專利名稱：一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件，還涉及該器件的制備方法，屬于電子半導(dǎo)體元器件技術(shù)領(lǐng)域。
通常透明電極的圖案布線由光刻技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。金屬電極的圖案布線采用金屬掩膜蒸鍍的方法或光刻的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。但是在金屬電極的圖案布線中金屬掩膜板的制作工藝復(fù)雜、成本高，線條不易做細(xì)，在器件實(shí)現(xiàn)高分辨率上存在困難。同時(shí)金屬掩膜板與有機(jī)膜接觸容易破壞有機(jī)功能層，造成透明電極與金屬電極之間的短路。若用光刻的方法進(jìn)行金屬布線，又會(huì)存在以下幾個(gè)問題①光刻膠的烘烤溫度(如120℃)會(huì)使有機(jī)膜受到破壞；②光刻膠的溶劑、顯影液、腐蝕液會(huì)損壞有機(jī)膜；③若采用干法刻蝕，其中的粒子流會(huì)擊壞有機(jī)膜。
以上這些破壞因素都會(huì)使器件性能劣化。
歐洲專利EP0732868B1(公告日2000年5月24日)采用單層隔離柱技術(shù)進(jìn)行金屬電極的圖案布線。器件結(jié)構(gòu)如

圖1所示在透明基板1上淀積透明導(dǎo)電薄膜2，將透明導(dǎo)電薄膜2光刻出一組相互平行的陣列。在透明導(dǎo)電薄膜2上旋轉(zhuǎn)涂覆(以下簡(jiǎn)稱旋涂)光刻膠，將光刻膠光刻出與透明導(dǎo)電膜2相正交的多個(gè)平行的直線條。然后通過(guò)一定的工藝處理使得直線條的橫截面形成上大下小的倒梯形形狀(若是正型光刻膠，通過(guò)在C6H5Cl溶液中浸泡的方法使圖形形成倒梯形形狀；若是負(fù)型光刻膠，通過(guò)曝光后烘烤，即中烘工藝使圖形形成倒梯形形狀)，此具有倒梯形形狀橫截面的直線條就是器件的單層隔離柱(陰極隔壁)4。在帶有單層隔離柱4的基板上繼續(xù)淀積有機(jī)功能層5和金屬層6，由于陰影效應(yīng)，在隔離柱的側(cè)表面不形成連續(xù)的金屬薄膜，確保了相鄰象素之間的電絕緣，金屬層6被有效地分割開。但是這種方案有以下缺點(diǎn)(1)隔離柱4是由一層絕緣物質(zhì)構(gòu)成，4的橫截面具有上大下小的倒梯形形狀，在淀積了有機(jī)功能層5和金屬層6之后，部分金屬層6有可能越過(guò)有機(jī)層5落入單層隔離柱4下邊與有機(jī)層5之間的透明導(dǎo)電薄膜2上(如圖2所示)，造成該象素點(diǎn)短路、不發(fā)光；(2)單層隔離柱4只能在與透明電極2相垂直的方向平行分布，在分隔金屬電極6的同時(shí)降低了金屬線條之間的反向抑制電壓，但是無(wú)法降低第一透明電極之間的反向抑制電壓，使得器件的功耗較高；(3)在隔離柱材料中摻入黑色染料可以提高器件發(fā)光時(shí)的對(duì)比度，由于單層隔離柱4只能在與透明電極2相垂直的方向平行分布，而無(wú)法在與透明電極2相平行的方向平行分布，所以無(wú)法明顯地提高器件的對(duì)比度。
美國(guó)專利申請(qǐng)US20020008467A1(
公開日2002年1月24日)針對(duì)單層隔離柱存在的上述問題采用一種雙層隔離柱技術(shù)進(jìn)行金屬電極的圖案布線，如圖3所示，該雙層隔離柱由具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的橫截面為正梯形形狀的絕緣基座3和橫截面為倒梯形形狀的陰極隔壁4兩部分組成。該隔離柱制備工藝過(guò)程如下先在制備好第一電極的透明基板上涂覆一層光刻膠并前烘，此光刻膠可以是正型novolac光刻膠、負(fù)型環(huán)化橡膠、化學(xué)增幅型樹脂，優(yōu)選為正型novolac光刻膠；將第一層光刻膠曝光、顯影成網(wǎng)狀圖案；烘烤第一層光刻膠使其不受第二層光刻膠制備過(guò)程的影響；涂覆第二層負(fù)型光刻膠并前烘；通過(guò)曝光、中烘和顯影使其線條橫截面形成倒梯形的陰極隔壁圖案；高溫烘烤使隔離柱完全固化，并去除水分和溶劑。但是該方案仍存在下述缺點(diǎn)①先形成絕緣基座3的圖案，再以相同方法形成上面一層陰極隔壁4的圖案，工藝復(fù)雜，工序較多，而且器件發(fā)光區(qū)域的第一電極表面先后受到兩層光刻膠的污染，不利于器件整體性能和成品率的提高；②陰極隔壁4的橫截面為上大下小的倒梯形形狀，由于其倒梯形傾斜角度的限制，只有垂直蒸鍍有機(jī)功能層，并斜蒸金屬層，才能使金屬層完全包覆有機(jī)功能層邊緣，但有機(jī)功能層的蒸鍍角度在70°左右才能使有機(jī)薄膜具有較好的均勻性，陰極隔壁4橫截面的這種形狀無(wú)法同時(shí)保證有機(jī)功能層的蒸鍍均勻性和金屬層完全包覆有機(jī)功能層邊緣的目的，可以說(shuō)這種陰極隔壁4的隔離效果較差，還不夠優(yōu)化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，從而有效地分割第二電極，提高器件的性能。
本發(fā)明的另一目的是提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，改進(jìn)以往隔離柱制備工藝中存在的工藝復(fù)雜、成品率低、成本高等缺點(diǎn)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，由一組彼此平行的第一電極與一組與第一電極垂直的彼此平行的第二電極構(gòu)成X-Y二維尋址矩陣，該器件具有多個(gè)象素，每個(gè)象素包括第一電極和第二電極以及夾在所述兩個(gè)電極之間的有機(jī)功能層，在所述第一電極圖形上具有一組與第一電極圖形相垂直的相互平行且分割開的具有絕緣性的雙層隔離柱，其中隔離柱第一層的圖形為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或條狀結(jié)構(gòu)，線條的橫截面具有上小下大的形狀，隔離柱第二層的線條在隔離柱第一層的線條上且位置居中，其特征在于隔離柱第二層線條的橫截面為上大下小的形狀，其斜邊具有兩個(gè)漸次內(nèi)收的角度α、β，并且α＞β。
上述技術(shù)方案的特征還在于其中所述的α角為45°～80°，所述的β角為20°～60°。
上述技術(shù)方案的特征還在于其中所述的隔離柱第一層、第二層的材料均為光敏型有機(jī)絕緣材料，并且所述的第二層有機(jī)絕緣材料為在涂覆、曝光、顯影時(shí)均不影響所述的第一層有機(jī)絕緣材料光敏性和均勻性的材料；所述的隔離柱第一層的材料一般為光敏型聚酰亞胺(polyimide，以下簡(jiǎn)稱PI)、正型novolac光刻膠、負(fù)型環(huán)化橡膠、化學(xué)增幅型光刻膠中的一種，經(jīng)過(guò)優(yōu)選為光敏型PI；所述的隔離柱第二層的材料一般為光刻后線條橫截面能形成上大下小倒梯形形狀的光刻膠中的一種，經(jīng)過(guò)優(yōu)選為負(fù)型光刻膠。
本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件中雙層隔離柱的第二層線條橫截面的斜邊具有兩個(gè)漸次內(nèi)收的角度α、β，因?yàn)棣陆堑拇嬖谑沟媒饘俦畴姌O的蒸鍍角度和蒸鍍厚度的寬容性大大增加，而且通過(guò)使用有機(jī)功能層和金屬背電極不同的的蒸鍍角度，可以實(shí)現(xiàn)背電極對(duì)有機(jī)功能層的完全包覆，避免了比金屬層更易受水、氧侵蝕的有機(jī)功能層邊緣暴露在背電極外，從而提高器件的壽命和發(fā)光均勻性。
本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件中雙層隔離柱可更有效分割第二電極，器件發(fā)光均勻，壽命也得到了提高。
本發(fā)明的另一個(gè)技術(shù)方案是提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該方法包括以下步驟①在透明基板上淀積透明導(dǎo)電薄膜作為器件的第一電極，將第一電極光刻出一組相互平行且分割開的直線條；②在上述第一電極圖形上涂覆第一層有機(jī)絕緣材料，前烘后曝光，曝光圖形為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或條狀結(jié)構(gòu)；③在上述第一層經(jīng)過(guò)曝光的有機(jī)絕緣材料上涂覆第二層有機(jī)絕緣材料，前烘后對(duì)第二層有機(jī)絕緣材料進(jìn)行套刻曝光，曝光圖形為與第一電極圖形相垂直的一組相互平行且分割開的直線條，線寬比第一層線條寬度略窄且在其上位置居中；④對(duì)上述兩層經(jīng)過(guò)曝光的有機(jī)絕緣層進(jìn)行自上而下的濕法顯影，顯影后隔離柱第一層線條的橫截面形成上小下大的形狀，隔離柱第二層線條的橫截面形成上大下小的形狀，其斜邊具有兩個(gè)漸次內(nèi)收的角度α、β，并且α＞β，烘烤使上述兩層隔離柱完全固化；⑤在上述具有雙層隔離柱和第一電極的圖形上繼續(xù)淀積有機(jī)功能層；⑥在上述有機(jī)功能層之上繼續(xù)淀積金屬層作為器件的第二電極。
本發(fā)明的又一個(gè)技術(shù)方案是提供另一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該方法包括以下步驟①在透明基板上淀積透明導(dǎo)電薄膜作為器件的第一電極，將第一電極光刻出一組相互平行且分割開的直線條；②在上述第一電極圖形上涂覆第一層有機(jī)絕緣材料，前烘但不曝光；③在上述第一層有機(jī)絕緣材料上涂覆第二層有機(jī)絕緣材料，前烘后對(duì)第二層有機(jī)絕緣材料進(jìn)行曝光，曝光圖形為與第一電極圖形相垂直的一組相互平行且分割開的直線條，濕法顯影使第二層形成橫截面具有上大下小形狀的線條；④對(duì)上述第一層有機(jī)絕緣材料進(jìn)行套刻曝光，曝光圖形為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或條狀結(jié)構(gòu)，線寬比第二層的寬度略寬，濕法顯影后隔離柱第一層線條的橫截面形成上小下大的形狀，隔離柱第二層線條橫截面的斜邊具有兩個(gè)漸次內(nèi)收的角度α、β，并且α＞β，烘烤使上述兩層隔離柱完全固化；⑤在上述具有雙層隔離柱和第一電極的圖形上繼續(xù)淀積有機(jī)功能層；⑥在上述有機(jī)功能層之上繼續(xù)淀積金屬層作為器件的第二電極。
本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)工藝簡(jiǎn)單，只是最后才對(duì)雙層隔離柱進(jìn)行高溫烘烤，與US20020008467A1提出的技術(shù)方案相比，縮短了工藝流程，制備雙層隔離柱的時(shí)間縮短了10～30％，
可以大大提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本；(2)工序少，相應(yīng)的節(jié)約了設(shè)備投資成本和生產(chǎn)管理成本，更適用于在國(guó)內(nèi)建設(shè)投資規(guī)模不大、生產(chǎn)靈活的生產(chǎn)線；(3)連續(xù)涂覆兩層有機(jī)絕緣材料，而且在制備雙層隔離柱過(guò)程中第二層隔離柱絕緣物質(zhì)不接觸發(fā)光區(qū)域的第一電極表面，使隔離柱制備過(guò)程對(duì)發(fā)光區(qū)域的污染減到最小，有利于提高器件整體性能，成品率很容易達(dá)到高水平；(4)由此工藝方法制備的隔離柱第二層線條的橫截面斜邊具有兩個(gè)漸次內(nèi)收的角度α、β，因?yàn)棣陆堑拇嬖谑沟媒饘俦畴姌O的蒸鍍角度和蒸鍍厚度的寬容性大大增加，而且通過(guò)使用有機(jī)功能層和金屬背電極不同的的蒸鍍角度，可以實(shí)現(xiàn)背電極對(duì)有機(jī)功能層的完全包覆，避免了比金屬層更易受水、氧侵蝕的有機(jī)功能層邊緣暴露在背電極外，從而提高器件的壽命和發(fā)光均勻性。
本發(fā)明提供的制備方法是通過(guò)兩次涂覆有機(jī)絕緣薄膜、兩次曝光、自上而下顯影、同時(shí)高溫固化制備雙層隔離柱的工藝方法，工藝簡(jiǎn)單、設(shè)備投資和生產(chǎn)成本低、成品率高。
由此方法制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的第二電極可以被雙層隔離柱有效地分割開，器件發(fā)光均勻，壽命也得到了提高。
下面結(jié)合附圖通過(guò)具體實(shí)施方式
、實(shí)施例加以說(shuō)明，本發(fā)明可變得更加清楚。
圖2是背景技術(shù)EP0732868B1中提出有機(jī)電致發(fā)光器件的第一電極和第二電極短路時(shí)的結(jié)構(gòu)剖面圖。
圖3是背景技術(shù)US20020008467A1提出的的有機(jī)電致發(fā)光器件的俯視圖。
圖4是本發(fā)明中有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖。
圖5-1a～圖5-3是本發(fā)明中制備有機(jī)電致發(fā)光器件的雙層隔離柱的制備示意圖(和優(yōu)選制備方法1的步驟②～④一致)。
圖6-1～圖6-3b是本發(fā)明中制備有機(jī)電致發(fā)光器件的雙層隔離柱的制備示意圖(和優(yōu)選制備方法2的步驟②～④一致)。
上述圖1～圖6中，1是透明基板，2是第一電極(陽(yáng)極)，3是背景技術(shù)中雙層隔離柱的第一層(絕緣基座)，4是背景技術(shù)中的單層隔離柱或背景技術(shù)中雙層隔離柱的第二層(陰極隔壁)，5是有機(jī)功能層，6是第二電極(陰極)，7是本發(fā)明雙層隔離柱的第一層(絕緣基座)，8是本發(fā)明雙層隔離柱的第二層(陰極隔壁)，9是曝光用掩膜板1，10是曝光用掩膜板2，圖5、6中垂直向下的箭頭表示用UV光對(duì)有機(jī)絕緣層進(jìn)行曝光。
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
詳細(xì)闡述本發(fā)明的內(nèi)容，應(yīng)該理解本發(fā)明并不局限于下述優(yōu)選實(shí)施方式，優(yōu)選實(shí)施方式僅僅作為本發(fā)明的說(shuō)明性實(shí)施方案。
結(jié)合附圖5，本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光器件的優(yōu)選制備方法1詳細(xì)闡述如下(說(shuō)明OLEDs的整個(gè)制備過(guò)程均在凈化車間實(shí)施)①在透明基板1上濺射透明導(dǎo)電薄膜作為器件的第一電極2，將第一電極2光刻出一組相互平行且分割開的直線條，其中透明基板1可以是玻璃或者塑料(柔性基板)，第一電極2材料一般為ITO、氧化鋅、氧化錫鋅等金屬氧化物或金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬，最優(yōu)化的選擇為ITO；②在上述第一電極2圖形上旋涂第一層光敏型有機(jī)絕緣材料，膜厚為0.5～5μm，一般為光敏型PI、正型novolac光刻膠、負(fù)型環(huán)化橡膠、化學(xué)增幅型光刻膠中的一種，經(jīng)過(guò)優(yōu)選為光敏型PI，前烘后曝光，曝光圖形為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(只暴露出器件象素點(diǎn)的發(fā)光區(qū)域和引線連接區(qū))或條狀結(jié)構(gòu)(一組與第一電極2圖形相垂直的相互平行且分割開的直線條)，線條的寬度由顯示分辨率即象素之間的間隔所決定，線寬為10～50μm；③在上述第一層經(jīng)過(guò)曝光的有機(jī)絕緣材料上旋涂第二層光敏型有機(jī)絕緣材料，膜厚為0.5～5μm，一般為光刻后線條橫截面能形成上大下小倒梯形形狀的光刻膠中的一種，經(jīng)過(guò)優(yōu)選為負(fù)型光刻膠，前烘后對(duì)第二層有機(jī)絕緣材料進(jìn)行套刻曝光，曝光圖形為與第一電極2圖形相垂直的一組相互平行且分割開的直線條，線寬比第一層線條寬度略窄且在其上位置居中，線寬為5～45μm，若使用須經(jīng)中烘的光刻膠還要進(jìn)行中烘；④對(duì)上述兩層經(jīng)過(guò)曝光的有機(jī)絕緣材料層進(jìn)行自上而下的濕法顯影，優(yōu)選顯影液為兩層有機(jī)絕緣材料所用相同，若不相同則自上而下依次顯影，顯影后絕緣基座7線條的橫截面形成上小下大的形狀，陰極隔壁8線條的橫截面形成上大下小的形狀，其斜邊具有兩個(gè)漸次內(nèi)收的角度α、β，并且α＞β，高溫烘烤使絕緣基座7和陰極隔壁8完全固化，烘烤溫度為150～350℃；⑤在上述具有雙層隔離柱和第一電極2的圖形上繼續(xù)淀積有機(jī)功能層6，有機(jī)功能層可以為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，為單層結(jié)構(gòu)時(shí)由有機(jī)電致發(fā)光材料組成，可為金屬配合物或有機(jī)共軛聚合物等，金屬配合物如Alq3等，有機(jī)共軛聚合物材料主要包括聚乙炔、PEDOT、聚咔唑及其衍生物的有機(jī)共軛聚合物，如PPV等；為多層結(jié)構(gòu)時(shí)包括一個(gè)發(fā)光層和至少包括空穴傳輸層或電子傳輸層中的一層，其中發(fā)光層由有機(jī)電致發(fā)光材料組成，可為金屬配合物或有機(jī)共軛聚合物等，空穴傳輸層的材料主要為三苯胺類化合物，如NPB、TPD、MTDATA等，電子傳輸層的材料可為金屬配合物，如Alq3等；⑥在上述有機(jī)功能層5之上繼續(xù)蒸鍍金屬層作為器件的第二電極6，金屬層一般為鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬，或它們與銅、金、銀的合金。
結(jié)合附圖6，本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光器件的優(yōu)選制備方法2詳細(xì)闡述如下(說(shuō)明OLEDs的整個(gè)制備過(guò)程均在凈化車間實(shí)施)①同優(yōu)選制備方法1；②在上述第一電極2圖形上旋涂第一層光敏型有機(jī)絕緣材料，膜厚為0.5～5μm，一般為光敏型PI、正型novolac光刻膠、負(fù)型環(huán)化橡膠、化學(xué)增幅型光刻膠中的一種，經(jīng)過(guò)優(yōu)選為光敏型PI，前烘但不曝光；
③在上述第一層有機(jī)絕緣材料上旋涂第二層光敏型有機(jī)絕緣材料，膜厚為0.5～5μm，一般為光刻后線條橫截面能形成上大下小倒梯形形狀的光刻膠中的一種，經(jīng)過(guò)優(yōu)選為負(fù)型光刻膠，前烘后對(duì)第二層有機(jī)絕緣材料進(jìn)行曝光，曝光圖形為與第一電極2圖形相垂直的一組相互平行且分割開的直線條，線寬為5～45μm，若使用須經(jīng)中烘的光刻膠還要進(jìn)行中烘，濕法顯影使第二層形成橫截面具有上大下小形狀的線條；④對(duì)上述第一層絕緣材料進(jìn)行套刻曝光，曝光圖形為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(只暴露出器件象素點(diǎn)的發(fā)光區(qū)域和引線連接區(qū))或條狀結(jié)構(gòu)(一組與第一電極2圖形相垂直的相互平行且分割開的直線條)，線寬比陰極隔壁8線條寬度略寬，為10～50μm，濕法顯影后絕緣基座7線條的橫截面形成上小下大的形狀，陰極隔壁8線條橫截面的斜邊具有兩個(gè)漸次內(nèi)收的角度α、β，并且α＞β，高溫烘烤使絕緣基座7和陰極隔壁8完全固化，烘烤溫度為150～350℃；⑤同優(yōu)選制備方法1；⑥同優(yōu)選制備方法1。
盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例和附圖，尤其是隔離柱第二層8線條橫截面的形狀并不局限于附圖4～6中所示，只要斜邊具有兩個(gè)漸次內(nèi)進(jìn)的角度即可，還有本發(fā)明提出的有機(jī)電致發(fā)光器件的雙隔離柱結(jié)構(gòu)還可通過(guò)其他方法制備。應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明構(gòu)思的引導(dǎo)下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可進(jìn)行各種修改和改進(jìn)，所附權(quán)利要求概括了本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，由一組彼此平行的第一電極(2)與一組與第一電極(2)垂直的彼此平行的第二電極(6)構(gòu)成X-Y二維尋址矩陣，其具有多個(gè)象素，每個(gè)象素包括第一電極(2)和第二電極(6)以及夾在所述兩個(gè)電極之間的有機(jī)功能層(5)，在所述第一電極(2)圖形上具有一組與第一電極圖形相垂直的相互平行且分割開的具有絕緣性的雙層隔離柱，其中隔離柱第一層(7)的圖形為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或條狀結(jié)構(gòu)，線條的橫截面具有上小下大的形狀，隔離柱第二層(8)的線條在隔離柱第一層(7)的線條上且位置居中，其特征在于隔離柱第二層(8)線條的橫截面為上大下小的形狀，其斜邊具有兩個(gè)漸次內(nèi)收的角度α、β，并且α＞β。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的α角為45°～80°，所述的β角為20°～60°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的雙層隔離柱第一層(7)、第二層(8)的材料均為光敏型有機(jī)絕緣材料，并且所述的第二層有機(jī)絕緣材料為在涂覆、曝光、顯影時(shí)均不影響所述的第一層有機(jī)絕緣材料光敏性和均勻性的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的隔離柱第一層(7)的材料為光敏型聚酰亞胺、正型novolac光刻膠、負(fù)型環(huán)化橡膠、化學(xué)增幅型光刻膠中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的隔離柱第二層(8)的材料為光刻后線條橫截面能形成上大下小倒梯形形狀的光刻膠中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的隔離柱第一層(7)的材料為光敏型聚酰亞胺，所述的隔離柱第二層(8)的材料為負(fù)型光刻膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的有機(jī)功能層為單層結(jié)構(gòu)或?yàn)槎鄬咏Y(jié)構(gòu)。
8.一種制備權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法包括以下步驟①在透明基板(1)上淀積透明導(dǎo)電薄膜作為器件的第一電極(2)，將第一電極(2)光刻出一組相互平行且分割開的直線條；②在上述第一電極(2)圖形上涂覆第一層有機(jī)絕緣材料，前烘后曝光，曝光圖形為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或條狀結(jié)構(gòu)；③在上述第一層經(jīng)過(guò)曝光的有機(jī)絕緣材料上涂覆第二層有機(jī)絕緣材料，前烘后對(duì)第二層有機(jī)絕緣材料進(jìn)行套刻曝光，曝光圖形為與第一電極(2)圖形相垂直的一組相互平行且分割開的直線條，線寬比第一層線條寬度略窄且在其上位置居中；④對(duì)上述兩層經(jīng)過(guò)曝光的有機(jī)絕緣材料層進(jìn)行自上而下的濕法顯影，顯影后隔離柱第一層(7)線條的橫截面形成上小下大的形狀，隔離柱第二層(8)線條的橫截面形成上大下小的形狀，其斜邊具有兩個(gè)漸次內(nèi)收的角度α、β，并且α＞β，烘烤使上述兩層隔離柱完全固化；⑤在上述具有雙層隔離柱和第一電極(2)的圖形上繼續(xù)淀積有機(jī)功能層(5)；⑥在上述有機(jī)功能層(5)之上繼續(xù)淀積金屬層作為器件的第二電極(6)。
9.一種制備權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法包括以下步驟①在透明基板(1)上淀積透明導(dǎo)電薄膜作為器件的第一電極(2)，將第一電極(2)光刻出一組相互平行且分割開的直線條；②在上述第一電極(2)圖形上涂覆第一層有機(jī)絕緣材料，前烘但不曝光；③在上述第一層有機(jī)絕緣材料上涂覆第二層有機(jī)絕緣材料，前烘后對(duì)第二層有機(jī)絕緣材料進(jìn)行曝光，曝光圖形為與第一電極(2)圖形相垂直的一組相互平行且分割開的直線條，濕法顯影使第二層形成橫截面具有上大下小形狀的線條；④對(duì)上述第一層有機(jī)絕緣材料進(jìn)行套刻曝光，曝光圖形為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或條狀結(jié)構(gòu)，線寬比第二層的寬度略寬，濕法顯影后隔離柱第一層(7)線條的橫截面形成上小下大的形狀，隔離柱第二層(8)線條橫截面的斜邊具有兩個(gè)漸次內(nèi)收的角度α、β，并且α＞β，烘烤使上述兩層隔離柱完全固化；⑤在上述具有雙層隔離柱和第一電極(2)的圖形上繼續(xù)淀積有機(jī)功能層(5)；⑥在上述有機(jī)功能層(5)之上繼續(xù)淀積金屬層作為器件的第二電極(6)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟④中所述濕法顯影后烘烤使上述兩層隔離柱完全固化的烘烤溫度為150～350℃。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟②、③中所述的涂覆兩層有機(jī)絕緣材料均可采用旋轉(zhuǎn)涂覆的方法。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，屬于電子半導(dǎo)體元器件技術(shù)領(lǐng)域。在器件的第一電極(2)圖形上制備雙層隔離柱，隔離柱第二層(8)線條的橫截面具有上大下小的形狀，其斜邊具有兩個(gè)漸次內(nèi)收的角度α、β，并且α>β。然后依次淀積有機(jī)功能層(5)和第二電極(6)。因?yàn)楦綦x柱第二層(8)斜邊β角的存在使得金屬背電極的蒸鍍角度和蒸鍍厚度的寬容性大大增加，而且通過(guò)使用有機(jī)功能層和金屬背電極不同的的蒸鍍角度，可以實(shí)現(xiàn)背電極對(duì)有機(jī)功能層的完全包覆，避免了比金屬層更易受水、氧侵蝕的有機(jī)功能層邊緣暴露在背電極外，從而提高器件的壽命和發(fā)光均勻性。雙層隔離柱通過(guò)兩次涂覆有機(jī)絕緣薄膜、兩次曝光、自上而下顯影、同時(shí)高溫固化制備而成，工藝簡(jiǎn)單、設(shè)備投資和生產(chǎn)成本低、成品率高。
文檔編號(hào)H05B33/12GK1472994SQ0313743
公開日2004年2月4日 申請(qǐng)日期2003年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月23日
發(fā)明者邵玉暄, 邱勇 申請(qǐng)人:清華大學(xué), 北京維信諾科技有限公司