所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于在所述絕緣層上形成至少一個所述電子元件。
53.根據(jù)權(quán)利要求49所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于在所述第二絕緣層上形成至少一個所述電子元件。
54.一種布線基板，其特征在于采用根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任意一項(xiàng)所述的方法制造而成。
55.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于采用根據(jù)權(quán)利要求24、31、34以及36中的任意一項(xiàng)所述的方法制造而成。
56.一種半導(dǎo)體器件，包括具有凹部的基板；通過所述凹部而形成的第一導(dǎo)電層；至少一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層上的絕緣層；至少一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上的第二導(dǎo)電層；安裝在所述凹部的區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體芯片。
57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片與所述第一導(dǎo)電層電連接。
58.根據(jù)權(quán)利要求56所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片與所述第一以及第二導(dǎo)電層以外的導(dǎo)電層電連接。
59.一種半導(dǎo)體器件，包括具有凹部的基板；在所述基板的具有凹部的區(qū)域內(nèi)設(shè)置半導(dǎo)體芯片，并使其設(shè)有電極的面向上；形成在所述基板和所述半導(dǎo)體芯片的上方，并且與所述半導(dǎo)體芯片的所述電極導(dǎo)通的第一導(dǎo)電層；至少一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層上而形成的絕緣層；至少一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上而形成的第二導(dǎo)電層。
60.根據(jù)權(quán)利要求59所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于還具有在設(shè)置了所述半導(dǎo)體芯片的所述凹部上形成的樹脂層；通過所述樹脂層所形成的所述第一導(dǎo)電層。
61.一種半導(dǎo)體器件，包括第一基板；使其設(shè)有電極的面朝上地設(shè)置在第一基板上的半導(dǎo)體芯片；具有避開所述半導(dǎo)體芯片的形狀，安裝在所述第一基板上的第二基板；通過所述半導(dǎo)體芯片的所述電極，在所述第二基板和所述半導(dǎo)體芯片的上方形成的第一導(dǎo)電層；至少一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層上而形成的絕緣層；至少一部分被配置在所述第一導(dǎo)電層的上方的所述絕緣層上而形成的第二導(dǎo)電層。
62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述第二基板的熱膨脹系數(shù)比所述第一基板更接近所述半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)。
63.一種電路板，其特征在于安裝有權(quán)利要求55所述的半導(dǎo)體器件。
64.一種電路板，其特征在于安裝有權(quán)利要求56、59以及61中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件。
65.一種電子儀器，其特征在于具有權(quán)利要求55所述的半導(dǎo)體器件。
66.一種電子儀器，其特征在于具有權(quán)利要求56、59以及61中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件。
全文摘要
一種布線基板及半導(dǎo)體器件及其制造方法。形成第一導(dǎo)電層(20)，使至少其一部分被配置在第一導(dǎo)電層(20)上。形成第二導(dǎo)電層(40)，使至少其一部分被配置在第一導(dǎo)電層(20)的上方的絕緣層(26)上。通過分別噴出包含導(dǎo)電性材料微顆粒的溶劑液滴，形成第一和第二導(dǎo)電層(20、40)。通過噴出包含絕緣性材料微顆粒的溶劑液滴，形成絕緣層(26)。
文檔編號H05K3/46GK1479567SQ0314754
公開日2004年3月3日 申請日期2003年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月23日
發(fā)明者大 哲也, 大槻哲也 申請人:精工愛普生株式會社