專利名稱：鍍敷方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上是關(guān)在非電解金屬鍍敷的領(lǐng)域。詳言之，本發(fā)明是關(guān)在非電解金鍍敷的領(lǐng)域。
浸式鍍敷不用外加電流而是使用基材金屬在有關(guān)溶液的欲沉積金屬的電動序中的位置加以驅(qū)動的電化學(xué)置換反應(yīng)。當(dāng)鍍敷浴中經(jīng)溶解的金屬離子利用與該鍍敷浴接觸而更具活性(較不具惰性)的金屬置換時將發(fā)生鍍敷。
制造印刷線路板時，典型地以屏蔽，例如防焊屏蔽，保護(hù)印刷線路板，將可焊接涂飾劑施用在具有墊片和/或通過穿孔而暴露的印刷線路板上。通常以非電解鍍敷方式依靠浸式鍍敷施涂的可焊接涂飾劑亦會將金屬沉積在該屏蔽上，但是這并非人們所期望的。以電化學(xué)電勢差驅(qū)動浸式鍍敷反應(yīng)時，鍍敷僅會發(fā)生在暴露的金屬區(qū)域。例如，美國專利案第5,143,544號(Iantosca)揭示適用在印刷線路板基材上的可焊接涂飾劑的錫-鉛合金浸式鍍敷用的溶液。然而，對在印刷線路板制造用的鉛越來越要求更為環(huán)境所接受的替代方案。因此，鉛及鉛合金在電子零件中的使用將面臨無法確知的未來。例如，參照美國專利案第5,536,908(Etchells等人)。
相對在鉛而言，金是更為環(huán)境所接受的替代物，金長期以來一直在電子工業(yè)中作為接觸表面的金屬，這是因為其低電阻及對在腐蝕性物質(zhì)的攻擊不具活性。典型地使用非電解或浸式金鍍敷浴鍍敷這些金沉積物。詳言之，金已經(jīng)長久用在鎳底層上提供可焊接涂飾劑。典型地，該鎳底層是以非電解方式施涂同時以沉浸方式沉積金。這些方法是稱為非電解-鎳-沉浸-金或“ENIG”。
非電解金鍍敷浴包含還原劑。典型的還原劑是硫脲及烷基硫脲衍生物、如抗壞血酸(參照美國專利案第4,481,035，授予Andrascek等人)的含烯醇化合物及如烷基硼烷及氫化硼的含硼化合物。這些已知鍍敷浴具有若干缺點。例如，含還原劑硫脲的液浴必須加熱至約80至90℃以達(dá)到可接受的沉積速率。因為這些溫度太高而無法用在若干電子封裝材料。另外，這些溫度會使該鍍敷浴變得不穩(wěn)定而無法僅在期望鍍敷基材上產(chǎn)生金沉積，取而代之在整個溶液中自發(fā)性地形成金的細(xì)微顆粒。以含硼的化合物用作還原劑時，這些化合物會先進(jìn)行水解反應(yīng)，其速率會隨著溫度而增加。非期望的副反應(yīng)會消耗掉大量的含硼還原劑使其濃度極難在控制。
非電解金鍍敷浴之一已知形式是硫代硫酸鹽離子為主，以亞硫酸鹽離子穩(wěn)定化。一般而言，這些液浴在pH為6或更低時操作是不穩(wěn)定的，因為在這些pH條件下會釋出二氧化硫。已知該硫代硫酸鹽離子在酸溶液中會分解獲得元素硫及亞硫酸鹽離子。當(dāng)硫代硫酸鈉水溶液是調(diào)節(jié)至pH約4至5時，由在形成元素硫，溶液會變得混濁。然而，如果亞硫酸鈉亦加至上述溶液，將不會形成元素硫并且該溶液將是穩(wěn)定且澄清的。因此，先前技術(shù)中將亞硫酸鈉用在金屬鍍敷溶液使該溶液穩(wěn)定化。然而，使用亞硫酸鈉會發(fā)生的問題是該亞硫酸離子在弱酸性溶液中并不穩(wěn)定，所以二氧化硫會緩慢形成并自該溶液釋放出來。溶液越酸，二氧化硫形成的速率越快。此將導(dǎo)致亞硫酸鈉的消耗及該金屬硫代硫酸鹽錯合物在酸性溶液中的不穩(wěn)定性。
浸式鍍敷浴會避免許多上述還原劑所衍生的缺點。然而，典型地這些浸式鍍敷浴需要例如約70℃或更高的高鍍敷溫度，以獲得適當(dāng)?shù)牟僮髑也粫练e出厚的金層。這些高溫與若干電子封裝材料通常是不兼容的。已經(jīng)有人提出不會自動沉積金且置換鍍敷時不會僅沉積金的混成非電解金浴。盡管這些混成金浴可克服先前技術(shù)的非電解及沉淀金鍍敷浴的問題，但最后的金沉積物無法充分地粘附在基材，例如鎳或被覆鎳的基材。
歐洲專利EP 1 021 593 B1(Backus等人)揭示尤其適合在鈀上沉積金的非電解金鍍敷浴。在此專利中，金層以非電解方式沉積在連續(xù)鈀層上，而這些鍍敷浴卻無法鍍敷在其它金屬上，例如鎳。
因此，需要沉積對在基材具有良好粘附力的沉積金層，詳言之對鎳或被覆鎳的基材，同時克服已知非電解金鍍敷浴的問題。
在一個方面，本發(fā)明提供將金層沉積在金屬上的方法，包括以下的步驟a)使該金屬與鈀浴接觸；以及b)接著使該金屬與非電解金鍍敷浴接觸。
在另一個方面，本發(fā)明提供改良以非電解方式沉積金層對金屬的粘附力的方法，包括以下的步驟a)使該金屬與鈀浴接觸；以及b)接著使該金屬與非電解金鍍敷浴接觸。
又另一方面中，本發(fā)明提供依序包括鎳層；鈀晶種或連續(xù)鈀層；及金層的制品。代表性地這些金層是以非電解方式沉積。
又另一方面中，本發(fā)明提供制造電子裝置的方法，包括以下的步驟a)使沉積在電子裝置上的金屬與鈀浴接觸；以及b)接著使該金屬與非電解金鍍敷浴接觸。
用在本說明書全文時，以下的縮寫具有以下的意義，除非前后文中另外明確表示℃＝攝氏溫度數(shù)；°F＝華氏溫度數(shù)；g＝克；L＝公升；mL＝毫升；μin＝微英吋；DI＝去離子的；以及min＝分鐘?！俺练e”及“鍍敷”該詞在整篇說明書中可交換使用；“烷基”表示線性、分支及環(huán)狀烷基?！胞u化物”表示氟化物、氯化物、溴化物及碘化物。同樣地，“鹵基”表示氟基、氯基、溴基及碘基。除非另加表示，具有二或多個取代基的芳香族化合物包含鄰-、間-及對-取代物。所有百分比皆以重量計，除非另外注明。所有的數(shù)值范圍皆是內(nèi)含并可以任何順序組合，除非顯然可見這些數(shù)值范圍受限在總計達(dá)100％。
本發(fā)明提供在如金屬的基材上沉積金層的方法，包括以下的步驟a)使該金屬與鈀浴接觸；以及b)接著使該金屬與非電解金鍍敷浴接觸。代表性地該金屬與鈀浴接觸達(dá)一段足以使鈀沉積在該金屬表面上的時間。任何用量的鈀皆能使非電解方式沉積金的粘附力增加。這些鈀沉積可能是金屬上的連續(xù)鈀層、非連續(xù)鈀層，或可能是沉積在金屬上的鈀晶種?！扳Z晶種”表示非連續(xù)或獨立的鈀沉積物?！扳Z的不連續(xù)層”表示鈀層不會覆蓋底下基材或金屬的整個可鍍敷表面。鈀的不連續(xù)層是含鈀的不連續(xù)物或空隙的層。沉積鈀晶種或不連續(xù)鈀層比連續(xù)鈀層更佳。在特定應(yīng)用中，連續(xù)鈀層可能是有利的。本發(fā)明的鈀沉積物供給實質(zhì)上以非電解方式沉積的金層以提高的粘附力。
任何鈀浴皆適用在本發(fā)明，前提是該鈀浴包含鈀及酸。因此，可以使用電解或非電解鈀鍍敷浴。使用電解鍍敷浴時，不需使用電流。鈀浴較佳是非電解式鈀浴，更佳沉浸浴，最佳鈀催化浴。這些鈀催化浴是浸式鈀浴，為熟在本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知，一般而言比已知非電解鈀鍍敷浴含更低濃度的鈀。適合的非電解鈀鍍敷浴以可溶性鈀鹽方式包含1至10g/L的鈀、還原劑、穩(wěn)定劑及絡(luò)合劑。適合的鈀催化浴以鈀鹽方式包含至少10ppm，較佳至少25ppm，更佳至少50ppm的鈀。任何可溶性的鈀鹽皆可使用，例如，但不限于，如氯化鈀的鹵化鈀、醋酸鈀、古洛糖酸鈀、如氯化四胺鈀的鹵化胺鈀、檸檬酸鈀、酒石酸鈀等。該鈀鹽較佳是氯化四胺鈀。這些鈀催化鍍敷浴通常是市面上可購得者，例如可自Shipley Company，Malborough，MA購得，注冊名稱Ronamerse SMT Catalyst。
本發(fā)明的鈀鍍敷浴可在各種溫度下使用，例如室溫(約20℃)以下至約60℃。典型的溫度范圍是23℃至60℃，較佳25℃至58℃。
該金屬與鈀浴接觸一段足以沉積足量鈀的時間以提供隨后以非電解方式沉積時，與不含這些鈀沉積物的金層相比，具有改良粘附力的金層。代表性地，接觸時間為至少5秒，較佳至少10秒，更佳至少30秒才夠。尤其適合的接觸時間是5至600秒，較佳10至300秒，更佳30至180秒。接著與該鈀浴接觸，在金鍍敷之前，視情況需要，例如利用水，清洗該金屬。
任何非電解金鍍敷浴皆可用在本發(fā)明。一般而言，非電解金鍍敷浴包含水、一種或多種可溶性金化合物、一種或多種絡(luò)合劑、均勻性增進(jìn)劑及視情況需要而添加一種或多種還原劑。
任何能提供該鍍敷浴以金(I)的水溶性金化合物皆可用在本發(fā)明。適合的金化合物包含，但不限于，如硫代硫酸三鈉金及硫代硫酸三鉀金的堿金屬金硫代硫酸金化合物；如亞硫酸鈉金及亞硫酸鉀金的堿金屬金亞硫酸金化合物；亞硫酸銨金；如氯化金的鹵化金；如氰化鈉金及氰化鉀金的堿金屬金氰化物；以及氰化銨金。然而，本組合物較佳是實質(zhì)上不含氰化物離子及亞硫酸離子者?！皩嵸|(zhì)上不含“表示本組合物包含少在0.05g/L的這些離子。本組合物更佳不含氰化物離子及亞硫酸離子。
本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解該水溶性金鹽可直接加至該電解液組合物或在該電解液中產(chǎn)生。例如，氰化鉀金可在該電解液中制備，將若干用量的水不溶性氰化金及若干用量的氰化鉀加至水中形成水溶性氰化鉀金。
代表性地該一種或多種水溶性金化合物的總用量是0.1至60g/L。金化合物較佳用量是0.5至15g/L，更佳0.5至5g/L。這些水溶性金化合物通?？勺允忻嫔细鞣N供貨商處購得，或可能用本技術(shù)領(lǐng)域的已知方法制備。
期望是真的非電解(具自催化性的)金鍍敷時，代表性言之，使用還原劑。任何用作優(yōu)先進(jìn)行鎳氧化的氧化劑或可以使該鎳層的兩極附著傾向降至最低的還原劑皆是有用于本發(fā)明。對本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，適合的還原劑是顯而易見并且包含，但不限于，任何無機(jī)化合物、含氮化合物及其衍生物、有機(jī)化合物及其衍生物或其具有抗氧化活性的混合物。含氮化合物較佳包含水合肼及硫酸肼，以及羥胺及其鹽類或其它衍生物，例如硫酸羥胺、氯化羥胺及磷酸羥胺。較佳是易溶在該電解液的化合物鹽類或其它形式。其它適合的含氮化合物包含氮化物鹽類，其中該氮并非處在高氧化態(tài)。此類適當(dāng)化合物包括，但不限于，亞硝酸鹽或含氮化物的化合物。當(dāng)中，較佳如亞硝酸鉀及亞硝酸鈉的堿金屬亞硝酸鹽。其它適合的還原劑包含如抗壞血酸及其衍生物的有機(jī)抗氧化物、生育酚及其衍生物及甲酸、甲酸鹽及其衍生物。
各種金絡(luò)合劑皆可用在本發(fā)明。適合的金絡(luò)合劑包含，但不限于，硫代硫酸、如硫代硫酸鈉、硫代硫酸鉀及硫代硫酸銨的硫代硫酸鹽、乙二胺四乙酸及其鹽類、氨三乙酸等。較佳是硫代硫酸及硫代硫酸鹽。最佳是硫代硫酸鈉。
使用硫代硫酸離子時，能以任何溶液可溶的形式供應(yīng)，例如堿金屬硫代硫酸鹽(例如鈉或鉀)或硫代硫酸銨，其中五水合硫代硫酸鈉是最經(jīng)濟(jì)且易在取得的原料。
此一種或多種絡(luò)合劑是代表性地以總量0.1至150g/L出現(xiàn)，較佳1至100g/L。絡(luò)合劑的較佳用量是5至75g/L，又更佳10至60g/L。該一種或多種絡(luò)合劑通常是市面上可購得或可由本技術(shù)領(lǐng)域中已知的方法制備者。
以硫代硫酸鹽用作絡(luò)合劑時，較佳該金鍍敷浴中存有一種或多種有機(jī)穩(wěn)定劑化合物。有用于本發(fā)明之一種或多種有機(jī)穩(wěn)定劑化合物具有式R-SO2-Y，其中R是(C1-C18)烷基、芳基或雜芳基，Y是氫或一價陽離子。適合之一價陽離子是堿金屬，例如鈉及鉀。Y較佳是氫。R的例示性烷基包含，但不限于，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、正戊基、新戊基、己基、辛基及癸基。代表性的芳基是芳香環(huán)中含5至14個原子者。適合的芳基包含，但不限于苯基；如甲苯基及二甲苯基的(C1-C6)烷芳基；萘基及雙酚A。適合的雜芳基包含，但不限于，呋喃基、吡啶基、噻吩基等。R較佳是芳基，更佳苯基。
本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解經(jīng)取代的(C1-C18)烷基、芳基或雜芳基是屬在本發(fā)明的范圍內(nèi)?！敖?jīng)取代的(C1-C18)烷基、芳基或雜芳基“表示(C1-C18)烷基、芳基或雜芳基上有一或多個氫是為一或多個取代基取代。適合的取代基包含，但不限于，鹵基、羥基、(C1-C6)烷氧基、(C1-C6)烷氧甲?；⑾趸?、硫基、(C1-C6)烷硫基等。
一般而言，該一種或多種有機(jī)穩(wěn)定劑化合物以至少0.5g/L的用量使用，較佳至少1g/L。該一種或多種有機(jī)穩(wěn)定劑化合物用量的實際上限是該組合物中這些化合物的飽和極限。該一種或多種有機(jī)穩(wěn)定劑化合物較佳2g/L至25g/L的用量使用，更佳3至15g/L。有機(jī)穩(wěn)定劑化合物的特佳用量是3至10g/L。一般而言，這些有機(jī)穩(wěn)定劑化合物是市面上可購得，或可由本技術(shù)領(lǐng)域中已知的方法制備。
然而為了不受理論所限制，人們相信該有機(jī)穩(wěn)定劑化合物會使該非電解金鍍敷組合物穩(wěn)定化，詳言之使用硫代硫酸離子時，在弱酸性條件下，在硫代硫酸離子的情況中該溶液不會失效且不會釋放出任何可察覺量的二氧化硫。
該金鍍敷浴可添加一種或多種均勻性增進(jìn)劑。代表性地這些均勻性增進(jìn)劑是可以提供螯合的有機(jī)羧酸。為不受理論所限制，亦可用作溫和的還原劑。經(jīng)發(fā)現(xiàn)這些均勻性增進(jìn)劑比不含這些化合物的組合物更能提供更均勻的金沉積。適當(dāng)?shù)木鶆蛐栽鲞M(jìn)劑包含如二及三元酸化合物、經(jīng)羥基取代的羧酸等的多元酸。該均勻性增進(jìn)劑較佳是二元酸。例示的均勻性增進(jìn)劑包含，但不限于，草酸、抗壞血酸、檸檬酸、蘋果酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸、氧化乳酸及酒石酸。其它適合的均勻性增進(jìn)劑包含苯二甲酸、己二酸、丁二酸及戊二酸。較佳的均勻性增進(jìn)劑是草酸、丙二酸、抗壞血酸及檸檬酸。草酸是最佳的均勻性增進(jìn)劑。
一般而言，該一種或多種均勻性增進(jìn)劑的用量是0.1至50g/L，較佳1至15g/L。詳言之適當(dāng)量的均勻性增進(jìn)劑是2至8g/L。
較佳的金鍍敷浴組合物包含a)0.5至15g/L之一種或多種堿金屬金硫代硫酸鹽化合物；b)1至100g/L之一種或多種選自硫代硫酸或堿金屬硫代硫酸鹽的金絡(luò)合劑；c)2g/L至25g/L之一種或多種式R-SO2-Y所表示的有機(jī)穩(wěn)定劑化合物，其中R是(C1-C18)烷基、芳基或雜芳基，Y是氫或一價陽離子；d)1至15g/L的草酸。
該金鍍敷組合物可能復(fù)包括pH調(diào)節(jié)化合物。任何pH調(diào)節(jié)化合物皆可使用，前提是其不會對該組合物的穩(wěn)定性或性能產(chǎn)生不良影響即可。適合的pH調(diào)節(jié)化合物包含磷酸鹽，如磷酸二氫鉀、磷酸氫二鉀、磷酸三鉀的，硼酸等。這些pH調(diào)節(jié)化合物的用量根據(jù)期望維持的pH及選用的特定pH調(diào)節(jié)化合物而定。例如，代表性而言磷酸二氫鉀的用量是1至50g/L，較佳5至25g/L。一般而言，本發(fā)明的組合物是維持在pH 3至9，較佳4至8，更佳5至7.5。
一般而言，該組合物包含水。任何等級的水皆適用，但較佳是去離子水。
本發(fā)明的金鍍敷組合物可能視情況需要包含一種或多種其它的添加物，例如表面活性劑。較佳是陰離子型及非離子型表面活性劑，更佳是陰離子型表面活性劑。適當(dāng)?shù)年庪x子型表面活性劑包含磷酸酯類，例如包含甘油脂磷酸酯的脂肪族醇磷酸酯類，較佳是長鏈脂肪族醇磷酸酯類。適當(dāng)?shù)年庪x子型磷酸酯表面活性劑包含注冊商標(biāo)分別為RHODAFAC及EMPHOS者，可購自Rhodia及Crompton有限公司。代表性而言這些表面活性劑的用量是0.1至2g/L。
這些金鍍敷組合物可依靠任何順序結(jié)合上述成分而制備。較佳使用氯化金時，在該金絡(luò)合劑、有機(jī)穩(wěn)定劑化合物及均勻性增進(jìn)劑添加至該組合物之后再添加氯化金至該組合物。添加氯化金的期間，該組合物的pH是維持在≥5。該pH可依靠添加氫氧化物，例如氫氧化鉀，而維持。
一般而言，這些金鍍敷浴是在使用期間加熱，代表性言之，25至95℃。本發(fā)明的浴液較佳加熱至30至90℃，更佳45至80℃。
基材上期望的金沉積物厚度可依靠控制該基材與本發(fā)明的鍍敷組合物的接觸時間而控制。
本發(fā)明特別適用在各種基材上沉積金，詳言之在較金更不具陽電性的金屬上，亦即已知的浸式鍍敷法。較金更不具陽電性的典型金屬包含，但不限于，鎳、銅及鐵。有不只一種比金更不具陽電性的金屬亦可使用。例如，根據(jù)本發(fā)明鎳層在銅層上是適用在沉積金。因此，本發(fā)明還提供使金沉積在比金更不具陽電性的金屬上的方法，包含使含有比金更不具陽電性金屬的基材與鈀浴接觸，接著使該基材與非電解金鍍敷浴接觸。
詳言之本發(fā)明是有用于電子裝置的制造，例如印刷線路板、集成電路板、集成電路封裝等。本發(fā)明提供電子裝置的制法，包括以下的步驟a)使沉積在電子裝置上的金屬層與鈀浴接觸；及b)接著使該金屬層與非電解金鍍敷浴接觸。在另一實施方案中，金層可依靠包含以下步驟的方法沉積使電子裝置基材與鈀浴接觸長達(dá)足以沉積鈀晶種或連續(xù)鈀層的時間，接著使該基材與非電解金鍍敷組合物接觸長達(dá)足以沉積期望金層的時間，該非電解金鍍敷組合物包含a)一種或多種水溶性金化合物；b)一種或多種金絡(luò)合劑；c)一種或多種式R-SO2-Y所表示的有機(jī)穩(wěn)定劑化合物，其中R是(C1-C18)烷基、芳基或雜芳基，Y是氫或一價陽離子；以及d)一種或多種均勻性增進(jìn)劑。特別適合的集成電路封裝包含，但不限于，引線框架、晶片上的墊片、陶瓷封裝體等。本發(fā)明亦適用在對印刷電路板施行可焊金涂飾劑或在集成電路上沉積金。
比起不含具催化性鈀沉積物而沉積在該基材上的金，本發(fā)明的優(yōu)點是在如鈀晶種或連續(xù)鈀層基材的具催化性鈀沉積物上提供具有極佳粘附力的非電解方式沉積的金層。具體而言在該基材是鎳的例子中。令人驚訝地，欲提供高度粘附的金屬并不需要該基材上的連續(xù)鈀層。
進(jìn)一步以下列的實施例說明本發(fā)明的各方面，但不欲以任何形式限制本發(fā)明的范圍。
表1成分 用量(g/L)如AuNa3O6S4或HAuCl4形式的金1硫代硫酸鈉 50苯亞硫酸10磷酸二氫鉀 15草酸5水 加至1L該浴液浴的pH是大約5.5。該浴液的溫度是維持在120°F(約49℃)。
沖洗之后，接著使該經(jīng)鎳被覆的FR4試樣板與鈀催化浴接觸(Ronamerse SMT催化劑，可自Shipley公司購得)1分鐘。該鈀催化浴包含100ppm的氯化四銨鈀形式的鈀，170mL/L氫氯酸及730mL/L去離子水。與該鈀浴接觸之后，該樣品僅包含勉強(qiáng)可見的鈀沉積物且鈀層并未完全覆蓋整個表面。接著使該樣品與實施例1的金鍍敷浴接觸。使金以2μin/min的速率沉積在鎳上。金鍍敷之后，自該鍍敷浴移除該基材，沖洗并干燥。經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)該金沉積物是4至7μin厚。
沖洗之后，接著使經(jīng)被覆鎳的鋁基材與實施例1的金鍍敷浴接觸。使金以大約2μin/min的速率沉積在鎳上。金鍍敷之后，自該鍍敷浴移除該基材，沖洗并干燥。
以上本發(fā)明已參照特定具體例詳加說明，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員顯然知道本發(fā)明可進(jìn)行各種變化及修飾而不會背離所附權(quán)利要求的范圍。
權(quán)利要求
1.一種使非電解金層沉積在金屬基材上的方法，包括以下的步驟a)使該金屬與鈀浴接觸；及b)接著使該金屬與非電解金鍍敷浴接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該金屬與該鈀浴接觸一段足以沉積鈀晶種或連續(xù)鈀層的時間。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該時間是10至300秒。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其中該鈀浴包含至少25ppm的鈀。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中該鈀浴包含5至200ppm的鈀。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其中該非電解金鍍敷浴包括a)一種或多種水溶性金化合物；b)一種或多種金絡(luò)合劑；c)一種或多種式R-SO2-Y所表示的有機(jī)穩(wěn)定劑化合物，其中R是(C1-C18)烷基、芳基或雜芳基，Y是氫或一價陽離子；以及d)一種或多種均勻性增進(jìn)劑。
7.一種制造電子裝置的方法，包括以下的步驟a)使沉積在電子裝置基材上的金屬層與鈀浴接觸；以及b)接著使該金屬層與非電解金鍍敷浴接觸。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該金屬與該鈀浴接觸一段足以沉積鈀晶種或連續(xù)鈀層的時間。
9.如權(quán)利要求7或8中任一項所述的方法，其中該非電解金鍍敷浴包括a)一種或多種水溶性金化合物；b)一種或多種金絡(luò)合劑；c)一種或多種式R-SO2-Y所表示的有機(jī)穩(wěn)定劑化合物，其中R是(C1-C18)烷基、芳基或雜芳基，Y是氫或一價陽離子；以及d)一種或多種均勻性增進(jìn)劑。
10.一種制品，依序包括鎳層、鈀晶種或連續(xù)鈀層及金層。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種使非電解金層沉積在金屬基材上的方法，使用了一種催化鈀沉積物。這些非電解金層具有比已知非電解電金沉積更高的粘附力。
文檔編號H05K3/24GK1428456SQ0215672
公開日2003年7月9日 申請日期2002年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月14日
發(fā)明者M·坎茨勒 申請人:希普利公司