專利名稱：紅外輻射電熱瓷磚的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電熱陶瓷制品，特別是一種用非金屬材料作導(dǎo)電體的紅外輻射電熱瓷磚。
二背景技術(shù)：
現(xiàn)有的瓷磚不具有導(dǎo)電性，而由金屬導(dǎo)電材料或者金屬復(fù)合材料制成單一直接加熱體，用在瓷磚加熱成本昂貴并且加熱效率低，瓷磚表面容易產(chǎn)生靜電和漏電現(xiàn)象。
三
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的就是為了解決瓷磚本身導(dǎo)電性差的缺陷，提供一種用非金屬材料作為導(dǎo)電體的紅外電熱瓷磚。實(shí)現(xiàn)上述目的采用的技術(shù)方案是在瓷磚的外表層釉和瓷磚基體之間復(fù)合填充有非金屬材料制成的導(dǎo)電體層，為了方便瓷磚之間導(dǎo)電連接，在瓷磚基體內(nèi)表層的對(duì)應(yīng)的側(cè)邊上平行開設(shè)有插接連接電極長方形凹槽。采用該技術(shù)的瓷磚由于中間非金屬導(dǎo)電體，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后，在加熱時(shí)不會(huì)出現(xiàn)靜電和漏電現(xiàn)象，同時(shí)產(chǎn)生較高的紅外線，具有很高的熱轉(zhuǎn)換效率，實(shí)驗(yàn)表明，其電熱轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到99.6％，比金屬導(dǎo)電體的熱效率提高20-30個(gè)百分點(diǎn)。
四

附圖是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
參照附圖，在瓷磚基體3上復(fù)合一層由0.5-2％的非金屬導(dǎo)電碳粉和陶土加至100％后混合組成的導(dǎo)電體層4，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后，形成外表層釉5作絕緣層。在瓷磚基體3內(nèi)表層的一組對(duì)應(yīng)的側(cè)邊上分別開設(shè)有與電極1插接配合的長方形電極凹槽2，導(dǎo)電層與電極1連接后與電源連接，由于中間導(dǎo)電體層的非金屬導(dǎo)電材料具有產(chǎn)生紅外輻射的能力，由此制成了紅外輻射電熱瓷磚。
權(quán)利要求1.一種紅外輻射電熱瓷磚，其特征是在瓷磚的外表層釉和瓷磚基體之間復(fù)合填充有非金屬材料制成的導(dǎo)電體層，在瓷磚基體的內(nèi)表層對(duì)應(yīng)的側(cè)邊上分別開長方形的電極凹槽。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種電熱陶瓷制品，特別是一種用非金屬材料作導(dǎo)電體的紅外輻射電熱瓷磚。技術(shù)方案是在瓷磚的外表層釉和瓷磚基體之間復(fù)合填充有非金屬材料制成的導(dǎo)電體層，為了方便瓷磚之間導(dǎo)電連接，在瓷磚基體內(nèi)表層的對(duì)應(yīng)的側(cè)邊上平行開設(shè)有插接連接電極長方形凹槽。采用該技術(shù)的瓷磚由于中間非金屬導(dǎo)電體，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后，在加熱時(shí)不會(huì)出現(xiàn)靜電和漏電現(xiàn)象，同時(shí)產(chǎn)生較高的紅外線，具有很高的熱轉(zhuǎn)換效率，實(shí)驗(yàn)表明，其電熱轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到99.6％，比金屬導(dǎo)電體的熱效率提高20－30個(gè)百分點(diǎn)。
文檔編號(hào)H05B3/26GK2543315SQ0221447
公開日2003年4月2日 申請(qǐng)日期2002年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月14日
發(fā)明者祝培華 申請(qǐng)人:祝培華