專利名稱：Emi屏蔽設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種用于將高頻電磁輻射屏蔽在個人計算機，蜂窩電話或其他電子設(shè)備中的屏蔽設(shè)備。
背景技術(shù)：
電磁兼容性(EMC)為用于描述電磁干擾(EMI)，射頻干擾(RFI)和靜電放電(ESD)的廣義術(shù)語，上述術(shù)語通?？山粨Q地使用。
電子設(shè)備既是EMI源，也是EMI的接收器，其具有兩方面的問題。由于穿過該裝置的電磁輻射可能會引起電子故障，因此制造商必須保護他們產(chǎn)品的操作完整性。其次，制造商必須按照旨在降低進入空氣中的電磁輻射的規(guī)定進行操作。因此，需要正確的設(shè)計來防止裝置的功能受到來自外部源的輻射的干擾，并降低其系統(tǒng)的輻射。
使用塑料作為電子設(shè)備的外殼材料會引起EMI屏蔽的問題，因為EMI波會在基本上沒有阻抗的情況下自由地穿過未屏蔽的塑料。用于計算裝置的微處理器的時鐘速度的增加會使其更難于處理更快的計算機產(chǎn)生的EMI輻射。
當前屏蔽電磁干擾的方法包括使用金屬外殼，填充金屬的聚合物外殼，外殼的金屬襯底，和用于剛性聚合物或合成外殼的導電性涂層。低質(zhì)量屏蔽的最新進展示于Gabower的美國專利5,811,050中，這里參考引用其全部的公開內(nèi)容。在該專利中描述的屏蔽設(shè)備由位于加州Sunnyvale的電子屏蔽公司商業(yè)制造。
所提供的個人計算機的時鐘速度的不斷增加使有效的屏蔽越來越復(fù)雜，因為在EMI屏蔽中的任意一維尺寸超出半個波長的間隙均會造成大量的EMI泄漏，使得該裝置無法通過美國聯(lián)邦通信委員會的標準。
在堅硬的塑料外殼上使用金屬涂層體現(xiàn)了某種制造和服務(wù)上的考慮。在組裝或修補期間使用的打滑的工具可能會在金屬涂層上產(chǎn)生足以引起縫隙天線的足夠大的劃痕，由此使該殼體完全無用，且由此因為幾乎不具有成功回收的可能性而導致丟棄昂貴的物件。
金屬涂層塑料外殼的接縫會起到縫隙天線的作用，除非通過使用重疊的節(jié)點將該外殼部分可導電地連接在一起。當需要打開外殼進行修補或翻新時，可以理解某些傳導性的連接會由于拆卸的動作而退化。
有關(guān)傳統(tǒng)方法的進一步的背景和屏蔽方法的特征可在以下文章中查到通用電氣公司的GE Plastics Division發(fā)表的“EMI/RFI屏蔽指南”，Gerke和Kimmel的文章“EDN設(shè)計師的電磁兼容指南”，其為EDN雜志39卷第2期的增刊(1994年1月)，peter Mooney的文章“電子設(shè)備封裝中的塑料日益突出的電子和環(huán)境問題”，該文章由位于南卡羅來那州adorance的Plastics Custom Research Services于1995年2月發(fā)表。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種新的EMI屏蔽系統(tǒng)，用于電子設(shè)備封裝中。本發(fā)明一般地提供了一種由熱力塑型組成的屏蔽設(shè)備，其具有一金屬化層，能夠阻擋EMI/RFI輻射的穿透(例如，輻射和吸收)。該電子設(shè)備的外殼能夠促使該屏蔽設(shè)備緊靠電路板上的地面軌跡以使該屏蔽設(shè)備接地。
在一實施例中，本發(fā)明提供了一多隔室的塑料裝置，其涂敷有一層導電性金屬涂層，最好由熱力塑型的塑料板制成(例如，已被加熱且在氣壓的作用下被拽進一模子或模具上的板材或膜材。該金屬涂層可通過涂漆或最好通過如Gabower的美國專利5,811,050中所述的真空金屬化來實現(xiàn)。該結(jié)果產(chǎn)生的金屬化裝置具有一金屬涂層覆蓋其表面，厚度為至少一微米，且該塑料裝置的壁厚相當薄，在0.003英尺至0.020英尺的范圍內(nèi)，結(jié)果產(chǎn)生廉價的可套起來的多隔室EMI屏蔽，放置在安裝于一電路板上的發(fā)射電磁輻射的元件上。該裝置的隔室被排列為使得該裝置符合一電子設(shè)備外殼的內(nèi)部形狀，該電子設(shè)備如蜂窩電話，計算機或其他內(nèi)部產(chǎn)生EMI或暴露于來自該裝置外部的RFI時易于退化的裝置。該裝置被建有一橫向延伸的外圍凸緣且具有空心壁，其分離這些隔室且套在形成于該封裝(enclosure)內(nèi)的內(nèi)部肋部上，該裝置的形狀與其相符合。
可作為液體應(yīng)用的非導電彈性墊圈材料被置于肋部的頂部和該外殼的外側(cè)壁之間，以及在空心的肋部和該裝置的外圍凸緣之下，由此在該裝置和外殼之間提供一彈性墊。
包含EMI發(fā)射元件的電路板被置于緊靠該裝置使得該EMI發(fā)射元件被容納于這些隔室之內(nèi)。該電路板在其面向該裝置的表面上具有一導電的接地軌跡，該接地軌跡限定一路徑，該路徑與該中空的肋部和該裝置的外圍凸緣相適應(yīng)。該金屬化裝置和該電路板的接地軌跡之間的接觸用于將EMI發(fā)射器封閉于一接地的封裝內(nèi)以將該EMI包含在該單元之內(nèi)并使其與該單元內(nèi)的其他元件隔離。當該電路板被安裝在該外殼之內(nèi)時，墊圈促使該裝置的凸緣和中空的壁與該電路板的接地軌跡相接觸。
該裝置的凸緣和空心壁可形成有空間上很近的凹坑，刺穿的突出或伸長的突出，其上涂有金屬且從該裝置延伸以增加該裝置和該電路板的接地軌跡之間的接觸，選擇該填充間隙的凹坑、刺穿的突出或伸長的突出的間隔以防止它們之間的空間被用作縫隙天線。當使用這些替換的實施例裝置時，可省去該彈性材料的墊圈。
在一方面，本發(fā)明提供了一種屏蔽一電子設(shè)備內(nèi)的EMI/RFI輻射的方法。該方法包括將一屏蔽設(shè)備耦合至一印刷電路板。該屏蔽設(shè)備被接地至一接地軌跡。通過將該電子設(shè)備的外殼部分接觸靠緊該屏蔽設(shè)備來使該該屏蔽設(shè)備被壓靠在該接地軌跡上。
在另一方面，該發(fā)明提供了一種用于屏蔽EMI/RFI輻射的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括位于該外殼內(nèi)的一外殼和電路板。該電路板具有一接地軌跡。該系統(tǒng)還具有一屏蔽設(shè)備，其具有一凸緣環(huán)繞該屏蔽設(shè)備的外圍延伸。一真空金屬化層附著于該屏蔽設(shè)備使得該真空金屬化層能夠屏蔽EMI/RFI輻射。該屏蔽設(shè)備位于該外殼內(nèi)使得該外殼促使該屏蔽設(shè)備與該接地軌跡接觸，以便保護該電路板免受EMI/RFI輻射。
本發(fā)明的一個目的是提供一EMI屏蔽設(shè)備，其不需要導電墊圈來確保在EMI發(fā)射元件周圍創(chuàng)建一接地封裝。
本發(fā)明的另一目的是提供一種廉價的EMI屏蔽系統(tǒng)，其能夠在一電子設(shè)備的EMI發(fā)射元件和該同一裝置的敏感元件之間進行屏蔽。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種廉價輕便的EMI屏蔽系統(tǒng)。
本發(fā)明的再一個目的是提供一種EMI屏蔽系統(tǒng)，其提供與形成在一電路板表面上的接地軌跡的導電性接觸，該電路板容納有EMI發(fā)射元件。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種EMI屏蔽設(shè)備，其可被形成為符合一剛性封裝的內(nèi)部肋狀物，該剛性封裝不需要墊圈元件來建立與一電路板的表面接地軌跡的接觸。
對以下說明書和權(quán)利要求的審查，本發(fā)明的這些和其它目的會變得明顯。


圖1為一電子封裝部件的透視圖。
圖2為圖1的該電子封裝部件的分解透視圖。
圖3為一電路板、EMI/RFI屏蔽設(shè)備和間隙填充墊圈的分解透視圖。
圖4為沿圖1的線4-4截取的詳細的截面圖。
圖5為安裝于一電路板的EMI/RFI的底視圖。
圖6為另一實施例EMI/RFI屏蔽設(shè)備的透視圖。
圖7為另一實施例EMI屏蔽設(shè)備的凸緣的詳細的截斷圖，其示出形成于該裝置的外圍凸緣上的間隙填充穿孔。
圖8為另一實施例EMI屏蔽設(shè)備的間隙填充突出的詳細的截斷圖，其示出形成于該裝置的外圍凸緣上的間隙填充小孔。
圖9為另一實施例EMI屏蔽設(shè)備的間隙填充凹坑的詳細的截斷圖，其示出形成于該裝置的外圍凸緣上的間隙填充小孔。
具體實施例方式
參考圖1，一蜂窩電話的電子封裝部件20為一典型的蟹殼形封裝設(shè)計，其被以裝配結(jié)構(gòu)示出，如將要使用的那樣。圖2示出電子封裝部件20的分解圖，包括一底封裝外殼10和項封裝外殼12。底封裝外殼10包括一凸緣網(wǎng)11，和多個螺旋凸臺14。電子封裝部件20由多個螺絲18和多個螺旋凸臺14固緊在一起。該固緊的方法在電子封裝設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域中是為人所熟知的，因而省略了一些細節(jié)使重點放在本發(fā)明上。電子封裝部件20還包括一EMT/RFI屏蔽設(shè)備部件24，其由一涂有導電性涂層22的EMI/RFI屏蔽設(shè)備21，印刷電路板32，多個電子元件36和一液晶顯示器44組成，其中，導電性涂層最好為使用真空金屬技術(shù)涂敷的鋁。如圖2和3所示，印刷電路板32上布有多個電連接于其上的電子元件36，且在其面向該裝置21的表面上還具有一內(nèi)部接地層50和被電鍍并暴露的EMI/RFI接地軌跡46。EMI/RFI接地軌跡46的形狀通常精確對應(yīng)于EMI/RFI屏蔽設(shè)備21的頂面的形狀，后者的形狀又精確對應(yīng)于該肋部11的形狀。該設(shè)計的其他細節(jié)例如其他有源和無源的電路元件，揚聲器，按鍵，開關(guān)，天線，連線，電池及底封裝外殼10和頂封裝外殼12上相應(yīng)的孔洞和特征，均包括在功能性設(shè)計中，因而被省略以便不會掩蓋本發(fā)明。
參看圖1、3和4，EMI/RFI屏蔽設(shè)備部件24包括一EMI/RFI屏蔽設(shè)備21，在EMI/RFI屏蔽設(shè)備21上的導電性涂層22和一間隙填充墊圈25。EMI/RFI屏蔽設(shè)備21可由聚合物或壓緊的改進的間規(guī)立構(gòu)聚苯乙烯薄膜層構(gòu)成，根據(jù)應(yīng)用需要其厚度可以從0.003英尺至0.02英尺。該材料的一個例子為由MA，Pittsfield的General ElectricPlastics制造VALOXTM，或由MI，Midland的Dow公司制造的QUESTRATM?？赏ㄟ^本領(lǐng)域中熟知的多種成型過程將該板材料制成EMI/RFI屏蔽設(shè)備21的形狀，這些成型處理例如真空成型，壓力成型，真空壓力成型，壓花法，以及注模法等等。在EMI/RFI屏蔽設(shè)備21中的該隔室23的形狀由在底封裝外殼10內(nèi)的孔洞13的形狀規(guī)定，即EMI/RFI屏蔽設(shè)備21緊密地適合由底封裝外殼10內(nèi)的肋部11形成的空腔。屏蔽設(shè)備21包括一外圍凸緣27，其圍繞隔室23周圍且從屏蔽設(shè)備的外側(cè)壁29橫向延伸。隔室23由窄的空心壁31分隔開，其容納下部外殼10的肋部11。下部外殼10的肋部11和外壁33限定空腔13。在裝配該屏蔽部件24時，將屏蔽設(shè)備21的凸緣27覆蓋在下部外殼10的肋部11和外壁33的上面。墊圈25位于肋部11和空壁31之間及外側(cè)壁33上的凸緣27和肋部11之間。通過本專業(yè)中熟知的真空沉淀或?qū)щ娦酝科崽幚韺щ娦酝繉?2涂敷于EMI/RFI屏蔽設(shè)備21上。
現(xiàn)在參考圖5和6，空間隙填充墊圈25由Loctite公司制造的液態(tài)彈性材料產(chǎn)品NUVASILTM組成。間隙填充墊圈25的材料被作為液體施加于EMI/RFI屏蔽設(shè)備21的空壁31的凹槽內(nèi)，且固化至一彈性材料狀態(tài)。
參考圖4，當電子封裝部件20被固緊在一起使用時，EMI/RFI屏蔽設(shè)備部件24受到底封裝外殼10和項封裝外殼12的約束。EMI/RFI屏蔽設(shè)備21被壓在印刷電路板32和肋部11之間。在一未裝配的狀態(tài)下，間隙填充墊圈25的厚度大于該肋部11的項和EMI/RFI屏蔽設(shè)備21的相應(yīng)的底面積之間的實際距離。因為間隙填充墊圈25為適應(yīng)性的彈性體，肋部11壓縮間隙填充墊圈25，其又使EMI/RFI屏蔽設(shè)備21緊靠印刷電路板32上的EMI/RFI接地軌跡46。EMI/RFI屏蔽設(shè)備21和印刷電路板32上的EMI/RFI接地軌跡46之間牢固的導電連接建立了必要的接觸阻抗，用于在電子封裝20內(nèi)待被屏蔽的給定區(qū)域內(nèi)的有效的EMI/RFI屏蔽接縫。間隙填充墊圈25的適應(yīng)性還可用于填充印刷電路板32和EMI/RFI屏蔽設(shè)備21之間的容差間隙或微小的失調(diào)。
當電子封裝部件20被加電使用時，由印刷電路板32和電子元件36產(chǎn)生的通過電路的電流使EMI或RFI從該裝置傳播開。由接地層50、EMI/RFI接地軌跡46、EMI/RFI屏蔽設(shè)備部件24的組合產(chǎn)生的連續(xù)的傳導封裝使該電磁能被屏蔽且被防止傳播到電子封裝部件20的外面，其有效地構(gòu)成一密封的法拉第籠。法拉第籠在電磁技術(shù)領(lǐng)域中是眾所周知的。
參考圖7，另一實施例示出，可使用多個間隙填充穿孔28來代替間隙填充墊圈25。間隙填充穿孔28通過一沖切工藝來產(chǎn)生，通過該工藝，具有多個離散刀片的沖模刺穿EMI/RFI屏蔽設(shè)備21的凸緣27的頂面和空壁31。該沖模的形狀恰好是EMI/RFI屏蔽設(shè)備21的最頂面的形狀。當這些刀片穿過該聚合物材料時，它們使該穿口周圍的材料偏離，自該頂面略微向上或遠離。間隙填充穿孔28在涂敷導電性涂層22之前被形成于EMI/RFI屏蔽設(shè)備21上。當如上所述進行裝配時，間隙填充穿孔通過肋部11和外壁33被適應(yīng)性地緊靠EMI/RFI接地軌跡46。由于間隙填充穿孔28覆蓋有導電性涂層22，因此保持了連續(xù)的傳導性屏蔽，防止由電子元件36輻射的EMI/RFI傳播出電子封裝部件24。穿孔28之間的間隔被選擇為小于預(yù)期的為防止EMI泄漏的EMI輻射的半個波長。
圖8公開了凸緣27的一部分的近視圖，其被改進為具有間隙填充的彎曲突出52，在凸緣27上產(chǎn)生有直立的均勻隔開的片狀物，相鄰間隙填充彎曲突出52之間的空間小于待被屏蔽的頻率的半個波長。該間隙填充彎曲突出52還可被形成于該裝置21的空壁31內(nèi)。當裝置21和電路板33安裝于外殼10內(nèi)時，該間隙填充彎曲突出52在該外殼10的肋部11和外壁33的作用下緊靠接地軌跡46。
參考圖9，另一替換實施例示出可使用多個間隙填充凹坑60來代替間隙填充墊圈25。間隙填充凹坑60通過一成型工藝產(chǎn)生，使用該工藝，沿EMI/RFI屏蔽設(shè)備21的項面形成若干小的半圓。間隙填充凹坑60沿印刷電路板32的方向突出。在涂敷導電性涂層22之前，將間隙填充凹坑60制進EMI/RFI屏蔽設(shè)備21。當如上所述進行裝配時，間隙填充凹坑60在肋部11的作用下適應(yīng)性地緊靠EMI/RFI接地軌跡46。由于間隙填充凹坑覆蓋有導電性涂層22，因此保持了一連續(xù)導電的屏蔽，其防止由電子元件36輻射的EMI/RFI傳播出電子封裝部件24的外部。
盡管以上描述包含了許多特定的實施例，但并不能將它們理解為是用來限定本發(fā)明的范圍，而應(yīng)當理解為僅僅是提供對本發(fā)明的當前最佳實施例的描述。EMI/RFI屏蔽設(shè)備21可使用多種不同的塑料來制成。間隙填充墊圈25可由多種不同的適應(yīng)性材料制成。例如，間隙填充墊圈25可由彈性片材料沖切而成。除間隙填充凹坑60外，還可包括其它嵌入模內(nèi)的間隙填充特征。例如，可制型并沖切間隙填充彎曲突出52使其形成于EMI/RFI屏蔽設(shè)備21上，如圖8所示。盡管本發(fā)明的描述示出的是蜂窩電話，本發(fā)明還可被用于RFI屏蔽，例如可用于無線電收發(fā)報機，便攜式電腦，PDA(個人數(shù)字助理)，或其他需防止輻射EMI的裝置。
權(quán)利要求
1.安裝在一電路板的剛性外殼上的EMI屏蔽設(shè)備，該外殼具有外圍側(cè)壁，包括一熱力塑型，其通過加熱可熱塑板并將其拉進一模子或模具而成型，該熱力塑型在其上具有一真空沉積的金屬涂層，其厚度至少為一微米，所述熱力塑型符合所述剛性外殼且相配地安裝于其側(cè)壁之間，所述熱力塑型在其上具有一周邊的向外延伸的凸緣，所述凸緣具有第一表面和相對的第二表面，該電路板具有一接地軌跡，固定于其外部表面上，所述凸緣的所述第一表面可毗鄰于該電路板的接地軌跡，置于所述側(cè)壁和所述第二凸緣之間的彈性材料墊圈，由此，所述墊圈促使所述凸緣的所述第一表面與所述接地軌跡接觸。
2.一用于屏蔽一電子設(shè)備內(nèi)的EMI和RFI的系統(tǒng)，該電子設(shè)備具有一通常為剛性的外殼且在該外殼內(nèi)具有一可安裝的電路板，包括一聚合物裝置，其具有一外圍側(cè)壁，所述側(cè)壁在其上具有一向外的延伸的凸緣，所述外圍側(cè)壁限定了所述裝置上的至少一個多邊形的隔室，所述隔室具有一開口側(cè)，所述裝置具有第一面和第二面，所述裝置至少在其第一表面上具有一導電性金屬涂層，所述至少一個隔室的開口側(cè)與所述裝置的所述第一面一致，所述電路板具有第一側(cè)，其上布有至少一個發(fā)射元件且固定有接地軌跡，所述多邊形隔室覆蓋所述至少一個發(fā)射元件，所述接地軌跡與所述凸緣配準且與其接合，所述外殼在其內(nèi)形成有至少一個頂端開口的封裝，所述至少一個封裝由所述外殼上突出的肋部限定，所述至少一個封裝容納所述裝置的所述隔室，所述凸緣與所述直立的凸緣配準，一彈性墊圈位于所述裝置的所述肋部和所述第二面之間，由此，所述彈性墊圈促使所述凸緣與所述接地軌跡接合。
3.一用于屏蔽一電子設(shè)備內(nèi)的EMI和RFI的系統(tǒng)，該電子設(shè)備具有一通常為剛性的外殼且在該外殼內(nèi)具有一可安裝的電路板，包括一聚合物裝置，具有多個隔室，其由整體形成于所述裝置內(nèi)的空心壁限定，每個所述隔室具有一開口側(cè)，所述裝置具有第一面和第二面，每個所述隔室的所述開口側(cè)與所述裝置的所述第一面相符，所述裝置在其所有的至少所述第一面上具有一導電的金屬涂層，所述電路板具有第一側(cè)，其上布有多個電子元件且固定有接地軌跡，所述隔室覆蓋至少一些所述電子元件；所述接地軌跡與所述空心壁配準且與其接合，所述外殼在其內(nèi)至少形成有多個頂端開口的封裝，所述封裝由所述外殼上直立的肋部限定，所述封裝容納所述裝置的所述隔室，所述空心壁與所述直立的肋部配準，一彈性墊圈位于所述裝置的所述肋部和所述第二面之間，由此，所述彈性墊圈促使所述空壁與所述接地軌跡接合。
4.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，所述金屬涂層是連續(xù)且光滑的，包括一真空沉積層，厚度至少為一微米。
5.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，所述裝置為一聚合物板，通過加熱該板并在一模子上對其拉伸或?qū)⑵淅斓揭荒＞咧袑ζ溥M行加熱成形。
6.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，所述裝置具有一外圍側(cè)壁，其上具有一向外延伸的凸緣，所述封裝具有一外壁，所述凸緣與所述封裝的所述外壁配準，所述凸緣與所述接地軌跡配準，所述墊圈位于所述封裝的所述外壁上和所述凸緣之下，所述接地軌跡還與所述凸緣配準，由此，所述墊圈還促使所述凸緣與所述接地軌跡接合。
7.一用于屏蔽一電子設(shè)備內(nèi)的EMI和RFI的系統(tǒng)，該電子設(shè)備具有一通常為剛性的外殼且在該外殼內(nèi)具有一可安裝的電路板，包括一聚合物裝置，其具有一外圍側(cè)壁，所述側(cè)壁在其上具有一向外延伸的凸緣，所述裝置具有第一面和第二面，所述外圍側(cè)壁限定所述裝置上的至少一個多邊形隔室，所述隔室具有開口側(cè)，所述裝置在其至少第一面上具有一導電金屬涂層，所述至少一個隔室的開口側(cè)與所述裝置的所述第一面一致，所述電路板具有一第一側(cè)，其上布有至少一個發(fā)射元件且具有一接地軌跡與其固定，所述多邊形隔室覆蓋所述至少一個發(fā)射元件，所述接地軌跡與所述凸緣配準，所述外殼在其上形成有至少一個頂端開口的封裝，所述至少一個封裝由所述外殼上直立的肋部限定，所述至少一個封裝容納所述裝置的所述隔室，所述凸緣與所述突出的肋部配準，所述凸緣在其上形成有多個空間分開的突出，所述突出從所述裝置的所述第一面延伸，由此，所述突出在所述肋部的作用下與所述接地軌跡接合。
8.如權(quán)利要求7所述的EMI屏蔽系統(tǒng)，其中，所述突出包括壓入所述裝置的所述凸緣的凹坑。
9.一用于屏蔽一電子設(shè)備內(nèi)的EMI和RFI的系統(tǒng)，該電子設(shè)備具有一通常為剛性的外殼且在該外殼內(nèi)具有一可安裝的電路板，包括一聚合物裝置，其具有一外圍側(cè)壁，所述側(cè)壁在其上具有一向外延伸的凸緣，所述裝置具有第一面和第二面，所述外圍側(cè)壁限定所述裝置上的至少一個多邊形隔室，所述隔室具有開口側(cè)，所述裝置在其至少第一面上具有一導電性金屬涂層，所述至少一個隔室的開口側(cè)與所述裝置的所述第一面一致，所述電路板具有第一側(cè)，其上布有至少一個發(fā)射元件且固定有一接地軌跡，所述多邊形隔室覆蓋所述至少一個發(fā)射元件，所述接地軌跡與所述凸緣配準，所述外殼在其上形成有至少一個項端開口的封裝，所述至少一個封裝由所述外殼上直立的肋部限定，所述至少一個封裝容納所述裝置的所述隔室，所述凸緣與所述突出的肋部配準，所述凸緣在其上形成有多個空間上分開的突出，所述突出從所述裝置的所述第二面延伸，由此，所述突出促使所述凸緣與所述接地軌跡接合。
10.一種屏蔽電子設(shè)備中的EMI/RFI輻射的方法，該方法包括將一屏蔽設(shè)備耦合至一印刷電路板；將該屏蔽設(shè)備接地至接地軌跡；且通過使該電子設(shè)備外殼的一部分與該屏蔽設(shè)備接觸，使該屏蔽設(shè)備壓擠在該接地軌跡上。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，該屏蔽設(shè)備為一金屬化的熱力塑型。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括真空金屬化該熱力塑型。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，接地包括使該屏蔽設(shè)備突出的凸緣與該接地軌跡接觸。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，突出的凸緣包括凹坑，其中，壓擠包括使凹坑緊靠接地軌跡。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括使凹坑的間距不超過EMI輻射的半個波長。
16.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，接地包括建立一法拉第籠。
17.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，壓擠包括用力推該外殼的肋部使其靠緊該屏蔽設(shè)備以促使該屏蔽設(shè)備與該接地軌跡緊密接觸。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，用力推包括將肋部容納在屏蔽設(shè)備內(nèi)的空腔內(nèi)。
19.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括將非導電性墊圈置于該外殼和屏蔽設(shè)備之間。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，還包括使該外殼的肋部緊靠該非導電墊圈使得該屏蔽設(shè)備緊靠該接地軌跡。
21.用于屏蔽EMI/RFI的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括外殼，電路板，包括一接地軌跡，該電路板位于該外殼內(nèi)，屏蔽設(shè)備，包括一凸緣，其環(huán)繞該屏蔽設(shè)備的外圍延伸；真空金屬化層，其連接于該屏蔽設(shè)備，其中，該真空金屬化層能夠屏蔽EMI/RFI輻射，其中，該屏蔽設(shè)備位于該外殼內(nèi)，以便該外殼能夠使該屏蔽設(shè)備與該接地軌跡接觸，從而屏蔽該電路板，使其免于受到EMI/RFI輻射。
22.如權(quán)利要求21的系統(tǒng)，其中，該外殼包括四個側(cè)壁和肋部，其中，該屏蔽設(shè)備被容納于該四個側(cè)壁之間的外殼內(nèi)，且其中該肋部與該屏蔽設(shè)備接觸以使該屏蔽設(shè)備與該接地軌跡接觸。
23.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其中，該屏蔽設(shè)備包括至少一個空心壁以容納該肋部。
24.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其中，該屏蔽設(shè)備包括位于該凸緣上的凹坑，其中，該外殼可適應(yīng)地緊靠該接地軌跡。
25.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，還包括一可壓縮的墊圈，位于該外殼和屏蔽設(shè)備之間，其中，該外殼與該墊圈接觸以彈性地使該屏蔽設(shè)備緊靠該接地軌跡。
26.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其中，該屏蔽設(shè)備包括多個隔室。
全文摘要
一種EMI和RFI屏蔽安裝系統(tǒng)(24)，包括一劃分隔室的EMI屏蔽設(shè)備(21)，其由真空金屬化的熱力塑型(22)構(gòu)成，該熱力塑型具有直立的空心壁分離并包圍該隔室(13)。該屏蔽設(shè)備(21)與電子設(shè)備(30)的外殼(20)的內(nèi)部相適應(yīng)，直立壁(29)覆蓋形成于該外殼(20)內(nèi)部的隆起。一可壓縮的墊圈(25)位于該外殼的隆起和該屏蔽設(shè)備(21)的空心壁(31)的內(nèi)部范圍之間。該屏蔽設(shè)備(21)的壁(29)的自由側(cè)可緊靠一印刷電路板(32)的接地軌跡(46)，在其上放置有該屏蔽設(shè)備(21)和外殼(20)。墊圈(25)促使該屏蔽設(shè)備(21)的壁(29)的金屬化的自由邊緊靠該印刷電路板的接地軌跡(46)，以在該印刷電路板和屏蔽設(shè)備(21)之間提供電傳導。可在壁(29)的自由側(cè)上形成凹坑(60)、突出物(52)或突出的穿孔以確保與接地軌跡(46)的導電性接觸。
文檔編號H05K9/00GK1409942SQ00817047
公開日2003年4月9日 申請日期2000年10月6日 優(yōu)先權(quán)日1999年10月12日
發(fā)明者約翰·F·加博沃 申請人:電子設(shè)備屏蔽公司