專(zhuān)利名稱(chēng)：包括電子電路元件的樹(shù)脂模制部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含密封在樹(shù)脂模中的電子電路元件如半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂模制部件。在本說(shuō)明書(shū)中，術(shù)語(yǔ)“樹(shù)脂模制部件”廣義地包括樹(shù)脂盒和樹(shù)脂殼。
近年來(lái)，可工作于高速的高集成度的半導(dǎo)體器件得以顯著廣泛的傳播和越來(lái)越多的應(yīng)用。作為使用半導(dǎo)體器件的現(xiàn)行設(shè)備，所知道的有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)，只讀存儲(chǔ)器(ROM)，微處理器(MPU)，中央處理器(CPU)，圖像處理器算術(shù)邏輯單元(IPALU)等等。上述現(xiàn)行設(shè)備每分鐘都在得到改進(jìn)，使得工作速度和\或信號(hào)處理速度得以快速提高。在此環(huán)境下，高速傳播的電信號(hào)伴隨著電壓或電流的劇烈變化。這種變化構(gòu)成產(chǎn)生高頻噪聲的主要原因。
另一方面，電子器件或電子設(shè)備在重量、厚度和尺寸上的減少正無(wú)止境地得到快速進(jìn)展。這導(dǎo)致半導(dǎo)體設(shè)備的集成度和在印刷電路板上安裝電子元件的密度的顯著增大。這種情況下，密集地集成或安裝的電子器件和信號(hào)線(xiàn)彼此間非常接近。這種高密度的布置，連同上述信號(hào)處理速度的增加，將導(dǎo)致容易感應(yīng)高頻噪聲。
作為電子器件或電子設(shè)備的一個(gè)例子，所知道的有包含密封裝在樹(shù)脂模中的電子電路元件如半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂模制部件。要指出的是，這種樹(shù)脂模制部件有從電源線(xiàn)路產(chǎn)生不希望有的輻射的問(wèn)題。為避免這個(gè)問(wèn)題，已經(jīng)采用了各種針對(duì)措施，例如，在電源線(xiàn)路中插入集總常數(shù)元件如去耦電容器。
然而，在含有可工作在高速的電子電路元件的樹(shù)脂模制部件中，如上文提到的產(chǎn)生的噪聲將含有諧波分量。在這種情況下，信號(hào)路徑顯示出如分布常數(shù)電路的特性。因此，傳統(tǒng)的防止噪聲的技術(shù)是無(wú)效的，因?yàn)樗黾夹g(shù)假定是在集總常數(shù)電路的條件下。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能有效降低由工作在高速的電子電路元件產(chǎn)生的不希望有的輻射的樹(shù)脂模制部件。
本發(fā)明的其他目的將隨著描述的進(jìn)行而變得清晰。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種樹(shù)脂模制部件，它包括電子電路元件；把電子電路元件模制在其中的樹(shù)脂；以及至少覆蓋所述樹(shù)脂的一部分的高頻電流抑制器，所述高頻電流抑制器是用磁損耗膜制成的。
按照本發(fā)明的另一方面，提供一種樹(shù)脂模制部件，它包括電子電路元件；把電子電路元件模制在其中的樹(shù)脂；以及至少覆蓋所述樹(shù)脂的一部分的高頻電流抑制器，所述高頻電流抑制器是用磁損耗膜制成的，用于衰減流過(guò)所述電子電路元件并且具有在幾十兆赫茲到幾千兆赫茲之間頻帶內(nèi)的頻率的高頻電流。
按照本發(fā)明的又一方面，提供一種樹(shù)脂模制部件，它包括電子電路元件；把電子電路元件模制在其中的樹(shù)脂；以及至少覆蓋所述樹(shù)脂的一部分的高頻電流抑制器，所述高頻電流抑制器是用磁損耗膜制成的，所述膜是由包括M、X和Y的磁性合成物的磁性物質(zhì)制成的，其中M是一種含有鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)的金屬磁性材料，X是一種或一些不同于M和Y的元素，而Y是氟(F)、氮(N)、和\或氧(O)，所述M-X-Y磁性合成物在成分上具有這樣的M濃度，使得所述M-X-Y磁性合成物的飽和磁化強(qiáng)度是僅由M組成的磁性材料的金屬塊的飽和磁化強(qiáng)度的35％-80％，所述磁性合成物在0.1-10千兆赫的頻率范圍內(nèi)具有相對(duì)導(dǎo)磁率的虛部μ”的最大值μ”max。


圖1是依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的樹(shù)脂模制部件的簡(jiǎn)要剖視圖；圖2是表示M-X-Y磁性合成物的顆粒結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3A是表示用于實(shí)例中的濺射裝置結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)要剖視圖；圖3B是表示用于例中的汽相淀積裝置結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)要剖視圖；圖4是表示實(shí)例1中膜樣品1的導(dǎo)磁率的頻率響應(yīng)的曲線(xiàn)圖；圖5是表示實(shí)例2中膜樣品2的導(dǎo)磁率的頻率響應(yīng)的曲線(xiàn)圖6是表示對(duì)比實(shí)例1中的對(duì)比樣品1的導(dǎo)磁率的頻率響應(yīng)的曲線(xiàn)圖；圖7是用于測(cè)試磁性樣品的噪聲抑制效果的測(cè)試裝置的簡(jiǎn)要透視圖；圖8A是表示膜樣品1的傳輸特性的曲線(xiàn)圖；圖8B是表示合成磁性材料片的對(duì)比樣品的傳輸特性的曲線(xiàn)圖；圖9A是表示作為噪聲抑制器的磁性材料的長(zhǎng)為1的分布常數(shù)電路；圖9B是圖9A的分布常數(shù)電路的單位長(zhǎng)度Δ1的等效電路；圖9C是圖9A的分布常數(shù)電路的長(zhǎng)度1的等效電路；圖10A是表示實(shí)例1中的膜樣品1的等效電阻R的頻率響應(yīng)的曲線(xiàn)圖；圖10B是表示合成磁材料片的比較樣品的等效電阻R的頻率響應(yīng)的曲線(xiàn)圖。
最佳實(shí)施例描述下面將參照?qǐng)D1描述依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的樹(shù)脂模制部件。
所述樹(shù)脂模制部件以標(biāo)號(hào)1表示且含有設(shè)置在里面、用環(huán)氧樹(shù)脂模3密封的半導(dǎo)體承載芯片2。從所述半導(dǎo)體承載芯片，穿過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂模3引出多個(gè)引線(xiàn)框架4到外面。
另外，所述環(huán)氧樹(shù)脂模3完全被高頻電流抑制器5覆蓋。所述高頻電流抑制器5是用先有技術(shù)中已知的濺射或汽相淀積以膜的形式形成的薄膜磁性物質(zhì)，其厚度在0.3微米至20微米之間，并且在低于幾十兆赫茲的頻帶內(nèi)表現(xiàn)出導(dǎo)電性。高頻電流抑制器5用于衰減流過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂3內(nèi)的電路部分的高頻電流，且具有在幾十兆赫茲到幾千兆赫茲之間頻帶內(nèi)的一個(gè)頻率。
關(guān)于形成高頻電流抑制器5，除上述濺射或汽相淀積之外，可使用化學(xué)汽相淀積(CVD)，離子束淀積，氣體淀積，以及圖形轉(zhuǎn)移(pattern transfer)。
作為用于每個(gè)高頻電流抑制器4a,4b和5的材料，可使用窄帶磁損耗材料，其含有作為成分或元素M(M為鐵(Fe)，鈷(Co)和鎳(Ni)中的至少一種)，Y(Y為氟(F)、氮(N)、氧(O)中的至少一種)和X(X為至少一種不同于M和Y中所含元素的元素)的混合物的M-X-Y合成物，并且具有以頻率和與相對(duì)導(dǎo)磁率的相對(duì)于實(shí)部μ’的虛部μ”之間關(guān)系給出的導(dǎo)磁率特性，使得虛部μ”(或許可稱(chēng)為磁損項(xiàng))的最大值μ”max出現(xiàn)在100MHZ(兆赫)至10GHZ(千兆赫)之間的頻率范圍內(nèi)，并且相對(duì)帶寬bwr不大于200％，其中相對(duì)帶寬bwr通過(guò)以下方法獲得提取這樣兩個(gè)頻率點(diǎn)之間的頻帶寬度，在這兩個(gè)頻率點(diǎn)上μ”的值是最大值μ”max的50％，并且按照其中心頻率將所述帶寬歸一化。這里假設(shè)所述窄帶磁損耗材料的飽和磁化強(qiáng)度是僅含有成分M的鐵磁材料的飽和磁化強(qiáng)度的80％-60％和在100μΩ·cm(微歐.厘米)與700μΩ·cm(微歐·厘米)間的直流電阻。
作為用于每個(gè)高頻電流抑制器4a,4b和5的材料，還可采用寬帶磁損耗材料，其含有作為成分M(M為鐵(Fe)，鈷(Co)和鎳(Ni)中的至少一種)，Y(Y為氟(F)、氮(N)、氧(O)中的至少一種)和X(X為至少一種不同于M和Y中所含元素的元素)的混合物的M-X-Y合成物，并且具有以頻率和與相對(duì)導(dǎo)磁率的相對(duì)于實(shí)部μ’的虛部μ”之間關(guān)系給出的導(dǎo)磁率特性，使得虛部μ”的最大值μ”max出現(xiàn)在100MHZ(兆赫)至10GHZ(千兆赫)之間的頻率范圍內(nèi)，并且相對(duì)帶寬bwr不小于150％，其中相對(duì)帶寬bwr通過(guò)以下方法獲得提取這樣兩個(gè)頻率點(diǎn)之間的頻帶寬度，在這兩個(gè)頻率點(diǎn)上μ”的值是最大值μ”max的50％，并且按照其中心頻率將所述帶寬歸一化。這里假設(shè)所述寬帶磁損耗材料的飽和磁化強(qiáng)度是僅含有成分M的金屬磁性材料的飽和磁化強(qiáng)度的60％-35％和大于500μΩ·cm(微歐·厘米)的直流電阻。
在用作高頻電流抑制器4a,4b和5的每個(gè)窄帶磁損耗材料和寬帶磁損耗材料中，成分X至少為C(碳)，B(硼)，Si(硅)，Al(鋁)，Mg(鎂)，Ti(鈦)，zn(鋅)，Hf,Sr,Nb,Ta和稀土元素中的一種。成分M呈現(xiàn)為顆粒結(jié)構(gòu)，其中成分M的微?；蝾w粒被分散在成分X和Y的混合物的基質(zhì)中。所述微粒具有1納米(nm)至40納米之間的平均粒度。所述窄帶或?qū)拵Т艙p耗材料具有47400A/m或更小的各向異性磁場(chǎng)。所述窄帶或?qū)拵Т艙p耗材料最好是鐵-鋁-氧(Fe-Al-O)合成物或鐵-硅-氧(Fe-Si-O)合成物。
所述樹(shù)脂模制部件1在外觀上與傳統(tǒng)產(chǎn)品相似，但效果更佳。具體地說(shuō)，甚至在作為具有在幾十兆赫茲至幾千兆赫茲范圍內(nèi)頻率的不希望有諧波的諧波電流出現(xiàn)時(shí)，此高頻率電流可被所述高頻率電流抑制器5充分地衰減。結(jié)果，可以防止噪聲的產(chǎn)生以便消除高頻率噪聲的負(fù)面影響。
作為高頻率電流抑制器5，可使用薄膜磁性材料，其體積小因而需要較少空間并且是一種磁損耗材料，所述材料具有大的相對(duì)導(dǎo)磁率虛部(即”磁損項(xiàng)”)μ”以致可有效防止不希望有的輻射。作為表現(xiàn)出大的磁損耗的磁性物質(zhì)，已知一種粒狀磁性材料。特別是在粒狀磁性材料中磁性金屬粒子濃度在特定范圍內(nèi)的情況下，可在高頻率區(qū)域內(nèi)獲得很好的磁損特性。
接下來(lái)，將針對(duì)M-X-Y磁性合成物的粒狀結(jié)構(gòu)和加工方法予以說(shuō)明。
參見(jiàn)圖2，其中示意地示出M-X-Y磁性合成物的粒狀結(jié)構(gòu)，金屬磁性材料M的顆粒11均勻地分布在由X和Y構(gòu)成的基質(zhì)12中。
參照?qǐng)D3A，使用所顯示的濺射裝置來(lái)產(chǎn)生如下實(shí)例和對(duì)比實(shí)例中樣品。濺射裝置具有傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)且包括真空容器20、遮檔板21，氣氛氣體源22，基片或玻璃板23，芯片24(X或X-Y)，目標(biāo)鍍件25(M)，RF電源以及真空泵27。氣氛氣體源22和真空泵27與真空容器20相連?；?3面向其上設(shè)置有芯片24的目標(biāo)鍍件25。遮檔板21設(shè)置在基片21的前面。RF電源26與目標(biāo)鍍件25連接。
參照?qǐng)D3B，使用所顯示的汽相淀積裝置來(lái)制備下列實(shí)例和對(duì)比實(shí)例中樣品。類(lèi)似于濺射裝置的汽相淀積具有傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)并且具有真空容器20、氣氛氣體源22以及真空泵27，只是另外還有一個(gè)具有材料(X-Y)的坩堝28，以替代芯片24、目標(biāo)鍍件25和RF電源26。
實(shí)例1使用圖6A中所示的濺射裝置按照表1的濺射條件在玻璃板上制作M-X-Y磁性合成物的薄膜。
表1
制成的薄膜樣品1借助熒光X射線(xiàn)光譜儀進(jìn)行分析，被確認(rèn)為合成物Fe72Al11O17的薄膜。薄膜樣品1，厚度為2.0微米(μm)，直流比電阻為530微歐姆厘米(μΩcm)，各向異性磁場(chǎng)(Hk)為18奧斯特(Oe)，以及飽和磁化強(qiáng)度(Ms)為16,800高斯。
薄膜樣品1的飽和磁化強(qiáng)度與金屬磁性材料M本身的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100為72.2％。
為了測(cè)量磁導(dǎo)率頻率響應(yīng)特性，把薄膜樣品1做成帶狀物并將其插入線(xiàn)圈中。在施加偏置磁場(chǎng)的情況下，對(duì)加到該線(xiàn)圈的交流電流的頻率變化所對(duì)應(yīng)的該線(xiàn)圈的阻抗變化進(jìn)行測(cè)量。對(duì)應(yīng)于偏磁場(chǎng)的不同值，進(jìn)行多次測(cè)量。根據(jù)所測(cè)得頻率變化對(duì)應(yīng)的阻抗變化，計(jì)算出磁導(dǎo)率頻率響應(yīng)特性(μ”-f響應(yīng)特性)，如圖4所示。圖4中要注意的是，相對(duì)磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分具有一個(gè)峰值或最大值(μ”max)且在該峰值的兩邊迅速下落。說(shuō)明該最大值(μ”max)的固有諧振頻率(f(μ”max))約為700MHz。根據(jù)該μ”-f響應(yīng)特性，相對(duì)帶寬bwr被確定為兩個(gè)頻率點(diǎn)之間的帶寬與所述帶寬的中心頻率的百分比，該帶寬將相對(duì)磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分顯示為最大值μ”max的半值μ”50。該相對(duì)帶寬bwr是148％。
實(shí)例2在類(lèi)似于實(shí)例1只是改用150個(gè)Al2O3芯片的條件下，在玻璃板上形成薄膜樣品2。
制成的薄膜樣品2借助熒光X射線(xiàn)光譜儀進(jìn)行分析，被確認(rèn)為合成物Fe44Al22O34的薄膜。薄膜樣品2，厚度為1.2微米(μm)，直流比電阻為2400微歐姆厘米(μΩcm)，各向異性磁場(chǎng)(HK)為120Oe，以及飽和磁化強(qiáng)度(Ms)為9600高斯。要注意的是，薄膜樣品2的比電阻較薄膜樣品1的高。
薄膜樣品2的飽和磁化強(qiáng)度與金屬磁性材料M本身的磁化強(qiáng)度的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100為44.5％。
薄膜樣品2的μ”-f響應(yīng)特性也是通過(guò)與樣品1的類(lèi)似的方式獲得，如圖5所示。要注意的是，與薄膜樣品1中的情況類(lèi)似，該峰值也有很高的值。但是，該峰值處的頻率點(diǎn)或固有諧振頻率約為1GHz，而相對(duì)磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分在該峰值的兩邊逐漸下落，這樣，該μ”-f響應(yīng)特性就具有寬帶的特性。
按照與實(shí)例1中的類(lèi)似的方式，將薄膜樣品2的相對(duì)帶寬bwr確認(rèn)為181％。
對(duì)比實(shí)例1在類(lèi)似于實(shí)例1只是改用90個(gè)Al2O3芯片的條件下，在玻璃板上形成對(duì)比樣品1。
制成的對(duì)比樣品1借助熒光X射線(xiàn)光譜儀進(jìn)行分析，被確認(rèn)為合成物Fe86Al6O8的薄膜。對(duì)比樣品1，厚度為1.2微米(μm)，直流比電阻為74微歐姆厘米(μΩ·cm)，各向異性磁場(chǎng)(HK)為22Oe，飽和磁化強(qiáng)度(Ms)為18,800高斯，以及對(duì)比樣品1與金屬材料M本身的飽和磁化強(qiáng)度的百分比率{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100為85.7％。
通過(guò)與樣品1的類(lèi)似的方式獲得對(duì)比樣品1的μ”-f響應(yīng)特性，如圖6所示。圖9中要注意的是，對(duì)比樣品1的相對(duì)磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分μ”在10MHz附近存在很高的峰值；但是，在超過(guò)10MHz的較高頻率的范圍迅速下降?？梢酝茰y(cè)這種降低的情況是由于較低的比電阻的原因而產(chǎn)生渦流電流所致。
對(duì)比實(shí)例2在類(lèi)似于實(shí)例1只是改用200個(gè)Al2O3芯片的條件下，在玻璃板上形成對(duì)比樣品2。
制成的對(duì)比樣品2借助熒光X射線(xiàn)光譜儀進(jìn)行分析，被確認(rèn)為合成物Fe19Al34O47的薄膜。對(duì)比樣品2，厚度為1.3微米(μm)，直流比電阻為10,500微歐姆厘米(μΩ·cm)。
對(duì)比樣品1的磁性特征呈現(xiàn)超順磁性。
實(shí)例4使用圖3A的濺射裝置按照表2的濺射條件通過(guò)反應(yīng)濺射法，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物薄膜。N2的分壓力比為20％。所述薄膜在300℃，真空中和磁場(chǎng)下經(jīng)過(guò)兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品4。
表2
薄膜樣品4的屬性在表3中顯示。
表3
實(shí)例5使用圖3A的濺射裝置按照表4中所示的濺射條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場(chǎng)下經(jīng)過(guò)兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品5。
表4
薄膜樣品5的屬性在表5中顯示。
表5
實(shí)例6使用圖3A的濺射裝置按照表6的濺射條件通過(guò)反應(yīng)濺射法，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。N2的分壓力比為10％。所述薄膜在300℃，真空中和磁場(chǎng)下經(jīng)過(guò)兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品6。
表6
薄膜樣品6的屬性在表7中顯示。
表7
實(shí)例7用圖3A的濺射裝置按照表8中所示的濺射條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場(chǎng)下經(jīng)過(guò)兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品7。
表8
薄膜樣品7的屬性在表9中顯示。
表9
實(shí)例8使用圖3A的濺射裝置按照表10中所示的濺射條件通過(guò)反應(yīng)濺射法，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。N2的分壓力比為10％。所述薄膜在300℃，真空中和磁場(chǎng)下經(jīng)過(guò)兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品8。
表10
薄膜樣品8的屬性在表11中顯示。
表11
實(shí)例9使用圖3A的濺射裝置按照表12中所示的濺射條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場(chǎng)下經(jīng)過(guò)兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品9。
表12
薄膜樣品9的屬性在表13中顯示。
表13
實(shí)例10使用圖3A的濺射裝置按照表14中所示的濺射條件通過(guò)反應(yīng)濺射法，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。O2的分壓力比為15％。所述薄膜在300℃，真空中和磁場(chǎng)下經(jīng)過(guò)兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品10。
表14
薄膜樣品10的屬性在表15中顯示。
表15
實(shí)例11使用圖3A的濺射裝置按照表16中所示的濺射條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場(chǎng)下經(jīng)過(guò)兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品11。
表16
薄膜樣品11的屬性在表17中顯示。
表17
實(shí)例12使用圖3A的濺射裝置按照表18中所示的濺射條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場(chǎng)下經(jīng)過(guò)兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品12。
表18
薄膜樣品12的屬性在表19中顯示。
表19
實(shí)例13使用圖3A的濺射裝置按照表20中所示的濺射條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場(chǎng)下經(jīng)過(guò)兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品13。
表20
薄膜樣品13的屬性在表21中顯示。
表21
實(shí)例14使用圖3B的汽相淀積裝置按照表22的條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場(chǎng)下經(jīng)過(guò)兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品14。
表22
薄膜樣品14的屬性在表23中顯示。
表23
現(xiàn)在將描述關(guān)于使用圖7所示的測(cè)試儀器所進(jìn)行的有關(guān)樣品薄膜和對(duì)比樣品的噪聲抑制效果的測(cè)試。
測(cè)試片是薄膜樣品1，尺寸為20mm×20mm×2.0μm。為了進(jìn)行比較，已知合成磁性材料的薄片尺寸為20mm×20mm×1.0mm，含有聚合物的合成磁性材料和片狀磁金屬粉分散在該聚合物中。磁性金屬粉含有Fe,Al和Si。該合成磁性材料具有在準(zhǔn)微波范圍內(nèi)的磁導(dǎo)率分布，并且在約700MHz的頻率處具有相對(duì)磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分最大值。表24顯示的是測(cè)試片和對(duì)比測(cè)試片兩者的磁特性。
表24
從表24可以看出，就相對(duì)磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分的最大值的比較，薄膜樣品1約為對(duì)比測(cè)試片的600倍。由于噪聲抑制效果一般是根據(jù)相對(duì)磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分最大值μ”max的乘積(μ”max×δ)的值以及測(cè)試片厚度δ來(lái)評(píng)估的，所以合成磁性材料的對(duì)比測(cè)試片的厚度選擇1mm，這樣兩個(gè)測(cè)試片可有相似值(μ”max×δ)。
參照?qǐng)D7，測(cè)試儀器包括具有兩個(gè)端口的微帶線(xiàn)61；連接到所述兩個(gè)端口的同軸電纜62以及跨接所述兩個(gè)端口的網(wǎng)絡(luò)分析器(未顯示)。微帶線(xiàn)61長(zhǎng)度為75mm，特征阻抗為50ohm。測(cè)試片63設(shè)置在微帶線(xiàn)61的區(qū)域64，這樣就對(duì)傳輸特性S21進(jìn)行測(cè)量。關(guān)于薄膜樣品1和對(duì)比樣品的S21的頻率響應(yīng)特性分別顯示在圖8A和8B中。
對(duì)于使用薄膜樣品1的情況，圖8A中要注意的是，S21在100MHz以上的區(qū)域下降，在頻率2GHz處達(dá)到最小值-10dB，而在2GHz以上的區(qū)域開(kāi)始上升。另一方面，對(duì)于使用對(duì)比樣品的情況，圖8B中要注意的是，S21逐漸趨于降低，在頻率3GHz處達(dá)到最小值-10dB。
這些結(jié)果說(shuō)明S21與磁導(dǎo)率頻率分布相關(guān)而噪聲抑制效果與乘積(μ”max×δ)相關(guān)。
現(xiàn)在，如果磁性樣品制成如圖9A所示的長(zhǎng)度為l的分布常數(shù)電路，則可根據(jù)傳輸特性S11和S21計(jì)算單位長(zhǎng)度Δl的等效電路，如圖9B所示。這樣，根據(jù)單位長(zhǎng)度Δl的等效電路就得到長(zhǎng)度為l的等效電路，如圖9C所示。磁性樣品的等效電路包括串聯(lián)的電感L和電阻R，以及并聯(lián)的電容C和電導(dǎo)G，如圖9C所示。據(jù)此可發(fā)現(xiàn)，在微帶線(xiàn)上設(shè)置磁性物質(zhì)所導(dǎo)致的微帶線(xiàn)的傳輸特性的變化主要決定于加入的串聯(lián)等效電阻R。
鑒于上述情況，對(duì)該等效電阻R的頻率響應(yīng)特性進(jìn)行測(cè)量。對(duì)應(yīng)于薄膜樣品1和對(duì)比樣品，測(cè)得的數(shù)據(jù)分別如圖10A和10B所示。這些數(shù)字中要注意的是，等效電阻R在準(zhǔn)微波范圍內(nèi)逐漸降低，且在3GHz附近約為60ohm。可發(fā)現(xiàn)，等效電阻R的頻率相關(guān)性不同于1GHz附近具有最大值的相對(duì)磁導(dǎo)率虛數(shù)部分的頻率相關(guān)性?？赏茰y(cè)出，這種差異將取決于所述產(chǎn)品與樣品長(zhǎng)度與波長(zhǎng)的比率逐漸增加。
權(quán)利要求
1.一種樹(shù)脂模制部件，它包括電子電路元件；將所述電子電路元件模制其中的樹(shù)脂；以及至少覆蓋所述樹(shù)脂一部分的高頻電流抑制器，所述高頻電流抑制器由磁損耗膜制成。
2.權(quán)利要求1所要求的樹(shù)脂模制部件，其特征在于所述電子電路元件是半導(dǎo)體芯片。
3.權(quán)利要求1或2所要求的樹(shù)脂模制部件，其特征在于所述高頻電流抑制器是表現(xiàn)出大的磁損耗的磁性材料。
4.權(quán)利要求1至3中任何一個(gè)所要求的樹(shù)脂模制部件，其特征在于所述磁損耗膜是由顆粒狀的磁性材料制成的。
5.權(quán)利要求4所要求的樹(shù)脂模制部件，其特征在于所述顆粒狀的磁性材料通過(guò)濺射淀積在所述樹(shù)脂的所述至少一部分上。
6.權(quán)利要求4所要求的樹(shù)脂模制部件，其特征在于所述顆粒狀的磁性材料通過(guò)氣相淀積方法淀積在所述樹(shù)脂的所述至少一部分上。
7.權(quán)利要求1至6中任何一個(gè)所要求的樹(shù)脂模制部件，其特征在于所述磁損耗膜用于衰減流過(guò)所述電子電路元件且具有在幾十兆赫茲至幾千兆赫茲之間的頻帶內(nèi)的頻率的高頻電流。
8.權(quán)利要求1至7中任何一個(gè)所要求的樹(shù)脂模制部件，其特征在于所述磁損耗膜是用含有M、X和Y的磁性合成物的磁性物質(zhì)制成的，其中，M是含有鐵、鈷和\或鎳的金屬磁性材料，X是一種或一些不同于M和Y的元素，而Y是氟、氮和\或氧，所述M-X-Y磁性合成物成分中具有這樣的M濃度，使得所述M-X-Y磁性合成物的飽和磁化強(qiáng)度是僅含M的磁性材料的金屬塊的飽和磁化強(qiáng)度的35-80％，所述磁性材料在0.1-10千兆赫茲的頻率范圍內(nèi)有相對(duì)導(dǎo)磁率虛部μ”的最大值μ”max。
9.權(quán)利要求8所要求的樹(shù)脂模制部件，其特征在于具有相對(duì)寬頻帶的導(dǎo)磁率頻率響應(yīng)，其中相對(duì)帶寬bM為150％或更多，所述相對(duì)帶寬bwr定義為顯示出相對(duì)導(dǎo)磁率虛部為最大值μ”max的半值μ”50的兩頻率點(diǎn)間帶寬與所述帶寬的中心頻率的百分比。
全文摘要
一種樹(shù)脂模制部件(1)包括設(shè)置于其內(nèi)且密封在環(huán)氧樹(shù)脂模(3)中的半導(dǎo)體承載芯片(2)。該樹(shù)脂模制部件完全被作為高頻電流抑制器的磁損耗膜(5)所覆蓋。所述磁損耗膜最好是由顆粒狀的磁性材料制成。多個(gè)引線(xiàn)框(4)可穿過(guò)所述環(huán)氧樹(shù)脂模從所述半導(dǎo)體承載芯片引出到外面。
文檔編號(hào)H05K9/00GK1316778SQ0111656
公開(kāi)日2001年10月10日 申請(qǐng)日期2001年4月4日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月4日
發(fā)明者吉田榮吉, 小野裕司 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東金