專利名稱：光電器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電器件，例如用于發(fā)射或檢測光的器件。
光電器件的一種特定類型是使用用于光發(fā)射或檢測的有機材料的那些。在PCT/WO90/13148和US4539507中公開了發(fā)光有機材料，其內(nèi)容在此引用供參考。這些器件的基本結(jié)構(gòu)是發(fā)光有機層，例如夾在兩個電極之間的聚(對亞苯基亞乙烯基)(“PPV”)膜。一個電極(陰極)注入負電荷載流子(電子)，另一電極(陽極)注入正電荷載流子(空穴)。電子和空穴在有機層中復(fù)合產(chǎn)生光子。PCT/WO90/13148中有機發(fā)光材料是聚合物。US4539507中有機發(fā)光材料是公知的小分子材料類型，例如(8-羥基喹啉)鋁(“A1q3”)。在實際器件中，電極之一通常是透明的，使得光子能逸出器件。


圖1表示該有機發(fā)光器件(“OLED”)的典型橫截面結(jié)構(gòu)。一般在用形成陽極2的透明材料例如銦錫氧化物(“ITO”)涂覆過的玻璃或塑料襯底1上制備OLED。該涂覆襯底有市售。ITO涂覆的襯底至少覆蓋電致發(fā)光有機材料薄膜3和通常為金屬或合金的最后陰極層4。
該器件的一些特別有吸引力的應(yīng)用是作為電池供電裝置例如便攜式計算機和移動電話的顯示器。因此，為延長該裝置的電池壽命，強烈要求提高發(fā)光器件的效率。改善效率的一種途徑是對發(fā)光材料本身的仔細選擇和設(shè)計。另一種是優(yōu)化顯示器的物理布置。第三種是改善發(fā)光層中電荷注入和電荷復(fù)合的條件。
為改善發(fā)光層中電荷注入和電荷復(fù)合的條件，公知在電極之一或兩個與發(fā)光層之間包括有機材料例如聚苯乙烯磺酸摻雜的聚亞乙基二氧噻吩(“PEDOT-PSS”)的電荷輸運層。適當選擇的電荷輸運層可增強電荷注入發(fā)光層，并阻擋電荷載流子的逆向流動，有助于電荷復(fù)合。也公知由功函數(shù)有助于電荷載流子理想流動的材料來形成電極。例如，優(yōu)選低功函數(shù)材料例如鈣或鋰作為陰極。PCT/WO97/08919公開了鎂鋰合金形成的陰極。
按照本發(fā)明的一個方面，提供一種光電器件，包括陽極；陰極；以及位于電極之間的光電有源區(qū)；陰極包括包含族1、族2或過渡金屬的化合物的第一層；包含其功函數(shù)低于3.5eV的材料的第二層；以及通過第一、第二層與光電有源區(qū)隔開的并且功函數(shù)大于3.5eV的第三層。
按照本發(fā)明的第二方面，提供形成光電器件的方法，該方法包括淀積陽極；在陽極上淀積光電有源材料區(qū)；在光電有源材料區(qū)上淀積包含族1、族2或過渡金屬的化合物的層和包含功函數(shù)低于3.5eV的材料的層；以及在那些層上淀積功函數(shù)大于3.5eV的材料，形成第三陰極層。
該化合物優(yōu)選族1或族2金屬的化合物，特別是族1金屬例如鋰的化合物。該化合物可以是例如鹵化物(例如氟化物)、氧化物、碳化物或氮化物中的任何一個。這些化合物中的一些可以是導(dǎo)電的，而另一些可以是電絕緣的。該化合物可以是族1、族2或過渡金屬的配合物，特別是有機配合物。
通過第二層可把第一層與光電有源區(qū)隔開?；蛘?，通過第一層把第二層與光電有源區(qū)隔開。第一、第二層中更靠近光電有源區(qū)者最好與該區(qū)相鄰，或者在第一層和光電有源區(qū)之間有一個或多個其它層(優(yōu)選導(dǎo)電層)。光電有源區(qū)適合呈層狀，優(yōu)選為光電有源材料層。適當激活光電有源區(qū)以發(fā)射光或響應(yīng)入射光產(chǎn)生電場。優(yōu)選該器件是電致發(fā)光器件。
第二層適當?shù)匕ㄓ砂缦滤薪饘俚慕M中選擇出的金屬Li、Ba、Mg、Ca、Ce、Cs、Eu、Rb、K、Y、Sm、Na、Sm、Sr、Tb、或Yb；或這些金屬的兩種或多種的合金；或這些金屬的一種或多種與另一金屬例如Al、Zr、Si、Sb、Sn、Zn、Mn、Ti、Cu、Co、W、Pb、In或Ag一起的合金。
第一層的適當厚度是在10-150埃之間。第二層的適當厚度小于1000埃，優(yōu)選小于500埃。第二層的適當厚度大于40?；?00埃，任意地大于150埃或200埃。優(yōu)選第二層厚度范圍是40埃-500埃。
第一層優(yōu)選包括大于80％、大于90％或大于95％，或最優(yōu)選大于99％的所述化合物。第一層最好基本上由所述化合物組成。所述化合物在該器件中具有小于3.5eV的有效功函數(shù)。
構(gòu)成第二層的所述材料優(yōu)選具有小于3.5eV、小于3.4eV、或小于3.3eV或小于3.2eV、或小于3.2eV或小于3.1eV或小于3.0eV的功函數(shù)。第二層優(yōu)選包括大于80％、大于90％或大于95％，或最優(yōu)選大于99％的該材料。第二層最好基本上由該材料組成。
與光電有源區(qū)接觸的任何陰極層的材料在兩者接觸時優(yōu)選不導(dǎo)致有源區(qū)材料的明顯退化。不與光電有源區(qū)接觸的任何陰極層的材料可以是在兩者接觸時會導(dǎo)致有源區(qū)材料退化的材料。第一層的所述化合物當與有源區(qū)材料接觸時可形成介于有源區(qū)材料與第二層的所述材料之間的中間態(tài)。
第三層適當?shù)匕ü瘮?shù)高于第一、第二陰極層的材料(“更高功函數(shù)材料”)。更高功函數(shù)材料的功函數(shù)優(yōu)選大于3.5eV或更優(yōu)選大于4.0eV。更高功函數(shù)的材料適當?shù)厥墙饘?。更高功函?shù)材料和/或第三層本身優(yōu)選具有大于105(Ω.cm)-1的導(dǎo)電率。更高功函數(shù)材料優(yōu)選是Al、Cu、Ag、Au或Pt；或這些金屬的兩種或多種的合金；或這些金屬的一種或多種與另一金屬一起的合金，或氧化物例如錫氧化物或銦-錫氧化物。優(yōu)選第三層厚度范圍是1000埃-10000埃，更優(yōu)選范圍2000埃-6000埃，最佳在約4000埃左右。
優(yōu)選第二層與第一層相鄰。優(yōu)選第三層與第二層相鄰。或者，陰極還可包括位于第一、第二和/或第三層之間的其它層。優(yōu)選陰極是無機物，更優(yōu)選是金屬性的。
優(yōu)選電極之一透光，更優(yōu)選透明。優(yōu)選但并非必須是陽極，陽極由錫氧化物(TO)、銦-錫氧化物(ITO)或金形成。
光電有源區(qū)可以發(fā)光(通過對其施加適當電場時)或可以是光敏的(響應(yīng)入射光，適當產(chǎn)生電場)。光電有源區(qū)適當?shù)匕òl(fā)光材料或光敏材料。該發(fā)光材料適當是有機材料，優(yōu)選是聚合物材料。優(yōu)選發(fā)光材料是半導(dǎo)體和/或共軛聚合物材料。另一方面，發(fā)光材料可以是其它類型，例如升華小分子膜或無機發(fā)光材料。所述或每種有機發(fā)光材料可包括一種或多種單個有機材料、適當?shù)木酆衔?，?yōu)選完全或部分共軛聚合物。材料例子包括如下的一種或多種的任何組合聚對亞苯基亞乙烯基(“PPV”)、聚(2-甲氧基-5(2-乙基)己氧基亞苯基亞乙烯基)(“MEH-PPV”)、PPV衍生物的一種或多種(例如二烷氧基或二烴基衍生物)、聚芴和/或含有聚芴鏈段的共聚物、PPV和相關(guān)共聚物、聚(2，7-(9，9-雙正辛基芴)-(1，4-亞苯基-((4-仲丁基苯基)亞氨基)-1，4-亞苯基))(“TFB”)、聚(2，7-(9，9-雙正辛基芴)-(1，4-亞苯基-((4-甲基苯基)亞氨基)-1，4-亞苯基-((4-甲基苯基)亞氨基)-1，4-亞苯基))(“PFM”)、聚(2，7-(9，9-雙正辛基芴)-(1，4-亞苯基-((4-甲氧基苯基)亞氨基)-1，4-亞苯基-((4-甲氧基苯基)亞氨基)-1，4-亞苯基))(“PFM0”)、聚(2，7-(9，9-雙正辛基芴)(“F8”)或聚(2，7-(9，9-雙正辛基芴)-3，6-苯并噻二唑)(“F8BT”)。替代性材料包括例如Alq3的小分子材料。
器件中可有一個或多個其它層。在有源區(qū)與電極的一個或另一個之間可有一個或多個電荷輸運層(優(yōu)選由一種或多種有機材料形成)。每個電荷輸運層可適當?shù)匕ㄒ环N或多種聚合物例如聚苯乙烯磺酸摻雜的聚亞乙基二氧噻吩(“PEDOT-PSS”)、聚(2，7-(9，9-雙正辛基芴)-(1，4-亞苯基-(4-亞氨基(苯甲酸))-1，4-亞苯基-(4-亞氨基(苯甲酸))-1，4-亞苯基))(“BFA”)、聚苯胺和PPV。
按照本發(fā)明的第二方面，提供形成光電器件的方法，該方法包括淀積陽極；在陽極上淀積光電有源材料區(qū)；在光電有源材料區(qū)上淀積功函數(shù)低于3.5eV的材料以形成第一陰極層；以及在第一陰極層上淀積功函數(shù)低于3.5eV的另一材料，形成組成與第一陰極層不同的第二陰極層。
參考附圖，通過例子描述本發(fā)明，其中圖2是發(fā)光器件的橫截面；圖3-4表示與多個發(fā)光器件性能有關(guān)的數(shù)據(jù)；和圖5和6表示具有不同組成的陰極的一組器件的實驗數(shù)據(jù)；圖7表示具有不同結(jié)構(gòu)的陰極的一組器件的實驗數(shù)據(jù)；圖8和9表示具有不同厚度的陰極層的器件的實驗數(shù)據(jù)。
圖2中所示層的厚度未按比例。
圖2的器件包括陽極10和陰極11。位于電極層之間的是發(fā)光材料的有源層12。PEDOT∶PSS的電荷輸運層13位于陽極10與發(fā)光層12之間。在玻璃襯底14上形成所述器件。
金屬陰極11包括三層。鄰近發(fā)光層12是第一層15，為鈣。在這之上是第二層16，為鋰。在這之上是第三層17，為鋁。如下所述，已發(fā)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)使器件效率極大提高。
為形成圖2的器件，形成陽極10的ITO透明層可首先淀積在玻璃片14上。玻璃片可以是厚度例如1mm的鈉鈣玻璃或硼硅酸鹽玻璃片。適當?shù)腎TO涂層厚度約100-150nm，ITO適當?shù)鼐哂性?0-30Ω/□之間的薄層電阻。該種涂覆ITO的玻璃襯底有市售。至于玻璃的替代品，片14可由有機玻璃形成。至于ITO的替代品，金或TO可用作陽極。
在ITO陽極上淀積空穴輸運層或注入層13。空穴輸運層由含有PEDOT∶PSS的溶液形成，PEDOT與PSS比例約1∶5.5?？昭ㄝ斶\層的適當厚度約500埃?？昭ㄝ斶\層通過溶液旋涂，然后氮氣氣氛下約200℃下焙燒1小時。
然后，淀積電致發(fā)光層15。該例子中，電致發(fā)光層由5BTF8中20％TFB形成。術(shù)語5BTF8表示摻有5％聚-(2，7-(9，9-雙正辛基芴)-3，6-苯并噻二唑)(“F8BT”)的聚(2，7-(9，9-雙正-辛基芴)(“F8”)。術(shù)語TFB指聚-(2，7-(9，9-雙正辛基芴)-(1，4-亞苯基-((4-仲丁基苯基)亞氨基)-1，4-亞苯基))。通過旋涂法在空穴輸運層上涂覆該混合物，厚度一般約750埃。其它材料例如PPV可用于發(fā)光層。通過其它途徑例如刮板或液面涂覆也能形成發(fā)光層，并且如果需要，能以前體形式淀積發(fā)光層。
然后，淀積陰極。在小于10-8mbar的基礎(chǔ)壓力下在真空中通過連續(xù)熱蒸發(fā)步驟淀積陰極的三個不同層。優(yōu)選連續(xù)步驟之間不中斷真空，以降低層之間的界面污染的可能性。替代熱蒸發(fā)的一種方法是濺射，但這至少要與發(fā)光層相鄰地淀積層15會導(dǎo)致對發(fā)光層12的損害，因而不優(yōu)選。在第一熱蒸發(fā)步驟中，淀積層15。層15是鈣，厚度約5-25埃，優(yōu)選約15埃。在第二熱蒸發(fā)步驟中，淀積層16。層16是鋰，厚度約100-500埃。在第三熱蒸發(fā)步驟中，淀積層17。層17是鋁，厚度約4000埃。
最后，接觸連附于層10與17，盡管鋁層16某種程度上可起到密封劑的作用，但對于環(huán)保來說，優(yōu)選器件在環(huán)氧樹脂中密封。
使用中，當陽極與陰極之間施加適當電壓時，激發(fā)發(fā)光層發(fā)光。這通過透明陽極和玻璃覆蓋板傳到觀察者。
本申請人發(fā)現(xiàn)這種器件極大提高了效率。圖3-4表示與圖2類似器件(器件E-H)和兩個比較器件設(shè)計(器件A-D和器件J-P)的性能數(shù)據(jù)。
器件的共同結(jié)構(gòu)如下●襯底玻璃●陽極ITO●電荷輸運層1∶5.5PEDOT∶PSS；厚度500?！癜l(fā)光層4∶15BTF8∶TFB；厚度750埃器件的陰極如下器件A-D●與發(fā)光層相鄰的、厚度500埃的鈣層；以及●厚度4000埃的鋁蓋層器件E-H●與發(fā)光層相鄰的、厚度500埃的鋰層；然后●厚度1000埃的鈣層；和●厚度4000埃的鋁蓋層器件J-P●與發(fā)光層相鄰的、厚度25埃的鋰層；和●厚度4000埃的鋁蓋層圖3用Lm/W和Cd/A表示器件的峰值測量效率。圖4表示在亮度0.01、100和1000Cd/m2下的器件驅(qū)動電壓。圖3表明器件E-H的峰值效率遠遠大于其它器件。圖4表明器件E-H的驅(qū)動電壓沒有明顯提高，并且比器件J-P的驅(qū)動電壓低許多。
圖5-9表示其它類似器件的數(shù)據(jù)。圖5表示器件的實驗數(shù)據(jù)，該器件包括ITO陽極、80nm PEDOT∶PSS層、63nm發(fā)藍光材料層(手套箱(glovebox)中旋涂)和陰極，陰極由鄰近發(fā)光層的、其成分由各個曲線圖所示的第一層、第二10nm Ca層和最后Al層形成。圖6表示器件的實驗數(shù)據(jù)，該器件包括ITO陽極、80nm PEDOT∶PSS層、70nm發(fā)綠光材料層(手套箱中F8∶TFB∶F8BT旋涂的)和陰極，陰極由鄰近發(fā)光層的、其成分由各個曲線圖所示的第一層、第二10nm Ca層和最后A1層形成。實驗數(shù)據(jù)是電致發(fā)光光譜、相對于電壓的發(fā)光效率、相對于電壓的電流密度、相對于電壓的亮度和相對于時間的亮度。效率數(shù)據(jù)概括如下
藍光發(fā)射器的EL光譜只略微與所用的陰極材料相關(guān)，更高電流密度的EL光譜顯示典型的聚集特征。綠光光譜相對而言與所用的陰極材料無關(guān)。器件性能似乎主要取決于第一陰極層的金屬組分。對于兩種發(fā)光聚合物，Mg基器件的性能最差，具有相對低的效率和電流。Cs基器件的性能在中間。而LiF得到最高性能的器件。其它Li鹵化物，對于發(fā)藍光來說具有相對差的性能，而對于發(fā)綠光來說，效率變化。
圖7表示具有ITO陽極、PEDOT∶PSS層、能發(fā)藍光、綠光或紅光(如各個圖所示)的發(fā)光層和電極的類似器件的效率數(shù)據(jù)，電極具有以下結(jié)構(gòu)
(a)與發(fā)光器相鄰的Ca層和Al上層；(b)與發(fā)光器相鄰的LiF層(6nm厚)，然后是Ca層(10nm厚)和Al上層(c)與發(fā)光器相鄰的Ca層(5nm厚)，然后是LiF層(6nm厚)和Al上層。
圖8表示對于Ca/LiF/Al結(jié)構(gòu)中具有LiF層厚度范圍的相似藍光、綠光和紅光器件，作為最大Lm/W曲線的效率數(shù)據(jù)。圖9表示對于LiF/Ca/Al結(jié)構(gòu)中具有LiF層厚度范圍的器件，作為最大Lm/W曲線的效率數(shù)據(jù)。
通過用相似的Yb或Ba層來替代該器件中的Ca層，本申請人也能得到優(yōu)良結(jié)果。其它材料例如Sm、Y和Mg產(chǎn)生類似效果。
大多數(shù)上述器件在其陰極中包括族1或族2的金屬鹵化物層例如LiF層。本申請人研究其它族1和2金屬的化合物和配合物如LiO，發(fā)現(xiàn)效果優(yōu)良。過渡金屬鹵化物、化合物和配合物例如YF(參見上述)也可產(chǎn)生優(yōu)良效果。族1、族2或過渡金屬的有機配合物也可實現(xiàn)優(yōu)良效果。這些材料包括通過提供勢壘效應(yīng)(例如LiO)或通過該情形下由于其低有效功函數(shù)而引起的另一效應(yīng)而利用電勢工作的材料。
認為當與發(fā)光層12相鄰的陰極層15足夠薄，以致于疊加其上的陰極層16的性能可影響電荷由陰極注入到發(fā)光層時，有機會選擇層15和16的材料，從而通過其性能結(jié)合來提高器件的性能。認為該改進的機理可能包括(a)通過層15防止在器件的有機層(例如層15)與層16的材料之間的有害相互作用，而至少保留層16的材料的某些注入性能；和(b)通過層15(例如用有機層如層15)形成中間態(tài)，有助于電子從層16的注入。層15應(yīng)足夠薄，使得所述效應(yīng)發(fā)生，但也應(yīng)足夠厚，以便可重復(fù)而均勻淀積(沒有過多缺陷)。為利用可能的機理(a)，層16可由比層15反應(yīng)性更強的材料形成，但功函數(shù)更低。也應(yīng)注意到，當適當材料(例如LiF)層與發(fā)光層略微隔開時，正如圖7和8的Ca/LiF/Al器件中，也能得到高度優(yōu)良的性能。通常，可能機理包括表面感應(yīng)偶極子、改進的功函數(shù)、化學(xué)穩(wěn)定化合物的電荷轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)、以及形成摻雜注入層的陰極化合物層的離解。
應(yīng)注意到，在實驗評估上述類型的器件中，陰極的上層(例如Al)提供重要保護效果。替代Al，其它適當材料包括Ag或ITO，具有能提供透明層的優(yōu)點，從而整個陰極透明或至少半透明。這對于器件用于通過陰極發(fā)光時是有利的。
上述類型的器件可形成多像素顯示器件的像素。
可在本發(fā)明范圍內(nèi)以多種方式改變上述器件。例如，蓋層17省略；各層由不同材料形成；在陰極或器件的其它處可存在附加層；或在發(fā)光層與電極之一或兩個之間提供一個或多個附加電荷輸運層，在各個電極和發(fā)光層之間促使電荷輸運和/或阻擋電荷反方向的輸運。發(fā)光材料可以是升華分子膜的類型，如C.W.Tang和S.A.VanSlyke，Appl.Phys.Lett.51，913-915(1987)的“有機電致發(fā)光二極管”中所述。電極的位置可以顛倒，從而陰極位于顯示器的前部(離觀察者最近)，而陽極位于背部。
同一原理可應(yīng)用于檢測器件而非發(fā)光的器件。通過利用響應(yīng)光而能產(chǎn)生電場的材料來替代(如果需要)發(fā)光材料，如上所述改進電極的性能增強可用于提高檢測電壓和/或效率。
本申請人注意到如下事實，本發(fā)明可包括這里隱含或明確公開的任何發(fā)明特征或特征組合或其引伸，而不限定于本發(fā)明任一權(quán)利要求的范圍。鑒于上述，本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然可進行各種變形，而仍處于本發(fā)明范圍。
權(quán)利要求
1.光電器件，包括陽極；陰極；和位于電極之間的光電有源區(qū)；陰極包括包含族1、族2或過渡金屬的化合物的第一層；包含功函數(shù)低于3.5eV的材料的第二層；以及通過第一、第二層與光電有源區(qū)隔開的并且功函數(shù)大于3.5eV的第三層。
2.按照權(quán)利要求1的光電器件，其中化合物是族1或族2金屬的化合物。
3.按照權(quán)利要求1的光電器件，其中化合物是族1金屬的化合物。
4.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中化合物是鋰的化合物。
5.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中化合物是鹵化物。
6.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中化合物是氟化物。
7.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中通過第二層把第一層與光電有源區(qū)隔開。
8.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中通過第一層把第二層與光電有源區(qū)隔開。
9.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中第一和第二層中之一與光電有源層相鄰。
10.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中第二層包括從包含如下金屬的組中選擇出的金屬Li、Ba、Mg、Ca、Ce、Cs、Eu、Rb、K、Y、Sm、Na、Sm、Sr、Tb或Yb，或這些金屬的兩種或多種的合金。
11.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中第二層比第一層要厚。
12.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中第一層厚度在10-150埃之間。
13.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中構(gòu)成第一層的、功函數(shù)低于3.5eV的所述材料，其功函數(shù)比構(gòu)成第二層的、功函數(shù)低于3.5eV的所述材料要高。
14.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中第三層厚度大于1000埃。
15.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中功函數(shù)大于3.5eV的所述材料的導(dǎo)電率大于105(Ω.cm)-1。
16.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中功函數(shù)大于3.5eV的所述材料是鋁、金或銦-錫氧化物。
17.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中陰極透明。
18.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中光電有源區(qū)是發(fā)光的。
19.按照任一上述權(quán)利要求的光電器件，其中光電有源區(qū)包括發(fā)光有機材料。
20.按照權(quán)利要求19的光電器件，其中發(fā)光有機材料是聚合物材料。
21.按照權(quán)利要求20的光電器件，其中發(fā)光有機材料是共軛聚合物材料。
22.按照權(quán)利要求19-21中任何一個的光電器件，包括在發(fā)光有機材料和電極之一之間的電荷輸運層。
23.形成光電器件的方法，包括淀積陽極；在陽極上淀積光電有源材料區(qū)；在光電有源材料區(qū)上淀積包含族1、族2或過渡金屬的化合物的層和包含功函數(shù)低于3.5eV的材料的層；以及在那些層上淀積功函數(shù)大于3.5eV的材料，形成第三陰極層。
24.參考附圖的圖2-9，基本上如在本文公開的光電器件。
25.參考附圖的圖2-9，基本上如在本文公開的形成光電器件的方法。
全文摘要
光電器件,包括:陽極(10);陰極(11);和位于電極之間的光電有源區(qū)(12);陰極包括:包含族1、族2或過渡金屬的化合物的第一層(15);包含功函數(shù)低于3.5eV的材料的第二層(16);以及通過第一、第二層與光電有源區(qū)隔開的并且功函數(shù)大于3.5eV的第三層(17)。
文檔編號H05B33/26GK1340218SQ0080366
公開日2002年3月13日 申請日期2000年2月14日 優(yōu)先權(quán)日1999年2月12日
發(fā)明者J·H·布羅格斯, J·C·卡特爾, A·G·甘尼爾, S·K·赫克斯, I·S·米拉德 申請人:劍橋顯示技術(shù)有限公司